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Patent Searching and Data


Title:
MATERIAL CONSISTING OF A THREE-DIMENSIONAL FRAMEWORK, FORMED WITH SIC OR SIC AND SI3N4, AND OF A PRECIOUS METAL ALLOY CONTAINING SILICON, AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/201588
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a material, which consists of a three-dimensional framework, formed from SiC and/or Si3N4, and three-dimensionally connected interspaces containing an alloy formed from gold and/or silver and silicon. A fraction of the framework formed from SiC and/or Si3N4 in the material is 30% to 80% by volume and a fraction of the alloy contained in the interspaces is 20% to 70% by volume. During production, a semi-finished product is infiltrated with an alloy formed with gold and/or silver and silicon above the melting temperature of the alloy.

Inventors:
HERRMANN MATHIAS (DE)
GESTRICH TIM (DE)
ADLER JÖRG (DE)
MATTHEY BJÖRN (DE)
KUNZE STEFFEN (DE)
WEISE BERND (DE)
Application Number:
PCT/EP2019/058273
Publication Date:
October 24, 2019
Filing Date:
April 02, 2019
Export Citation:
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Assignee:
FRAUNHOFER GES FORSCHUNG (DE)
International Classes:
B22F3/26; C04B35/565; C04B35/584; C04B41/51; C22C1/04; C22C1/10; C22C5/02; C22C5/06; C22C26/00; C22C32/00
Domestic Patent References:
WO2004080914A12004-09-23
Foreign References:
EP3093355A12016-11-16
EP2130932A12009-12-09
US20050074355A12005-04-07
EP3093355A12016-11-16
Other References:
Y.V NAIDICH ET AL: "The wettability of silicon carbide by Au-Si alloys", MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING: A, vol. 245, no. 2, 1 May 1998 (1998-05-01), AMSTERDAM, NL, pages 293 - 299, XP055595973, ISSN: 0921-5093, DOI: 10.1016/S0921-5093(97)00718-1
Attorney, Agent or Firm:
PFENNING, MEINIG & PARTNER MBB (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Werkstoff bestehend aus einem-dreidimensionalen Gerüst, das mit SiC oder SiC und Si3N4 gebildet ist, und dreidimensional verbundene Zwi schenräume mit einer Legierung, die mit Gold und/oder Silber und Sili cium gebildet ist und ein Anteil des mit SiC oder SiC und Si3N4gebildeten Gerüsts im Werk stoff bei 30 Vol.-% bis 80 Vol.-% und ein Anteil an der in den Zwischen räumen enthaltenen Legierung bei 20 Vol.-% bis 70 Vol.-% und bei ei nem Werkstoff, der mit SiC und Si3N4 gebildet ist, ein Anteilsverhältnis SiC / (SiC + Si3N4) > 20 Masse % eingehalten ist.

2. Werkstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gerüst mit SiC oder SiC und-Si3N4 und Diamantpartikeln gebildet ist, wobei ein Anteil an Diamantpartikeln, mit denen das Gerüst gebildet ist, von 0 Vol.-% bis 98 Vol.-% eingehalten ist.

3. Werkstoff nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass in der Legierung Silicium mit einem Anteil im Be reich 10 at % bis 90 at %, bevorzugt mit einem Anteil im Bereich 20 at % bis 40 at % enthalten ist.

4. Werkstoff nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass die Legierung, die mit Gold und/oder Silber und Si licium gebildet ist, eine Schmelztemperatur im Bereich 350 °C bis 1400 °C, bevorzugt bis 900 °C aufweist,

5. Werkstoff nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass eine mittlere Korngröße von SiC oder Si3N4 im Be reich 0,1 pm bis 200 pm, bevorzugt kleiner 100 pm, besonders bevor zugt kleiner 50 pm und ganz besonders bevorzugt kleiner 20 pm ein gehalten ist.

6. Werkstoff nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass Diamantpartikel mit einer mittleren Partikelgröße d50 im Bereich 1 pm bis 500 pm, bevorzugt im Bereich 5 pm bis 200 pm enthalten sind.

