Träqerelement mit Saatsubstraten

Beschreibung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anordnen mehrerer Saatsubstrate an einem Trägerelement sowie ein Trägerelement mit Saatsubstraten .

Für großflächige elektronische Bauteile wie beispielsweise großflächige Leuchtelemente (OLEDs) oder photovoltaische Solarzellen besteht ein Bedarf an kostengünstigen Halbleiterwafern mit hoher elektronischer Güte, da bei solchen Bauelementen die Materialkosten des Halbleiterwafers einen wesentlichen Anteil an den Kosten des Gesamtprodukts darstellen . Zur Herstellung von Halbleiterwafern sind Verfahren bekannt, wobei aus Siliziumblöcken („I ngots") mittels Sägeverfahren Halbleiterwafer hergestellt werden . Hierdurch lassen sich hochwertige, insbesondere einkristalline Halbleiterwafer herstellen . Die Herstellungskosten sind jedoch hoch , auch begründet durch den Materialverlust beim Zersägen der Siliziumblöcke.

Es wurden daher alternative Verfahren entwickelt, bei welchen eine Halbleiterschicht auf einem Saatsubstrat abgeschieden und anschließend von dem Trägersubstrat abgelöst wird . Die abgelöste Halbleiterschicht stellt somit den Halbleiterwafer zur Herstellung des elektronischen Bauelements dar.

Für solche Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschicht wurden verschiedene Optimierungen vorgenommen , so wurde in WO 201 3/004851 A1 die Fläche potentieller parasitärer Abscheidungen während des Beschichtungsvorgangs minimiert.

Bei den vorbekannten Verfahren , bei welchen eine Halbleiterschicht auf einem Saatsubstrat abgeschieden und anschließend abgelöst wird , sind die Saatsubstrate während des Abscheidevorgangs an einem Trägerelement angeordnet. Dieses flächige Trägerelement weist Halterungen auf, in welche die Saatsub- strate vor dem Aufbringen der Halbleiterschicht eingelegt werden . Nach Aufbringen der Halbleiterschicht werden die Saatsubstrate dem Trägerelement entnommen , um die Halbleiterschicht abzulösen .

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das vorgenannte Trägerelement und dessen Verwendung zu verbessern .

Gelöst ist diese Aufgabe durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und ein Trägerelement gemäß Anspruch 14. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens finden sich in den Ansprüchen 2 bis 1 3. Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Trägerelementes findet sich in Anspruch 1 5.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist bevorzugt zur Durchführung mittels des erfindungsgemäßen Trägerelementes, insbesondere einer bevorzugten Ausführungsform hiervon , ausgebildet. Das erfindungsgemäße Trägerelement ist bevorzugt zur Verwendung in dem erfindungsgemäßen Verfahren , insbesondere einer bevorzugten Ausführungsform hiervon , ausgebildet.

Die Erfindung ist in der Erkenntnis begründet, dass bei den bisherigen Herstellungsverfahren eine Halbleiterschicht, bei welcher eine Halbleiterschicht auf ein Halbleiter-Saatsubstrat aufgebracht und anschließend abgelöst wird , erhebliche Kosten und auch Fehlerstellen , an welchen eine Beschädigung oder ein Zerbrechen der Halbleiter-Saatsubstrate und/oder der Halbleiterschichten erfolgen kann , durch die Verwendung unterschiedlicher Trägerelemente für verschiedene Prozessschritte und das Anordnen und Abnehmen der Halbleiter-Saatsubstrate an den Trägerelementen zwischen den Prozessschritten besteht. U ntersuchungen führten zu der Erkenntnis, dass eine dauerhafte Fixierung der Halbleiter- Saatsubstrate an dem Trägerelement während zumindest eines, vorzugsweise während einer Mehrzahl von Prozessschritten zu einer erheblichen Vereinfachung und Verringerung von Risikofaktoren führt. Ausgehend von dieser Erkenntnis besteht somit Bedarf an einer für die Prozessschritte dauerhaften Fixierung, welche jedoch wahlweise zur Erneuerung der Halbleiter-Saatsubstrate an dem Trägerelement gelöst werden kann . Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden mehrere Halbleiter-Saatsubstrate an einem Trägerelement angeordnet, um ein Aufbringen einer Halbleiterschicht auf die Saatsubstrate zu ermöglichen . Wesentlich ist, dass die Saatsubstrate mittels stofflicher Verbindung an dem Trägerelement angeordnet werden .

