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Patent Searching and Data


Title:
MECHANISM FOR CAUSING EARLY CRACK
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/139585
Kind Code:
A1
Abstract:
[PROBLEMS] The provision of a mechanism for causing a very tiny early crack at an accurate location with good reproducibility. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The mechanism (30) to cause an early crack has a cutting blade unit (1) with a cutting blade (17) at a tip thereof in opposition to a substrate (K), the cutting blade unit (1) being supported for linear motion relatively to the substrate in a direction (Y) along a slated line (J) to cause the crack while for rotary motion around a horizontal axis (15) intersecting a direction of the relative linear motion. There is provided a first retention means (5) to keep the cutting blade unit against rotation around the horizontal axis in a phase where the cutting blade is held at a location (P1) to get the early crack causing, but releasing the cutting unit from the retention by a resistant force that occurs when the cutting blade in the course of the linear motion comes into collision against a beginning end of the slated line to cause the crack on the substrate. Further, there is provided a second retention means (4) to get the cutting blade unit after released from the restraint by the first retention means to turn around the horizontal axis while keeping the cutting blade at a retracted position (P2).

Inventors:
UCHIKATA, Tomoo (C/O TORAY ENGINEERING CO. LTD, 1-45, Oe 1-chom, Otsu-shi Shiga 41, 5202141, JP)
内潟 外茂夫 (〒41 滋賀県大津市大江1丁目1番45号 東レエンジニアリング株式会社内 Shiga, 5202141, JP)
KANAZAWA, Akihiro (C/O TORAY ENGINEERING CO. LTD, 1-45, Oe 1-chom, Otsu-shi Shiga 41, 5202141, JP)
Application Number:
JP2007/059650
Publication Date:
November 20, 2008
Filing Date:
May 10, 2007
Export Citation:
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Assignee:
TORAY ENGINEERING CO., LTD. (Nihonbashi Muromachi Bldg, 3-3-16 Nihonbashi-Hongokucho, Chuo-k, Tokyo 21, 1030021, JP)
東レエンジニアリング株式会社 (〒21 東京都中央区日本橋本石町3丁目3番16号(日本橋室町ビル) Tokyo, 1030021, JP)
UCHIKATA, Tomoo (C/O TORAY ENGINEERING CO. LTD, 1-45, Oe 1-chom, Otsu-shi Shiga 41, 5202141, JP)
内潟 外茂夫 (〒41 滋賀県大津市大江1丁目1番45号 東レエンジニアリング株式会社内 Shiga, 5202141, JP)
International Classes:
B28D5/00; B23K26/00; B23K26/40; B28D5/00; B23K26/00
Attorney, Agent or Firm:
TSUGAWA, Tomoo (Lions Mansion Noe No.1201, 7-7 Chuo 2-chome, Joto-ku, Osaka-shi Osaka 05, 5360005, JP)
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Claims:
 被割断基板Kにおける割断予定線Jの始端JSに切削刃17により初期亀裂Cを形成する初期亀裂形成機構30であって、
 被割断基板Kに対向する先端に切削刃17を備え、被割断基板Kに対してその割断予定線Jに沿う方向Yに相対移動可能とされ、且つこの相対移動の方向Yと直交する水平軸15の回りに回動可能に軸支された切削刃ユニット1と、
 被割断基板Kの表面よりも低い位置である初期亀裂形成位置P1に切削刃17を保持した状態で切削刃ユニット1が前記水平軸15の回りに回動することを規制し、前記相対移動により切削刃17が被割断基板Kにおける割断予定線Jの始端JSに衝突したときの抵抗力によって上記保持を解除可能とする第1保持手段5と、
 上記衝突により第1保持手段5による保持が解除された切削刃ユニット1を、上記水平軸15の回りに回動させると共に被割断基板Kの表面よりも高い位置である退避位置P2に切削刃17が位置するように保持する第2保持手段4とを備えることを特徴とする初期亀裂形成機構。
 前記切削刃ユニット1を上下駆動可能とする駆動装置7を備える請求項1に記載の初期亀裂形成機構。
 前記切削刃ユニット1において、切削刃17は水平軸15の下方に設けられ、第1保持手段は、切削刃17の被割断基板Kに対する相対移動の方向Y2を基準として、切削刃17を最下位置とした状態で切削刃ユニット1の前方部分14を磁気吸着により保持可能な磁気吸着部材5で構成され、第2保持手段は、切削刃17の被割断基板Kに対する相対移動の方向Y2を基準として、切削刃ユニット1の後方部分13を上方に付勢可能な弾性部材4で構成される請求項1または請求項2に記載の初期亀裂形成機構。
 前記駆動装置7による切削刃ユニット1の上昇に伴い前記後方部分13に当接し、切削刃ユニット1を弾性部材4の付勢に抗して水平軸15の回りに回動させるように設けたカムフォロワ6を備える請求項3に記載の初期亀裂形成機構。
 磁気吸着部材5の磁気吸着力は、磁気吸着部材5による切削刃ユニット1の保持が弾性部材4の付勢により解除されない強さとされる請求項3または請求項4に記載の初期亀裂形成機構。
 弾性部材4の付勢力を調整可能な付勢力調整機構42を備える請求項3から請求項5のいずれかに記載の初期亀裂形成機構。
Description:
初期亀裂形成機構

