この発明の一実施例を以下図面に基づいて� ��述する。 
 図面は、図5に示すように、厚みT1=1mm、幅W=3 .5mmの断面平角形状に引抜伸線加工された導� �性を有する金属製の導体A上(図4参照)に、エ� ��メルワニスからなる絶縁皮膜Bを厚さT2=40μm� ��被覆してなる絶縁電線Dを製造する絶縁電線 の製造方法及びその製造装置を示している。

 前記絶縁電線の製造方法は、図1に示すよ うに、導体供給工程aと、導体圧延工程bと、� ��体伸線工程cと、導体焼鈍工程dと、皮膜焼� �工程eと、電線巻取工程fとの順にタンデム(� �列)で行なう。つまり、導体供給工程aにおい て、導体供給部2に供給された原料の導体Aを� ��供給キャプスタン3及び供給ダンサーロール 4を介して導体圧延工程bへ供給する。

 導体圧延工程bにおいて、導体圧延部5の� �動機構により回転される上下一対の圧延ロ� �ル5A,5Aで幅方向に圧延した後(図2参照)、繰出 ダンサーロール6を介して導体伸線工程cへ供� ��する。

 導体伸線工程cにおいて、導体圧延部5で� �延された導体Aを、導体伸線部7の駆動機構に よらずに自由回転する一対の圧延ロール7A,7A� ��圧延しながら、ダイス7Bで所定の形状及び� �法に引抜伸線加工する(図3参照)。そして、� �面平角形状に圧延伸線された導体A(図4参照)� ��、引張キャプスタン8を介して導体焼鈍工程 dへ供給する。

 導体焼鈍工程dにおいて、導体伸線部7で� �抜伸線加工された導体Aを導体焼鈍部9の焼鈍 炉9aで焼鈍して皮膜焼付工程eへ供給する。

 皮膜焼付工程eにおいて、導体焼鈍部9で� �鈍された導体Aを皮膜焼付部10の焼付炉10aで� �ナメルワニスを塗布して焼付ける。その後� �エナメルワニスからなる絶縁皮膜Bで被覆さ� ��た絶縁電線D(図5参照)を電線巻取工程fへ供� �する。

 電線巻取工程fにおいて、絶縁皮膜Bで被� �された絶縁電線Dを、引取キャプスタン11を� �して電線巻取部12で巻取る。

 このようにして、本発明の絶縁電線の製� ��方法は、導体供給工程aから電線巻取工程f� �での全工程を一貫して行うものである。

 前記製造方法を用いて絶縁電線Dを製造す る製造装置1は、導体供給部2と、供給キャプ� ��タン3と、供給ダンサーロール4と、導体圧� �部5と、繰出ダンサーロール6と、導体伸線部 7と、引張キャプスタン8と、導体焼鈍部9と、 皮膜焼付部10と、引取キャプスタン11と、電� �巻取部12とで構成され、前記の順にタンデム で配置している(図1参照)。

 なお、前記導体供給工程aは、導体供給部 2を用いて行い、導体圧延工程bは、供給キャ� ��スタン3と、供給ダンサーロール4と、導体� �延部5と、繰出ダンサーロール6とを用いて行 う。また、導体伸線工程cは、導体伸線部7を� ��いて行い、導体焼鈍工程dには、導体焼鈍部 9を用いて行なう。また、皮膜焼付工程eは、� ��膜焼付部10を用いて行い、電線巻取工程fに� ��、電線巻取部12を用いて行なう。

 導体供給工程aの導体供給部2は、例えば� �体製造工場等から供給された原料の導体Aを� ��体圧延工程bの供給キャプスタン3と、供給� �ンサーロール4と、導体圧延部5へ連続して供 給するものである(図1参照)。

 導体圧延工程bの供給キャプスタン3は、� �示しない駆動機構により回転され、導体供� �部2から供給される導体Aを供給ダンサーロー ル4へ送り出すものである(図1参照)。

 導体圧延工程bの供給ダンサーロール4は� �導体Aが掛け渡される上下に配置した一対の� ��ール4A,4Aと、各ロール4A,4Aの位置変化を検出 するポテンショメータ4Bと、供給キャプスタ� ��3の供給速度を制御する供給速度制御部4Cで� ��成されている。このような構成の供給ダン� ��ーロール4は、供給キャプスタン3から供給� �れる導体Aを、下側ロール4Aの上下移動によ� �適度な張力に保ちながら、導体圧延工程bに� ��ける次の導体圧延部5へ供給するものである (図1参照)。