7. Werkstoff nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass das Gerüst mit rekristallisiertem SiC (RSiC), mittels festphasengesintertem SiC (SSiC), mit flüssigphasen gesintertem SiC (LPSSiC), mit Silicium gebundenem SiC, oder reaktionsgebundenem Si3N4 (RBSN) oder auch mit gesintertem Si3N4/ Sialon unter Zuhilfe nahme von typischen Sinteradditiven gebildet ist.

8. Verfahren zur Herstellung eines Werkstoffs nach einem der vorherge henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Halbzeug, das mit einem dreidimensionalen offenporösen Gerüst, das aus SiC oder SiC_und-Si3N4gebildet ist, bei einem Druck kleiner als dem Umge bungsdruck und/oder in einer inerten Atmosphäre mit einer Legierung, die mit Gold und/oder Silber und Silicium gebildet ist, oberhalb der Schmelztemperatur der Legierung infiltriert wird.

9. Verfahren nach einem der zwei vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Infiltration ein Druck kleiner IO 1 mbar, bevorzugt kleiner 10 3 mbar und

eine Temperatur im Bereich 850 °C bis 1600 °C, bevorzugt im Bereich 1250 °C bis 1450 °C eingehalten wird/werden.

10. Verfahren nach einem der drei vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbzeug durch chemische Reaktion von Di amantpartikeln und dem Kohlenstoff aus einem organischen Binder mit einer Si-enthaltenden Gasphase hergestellt wird.

11. Verfahren nach einem der drei vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während der Infiltration durch chemische Reak- tion von in der Legierung enthaltenem Silicium mit Kohlenstoff ein Ge rüst, das mit SiC und Diamantpartikeln gebildet ist, erhalten wird und dabei der organische Binder und/oder Diamantpartikel als Kohlen stoffquelle für die chemische Reaktion genutzt wird/werden. 12. Verfahren nach einem der vier vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gerüst eingesetzt wird, das eine Porosität von mindestens 20 % bis maximal 70 % und/oder eine mittlere Poren größe im Bereich O.lpm bis 100 pm aufweist

13. Verfahren nach einem der fünf vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gerüst eingesetzt wird, das eine mit einer

Vierpunktbiegebruchfestigkeitsmessung ermittelte Festigkeit größer 20 MPa, bevorzugt größer 30 MPa und besonders bevorzugt größer 50 MPa aufweist.

Description:
Werkstoff bestehend aus einem dreidimensionalen Gerüst, das mit SiC oder

SiC und gebildet ist und einer Edelmetalllegierung, in der Silicium

enthalten ist, gebildet, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung

Die Erfindung betrifft einen Werkstoff bestehend aus einem-dreidimensiona- len Gerüst, das mit SiC oder SiC und Si 3 N 4 gebildet ist, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung. Der Werkstoff ist zusätzlich zu dem Gerüst und einer Edelmetalllegierung, in der Silicium enthalten ist, gebildet.

Bekanntermaßen weisen Edelmetalle und dabei insbesondere Gold und Silber geringe Härten, Festigkeiten und Abriebfestigkeiten im Vergleich zu anderen Metallen auf, so dass sie für viele Anwendungen nicht in Frage kommen oder die Nachteile, beispielsweise ein erhöhter Verschleiß oder unerwünschte Ver- formungen (insbesondere Kratzer) während der Nutzung in Kauf genommen werden müssen. So führt ein erhöhter Verschleiß an elektrischen Kontaktele menten zu einer Reduzierung der nutzbaren Lebensdauer. Hochwertige Güter, wie z.B. Luxusuhren können aus diesen Edelmetallen und den damit herstell baren gängigen Legierungen nicht ohne diese Nachteile angeboten werden.

So ist aus EP 3 093 355 Al ein Werkstoff bekannt, der aus Si N und einem Me tall, insbesondere Gold, Platin, Palladium oder einer Legierung davon besteht.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, Werkstoffe zur Verfügung zu stellen, die mit Gold und/oder Silber gebildet sind und deren Lebensdauer und deren äs thetischer Gesamteindruck zumindest über einen längeren Nutzungszeitraum gehalten werden können.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Werkstoff, der die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist, gelöst. Er kann mit einem Verfahren gemäß An spruch 8 hergestellt werden. Vorteilhafte Ausgestaltungen können mit in un tergeordneten Ansprüchen bezeichneten Merkmalen realisiert werden.

