以下、本発明を実施の形態により詳細に説� ��する。
本発明の磁気ディスクは、基板上に、少なく とも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられ た磁気ディスクであって、前記潤滑層は、
 化学式

で示される化合物(以下、本発明に係る潤滑� �化合物(I)と称する)、及び、
 化学式

で示される化合物(以下、本発明に係る潤滑� �化合物(II)と称する)から選ばれる少なくとも 一つの化合物を含有する潤滑剤aと、構造中� �パーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ� �端にはヒドロキシル基を有するパーフルオ� �ポリエーテル基同士が、構造中に少なくと� �2個のヒドロキシル基を有する2価の連結基を 介して結合している化合物(以下、本発明に� �る潤滑剤化合物(III)と称する)を含有する潤� �剤bと、を含有する潤滑剤cが成膜されてなる 。

本発明の磁気ディスクにおける潤滑層に含 有される本発明に係る潤滑剤化合物(I)は、構 造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し 、且つ末端には4個のヒドロキシル基を有す� �パーフルオロポリエーテル系化合物である� �また、本発明に係る潤滑剤化合物(II)は、構� ��中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し� ��且つ末端には2個のヒドロキシル基を有する パーフルオロポリエーテル系化合物である。 なお、これらのパーフルオロポリエーテル系 潤滑剤は、市販品としては、例えばソルベイ ソレクシス社製のフォンブリンゼットテトラ オール(商品名)およびフォンブリンゼットド� ��ル(商品名)を用いることができる。

また、本発明に係る潤滑剤(III)は、構造中に� ��ーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ� ��端にはヒドロキシル基を有するパーフルオ� ��ポリエーテル基同士が、構造中に少なくと� ��2個のヒドロキシル基を有する2価の連結基� �介して結合している化合物である。
上記2価の連結基は、構造中に少なくとも2個� ��ヒドロキシル基を有するものであればよく� ��たとえば、-(CR ₁ R ₂ )-で示される基を有する基である。ここで、R ₁ 、R ₂ はそれぞれ水素原子またはヒドロキシル基で ある。

上記パーフルオロポリエーテル基は、その構 造中に例えば、-(O-C ₂ F ₄ )m-(O-CF ₂ )n-(m、nはそれぞれ1以上の整数である。)で示� ��れるパーフルオロポリエーテル主鎖を有し� ��且つ末端にはヒドロキシル基を有するもの� ��あり、かかるパーフルオロポリエーテル基� ��しては、例えば下記式(I)で示される基が好� ��しく挙げられる。
式(I)

式中、m、nはそれぞれ1以上の整数である。

本発明に係る潤滑剤(III)の製造方法としては� ��たとえば、分子中にパーフルオロポリエー� ��ル主鎖を有し且つ末端にヒドロキシル基を� ��するパーフルオロポリエーテル化合物の2当 量と、該パーフルオロポリエーテル化合物と 反応してヒドロキシル基を生成しうる構造を 有する脂肪族化合物の1当量とを反応させる� �とによる製造方法が好ましく挙げられる。
上記脂肪族化合物としては、例えば、末端に エポキシド構造を有するジエポキシ化合物が 好ましく挙げられる。このような化合物を用 いることにより、本発明に係る潤滑剤(III)を� ��純度、高収率で得ることが可能である。こ� ��ようなジエポキシ化合物の具体的例示を以� ��に挙げるが、本発明はこれには限定されな� ��。

また、上記パーフルオロポリエーテル化合物 としては、たとえば分子末端にヒドロキシル 基を有する下記式(II)で示されるパーフルオ� �ジオール化合物が挙げられる。
式(II)

式中、m、nはそれぞれ1以上の整数である。

つまり、塩基条件下で、末端にヒドロキシル 基を有するパーフルオロポリエーテル化合物 を塩基に作用させアルコキシドとし、このア ルコキシドが、末端にエポキシド構造を有す る脂肪族化合物と求核開環反応を行うことに より、パーフルオロポリエーテル化合物同士 が上記脂肪族化合物から変じた連結基を介し て結合された2量体化合物が得られる。
 以下に、本発明に係る潤滑剤(III)の例示化� �物を挙げるが、本発明はこれらの化合物に� �限定されない。

