以下、本発明の実施形態につき、図面を参� ��して説明する。なお、以下の説明に用いる� ��図面では、各部材を認識可能な大きさとす� ��ため、その縮尺を適宜変更している。また� ��以下において基板の「内面」とは、当該基� ��の両表面のうち、当該基板と対をなす基板� ��の表面をいうものとする。
 (プラズマディスプレイパネル)
 図1は、3電極AC型プラズマディスプレイパネ ルの分解斜視図である。このプラズマディス プレイパネル(以下「PDP」という。)100は、対� ��配置された背面基板2および前面基板1と、� �基板1,2の間に形成された複数の放電室16とを 備えている。

 前面基板1の内面には、所定の間隔でスト ライプ状に表示電極12(走査電極12aおよび維持 電極12b)が形成されている。この表示電極12は 、ITO等の透明導電性材料とバス電極とによっ て構成されている。この表示電極12を覆うよ� ��に誘電体層13が形成され、その誘電体層13を 覆うように保護膜14が形成されている。この� ��護膜14は、放電ガスのプラズマ化によって� �生した陽イオンから誘電体層13を保護するも のであり、MgOやSrO等のアルカリ土類金属の酸 化物によって構成されている。

 一方、背面基板2の内面には、所定の間隔で ストライプ状にアドレス電極11が形成されて� ��る。このアドレス電極11は、前記表示電極12 と直交するように配置されている。このアド レス電極11と表示電極12との交点が、PDP100の� �素になっている。
 そのアドレス電極11を覆うように、誘電体� �19が形成されている。また、互いに隣接する アドレス電極11の間における誘電体層19の上� �には、アドレス電極11と平行に隔壁(リブ)15� �形成されている。さらに、互いに隣接する� �壁15の間における誘電体層19の上面および隔� ��15の側面には、蛍光体17が配設されている。 この蛍光体17は、赤、緑、青の何れかの蛍光� ��発光するものである。

 図2Aは、PDPの平面図である。上述した前面� �板1と背面基板2とが、これら基板の内面の周 縁部に配置された封着材20により貼り合わさ� ��ている。
 図2Bは、図2AのA-A線における側面断面図であ る。図2Bに示すように、前面基板1と背面基板 2とが貼り合わされることにより、互いに隣� �する隔壁15の間に放電室16が形成されている� ��この放電室16の内部には、NeおよびXeの混合� ��ス等の放電ガスが封入されている。

 PDP100のアドレス電極11と走査電極12aとの� �に直流電圧を印加して対向放電を発生させ� �さらに走査電極12aと維持電極12bとの間に交� �電圧を印加すると、面放電が発生される。� �ると、放電室16内に封入された放電ガスがプ ラズマ化して、真空紫外線が放射される。こ の紫外線によって蛍光体17が励起され、その� ��果、可視光が前面基板1から放出される。

(封着材)
 上述した封着材20の材料として、前面基板1� ��よび背面基板2を構成するガラス基板と熱膨 張係数が近く、封着温度において十分な流動 性を示し、かつ排気・ベーキング温度におい て軟化しない材料を採用する必要がある。ま た封着後のパネル内部の気密性の保持が可能 であり、不純物ガスの放出がなく、かつパネ ル貼り合わせ強度を確保することが可能な材 料を採用する必要がある。このような材料と して、低融点ガラスを採用することが望まし い。具体的な低融点ガラスとして、融点が400 ℃程度のPbO・B ₂ O ₃ 系の非結晶ガラス(非晶質ガラス)等を採用す� ��ことが可能である。

 また、封着材20の熱膨張係数をガラス基板� �接近させるために、また封着温度において� �分な流動性を発揮させるために、低融点ガ� �スにフィラーを混合することが望ましい。� �ィラーとして、アルミナ等のセラミック系� �粉末材料を採用することができる。
 なお、ガラス基板との熱膨張係数の違いに� ��る影響を緩和するため、より低融点のガラ� ��(例えばスズリン酸系ガラス)を採用するこ� �もできる。また低融点ガラスに比べて融点� �高いガラスでも、熱膨張係数がガラス基板� �近い結晶系ガラス(例えば熱膨張係数が85×10 ^-7 /K)を採用してもよい。さらに、封着温度にお ける流動性を向上させるために、低融点ガラ スと基板との濡れ性を良くすることが望まし い。

