図1は、本実施形態に係るMEMSアクチュエ� �タ1が備える第1基板2及び第2基板3の全体斜視 図である。図1に示すように、第2基板3は、第 1基板2の片面に積層されている。尚、以下に� ��いては、説明の便宜上、第1基板2及び第2基� ��3の法線方向のうち第1基板2側を上方とし、� ��2基板3側を下方とする。図2は、第1基板2及� �第2基板3の分解斜視図である。

 図2に示すように、第1基板2は、第1可動部 21と、第1固定部22、23と、第1支持部24、25とを 備える。第1可動部21と、第1固定部22、23と、� ��1支持部24、25とは、それぞれ、第1基板2が含 まれる平面内に位置する第1軸線(図1の一点鎖 線Xで示す軸線)上に配置されている。第1可動 部21は、第1基板2の第1軸線X方向の中央部に配 置されている。第1可動部21は、円板状に形成 されている。第1固定部22、23のうち、第1固定 部22は、第1軸線X方向の一方の向きに第1可動� ��21に対して離間して配置され、第1固定部23� �、第1軸線X方向の他方の向きに第1可動部21に 対して離間して配置されている。第1支持部24 、25のうち、第1支持部24は、第1固定部22に対� ��て第1可動部21を第1軸線X周りに揺動可能に� �持する。第1支持部24は、第1可動部21の第1軸� ��X方向の一方側の端部と、第1固定部22とに接 続されている。また、第1支持部25は、第1固� �部23に対して第1可動部21を第1軸線X周りに揺� ��可能に支持する。第1支持部25は、第1可動部 21の第1軸線X方向の他方側の端部と第1固定部2 3とに接続されている。

 以上のような構成の第1基板2において、� �1可動部21の上面に、第1コイル5が敷設されて いる。この第1コイル5は、第1可動部21の中央� ��を除いた部位において、渦状に敷設されて� ��る。第1コイル5が敷設されていない第1可動� ��21の上面の中央部において、レーザ光等を� �射させることができる。また、第1コイル5上 面には、レーザ光等を反射させるためのミラ ーを形成してもよい。このようなミラーを形 成することで、第1コイル5によってレーザ光� ��の反射が妨げられることなく、ミラーによ� ��てレーザ光等を反射させることができる。� ��、第1コイル5は、第1可動部21の下面、又は� �上下両面に敷設されてもよい。また、第1固� ��部22には電極51が形成され、第1固定部23には 電極52が形成されている。第1支持部24には、� ��1固定部22に形成された電極51と第1コイル5の 一端部とを接続する導線膜53が形成され、第1 支持部25には、第1固定部23に形成された電極5 2と第1コイル5の他端部とを接続する導線膜54� ��形成されている。

 図2に示すように、第2基板3は、第2可動部 31と、第2固定部32、33と、第2支持部34とを備� �る。第2可動部31は、第1固定部22、23が上面に 積層され、内側に空間部311が形成されている 。第2可動部31と第1固定部22、23とはスペーサ4 を介して積層されている。スペーサ4を介し� �積層されることにより、第1基板2と第2基板3� ��の間に、第1基板2の第1可動部21が揺動する� �間が確保されている。尚、スペーサ4は、第1 基板2又は第2基板3の何れかと一体的に形成さ れたものであってもよい。第2固定部32、33は� ��第2可動部31の内側に形成された空間部311に� ��置されている。第2支持部34は、第2軸線Y(図2 の一点鎖線Yで示す軸線)上に配置され、第2可 動部31の内側の端部のうち、第2軸線Y方向の� �方側の端部と他方側の端部とに接続されて� �る。第2軸線Yは、第2基板3が含まれる平面内� ��位置し、第1可動部21の法線方向から見て第1 軸線Xと直交する軸線である。第2支持部34は� �長手方向が第1軸線Xに平行な平行軸線X’方� �に向けられた接続部35を介して第2固定部32、 33と接続されている。第2支持部34は、第2固定 部32、33に対して第2可動部31を第2軸線Y周りに 揺動可能に支持する。

 このような第2基板3の上面には、第1基板2 の第1固定部22に形成された電極51に接続され� ��電極36と、第1基板2の第1固定部23に形成され た電極52に接続される電極37とが形成されて� �る。第1固定部22、23に形成された電極51、52� �第2基板3の上面に形成された電極36、37との� �続は、ワイヤボンディングや、第1可動部21� �法線方向にスペーサ4を貫通する貫通電極を� ��けることによって行うことができる。第2基 板3の上面に形成される電極36、37は、それぞ� ��交流電源に接続される。よって、電極51、52 を介して電極36、37と接続される第1コイル5に は、交流電流を発生させることができる。