 つまり、前記製造装置1は、導体圧延工程 bにおいて、前記圧延ロール5A,5Aの回転速度と 前記一対の圧延ロール5A,5A間に対して供給さ� ��る導体Aの供給速度を比較し、該比較の結果 に応じて前記導体Aの供給速度を可変制御す� �。

 くわしくは、上下の各ロール4A,4Aに掛け� �された導体Aが弛むと、下側ロール4Aが下降� �、各ロール4A,4A間の間隔が広くなる一方で、 導体Aが張ると、下側ロール4Aが上昇し、各ロ ール4A,4A間の間隔が狭くなる。

 このように、上下の各ロール4A,4Aに掛け� �された導体Aの張り具合に応じて、各ロール4 A,4Aの相対位置が変化するため、各ロール4A,4A の位置変化をポテンショメータ4Bで検出して� ��その検出した検出信号を供給速度制御部4C� �出力する。

 供給速度制御部4Cは、ポテンショメータ4B から出力される検出信号に基づいて、供給キ ャプスタン3による導体Aの供給速度を可変調� ��し、導体圧延部5へ供給される導体Aの供給� �度を制御する。

 なお、前記一対の圧延ロール5A,5Aに対して� �給する導体Aの張力の変動を抑制するように� ��供給速度を可変制御することができる構成� ��あれば、上述したようなポテンショメータ4 Bや供給ダンサーロール4を備えた構成に限定� ��ず、他の構成であってもよい。 
 例えば、前記圧延ロール5A,5Aの回転速度や� �体の供給速度を直接、エンコーダや速度検� �手段としてタコジェネレーターなどを用い� �速度を検出し、その検出した値を比較した� �果に応じて前記導体の供給速度を可変制御� �る構成であってもよい。

 導体圧延工程bの導体圧延部5は、導体Aを駆� ��機構(図示せず)により回転される一対の圧� �ロールロール5A,5Aで断面平角形状に圧延し、 該圧延後の導体Aの幅の変化に応じて前記圧� �ロール5A,5Aの間隔を可変制御するよう構成し ている。 
 くわしくは、導体圧延工程bの導体圧延部5� �、駆動機構により回転される図2にも示した� ��下一対の圧延ロール5A,5Aと、図示しない駆� �機構により各圧延ロール5A,5A間の間隔(ギャ� �プ)を可変調整する間隔調整部5Bと、各圧延� �ール5A,5Aで圧延された導体Aの寸法(図4参照の 幅W)を光学的に検出する導体寸法監視部5Cと� �構成されている。

 このような構成の導体圧延部5は、導体圧 延部5から供給される導体Aを各圧延ロール5A,5 Aで幅方向に伸ばして所望する厚み及び幅に� �延した後、繰出ダンサーロール6を介して導� ��伸線工程cの導体伸線部7へ供給するもので� �る。また、光学的な導体寸法監視部5Cに代え て、例えば機械的な導体寸法監視部を用いて もよい。

 導体寸法監視部5Cは、導体圧延部5で圧延� ��れた導体Aの寸法(図4参照の幅W)を光学的に� �定し、その測定結果に基づいて、所望する� �法に導体Aが圧延されているか否かを判定す� ��。その測定結果を後述する間隔調整部5Bへ� �力するものである。

 一対の圧延ロール5A,5Aは、軸方向の周面� �同径に形成したロールで構成され、断面丸� �状の導体Aを幅方向に伸ばして断面平角形状� ��圧延するため、各圧延ロール5A,5Aを略並行� �配置している。

 なお、圧延ロール5A,5Aは、導体Aを断面平� ��形状以外の所望の断面形状に圧延したい場� ��には、それぞれを、その形状に応じて構成� ��たものを使用すればよい。

 また、各圧延ロール5A,5Aは、後述する間� �調整部5Bにより、互いの間隔が狭くなる近接 方向と、互いの間隔が広くなる離間方向へ相 対移動自在に設けられている。

 つまり、各圧延ロール5A,5Aの間に送り込� �れる断面丸形状の導体Aを、図示しない導体� ��取部により引抜き方向Pへ引っ張るとともに 、各圧延ロール5A,5Aを図示しない駆動機構に� ��り回転させて、各圧延ロール5A,5A間に挟み� �まれる導体Aを断面平角形状に圧延する(図2� �照)。