本発明では、潤滑層を構成する潤滑剤とし て、本発明に係る潤滑剤化合物(I)及び本発明 に係る潤滑剤化合物(II)から選ばれる少なく� �も一つの化合物を含有する潤滑剤aと、本発� ��に係る潤滑剤化合物(III)を含有する潤滑剤b� ��を含有する潤滑剤cが用いられる。したがっ て、本発明に係る潤滑剤化合物(I)と本発明に 係る潤滑剤化合物(III)、本発明に係る潤滑剤� ��合物(II)と本発明に係る潤滑剤化合物(III)、� ��発明に係る潤滑剤化合物(I)と本発明に係る� ��滑剤化合物(II)と本発明に係る潤滑剤化合物 (III)のいずれかの組み合わせにより用いられ� ��。

本発明に係る潤滑剤(I)および(II)の分子量� �特に制約はされないが、市販品を用いる場� �には、適当な方法で分子量分画することに� �り、例えば重量平均分子量(Mw)が、3000~7000程� ��の範囲であることが好ましく、4000~6000の範� ��であることが更に好ましい。また、分子量� ��画することにより、分子量分散度(重量平均 分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)比)を1.2以下とす� �のが好ましい。

また、本発明に係る潤滑剤(III)の分子量につ� ��ても特に制約はされないが、例えば数平均� ��子量(Mn)が、1000~10000の範囲であることが好� �しく、1000~6000の範囲であることが更に好ま� �い。前記潤滑剤aと混合して用いた場合、適� ��な粘度による修復性を備え、好適な潤滑性� ��を発揮し、しかも優れた耐熱性を兼ね備え� ��ことができるからである。また、本発明に� ��る潤滑剤(III)を適当な方法で分子量分画す� �ことにより、分子量分散度(重量平均分子量( Mw)/数平均分子量(Mn)比)を1.2以下とするのが好 ましい。
本発明において、分子量分画する方法に特に 制限を設ける必要は無いが、例えば、超臨界 抽出法による分子量分画や、ゲルパーミエー ションクロマトグラフィー(GPC)法による分子� ��分画などを用いることができる。

本発明では、本発明に係る潤滑剤化合物(I) 及び本発明に係る潤滑剤化合物(II)から選ば� �る少なくとも一つの化合物を含有する潤滑� �aと、本発明に係る潤滑剤化合物(III)を含有� �る潤滑剤bとを混合した潤滑剤cを用いるが、 この潤滑剤cは、潤滑剤a/潤滑剤bの重量比が8: 2~2:8であることが本発明による作用効果が好� ��に発揮されるため、特に好ましい。さらに� ��ましくは、潤滑剤a/潤滑剤bの重量比が4:6~6:4 である。

本発明に係る潤滑剤を用いて潤滑層を成膜す るにあたっては、本発明に係る潤滑剤化合物 (I)及び本発明に係る潤滑剤化合物(II)から選� �れる少なくとも一つの化合物を含有する潤� �剤αを分子量分画して、例えば重量平均分子 量(Mw)が3000~7000、分子量分散度を1.2以下とし� �潤滑剤aを作製し、本発明に係る潤滑剤化合� ��(III)を適宜分子量分画して潤滑剤bを作製し� ��次いで潤滑剤aと潤滑剤bとを混合した潤滑� �cを作製し、該潤滑剤cを適当な溶媒に分散溶 解させた溶液を用いて、例えばディップ法に より塗布して成膜することができる。溶媒と しては、例えばフッ素系溶媒(三井デュポン� �ロロケミカル社製商品名バートレルXFなど)� �好ましく用いることができる。潤滑層の成� �方法はもちろん上記ディップ法には限らず� �スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコ� �ト法などの成膜方法を用いてもよい。
本発明においては、成膜した潤滑層の保護層 への付着力をより向上させるために、成膜後 に磁気ディスクを50℃~150℃の雰囲気に曝して もよい。