 なお従来技術では、封着材をペースト化す� ��ため、封着材にバインダを混合していた。� ��インダは溶剤および樹脂成分で構成される� ��溶剤は、封着材をペースト化するものであ� ��、α-ターピネオール等で構成される。樹脂� ��分は、ペースト中の固形分の分散等を目的� ��するものであり、エチルセルロースやニト� ��セルロース、アクリル樹脂等で構成される� ��このバインダは、封着材の塗布後には完全� ��除去する必要がある。
 本実施形態の封着材20には、このようなバ� �ンダが混合されていない。

(PDPの製造方法、製造装置)
 図3は、本発明の第1実施形態に係るPDPの製� �方法のフローチャートである。PDPの製造工� �は、パネル工程(S50)と、モジュール・セット 工程(S52)との2つに大きく分けられる。そのパ ネル工程(S50)は、前面基板工程(S60)と、背面� �板工程(S70)と、パネル化工程(S80)との3つに分 けられる。

 前面基板工程(S60)では、まず表示電極12とな る透明電極を形成する(S62)。具体的には、ITO� ��SnO ₂ 等の透明導電膜をスパッタ法等で形成し、パ ターニングして表示電極12を形成する。次に� ��透明導電膜からなる表示電極12の電気抵抗� �低減するため、金属材料からなる補助電極(� ��ス電極)をスパッタ法等により形成する(S63)� ��次に、各電極の保護と壁電荷の形成を目的� ��して、誘電体層13を印刷法等により厚さ20~40 μmに形成し、焼成する(S64)。次に、誘電体層1 3の保護と二次電子放出効率の向上のため、� �護膜14を電子ピーム蒸着法等により厚さ700~12 00nmに形成する(S66)。

 図4は、本発明の第1実施形態に係るPDPの� �造装置のブロック図である。PDPの製造装置50 は、前面基板ライン60の後端、背面基板ライ� ��70の後端およびパネル化ライン80の前端が、 それぞれ搬送室55に接続されたものである。� ��のPDPの製造装置50は、図3に示すPDPの製造プ� ��セスのうち二点鎖線で囲われた範囲50を、� �空中または制御された雰囲気中で連続して� �施するものである。

 前面基板ライン60には、誘電体層13までが 形成された前面基板1を受け入れる仕込室(真� ��排気室)61と、前面基板1を150~350℃程度に加� �する加熱室62と、電子ビーム蒸着法により保 護膜14を形成する成膜室64と、前面基板1を背� ��基板2と同等の温度(約380℃)に加熱する加熱� ��バッファ室66とが設けられている。

 一方、図3に示す背面基板工程(S70)では、A g、Cr/Cu/CrまたはAlからなるアドレス電極11を� �成する(S72)。次に、アドレス電極11を保護す� ��ため誘電体層19を形成する(S74)。次に、放電 空間および蛍光体17の発光面積を増加させる� ��め、隔壁15をサンドブラスト法等によって� �成する(S75)。サンドブラスト法は、隔壁15の� ��料となるガラスペーストを基板上に塗布し� ��乾燥後にマスク材をパターニングし、アル� ��ナやガラスビーズ等の研磨剤を高圧で吹き� ��けることにより、所定形状の隔壁15を形成� �る方法である。次に、スクリーン印刷法等� �より蛍光体17を塗布し、乾燥する。その後に 、乾燥された蛍光体17を約500℃程度で焼成す� ��(S76)。次に、背面基板2を加熱しつつ封着材2 0を背面基板2の表面に塗布する(S78)

 図4に示す背面基板ライン70には、蛍光体17� �塗布された背面基板2を受け入れて焼成を行� ��焼成室72と、封着材20を背面基板2の表面に� �布する塗布室78とが設けられている。焼成室 72と塗布室78との間には、焼成室72における焼 成後の背面基板2を、その温度を100℃以上に� �持したまま塗布室78に搬送して、そこで封着 材20を塗布しうるように、ヒートトンネル74� �よび背面板仕込室76が設けられている。これ により、焼成室72において背面基板2に与えら れた熱エネルギーを塗布室78において利用す� ��ことが可能になる。その結果、省エネルギ� ��を実現することができる。
 ヒートトンネル74は、焼成後の背面基板2の� ��温機構を備えた基板搬送室である。なおヒ� ��トトンネル74に代えてストッカー式の容器� �より背面基板を搬送してもよい。またヒー� �トンネル74は、雰囲気分離を行うための排気 手段を備えていてもよい。背面板仕込室76で� ��、焼成後の背面基板2の温度を100℃以上に保 持したまま真空排気が行われる。なお背面板 仕込室76においては、背面基板2の加熱を行う ことも可能である。