Die Anordnung der Halbleiter-Saatsubstrate mittels stofflicher Verbindung an dem Trägerelement weist folgende Vorteile auf:

- Die Trägerelemente müssen keine Einschub- oder Klemmelemente für die Saatsubstrate aufweisen und können somit kostengünstiger und robuster hergestellt werden . Darüber hinaus entfällt eine Abschattung der

Saatsubstrate durch Einschub- oder Klemmelemente während des Besch ichtungsvorgangs.

- Die Bruchgefahr der Saatsubstrate bei einem Wechsel der Trägerelemente zwischen einzelnen Prozessschritten wird vermieden .

- Es ergeben sich zusätzliche kostengünstige Verfahrensmöglichkeiten , wie beispielsweise eine Oberflächenbehandlung aller bereits auf das Trägerelement aufgebrachten Saatsubstrate.

- Die Anordnung der Saatsubstrate mittels stofflicher Verbindung an den Trägerelementen ermöglicht einen geringeren Abstand zwischen den Saatsubstraten , so dass für eine gegebene Fläche des Trägerelementes eine größere Ausbeute bei dem Erzeugen von Halbleiterschichten erzielt werden kann .

- Die stoffliche Verbindung führt zu einer mechanischen Stabilisierung der Saatsubstrate, so dass die Verwendung dünnerer Saatsubstrate im Vergleich mit vorbekannten Verfahren bei in Einschüben gelagerten oder mittels Klemmung gehaltenen Saatsubstraten möglich ist.

- Durch die Stabilisierung der Saatsubstrate mittels stofflicher Verbindung an dem Trägerelement kann die Anzahl von Herstellungszyklen , für welche die Saatsubstrate zur Herstellung von Halbleiterschichten verwendet werden , erhöht werden , da die Verwendung dünnerer Saatsubstrate möglich ist. Hierdurch wird eine Kosteneinsparung erzielt.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist weiterhin gelöst durch ein Trägerelement gemäß Anspruch 14. Das Trägerelement weist Saatsubstrate zur Beschichtung mit einer Halbleiterschicht auf, wobei die Saatsubstrate an dem Trägerelement angeordnet sind. Wesentlich ist, dass die Saatsubstrate mittels stofflicher Verbindung an dem Trägerelement angeordnet sind . Hierdurch ergeben sich die zuvor genannten Vorteile.

Das Aufbringen der Halbleiterschicht erfolgt bevorzugt durch chemische Gas- phasenabscheidung (Chemical Vapou r Deposition , CVD).

Besonders vorteilhaft ist es, die Halbleiterschicht epitaktisch aufzubringen , insbesondere mittels CVD.

Beim Abscheiden einer Halbleiterschicht, insbesondere einer epitaktischen Ab- scheidung erwärmt sich das Saatsubstrat typischerweise auf Temperaturen größer 800°C, insbesondere etwa im Bereich 800 °C bis 1400 °C. Die stoffliche Verbindung ist daher vorteilhafterweise derart ausgebildet, dass sie temperaturstabil für Temperaturen bis zu 1 000°C, insbesondere bis zu 1200 °C, bevorzugt bis zu 1400 °C ist.

Die stoffliche Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement wird bevorzugt mittels einem oder einer Kombination der Materialien aus der Gruppe Sili- cium , Germanium , GaAs und andere l l l-V Halbleiter, Kohlenstoff, Sauerstoff, SiC, I l-Vl-Halbleiter ausgebildet. Diesen Materialien ist gemein , dass eine temperaturstabile stoffliche Verbindung ausgebildet wird , welche auch im Prozess einer Abscheidung einer Halbleiterschicht, insbesondere einer epitaktischen Ab Scheidung Bestand hat.