 また、第2基板3の第2可動部31の下面には� �第2コイルが敷設されている。図3は、第2基� �3の下面図である。第2コイルは、図3に示す� �うに、外コイル61と内コイル62、63とから構� �されている。外コイル61は、第2軸線Yを跨ぎ� ��空間部311を囲うように空間部311の外側に敷� ��されている。具体的には、外コイル61は、� �1可動部21の下方の部位と、該部位よりも第1� ��線X方向の一方側の部位及び他方側の部位と に跨って敷設されている。一方、内コイル62� ��63は、外コイル61の内側に敷設されている。 内コイル62は、第2軸線Yよりも第1軸線X方向の 一方側に敷設されている。内コイル63は、第2 軸線Yよりも第1軸線X方向の他方側に敷設され ている。内コイル62、63の敷設されるそれぞ� �の部位は、第1可動部21の下方の部位に対し� �、第1軸線X方向にずれている。尚、第2コイ� �は、第2可動部31の上面、又は、上下両面に� �置されてもよい。また、第2コイルは、外コ� ��ル61のみ、又は、内コイル62、63のみで構成� ��れてもよい。

 また、第2基板3の第2固定部32、33の下面に は、電極40、41がそれぞれ形成されている。� �2固定部32の下面に形成された電極40は、外コ イル61の一端部と、外コイル61を介して内コ� �ル62の一端部621と、外コイル61を介して内コ� ��ル63の一端部631とに電気的に接続されてい� �。第2固定部33の下面に形成された電極41は、 外コイル61の他端部と、外コイル61を介して� �コイル62の他端部622と、外コイル61を介して� ��コイル63の他端部632とに電気的に接続され� �いる。図3に示すように、外コイル61と内コ� �ル62、63とは、電流が同一周りの向きになる� ��うに、敷設されている。この電極40、41は、 それぞれ交流電源に接続される。よって、電 極40、41と接続される外コイル61及び内コイル 62、63には、交流電流を発生させることがで� �る。

 以上のような構成の第1基板2及び第2基板3 を備えるMEMSアクチュエータ1は、第1基板2及� �第2基板3の他、第1磁界発生手段と、第2磁界� ��生手段と、ヨークとを備える。図4は、MEMS� �クチュエータ1の全体斜視図である。図5は、 MEMSアクチュエータ1の分解斜視図である(但し 、図5においては、ヨークを省略している。)� ��尚、第1基板2及び第2基板3は、図示しない筐 体等によって支持されている。

 図5に示すように、第1磁界発生手段7は、� ��1可動部21の法線方向(本実施形態では、下方 )に第1可動部21に対して離間して配置されて� �る。図6は、図4のA-A端面図である。第1磁界� �生手段7は、図6に示すように、第1コイル5に� ��界を及ぼして、第1コイル5に第1可動部21の� �線方向の電磁力Fを発生させることによって� ��第1可動部21を第1軸線X周りに揺動させる。� �実施形態においては、第1磁界発生手段7は、 第2軸線Y方向の磁界を第1コイル5に及ぼす。� �た、本実施形態では、第1磁界発生手段7は、 磁極が第2軸線Y方向において異なっている。� ��た、第1磁界発生手段7としては、例えば、� �久磁石や、電磁石などを使用することがで� �る。尚、第1磁界発生手段7として電磁石を使 用する場合は、電磁石を構成する部品のうち 、少なくともコイルが第1可動部21の法線方向 に第1可動部21に対して離間して配置されてい ればよい。

 次に、第2磁界発生手段について説明する 。図7は、図4のB-B端面図である。図7に示すよ うに第2磁界発生手段81、82は、第2可動部31の� ��線方向(本実施形態では、下方)に第2可動部3 1に対して離間して配置されている。第2可動� ��31の下方において、第2磁界発生手段81は、� �1磁界発生手段7よりも第1軸線X方向の一方側� ��配置され、第2磁界発生手段82は、第1磁界発 生手段7よりも第1軸線X方向の他方側に配置さ れている。