Der erfindungsgemäße Werkstoff besteht aus einem dreidimensionalen Ge rüst, das mit SiC oder SiC und Si 3 N 4 gebildet ist. Die Zwischenräume innerhalb des Gerüsts sind mit einer Legierung, die mit Gold und/oder Silber und Sili cium gebildet ist, gefüllt. Der Werkstoff besteht also aus zwei ineinander ver schlungenen dreidimensionalen Gerüsten, dem keramischen Gerüst aus SiC und zusätzlich Si 3 N 4 oder Diamant und der metallischen Legierung aus Gold und/ oder Silber und Silizium. Das Silizium und die Edelmetalle kristallisieren dabei in separaten Körnern, da die Löslichkeit der Edelmetalle im Si und des Si in den Edelmetallen in der festen Phase gering ist.

Dabei soll ein Anteil des mit SiC oder SiC und Si 3 N 4 gebildeten Gerüsts im Werkstoff bei 30 Vol.-% bis 80 Vol.-% und ein Anteil an der in den Poren ent haltenen Legierung bei 20 Vol.-% bis 70 Vol.-% eingehalten sein.

Geeignete Legierungszusammensetzungen kann man für Gold-Silicium-, Sil- ber-Silicium- und Gold-Silber-Siliciumlegierungen einschlägig bekannten Pha sendiagrammen entnehmen. Dabei kann man den Fokus auf eine geeignete niedrige Schmelztemperatur mit Auswahl eines Eutektikums oder auch auf eine erhöhte Festigkeit und Härte des Werkstoffs legen. Im letztgenannten Fall kann man den Siliciumanteil in der Legierungszusammensetzung erhöhen. Mit dem jeweils gewählten Siliciumanteil kann man auch das Benetzungsver halten der Legierung am Gerüstwerkstoff positiv beeinflussen.

Die jeweilige Legierung sollte eine Schmelztemperatur im Bereich 350 °C bis 1400 °C, bevorzugt bis 900 °C aufweisen.

In der Legierung sollten mindestens 10 at % und maximal 90 at % Silicium ent halten sein. Bevorzugt sind Siliciumanteile im Bereich 20 at % bis 40 at % bei Gold als zweitem Legierungselement und 10 at % bis 40 at % bei Silber als zweitem Legierungselement. Eine Legierung, die zu gleichen Teilen (at %) aus Gold und Silber besteht, sollte bevorzugt 15 at% Si enthalten.

Mit dem entsprechenden Anteil an Silicium kann neben den mechanischen Eigenschaften auch das Benetzungsverhalten verbessert werden. Es hat sich nämlich gezeigt, dass eine Infiltration von reinem Gold oder Silber in ein ent sprechendes keramisches Gerüst aus SiC und oder Si 3 N 4 nicht möglich ist.

Das Infiltrationsvermögen eines mit einem entsprechenden Gerüst gebildeten Halbzeug hängt zusätzlich von der Menge an Siliciumdioxid oder freiem Koh lenstoff im Halbzeugwerkstoff, der mit dem Gerüst gebildet ist, ab.

Siliciumdioxid kann mit freiem Silicium zu gasförmigem Siliciummonoxid rea gieren, was zum Abbau von Oxidschichten auf Oberflächen des das Gerüst bildenden Halbzeugwerkstoffs führen kann. Freies Silicium kann mit Kohlen stoff reagieren und sich dadurch zusätzliches SiC bilden. Die dafür notwendige Menge an Silicium sollte bei der Berechnung der Ausgangslegierung berück sichtigt werden. Dies sollte beachtet werden, da sonst der Si Gehalt der Schmelze zu stark reduziert werden kann und dadurch das Benetzungsverhal ten beeinträchtigt wird. Dies fördert die Reproduzierbarkeit und technische Beherrschbarkeit des Herstellungsprozesses. Kohlenstoff aus einem organi schen Binder sollte bevorzugt vor der Infiltration oder auch während der In filtration mit einer Si-enthaltenden Gasphase zu SiC abreagiert werden. Eine Si- haltige Atmosphäre kann effektiv durch eine chemische Reaktion von Si+ Si0 2 zu gasförmigem SiO generiert werden. SiO hat insbesondere bei niedri gen Temperaturen einen höheren Druck als Si und kann dadurch zu einer schnelleren Infiltration beitragen, wenn in der Probe freier Kohlenstoff vor handen ist. Es kann aber auch elementares Si bei der Infiltration verdampft werden.