Vorteilhafterweise wird die stoffliche Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement ein Halbleitermaterial umfassend ausgebildet. Dies weist den Vorteil auf, dass gleiche Abscheidetechniken zur Ausbildung der stofflichen Ver bindung wie auch zum Erzeugen der Halbleiterschicht auf dem Saatsubstrat ver wendet werden können . Weiterhin weist Halbleitermaterial als stoffliche Verbindung typischerweise eine hohe Temperaturstabilität auf. Darüber hinaus weist Halbleitermaterial eine gute Haftung an den Saatsubstraten auf. Insbesondere ist es vorteilhaft, das gleiche Halbleitermaterial , welches zur Ausbildung der Halbleiterschicht verwendet wird , auch zur Ausbildung der stofflichen Verbindung zu verwenden . Vorzugsweise wird die stoffliche Verbindung durch chemische Gasphasenab- scheidung (Chemical Vapour Deposition , CVD) ausgebildet.

Bevorzugt wird die stoffliche Verbindung mittels epitaktischer Abscheidung ausgebildet.

H ierdurch ergibt sich der Vorteil , dass auf an sich bekannte Verfahren und Vorrichtungen zurückgegriffen werden kann . I nsbesondere kann in einer vorteilhaften Ausführungsform das Verfahren und insbesondere vorteilhafterweise auch die Vorrichtung, mit welcher nachfolgend die Halbleiterschicht ausgebildet wird , zunächst, insbesondere in einem vorgelagerten Schritt, zu m stofflichen Verbinden zwischen Saatsubstrat und Träger verwendet werden .

H ierzu ist es vorteilhaft, zunächst die Saatsubstrate auf den Träger aufzulegen , insbesondere, ohne dass die Saatsubstrate durch eine Einschub-Fixierung gehalten werden . Anschließend erfolgt die Ausbildung der stofflichen Verbindung bevorzugt durch ein Halbleitermaterial , insbesondere bevorzugt mittels CVD- Abscheidung. Vor einem nachfolgenden Ausbilden der Halbleiterschicht auf dem Saatsubstrat ist es vorteilhaft, zunächst die Oberfläche des Saatsubstrates zu behandeln , insbesondere zu reinigen , bevorzugt durch Ätzschritte und/oder zu porosifizieren , wie weiter unten näher erläutert.

I n einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform werden zum Fixieren der Saatsubstrate an dem Träger mittels stofflicher Verbindung zunächst die

Saatsubstrate mittels einer lösbaren Haltevorrichtung, insbesondere bevorzugt mittels einer lösbaren Klemmvorrichtung an dem Träger fixiert. Solche Vorrichtungen können beispielsweise als lösbare, anschraubbare oder ansteckbare Halter, ansteckbare Federelemente oder anschraubbare Federarme ausgebildet sein . Nach Ausbilden der stofflichen Verbindung werden die lösbaren Fixierelemente entfernt, so dass in einem nachfolgenden Prozessschritt, bei welchem die Halbleiterschicht auf dem Saatsubstrat ausgebildet wird , keine störenden Einflüsse durch die Halteelemente bestehen .

Zur Ausbildung einer qualitativ hochwertigen Halbleiterschicht ist es wesentlich , dass die Halbleiter-Saatsubstrate an der dem Trägerelement abgewandten Seite, auf welcher die Halbleiterschicht erzeugt wird , eine definierte Oberfläche, welche für den Schichterzeugungsprozess optimiert ist, aufweisen . Vorteilhafterweise wird daher vor Ausbilden der stofflichen Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement die dem Trägerelement abgewandte Seite der Saatsubstrate vorbehandelt, insbesondere porosifiziert. H ierdurch wird in einfacher Weise erzielt, dass nach Ausbilden der stofflichen Verbindung eine gegebenenfalls an der dem Trägerelement abgewandten Seite des Saatsubstrates erfolgte Ablagerung des Materials der stofflichen Verbindung entfernt werden kann .

