Verfahren und Anordnung zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten, wobei durch Aerosol-Deposition auf dem Substrat eine supraleitende Schicht aus MgE> ₂ hergestellt wird.

Der technische bzw. industrielle Einsatz von supraleitenden Drähten erfordert für die meisten Anwendungen große Längen. Diese Längen müssen nicht nur technisch, sondern auch kostengünstig herstellbar sein. Gerade in Hinblick auf Hochtempera- tur-Supraleiter (HTS-Leiter) mit MgE> ₂ -Material ist dies anspruchsvoll .

Im Wesentlichen gibt es für HTS-Leiter zwei Herstellprozesse, einmal die sogenannte Power-in-Tube (PIT) Methode und zum an- deren Dünnschicht-Depositions-Verfahren wie z. B. Chemical- Vapor-Deposition (CVD) , Metal-Organic-Chemical-Vapor- Deposition (MOCVD) , Pulsed-Laser-Deposition (PLD) , Sputte- ring, und thermisches Verdampfen. Den Dünnschicht-Deposi ^¬ tions-Verfahren ist allen gemein, dass das Substrat sich auf einer hohen Temperatur befindet. Diese ist entweder durch das Verfahren an sich bestimmt, d.h. die notwendige Reaktionskinetik der Trägermedien, oder durch die Wachstumskinetik der Schicht, wie z. B. Temperaturfenster für die Texturbildung in den Schichten.

Die PIT-Methode wird für MgB ₂ entweder in der sogenannten Ex- situ- oder der In-situ-Variation angewandt. Ex-situ be ^¬ schreibt dabei die MgB ₂ -Phasenbildung außerhalb des Drahtes; bei der in-situ-Variation werden Komponenten gemischt und erst im Draht zu MgB ₂ reagiert. Auch hier erfordern die Vari ^¬ ationen hohe Temperaturen von z. B. 300...700°C. Die hohen Temperaturen verbieten die Verwendung von Kupfer (Cu) im Draht oder erfordern integrierte Diffusionsbarrieren. Da Kupfer eines der am schnellsten diffundierenden Metalle ist, und da MgE>2 sehr sensitiv gegenüber Cu-Dotierung rea- giert, d.h. degradiert, ist Kupfer in einer supraleitenden Schicht unerwünscht. Eine zusätzliche Diffusionsbarriere er ^¬ niedrigt die Gesamtstromdichte und erschwert den Stromtrans ^¬ fer vom Supraleiter in das Shunt-Material . Die meisten Anwendungen der Energie- und Magnettechnik erfordern aber hinrei- chend gut leitendes und angekoppeltes Shunt-Material.

Diffusionsbarrieren oder Kupfer-Dotierungen im Supraleitermaterial führen nicht nur zu unerwünschten physikalischen Effekten oder erhöhen den technischen Auffand zur Herstellung von Drähten mit guten supraleitenden Eigenschaften, sie erhöhen auch die Kosten. So erfordert die Verwendung von Diffusionsbarrieren zusätzliche Herstellungsschritte bei der Draht ^¬ bzw. Kabel-Herstellung und Kupfer-Dotierungen führen im Betrieb zu höheren elektrischen Verlusten oder müssen durch ei- nen erhöhten technischen Aufwand kompensiert werden. Hohe Depositions- bzw. Abscheidetemperaturen machen den Herstel- lungsprozess Energieaufwendiger und somit ebenfalls teurer.