 間隔調整部5Bは、後述する導体寸法監視� �5Cで測定した導体Aの測定結果に基づいて、� �圧延ロール5A,5Aを近接方向及び離間方向へ相 対移動させ、各圧延ロール5A,5A間の間隔を、� ��体Aが所望する厚み及び幅に圧延される間隔 に可変調整するものである。

 つまり、導体Aの線径や長さ方向に付与さ れる引張り力等によって、圧延される導体A� �幅方向への伸び率が異なる。また、同じ厚� �の導体Aを圧延しているにも関わらず幅が変� ��することもある。

 したがって、導体寸法監視部5Cにより導� �Aの幅が所定幅よりも狭いと判定された場合� ��各圧延ロール5A,5Aを近接方向へ移動させて� �隔を狭くすることにより、導体Aに付与され� ��幅方向への伸び率を大きくして、圧延され� ��導体Aの幅を所定幅となるように広くする。

 また、導体寸法監視部5Cにより導体Aの幅� ��所定幅よりも広いと判定された場合、各圧� ��ロール5A,5Aを離間方向へ移動させて間隔を� �くすることにより、幅方向への伸び率を小� �くして、圧延される導体Aの幅を所定幅とな� ��ように縮める。

 導体寸法監視部5C直後の繰出ダンサーロ� �ル6は、導体Aが掛け渡される上下に配置した 一対のロール6A,6Aと、各ロール6A,6Aの位置変� �を検出するポテンショメータ6Bと、導体圧延 部5の各圧延ロール5A,5Aの回転速度を制御する 圧延速度制御部6Cで構成されている。このよ� ��な構成の繰出ダンサーロール6は、導体圧延 部5から供給される導体Aを、下側ロール6Aの� �下移動により適度な張力に保ちながら、導� �伸線工程cの導体伸線部7へ供給するものであ る(図1参照)。

 前記製造装置1は、圧延後の導体Aを掛け� �した繰出ダンサーロール6の位置に応じて前� ��駆動機構による各圧延ロール5A,5Aの回転速� �を可変制御するよう構成している。

 くわしくは、供給ダンサーロール4と同様 に、上下の各ロール6A,6Aに掛け渡された導体A の張り具合に応じて、各ロール6A,6Aの相対位� ��が変化する。この時、各ロール6A,6Aの位置� �化をポテンショメータ6Bで検出して、その検 出した検出信号を圧延速度制御部6Cへ出力す� ��。圧延速度制御部6Cは、ポテンショメータ6B から出力される検出信号に基づいて、導体圧 延部5の各圧延ロール5A,5Aの回転速度を可変調 整し、断面平角形状に導体Aが圧延される回� �速度に制御する。

 導体伸線工程cの導体伸線部7は、図3にも� ��すように、図示しない駆動機構によらずに� ��導体Aの接触抵抗により自由回転される上下 一対の圧延ロール7A,7Aと、その各圧延ロール7 A,7Aにより断面平角形状に圧延された導体Aを� ��定の形状及び寸法に引抜き加工するダイス7 Bで構成されている。

 このような構成の導体伸線部7は、繰出ダ ンサーロール6を介して、導体圧延部5から供� ��される幅方向に伸ばされた導体Aを各圧延ロ ール7A,7Aで圧延しながら、ダイス7Bで所定の� �状及び寸法に引抜伸線加工するものである� �なお、上下一対の圧延ロール7A,7Aは、カセッ トローラダイス(CRD)に設けられている。

 上下一対の圧延ロール7A,7Aは、導体Aを断� ��平角形状に圧延するため、向かい合う各圧� ��ロール7A,7Aを略並行に配置している。つま� �、各圧延ロール7A,7Aの間に送り込まれる導体 Aを、図示しない導体引取部により引抜き方� �Pへ引っ張るとともに、その導体Aの接触抵抗 により各圧延ロール7A,7Aを自由回転させる。� ��体Aの線径は、各圧延ロール7A,7A間の間隙よ� ��も大きいため、各圧延ロール7A,7A間を通過� �る際に断面平角形状に圧延される。また、� �下左右一対の圧延ロール7A,7Aで圧延してもよ い。

 ダイス7Bは、一対の圧延ロール7A,7Aにより 圧延された導体Aを、厚さ、幅、面取り半径� �が予め設定された寸法の平角孔7Baに挿通す� �とともに、その平角孔7Baに挿通された導体A� ��、図示しない導体引取部により引抜き方向P に向けて引張り力を付与しながら引抜くこと で、所望する寸法である厚さ1mm、幅3.5mmの断� ��平角形状に伸線加工する(図4参照)。

