本申请要求于 2011 年 3 月 15 日提交中国专利局、 申请号为 201110061571.2、 发明名称为" MEMS惯性传感器及其形成方法"的中国专利申 请的优先权， 其全部内容通过引用结合在本申请中。 技术领域

本发明涉及半导体技术领域， 特别地， 本发明涉及 MEMS惯性传感器及 其形成方法。 背景技术

在很多运动物体的控制、 检测和导航系统中， 不仅需要位移、 角位移、 速 度信息， 更需要加速度、 角速度信息。 惯性传感器（包括加速度传感器与角速 度传感器）就是一种测试加速度、 角速度的仪器。

从 二 十 世 纪 八 十 年 代 末 开 始 ， 随 着 微 机 电 系 统 ( Micro-Electro-Mechanical-System, MEMS )技术的发展， 各种传感器实现了 £小型化， 以 MEMS技术为基础的 MEMS惯性传感器由于采用 MEMS加工 工艺， 实现了批量生产， 克服了原有惯性传感器体积大、 成本高等缺点， 成为 未来发展的主要方向。

目前的 MEMS惯性传感器通常采用电容式惯性传感器， 所述电容式惯性 传感器一般包括探测物体运动的固定电极、物 体运动导致与固定电极之间发生 电容变化的可移动敏感元素 （一般称可动电极）、 以及与固定电极和可动电极 相电连接的电信号连接。 在 MEMS惯性传感器中， 可移动敏感元素一般也充 当质量块以减少整个器件体积重量，就质量块 本身来说，质量越大，惯性越大。

现有技术中， Bosch, ST, Freescale, ADI等公司现大多用淀积的多晶硅 作为制作 MEMS惯性传感器的结构材料（以下筒称多晶硅� �法）。 所述多晶硅 方法具有工艺筒便的优点，但是其材料应力较 大， 一方面会影响到器件的重复 性， 另一方面由于多晶硅内部具有应力， 其厚度较小， 对传感器的尺寸造成限 制， 不利于制作高灵敏度的惯性传感器， 而且由于其重复性不够好， 生产成品 率下降， 造成成本上升。 专利号为 US6,170,332B1的美国专利公开了一种微机械加速� �传感器，其 采用单一硅晶圆进行制作， 通过刻蚀方法在一个晶圆中形成 MEMS惯性传感 器的各个部分，但是由于刻蚀技术自身固有的 缺陷 -不均匀，故形成的传感器 性能比如可靠性会受到影响。

而且前述美国专利中的 Z轴传感器根据竖直方向的位移所引起电容器� � 积变化从而引起电容量的变化来侦测 Z轴加速度的大小，这样竖直方向（ Z轴） 传感器的设计受到限制。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种 MEMS惯性传感器及其形成方法， 克服了 现有技术的 MEMS惯性传感器的可靠性和重复性不好、 成品率低的缺陷。

为解决上述问题， 本发明实施例提供了一种 MEMS惯性传感器， 包括： 可移动敏感元素， 第二衬底和第三衬底； 所述可移动敏感元素采用第一衬底形 成， 所述第一衬底为单晶半导体材料， 所述第一衬底包括相对的第一表面和第 二表面， 所述第一衬底的第一表面上形成有一层或者多 层导电层， 所述第二衬 底与所述第一衬底上的一层或者多层导电层的 表面结合，所述第三衬底与所述 可移动敏感元素的一侧结合，且所述第三衬底 和第二衬底分别位于所述可移动 敏感元素的相对两侧。

可选地， 所述一层或者多层导电层包括 MEMS惯性传感器的第一电屏蔽 层、 互连层、 固定电极的支撑点、 可移动敏感元素的支撑点、 或者前述结构的 任意组合， 所述互连层包括一层或者多层互连线。

可选地， 所述一层或者多层导电层包括第一电屏蔽层。

可选地， 所述一层或者多层导电层包括第一电屏蔽层和 互连层， 所述互连 层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一衬底 的第一表面。 可选地， 所述 MEMS惯性传感器还包括抗粘连结构， 所述抗粘连结构采 用所述第一衬底、 或者所述一层或者多层导电层制作。