 図7に示すように、第2磁界発生手段81は、 第2軸線Yよりも第1軸線X方向の一方側の外コ� �ル61の部位(以下、「外コイル61の一方部」と いう)61aと内コイル62とに磁界を及ぼして、外 コイル61の一方部61aと内コイル62とに第2可動� ��31の法線方向の電磁力Fを生じさせる。尚、� ��実施形態においては、第2磁界発生手段81は� ��第1軸線X方向の磁界を外コイル61の一方部61a と内コイル62とに及ぼす。具体的には、第2磁 界発生手段81は、内コイル62の第1軸線X方向の 一方側の部位(以下、「内コイル62の一方部」 という)62aと外コイル61の一方部61aとに、第1� �線X方向の他方の向き(図7においては右方向)� ��磁界を及ぼす。また、第2磁界発生手段81は� ��内コイル62の第1軸線X方向の他方側の部位(� �下、「内コイル62の他方部」という)62bに第1� ��線X方向の一方の向き(図7においては左方向) の磁界を及ぼす。

 第2磁界発生手段82は、第2軸線Yよりも第1� ��線X方向の他方側の外コイル61の部位(以下、 「外コイル61の他方部」という)61bと内コイル 63とに磁界を及ぼして、外コイル61の他方部61 bと内コイル63とに第2可動部31の法線方向の電 磁力Fを生じさせる。尚、本実施形態におい� �は、第2磁界発生手段82は、第1軸線X方向の磁 界を外コイル61の他方部61bと内コイル63とに� �ぼす。具体的には、第2磁界発生手段82は、� �コイル63の第1軸線X方向の他方側の部位(以下 、「内コイル63の他方部」という)63bと、外コ イル61の他方部61bとに第1軸線X方向の他方の� �き(図7においては右方向)の磁界を及ぼす。� �た、第2磁界発生手段82は、内コイル63の第1� �線X方向の一方側の部位(以下、「内コイル63� ��一方部」という)63aに第1軸線X方向の一方の� ��き(図7においては左方向)の磁界を及ぼす。

 本実施形態では、第2磁界発生手段81、82� �磁極は、第1可動部21の法線方向において異� �っている。さらに、第2磁界発生手段81と第2� ��界発生手段82との磁極の位置関係は反対で� �る。

 第2磁界発生手段81、82としては、例えば� �久磁石や、電磁石などを使用することがで� �る。尚、第2磁界発生手段81、82として電磁石 を使用する場合は、電磁石を構成する部品の うち、少なくともコイルが第2可動部31の法線 方向に第2可動部31に対して離間して配置され ていればよい。

 ヨークは、第1ヨーク91、第2ヨーク92、第3 ヨーク93とから構成されている。図6に示すよ うに、第1ヨーク91は、第1磁界発生手段7の側� ��に接し、第1コイル5が含まれる平面近傍ま� �延出されている。このように、第1コイル5が 含まれる平面近傍まで延出されていることで 、第1コイル5に磁束密度の高い磁界が及び、� ��1コイル5に大きな電磁力Fを発生させること� ��できる。

 図7に示すように、第2ヨーク92は、第2磁� �発生手段81の下面に接し、外コイル61と内コ� ��ル62とが含まれる平面近傍まで延出されて� �る。また、第3ヨーク93は、第2磁界発生手段8 2の下面に接し、外コイル61と内コイル63とが� ��まれる平面近傍まで延出されている。この� ��うに、外コイル61と内コイル62、63とが含ま� ��る平面近傍まで延出されていることで、外� ��イル61と内コイル62、63とに磁束密度の高い� ��界が及び、外コイル61と内コイル62、63とに� ��きな電磁力Fを発生させることができる。

 以上に説明したMEMSアクチュエータ1にお� �て、第1コイル5に電流が発生すると、図6に� �すように、第1可動部21の法線方向の電磁力F� ��第1コイル5に発生する。第1軸線Xよりも第2� �線Y方向の一方側の第1コイル5の部位と、第1� ��線Xよりも第2軸線Y方向の他方側の第1コイル 5の部位とでは、電流の向き反対である。こ� �ため、一方側の部位と、他方側の部位とに� �生する電磁力Fの向きは互いに上下反対であ� ��。よって、第1コイル5に電流が発生すると� �第1可動部21は、第1固定部22に対して第1軸線X 周りに回動する。よって、第1コイル5に交流� ��流が発生すると、第1コイル5における電流� �向きが周期的に反転し、発生する電磁力の� �きも周期的に反転するため、第1可動部21が� �1軸線X周りに揺動する。

 また、外コイル61及び内コイル62、63に電� ��が発生すると、図7に示すように、第2可動� �31の法線方向の電磁力Fが外コイル61及び内コ イル62、63に発生する。