Die Verwendung des Aerosol-Depositions-Verfahrens ermöglicht eine Abscheidung supraleitender Schichten bei nahezu Raumtemperatur bzw. bei im Wesentlichen Raumtemperatur, d.h. bei Temperaturen um die 25°C. Aus dem Stand der Technik ist das Aerosol-Depositions-Verfahren für die Herstellung von Be- schichtungen für Mikromechanische Systeme, Displays, Brenn- Stoffzellen, optischen Komponenten und Vorrichtungen für Hochfrequenzanwendungen bekannt. So ist z. B. im Artikel „Room Temperature Impact Consolidation (RTIC) of Fine Ceramic Powder by Aerosol Deposition Method and Applications to Mic ^¬ rodevices" von Jun Akedo, Journal of Thermal Spray Technolo- gy, Volume 17(2), Juni 2008, Seiten 181ff, ein Verfahren zur Aerosol-Deposition auf diskreten Substraten zur Herstellung von Micro-Electro-Mechanic-Systems (MEMS) beschrieben. Nach ^¬ teil der beschriebenen Methode ist die Verwendung von Vakuum- Kammern zur Beschichtung der diskreten Substrate. Dabei wird das Substrat in einer Kammer auf einen Substrathalter mit Heizeinrichtung aufgebracht und unter Umständen Teile des Substrats mit Masken abgedeckt. Die Kammer wird vakuumdicht abgeschlossen, und in der Kammer wird über eine Pumpe ein Vakuum hergestellt. Anschließend wird das auf dem Substrathal ^¬ ter befestigte Substrat mit Maske über das Aerosol-Deposi- tions-Verfahrens beschichtet. Nach abgeschlossener Beschich ^¬ tung wird das beschichtete Substrat der Kammer entnommen, wo- bei es zur Verbesserung der Schichteigenschaften zuvor über die Heizeinrichtung erhitzt worden sein kann.

Nachteil der beschriebenen Methode ist, dass mit dem be ^¬ schriebenen Aufbau nur diskrete Substrate nacheinander, d.h. mit zeitlichen Abstand beschichtet werden können und zum Einbringen der Substrate in die Kammer, zur Vakuumerzeugung und zum Entnehmen der beschichteten Substrate aus der Kammer viel Zeit und Energie aufgewendet werden müssen, und somit Kosten entstehen .

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten anzugeben, welche keine diskrete, zeitlich mit Abstand aufeinanderfolgende Abscheidung des sup ^¬ raleitenden Materials erfordern, und welche geringen Aufwand und geringe Kosten verursachen. Weiterhin ist es Aufgabe, bei geringem Energieverbrauch zuverlässig supraleitende Schichten z. B. auf bandförmigem Material kontinuierlich abscheiden zu können, ohne eine Kontamination des supraleitenden Materials z. B. durch verstärkte Diffusion von Kupfer bei hohen Temperaturen zu erhalten.

Die angegebene Aufgabe wird bezüglich des Verfahrens zur Her ^¬ stellung von supraleitenden Schichten auf Substraten mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und bezüglich der Anordnung zur

Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten mit Hilfe des zuvor beschriebenen Verfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 15 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten und der Anordnung zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten mit Hilfe des zuvor beschriebenen Verfahrens gehen aus den zugeordneten abhängigen Unteransprüchen hervor. Dabei können die Merkmale der Unteransprüche untereinander kombiniert wer ^¬ den . Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten wird durch Aerosol- Deposition auf dem Substrat eine supraleitende Schicht aus MgE>2 hergestellt. Das Verfahren wird als ein kontinuierlicher Prozess durchgeführt.

Dies ermöglicht die Herstellung von langen supraleitenden Drähten bzw. Kabeln. Für die Aerosol-Deposition ist kein Hoch-Vakuum notwendig, wodurch Aufwand und Kosten gering gehalten werden. Niedrige Temperaturen im Bereich von Raum- temperatur ermöglichen eine Abscheidung unter geringem Energieverbrauch und ohne eine Kontamination des supraleitenden Materials z. B. durch verstärkte Diffusion von Kupfer bei hohen Temperaturen. Der kontinuierliche Prozess kann als Durchlaufprozess erfol ^¬ gen, mit insbesondere einem Substrat, welches von einer Rolle kontinuierlich bereitgestellt wird. Alternativ zu einer Rolle kann das Material auch von einem anders geformten Träger abgewickelt werden oder spulenförmig ohne Träger vorliegen. Die Verwendung einer Rolle bewirkt eine ungehinderte Zuführung des Substrats für die Aerosol-Deposition ohne Verknotung oder Verhedderung des Substrats.