可选地， 所述 MEMS惯性传感器为加速度传感器， 所述加速度传感器包 括 X轴传感器、 Y轴传感器、 Z轴传感器或其任意组合。 可选地，所述 MEMS惯性传感器为转角器，所述转角器包括 X轴转角器、 Y轴转角器、或 Z轴转角器或其任意组合，所述转角器还包括� �测电极和固定 电极。 可选地， 所述一层或者多层导电层包括 MEMS惯性传感器的第一电屏蔽 层 ,所述第二衬底直接或者经过导电的键合层结� �至所述第一衬底上的第一电 屏蔽层上， 所述第二衬底与所述第一电屏蔽层共同作为传 感器的电学屏蔽层。 可选地， 所述一层或者多层导电层包括 MEMS惯性传感器的第一电屏蔽 层，所述第二衬底通过键合层键合至所述第一 衬底上的一层或者多层导电层表 面上， 所述键合层至少包括一层绝缘层， 所述第一电屏蔽层作为传感器的电学 展蔽层。 可选地， 所述第一衬底的第二表面为经过减薄的表面， 所述传感器的可动 敏感元素采用减薄后的第一衬底形成。 相应地， 本发明实施例还提供一种 MEMS惯性传感器的形成方法， 包括： 提供第一衬底， 所述第一衬底为单晶的半导体衬底， 所述第一衬底具有第一表 面和与之相对的第二表面； 在第一衬底的第一表面上形成一层或者多层导 电 层； 提供第二衬底； 将第二衬底结合至所述第一衬底上的一层或者 多层导电层 的表面； 从所述第一衬底的第二表面侧采用第一衬底形 成可移动敏感元素； 提 供第三衬底； 将第三衬底结合至所述可移动敏感元素的一侧 ， 所述第三衬底和 第二衬底分别位于所述可移动敏感元素的相对 两侧。 可选地， 所述一层或者多层导电层包括 MEMS惯性传感器的第一电屏蔽 层、 互连层、 固定电极的支撑点、 可移动敏感元素的支撑点、 或者前述结构的 任意组合， 所述互连层包括一层或者多层互连线。 可选地， 所述一层或者多层导电层包括第一电屏蔽层。 可选地， 所述一层或者多层导电层包括第一电屏蔽层和 互连层， 所述互连 层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一衬底 的第一表面。 可选地， 还包括采用所述第一衬底或者一层或者多层导 电层制作所述 MEMS惯性传感器的抗粘连结构步骤。 可选地， 所述 MEMS惯性传感器为加速度传感器， 所述加速度传感器包 括 X轴传感器、 Y轴传感器、 Z轴传感器或其任意组合。 可选地，所述 MEMS惯性传感器为转角器，所述转角器包括 X轴转角器、 Y轴转角器、 Z轴转角器或其任意组合。 可选地， 还包括采用所述第一衬底形成所述转角器的固 定电极步骤。 可选地， 所述一层或者多层导电层包括传感器的第一电 屏蔽层， 所述将第 二衬底直接或者通过键合层结合至第一衬底上 的一层或者多层导电层的表面 为将第二衬底直接或者经过导电的键合层结合 至所述第一衬底上的第一电屏 蔽层上， 所述第二衬底与所述第一电屏蔽层共同作为传 感器的电学屏蔽层。 可选地， 所述一层或者多层导电层包括传感器的第一电 屏蔽层， 所述将第 二衬底直接或者通过键合层结合至第一衬底上 的一层或者多层导电层的表面 为将第二衬底经由键合层键合至所述第一衬底 上的一层或者多层导电层上，所 述键合层至少包括一层绝缘层， 所述第一电屏蔽层作为传感器的电学屏蔽层。 可选地，在从所述第一衬底的第二表面侧采用 第一衬底形成传感器的可移 动敏感元素步骤之前还包括从所述第一衬底的 第二表面侧进行减薄步骤。 与现有技术相比，本技术方案具有以下优点： 通过采用单晶半导体材料（第 一衬底 )制作传感器敏感元素，从而可以制备出较厚� �惯性传感器的可移动敏 感元件， 即可动电极， 从而可以加大质量块的质量， 提高 MEMS惯性传感器 的灵敏度和可靠性， 而且采用单晶半导体材料（第一衬底 )制作传感器敏感元 素可以提高制作 MEMS惯性传感器的重复性以及成品率。 而且， 本发明实施例通过在所述第一衬底上还形成一 层或者多层导电层， 所述一层或者多层导电层可以用于制作 MEMS 惯性传感器的电学屏蔽层、 MEMS惯性传感器的互连层、 MEMS惯性传感器的固定电极、 MEMS惯性传 感器的固定电极的支撑点、 MEMS 惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点、 或者包括前述结构的任意组合， 这样， 一方面降低了制作工艺的难度， 增加了 制作 MEMS惯性传感器的灵活性以及更易于进行布局� � 而且增加了与其他器 而防止所述 MEMS惯性传感器受到外界环境的干扰。 此外， 本发明实施例的 MEMS惯性传感器包括抗粘连结构， 所述抗粘连 结构采用所述第一衬底、或者所述一层或者多 层导电层制作， 形成抗粘连结构 的工艺筒单。

附图说明 图 1是本发明的一个实施例的 X轴、 Y轴的传感器结构示意图； 图 2是本发明的一个实施例的 Z轴的传感器立体结构示意图； 图 3是本发明的另一个实施例的 Z轴的传感器立体结构示意图；

图 4是本发明的一个实施例的转角器的结构示意� �； 图 5是本发明的一个实施例的转角器的剖面结构� �意图； 图 6是本发明的一个实施例的形成惯性传感器的� �法的流程示意图； 图 7至图 17是本发明的一个实施例的形成本发明的惯性� ��感器的方法的 剖面结构示意图；

图 18至 21是本发明的一个实施例的形成带有抗粘连结� ��的惯性传感器的 方法的剖面结构示意图； 图 22至 24是本发明的另一个实施例的形成带有抗粘连� ��构的惯性传感器 的方法的剖面结构示意图； 图 25至 28是本发明的又一个实施例的形成带有抗粘连� ��构的惯性传感器 的方法的剖面结构示意图。 具体实施方式

本发明实施例通过采用单晶半导体材料（第一 衬底）制作传感器敏感元素， 从而可以制备出较厚的惯性传感器的可移动敏 感元件， 即可动电极， 提高 MEMS惯性传感器的灵敏度和可靠性， 而且采用单晶半导体材料（第一衬底） 制作传感器敏感元素可以提高制作 MEMS惯性传感器的重复性以及成品率。 而且， 本发明实施例通过在所述第一衬底上还形成一 层或者多层导电层， 所述一层或者多层导电层可以用于制作 MEMS 惯性传感器的电学屏蔽层、 MEMS惯性传感器的互连层、 MEMS惯性传感器的固定电极、 MEMS惯性传 感器的固定电极的支撑点、 MEMS 惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点、 或者包括前述结构的任意组合， 这样， 一方面降低了制作工艺的难度， 增加了 制作 MEMS惯性传感器的灵活性以及更易于进行布局� � 而且增加了与其他器 而防止所述 MEMS惯性传感器受到外界环境的干扰。 此外， 本发明实施例的 MEMS惯性传感器包括抗粘连结构， 所述抗粘连 结构采用所述第一衬底、或者所述一层或者多 层导电层制作， 形成抗粘连结构 的工艺筒单。