 図7に示すように、外コイル61の一方部61a� ��内コイル62の一方部62aとにおいては、電流� �向き、及び、磁界の向きは同一である。よ� �て、外コイル61の一方部61aと、内コイル62の� ��方部62aとにおいて、同じ向きの電磁力Fが発 生する。また、外コイル61の一方部61aと、内� ��イル62の他方部62bとにおいては、電流の向� �、及び、磁界の向きは反対である。よって� �外コイル61の一方部61aと、内コイル62の他方� ��62bとにおいて、同じ向きの電磁力Fが発生す る。よって、外コイル61の一方部61aと、内コ� ��ル62の一方部62aと、内コイル62の他方部62bと において、同じ向きの電磁力Fが発生する。� �様の理由により、外コイル61の他方部61bと、 内コイル63の一方部63aと、内コイル63の他方� �63bとにおいて、同じ向きの電磁力Fが発生す� ��。

 外コイル61の一方部61aと、外コイル61の他 方部61bとにおいては、電流の向きが反対であ り、磁界の向きが同一である。よって、外コ イル61の一方部61aと外コイル61の他方部61bと� �おいて、互いに反対向きの電磁力Fが発生す� ��。従って、外コイル61の一方部61aと、内コ� �ル62の一方部62aと、内コイル62の他方部62bと� ��発生する電磁力Fの向きと、外コイル61の他� ��部61bと、内コイル63の一方部63aと、内コイ� �63の他方部63bとにおいて発生する電磁力Fの� �きとは互いに反対である。このように、反� �向きの電磁力Fが発生することで、第2可動部 31は、第2固定部32、33に対して第2軸線Y周りに 回動する。よって、外コイル61及び内コイル6 2、63に交流電流が発生すると、電流の向きが 周期的に反転し、発生する電磁力の向きも周 期的に反転するため、第2可動部31が第2軸線Y� ��りに揺動する。

 第1可動部21は、第2可動部31に積層された� ��1固定部22、23に対して支持されている。従� �て、第2可動部31が第2軸線Y周りに揺動すると 、第1可動部21も第2軸線Y周りに揺動する。よ� ��て、MEMSアクチュエータ1においては、第1可� ��部21は、第1軸線X及び第2軸線Yの2つの軸線周 りに揺動することができる。従って、第1可� �部21は、レーザ光等の2次元走査をすること� �できる。

 以上に説明したように、本実施形態に係� ��MEMSアクチュエータ1においては、第2固定部3 2、33は、第2可動部31の内側に形成された空間 部311に配置されている。即ち、第2固定部32、 33は、第2可動部31の内側に配置されている。� ��のように、第2固定部32、33が第2可動部31の� �側に配置されるので、本実施形態に係るMEMS� ��クチュエータ1は、第1軸線方向及び第2軸線� ��向の両方向の寸法が小さい。このため、本� ��施形態に係るMEMSアクチュエータ1を、例え� �、レーザ光走査装置に用いると、該レーザ� �走査装置の第1軸線方向及び第2軸線方向の両 方向の寸法を小さくすることができる。従っ て、本実施形態に係るMEMSアクチュエータ1を� ��いたレーザ光走査装置は、薄型又は小型の� ��器への実装に適する。

 また、MEMSアクチュエータ1においては、� �1磁界発生手段7は、第1可動部21の法線方向に 第1可動部21に対して離間して配置されている 。また、第2磁界発生手段81、82は、第2可動部 31の法線方向に第2可動部31に対して離間して� ��置されている。このように、第1磁界発生手 段7、及び、第2磁界発生手段81、82を配置する ことで、第1可動部21の法線方向から見て第1� �板2及び第2基板3の外側に第1磁界発生手段7及 び第2磁界発生手段81、82がはみ出さない。よ� ��て、MEMSアクチュエータ1によれば、第1軸線X 方向及び第2軸線Y方向の両方向の寸法が小さ� ��電磁駆動型のMEMSアクチュエータを実現でき る。よって、本実施形態に係るMEMSアクチュ� �ータ1によれば、薄型又は小型の機器への実� ��に適する電磁駆動型のレーザ光走査装置を� ��供できる。

 また、MEMSアクチュエータ1においては、� �1磁界発生手段7と第2磁界発生手段81、82とが� ��2基板3の下方に配置されている。よって、� �1基板3の上方からレーザ光等を第1可動部21に 照射してレーザ光等を走査すれば、第1磁界� �生手段7と第2磁界発生手段81、82とによって� �レーザ光等の走査が妨げられることがない� �

 また、本実施形態に係るMEMSアクチュエー タ1においては、ヨークによって磁束密度の� �い磁界を第1コイル5及び第2コイルに及ぼす� �とができる。このため、第1コイル5及び第2� �イルに大きな電磁力Fを発生させることがで� ��るので、大きな振幅で、第1可動部21を第1軸 線X及び第2軸線Y周りに揺動させることができ る。また、本実施形態に係るMEMSアクチュエ� �タ1においては、外コイル61と内コイル62、63� ��に電磁力Fが発生する。このため、例えば、 外コイル61の敷設するスペースが少なく、外� ��イル61の巻数を多くできない場合であって� �、内コイル62、63に発生する電磁力Fで充分に 大きな振幅で、第1可動部21を第2軸線Y周りに� ��動させることができる。

 第1基板2及び第2基板3として、シリコン製 の基板を使用することができる。また、第1� �板2として、シリコン製の基板を使用し、第2 基板3としてシリコン製の基板よりも剛性の� �い樹脂製等の基板を使用することができる� �第2基板3として、第1基板2よりも剛性の低い� ��板を使用すると、第2軸線Y周りの揺動周波� �を第1軸線X周りの揺動周波数より低くするこ とが容易である。よって、第1軸線X周りの揺� ��で主走査を行い、第2軸線Y周りの揺動で副� �査を行うことで、インターレス走査や、プ� �グレッシブ走査等の2次元走査を容易に行う� ��とができる。

 また、本実施形態に係るMEMSアクチュエー タ1は、一つのウエハ上に第1基板2を複数形成 し、他のウエハ上に第2基板3を複数形成した� ��、この2つのウエハをスペーサ4を挟んで積� �して複数のMEMSアクチュエータを形成し、各M EMSアクチュエータを切り離すことで作成して もよい。また、本実施形態に係るMEMSアクチ� �エータ1は、2つのウエハをスペーサ4を挟ん� �積層した後、2つのウエハが積層された積層� ��に複数のMEMSアクチュエータを形成し、その 後、各MEMSアクチュエータを切り離すことで� �成してもよい。

 本実施形態においては、第1可動部21及び� ��2可動部31の揺動は、電磁力によって行って� ��るが、これらの揺動は、静電力や、圧電素� ��を用いて行ってもよい。

 以上においては、第1可動部21に第1コイル 5が敷設された構成について説明したが、本� �施形態に係るMEMSアクチュエータ1は、必ずし もこの構成に限られるものでない。即ち、本 実施形態に係るMEMSアクチュエータ1は、第1可 動部21に第1コイル5が敷設されていない構成� �あってもよい。本実施形態に係るMEMSアクチ� ��エータ1の第2可動部31は、前述のように第2� �線Y周りに揺動するだけでなく、接続部35に� �った第1軸線Xに平行な平行軸線X’(図3及び6� �照)周りにも揺動する場合がある。これは、� ��えば第1磁界発生手段7の第2軸線Y方向の寸法 等によっては、第1磁界発生手段7が発生させ� ��第2軸線Y方向の磁界は、外コイル61の第1可� �部21の下方の部位及びその近傍にも及ぶため である。図3に示すように、第1軸線Xよりも第 2軸線Y方向の一方側の外コイル61の部位61cと� �1軸線Xよりも第2軸線Y方向の他方側の外コイ� ��61の部位61dとでは、電流の向きが反対であ� �。このため、一方側の部位61cと他方側の部� �61dとでは、上下反対向きの電磁力が発生す� �。このように、反対向きの電磁力が発生す� �ことで、第2可動部31は第2固定部32、33に対し て接続部35に沿った平行軸線X’周りに揺動す る。第2可動部31の平行軸線X’周りの揺動周� �数が、第1基板2、第2基板3、及び、スペーサ4 からなる構造体の第1軸線X周りの揺動の共振� ��波数と一致する場合、第1可動部21は、第1軸 線X周りに揺動する。このように、第2可動部3 1を平行軸線X’周りに揺動させることで、第1 可動部21が第1軸線X周りに揺動することが可� �なため、本実施形態に係るMEMSアクチュエー� ��1は、第1可動部21に第1コイル5が敷設されて� ��なくても、第1可動部21を2つの軸線周りに揺 動させることができ、レーザ光等の2次元走� �が可能である。