 導体伸線部7直後の引張キャプスタン8は� �図示しない駆動機構により回転され、導体� �線部7から供給される導体Aを導体焼鈍工程d� �導体焼鈍部9へ送り出すものである(図1参照)� ��

 導体焼鈍工程dの導体焼鈍部9は、伸線加� �された導体Aを焼鈍する焼鈍炉9aで構成され� �いる。このような構成の導体焼鈍部9は、導� ��伸線部7により断面平角形状に引抜伸線加工 された導体Aを焼鈍炉9a内で焼鈍するものであ る(図1参照)。焼鈍炉9aは、導体Aを通過させる 際に焼鈍し、圧延時及び引き抜き時に生じた 導体Aの歪みを除去して、柔軟化する。

 皮膜焼付工程eの皮膜焼付部10は、焼鈍さ� ��た導体A上に絶縁皮膜Bを焼付けする焼付炉10 aで構成されている(図1参照)。このような構� �の皮膜焼付部10は、導体焼鈍部9から供給さ� �る焼鈍済みの導体A上に対して焼付炉10a内で� ��縁皮膜Bを焼付けるものである。焼付炉10aは 、焼鈍炉9aから供給される導体A上に、図示し ないアプリケーターによりポリアミドイミド 樹脂を主体としたエナメルワニスを塗布する とともに、炉温500℃~600℃で焼付けし、エナ� �ルワニスからなる絶縁皮膜Bを導体A上に対し て略均一に被覆する。なお、導体Aの表面温� �は、例えば200℃~250℃である。また、焼付時� ��炉温、炉長、速度は、実施例の数値に限定� ��れるものではなく、導体Aの太さや材質に応 じて変更してもよい。また、焼付けを複数回 繰り返してもよい。

 皮膜焼付部10直後の引取キャプスタン11は 、図示しない駆動機構により回転され、皮膜 焼付部10から供給される絶縁電線Dを一定の速 度で引張ながら電線巻取工程fの電線巻取部12 へ送り出すものである(図1参照)。

 電線巻取工程fの電線巻取部12は、図示し� ��い駆動機構により駆動され、皮膜焼付部10� �焼付炉10aから供給される絶縁皮膜Bで被覆さ� ��た絶縁電線Dを連続して巻取るものである(� �1参照)。

 なお、前記製造装置1で製造される絶縁電 線Dの厚みや幅、絶縁皮膜Bの厚さは、実施例� ��数値のみに限定されるものではなく、用途� ��応じて変更することができる。

 以下、前記製造装置1により絶縁電線Dを製� �する方法を詳述する。 
 先ず、図1に示すように、導体供給工程aに� �いて、導体供給部2に供給された原料の導体A を、供給キャプスタン3及び供給ダンサーロ� �ル4を介して導体圧延工程bへ供給する。

 導体圧延工程bにおいて、前記一対の圧延 ロール5A,5Aに対して供給する導体Aの張力の変 動を抑制するように、供給速度の可変制御を 行なう。

 くわしくは、導体圧延部5の各圧延ロール 5A,5Aの回転速度よりも、供給ダンサーロール4 による導体Aの供給速度が速いと、上下の各� �ール4A,4Aに掛け渡された導体Aが弛むため、� �側ロール4Aが下降する。また、各圧延ロール 5A,5Aの回転速度よりも、供給ダンサーロール4 による導体Aの供給速度が遅いと、導体Aが張� ��れるため、下側ロール4Aが上昇する。

 つまり、導体Aの張り具合に応じて各ロー ル4A,4Aの位置が変化するので、その各ロール4 A,4Aの位置変化をポテンショメータ4Bで検出し て、その検出した検出信号を供給速度制御部 4Cへ出力する。供給速度制御部4Cは、ポテン� �ョメータ4Bから出力される検出信号に基づい て、供給キャプスタン3による導体Aの供給速� ��を可変調整し、導体圧延部5へ供給される導 体Aの供給速度を制御する。

 このように、供給速度の可変制御を行う� ��とによって、導体Aの張力を圧延ロール5A,5A� ��の導体Aを供給する前に安定化することがで きるので圧延ロール5A,5Aによる圧延加工を安� ��して行なうことができる。