为了达到上述发明目的， 本发明提供了如下了技术方案。 首先， 本发明实施例提供一种 MEMS惯性传感器， 包括： 可移动敏感元 素； 第二衬底和第三衬底， 所述可移动敏感元素位于所述第二衬底和第三 衬底 之间； 所述可移动敏感元素采用第一衬底形成， 所述第一衬底为单晶半导体材 料， 所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面 ， 所述第一衬底的第一表面 上形成有一层或者多层导电层，所述第二衬底 与所述第一衬底上的一层或者多 层导电层的表面结合，所述第三衬底与所述可 移动敏感元素的与所述第二衬底 相对的一侧结合。其中， 所述第二衬底可以直接结合或者通过键合层结 合至所 述第一衬底上的一层或者多层导电层的表面， 所述第三衬底和第二衬底分别位 于所述可移动敏感元素的相对两侧。 本发明的 MEMS惯性传感器可以是加速度传感器或者转角� �（又称陀螺 仪）， 无论是转角器还是加速度传感器， 均包括用于信号转换（比如将加速度 或者转动的角速度转换为电信号 )的传感器单元， 所述传感器单元包括可移动 敏感元素 （又称可动电极）、 固定电极、 以及将可动电极和固定电极进行对应 引出的互连层、 用于支撑可动电极、 固定电极的支撑点， 所述传感器单元为所 述 MEMS惯性传感器的核心结构，本发明的 MEMS惯性传感器的可动电极的 材质为单晶半导体材料。 通常， 所述加速度传感器包括 X轴传感器、 Y轴传感器、 Z轴传感器或其 结合， 图 1给出本发明的一个实施例的加速度传感器的 X轴传感器的俯视结 构示意图， 包括： 固定电极以及可动电极。 所述固定电极包括两个相邻的固定 电极指， 分别为第一固定电极指 101和第二固定电极指 102。 所述可动电极包 括平行排列的可动电极指，分别为第一可动电 极指 103和第二可动电极指 104, 所有可动电极指的两端分别连接至平行的两条 可动连接臂上（未标记）。 每两 个相邻的固定电极指中间交错排列一个可动电 极指， 这样， 所述第一固定电极 指 101与第一可动电极指 103组成第一电容器，所述第二固定电极指 102与第 二可动电极指 104组成第二电容器。 当可动电极沿 X轴运动的时候， 所述电 容器的两个极板之间距离会发生改变， 而且两个电容器的变化情况相反，通过 侦测改变的电容量， 可以获得所述加速度传感器的沿 X轴方向的加速度。 所述加速度传感器的还可以包括 Y轴传感器， 本领域技术人员知晓， 所 述 Y轴传感器的结构与所述 X轴传感器的结构类似， 在此不再详述。 所述加速度传感器的还包括 Z轴传感器， 通常 Z轴传感器的结构具有两 种结构， 具体请参照图 2和图 3, 首先请参照图 2, 包括： 固定电极和可动电 极， 所述固定电极包括第一固定电极 201、 第二固定电极 202, 所述可动电极 包括第一可动电极 203和第二可动电极 204,所述固定电极固定在基板 200上。 所述可动电极可以围绕扭转轴 206进行运动，所述可动电极上还设置有加重梁 ( Seismic mass ) , 本实施例中， 在所述第二可动电极 204的外侧设置了加重梁 205 , 故所述可动电极相对于所述扭转轴 206为非对称结构。 所述固定电极和 可动电极构成电容器的两个极板， 当所述加速度传感器运动的时候， 所述固定 电极与所述可动电极之间的电容量会发生改变 ，通过侦测电容量的改变， 可以 获得所述加速度传感器沿 Z轴方向的加速度信息。 另一种 Z轴传感器请参照图 3, 包括： 可动电极和固定电极， 所述可动电 极包括多个可动电极指 301 , 所述多个可动电极指 301的中部通过横梁进行连 接形成一体结构并且可以上下移动， 所述固定电极包括第一固定电极指 302 和第二固定电极指 303, 所述第一固定电极指 302和第二固定电极指 303与所 述可动电极指 301 之间相对放置， 形成两个电容器， 当所述可动电极指 301 上下运动时， 所述可动电极指 301与第一固定电极指 302和第二固定电极指 303之间形成的电容器的电容量发生改变，从而 可以获得 Z轴方向的加速度信

上述两种 Ζ轴传感器的结构不同，其传感原理类似，均� ��根据可动电极与 固定电极之间形成的电容器的电容量的改变感 知 Ζ轴方向加速度信息，但是二 者之间不同的是，图 2所示的结构是根据改变电容器的两个极板之� �的距离改 变电容量，而图 3所示的结构是根据改变电容器的两个极板之� �的面积改变电 谷里。

图 4给出转角器的俯视结构示意图，图 5给出沿图 4中 AA，的剖面结构示 意图， 所述转角器包括： 可动电极、 固定电极、 探测电极， 具体地， 所述可动 电极包括第一可动电极 901、 第二可动电极 902; 所述固定电极包括第一固定 电极 903、 第二固定电极 904、 第三固定电极 905 , 所述第三固定电极 905位 于第一固定电极 903和第二固定电极 904之间；所述第一可动电极 901位于第 一固定电极 903和第三固定电极 905之间，所述第二可动电极 902位于所述第 二固定电极 904与第三固定电极 905之间，所述第一可动电极 901与第一固定 电极 903和第三固定电极 905之间分别形成两个叉指电容器，所述第二可 动电 极 902与第二固定电极 904和第三固定电极 905之间分别形成两个叉指电容 器， 当第一固定电极 903与第一可动电极 901之间具有电位差， 所述第一可动 电极 901会向所述第一固定电极 903方向进行运动，当第三固定电极 905与第 一可动电极 901之间具有电位差，所述第一可动电极 901会向所述第三固定电 极 905方向进行运动，对于所述第二可动电极 902与第二固定电极 904和第三 固定电极 905之间具有同样的情况，故所述第一可动电极 901和第二可动电极 902在交流的电信号作用下会分别向靠近第一固 定电极 903或者第二固定电极 904方向运动、 或者向靠近第三固定电极 905方向运动。

所述转角器还包括第一探测电极 906和第二探测电极 907 , 所述第一探测 电极 906和第二探测电极 907分别与第一可动电极 901和第二可动电极 902 之间具有交叠面积， 而且所述探测电极与可动电极之间具有空腔或 者介质， 具 体请参照图 5 , 所述探测电极与可动电极之间形成电容器， 当所述第一可动电 极 901和第二可动电极 902沿 X轴方向运动时候， 同时， 器件具有沿 Y轴的 转动时，所述第一可动电极 901和第二可动电极 902会产生沿 Z轴方向的位移， 所述探测电极与可动电极之间形成的电容器的 电容量发生改变，从而可以感知 角速度信息。

前述的加速度传感器以及转角器的结构仅给出 固定电极和可动电极部分 的结构， 实际的加速度传感器以及转角器还包括其他结 构， 比如包括： 用于形成可动电极的第一衬底， 所述第一衬底为单晶半导体材料， 所述第 一衬底包括第一表面和第二表面。 所述第一衬底的第二表面为经过减薄的表 面， 所述 MEMS惯性传感器包括加速度传感器和转角器的� �动动电极采用减 薄后的第一衬底形成。 所述 MEMS惯性传感器还可以包括第二衬底， 所述第二衬底主要用于机 械支撑， 所述第二衬底结合至所述第一衬底上的一层或 者多层导电层的表面。 若所述一层或者多层导电层包括传感器的第一 电屏蔽层（所述第一电屏蔽层为 最远离所述第一衬底的第一表面的导电层）， 无论所述一层或者多层导电层是 否包括传感器的互连层，所述第二衬底可以结 合至第一衬底上的第一电屏蔽层 的表面。 而且， 若所述第二衬底直接或者经过导电的键合层结 合至所述第一衬 底上的第一电屏蔽层上，所述第二衬底与所述 第一电屏蔽层共同作为传感器的 电学屏蔽层；若所述第二衬底经由键合层键合 至所述第一衬底上的一层或者多 层导电层上，且所述键合层至少包括一层绝缘 层的话，所述第一电屏蔽层单独 作为传感器的电学屏蔽层。

