以下に本発明の実施形態について、図面� ��用いて詳細に説明する。

(実施形態1)
 図1は、本発明の実施形態に係るメンブレン スイッチの断面構造の例を示す。図1に示す� �うに、メンブレンスイッチは、絶縁スペー� �3、フレキシブル基板11、21、配線12、22、半� �体カーボンナノチューブ13、カーボン23を備� ��る。本発明の実施形態に係るメンブレンス� ��ッチは、フレキシブル基板11に設けた配線12 及び半導体カーボンナノチューブ13と、フレ� ��シブル基板21に設けた配線22及びカーボン23� ��、が対向するように重ね合わせて構成され� ��いる。また、半導体カーボンナノチューブ1 3及びカーボン23を設けた部分以外は、絶縁ス ペーサ3が設けられている。

 フレキシブル基板11、21は、例えば、ポリ エチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン� ��フタレート、ポリフェニレンサルファイド� ��ポリエーテルイミド、ポリイミドなどの材� ��をフィルム状に加工して用いられるが、メ� ��ブレンスイッチに要求される耐熱性などの� ��件に応じて適宜選択される。配線12、22を形 成する材料としては、銀ペースト、カーボン ペーストなど導電ペーストなどが用いられる が、銅、銀、金などの金属からなる金属箔で もよい。半導体カーボンナノチューブ13は市� ��の半導体分離カーボンナノチューブペース� ��を用いればよい。カーボン23は、カーボン� �ーストが用いられる。絶縁スペーサ3は、フ� ��キシブル基板と同様な材料であればよい。

 図1に示すようなメンブレンスイッチの構 成としたのは、半導体カーボンナノチューブ ペーストとカーボンペーストを接触させると ダイオード特性を示す事を発見したためであ る。すなわち、一方のカーボンペーストを半 導体カーボンナノチューブに置き替えるだけ で、スイッチに直列にダイオードを接続する 事と同様な機能を実現することができる。ダ イオードは金属・半導体接合型ダイオードと して動作していると考えられる。尚、接点材 料として図1に示すカーボン23を半導体カーボ ンナノチューブ13に置き替えることも可能で� ��り、一方のカーボンペーストのみを半導体� ��ーボンナノチューブに置き換えることに限� ��しない。

(実施形態2)
 図2は本発明の実施形態に係るメンブレンス イッチの断面構造の例を示す。基本的には上 述した実施形態1と同様であるが、13’はN型� �カーボンナノチューブペーストであり、23’ はP型のカーボンナノチューブペーストであ� �。

 図2に示すようなメンブレンスイッチの構 成としたのは、N型半導体カーボンナノチュ� �ブペーストとP型半導体カーボンナノチュー� ��ペーストを接触させると、ダイオード特性� ��示す事を発見したためである。ダイオード� ��性はPN接合型ダイオードと類似している。

 本実施形態により、メンブレンスイッチ� ��構成するカーボンペーストの代替としてカ� ��ボンナノチューブペーストを用いる事によ� ��メンブレンペーストの機能性を高めること� ��可能である。すなわち、メンブレンスイッ� ��の印刷による低コスト性を維持しながら、� ��点にダイオード特性を付与する事により多� ��入力を可能とするメンブレンスイッチ及び� ��ンブレンスイッチ製造方法を提供すること� ��可能となる。

 以上好適な実施の形態に基づき具体的に� ��明したが、本発明は上述したメンブレンス� ��ッチ及びその製造方法に限定されるもので� ��なく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変� ��可能であるということは言うまでもない。

 この出願は、2008年3月18日に出願された日 本出願特願2008-070417を基礎とする優先権を主� ��し、その開示の全てをここに取り込む。