 導体圧延工程bにおいて、図2にも示すよ� �に、導体圧延部5の各圧延ロール5A,5A間に送� �込まれる断面丸形状の導体Aを、駆動機構に� ��り回転される一対の圧延ロール5A,5Aで断面� �角形状に圧延する(図4参照)。つまり、導体� �給部2から供給される導体Aの線径は、一対の 圧延ロール5A,5A間の間隙よりも大きいため、� ��圧延ロール5A,5A間を通過する際に断面平角� �状に圧延される。

 各圧延ロール5A,5Aで圧延された導体Aの寸� ��(図4参照の厚みT1、幅W)を導体寸法監視部5C� �測定し、その測定結果を間隔調整部5Bへ出力 する。

 間隔調整部5Bは、導体寸法監視部5Cによる 測定結果に基づいて、各圧延ロール5A,5A間の� ��隔を可変調整する。つまり、導体Aの幅が所 定幅よりも狭いと判定された場合、各圧延ロ ール5A,5A間の間隔を狭くして、導体Aに付与さ れる幅方向への伸び率を大きくすることによ り、圧延される導体Aの幅を広くする。

 また、導体Aの幅が所定幅よりも広いと判 定された場合、各圧延ロール5A,5A間の間隔を� ��くして、幅方向への伸び率を小さくするこ� ��により、圧延される導体Aの幅を所定幅とな るように縮める。このようにして、所望する 寸法に圧延された導体Aを、繰出ダンサーロ� �ル6を介して導体伸線工程cの導体伸線部7へ� �給する。

 導体圧延部5の各圧延ロール5A,5Aの回転速� ��よりも、繰出ダンサーロール6による導体A� �供給速度が遅いと、上下の各ロール6A,6Aに掛 け渡された導体Aが弛むため、下側ロール6Aが 下降する。また、各圧延ロール5A,5Aの回転速� ��よりも、繰出ダンサーロール6による導体A� �供給速度が速いと、導体Aが張られるため、� ��側ロール6Aが上昇する。

 つまり、導体Aの張り具合に応じて各ロー ル6A,6Aの位置が変化するので、各ロール6A,6A� �位置変化をポテンショメータ6Bで検出して、 その検出した検出信号を圧延速度制御部6Cへ� ��力する。圧延速度制御部6Cは、ポテンショ� �ータ6Bから出力される検出信号に基づいて、 導体圧延部5の各圧延ロール5A,5Aの回転速度を 可変調整し、断面平角形状に導体Aが圧延さ� �る回転速度を制御する。

 これにより、圧延後の導体Aの長手方向の 伸びに応じて前記駆動機構による前記圧延ロ ール5A,5Aの回転速度を可変制御することがで� ��る。

 くわしくは、前記圧延ロール5A,5Aに供給さ� �る導体Aは、一般に、圧延後に断面寸法が変� ��するが、この断面寸法の変動には、圧延後� ��導体Aの幅とともに、導体Aの長手方向の伸� �の変動も含まれる。 
 このため、圧延ロール5A,5Aの回転速度を可� �制御することで導体Aの伸びの変動を抑制す� ��と、導体Aの幅に影響が出て、逆に圧延ロー ル5A,5Aの間隔を制御することで導体Aの幅の変 動を抑制すると導体Aの伸びに影響が出る事� �が生じる。 
 このような事態を考慮して、これら圧延ロ� ��ル5A,5Aの回転速度の制御と圧延ロール5A,5Aの 間隔の制御とを同時に行なうことで、導体A� �幅が広くなったり狭くなったりを繰り返し� �がら導体Aに断線など生じさせることなく、� ��体Aの幅変動を次第に安定化させることがで きる。

 導体伸線工程cにおいて、図3にも示すよ� �に、導体伸線部7の各圧延ロール7A,7A間に送� �込まれる導体Aを、導体Aの接触抵抗により自 由回転される一対の圧延ロール7A,7Aで断面平� ��形状に圧延する。

 各圧延ロール7A,7Aで圧延された導体Aをダ� ��ス7Bの平角孔7Baに挿通するとともに、その� �角孔7Baに挿通された導体Aを、図示しない導� ��引取部により引抜き方向Pへ引っ張りながら 断面平角形状に引抜伸線加工した後(図4参照) 、引張キャプスタン8を介して導体焼鈍工程d� ��導体焼鈍部9へ供給する。