所述 MEMS惯性传感器还可以包括第三衬底， 所述第三衬底结合至所述 传感器的可动电极的一侧。所述第三衬底用于 将所述传感器进行密封， 同时可 以包含电路。 所述第一衬底的第一表面上形成有一层或者多 层导电层，所述一层或者多 层导电层可以为 MEMS惯性传感器的第一电屏蔽层、 MEMS惯性传感器的互 连层、 MEMS惯性传感器的固定电极的支撑点、 MEMS惯性传感器的可动电 极的支撑点、 或者前述结构的任意组合。 所述一层或者多层导电层包括第一电屏蔽层、 或者既包括第一电屏蔽层又 包括互连层， 在所述一层或者多层导电层包括第一电屏蔽层 和互连层的情况 下， 所述互连层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述 第一衬底的第一表面。 所述互连层包括一层或者多层互连线， 所述一层或者多层互连线与所述 MEMS惯性传感器的固定电极、 可动电极、 探测电极（转角器）对应电连接。 所述支撑点用于固定支撑所述传感器所需的电 极，所述支撑点通常包括电 连接所述可动电极、 固定电极、 探测电极（转角器）的连接臂以及用于固定所 述可动电极、 固定电极、 探测电极的固定端。 若所述一层或者多层导电层仅为 MEMS惯性传感器的第一电屏蔽层， 所 述 MEMS惯性传感器所需的其他结构比如固定电极� � 探测电极（转角器）、 互 连层、 支撑点等可以在其他衬底上形成， 当然也可以采用形成第一电屏蔽层的 导电层制作固定电极、支撑点，在其他衬底上 形成互连层、探测电极（转角器） 等结构； 而且， 还可以采用第一衬底形成支撑点， 比如可动电极的支撑点。 若所述一层或者多层导电层为 MEMS惯性传感器的互连层， 所述 MEMS 惯性传感器所需的其他结构比如固定电极、 探测电极（转角器）、 支撑点等可 以在其他衬底上形成， 当然也可以采用形成 MEMS惯性传感器的互连层的材 料来制作， 甚至还可以不采用所述一层或者多层导电层形 成， 而是通过额外形 成其它的一层或者多层导电材料层制作这些结 构； 再者， 所述支撑点， 比如可 动电极的支撑点还可以采用第一衬底形成。 若所述一层或者多层导电层既包括 MEMS 惯性传感器的互连层又包括

MEMS 惯性传感器的第一电屏蔽层， 所述互连层要比所述第一电屏蔽层更为 靠近所述第一衬底的第一表面， 所述 MEMS惯性传感器所需的其他结构比如 固定电极、 探测电极（转角器）、 支撑点等可以在其他衬底上形成， 当然， 也 可以采用形成所述传感器的互连层的一层或者 多层导电层形成，甚至还可以不 采用所述一层或者多层导电层形成，而是通过 额外形成的其它的一层或者多层 导电材料层形成； 再者， 所述支撑点， 比如可动电极的支撑点还可以采用第一 衬底形成。 依次类推， 根据实际的工艺、 实际 MEMS惯性传感器的需求以及目的， 基于本发明的思想还可以对所述 MEMS惯性传感器的固定电极、 支撑点、 互 连线、 探测电极（转角器）作出其他各种设计和布局 ， 在此特别说明， 不应过 分限制本发明的范围。 若所述 MEMS惯性传感器为加速度传感器，所述传感器� �括 X轴传感器、 Y轴传感器、 Z轴传感器或其任意组合。 所述 X轴传感器、 Y轴传感器的可动 电极和固定电极均可采用所述第一衬底形成。 若所述 Z轴传感器采用如图 2所示的结构， 所述 Z轴传感器的固定电极 采用所述一层或者多层导电层形成。优选地， 若所述一层或者多层导电层仅包 括第一电屏蔽层，所述 Z轴传感器的固定电极采用形成所述第一电屏� �层的材 料形成。 再优选地， 若所述一层或者多层导电层包括互连层， 无论所述一层或 者多层导电层是否还包括第一电屏蔽层，所述 Z轴传感器的固定电极采用形成 所述互连层的材料形成， 而且， 再进一步地， 所述 Z轴传感器的固定电极采用 最靠近所述第一衬底的互连层中的导电材料层 形成。 若所述 Z轴传感器采用如图 3所示的结构， 所述 Z轴传感器的固定电极 采用所述第一衬底形成。 进一步优选地，所述加速度传感器的 Z轴传感器的固定电极或者可动电极 侧形成有抗粘连结构，用于防止所述可动敏感 元素与所述固定电极相接触时造 成粘连， 所述抗粘连结构可以导电层材料或者绝缘层材 料制作，作为本发明的 一个优选实施例， 采用一层或者多层导电层形成， 或者采用第一衬底形成。 不 管采用如图 2所示的结构， 还是如图 3所示的结构， 优选地， 所述抗粘连结构 采用一层或者多层导电层形成， 而且再进一步优化地，采用最靠近所述第一衬 底的导电层形成。 若所述 MEMS惯性传感器为转角器， 所述转角器包括 X轴转角器、 Y轴 转角器、 Z轴转角器或其任意组合， 所述 X轴转角器、 Y轴转角器、 以及 Z 轴转角器是指分别用于探测 X轴、 Y轴、 Z轴方向的角速度的转角器。 所述转 角器还包括探测电极和固定电极， 作为一个实施例， 所述 X轴转角器、 Y轴 转角器的固定电极采用所述第一衬底形成， 所述 X轴转角器、 Y轴转角器的 探测电极采用所述一层或者多层导电层形成， 所述 Z轴转角器的固定电极和探 测电极均采用第一衬底形成。 优选地， 若所述一层或者多层导电层为所述转角器的互 连层， 可以采用形 成所述互连层的材料形成 X轴转角器或者 Y轴转角器的探测电极。 优选地， 若所述一层或者多层导电层仅包括第一电屏蔽 层， 可以采用形成 所述第一电屏蔽层的材料形成 X轴转角器或者 Y轴转角器的探测电极。 采用所述第一衬底形成所述转角器的固定电极 ，由于固定电极可以形成的 比较厚， 这样在使用中拉伸的距离比较大， 驱动的速度比较大， 从而探测灵敏 度比较高。