 本発明は初期亀裂形成機構に関する。よ 詳しくは、被割断基板となるガラス板、セ ミックスまたはウエハーなどの脆性材料に ける割断予定線の始端に所定深さ及び長さ 初期亀裂を形成するための機構に関する。

 ガラス板、セラミックスまたはウエハー どの脆性材料を切断加工する方法として、 ーザスクライブ法がある。レーザスクライ 法では、被割断基板とする脆性材料(以下、 単に基板と記述することがある)における割 予定線を、まず始端から終端に沿ってレー 光により加熱するとともに、加熱された部 をそのレーザ光に追随して急冷させること より、連続した亀裂、つまりスクライブ線 基板の表面に形成する。次いで、このスク イブ線のまわりに物理的な力(曲げモーメン )を加え、浅い亀裂を基板の板厚方向に伸展 させることで、スクライブ線を境に基板を割 断する。レーザスクライブ法においては、ス クライブ線を形成するに先立ち、一般には、 基板における割断予定線の始端に極微小な初 期亀裂を形成している。初期亀裂の形成は、 例えば初期亀裂形成機構により行う。

 図7は従来の初期亀裂形成機構300を備えた レーザスクライブ装置100の動作概要を説明す るための図である。図7(A)に示すように、レ ザスクライブ装置100は、可動テーブル20、初 期亀裂形成機構300、レーザ光ユニット40及び 却ユニット50などを備える。可動テーブル20 は、載置された基板Kを真空吸着により保持 能なテーブル面を備えると共に、図示しな 駆動装置によりXYZθ各方向に駆動可能とされ る。初期亀裂形成機構300は、先端に回転刃17 有する回転刃ユニット100、回転刃ユニット1 00を上下駆動して初期亀裂形成位置P11と退避 置P12とに選択的に配置可能とするエアシリ ダ700、エアシリンダ700の駆動方向を切り替 るための電磁バルブ75、及び圧縮空気を供 するためのエアコンプレッサー77などを備え る。レーザ光ユニット40は、レーザ照射窓41 ら所定波長のレーザ光Lを可動テーブル20上 基板Kに向けて照射可能に構成される。冷却 ニット50は、冷却ミストMを噴射する噴射ノ ル51を備える。

 レーザスクライブ装置100の動作概要につ て説明する。図7(A)に示すように、基板Kを 置保持した可動テーブル20は、回転刃17と基 Kにおける割断予定線Jの始端JSとを結ぶ直線 が、スクライブ線形成時における可動テーブ ル20の移動方向Y11に平行となるように駆動配 される。この状態でエアシリンダ700を下方 駆動することにより回転刃ユニット100は、 7(B)に示すように、初期亀裂形成位置P11とな る。初期亀裂形成位置P11とは、回転刃17の刃 が基板Kの表面よりも低くなる位置である。 続いて、可動テーブル20がY11方向に移動し、 転刃17が基板Kにおける割断予定線Jの始端JS 衝突する。その衝突の直後にエアシリンダ7 00を上方に駆動することにより、回転刃ユニ ト100は上昇し退避位置P12となる。退避位置P 12とは、図7(C)に示すように、回転刃17の刃先 基板Kの表面よりも高くなる位置である。こ のように回転刃17の衝突と退避とにより、割 予定線Jの始端JSに所定深さ及び長さの極微 な初期亀裂Cが形成される。