 導体焼鈍工程dにおいて、導体焼鈍部9の� �鈍炉9aに供給される導体Aを焼鈍し、圧延時� �び引き抜き時に生じた導体Aの歪みを除去し� ��、柔軟化させた導体Aを皮膜焼付工程eの皮� �焼付部10へ供給する。

 皮膜焼付工程eにおいて、皮膜焼付部10の� ��付炉10aに供給される導体A上に、ポリアミド イミド樹脂を主体としたエナメルワニスを導 体A上に塗布して焼付け、エナメルワニスか� �なる絶縁皮膜Bで被覆された絶縁電線D(図5参� ��)を、引取キャプスタン11を介して電線巻取� ��程fの電線巻取部12へ供給する。

 電線巻取工程fにおいて、皮膜焼付部10の� ��付炉10aから供給される絶縁電線Dを電線巻取 部12により巻取ることで、絶縁電線Dの製造が 完了する。

 以上のように、前記製造方法は、導体Aを 断面平角形状に圧延する導体圧延工程bと、� �導体圧延工程bにより断面平角形状に圧延さ� ��た導体A上に絶縁皮膜を焼付形成する皮膜焼 付工程eと、を有する絶縁電線Dを製造する絶� ��電線の製造方法において、前記導体圧延工� ��bでは、導体Aを駆動機構により回転される� �対の圧延ロール5A,5Aで断面平角形状に圧延し 、該圧延後の導体Aの幅の変化に応じて前記� �延ロール5A,5Aの間隔を可変制御することを特 徴としている。

 また、前記製造装置1は、導体Aを断面平� �形状に圧延する導体圧延部5と、該導体圧延� ��5により断面平角形状に圧延された導体A上� �絶縁皮膜を焼付形成する皮膜焼付部10とを有 して絶縁電線Dを製造する絶縁電線の製造装� �において、前記導体圧延部5では、前記導体A を駆動機構により回転される一対の圧延ロー ル5A,5Aで断面平角形状に圧延し、該圧延後の� ��体Aの幅の変化に応じて前記圧延ロール5A,5A� ��間隔を可変制御することを特徴としている� ��

 前記製造方法、及び、前記製造装置1によ り、導体Aを、駆動機構により回転される一� �の圧延ロール5A,5Aで断面平角形状に圧延する ので、圧下率を高めて導体Aを圧延しても駆� �機構で強制的に導体Aを送り出すので導体Aに 付与される後退力(バックテンション)が小さ� ��ままで圧延加工を行なうことができる。

 したがって圧下率を高めても、破断荷重� ��上の力が導体Aに付加され、圧延時に破断し てしまうことが防止される。そのため、前記 製造方法、及び、前記製造装置1においては� �例えば厚幅比が1:10程度の断面平角形状を有� ��る導体Aでも簡単且つ容易に製造することが できる。

 また、圧延ロール5A,5Aは熱膨張で径が変動� �圧延後の導体Aの幅寸法が変動してしまうケ� ��スがあることが分かっている。 
 これに対し、前記製造方法、及び、前記製� ��装置1によれば前記圧延後の導体Aの幅の変� �に応じて前記圧延ロール5A,5Aの間隔を可変制 御するので、圧延後の導体Aの幅を所望の値� �することができ、自由回転する圧延ロール7A ,7Aで圧延する方法、或いは、構成に比べて、 より幅の広い断面形状の導体Aを寸法通りに� �定して製造することができる。

 前記製造方法は、圧延後の導体Aの長手方 向の伸びに応じて前記駆動機構による前記圧 延ロール5A,5Aの回転速度を可変制御すること� ��特徴としている。

 また、前記製造装置1は、圧延後の導体A� �掛け渡した繰出ダンサーロール6の位置に応� ��て前記駆動機構による圧延ロール5A,5Aの回� �速度を可変制御することを特徴としている� �

 ここで、一般に、前記圧延ロール5A,5Aに� �給される導体Aの断面寸法が変動することで� ��延後の導体Aの幅も変動すること、およびそ の際、導体Aの長手方向の伸びが変動するこ� �が分かっている。

 そこで前記製造方法、及び、前記製造装� ��1のように、導体Aの伸びに応じて圧延ロー� �5A,5Aの回転速度を可変制御することにより、 圧延後の導体Aの幅が変動した際に導体Aの伸� ��が変動するので、繰出ダンサーロール6の位 置が変わるため、それに応じて圧延ロール5A, 5Aの回転速度が変更され、導体Aの伸びの変動 を緩和することができる。