进一步优化地， 所述转角器的 X轴转角器或者 Y轴转角器的固定电极或 者可动电极侧形成有抗粘连结构， 由于 X轴转角器或者 Y轴转角器的可动电 极和固定电极均采用所述第一衬底形成，所述 抗粘连结构可以采用所述第一衬 底、 或者所述一层或者多层导电层制作。 本发明通过在第一衬底上形成一层或者多层导 电层，可以灵活地形成各类

MEMS惯性传感器， 而且由于采用所述第一衬底形成所述传感器的 可动电极， 还可以克服现有技术的采用多晶硅层形成 MEMS惯性传感器所带来的不足， 比如现有技术的由于多晶硅应力导致厚度受到 限制的缺陷。 同样， 对于转角器来说， 由于采用单晶的半导体衬底制备可动电极， 形成 的可动电极的厚度和质量较大， 这样也可以灵敏地探测角速度。 尽管现有技术也公开采用单晶硅来制作 MEMS惯性传感器， 但是如前所 述， 由于其 MEMS惯性传感器的各个部分均采用刻蚀的方法� �成， 由于刻蚀 方法的自身的不均匀性， 形成的可移动敏感元件结构不均匀， 影响器件性能， 比如可靠性。 本发明还提供一种形成 MEMS惯性传感器的方法的实施例， 具体通过如 下步骤实现， 请参照图 6, 包括： 执行步骤 S101 , 提供第一衬底， 所述第一衬 底为单晶的半导体衬底， 所述第一衬底具有第一表面和与之相对的第二 表面； 执行步骤 S103, 在第一衬底的第一表面上形成一层或者多层导 电层； 执行步 骤 S105, 提供第二衬底； 执行步骤 S107, 将第二衬底直接或者通过键合层结 合至第一衬底上的一层或者多层导电层的表面 ； 执行步骤 S109, 从所述第一 衬底的第二表面侧采用第一衬底形成传感器的 可动电极； 执行步骤 S111 , 提 供第三衬底； 执行步骤 S113, 将第三衬底结合至所述可动电极的与所述第二 衬底相对的一侧。 下面结合说明书附图 7 ~ 17, 详细说明形成本发明的惯性传 感器的方法。 如前所述， 本发明的第一衬底上的一层或者多层导电层可 以包括互连层、 第一电屏蔽层、 固定电极的支撑点、 可动电极的支撑点、 或者前述这些结构的 任意组合，因此本发明 MEMS惯性传感器的结构也是多样的，形成这些 MEMS 惯性传感器的方法也是多样的， 下文给出的形成本发明的 MEMS惯性传感器 的方法实施例中以第一衬底上的一层或者多层 导电层既包括互连层、固定电极 的支撑点、 又包括第一电屏蔽层为例加以说明， 若第一衬底上的一层或者多层 导电层还可以为其他结构或者包括其他结构， 本领域技术人员可以基于此实施 例以及本领域的普通技术知识进行类推，在此 特别强调， 不应过分限制本发明 的保护范围。 首先请参照图 7, 提供第一衬底 401 , 所述第一衬底 401包括第一表面和 与之相对的第二表面。 所述第一衬底 401可以为单晶的半导体材料，比如所述第一衬 底 401可以 为单晶硅、 单晶锗硅等单晶的半导体材料。 作为本发明的一个实施例， 所述第 一衬底 401为单晶硅。 在第一衬底 401的第一表面形成互连层， 具体包括： 在所述第一衬底 401 的第一表面上形成第一绝缘层 402, 刻蚀所述第一绝缘层 402, 在所述第一绝 缘层 402内形成第一开口， 所述第一开口暴露出所述第一衬底 401。 所述第一 绝缘层 402可以为氧化硅、 氮化硅、 氮氧化硅等介质材料， 作为一个实施例， 所述第一绝缘层 402为氧化硅。 在所述第一绝缘层 402上形成第一导电层，所述第一导电层填充满 所述第 一开口，刻蚀所述第一导电层，形成第一互连 线层 403,所述第一互连线层 403 具体包括分立的作为不同用途的互连线， 分别用于将不同的信号引出。本实施 例中， 所述第一互连线层 403包括： 用于将传感器敏感元素的固定电极引出的 固定电极互连线 403a、 第一互连线 403b、 第二互连线 403c、 第一屏蔽互连线 403d, 第二屏蔽互连线 403e, 第一屏蔽互连线 403d、 第二屏蔽互连线 403e用 于将传感器中的对应电极与电学屏蔽层进行电 连接。

本实施例中， 还包括形成固定电极的支撑点 403f, 所述支撑点 403f还具 有电连接的作用， 与所述固定电极互连线 403a电连接。 作为一个实施例， 所 述固定电极的支撑点 403f 与所述互连层采用形成所述互连层的第一导电 层材 料形成。

所述第一导电层可以为采用掺杂多晶硅或者其 他导电材料，作为本发明的 一个实施例， 所述第一导电层为多晶硅。 若所述第一导电层为多晶硅， 还包括 对所述第一导电层进行捧杂的步骤。

通常形成 MEMS惯性传感器还包括形成用于将可动电极引� �的可动电极 互连线、 可动电极支撑点， 为了筒化示图， 本实施例中没有示出， 本领域技术 人员知晓如何形成， 在此特意说明， 不应过分限制本发明的保护范围。

接着， 在所述第一互连线层 403上形成第二绝缘层 404, 所述第二绝缘层 404填充满所述分立的互连线之间的间隙。 所述第二绝缘层 404可以采用氧化 硅、 氮化硅、 氮氧化硅等介质材料， 作为本发明一个实施例， 所述第二绝缘层 404与第一绝缘层 402相同， 均为氧化硅。 然后要对所述第二绝缘层 404进行刻蚀， 形成开口 （未图示）， 以便与后 续形成的材料层进行电连接。

在实际 MEMS惯性传感器中， 所述互连层可能包括多层， 多层的互连层 之间具有绝缘层进行隔离， 本实施例中均以一层为例加以说明。 而且， 在本实施例中， 形成传感器的互连层的同时， 采用形成所述互连层 的材料形成传感器所需的其他结构， 比如固定电极的支撑点、可动电极的支撑 点 （未图示）， 进一步减少了工艺步骤。 参考图 8, 在所述第二绝缘层 404上形成第二导电层 405 , 所述第二导电 层 405用于制作第一电屏蔽层， 所述第一电屏蔽层作为电学屏蔽层， 用于接入 电屏蔽信号， 所述电屏蔽信号可以是接地信号、 直流驱动信号、 或者其他驱动 信号， 本发明的电学屏蔽层具有制作筒便， 设计灵活等优点。

