以下、図を用いて本発明の一実施形態に係� ��金属ベース回路基板を説明する。
 図1は、本発明の一実施形態に係る金属ベー ス回路基板を用いた混成集積回路モジュール を模式的に示したものであり、金属ベース回 路基板の断面図を示している。

 図1に示すように、本実施形態に係る金属ベ ース回路基板は、金属箔1、絶縁層2、絶縁層2 の金属箔1が設けられていない方の面上に形� �された回路部分3と、絶縁層2の金属箔1が設� �られていない方の面上に形成された非回路� �分4と、絶縁層2と回路部分3及び非回路部分4� ��に形成された白色膜5を備えている。
 図1のように、半田接合部6を介してLEDパッ� �ージ7を回路部分3上に搭載することにより、 混成集積回路モジュールとなる。

 本実施形態に係る金属ベース回路基板は、� ��膨張係数が60ppm/℃以上120ppm/℃以下である絶 縁層と、絶縁層の一方の面に設けられ、線膨 張係数が10ppm/℃以上35ppm/℃以下である金属材 料からなる金属箔と、絶縁層の他方の面に形 成され、線膨張係数が10ppm/℃以上35ppm/℃以下 である回路部分及び非回路部分と、絶縁層、 回路部分及び非回路部分上に形成した白色膜 とを有している。
 そして、絶縁層上の非回路部分と回路部分� ��面積の総和が金属箔の面積に対して50%以上9 5%以下である。そして、且つ各素材の線膨張� ��数の関係が、絶縁層の線膨張係数>金属箔 の線膨張係数>回路部分及び非回路部分の� �膨張係数、であることを特徴とする。

[回路部分及び非回路部分]
 本発明において、回路部分及び非回路部分� ��、絶縁層上に設けられた同じ導電材料(導体 金属)からなり、回路部分とは、電子・電気� �子を駆動させるために電流が流れる回路部� �を意味する。また、本発明において非回路� �分とは、電気的には利用しない導電材料(導� ��金属)を意味する。

 本実施形態に係る金属ベース回路基板にお� ��ては、絶縁層2上の非回路部分4と回路部分3� ��面積の総和が50%以上95%以下である。
 上記面積の総和が50%以上であれば、金属ベ� ��ス回路基板の反りを抑制でき、LEDを初めと� ��る電子部品の実装が容易である。また、上� ��面積の総和が95%以下であれば、回路部分と� ��回路部分間のスペースを十分に確保できる� ��め、電気的信頼性を確保できる。

 本実施形態に係る金属ベース回路基板にお� ��ては、回路部分3及び非回路部分4の線膨張� �数は10ppm/℃以上35ppm/℃以下である。
 回路部分3及び非回路部分4として採用でき� �導体材料としては、上記の線膨張係数を有� �る導体材料であれば適宜選択でき、具体的� �は、Ni、Cu、Al、Fe、Si、ステンレス単体鋼乃� ��それらの合金がある。
 これらの中でも、放熱性を考慮すると、Cu� �Al、又はCuとAlの合金が特に好ましい。

 本実施形態に係る金属ベース回路基板にお� ��ては、回路部分3及び非回路部分4の厚みは� �18μm以上70μm以下が好ましい。
 回路部分3及び非回路部分4の厚みが18μm以下 であると、金属ベース基板製造時のハンドリ ングで皺等の問題が発生しやすくなる。また 、回路部分3及び非回路部分4の厚みが70μmで� �ると回路部分及び非回路部分のパターン作� �時に問題が発生する。

[金属箔]
 本実施形態に係る金属ベース回路基板にお� ��ては、金属箔1を構成する金属材料の線膨張 係数は10ppm/℃以上35ppm/℃以下である。
 金属箔として採用できる金属としては、上� ��の線膨張係数を有する金属であれば適宜選� ��でき、具体的には、Ni、Cu、Al、Si、Fe、ステ ンレス鋼単体乃至それらの合金がある。
 これらの中でも、放熱性を考慮すると、Cu� �Al、又はCuとAlの合金が特に好ましい。