Das Substrat kann in Form von Bändern vorliegen und bei sehr langen bandförmigen Substraten gut von z. B. einer Rolle abgewickelt werden. Dadurch kann eine kontinuierliche Zuführung von Substrat zum Abscheideprozess gewährleistet werden. Als Bänder werden dabei bezeichnet langgestreckte, streifenförmi- ge Substrate, insbesondere mit einem rechteckigen Quer ^¬ schnitt. Die Bänder weisen eine flache Oberseite auf, auf welcher das supraleitende Material abgeschieden werden kann. Die Oberseite kann insbesondere in Hinblick auf die Seiten- flächen flächig viel ausgedehnter sein.

Es kann ein metallisches Substrat verwendet werden, insbeson ^¬ dere ein Substrat aus Kupfer oder Stahl. Kupfer weist gute elektrische Eigenschaften auf, um z. B. Fehlstellen im supra- leitenden Material als Bypass zu überbrücken. Stahl hingegen weist eine höhere mechanische Stabilität auf. Auch Kombinati ^¬ onen der Materialien, insbesondere in laminierter Form oder als Legierungen, sind möglich. Die supraleitende Schicht kann aus MgB ₂ Pulver hergestellt werden. Alternativ kann die supraleitende Schicht aus einem Pulvergemisch von Mg und B hergestellt werden, welches im Nachhinein, d.h. nach der Aerosol-Deposition, zu MgB ₂ reagiert wird. Dabei kann eine Temperaturnachbehandlung z. B. im Bereich von größer 800°C nach der Aerosol-Deposition dienen. Auch bei Verwendung von MgB ₂ Pulver als Ausgangsmaterial kann eine zuvor beschriebene Temperaturnachbehandlung zu einer Verbesserung der supraleitenden bzw. elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht dienen. Eine Herstellung ohne einen Temperaturschritt mit hohen Temperaturen wie z. B. hö ^¬ her 800 °C ist ebenfalls möglich durch die Verwendung des Ae- rosol-Depositions-Verfahrens , wodurch z. B. eine Verwendung von Kupfer-Substrat ohne Diffusionsbarriere-Schicht zwischen Kupfer und supraleitendem Material möglich ist, ohne kontami- nierende Diffusion von Kupfer in das supraleitende Material. Die supraleitende Schicht kann auch aus MgB ₂ Pulver und/oder Mg und B Pulver gemischt mit Shunt-Material, insbesondere ei ^¬ ner FeCr-Ni- oder Cu-Ni-Legierung, hergestellt werden. Das Shunt-Material sorgt dann für eine gute elektrische Überbrü- ckung von Fehlstellen im supraleitenden Material oder für eine gute elektrische Verbindung zwischen supraleitenden

Kristalliten . Als Trägergas für die Aerosolherstellung und Aerosol-Depo- sition kann Helium, Stickstoff oder Luft verwendet werden. Stickstoff ist dabei kostengünstig und birgt im Vergleich zu Luft nicht die Gefahr von Oxidation am Verfahren beteiligter Stoffe.

Das Verfahren kann bei im Wesentlichen Raumtemperatur, insbesondere bei 25 °C durchgeführt werden. Dadurch ergeben sich die schon zuvor beschrieben Vorteile wie geringe Kosten, ge- ringer Energieaufwand und verringerte bzw. keine Diffusion von Stoffen wie Kupfer in das supraleitenden Material und somit keine Kontamination des supraleitenden Materials. Dadurch wird z. B. ein Einsatz von Kupfer als Substrat ohne Diffusi ^¬ onsbarriere-Schichten erst möglich.