由于在所述第二绝缘层 404中形成有开口，所述第二导电层 405填充满开 口， 与第一屏蔽互连线 403d、 第二屏蔽互连线 403e对应电连接。 所述第二导电层 405可以采用掺杂的多晶硅或者导电材料，作为 本发明的 一个实施例， 所述第二导电层 405采用多晶硅，故还包括对所述多晶硅进行捧 杂的步骤， 在此不再详述。 形成第二导电层 405之后，还可以在所述第二导电层 405上形成第三绝缘 层（未图示）， 所述第三绝缘层用于在后续与第二衬底键合过 程中作为键合层， 通常所述第三绝缘层采用氧化硅。

请参照图 9, 提供第二衬底 501 , 所述第二衬底 501主要作为所述传感器 的机械支撑。所述第二衬底 501可以为单晶的半导体材料， 比如所述第二衬底 501可以为单晶硅、 单晶锗、 或者单晶锗硅， 当然， 所述第二衬底 501也可以 为其他材料， 作为本发明的一个实施例， 所述第二衬底 501为单晶硅。

还可以在所述第二衬底 501上形成第四绝缘层（未图示）， 所述第四绝缘 层用于后续与第一衬底键合过程中作为键合层 ，增加二者结合力， 所述第四绝 缘层优选氧化硅，所述第四绝缘层和前述的第 三绝缘层仅形成一层就可以， 当 然也可以都形成， 甚至都不形成； 而且， 所述第一衬底和第二衬底 501之间的 键合层还可以为导电材料， 比如采用多晶硅， 在此特意说明， 不应过分限制本 发明的保护范围。

接着， 请参照图 10, 将第二衬底 501键合至第一衬底 401上的互连层和 第一电屏蔽层的表面， 将所述第一衬底 401 和第二衬底 501 合成为微机电 ( MEMS )晶圆， 所述将第二衬底 501与第一衬底 401进行键合技术为本领域 公知技术， 在此不再详述。 若第二衬底 501直接或者通过导电的键合层结合至第一衬底 401上的第一 电屏蔽层上， 即二者之间没有其他材料层或者二者之间仅存 在导电的键合层， 所述第一电屏蔽层和所述第二衬底 501将共同作为所述传感器的电学屏蔽层； 若第二衬底 501经由键合层结合至第一衬底 401上的第一电屏蔽层上，所述键 合层包含至少一层电学绝缘层，比如所述第二 衬底 501上形成有第四绝缘层或 者第一电屏蔽层上形成有第三绝缘层，所述第 一电屏蔽层单独作为所述传感器 的电学屏蔽层， 在此特意说明。 同时需要说明的是，在将第二衬底 501与第一衬底 401结合之前， 需要对 两个结合面进行抛光，比如对所述第一衬底 401上的第一电屏蔽层或者第三绝 缘层（若所述第一电屏蔽层上形成有第三绝缘 层）进行抛光， 若第二衬底 501 上形成有第四绝缘层， 也可能对第四绝缘层进行抛光， 然后进行键合。

然后， 沿所述第一衬底 401的未形成互连层的第二表面进行减薄， 减薄至 厚度为 5μιη至 ΙΟΟμιη, 经过减薄步骤后， 形成第一衬底 401，。 然后要采用减 薄后的第一衬底 401， 形成本发明的 MEMS惯性传感器的可动电极。

参照图 11 , 在所述第一衬底 401，的第二表面上形成电连接层。 所述电连 接层用于制作后续将第三衬底结合至所述第一 衬底上粘合垫或者用于制作后 续与外围电路进行焊接的焊垫或者二者皆制作 。

这里需要注意的是，所述电连接层根据后续对 形成的传感器密封方法进行 选择， 若后续采用粘合玻璃法进行密封， 需要形成焊垫； 若后续采用金属合金 进行密封， 需要形成粘合垫； 而且， 形成的粘合垫与焊垫的位置也不同， 具体 请参见后文描述。 无论用于制作粘合垫还是用于制作焊垫或者两 者皆有，所述电连接层均采 用导电材料制作， 比如可以为金属、 合金或者其他导电材料， 进一步地， 可以 为金属 Al、 金属 Cu、 或其它导电粘合材料。

然后对所述电连接层进行刻蚀，去除与所述第 三衬底粘合区域或者与外围 电路焊接的焊垫的区域（具体请参见后文区分 ）之外的粘合层， 暴露出部分第 一^"底 401， 的表面， 形成电连结构 601 , 所述电连结构 601可以为粘合垫或 者焊垫。

在所述电连结构 601 上以及暴露出的第一衬底 401， 上形成第一掩膜层

602, 所述第一掩膜层 602可以采用光刻胶、 氧化硅、 氮化硅等， 所述第一掩 膜层 602用作后续刻蚀第一衬底 401， 过程中的掩膜。 请参照图 12, 对所述第一掩膜层 602进行图形化， 将待转移的图形转移 至所述第一掩膜层 602中。 接着， 以图形化后的第一掩膜层 602为掩膜刻蚀第一衬底 401，， 直至暴 露出第一绝缘层 402。 经过此步骤， 形成 MEMS惯性传感器的初步结构。 具 体形成了： 固定电极 406和可动电极 407, 所述固定电极 406与所述固定电极 互连线 403a电连接， 所述可动电极 407与可动电极互连线电连接 (未示出）。 同时， 经过刻蚀第一衬底 401，， 还形成了第一传感器结构 408、 第二传感 器结构 409、 第一密封传感器结构 410和第二密封传感器结构 411 , 所述第一 密封传感器结构 410和第二密封传感器结构 411分别与第一屏蔽互连线 403d、 第二屏蔽互连线 403e对应电连接， 而且用于在后续封装过程中对形成的可动 电极和固定电极进行密封。 所述固定电极 406和可动电极 407构成电容器的两个极板。 请参照图 13 ,去除部分第一绝缘层 402, 所述可动电极 407下的第一绝缘 层 402被完全去除， 释放可动电极 407, 形成可移动的可动电极 407, 从而实 现传感器敏感元素结构的释放。所述可动电极 407发生移动时候，所述可动电 极 407与所述固定电极 406之间的距离发生改变。 在去除所述部分第一绝缘层 402过程中，同时余留的第一掩膜层 602被去 除。 去除所述部分第一绝缘层 402需要根据材料进行选择刻蚀剂，作为本发明 的一个实施例， 所述第一绝缘层 402为氧化硅，去除所述第一绝缘层 402的刻 蚀剂可以选择氢氟酸。通过控制刻蚀时间，可 以控制所述第一传感器结构 408、 第二传感器结构 409、 第一密封传感器结构 410和第二密封传感器结构 411之 下的保留的第一绝缘层 402的量。 经过上述工艺， 形成了本发明实施例的传感器，后续需要在所 述传感器上 将所述传感器进行密封， 所述对第三衬底进行密封包括两种方式， 包括粘合玻 璃密封方法和金属合金密封方法， 首先请参照图 14, 包括： 提供第三衬底 10, 所述第三衬底 10可以为硅， 所述第三衬底 10中形成 有密封腔 11 , 所述密封腔 11 位置与所述传感器位置相对应， 用于容纳所述 MEMS惯性传感器的可动电极和固定电极。 所述第三衬底 10包括结合区域， 所述结合区域后续将与所述第一衬底的第二表 面进行结合并将形成的 MEMS 惯性传感器的可动电极和固定电极进行密封。