 尚、第1軸線Xよりも第2軸線Y方向の一方側 の外コイル61の部位61cと、第1軸線Xよりも第2� ��線Y方向の他方側の外コイル61の部位61dとに� ��生する電磁力を大きくするために、第1ヨー ク91を外コイル61が含まれる平面近傍まで延� �してもよい。このような位置まで延出する� �とでこれらの部位61c、61dに磁束密度が高い� �界が及ぶ。これにより、これらの部位61c、61 dに大きな電磁力が発生する。大きな電磁力� �発生することで、大きな振幅で、第2可動部3 1、ひいては、第1可動部21を平行軸線X’周り� ��揺動させることができる。

 また、第1基板2、第2基板3、及び、スペー サ4からなる構造体の第1軸線X周りの揺動の共 振周波数と同じ周波数で、第2可動部31を平行 軸線X’周りに揺動させると、第1可動部21は� �第2可動部31よりも大きな振幅で第1軸線X周り に揺動する。このため、小さな振幅で第2可� �部31を揺動させるだけで、第1可動部21を大き な振幅で第1軸線X周りに揺動させることがで� ��る。

 また、第2可動部31を平行軸線X’及び第2� �線Yの2つの軸線周りに揺動させる構成として 、互いに接続されていない2種類のコイルを� �2可動部31に敷設する構成を挙げることがで� �る。2種類のコイルのうち、1つの種類のコイ ルは、第2可動部31を平行軸線X’周りに揺動� �せるための電磁力を発生させるコイルであ� �、他の種類のコイルは、第2可動部31を第2軸� ��Y周りに揺動させるための電磁力を発生させ るコイルである。この構成の具体例として、 図3に示す外コイル61と、内コイル62と、内コ� ��ル63とのそれぞれが、互いに電気的に接続� �れていない状態の構成を挙げることができ� �。この具体例の場合は、外コイル61が第2可� �部31を平行軸線X’周りに揺動させるための� �磁力を発生させるコイルであり、内コイル62 、63が第2可動部31を第2軸線Y周りに揺動させ� �ための電磁力を発生させるコイルである。� �コイル61に第2可動部31を平行軸線X’周りに� �動させるための電磁力を発生させるのは、� �述のとおりである。また、内コイル62、63で� ��2可動部31を第2軸線Y周りに揺動させるには� �内コイル62、63に生じる電流の向き及び内コ� ��ル62、63に及ぶ磁界の向きを調整し、内コイ ル62と、内コイル63とに互いに上下反対向き� �電磁力を生じさせればよい。以上のような� �成においても、本実施形態に係るMEMSアクチ� ��エータ1は、第1可動部21に第1コイル5を敷設� ��なくても、第1可動部21を平行軸線X’及び第 2軸線Yの2つの軸線周りに揺動させることがで きる。

 また、上述のように、第1磁界発生手段7� �発生させる第2軸線Y方向の磁界が、外コイル 61にも及ぶと、第2可動部31は平行軸線X’周り にも揺動する。第2可動部31の平行軸線X’周� �の揺動によって、第1可動部21が平行軸線X’� ��りに揺動する。このため、第1コイル5が第1� ��動部21に敷設された構成においては、第1コ� ��ル5及び第2コイルに交流電流を発生させる� �、第1可動部21は、第1軸線X周りと平行軸線X� �周りとの2つ軸線周りに揺動する。即ち、第1 可動部21の第1軸線X周りの振幅は、第1コイル5 に交流電流を発生させることにより生じる第 1可動部21の第1軸線X周りの揺動の振幅と、第2 可動部31の平行軸線X’周りの揺動の振幅とを 合成したものである。