Vorteilhafterweise wird nach Ausbilden der stofflichen Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement und vor Aufbringen der Halbleiterschicht auf das Saatsubstrat die dem Trägerelement abgewandte Seite der Saatsubstrate vorbehandelt, insbesondere mittels Reinigen und/oder Abätzen und/oder Porosi- fizieren . Alternativ oder zusätzlich ist es vorteilhaft, die dem Trägerelement abgewandte Seite der Saatsubstrate mit einer Deckschicht zu versehen . Eine solche Deckschicht kann als Dielektrikum , beispielsweise einem Oxid oder N itrid der Halbleiterschicht ausgebildet sein und weist den Vorteil auf, dass eine derartige Schicht nasschemisch entfernt werden kann ohne die stoffliche Verbindung, bestehend aus dem Halbleitermaterial oder einer Komponente davon , zu entfernen . Hierdurch wird die dem Trägerelement abgewandte Seite effektiv geschützt während dem Ausbilden der stofflichen Verbindung, wodurch diese Seite für Folgeprozesse zur Verfügung steht.

Vorteilhafterweise wird auf die an dem Trägerelement angeordneten Saatsubstrate zumindest eine Halbleiterschicht bevorzugt epitaktisch abgeschieden . H ierbei liegt es im Rahmen der Erfindung, dass eine separate Halbleiterschicht jeweils auf ein Saatsubstrat abgeschieden wird . Ebenso liegt es im Rahmen der Erfindung, dass eine Halbleiterschicht, welche mehrere, insbesondere alle Saatsubstrate überdeckt, abgeschieden wird .

Die Halbleiterschicht wird vorteilhafterweise von den Saatsubstraten abgelöst, ohne die stoffliche Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement zu trennen . H ierdurch ergibt sich der Vorteil , dass während des Trennvorgangs das Saatsubstrat zum Erzeugen einer Halbleiterschicht verwendet wird , ohne dass die Notwendigkeit besteht, das Saatsubstrat von dem Träger zu lösen . Vorzugsweise wird eine Siliziumschicht auf das Saatsubstrat abgeschieden , bevorzugt mit einer Dicke im Bereich 20 pm bis 500 m, insbesondere im Bereich 30 pm bis 300 pm, insbesondere bevorzugt epitaktisch abgeschieden .

Bevorzugt ist das Saatsubstrat aus dem gleichen Halbleitermaterial ausgebildet, aus dem die Halbleiterschicht erzeugt wird . Besonders vorteilhafterweise wird das erfindungsgemäße Verfahren und das erfindungsgemäße Trägerelement bei der Erzeugung von Silizium-Halbleiterschichten , welche als Siliziumwafer zur Erzeugung von Halbleiterbauelementen , insbesondere photovoltaischen Solarzellen eingesetzt werden , verwendet. Die Saatsubstrate sind daher bevorzugt als Siliziumsubstrate wie beispielsweise Siliziumwafer ausgebildet.

Wie zuvor beschrieben , ist für eine hohe Qualität der Halbleiterschicht eine optimierte Oberfläche des Saatsubstrates vorteilhaft. Es ist bekannt, die dem Trägerelement abgewandte Seite des Saatsubstrates mittels Porosifikation vorzu- behandeln, um einerseits eine definierte Oberfläche für das Erzeugen der Halbleiterschicht zu erzielen und andererseits einen definierten Ablösebereich zum Entfernen der erzeugten Halbleiterschicht zu erzeugen , der ein Entfernen mit verringerter Bruchgefahr ermöglicht. Ein solches Verfahren und eine hierfür geeignete Vorrichtung ist aus DE 1 0 201 3 21 9 886 A1 bekannt. Das Porosifizieren erfolgt, indem ein einseitiger Ätzvorgang an derjenigen Seite des Saatsubstrates erfolgt, an welcher die Halbleiterschicht in einem nachfolgenden Prozessschritt erzeugt werden soll. Hierbei ist es bekannt, lediglich diese Seite mit einem Elektrolyten zu benetzen und mittels einer Konstantstromquelle einen Ätzstrom zwischen dem Elektrolyten und dem Saatsubstrat zu erzeugen , so dass ein einseitiges Ätzen erfolgt. Dies ist ebenfalls in DE 1 0 201 3 21 9 886 A1 beschrieben .