Die supraleitende Schicht kann mit einer Schichtdicke von größer oder gleich lym erzeugt werden. Das Aerosol-Deposi- tions-Verfahren erlaubt gerade im Vergleich zu anderen Ab- scheidungsverfahren wie Sputtern die Erzeugung dicker Schich- ten, insbesondere mit geringem Zeit und Kostenaufwand.

Das Verfahren kann in einer Beschichtungskammer durchgeführt werden, welche wenigstens eine Schleuse aufweist, insbesonde ^¬ re eine Schleuse zum Zuführen des Substrats und eine Schleuse zum Abführen des Substrats, d.h. zwei Schleusen für eine

Trennung des Innenraums der Beschichtungskammer von der Umgebungsatmosphäre der Beschichtungskammer. Dadurch kann bei gewünschten Drücken gearbeitet werden und unter z. B. Schutzgasatmosphäre, und/oder es kann eine Kontamination durch z. B. Schmutz oder Staub aus der Umgebung verhindert werden.

Über die Schleusen ist die Beschichtungskammer gegenüber der Umwelt abgeschlossen und die Schichten können Kontaminationsfrei hergestellt werden. Alternativ kann das Verfahren auch in einer Anordnung durchgeführt werden, welche vollständig gekapselt ist gegenüber der Umgebung, insbesondere zum luftdichten Abschluss des Verfahrens gegenüber der Umgebungsatmosphäre der Anordnung. Da- bei kann die Anordnung eine Quellrolle an Substrat und/oder eine Zielrolle für das beschichtete Substrat schon umfassen in dem gekapselten Raum, wodurch kontinuierlich betriebene Schleusen für das Substrat und das beschichtete Substrat ent- fallen können. Es können noch Schleusen verwendet werden zum Bestücken der Anlage mit z. B. einer Substrat-Rolle und zum entnehmen der Rolle mit fertig beschichteten Substrat. Diese sind jedoch technisch einfacher auszuführen als kontinuierlich funktionierende Schleusen, wie sie in dem Beispiel zuvor beschrieben wurden. Die weiteren Vorteile sind analog dem zuvor beschriebenem Beispiel.

Auf die Aerosol-Deposition kann ein weiterer Beschichtungs- prozess folgen, insbesondere eine Beschichtung zur Erzeugung einer Kupfer- und/oder Aluminium-Schicht. Diese Schicht kann als Bypass dienen, um bei Zusammenbruch der Supraleitung eine normale elektrische Leitung aufrecht zu erhalten und/oder um Fehlstellen in der supraleitenden Schicht elektrisch zu überbrücken. Die Schicht kann auch zur weiteren mechanischen Sta- bilisierung dienen. Darauf folgend kann ein Isolationsprozess durchgeführt werden.

Alternativ kann direkt folgend auf die Aerosol-Deposition auch ein Isolationsprozess durchgeführt werden. Damit wird ein supraleitendes Kabel oder ein supraleitender Draht fertig gestellt, ohne weitere Schritte, und elektrisch gegen die Um ^¬ gebung isoliert.

In einem ersten Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten kann ein Trägergas in eine Aerosolkammer über einen gasdurchlässi ^¬ gen Support eintreten, wobei auf dem Support Pulver angeord ^¬ net wird, welches bei der Durchströmung des Supports von dem Trägergas teilchenförmig aufgenommen wird. In einem zweiten Schritt kann das Trägergas-Pulver-Gemisch über eine insbesondere regel- oder steuerbare Düse, insbesondere einer Düse in Schlitzform, in eine Beschichtungskammer eingeleitet werden, wobei das Pulver über einen Aerosol-Depositions-Prozess an einem kontinuierlich durch die Beschichtungskammer bewegtem Substrat abgeschieden wird.