(封着材の塗布室、塗布手段、塗布方法)
 図5は、封着材の塗布室の内部構成を示す斜 視図である。塗布室78の底部には、封着材20� �塗布される背面基板2を載置するためのホッ� ��プレート40が設置されている。
 このホットプレート40は、背面基板2を100~450 ℃程度に加熱することができる。なおホット プレート40に代えてヒータを設置し、背面基� ��2を輻射加熱してもよい。ホットプレート40� ��上方には、封着材20を吐出するディスペン� �(塗布手段)30が配置されている。なお、ホッ� ��プレート40はXYステージ(不図示)に載置され� ��ホットプレート40およびディスペンサ30が水 平面内を相対移動しうるようになっている。 なお、ホットプレート40を固定し、ディスペ� ��サ30をXY移動機構(平面走査機構)に設置して� ��よい。また塗布室78は、ターボ分子ポンプ� �、水分を吸着排気するコールドトラップと� �らなる真空排気系(不図示)を備えている。

 ディスペンサ30は、円筒状のシリンジ32の先 端にノズル31を装着したものである。そのシ� ��ンジ32の内部に充填された封着材20は、ノズ ル31の先端から吐出される。シリンジ32およ� �ノズル31の外周を取り巻くように、ヒータ34� ��設けられている。このヒータ34により、デ� �スペンサ30の内部に充填された封着材20は、� ��の融点以上に加熱されて溶融される。
 シリンジ32の上端には、真空ポンプ等の減� �手段37およびコンプレッサ等の加圧手段38が� ��続されている。減圧手段37は、溶融した封� �材20からその内部に含まれるガスを排出させ る。また、加圧手段38は、溶融した封着材20� �ノズル31から定量的に吐出させる。

 上述した塗布室78において封着材20を背面基 板2の表面に塗布する際には、まずディスペ� �サ30の内部に、封着材20を構成する低融点ガ� ��スおよびフィラーの粉末を充填する。次に� ��ータ34に通電し、封着材20の粉末をその融点 以上(300~480℃程度)に加熱して溶融させる。こ の加熱中に減圧手段37を駆動して、シリンジ3 2の内部36を0.1Pa程度まで減圧する。これによ� ��、溶融した封着材20からその内部に含まれ� �ガス(H ₂ やH ₂ O、N ₂ 、CO、CO ₂ など)を離脱させる(真空脱ガス処理)。
 なお、低融点ガラスおよびフィラーを予め� ��筒状に成型したものをシリンジにセットし� ��もよい。この場合には、成型時またはシリ� ��ジにセットした後の溶解時に真空脱ガス処� ��を行う。また低融点ガラスおよびフィラー� ��または低融点ガラス単体を予め溶融、脱ガ� ��および撹拌したものを、パイプなどの輸送� ��段によってシリンジへ供給してもよい。

 次に、塗布室78の内部を真空または制御� �れた雰囲気に保持する。次にホットプレー� �40上に背面基板2を載置する。次にXYステージ によりホットプレート40を移動させ、背面基� ��2における封着材20の塗布開始位置をディス� ��ンサ30の下方に配置する。次に加圧手段38を 駆動して、シリンジ32の内部を所定圧力に加� ��することにより、溶融した封着材20をノズ� �31から定量的に吐出させる。この状態で、XY� ��テージによりホットプレート40を移動させ� �ことにより、背面基板2の周縁部に封着材20� �連続的に塗布する。

 図3に戻り、上述した前面基板1および背� �基板2を貼り合わせるパネル化工程を行う(S80 )。パネル化工程では、両基板のアライメン� �工程(S82)と、放電ガス導入および封着工程(S8 4)とを行う。なお必要な場合には、短時間の� ��ージング工程(S86)を行う。