 本実施形態に係る金属ベース回路基板にお� ��ては、金属箔1の厚みは、150μm以上300μm以下 が好ましい。
 金属箔1の厚みが150μm以上であると、金属ベ ース基板製造時のハンドリングで折れ等の問 題を抑制することができ、液晶表示装置の薄 型化の観点からは300μm以下が好ましい。

[絶縁層]
 本実施形態に係る金属ベース回路基板にお� ��ては、絶縁層2の線膨張係数は60ppm/℃以上120 ppm/℃以下である。
 絶縁層として採用できる素材としては、上� ��の線膨張係数を有する絶縁材であれば適宜� ��択でき、具体的には、エポキシ樹脂、シリ� ��ーン樹脂及びそれらの共重合体が挙げられ� ��。
 これらの中でも、耐熱性及び金属との接着� ��という理由からエポキシ樹脂が特に好まし� ��。

 また、これら樹脂には適宜、硬化剤、無機� ��ィラー、さらには下地への濡れ性やレベリ� ��グ性の向上及び粘度低下を促進して形成時� ��欠陥の発生を低減する添加剤を含有するこ� ��ができる。
 この添加剤としては、例えば、消泡剤、表� ��調整剤、湿潤分散剤等がある。

 本実施形態に係る金属ベース回路基板にお� ��ては、絶縁層2の厚みは、80μm以上180μm以下� ��好ましい。
 絶縁層2の厚みが80μm以上であると絶縁性を� ��保することが容易であり、180μm以下である� ��均一に絶縁層を形成することが容易になる� ��

 絶縁層2に用いられるエポキシ樹脂としては 、エポキシ樹脂として公知なものを採用でき 、例えば、ビスフェノールAジグリシジルエ� �テル、ビスフェノールFジグリシジルエーテ� ��、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、 レゾルシノールジグリシジルエーテル、ヘキ サヒドロビスフェノールAジグリシジルエー� �ル、ポリプロピレングリコールジグリシジ� �エーテル、ネロペンチルグリコールジグリ� �ジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエス� �ル、ダイマー酸ジグリシジルエステル、ト� �グリシジルイソシアネレート、テトラグリ� �ジルジアミノジフェニルメタン、テトラグ� �シジルメタキシレンジアミン、フェノール� �ボラックポリグリシジルエーテル、テトラ� �ロムビスフェノールAジグリシジルエーテル� ��ビスフェノールヘキサフロロアセトングリ� ��ジルエーテル等のエポキシ基を含有する物� ��が挙げられる。
 これらの中でも、耐熱性及び金属との接着� ��という理由から、ビスフェノールAジグリシ ジルエーテル及びビスフェノールFジグリシ� �ルエーテルが特に好ましい。

 エポキシ樹脂中の塩化物イオン濃度は、1000 ppm以下であることが好ましく、500ppm以下であ ることがより好ましい。
 エポキシ樹脂組成物中の塩化物イオン濃度� ��高くなると、高温下、高湿下、直流乃至交� ��電圧下においてイオン性不純物の移動が起� ��り、電気絶縁性が低下する傾向があるため� ��ある。

 エポキシ樹脂の硬化剤としては、エポキ� ��基と反応する水酸基又はアミノ基の一方又� ��双方を有する物質を含むものが望ましい。� ��えば、前記エポキシ樹脂の硬化剤としての� ��リアミン、ポリフェノールがある。