可选地，可以在所述密封腔 11的外围的第三衬底 10上形成有第五绝缘层

12, 所述第五绝缘层 12可以为氧化硅、 氮化硅、 氮氧化硅等。 作为一个实施 例， 所述第五绝缘层 12为氧化硅。 请参照图 15,提供粘合玻璃 13,将所述粘合玻璃 13粘合至所述第三衬底 10上的对应结合区域， 将具有粘合玻璃 13的第三衬底结合至采用所述第一衬 底形成的可动电极的一侧， 而且所述第三衬底的位置与所述第二衬底位置 相 对， 然后去除部分第三衬底 10, 露出所述电连接结构 601 ,形成第三衬底 10，， 即二者结合区域与所述电连接结构不交叠， 此处所述电连接结构为焊垫，后续 还需要将外界的信号处理电路与所述焊垫进行 电连接。

此处的第三衬底 10中可以不具有任何电连接的结构， 即可以为空白的硅 片， 当然所述第三衬底 10也可以采用其它绝缘材料。若第三衬底 10中没有任 何电连接的结构， 那么传感器所需的互连层、 支撑点、 固定电极、 电学屏蔽层 需要形成在所述第一衬底上，在此特意说明， 本领域技术人员知晓如何根据封 装方法进行合理布局。

下面对金属合金密封法进行描述， 请参照图 16, 提供第三衬底 20, 所述 第三衬底 20为硅， 所述第三衬底 20中可以形成有 CMOS电路（未示出）、 引 线、 或焊垫及其结合， 甚至所述第三衬底 20内也可以不具有其他电学结构。

请参照图 17, 将所述第三衬底 20与采用所述第一衬底形成的可动电极一 侧进行结合， 而且所述第三衬底的位置与所述第二衬底位置 相对，位于第一衬 底的第二表面上的部分的所述电连接结构 601在此处充当粘合层，即位于粘合 区域， 所述粘合层与所述第三衬底 20上的相应结构对应电连接。 当然位于第 一衬底的第二表面上的其它部分的所述电连接 结构 601 还可以充当引出的电 极。

若采用金属合金密封法进行密封， 所述 MEMS惯性传感器所需的固定电 极、 互连层、 支撑点、 探测电极（转角器）可以形成在所述第一衬底 或者第三 衬底上，在此特意说明，本领域技术人员知晓 如何根据封装方法进行合理布局， 在此强调， 不应过分限制本发明的保护范围。 上述的形成 MEMS 惯性传感器的方法选取了比较有典型意义的固 定电 极、 可动电极、 第一密封传感器结构、 第二密封传感器结构以及其对应的互连 层、 支撑点的形成方法进行了详细说明； 同时， 上述实施例中还给出了第一互 连线、 第二互连线、 第一传感器结构、 第二传感器结构， 这些结构用于表示传 感器中还可能应用到的其它结构。在此实施例 中给出用于向本领域技术人员显 示， 采用本发明的制备传感器的方法不但可以形成 悬浮在空腔内的可动电极、 通过支撑点固定在固定电极互连线上的固定电 极、以及固定在所述第一屏蔽电 极和第二屏蔽电极上的第一密封传感器结构和 第二密封传感器结构；采用本发 明的方法还可以形成通过第一绝缘层固定在所 述互连层上方的第一传感器结 构和第二传感器结构，即采用本发明的方法可 以形成所述加速度传感器所需要 的所有结构。 在此特别加以说明， 不应过分限制本发明的保护范围。 同时， 在 上述实施例中， 以加速度传感器的 X轴传感器为例加以详细说明， 对于加速 度传感器的 Y轴传感器， 其形成方法基本类似， 本领域技术人员知晓如何形 成， 对于加速传感器的 Z轴传感器， 其无论采用如图 2还是如图 3所示的 Z 轴传感器结构， 其制作方法类似于所述 X轴传感器的制作方法， 区别在于布 局、 或者设计不同， 故关于加速度传感器的 Z轴传感器的形成方法不再详述， 基于本领域的普通技术知识以及本发明的实施 例，本领域技术人员知晓如何变 更、 修改或者增补。 再者， 对于转角器， 从结构上来说， 其用于测试每个方向的转角器（即 X 轴转角器、 Y轴转角器、 Z转角器）结构类似于加速传感器的三个方向� �传感 器（即 X轴传感器、 Y轴传感器、 Z传感器）的综合体， 若采用本发明的方法 可以形成加速度传感器的每个方向的传感器， 采用本发明的方法也可以形成各 个方向的转角器结构， 区别仅在于布局、 或者设计的不同， 故关于转角器的形 成方法不再详述，基于本领域的普通技术知识 以及本发明的实施例， 本领域技 术人员知晓如何变更、 爹改或者增补。 本发明还提供了另一种惯性传感器的形成方法 ，本实施例中的所述惯性传 感器中形成有抗粘连结构， 用于防止所述可动电极与其它相接触而产生粘 连， 从而损伤器件。 在此以 Z轴加速度传感器为例加以介绍， 具体请参照图 18至 图 21。

首先请参照图 18,提供第一衬底 701 , 所述第一衬底 701包括第一表面和 与之相对的第二表面。 所述第一衬底 701可以为单晶的半导体材料。 作为本发明的一个实施例， 所述第一衬底 701为单晶硅。