 図4に示すように、保護膜14を形成した前面� ��板1を加熱・バッファ室で約380℃まで加熱し た後、搬送室55を経由して封着室82に搬送す� �。搬送された前面基板1は、封着室82の上部� �設けられたフック機構で保持される。その� �持中には、封着室82の上部に設置されたヒー タで前面基板1の温度を約380℃に維持する。
 一方、封着材20が塗布された背面基板2を、� ��布室78から搬送室55を経由して封着室82に搬� ��する。搬送された背面基板2は、封着室82の� ��部に設けられたホットプレート上に載置さ� ��て約380℃に保持される。次に、封着室に設� ��られた真空槽の大気側に設置されたCCDカメ� ��により前面基板1および背面基板2のアライ� �ントマークを読み取り、両基板の位置合わ� �を行う。次に、放電ガスを導入して両基板� �加圧し、封着材を430~450℃程度に加熱して封� ��する。封着により得られたパネルは、冷却� ��取出室へ搬送されて、約150℃まで冷却され� ��その後に取り出される。

 なお本実施形態では、バインダを含まな� ��封着材を採用したので、バインダの除去を� ��的とする乾燥工程および焼成工程を大気中� ��行う必要がない。そのため、蛍光体の焼成� ��72において焼成された後の背面基板2が、真� ��中または制御された雰囲気中に保持された� ��まの状態で、ヒートトンネル74、背面板仕� �室76、塗布室78および搬送室55を経由して封� �室82に導入される。すなわち、背面基板2へ� �不純物ガスの付着を防止しつつ封着室82に導 入することが可能になる。そのため、封着工 程のパネル内部の清浄化(涸化)時間を大幅に� ��縮すること、または清浄化(涸化)を不要に� �ることが可能になる。さらに、封着後のエ� �ジング(枯化)時間の大幅な短縮またはエージ ングレスを達成することが可能になる。した がって、PDPの製造におけるスループット向上 および省エネルギーを実現することができる 。

 ところで従来技術では、溶剤および樹脂� ��分からなるバインダが封着材に混合されて� ��たので、パネル封着時に、封着材から不純� ��ガスがパネル内部に放出されるおそれがあ� ��。この場合、放出された不純物ガスにより� ��パネル内部に封入されている放電ガスの純� ��が低下して、放電電圧が上昇する。また封� ��材から放出された不純物ガスが基板表面の� ��膜に吸着されると、基板表面の2次電子放出 係数が低下して、放電電圧が上昇する。この ような放電電圧の上昇に伴って、PDPの消費電 力が増加することになる。そこで従来では、 封着工程の前に、バインダの溶剤の除去を目 的として乾燥工程を行い、またバインダの樹 脂成分の除去を目的として仮焼成工程を行っ ていた。しかしながら、上述した仮焼成によ っても樹脂成分を十分に除去することは困難 である。

 本発明の発明者らは、従来技術の封着材(仮 焼成後)および本発明の封着材につき、放出� �ス量を測定する実験を行った。
 図6は、昇温脱離法(Thermal Desorption Spectroscop y;TDS)による封着材の放出ガス量の測定結果を 示すグラフである。TDSでは、封着材の温度を 約2200秒間で約450℃まで上昇させ、そのまま� �持した。図6において、従来の封着材(仮焼成 後)の放出ガス量の測定結果を破線で示し、� �発明の封着材の放出ガス量の測定結果を実� �で示す。従来の封着材では、放出ガスとし� �樹脂成分が検出されたほか、大気中で仮焼� �したため水(H ₂ O)、一酸化炭素(CO)および二酸化炭素(CO ₂ )が多く検出された。これに対して、本発明� �封着材では放出ガス量が低下し、樹脂成分� �検出されなかった。

 基板表面の被膜に吸着された不純物ガス� ��、真空ベークによる基板内の清浄化と基板� ��への所定時間の電圧印加(エージング処理)� �行えば基板表面から離脱する。これにより� �放電電圧が安定することになる。そこで従� �技術では、封着工程において数時間の清浄� �(涸化)を行っていた。また封着後のパネルに ついても、数時間から十数時間のエージング 処理を行う必要があった。