 上記のようにして回転刃17が初期亀裂Cを形 した直後に、レーザ光ユニット40は、レー 照射窓41から所定波長のレーザ光Lを可動テ ブル20上の基板Kに向けて照射し、それに追 して、冷却ユニット50は、レーザ光Lの照射 れた部位に向けて噴射ノズル51から冷却ミス トMを噴射する。レーザ光Lによる割断予定線J の急激な熱膨張と冷却ミストMによる割断予 線Jの急激な収縮とにより、初期亀裂Cを亀裂 伸展の開始点として、割断予定線Jには所定 さのスクライブ線が形成される。このよう 初期亀裂形成機構としては、例えば下記特 文献1にその記載がある。

特表2003-514673号公報

 従来のレーザスクライブ装置100において 、初期亀裂形成機構300を上述のような構成 していたため、次のような不都合があった すなわち、電磁バルブ75の応答速度のばら き、エアシリンダ700に接続したエア配管76の 長さによる動作遅れ、及びエアシリンダ700の 摺動抵抗などの不安定要素により、回転刃ユ ニット100の動作タイミングにズレが生じ、そ の結果、回転刃17が基板Kにおける割断予定線 Jの始端JSに当たらなかったり(空振り)、初期 裂Cの深さや長さがばらついたりすることが あった。このように初期亀裂Cの位置やサイ が不正確であると、基板Kの切り始め部分の 進性や割断後の断面品質の悪化を招く。動 タイミングのズレは、可動テーブル20の速 が速い場合は特に顕著になりやすいため、 動テーブル20の速度をあまり速くできないと いう問題もあった。

 本発明は、このような問題に鑑みてなさ たものであり、極微小な初期亀裂を正確な 置に再現性良く形成することができる初期 裂形成機構を提供することを目的とする。

 上記目的を達成するために、請求項1の初 期亀裂形成機構30は、被割断基板Kにおける割 断予定線Jの始端JSに切削刃17により初期亀裂C を形成する初期亀裂形成機構であって、被割 断基板Kに対向する先端に切削刃17を備え、被 割断基板Kに対してその割断予定線Jに沿う方 Yに相対移動可能とされ、且つこの相対移動 の方向Yと直交する水平軸15回りに回動可能に 軸支された切削刃ユニット1と、被割断基板K 表面よりも低い位置である初期亀裂形成位 P1に切削刃17を保持した状態で切削刃ユニッ ト1が前記水平軸15の回りに回動することを規 制し、前記相対移動により切削刃17が被割断 板Kにおける割断予定線Jの始端JSに衝突した ときの抵抗力によって上記保持を解除可能と する第1保持手段5と、上記衝突により第1保持 手段5による保持が解除された切削刃ユニッ 1を、上記水平軸15の回りに回動させると共 被割断基板Kの表面よりも高い位置である退 位置P2に切削刃17が位置するように保持する 第2保持手段4とを備えることを特徴とする。

 請求項1の初期亀裂形成機構30によると、 1保持手段5は、切削刃ユニット1を初期亀裂 成位置P1に保持した状態で切削刃ユニット1 水平軸15の回りに回動することを規制する 初期亀裂形成位置P1とは、切削刃ユニット1 おける切削刃17が被割断基板Kの表面よりも くなる位置である。切削刃ユニット1と被割 基板Kとの相対移動により、切削刃17が被割 基板Kにおける割断予定線Jの始端JSに衝突し たとき、その抵抗力によって上記保持が解除 される。この衝突と保持の解除とにより始端 JSに所定深さ及び長さの初期亀裂Cが形成され る。第2保持手段4は、上記衝突により第1保持 手段5による保持が解除された切削刃ユニッ 1を、水平軸15の回りに回動させる。そして 退避位置P2に切削刃17が位置するように保持 る。退避位置P2とは、切削刃17が被割断基板 Kの表面よりも高い位置である。このように 期亀裂形成機構30は、被割断基板Kの角に切 刃17が衝突したときの抵抗力を利用して、衝 突直後に切削刃17を被割断基板Kから逃がす構 造であるため、極微小な一定サイズの初期亀 裂Cを正確な位置に再現性良く形成すること できる。