 エポキシ樹脂の硬化剤、特に水酸基を含有� ��る物質を使用する場合には硬化促進剤を用� ��ても良い。
 硬化促進剤としてはイミダゾール系が好ま� ��い。例えば、2-メチルイミダゾール、2-ウン デシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダ� ��ール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-メチル� ��4―メチルイミダゾール、2-フェニルイミダ� ��ール、2-フェニルー4-メチルイミダゾール、 1-ベンジルー2-メチルイミダゾール、1-ベンジ ルー2-フェニルイミダゾール、2,3ージヒドロ� ��1H―ピロロ〔1,2―a〕ベンズイミダゾール、2 -フェニルー4,5―ジヒドロキシメチルイミダ� �ール、2,4―ジアミノー6-〔2’―メチルイミ� �ゾリルー(1’)〕―エチルーs―トリアジン、2 ,4―ジアミノー6-〔2’―ウンデシルイミダゾ� ��ルー(1’)〕―エチルーs―トリアジン、1-シ� ��ノメチルー2―メチルイミダゾール等が望ま しい。
 これらの中でも、耐湿信頼性及びTg(ガラス� ��位温度)の向上という理由から、2,3ージヒド ロー1H―ピロロ〔1,2―a〕ベンズイミダゾール が特に好ましい。

 硬化促進剤の添加量は、0.005部以上5部以下� ��あることが望ましい。
 硬化促進剤の添加量が5部以下であればポッ トライフが長くなり増粘による作業性の低下 を抑制でき、0.005部以上であれば硬化時の高� ��加熱が短時間となり、コスト及び作業性の� ��点から好ましい。

 絶縁層2に含有される無機フィラーとして は、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好 ましく、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ア ルミニウム、窒化珪素、窒化硼素、窒化ホウ 素、酸化マグネシウムがある。これらの中で も、電気絶縁性及び熱伝導性の観点から、シ リカ、アルミナ、窒化アルミニウムが特に好 ましい。

 無機フィラー中のナトリウムイオン濃度は� ��500ppm以下であることが好ましく、100ppm以下� ��あることがより好ましい。
 無機フィラー中のナトリウムイオン濃度が5 00ppm以下であれば、高温下、高湿下、直流乃� ��交流電圧下においてイオン性不純物の移動� ��起こり難く、電気絶縁性が低下を抑制でき� ��。

 絶縁層2に含有される無機フィラーの含有率 としては、絶縁層の総体積に対して無機フィ ラーが40体積%以上70体積%以下であること望ま しい。
 無機フィラーの含有率が40体積%以上であれ� ��十分な熱伝導率を得ることができ、70体積%� ��下であれば絶縁層2の形成時に欠陥が発生し 難くなり、耐電圧、密着性を損なうことがな い。

 また、無機フィラーによる増粘をさける� ��め2種以上の粒径の異なる無機フィラーを混 合することが更に望ましい。

 絶縁層2の硬化後の熱伝導率は、1W/m・K以上� ��好ましく、より好ましくは2W/m・K以上であ� �ことが好ましい。
 硬化後の熱伝導率が、1W/m・K以上であれば� �電子部品から発生する熱を効率よく金属ベ� �ス回路基板裏面側に放熱し、さらに、外部� �放熱することにより電子部品の蓄熱を低減� �、電子部品の温度上昇を小さくするととも� �、長寿命の混成集積回路モジュールを提供� �ることができる。

 さらに、絶縁層2の破壊電圧は、LED等の電 子部品を実装後に回路部分への電圧を印可し た時の絶縁性を確保するため、1.8kV以上が好� ��しく、より好ましくは2kV以上である。

 本実施形態に係る金属ベース回路基板では� ��金属箔を構成する金属材料の線膨張係数、� ��縁層の線膨張係数、回路部分及び非回路部� ��の線膨張係数の関係は、
絶縁層の線膨張係数>金属箔の線膨張係数&g t;回路部分及び非回路部分の線膨張係数
であるのが好ましい。

 金属箔を構成する金属材料の線膨張係数� ��回路部分及び非回路部分の線膨張係数より� ��きいことが好ましいのは、反らせたくない� ��路部分の線膨張係数を小さくし、絶縁層上� ��回路部分及び非回路部分を形成した時の反� ��を抑制し、回路形成及びLED実装時の作業性� ��良好に保つためである。