Wählt man eine eutektische Legierungszusammensetzung, beispielsweise eine Gold-Silicium-Legierung mit einer eutektischen Temperatur von 362 °C kön nen thermische Spannungen des Werkstoffs gering gehalten werden. Wegen der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, beispielsweise dem von Gold mit 14,2 * 10 6 1/K und SiC mit 4 * 10 6 1/K kommt es zu Span nungen. Bis zum Erreichen der eutektischen Temperatur während der Abküh lung kann eine Relaxation der Spannungen von statten gehen und daher kön nen die Spannungen reduziert werden.

Bei einem Gerüst, das mit SiC und Si 3 N 4 gebildet ist, soll ein Anteilsverhältnis SiC / (SiC +Si 3 N 4 ) von > 20 Masse%, bevorzugt größer 50 Masse % noch besser größer 70 Masse% eingehalten sein, weil dann die Infiltration kinetisch be günstigt ist.

Die Eigenschaften des Werkstoffs können positiv weiter beeinflusst werden, in dem das Gerüst mit SiC oder SiC und Si 3 N 4 und Diamantpartikeln gebildet ist, wobei ein Anteil an Diamantpartikeln, mit denen das Gerüst gebildet ist, von 0,0 Vol.-% bis 98 Vol.-% eingehalten sein sollte.

Auch in einem solchen Werkstoff kann in der Legierung Silicium mit einem Anteil bevorzugt mit einem Anteil im Bereich 20 at % bis 40 at % enthalten sein. Da das Silicium partiell mit dem Diamant zu SiC reagieren und damit das Gerüst verfestigt werden kann sind vorzugsweise höhere Siliciumgehalte günstig.

Zur Vermeidung weiterer nachteiliger Eigenschaften des Werkstoffs sollte der Anteil an im Werkstoff enthaltenen ein Silizid bildenden Metallen kleiner 5 at %, bevorzugt kleiner 1 at % und besonders bevorzugt kleiner 0,01 at % gehal ten sein. Dies trifft auch auf andere den Werkstoff verunreinigende zusätzli che Metalle oder chemische Verbindungen zu.

Ein gewisser kleiner Anteil an im Gerüstwerkstoff enthaltenem Silizid kann das Benetzungsverhalten bei der Infiltration positiv beeinflussen. Dieser Anteil sollte jedoch kleiner 20 Vol.-%, bevorzugt kleiner 5 Vol.-% und besonders be- vorzugt bei 1 Masse-% bis 10 Masse-% bei während der Infiltration zugegebe nem Silizid sein.

Diamantpartikel sollten mit einer mittleren Partikelgröße d 50 im Bereich 1 pm bis 500 pm, bevorzugt im Bereich 5 pm bis 200 pm im Gerüst, das mit dem SiC oder SiC und Si 3 N 4 gebildet ist, enthalten sein.

Es sollte eine mittlere Korngröße von SiC oder Si 3 N 4 im Bereich 0,1 pm bis 200 pm, bevorzugt kleiner 100 pm, besonders bevorzugt kleiner 50 pm und ganz besonders bevorzugt kleiner 20 pm eingehalten sein. Dies kann durch die Auswahl entsprechender Ausgangspulver mit entsprechend angepassten mitt leren Partikelgrößen bei der Herstellung des Gerüsts als Halbzeug erreicht werden.

Das Gerüst sollte eine Porosität von mindestens 20 % bis maximal 70 % und/oder eine mittlere Porengröße im Bereich 0.5 pm bis 200 pm aufweisen, um gute Voraussetzungen für die Herstellung und insbesondere eine Aufnah me der geschmolzenen Legierung bei der Herstellung des Werkstoffs zu schaf fen.