 請求項2の初期亀裂形成機構30は、切削刃 ニット1を上下駆動可能とする駆動装置7を える。

 請求項2の初期亀裂形成機構30によると、 動装置7は、切削刃ユニット1を上下駆動す ことにより、切削刃17の高さを調整できる。 このため、厚みの異なる被割断基板Kに対す 初期亀裂Cの形成にも対応でき、融通性に優 る。また、切削刃ユニット1を使用しないと きは上方で待機させることができる。

 請求項3の初期亀裂形成機構30は、前記切 刃ユニット1において、切削刃17は水平軸15 下方に設けられ、第1保持手段は、切削刃17 被割断基板Kに対する相対移動の方向Y2を基 として切削刃17を最下位置とした状態で切削 刃ユニット1の前方部分14を磁気吸着により保 持可能な磁気吸着部材5で構成され、第2保持 段は、切削刃17の被割断基板Kに対する相対 動の方向Y2を基準として切削刃ユニット1の 方部分13を上方に付勢可能な弾性部材4で構 される。

 請求項4の初期亀裂形成機構30は、前記駆 装置7による切削刃ユニット1の上昇に伴い 記後方部分13に当接し、切削刃ユニット1を 性部材4の付勢に抗して水平軸15の回りに回 させるように設けたカムフォロワ6を備える

 請求項4の初期亀裂形成機構30によると、 削刃ユニット1はその上昇に伴い、カムフォ ロワ6を支点として、弾性部材4の付勢に抗し 水平軸15の回りに回動する。磁気吸着部材5 前記前方部分14を磁気吸着により保持する 置となって回動を停止する。このように、 削刃17と被割断基板Kとの衝突により磁気吸 部材5の保持が解除された切削刃ユニット1は 、その上昇に伴い再び磁気吸着部材5に磁気 着されて保持されるため、次の被割断基板K 対する初期亀裂Cの形成動作に備えることが できる。

 請求項5の初期亀裂形成機構30では、磁気 着部材5の磁気吸着力は、磁気吸着部材5に る切削刃ユニット1の保持が弾性部材4の付勢 により解除されない強さとされる。

 請求項5の初期亀裂形成機構30によると、 削刃ユニット1における切削刃17は、被割断 板Kとの衝突がない限りは磁気吸着部材5の 気吸着により最下位置を保持され、次の被 断基板Kに対する初期亀裂Cの形成動作に備え ることができる。

 請求項6の初期亀裂形成機構30は、弾性部 4の付勢引張力を調整可能な付勢力調整機構 42を備える。

 請求項6の初期亀裂形成機構30によると、 勢力調整機構42により弾性部材4の付勢力を 整することで、形成される初期亀裂Cの深さ 及び長さを調整することができる。例えば付 勢力を強めた場合には、第1規制手段5による 持は、付勢力が弱い場合に比べて容易に解 されるため、浅く短い初期亀裂Cが形成され る。付勢力を弱めた場合はその逆である。

 本発明の初期亀裂形成機構によると、極 小な一定サイズの初期亀裂を正確な位置に 現性良く形成することができる。

 以下に、本発明を実施するための最良の 態を、添付図面を参照しながら説明する。 1は本発明に係る初期亀裂形成機構を備えた レーザスクライブ装置の正面概略図、図2は 1の平面図、図3は本発明に係る初期亀裂形成 機構の正面一部断面図、図4は図3のI-I線矢視 部断面図である。各図において直交座標系 3軸をX、Y、Zとし、XY平面は水平面、Z方向は 鉛直方向であり、Z方向まわりの回転方向をθ 方向とする。

 図1,2に示すようにレーザスクライブ装置1 0は、可動テーブル20、初期亀裂形成機構30、 ーザ光ユニット40及び冷却ユニット50などを 備える。初期亀裂形成機構30、レーザ光ユニ ト40及び冷却ユニット50は、可動テーブル20 上方において一体的に基台60に固設される

