次に、実施例および比較例に基づいて説� ��する。なお、本実施例はあくまで一例であ� ��、この例のみに制限されるものではない。� ��なわち、本発明に含まれる他の態様または� ��形を包含するものである。

(実施例1)
 ポリイミドフィルムに使用する材料は、特� ��制限はない。例えば、宇部興産製ユーピレ� ��クス、DuPont/東レ・デュポン製カプトン、カ ネカ製アピカルなどが上市されているが、い ずれのポリイミドフィルムにおいても本発明 は適用できる。このような特定の品種に限定 されるものではない。本実施例及び比較例で は、ポリイミドフィルムとして宇部興産製ユ ーピレックス-SGAを使用した。
 まず、最初にポリイミドフィルムを真空装� ��内にセットし真空排気後、プラズマにてポ� ��イミドフィルムの表面改質処理を行った。

 次に、上記のプラズマ処理したポリイミド� ��ィルム表面にスパッタリングにより、25nmの タイコート層(Ni-20wt%Cr)を形成した。
 続いて、スパッタリングにより300nmの金属� �ード層(銅層)を形成した。これは、無電解め っきによっても形成できるが、本実施例では スパッタリングにより実施した。
 さらに、上記の金属シード層の表面に、図1 に示すドラム型2槽式電気めっき装置を使用� �、硫酸銅めっき浴を用いて電気めっきによ� �、銅からなる金属導体層(合計厚さ約8μm)を� �成し、二層フレキシブル積層体を作製した� �この場合、ゾーン数を減らすために、Aセル� ��おいては、ゾーン3とゾーン4におけるアノ� �ドを電気的に連結するとともに、ゾーン3と� ��ーン4の間の距離:Lを、アノードと被めっき� ��との距離:dの約1/2程度となるように調整し� �、銅めっき層を形成した。

 銅層の形成の結果、上記に説明した通り、A セルではゾーン1とゾーン2では、わずかなめ� ��き層が形成されただけである。また、Bセル でも、ゾーン5とゾーン6ではめっき層は形成� ��れなかった。銅層は主として、ゾーン3+ゾ� �ン4、ゾーン7、ゾーン8で形成された。この� �果を、表1に示す。
 この表1に示すように、ゾーン3+ゾーン4で3.9 0μm、ゾーン7で2.07μm、ゾーン8で2.20μmの銅め� ��き層が形成された。因みに、ゾーン1では0.0 5μm、ゾーン2では0.27μm、ゾーン5とゾーン6で� ��0μmであった。

 このようにして得た銅層の断面を図2に示す 。この銅層の断面は、NH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨したもので� ��る。
 ゾーン3+ゾーン4では約2ゾーン分の厚さとな っており、他のゾーン7、ゾーン8で形成され� ��銅層の厚さには、それほど大きな差異はな� ��、均一な層が形成されていることが分かる� ��
 AセルとBセル間、すなわちゾーン3+4とゾー� �7間には、通常のめっき界面だけで、特に目� ��った境界層は観察されなかった。

 次に、この銅層をエッチングして回路を形� ��し、さらにこの銅回路上に、日鉱金属製AT-5 01の錫めっき浴に50℃-3分浸漬させ、約0.3μmの 錫めっき層を形成した。この錫めっき後、120 ℃×12時間、アニールし、その断面を観察し� �。この断面は、同様にNH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨した。この� ��果を、図3に示す。
 この図3に示すように、それぞれの層(3層)の 境界部(2個)に、小さいカーケンダルボイド(KV )が確認された。銅層の直上にはカーケンダ� �ボイドは無かった。
 従来の10段の銅層で発生する多量の(少なく� ��も10層の境界面に発生する)カーケンダルボ� ��ドに比べると格段優れていることが分かる� ��

(実施例2)
 次に、実施例1と同様に、図1に示すドラム� �2槽式電気めっき装置を使用し、ゾーン数を� ��らすために、Aセルにおいては、ゾーン3と� �ーン4を電気的に連結するとともに、ゾーン3 とゾーン4の間の距離:Lを、アノードと被めっ き体との距離:dの約1/2程度となるように調整� ��、Bセルにおいては、ゾーン7とゾーン8を電� ��的に連結するとともに、ゾーン7とゾーン8� �間の距離:Lを、アノードと被めっき体との距 離:dの約1/2程度となるように調整し、銅めっ� ��層を形成した。
 銅層の形成の結果、上記に説明した通り、A セルではゾーン1とゾーン2では、わずかなめ� ��き層が形成されただけである。また、Bセル でも、ゾーン5とゾーン6ではめっき層は形成� ��れなかった。これは、実施例1と同様である 。

 以上の結果、銅層は主として、ゾーン3+ゾ� �ン4、ゾーン7+ゾーン8で形成された。この結� ��を、表2に示す。この表2に示すように、ゾ� �ン3+ゾーン4で3.90μm、ゾーン7+ゾーン8で4.27μm の銅めっき層が形成された。
 因みに、ゾーン1では0.05μm、ゾーン2では0.27 μm、ゾーン5とゾーン6では0μmであった。

 このようにして得た銅層の断面を図4に示す 。この銅層の断面は、NH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨したもので� ��る。
 ゾーン3+ゾーン4では約2ゾーン分の厚さとな っており、他のゾーン7+ゾーン8でも約2ゾー� �分の厚さとなったが、これらの銅層の厚さ� �は、それほど大きな差異はなく、均一な層� �形成されていることが分かる。AセルとBセル 間、すなわちゾーン3+4とゾーン7+8間には、通 常のめっき界面だけで、特に目立った境界層 は観察されなかった。

 次に、この銅層をエッチングして回路を形� ��し、さらにこの銅回路上に、日鉱金属製AT-5 01の錫めっき浴に50℃-3分浸漬させ、約0.3μmの 錫めっき層を形成した。この錫めっき後、120 ℃×12時間、アニールし、その断面を観察し� �。この断面は、同様にNH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨した。
 この結果を、図5に示す。この図5に示すよ� �に、それぞれの層(2層)の境界部に(1個)と下� �(金属シード層との境界部)に1個の、小さい� �ーケンダルボイド(KV)が確認された。銅層の� ��上にはカーケンダルボイドは無かった。
 従来の10段の銅層で発生する多量の(少なく� ��も10層の境界面に発生する)カーケンダルボ� ��ドに比べると格段優れていることが分かる� ��また、実施例1に比べて、銅めっきの層の不 連続層が減少している分、カーケンダルボイ ド数は、さらに減少した。

(実施例3)
 次に、実施例2のめっき条件に加え、ゾーン 1とゾーン2の電流をオフとして銅めっき層を� ��成した。ゾーン1とゾーン2の電流をオフと� �るために、ゾーン1とゾーン2は通常のアノー ドに代えて、同一形状の絶縁物質で作製した ダミーアノードを設置した。
 銅層の形成の結果、Aセルではゾーン1とゾ� �ン2では、めっき層は形成されなかった。ま� ��、同様にBセルでも、ゾーン5とゾーン6では� ��っき層は形成されなかった。
 以上の結果、銅層は、ゾーン3+ゾーン4、ゾ� ��ン7+ゾーン8で形成された。この結果を、表3 に示す。この表2に示すように、ゾーン3+ゾー ン4で4.25μm、ゾーン7+ゾーン8で4.25μmの銅めっ き層が形成された。
 因みに、ゾーン1とゾーン2では0μm、ゾーン5 とゾーン6では0μmであった。

 このようにして得た銅層の断面を図6に示す 。この銅層の断面は、NH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨したもので� ��る。
 ゾーン3+ゾーン4では約2ゾーン分の厚さとな っており、他のゾーン7+ゾーン8でも約2ゾー� �分の厚さとなったが、これらの銅層の厚さ� �は、それほど大きな差異はなく、均一な層� �形成されていることが分かる。AセルとBセル 間、すなわちゾーン3+4とゾーン7+8間には、通 常のめっき界面だけで、特に目立った境界層 は観察されなかった。