Bevorzugt sollte die Porosität des Gerüstwerkstoffs 1 pm bis 60 pm, bevorzugt 5 pm bis 40 pm betragen. Auch die Porosität kann durch die Wahl des Aus gangspulvers, die Formgebungstechnologie (z. B. Pressdruck) und/oder die Parameter der thermischen Behandlung bei der Herstellung des Gerüsts be einflusst werden.

Das Gerüst kann mit rekristallisiertem SiC (RSiC), mittels festphasengesinter tem SiC (SSiC), mit flüssigphasen gesintertem SiC (LPSSiC), mit Silicium gebun denem SiC, aus RBSN (reaktionsgebundenem Si 3 N ) oder auch aus ge sintertem Si 3 N 4 / Sialon unter Zuhilfenahme von typischen Sinteradditiven ge bildet sein. Die Sinteradditive sollten möglichst einen Anteil < 2 Vol.- % auf weisen, um die Infiltration möglichst nicht negativ zu beeinflussen.

Dem Gerüst aus SiC oder SiC und Si 3 N 4 kann während der Herstellung auch Silicid zugemischt werden. Dadurch kann die Benetzung durch die Schmelze zusätzlich verbessert werden. Der das Gerüst bildende Werkstoff sollte eine mit einer Vierpunktmessung ermittelte Festigkeit größer 20 MPa, bevorzugt größer 30 MPa und besonders bevorzugt größer 50 MPa aufweisen.

Bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Werkstoffs wird ein Halbzeug, das mit einem dreidimensionalen Gerüst, das mit SiC oder SiC und Si 3 N 4 gebil det ist, bei einem Druck kleiner als dem Umgebungsdruck und/oder in einer inerten Atmosphäre mit einer Legierung, die mit Gold und/oder Silber und Silicium gebildet ist, oberhalb der Schmelztemperatur der Legierung infiltriert. Dazu kann die Legierung an mindestens einer Oberfläche des Halbzeugs mit dem Werkstoff in Kontakt gebracht und dann eine Erwärmung bis oberhalb der Schmelztemperatur durchgeführt werden. Durch das mit dem in der Le gierung enthaltenen Silicium verbesserte Benetzungsverhalten kann eine zu mindest nahezu vollständige Befüllung der im Gerüst vorhandenen Poren er reicht werden.

Inerte Atmosphären können mit Argon, Wasserstoff oder Mischungen davon erhalten werden.

Bei der Infiltration sollte ein Druck kleiner IO 1 mbar, bevorzugt kleiner 10 3 mbar eingehalten werden. Für die Infiltration sollte eine Temperatur im Be reich 850 °C bis 1600 °C, bevorzugt im Bereich 1250 °C bis 1450 °C eingehalten werden.

Das Halbzeug kann durch chemische Reaktion von Diamantpartikeln und ei nem organischen Binder (der vorher unter inerten Bedingungen oder Vakuum bei Temperaturen > 600°C pyrolysiert wurde) mit einer Si-enthaltenden Gasphase oder mit einer chemischen Reaktion von Silicium oder Siliciumdioxid mit Kohlenstoff hergestellt werden. Die SiC-Bindung kann auch durch Zu mischen von Si oder/und Si0 2 unter das Diamantpulver oder das Kohlenstoff enthaltene SiC-Pulver und anschließende Temperung im Vakuum oder unter Inertgasbedingungen im Temperaturbereich 1200 °C - 1600°C , bevorzugt 1400 °C - 1550°C erfolgen.

Während der Infiltration kann durch die chemische Reaktion von in der Legie rung enthaltenem Silicium mit Kohlenstoff ein Gerüst, das mit SiC und Dia mantpartikeln gebildet ist, erhalten werden. Dabei kann Kohlenstoff aus ei- nem organischen Binder (der vorher unter inerten Bedingungen oder Vakuum pyrolysiert wurde) und/oder die Diamantpartikel als Kohlenstoffquelle für die chemische Reaktion genutzt werden. Dieser Kohlenstoff kann mit dem Si aus der Legierung reagieren und eine Schicht aus SiC um die Diamantpartikel bil- den oder auf die im Gerüstwerkstoff vorhandenen SiC-Körner aufwachsen.

Dadurch kann ein dreidimensionales Skelet aus SiC oder SiC und Diamant ge bildet werden.