Zwischen dem ersten und dem zweiten Schritt kann zeitlich ein dritter Schritt erfolgen, bei welchem das Aerosol aus Pulver und Trägergas durch einen Konditionierer strömt, in welchem für die Deposition zu große Pulver-Teilchen herausgefiltert werden und/oder eine Harmonisierung der kinetischen Energie der Pulver-Teilchen erfolgt. Dadurch wird die hergestellte supraleitende Schicht von ihrer Struktur her gleichmäßiger und erhält bessere elektrische Eigenschaften.

Eine erfindungsgemäße Anordnung zur Herstellung von supralei ^¬ tenden Schichten auf Substraten kann eine Beschichtungskammer mit wenigstens einem Eingang für ein bandförmiges Substrat umfassen und wenigstens einen Ausgang für das mit einer supraleitenden Schicht beschichtete bandförmige Substrat. Wei ^¬ terhin kann die Anordnung eine Vorrichtung zur Bereitstellung eines Aerosols zur Beschichtung des Substrats mit MgB ₂ umfas- sen. Mit der Anordnung kann ein zuvor beschriebenes Verfahren durchgeführt werden, wobei die zuvor beschriebenen Vorteile des Verfahrens ebenfalls für die Anordnung gelten.

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung mit vorteilhaften Weiterbildungen gemäß den Merkmalen der abhängigen Ansprüche werden nachfolgend anhand der Figuren näher erläutert, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein.

Es wird in den Figuren dargestellt:

Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung 1 zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten 15 durch Aero- sol-Deposition, und

Figur 2 eine schematische Schnittdarstellung der in Fig. 1 dargestellten Anordnung 1, jedoch vollständig gekapselt . In der Fig. 1 ist eine schematische Schnittdarstellung der erfindungsgemäßen Anordnung 1 zur Herstellung von supraleitenden Schichten auf Substraten 15 durch Aerosol-Deposition gezeigt. Mit dieser Anordnung 1 ist das zuvor beschriebene erfindungsgemäße Verfahren ausführbar.

Die Anordnung 1 umfasst eine Aerosolkammer 2 zur Herstellung eines Aerosols aus einem Pulver 4 und einem Trägergas. Das Trägergas wird über eine Trägergaszuleitung 5 der Aerosolkam- mer 2 zugeführt. Als Trägergas kann z. B. Stickstoff verwen ^¬ det werden. Der Zustrom und somit der Druck und eingangssei- tig der Massenfluss des Trägergases wird über einen Gasregler 6, welcher in der Trägergaszuleitung 5 eingebaut ist, geregelt oder gesteuert. Das Trägergas strömt über einen Eingang 7 in die Aerosolkammer 2. Der Eingang 7 ist am unteren Ende der Aerosolkammer 2 angeordnet. In der Aerosolkammer 2 strömt das Trägergas von unten her kommend durch einen gasdurchläs ^¬ sigen Support 3, auf welchem ein Pulver angeordnet ist. Das Pulver kann z. B. aus MgB ₂ Partikeln bestehen. Vom Gasdurch- lässigen Support 3 her kommend strömt das Trägergas durch das Pulver und reißt durch die Strömung Pulverpartikel mit sich. Dadurch wird ein Aerosol gebildet. Das Aerosol aus Trägergas und Partikel verlässt die Aerosolkammer 2 am oberen Ende durch einen Ausgang 8. Über eine Rohrleitung verbunden oder direkt an die Aerosolkammer 2 insbesondere fluiddicht ange ^¬ schlossen ist ein Konditionierer 9 angeordnet. Das Aerosol strömt durch den Konditionierer 9, wobei zu große Teilchen herausgefiltert werden und eine Harmonisierung der kineti ^¬ schen Energie der im Aerosol verbleibenden Teilchen erfolgt. Eine erfindungsgemäße Anordnung kann aber auch ohne Konditio ^¬ nierer 9 aufgebaut sein. Dadurch wird der Aufbau vereinfacht, die abgeschiedenen Schichten sind dann aber weniger gleichmäßig mit schlechteren elektrischen, insbesondere supraleitenden Eigenschaften.