 なお圧延ロール5A,5Aの回転速度を変更す� �ことで導体Aの伸びの変動を抑制すると、導� ��Aの幅に影響が出て、逆に圧延ロール5A,5Aの� ��隔を制御することで導体Aの幅の変動を抑制 すると導体Aの伸びに影響が出る事態が生じ� �。

 このような事態を考慮して、前記製造方� ��、及び、前記製造装置1のように、前記圧延 ロール5A,5Aの回転速度の制御と、該圧延ロー� ��5A,5Aの間隔の制御とを同時に行なうことで� �導体Aの幅を、広くなったり狭くなったりを� ��り返しながら、断線など生じさせることな� ��次第に安定化させることができる。

 前記製造方法は、前記一対の圧延ロール5 A,5Aに対して供給する導体Aの張力の変動を抑� ��するように、供給速度を可変制御すること� ��特徴としている。

 また、前記製造装置1は、前記圧延ロール 5A,5Aの回転速度と前記一対の圧延ロール5A,5A� �に対して供給される導体Aの供給速度を比較� ��、該比較の結果に応じて前記導体Aの供給速 度を可変制御することを特徴としている。

 前記製造方法、及び、前記製造装置1によ り、導体Aの張力を圧延ロール5A,5Aへの導体A� �供給前に安定化することができるので圧延� �ール5A,5Aによる圧延加工を安定して行なうこ とができる。

 前記製造方法は、導体Aを前記導体圧延工 程bに供給する導体供給工程aと、前記導体圧� ��工程bにて圧延された導体Aを駆動機構によ� �ずに自由回転する一対の圧延ロール7A,7Aで圧 延しながら、ダイス7Bを通過させて断面平角� ��状に引抜伸線加工する導体伸線工程cと、前 記導体伸線工程cにて引抜伸線加工された導� �Aを導体焼鈍部9により焼鈍して前記皮膜焼付 工程eに供給する導体焼鈍工程dと、前記皮膜� ��付工程eにて絶縁皮膜が被覆された電線を電 線巻取部12により巻き取る電線巻取工程fを、 前記導体供給工程aから電線巻取工程fまでの� ��工程を一貫してタンデムに行うことを特徴� ��している。

 前記製造装置1は、導体Aを前記導体圧延� �5に供給する導体供給部2と、前記導体圧延部 5にて圧延された導体Aを駆動機構によらずに� ��由回転する一対の圧延ロール7A,7Aで圧延し� �がら、ダイス7Bを通過させて断面平角形状に 引抜伸線加工する導体伸線部7と、該導体伸� �部7にて引抜伸線加工された導体Aを焼鈍して 前記皮膜焼付部10に供給する導体焼鈍部9と、 前記皮膜焼付部10にて絶縁皮膜が被覆された� ��縁電線Dを巻き取る電線巻取部12を備え、前� ��導体供給部2から電線巻取部12までの全手段� ��一貫してタンデムに配置したことを特徴と� ��ている。

 前記皮膜焼付工程eにおいて導体Aの供給� �度は、一定に保つことが望ましい。これに� �して、全工程をタンデムで行なう場合には� �皮膜焼付工程eでの導体Aの供給速度を一定に 保とうとすれば、導体Aの張力変動が起こる� �とが一般に分かっている。それにより圧延� �の導体Aの張力が変わり、導体Aの幅に影響が 出ることがあるが、前記製造方法、及び、前 記製造装置1のように、皮膜焼付工程eよりも� ��工程である導体圧延工程bにおいて、圧延ロ ール5A,5Aの回転速度の制御と、圧延ロール5A,5 Aの間隔の制御とを同時に行なうことで、全� �程をタンデムで行なう場合でも導体Aに断線� ��どを生じさせることなく、導体Aの幅変動を 効果的に安定化させることができる。

 このように上述の全工程のタンデム化が� ��能になることにより、工程間で中間製品(導 体)を巻き取る必要が無くなり、巻き取りに� �因する製品の損傷などの問題を無くすこと� �できるようになるとともに、絶縁電線を連� �して長距離に製造することができるように� �る。

 その他にも、一対の圧延ロール5A,5Aによ� �圧延される導体Aの寸法を監視しながら、各� ��延ロール5A,5A間の間隔と導体Aの供給速度及� ��繰出し速度を、適度な速度及び間隔に可変� ��御するので、導体Aの寸法精度が高くなる。 また、ポテンショメータ4Bや導体寸法監視部5 Cによる監視に基づいて、例えば供給、圧延� �繰出し等の速度を各速度制御部4C,6Cにより可 変制御するので、絶縁電線D製造時における� �体Aの供給速度を一律にすることができる。� ��たがって、導体A上に対して絶縁皮膜Bが略� �一に被覆されたエナメル線が得られるとと� �に、品質の向上及び安定を図ることができ� �。