 可動テーブル20は、載置された基板Kを真 吸着により保持可能なテーブル面を備える 共に、図示しない駆動装置によりXYZθ各方 に駆動可能とされる。スクライブ線形成時 Y方向に駆動される。なお、可動テーブル20 駆動形態はこれに限らず、例えばY及びZ方向 のみに駆動可能な形態とし、レーザスクライ ブ装置10をX及びθ方向に駆動可能する形態と てもよい。また、可動テーブル20を使用せ に固定テーブルとし、初期亀裂形成機構30、 レーザ光ユニット40及び冷却ユニット50の一 物を可動とする形態としてもよい。

 初期亀裂形成機構30は、可動テーブル20に 載置保持された基板Kにおける割断予定線Jの 端JSに極微小な初期亀裂Cを形成可能とする うに構成される。その詳細は後述する。

 レーザ光ユニット40は、レーザ発振器か 出力されたレーザ光Lを、反射ミラーやエキ パンドレンズなどからなる光学系を経由し 、レーザ照射窓41から基板Kの表面に向けて 射可能に構成される。レーザ照射窓41から 射されるレーザ光Lは、基板Kにスクライブ線 を形成するのに十分な出力を有するものとさ れる。レーザ照射窓41は、スクライブ線形成 における可動テーブル20に対するレーザ光L 相対移動方向Y2を基準に回転刃17(後述)の後 部に設けられる。

 冷却ユニット50は、霧状の冷却ミストMを 射可能な噴射ノズル51を備える。噴射ノズ 51は、基板K上に照射されるレーザ光Lに追随 るように、スクライブ線形成時における可 テーブル20に対するレーザ光Lの相対移動方 Y2を基準にレーザ照射窓41の後方部に設けら れる。

 初期亀裂形成機構30の構成について詳述 る。図3に示すように、初期亀裂形成機構30 、回転刃ユニット1、回転刃ユニット支持部 2、ブラケット3、コイルバネ4、永久磁石5、 カムフォロワ6及びエアスライドテーブル7な を備える。

 回転刃ユニット1は、ステンレス鋼等の金 属材料または硬質の樹脂材料などで構成する ことができ、図3に示すように、頭部11、足部 12、第1腕部13及び第2腕部14を備える正面視略 字形体である。頭部11は、水平シャフト15に より回転刃ユニット支持部材2に回動自在に 支される。回動部分にはベアリング機構を 受として設けることが好ましい。足部12の先 端には、ピン16を軸として回転自在に軸支さ た回転刃17を備える。回転刃17は、その周面 にダイヤモンド等の超硬質部材からなる刃先 を備える。第1腕部13は、カムフォロワ6に当 可能な当接部材18を上面に備える。第2腕部14 は、永久磁石5に磁気吸着可能なスチール製 材19を上面に備える。

 回転刃ユニット支持部材2は、回転刃ユニ ット1と同様に、ステンレス鋼等の金属材料 たは硬質の樹脂材料などで構成することが き、ユニット支持部21、テーブル取付部22及 磁石取付部23を備える。ユニット支持部21は 、図4に示すように、側面視形状が略コ字形 を呈し、回転刃ユニット1の頭部11を間隙21D 入れた状態でこれを軸支可能に構成される テーブル取付部22は、ユニット支持部21から 方に延びるフラット板からなり、このフラ ト板を介してエアスライドテーブル7のアク チュエータ部73に取り付けられる。磁石取付 23は、軸支した回転刃ユニット1における第2 腕部14の側に延びその下面に永久磁石5が取り 付けられる。

 ブラケット3は、回転刃ユニット1におけ 第1腕部13の側に先端が延びるように回転刃 ニット支持部材2に取り付けられる。ブラケ ト3において回転刃ユニット1の第1腕部13の に延びた部分には、コイルバネ4の引張強さ 調整可能な調整ネジ42を備える。

 永久磁石5は、本発明の第1保持手段及び 気吸着部材に相当する。スチール製部材19が 永久磁石5に磁気吸着保持され且つエアスラ ドテーブル7が下端位置に駆動されたとき、 転刃17の刃先が最下位置となる。永久磁石5 スチール製部材19との磁気吸着保持力は、 動テーブル20のY1方向への移動により回転刃1 7の刃先が基板Kにおける割断予定線Jの始端JS 衝突したときの抵抗力によって解除可能、 なわちスチール製部材19が永久磁石5から離 可能であり、且つ当該始端JSに所望の深さ び長さの初期亀裂Cを形成可能な強さとされ 。