Vom Konditionierer 9 aus strömt das Aerosol über eine Düse 10, welche an einem Austrittsende schlitzförmig ausgebildet sein kann, in einer Beschichtungskammer 11 auf das zu be- schichtende Substrat 15. Das Substrat 15 kann z. B. ein

Stahlband sein, mit einer Dicke im Bereich von Mikrometern und einer Breite im Bereich von Millimetern. Das Substrat 15 kann aber auch andere Formen aufweisen, z. B. Drahtform mit rundem Querschnitt. Bei einem bandförmigen Substrat 15 mit rechteckigem Querschnitt, im Weiteren nur als bandförmiges Substrat 15 bezeichnet, weist der Ausgang der Düse 10 auf ei ^¬ ne Oberfläche des Substratbandes 15, welche z. B. in der Breite über mehrere Millimeter ausgedehnt ist im Vergleich zu einer Seitenfläche des Substratbandes 15 mit einer Breite im Bereich von Mikrometern. Diese breite, flache Seite des Sub ^¬ strats 15 wird dann beim Auftreffen der Partikel des Aerosols mit dem Partikelmaterial beschichtet, z. B. mit MgB ₂ Kristal- lit-Partikeln . Die Pulver-Partikel bleiben an dem Substrat 15 „kleben" oder haften und bilden so eine geschlossene supra ^¬ leitende Schicht auf einer Seite des Substrats 15 aus.

Das bandförmige Substrat 15 wird kontinuierlich von einer Rolle 16, d.h. der Quell-Rolle abgewickelt, durch eine Ein- gangsschleuse 13 in die Beschichtungskammer 11 bewegt und an der Düse 10 vorbei über eine Ausgangsschleuse 14 aus der Be ^¬ schichtungskammer 11 bewegt, um auf einer Rolle 17, d.h. der Zielrolle wieder aufgewickelt zu werden. Die beiden Rollen 16, 17 können gleich angetrieben sein und sich mit gleichem Drehsinn und gleicher Drehgeschwindigkeit bewegen. Alternativ kann auch nur eine Rolle, z. B. die Zielrolle 17 angetrieben sein, wobei das Substratband 15 durch Zugkraft von der Quell ^¬ rolle 16 abgewickelt wird, oder bei angetriebener Quellrolle 16 kann durch Druckkraft das Substrat 15 auf der Zielrolle 17 aufgewickelt werden.

Um eine gleichmäßige supraleitende Schicht, d.h. mit gleich ^¬ mäßiger Dicke über die gesamte eine Seite des Substrats 15 verteilt herzustellen, sollte die Vorschubgeschwindigkeit des Substrats 15, d.h. die Umfangsdrehgeschwindigkeit der Rollen 16, 17, konstant während des gesamten Beschichtungsprozesses sein. Die Düse 10 sollte das Aerosol mit gleichmäßiger Strö ^¬ mungsgeschwindigkeit abgeben, und die Partikelzahl und -Größe sollte im Aerosol nicht oder nicht stark schwanken. Vorteil ^¬ haft ist auch die Verwendung einer schlitzförmigen Düse 10, bei welcher die Längsichtung des Schlitzes parallel zur Brei ^¬ te und Oberfläche der zu beschichtenden Seite des Substrat- bandes 15 angeordnet ist. Die Ausbildung gleichmäßiger

Schichten wird auch begünstigt, indem über die Schlitzlänge das Aerosol gleichmäßig abgegeben wird und es sich somit auf der dem Schlitz gegenüberliegend angeordneten Oberfläche des Substratbandes 15 gleichmäßig abscheiden kann.