Nachfolgend soll die Erfindung beispielhaft näher erläutert werden.

Beispiel 1

Ein dreidimensionales offenporöses Halbzeug aus RSiC wurde mit einer Legie rung, die mit 80 at % Gold und 20 at % Silicium, bzw. die mit 88 at % Silber und 12 at % Silicium gebildet war, infiltriert.

In der nachfolgenden Tabelle kann man Parameter im Vergleich zur Infiltrati on dieser Legierungen in einem Hochtemperaturmikroskop mit dem Versuch einer Infiltration von reinem Gold und reinem Silber in den Halbzeugwerkstoff entnehmen.

Tabelle 1: Ergebnisse der Messungen im Erhitzungsmikroskop

Es ist daher festgestellt worden, dass sich die reinen Edelmetalle Ag und Au weder in SiC noch in Si 3 N 4 infiltrieren lassen. Die Nutzung einer eutektischen Zusammensetzung Si-Au bzw. Si-Ag oder Si-Au-Ag bzw. einer Zusammenset zung, die reicher an Si ist, ist eine Alternative, die eine gute Infiltration in SiC oder SiC und Si 3 N 4 erlaubt.

Daneben wurde ein Vorkörper aus LPS SiC hergestellt mit 4 Vol.-% Y 2 0 3 /Al 2 0 3 und Additiven einer mittleren Porengröße von 10 pm hergestellt. Auch diese Probe konnte im Erhitzungsmikroskop infiltriert werden. Das gesamte Volu men der Goldlegierung wurde vom Vorkörper aufgesogen. Es erfolgte also eine Infiltration.

Die Infiltration von kompakten RSiC Proben erfolgte im Vakuum bei 1360°C. Die Ergebnisse sind in nachfolgender Tabelle 2 dargestellt. Das dreidimensio nale offenporöse Halbzeug, das mit RSiC gebildet war, hatte eine Porosität von 26 % und einen mittleren Porenkanaldurchmesser bzw. eine mittlere Po rengröße von 37 pm. Die mittlere SiC-Korngröße lag bei 100 pm. Die mittlere Vierpunktbiegebruchfestigkeitsmessung (4 Punkt-Biegefestigkeit) betrug 60 MPa.

Durch die Infiltration mit der Legierung konnten dichte Werkstoffe hergestellt werden, die eine Au-Si Legierung enthalten. Die Legierung war mit 20 at % Silicium und 80 at % Gold gebildet.

Die Goldlegierung und die RSiC Probe wurde auf einer BN-Platte platziert. Da bei lag das Gold lag auf der RSiC Probe auf und der Ofen wurde unter Vaku umbedingungen mit 5 K/ min hochgeheizt. Die Masseaufnahme ist in der Ta belle 2 aufgeführt. Die Proben bestehen also nach der Infiltration zu 59.2 Vol.- % und 60.9 Vol.-% aus der Gold-Legierung.

Tabelle 2: Ergebnisse der Infiltration von kompakten Proben

Diamantpulver mit einer Partikelgröße von 50 pm wurde mit 5 Masse-% Phe nolharz gemischt und bei einem Druck von 70 MPa zu Tabletten mit 1 mm Dicke verpresst. Die Tabletten wurden bei 800 °C in Ar-Atmosphäre pyrolisiert und dann bei 1550°C in Si Dampf in einem silicierten Graphittiegel getempert.

Der Si-Dampf wurde durch einen separat angeordneten Tiegel mit Si- Pulver erzeugt.

Nach dem Prozess hatten die so behandelten Tabletten als Körper eine Porosi- tät von ca. 50 %. Der Kohlenstoff des Diamants war oberflächlich in SiC umge setzt worden.

Dieser tablettenförmige Formkörper wurde dann im Vakuumofen bei einer Temperatur von 1360°C, einem Druck von 10 2 mbar im Verlaufe von 20 min mit einer Legierung aus 30 at.-% Si und 70 at.-% Au in analoger Weise infil triert. Die zugeführte Legierung wurde vom Vorkörper aufgesogen. Im fertigen Körper konnte röntgenographisch Gold, Si, SiC und Diamant nachgewiesen werden.