 コイルバネ4は、本発明の第2保持手段及 弾性部材に相当する。コイルバネ4の一端は 整ネジ42に取り付けられ、他端は回転刃ユ ット1の第1腕部13に取り付けられる。コイル ネ4の引張力(付勢力)は、永久磁石5とスチー ル製部材19との磁気吸着保持の解除がなされ ときに、第1腕部13を水平シャフト15まわり 図中(図3参照)時計回り方向に回動させて回 刃17の刃先が基板Kの表面よりも高くなる位 に保持可能な大きさとされる。

 カムフォロワ6は、回転刃ユニット1の上 動作に伴いコイルバネ4と水平シャフト15と 間において回転刃ユニット1における第1腕部 13の当接部材18に当接し、回転刃ユニット1を イルバネ4の付勢に抗して水平シャフト15の りに回動させるように、基台60に固設され 。

 エアスライドテーブル7は、第1ポート71と 第2ポート72とを備え、それらは、電磁バルブ 75及びエア配管76を介してエアコンプレッサ 77に接続される。そして、エアコンプレッサ ー77内の圧縮空気を電磁バルブ75により第1ポ ト71と第2ポート72とのいずれか一方に選択 に供給することで上下2方向に切替駆動可能 構成される。エアスライドテーブル7は、回 転刃ユニット支持部材2を上下駆動可能なよ に、そのアクチュエータ部73をテーブル取付 部22に固設し、その本体部74を基台60に固設し ている。そして、回転刃ユニット1を上下駆 して初期亀裂形成位置P1と待機位置P3とに選 的に配置可能とする。初期亀裂形成位置P1 は、可動テーブル20に載置保持された基板K 表面よりも回転刃17の刃先が低くなる位置で ある。待機位置P3とは、回転刃17の刃先が基 Kの表面よりも十分に高くなる位置である。

 なお、エアスライドテーブル7に代えて、 サーボモータ等の駆動手段により、回転刃ユ ニット支持部材2を上下方向の任意の位置に 置可能な構成とすること、またはエアスラ ドテーブル7とは独立して別個に回転刃ユニ ト支持部材2を上下駆動する駆動手段を設け る構成とすることも可能である。

 次に、図5及び図6を参照して、本発明に るレーザスクライブ装置10のスクライブ線形 成動作について説明する。図5及び図6は、本 明に係るレーザスクライブ装置10のスクラ ブ線形成動作を説明するための図である。

 初期状態として、図5(A)に示すように、回 転刃ユニット1は待機位置P3にあり、回転刃17 基板Kの水平面領域外にあるものとする。ま ず、基板Kを載置保持した可動テーブル20は、 回転刃17と基板Kにおける割断予定線Jの始端JS とを結ぶ直線t1が、Y方向に平行となるように 駆動配置される(図2参照)。続いて、図5(B)に すように、エアスライドテーブル7を下方に 動することにより回転刃ユニット1が降下す る。これにより、回転刃17は初期亀裂形成位 P1となる。続いて、可動テーブル20がY1方向 移動する。

 可動テーブル20の移動により、図5(C)に示 ように、回転刃17が基板Kにおける割断予定 Jの始端JSに衝突する。回転刃17の刃先は水 シャフト15から距離Dを隔てた位置に設けら ているため、衝突したときの抵抗力により 回転刃ユニット1を図中時計回り方向に回動 せるモーメントが働く。その結果、永久磁 5とスチール製部材19との磁気吸着保持が解 され、回転刃ユニット1は図中時計回り方向 に回動する。このとき、回転ユニット1にお る第1腕部13は、コイルバネ4により上方向に 勢されているため、回転刃ユニット1は自重 により反時計回り方向に回動しない。

 すなわち、回転刃ユニット1は元の位置に 復元されることなく、図6(D)に示すように、 避位置P2に保持される。この退避位置P2は、 転刃17の刃先が初期亀裂形成位置P1から高さ 距離(D-D×cosφ)上昇したところであり、基板K 表面よりも刃先が高くなる位置である。こ で、φは鉛直軸からの回転刃ユニット1の回 角度である。回転刃17のこのような衝突と退 避とにより、割断予定線Jの始端JSに所定深さ 及び長さの極微小な初期亀裂Cが形成される