 本発明の発明者らは、従来方法で作製したP DPおよび本実施形態の方法で作製したPDPにつ� ��、エージング試験を行った。本試験におけ� ��PDPの保護膜14には、膜厚800nmに成膜されたMgO を用い、また、放電ガスとしてNe-4%Xeを66.5kPa� ��圧力で導入した。
 なお、従来技術では、PDPの各製造プロセス� ��それぞれ異なる装置で実施していたので、� ��護膜14形成後の前面基板1を大気(湿度50%)に1� ��間曝してからPDPを作製した。また、前面基� ��1と背面基板2との封着中に、350℃で90分間の 清浄化(涸化)を行った。
 これに対して、本実施形態に係るPDPの製造� ��法および製造装置では、上述したように保� ��膜の形成から封着工程までを真空中または� ��御された雰囲気中で行った。すなわち、保� ��膜14の形成後の前面基板1を大気に曝すこと� ��くPDPを作製した。

 図7は、エージング試験の結果を示すグラ フである。なお、Vfは放電開始電圧であり、V sは放電維持電圧である。大気に曝した従来� �方法により作製されたPDPの場合、放電開始� �圧Vfおよび放電維持電圧Vsとも高く、また電� ��が安定するまでに約3時間を要している。こ れに対して、本実施形態に係る方法により作 製されたPDPの場合、放電開始電圧Vfおよび放� ��維持電圧Vsとも低く、放電開始電圧Vfは約1� �以内で安定し、さらに、放電維持電圧Vsは当 初から安定している。この結果から、本実施 形態に係るPDPの製造方法および製造装置を採 用することにより、エージング時間を短縮す ることができることが確認された。また、放 電電圧が低くなることが確認された。すなわ ち、本実施形態に係るPDPの製造方法および製 造装置を採用することにより、消費電力の小 さいPDPを提供することができる。

 以上に詳述したように、本実施形態に係るP DPの製造方法は、ペースト化するためのバイ� ��ダを含まない封着材20を、ディスペンサの� �部で溶融させる工程と、背面基板2の表面に� ��ィスペンサを用いて溶融された封着材20を� �布する塗布工程と、前面基板1と背面基板2と を、背面基板2の表面に塗布された封着材20を 介して貼り合わせる封着工程とを備える。
 上記のPDPの製造方法によれば、バインダを� ��まない封着材20を採用しても、ディスペン� �の内部で溶融させることにより、背面基板2� ��表面に塗布することができる。また、バイ� ��ダを含まない封着材20を採用したので、封� �材20からの放出ガス量を大幅に低減すること が可能になる。これにより、封着工程のパネ ル内部の清浄化(涸化)時間を大幅に短縮する� ��と、または清浄化(涸化)を不要にすること� �可能になる。さらに、封着後のエージング(� ��化)時間の大幅な短縮またはエージングレス を達成することが可能になる。また、従来技 術のようなバインダの除去工程が不要になる 。したがって、PDPの製造におけるスループッ ト向上および省エネルギーを実現することが できる。

 また本実施形態におけるPDPの製造方法は、� ��布工程の前に、ディスペンサの内部を減圧� ��て封着材20の内部に含まれるガスを排出す� �工程を備える。
 この場合、内部ガスが排出された封着材20� �塗布されるので、塗布された封着材20からの 放出ガス量をさらに低減することができる。 これにより、封着工程のパネル内部の清浄化 (涸化)時間を大幅に短縮すること、または清� ��化(涸化)を不要にすることが可能になる。� �らに、封着後のエージング(枯化)時間の大幅 な短縮またはエージングレスを達成すること が可能になる。したがって、PDPの製造におけ るスループット向上および省エネルギーを実 現することができる。

(第2実施形態)
 図8は、第2実施形態に係るPDPの製造装置の� �ロック図である。第1実施形態に係るPDPの製� ��装置では、1個の成膜室に対して1個の封着� �が接続されていたのに対して、第2実施形態� ��係るPDPの製造装置では、1個の成膜室64に対� ��て複数の封着室82a,82bが接続されている。な お、第1実施形態と同様の部分については、� �の詳細な説明を省略する。

 本実施形態に係るPDPの製造装置51では、� �面基板ライン60における加熱・バッファ室66� ��Aサイドに搬送室55aが接続され、Bサイドに� �送室55bが接続されている。Aサイドの搬送室5 5aには、背面基板ライン70aおよびパネル化ラ� ��ン80aが接続されている。またBサイドの搬送 室55bには、背面基板ライン70bおよびパネル化 ライン80bが接続されている。これにより、前 面基板ライン60の成膜室64に対して、複数の� �面基板ライン70a,70bの封着室82a,82bが接続され た状態になっている。本実施形態では、前面 基板ライン60と垂直に背面基板ライン70a,70bが 伸び、前面基板ライン60と平行にパネル化ラ� ��ン80a,80bが伸びている。