本発明にあっては、潤滑層の膜厚は、4~18� �とするのがよい。4Å未満では、潤滑層とし� ��の潤滑性能が低下する場合がある。また18� �を超えると、薄膜化の観点から好ましくな� �、またフライスティクション障害が発生す� �場合があり、またLUL耐久性が低下する場合� �ある。

また、本発明における保護層としては、炭 素系保護層を好ましく用いることができる。 特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保 護層はとくに炭素系保護層であることにより 、本発明に係る潤滑剤の極性基(特にヒドロ� �シル基)と保護層との相互作用が一層高まり� ��本発明による作用効果がより一層発揮され� ��ため好ましい態様である。なお、炭素系保� ��層と潤滑層の付着力を調節するために、炭� ��系保護層を水素化炭素及び/又は窒素化炭素 として、水素及び/又は窒素の含有量を調節� �ることにより制御することが可能である。� �の場合、水素の含有量は水素前方散乱法(HFS) で測定したときに3~20原子%とするのが好まし� ��。また、窒素の含有量はX線光電子分光分析 法(XPS)で測定したときに、4~12原子%とするの� �好ましい。

本発明における炭素系保護層においては、 水素及び/又は窒素は保護層全体に均一に含� �される必要はなく、とくに保護層の潤滑層� �に窒素を含有させ、磁性層側に水素を含有� �せた組成傾斜層とすることが好適である。

本発明において炭素系保護層を用いる場合は 、例えばDCマグネトロンスパッタリング法に� ��り成膜することができるが、特にプラズマC VD法により成膜されたアモルファス炭素保護� ��とすることが好ましい。プラズマCVD法によ� ��成膜することで保護層表面が均一となり密� ��成膜される。従って、より粗さが小さいCVD� ��で成膜された保護層上に本発明による潤滑� ��を形成することは好ましい。
本発明にあっては、保護層の膜厚は、20~70Å� ��するのがよい。20Å未満では、保護層とし� �の性能が低下する場合がある。また70Åを超 えると、薄膜化の観点から好ましくない。

本発明の磁気ディスクにおいては、基板はガ ラス基板であることが好ましい。ガラス基板 は剛性があり、平滑性に優れるので、高記録 密度化には好適である。ガラス基板としては 、例えばアルミノシリケートガラス基板が挙 げられ、特に化学強化されたアルミノシリケ ートガラス基板が好適である。
 本発明においては、上記基板の主表面の粗� ��は、Rmaxが6nm以下、Raが0.6nm以下の超平滑で� �ることが好ましい。なお、ここでいう表面� �さRmax、Raは、JIS B0601の規定に基づくもので� ��る。

 本発明の磁気ディスクは、基板上に少な� ��とも磁性層と保護層と潤滑層を備えている� ��、本発明において、上記磁性層は特に制限� ��なく、面内記録方式用磁性層であっても、� ��直記録方式用磁性層であってもよいが、と� ��に垂直記録方式用磁性層は近年の急速な高� ��録密度化の実現に好適である。とりわけ、C oPt系磁性層であれば、高保磁力と高再生出力 を得ることができるので好適である。

 本発明の磁気ディスクにおいては、基板� ��磁性層との間に、必要に応じて下地層を設� ��ることができる。また、該下地層と基板と� ��間に付着層や軟磁性層等を設けることもで� ��る。この場合、上記下地層としては、例え� ��、Cr層、Ta層、Ru層、あるいはCrMo,CoW,CrW,CrV,Cr Ti合金層などが挙げられ、上記付着層として� ��、例えば、CrTi,NiAl,AlRu合金層などが挙げら� �る。また、上記軟磁性層としては、例えばCo ZrTa合金膜などが挙げられる。

本発明の磁気ディスクは、特にLUL方式の磁 気ディスク装置に搭載される磁気ディスクと して好適である。LUL方式の導入に伴う磁気ヘ ッド浮上量の一段の低下により、10nm以下の� �浮上量においても磁気ディスクが安定して� �作することが求められるようになってきて� �り、低浮上量のもとで高い信頼性を有する� �発明の磁気ディスクは好適である。