 初期亀裂形成機構30により初期亀裂Cが形 されると、図6(E)に示すように、レーザ光ユ ニット40は、レーザ照射窓41から基板Kに向け レーザ光Lを照射する。また、冷却ユニット 50は、レーザ光Lに追随するように噴射ノズル 51から冷却ミストMを噴射する。基板Kに対す レーザ光L及び冷却剤Mの相対的な移動により 、始端JSを起点として、レーザ光Lは割断予定 線Jを急激に加熱し局所的に熱膨張させて圧 応力を生じさせ、冷却剤Mはその直後に加熱 分を急激に冷却することで局所的に収縮さ て引張応力を生じさせる。これにより、初 亀裂Cを亀裂伸展の開始点として、基板Kの 面に、割断予定線Jに沿う微小亀裂を連続成 させてスクライブ線を形成していく。

 一方、エアスライドテーブル7は回転刃ユ ニット1を上方向に駆動する。回転刃ユニッ 1の上昇に伴い、カムフォロワ6が第1腕部材13 の当接部材18に当たり、回転刃ユニット1はカ ムフォロワ6を支点として図中反時計方向に 動する。そして、図6(F)に示すように、スチ ル製部材19が永久磁石5に磁気吸着されて、 の状態に戻る。

 このように、本発明に係る初期亀裂形成 構30によると、永久磁石5は、回転刃ユニッ 1を初期亀裂形成位置P1に保持した状態で回 刃ユニット1が水平シャフト15の回りに回動 ることを規制する。初期亀裂形成位置P1は 回転刃ユニット1における回転刃17が基板Kの 面よりも低くなる位置である。回転刃ユニ ト1と基板Kとの相対移動により、回転刃17が 基板Kにおける割断予定線Jの始端JSに衝突し とき、その抵抗力によって上記保持が解除 れる。この衝突により始端JSに所定深さ及び 長さの初期亀裂Cが形成される。コイルバネ4 、上記衝突により永久磁石5による保持が解 除された回転刃ユニット1を、水平シャフト15 の回りに回動させる。そして、退避位置P2に 転刃17を保持する。退避位置P2は、基板Kの 面よりも高い位置である。このように初期 裂形成機構30は、基板Kの角に回転刃17が衝突 したときの抵抗力を利用して、衝突直後に回 転刃17を基板Kから逃がす構造であるため、極 微小な一定サイズの初期亀裂Cを正確な位置 再現性良く形成することができる。

 以上、本発明の実施の形態について説明 行ったが、上に開示した実施の形態は、あ まで例示であって、本発明の範囲はこの実 の形態に限定されるものではない。本発明 範囲は、特許請求の範囲の記載によって示 れ、更に特許請求の範囲と均等の意味及び 囲内でのすべての変更を含むことが意図さ る。

本発明に係る初期亀裂形成機構を備え レーザスクライブ装置の正面概略図である 図1の平面図である。 本発明に係る初期亀裂形成機構の正面 部断面図である。 図3のI-I線矢視一部断面図である。 本発明に係るレーザスクライブ装置の クライブ線形成動作を説明するための図で る。 本発明に係るレーザスクライブ装置10 スクライブ線形成動作を説明するための図 ある。 従来のレーザスクライブ装置のスクラ ブ線形成動作を説明するための図である。

符号の説明

 1 回転刃ユニット(切削刃ユニット)
 4 コイルバネ(第2保持手段)
 5 永久磁石(第1保持手段、磁気吸着部材)
 6 カムフォロワ
 7 エアスライドテーブル(駆動装置)
 13 第1腕部(後方部分)
 14 第2腕部(前方部分)
 15 水平シャフト(水平軸)
 17 回転刃(切削刃)
 30 初期亀裂形成機構
 42 調整ネジ(バネ力調整機構)
 C 初期亀裂
 J 割断予定線
 JS 始端 
 K 基板(被割断基板)
 P1 初期亀裂形成位置
 P2 退避位置
 Y 方向
 Y2 相対移動の方向