在所述第一衬底 701的第一表面上形成第一绝缘层 702, 刻蚀所述第一绝 缘层 702, 在所述第一绝缘层 702内形成不同的第一开口 703和第二开口 704 和第三开口 705 , 其中第一开口 703用于填充导电材料从而形成固定电极支撑 点或其它电连接或机械结构。所述第二开口 704用于填充导电材料从而在后续 形成抗粘连结构。

所述第一绝缘层 702可以为氧化硅、 氮化硅、 氮氧化硅等介质材料， 作为 一个实施例， 所述第一绝缘层 702为氧化硅。

参照图 19, 在所述第一绝缘层 702上形成第一导电层， 所述第一导电层 填充满所述第一开口 703、 第二开口 704和第三开口 705 , 刻蚀所述第一导电 层， 形成扭转轴互连线 703a、 固定电极 703b, 抗粘连结构互连线 703c、 第一 互连线 703d、 第一屏蔽互连线 703e、 和第二屏蔽互连线 703f。

参照图 20,在第一导电层上形成第二绝缘层 706,接着在第二绝缘层中形 成开口， 在第二绝缘层上形成第二导电层 707, 作为电学屏蔽层， 所述第二导 电层 707与第一屏蔽互连线 703e和第二屏蔽互连线 703f对应电连接。

然后请参照附图 9 ~ 12的相应工艺， 经过这些工艺， 形成本发明另一个实 施例的具有抗粘连结构的传感器的可动电极， 形成的结构请参照图 21 , 具体 包括： 扭转轴 708、可动电极 709、第一传感器结构 710、第二传感器结构 711、 密封结构 712、第三传感器结构 713。所述扭转轴 708与所述扭转轴互连线 703a 电连接，所述可动电极 709与可动电极互连线电连接（未示出）， 密封结构 712 分别与所述第一屏蔽结构、 第二屏蔽结构电连接， 第一传感器结构 710、 第二 传感器结构 711、第三传感器结构 713分别代表形成的 Z轴传感器所需要的其 他结构。 在面对着可动电极 709的下方的固定电极 703b上和抗粘连结构互连 线 703c 上形成有抗粘连结构。 形成了本发明实施例的带有抗粘连结构的 MEMS惯性传感器。 本发明还提供另一种带有抗粘连结构的 MEMS惯性传感器的形成方法实 施例， 具体请参照图 22至图 24。 首先请参照图 22提供第一衬底 801 , 所述第一衬底 801包括第一表面和 与之相对的第二表面。 在所述第一衬底 801的第一表面上形成第一准绝缘层 802, 刻蚀所述第一 准绝缘层 802, 在所述第一准绝缘层 802内形成第一开口 803 , 所述第一开口 803用于在后续形成抗粘连结构。 具体形成所述第一准绝缘层 802的方法可以采用淀积的方式。作为本发明 的一个实施例， 所述第一准绝缘层 802采用热氧化形成。 需要特别说明的是， 所述第一准绝缘层 802的厚度并未达到预定的作为互连层隔离层的 厚度，本实 施例中的第一准绝缘层 802的厚度仅仅是相当于抗粘连结构的厚度。故 此处第 一开口 803的深度相当于第一准绝缘层 802的厚度，即所述第一开口 803暴露 出所述第一衬底 801。

请参照图 23 , 进行淀积， 第一准绝缘层 802厚度逐渐增大， 形成第一目 标绝缘层 804,通过控制淀积的时间、条件从而控制形成� �第一目标绝缘层 804 的厚度为预期的厚度。

由于第一准绝缘层中具有第一开口， 经过淀积， 第一开口位置仍然比其他 位置相对要低， 形成第一开口 803，。 所述第一开口 803， 用于填充导电层形成 抗粘连结构。 然后，请参照图 24,在所述第一目标绝缘层 804中分别形成第二开口 805、 第三开口 806和第四开口 807, 所述第二开口 805用于填充导电材料形成扭转 轴互连线或其它电连接或机械结构，所述第三 开口 806和第四开口 807用于填 充导电材料形成屏蔽互连线。

然后请参照前述的对图 19 ~ 21的相关描述， 从而可以形成本发明另一个 实施例的带有抗粘连结构的 MEMS惯性传感器。 在上述实施例中，所述 Z轴传感器的固定电极采用所述第一半导体衬� �的 第一表面上的一层或者多层导电层形成， 而且优化地， 采用最靠近所述第一衬 底的导电层形成所述 Z轴传感器固定电极和抗粘连结构。 本发明还提供又一种带有抗粘连结构的 MEMS惯性传感器的形成方法实 施例， 请参照图 25至 28。 首先请参照图 25 ,提供第一衬底 901 ,在所述第一衬底 901上形成第一掩 膜层 902, 所述第一掩膜层 902的位置与后续形成抗粘连结构的位置相对应 。 请参照图 26, 以所述第一掩膜层 902为掩膜， 对所述第一衬底 901进行 刻蚀， 形成第一衬底 901，， 从而在覆盖有第一掩膜层 902位置形成抗粘连结 构 903。 然后， 请参照图 27, 在所述第一衬底 901， 上形成互连层和电学屏蔽层， 具体请参照前述图 19和图 20的相关工艺， 在此不再详述。 接着， 下面要进行形成可动电极步骤， 形成了采用第一衬底制作的具有抗 粘连结构的可动电极， 具体请参照图 28, 形成了扭转轴 904、 可动电极 905、 第一传感器结构 906、 第二传感器结构 907、 密封结构 908、 第三传感器结构 909。 密封结构 908分别与第一屏蔽结构、 第二屏蔽结构电连接， 第一传感器 结构 906、第二传感器结构 907和第三传感器结构 909分别代表形成的 Z轴传 感器所需要的其他结构。 在面对着固定电极 903a以及抗粘连结构互连线 903b 的可动电极 905上形成有抗粘连结构。从而形成本发明又一 实施例的在可动电 极上带有抗粘连结构的 MEMS惯性传感器。 对于转角器来说， 还可以在所述转角器上设置抗粘连结构， 如前所述， 由 于从结构上说， 其用于测试每个方向的转角器（即 X轴转角器、 Y轴转角器、 Z转角器）结构类似于加速传感器的三个方向� �传感器（即 X轴传感器、 Y轴 传感器、 Z传感器）的综合体， 故在转角器上设置抗粘连结构的方法类似于在 所述加速度传感器上设置抗粘连结构的方法， 关于转角器上设置抗粘连结构的 方法在此不再详述， 本领域技术人员基于前述的技术方案知晓如何 变通形成。 本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不 是用来限定权利要求，任何 本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围 内，都可以做出可能的变动和修 改， 因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求 所界定的范围为准。