 上述した実施例と、この発明の構成との対� ��において、この実施例の供給キャプスタン3 と、供給ダンサーロール4は、この発明の導� �供給手段に対応し、以下同様に、
導体圧延部5は、導体圧延手段に対応し、 
導体伸線部7は、導体伸線手段に対応し、 
導体焼鈍部9は、導体焼鈍手段に対応し、 
皮膜焼付部10は、皮膜焼付手段に対応し、 
電線巻取部12は、電線巻取手段に対応するも� ��この発明は、上述の実施例の構成のみに限� ��されるものではなく、その他にも多くの実� ��の形態を得ることができる。

 例えば、導体の供給速度を監視する手段� ��しては、ロール4A,4Aの位置変化を検出可能� �前記ポテンショメータ4Bに限らず、他の供給 速度監視手段で構成することができる。

 導体寸法を監視する手段としては、各圧� ��ロール5A,5Aで圧延された導体Aの寸法を光学� ��に検出する例えば、上述したレーザー式測� ��器などの導体寸法監視部5Cに限らず、カメ� �式測定器など、他の導体寸法監視手段で構� �することができる。

 各圧延ロール5A,5A間の間隔(ギャップ)を可 変調整する手段としては、前記間隔調整部5B� ��限らず、その他の間隔調整手段で構成する� ��とができる。

 導体の繰出し速度を監視する手段として� ��、ロール6A,6Aの位置変化を検出可能な前記� �テンショメータ6Bに限らず、他の繰出し速度 監視手段で構成することができる。

 前記供給速度制御部4Cは、例えばパーソ� �ルコンピューター、CPU、ROM、RAMを備える等� �て構成した供給速度制御手段で構成するこ� �ができる。

 前記圧延速度制御部6Cは、例えばパーソ� �ルコンピューター、CPU、ROM、RAMを備える等� �て構成した圧延速度制御手段で構成するこ� �ができる。

 また、前記導体Aは、上述したように断面 丸形状に限らず、例えば卵形、矩形、楕円形 等の軸方向に垂直な平面で切断した断面形状 の導体で構成することができる。また、導体 の材質は、例えばアルミニウム、銀、銅等の 導電性を有する金属で構成することができる 。主に銅が使用され、その場合には、純銅の ほか低酸素銅や無酸素銅を特に好適に使用す ることができる。

 さらにまた、図6に示すように、導体圧延部 5の各圧延ロール5A,5Aで圧延された導体Aを、� �体伸線部7のダイス7Bで引抜き加工せずに、� �圧延ロール7A,7Aのみで圧延して製造してもよ く、前記実施例と略同等の作用及び効果を奏 することができる。 
 なお、図6は、導体Aを、導体圧延部5の各圧� ��ロール5A,5Aと、導体伸線部7の各圧延ロール7 A,7Aで圧延して製造する製造方法の他の工程� �を示している。

 図7に示すように、導体圧延部5の各圧延ロ� �ル5A,5Aで圧延された導体Aを、導体伸線部7の� ��圧延ロール7A,7Aで圧延せずに、ダイス7Bのみ で引抜伸線加工して製造してもよく、前記実 施例と略同等の作用及び効果を奏することが できる。 
 なお、図7は、導体圧延部5の各圧延ロール5A ,5Aで圧延された導体Aを、導体伸線部7のダイ� ��7Bで引抜伸線加工して製造する製造方法の� �の他の工程例を示している。

 図8に示すように、導体圧延部5の各圧延ロ� �ル5A,5Aで所定の厚み及び幅に導体Aが圧延さ� �るならば、導体伸線部7の各圧延ロール7A,7A� �ダイス7Bで引抜伸線加工する必要がなく、製 造工程及び装置全体の構成を簡素化して、製 造時間を短縮することができる。 
 なお、図8は、導体圧延部5の各圧延ロール5A ,5Aで圧延された導体Aを、導体圧延部5から皮� ��焼付部10へ供給して製造する製造方法のそ� �他の工程例を示している。

 このように、この発明は、多くの実施の� ��態を得ることができる。