Optional können, wie in Fig. 1 dargestellt, in der Beschich- tungskammer 11 Evakuier-Anschlüsse 12 vorgesehen sein, über welche die Kammer 11 und/oder die Schleusen 13 und 14 evakuiert werden können. Alternativ kann über die Anschlüsse 12 auch ein Schutzgas, wie z. B. Stickstoff zugeführt werden. Dadurch kann in der Beschichtungskammer 11 entweder ein Unterdruck bis hin zu einem Vakuum erzeugt werden, oder eine Schutzgasatmosphäre. Verunreinigungen der supraleitenden Schicht durch Teilchen oder Bestandteile der Umgebungsluft können so ausgeschlossen werden. Es kann auch eine Oxidation von Bestandteilen der Partikel im Aerosol und somit der sup ^¬ raleitenden Schicht verhindert werden.

Es ist aber auch ein vereinfachter Aufbau der Anordnung ohne Evakuier-Anschlüsse 12 und/oder Schleusen 13, 14 möglich.

Selbst eine Beschichtungskammer 11 ist unter Umständen nicht zwingend notwendig, wenn der Einfluss der Umgebungsluft bei der Abscheidung des Aerosols und der Ausbildung der supraleitenden Schicht nicht stört. Ein Vakuum kann zwar vorteilhaft sein, ein Hoch-Vakuum ist jedoch nicht notwendig. Das Verfahren ist selbst bei Atmosphären- bzw. Umgebungs-Druck anwendbar .

In Fig. 2 ist eine alternative Ausführungsform der erfin- dungsgemäßen Anordnung 1 dargestellt. Die Anordnung 1 ist analog der in Fig. 1 gezeigten Anordnung 1 ausgebildet, nur mit zusätzlich vollständig gekapselten Quell- und Zielrollen 16, 17. Somit ist der Innenraum der gesamten Anordnung Luft- dicht abschließbar und z. B. über Evakuier-Anschlüsse 12, wie zuvor beschrieben evakuierbar oder mit Schutzgasatmosphäre befüllbar. Eine Oxidation oder Kontamination mit Staub und Schmutzpartikeln des mit einer supraleitenden Schicht be- schichteten Substrats 15 kann so durch die Kapselung 18 ausgeschlossen werden, selbst beim Ab- und Aufwickeln. Nicht dargestellte Schleusen können vorgesehen sein, um eine vollständige Rolle 16, 17 der Anordnung zuzuführen oder zu entnehmen .

Zuvor beschriebene Ausführungsbeispiele können auch kombi ^¬ niert werden. So kann z. B. nur eine Rolle 17 gekapselt sein, während das Substratband 15 von einer Rolle 16 der Beschich- tungskammer 11 über eine Schleuse zugeführt wird. Bei einer vollständigen Kapselung 18 der Anordnung kann auf Schleusen 13 und 14 zum Zu- und Abführen des Substratbandes 15 zur Be- schichtungskammer 11 auch verzichtet werden.

Das angegebene, erfindungsgemäße Verfahren und die Anordnung zur Ausführung des Verfahrens ermöglichen eine gleichmäßige Beschichtung von z. B. bandförmigen Substraten mit MgB ₂ supraleitenden Schichten über große längen hinweg. So können die Substratbänder Längen im Bereich von Zentimetern bis hin zu einigen hundert Metern aufweisen. Die abgeschiedenen Schich- ten können mit gleichmäßigen Dicken, elektrisch gleichmäßigen Eigenschaften über die ganze Länge des Substratbandes hinweg bei Raumtemperatur hergestellt werden. Es werden so neue Aufbauten der Substratbänder mit supraleitenden Schichten möglich, welche z. B. aus Kupfer bestehen und keine Zwischen- schichten zwischen dem Substrat und der supraleitenden Schichat als Diffusionsbarriere benötigen. Die geringe Abscheide ^¬ temperatur und die geringen Ansprüche an die Druckverhältnis ^¬ se bei der Abscheidung (kein Hoch-Vakuum notwendig) führen zu einer Energieeinsparung gegenüber herkömmlichen Prozessen wie z. B. Sputtern. Es sind mit dem Verfahren dicke Schichten in hohem Durchsatz, d.h. kurzer Zeit herstellbar.