 次に、この銅層をエッチングして回路を形� ��し、さらにこの銅回路上に、日鉱金属製AT-5 01の錫めっき浴に50℃、3分浸漬させ、約0.3μm� ��錫めっき層を形成した。この錫めっき後、1 20℃×12時間アニールし、その断面を観察した 。この断面は、同様にNH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨した。
 この結果を、図7に示す。この図7に示すよ� �に、それぞれの層(2層)の境界部、および下� �(金属シード層との境界部)と銅層の直上の、 いずれの位置にもカーケンダルボイドは観察 されなかった。
 従来の10段の銅層で発生する多量の(少なく� ��も10層の境界面に発生する)カーケンダルボ� ��ドに比べると、格段に優れていることが分� ��る。また、実施例2に比べて、銅めっきの層 の不連続層が減少している分、カーケンダル ボイド数は、さらに減少した。

(実施例4)
 次に、ドラム型1槽式電気めっき装置を使用 し、ゾーン数を減らすために、1セルのみで� �かつ1ゾーンのみで銅めっき層を形成した。� ��なわち、銅層は1層のみである。
 以上の結果、銅層は1ゾーンで形成された。 この結果を、表4に示す。この表4に示すよう� ��、1ゾーンで8.50μmの銅めっき層が形成され� �。
 このようにして得た銅層の断面を図8に示す 。この銅層の断面は、NH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨したもので� ��る。

 次に、この銅層をエッチングして回路を形� ��し、さらにこの銅回路上に、日鉱金属製AT-5 01の錫めっき浴に50℃、3分浸漬させ、約0.3μm� ��錫めっき層を形成した。この錫めっき後、1 25℃×10.5時間、アニールし、その断面を観察� ��た。この断面は、同様にNH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨した。
 この結果を、図9に示す。この図9に示すよ� �に、下段(金属シード層との境界部)に1個の� �小さいカーケンダルボイド(KV)が確認された� ��けで、銅層の直上にも、カーケンダルボイ� ��は無かった。
 従来の10段の銅層で発生する多量の(少なく� ��も10層の境界面に発生する)カーケンダルボ� ��ドに比べると格段優れていることが分かる� ��また、実施例1に比べても、銅めっきの層の 不連続層が減少している分、カーケンダルボ イド数は、さらに減少した。

(比較例1)
 次に、従来の10個の銅めっき槽に連続して� �リイミドフィルムを導入し、つづら折式に10 段の銅層をポリイミドフィルムの表面に形成 した場合について、実施例1と同様に、カー� �ンダルボイドを調べた結果を示す。この場� �、一段の平均厚みは約0.5μmであり、10段の銅 めっき層として、約8μmの銅層が形成された� �
 このようにして得た銅層の断面を図10に示� �。この銅層の断面は、NH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨したもので� ��る。他の条件は、実施例1と同様である。

 次に、この銅層をエッチングして回路を形� ��し、さらにこの銅回路上に、日鉱金属製AT-5 01の錫めっき浴に50℃-3分浸漬させ、約0.3μmの 錫めっき層を形成した。この錫めっき後、125 ℃×10.5時間、アニールし、その断面を観察し た。この断面は、同様にNH ₃ :29%、H ₂ O ₂ :1%水溶液に15秒浸漬して化学研磨した。
 この結果を、図11に示す。この図11に示すよ うに、銅箔の上層面及び各同層の界面に、多 数の小さいカーケンダルボイド(KV)が確認さ� �た。
 このように、10段の銅層で発生する多量の(� ��なくとも10層の境界面に発生する)カーケン� ��ルボイドは、著しく多く、銅層と錫めっき� ��との間に剥離を生じた。