 このように、第1可動部21の第1軸線X周り� �振幅が第2可動部31の平行軸線X’周りの振幅� ��影響を受けるものであっても、インターレ� ��走査や、プログレッシブ走査等の二次元走� ��の主走査を第1軸線X周りの揺動で行い、副� �査を第2軸線Y周りの揺動で行うと、二次元走 査を問題なく行うことができる。具体的には 、第1コイル5には、第1可動部21の第1軸線X周� �の共振周波数と周波数が略同一の交流電流� �発生させて、共振現象を利用して第1可動部2 1を第1軸線X周りに揺動させる。共振現象を利 用することで、主走査に見合った高い周波数 で、且つ、小さなエネルギーで第1可動部21を 第1軸線X周りに揺動させることができる。一� ��、第2コイルには、第2可動部31が副走査の周 波数で揺動するような交流電流を発生させる 。副走査の周波数は、主走査の周波数に比べ て非常に低い。このため、第2コイルに発生� �せる交流電流の周波数は、第1基板2、第2基� �3、及び、スペーサ4からなる構造体の平行軸 線X’周りの揺動の共振周波数よりも低くな� �。従って、第2可動部31の平行軸線X’周りの� ��動は、共振現象を利用したものでない。揺� ��に共振現象を利用すると、該揺動の振幅が� ��常に大きくなる。このため、第1可動部21の� ��1軸線X周りの振幅は、第2可動部31の平行軸� �X’周りの振幅に比べて非常に大きい。図8は 、共振現象を利用して第1軸線X周りに第1可動 部21を揺動させた際の第1可動部21の振幅A1、� �2可動部31の平行軸線X’周りの揺動の振幅A2� �及び、これらを合成した振幅A3を示す。第1� �動部21の第1軸線X周りの揺動には共振現象を� ��用しているので、共振現象を利用して第1軸 線X周りに第1可動部21を揺動させた際の第1可� ��部21の振幅A1は、第2可動部31の平行軸線X’� �りの振幅A2に比べて非常に大きく、これらを 合成した振幅A3は、第1可動部21の振幅A1に略� �致する。このため、第1可動部21の第1軸線X周 りの振幅が第2可動部31の平行軸線X’周りの� �幅の影響を受けるものであっても、二次元� �査を問題なく行うことができる。

 尚、第1可動部21に第1コイル5が敷設され� �いない構成において、第1可動部21を大きな� �幅で第1軸線X周りに揺動させるためには、第 1基板2、第2基板3、及び、スペーサ4からなる� ��造体の第1軸線X周りの揺動の共振周波数と� �同一の周波数で第2可動部31を平行軸線X’周� ��に揺動させる必要がある。従って、第1可動 部21に第1コイル5が敷設されていない構成に� �いて、インターレス走査や、プログレッシ� �走査等の二次元走査をする場合は、上述の� �造体の平行軸線X’周りの揺動の共振周波数� ��略同一の周波数を有する信号成分と、副走� ��の周波数と略同一の周波数を有する信号成� ��とを重畳した交流電流を第2コイルに発生さ せれば良い。このような交流電流を発生させ ることで、第1可動部21が大きな振幅で主走査 に見合った高い周波数で第1軸線X周りに揺動� ��、第2可動部31が副走査の周波数で第2軸線Y� �りに揺動する。

 また、第2磁界発生手段81、82は、第1軸線X 方向に第2可動部31に対して離間して配置され てもよい。第2磁界発生手段81、82をこのよう� ��配置すると、第1可動部21の法線方向から見� ��場合において、第2軸線Y方向において第1基� ��2及び第2基板3の外側に第1磁界発生手段7及� �第2磁界発生手段81、82がはみ出さない。よっ て、第2磁界発生手段81、82をこのように配置� ��れば、第2軸線Y方向の寸法が小さい電磁駆� �型のMEMSアクチュエータを実現できる。よっ� ��、第2磁界発生手段81、82がこのように配置� �れた電磁駆動型のMEMSアクチュエータ1によれ ば、薄型又は小型の機器への実装に適する電 磁駆動型のレーザ光走査装置を提供できる。

 図9は、第2可動部31の法線方向に第2可動� �31に対して離間した位置に代えて、第1軸線X� ��向に第2可動部31に対して離間した位置に、� ��2磁界発生手段81、82を配置した場合の図4のB -B端面図である。図9に示すように、第2磁界� �生手段81は、第1軸線X方向の一方に第2可動部 31に対して離間して配置されている。また、� ��2磁界発生手段82は、第1軸線X方向の他方に� �2可動部31に対して離間して配置されている� �第2磁界発生手段81、82は、第2可動部31から遠 い側の部位にS極が、第2可動部31に近い側の� �位にN極が形成されている。第2磁界発生手段 81、82において、S極が形成された部位から、� ��1基板2の上方及び第2基板3の下方にヨーク9a� ��9bが延出されている。このように第2磁界発� ��手段81を配置することによって、外コイル61 の一方部61aと内コイル62の一方部62aとに磁界� ��及び、外コイル61の一方部61aと内コイル62の 一方部62aとに第2可動部31の法線方向の電磁力 を生じさせることができる。同様に、このよ うに第2磁界発生手段82を配置することによっ て、外コイル61の他方部61bと内コイル63の他� �部63bとに磁界が及び、外コイル61の他方部61b と内コイル63の他方部63bとに第2可動部31の法� ��方向の電磁力を生じさせることができる。