 絶縁層2の非回路部分4と回路部分3載置側� ��面は、平滑で、光反射性が良好であること� ��望ましい。特に、絶縁層2における非回路部 分4と回路部分3との密着面は、密着性を増加� ��せるため、表面粗化処理、メッキ、シラン� ��ップリング処理等をすることが望ましい。

 絶縁層2と「回路部分3及び非回路部分4」� ��の90℃剥離強度は、LED等の電子部品実装後� �接続信頼性を確保するため、1kg/cm以上であ� �のが好ましく、さらに好ましくは1.4kg/cm以上 である。

[白色膜]
 白色膜5として使用される樹脂としては熱硬 化性樹脂、光硬化性樹脂が1種類以上含有さ� �ることが好ましい。熱硬化性樹脂としては� �ポキシ樹脂、光硬化性樹脂としてはアクリ� �樹脂が好適である。

 白色膜5として使用される樹脂には、白色顔 料として二酸化チタン、硫酸バリウム、タル ク、シリカ等の白色顔料が1種類以上含有さ� �ることが好ましい。
 特に二酸化チタンを含有したものが、屈折� ��が大きく、基板の光の反射率が高いために� ��ましい。

 また、二酸化チタンは、ルチル型が安定� ��に優れるため光触媒作用が弱く、他の構造� ��ものに比べ樹脂成分の劣化が抑制されるの� ��好ましい。また、光触媒作用を抑制するた� ��に表面が水酸化アルミニウム又は二酸化珪� ��で被覆されていることが好ましい。

 白色顔料の含有量は、白色膜5の組成物中30� ��量%以上75質量%以下であることが好ましい。
 白色顔料の含有量が30質量%以上であれば十� ��な反射率を得ることができ、75質量%以下で� ��れば増粘によりレベリング性が低下するこ� ��なく、平滑な塗膜を得ることができ反射率� ��低下を抑制できる。

 白色膜5は、LED照射光の有効利用の点から 、400~800nmの可視光領域に対して70%以上の反射 率、さらに好ましい実施態様においては、460 nm(青色)と525nm(赤色)及び620nm(赤色)に対して70% 以上の反射率を持つことが好ましい。

 また、白色膜5の熱伝導率は、絶縁層2の熱� �導率より小さいことが望ましい。
 白色膜5の熱伝導率が絶縁層2の熱伝導率よ� �小さければ、LEDパッケージの発熱が回路部� �を介して白色膜から放熱することがないた� �、LED近傍の雰囲気温度が上昇し難く、LEDの� �命が長くなる。

 また、金属ベース回路基板は、機械的強� ��を維持するため、総厚みが265μm以上500μm以� ��であることが好ましい。

 また、金属ベース回路基板は、反り量が� ��属ベース回路基板長さ100mm当たり3mm以下で� �ることが好ましい。

 なお、本発明で用いる反り量とは、絶縁� ��2上の非回路部分4と回路部分3を上にして、� ��滑且つ平行な面に静置した場合上に凹であ� ��場合を「+:プラス」、下に凸である場合を� �-:マイナス」と定義する。反りの絶対値は金 属ベース回路基板の外周の平滑且つ平行な面 からの最大高さである。

 本発明の金属ベース回路基板の外形は上� ��左右対称であることが望ましく、正方形乃� ��長方形であると更に望ましい。また、設計� ��の制約から外形を上下左右対称にすること� ��困難な場合は、回路基板の外周に切り込み� ��の加工を施すことが望ましい。

 本発明の金属ベース回路基板は、副部材� ��サーモビアを用いずとも良好な放熱特性を� ��するためLEDの寿命を延ばすことが可能であ� ��、且つ反り量を抑制することで、プリント� ��線板の回路形成時及びLED実装時の作業性を� ��善することができ、LEDバックライト用の金� ��ベース回路基板として産業上極めて有用で� ��る。

 以上、本発明の実施形態について述べた� ��、これらは本発明の例示であり、上記以外� ��様々な構成を採用することができる。