 本実施形態に係るPDPの製造装置51でも、� �1実施形態と同様に、封着材20からの放出ガ� �量を大幅に低減することが可能になる。こ� �により、封着工程のパネル内部の清浄化(涸� ��)時間を大幅に短縮すること、または清浄化 (涸化)を不要にすることが可能になる。さら� ��、封着後のエージング(枯化)時間の大幅な� �縮またはエージングレスを達成することが� �能になる。したがって、PDPの製造における� �ループット向上および省エネルギーを実現� �ることができる。

 一般に成膜室64における成膜工程のタク� �タイムは、封着室82a,82bにおけるパネル化工� ��のタクトタイムに比べて短い。そこで本実� ��形態では、成膜室64に対して複数の封着室82 a,82bが接続されている構成とした。これによ� ��、成膜室の稼動効率を上昇させることが可� ��になり、その結果、第1実施形態に比べてPDP の製造におけるスループットを向上させる(� �えば、約2倍にする)ことができる。

 なお前記複数の封着室82a,82bは、それぞれ 異なるサイズの前面基板1および背面基板2が� ��り合わせられるように形成されていてもよ� ��。すなわち、前記複数の封着室82a,82bでは、 互いに異なるサイズを有する複数のPDPを製造 する際に、前記各PDPのサイズに対応した前面 基板1及び背面基板2が互いに貼り合わされる� ��うに構成されていてもよい。例えば、Aサイ ドの封着室82aで対角長さ42インチのパネルの� ��着を行い、Bサイドの封着室82bで対角長さ50� ��ンチのパネルの封着を行う構成としてもよ� ��。この場合、成膜室64は、異なるサイズの� �面基板に対して成膜を行うことができるよ� �に形成される。これにより、異なるサイズ� �パネルを効率的に製造することができる。� �た異なるサイズのパネル製造において、製� �装置の一部(成膜室を含む前面基板ライン)を 共用することが可能になり、その結果、製造 コストを低減することができる。

(変形例)
 図9は、第2実施形態の変形例に係るPDPの製� �装置のブロック図である。上述した第2実施� ��態に係るPDPの製造装置では、前面基板ライ� ��60と垂直に背面基板ライン70a,70bが伸び、前� ��基板ライン60と平行にパネル化ライン80a,80b� ��伸びていたが、図9に示す変形例に係るPDPの 製造装置52では、前面基板ライン60と平行に� �面基板ライン70a,70bが伸び、前面基板ライン6 0と垂直にパネル化ライン80a,80bが伸びている� ��
 この場合でも、第1実施形態と比べてPDPの製 造におけるスループットを向上させることが できる。また両サイドで異なるサイズの基板 を効率的に製造することも可能である。

 なお、本発明の技術範囲は、上述した各実� ��形態に限定されるものではなく、本発明の� ��旨を逸脱しない範囲において、上述した各� ��施形態に種々の変更を加えたものを含む。� ��なわち、各実施形態で挙げた具体的な材料� ��構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更� ��可能である。
 例えば、上記実施形態では低融点ガラスに� ��ィラーを混合した封着材を採用したが、フ� ��ラーを混合しない低融点ガラスのみからな� ��封着材を採用してもよい。

 また、上記実施形態では本発明をプラズ� ��ディスプレイパネルに適用したが、本発明� ��電界放出ディスプレイパネルに適用するこ� ��も可能である。電界放出ディスプレイパネ� ��は、画素ごとに配置された電子放出源(エミ ッター)から真空中に電子を放ち、その電子� �蛍光体に衝突させて発光させるものである� �電界放出ディスプレイパネルとして、突起� �の電子放出素子を備えたFED(Field Emission Displ ay)や、表面伝導型の電子放出素子を備えたSED (Surface-Conduction Electron-Emitter Display)等が挙げ� ��れる。この電界放出ディスプレイパネルに� ��発明を適用した場合でも、エージング時間� ��短縮することが可能であり、また放電電圧� ��上昇を抑制することが可能である。