 次に、第1基板2に備えられる第1支持部24� �25の変形例、及び、第2基板3に備えられる第2 支持部34の変形例について説明する。図10は� �本変形例に係る第1支持部24A、25Aを備える第1 基板2、及び、本変形例に係る第2支持部341A、 342Aを備える第2基板3の全体斜視図である。

 図10に示すように、本変形例に係る第1支� ��部24A、25Aは、第1可動部21側が2つに分かれ、 第1可動部21側の2つの部位のそれぞれは、蛇� �し、第1可動部21の互いに離間した部位に接� �されている。

 一方、本変形例に係る第2支持部341Aは、� �2可動部31の内側の端部のうち第1軸線Xの一方 側の端部と、第2固定部32の第1軸線Xの一方側� ��端部とを接続している。また、本変形例に� ��る第2支持部342Aは、第2可動部31の内側の端� �のうち第1軸線Xの他方側の端部と、第2固定� �32の第1軸線Xの他方側の端部とを接続してい� ��。これらの第2支持部341A、342Aは蛇行してい� ��。尚、本変形例に係る第2支持部341A、342Aを� ��える第2基板3においては、図2に示すように� ��2固定部32、33が2つでなく、図10に示すよう� �1つのみ(第2固定部32のみ)であってもよい。

 第1基板3と第2基板2との組み合わせは、図 1又は図2を参照して前述した実施形態に係る� ��1基板2と前述した実施形態に係る第2基板3と の組み合わせの他、次の3通りの組み合わせ� �中から任意の1つを採用することができる。1 つ目は、本変形例に係る第1支持部24A、25Aを� �えた第1基板2と、本変形例に係る第2支持部34 1A、342Aを備えた第2基板3との組み合わせであ� ��。また、2つ目は、前述した実施形態に係る 第1支持部24、25を備えた第1基板2と、本変形� �に係る第2支持部341A、342Aを備えた第2基板3と の組み合わせである。さらに、3つ目は、本� �形例に係る第1支持部24A、25Aを備えた第1基板 2と、前述した実施形態に係る第2支持部34を� �えた第2基板3との組み合わせである。

 次に、第2基板の変形例について説明する 。図11は、本変形例に係る第2基板3Aの平面図� ��ある。図11に示すように、本変形例に係る� �2基板3Aは、前述の実施形態に係る第2基板3と 同様に、第2可動部31Aと、第2固定部32A、33Aと� ��第2支持部34Aとを備える。

 第2可動部31Aは、第1軸線Xと直交する方向� ��幅(第2軸線Y方向の寸法)が狭まった幅狭部位 312Aを具備する。この幅狭部位312Aの第2軸線Y� �向の寸法は、第1基板3の第2軸線Y方向の寸法� ��りも狭い。さらに、第2可動部31Aは、この幅 狭部位312Aの第1軸線X方向の両側に位置する幅 広部位313Aを具備する。幅広部位313Aには、第1 固定部が積層される。第2固定部32Aは、第2軸� ��Y方向の一方の向きに幅狭部位312Aに対して� �間して配置され、第2固定部33Aは、第2軸線Y� �向の他方の向きに幅狭部位312Aに対して離間� ��て配置されている。具体的には、第2固定部 32A、33Aは、第2可動部31Aに幅狭部位312Aを形成� ��ることによって生まれた空間部に配置され� ��いる。第2支持部34Aは、幅狭部位312Aと第2固� ��部32A、33Aとを連結し、第2固定部32A、33Aに対 して第2可動部31Aを第2軸線Y周りに揺動可能に 支持する。このような第2基板3Aの上面には、 前述の実施形態に係る第2基板3と同様に各種� ��電極、及び、第2コイルが敷設される。

 以上のように、本変形例に係る第2基板3A� ��おいては、第2可動部31Aに狭小部分312Aを形� �することによって生まれた空間部に、上述� �ように、第2固定部32A、33Aが配置されている� ��よって、本変形例に係る第2基板3Aが用いら� ��たMEMSアクチュエータは、第2軸線Y方向の寸� ��が小さい。このため、本変形例に係る第2基 板3Aが用いられたMEMSアクチュエータは、薄型 又は小型の機器への実装に適するレーザ光走 査装置を提供することができる。