Vorteilhafterweise erfolgt zunächst eine Anordnung der Saatsubstrate an dem Trägerelement mittels stofflicher Verbindung und anschließend eine einseitige Behandlung der Saatsubstrate an der dem Trägerelement abgewandten Seite durch einen einseitigen Ätzvorgang, insbesondere bevorzugt zur Porosifikation , bevorzugt durch ein Verfahren wie in DE 1 0 201 3 21 9 886 A1 beschrieben . Hier ergibt sich der Vorteil , dass gleichzeitig eine Mehrzahl von Saatsubstraten , welche an dem Trägerelement angeordnet sind , porosifiziert werden kann und dar- über hinaus bei diesem Vorgang eventuelle Rückstände des Materials der stoffschlüssigen Verbindung auf der dem Trägerelement abgewandten Seite der Saatsubstrate entfernt und/oder eingeebnet werden .

Vorteilhafterweise werden dotierte Saatsubstrate mit einer Dotierung des n- o- der p-Dotierungstyps verwendet. Diese weisen den Vorteil auf, dass etablierte, elektrochemische Prozesse zur Porosifikation wie z. B. beschrieben in Smith et. al; J. Appl. Phys. 71, R1 (1992); doi: 10. 1063/1.350839 angewendet werden können . H ierbei ist es besonders vorteilhaft, die stoffliche Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement ein dotiertes Halbleitermaterial umfassend , insbesondere durch ein n- oder p-dotiertes Halbleitermaterial auszubilden , wobei die stoffliche Verbindung bevorzugt den entgegengesetzten Dotierungstyp zu dem Dotierungstyp der Saatsubstrate aufweist. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, dass bei einem Ätzvorgang, bei welchem einseitig die Oberfläche der Saatsubstrate durch ein Elektrolyt benetzt wird und durch Anlegen eines Ätzstromes der Ätzvorgang ausgebildet wird , selektiv durch das Zusammenwirken von Elektrolyt und Dotierungstyp des Saatsubstrates ein Ätzen ausschließlich der Oberfläche der Saatsubstrate, nicht jedoch der stofflichen Verbindung erfolgen kann . Dies wird ermöglicht durch die Sperrwirkung für elektrische Ströme am Ü bergang zwischen zwei unterschiedlich dotierten Halbleiterbereichen sowie der deutlich unterschiedlichen Ätzprozesse für n- oder p-Typ dotierte Halbleiterschichten .

I n einer anderen vorteilhaften Ausbildung wird die stoffliche Verbindung mit identischem Dotiertyp, bevorzugt darüber hinaus mit identischer Konzentration von Dotierstoffen hergestellt um die stoffliche Verbindung ebenfalls oberflächlich zu Porosifizieren . Dies hat den Vorteil, dass beim Wachstum der Halbleiterschicht, insbesondere beim epitaktischen Wachstum die stoffliche Verbindung von Saatsubstrat und Trägerelement zwar verdickt wird , diese Verdickung aber anschließend beim Ablösen der erzeugten Halbleiterschicht ebenfalls entfernt werden kann . H ierdurch kann gewährleitet werden , dass der Verbund aus Saatsubstrat, stofflicher Verbindung und Trägerelement auf der dem Trägerelemente abgewandten Seite eine ebene, stufenfreie Oberfläche ausbildet.

Ein entgegengesetzter Dotierungstyp der stofflichen Verbindung einerseits und der Saatsubstrate andererseits weist darüber hinaus den Vorteil auf, dass auch selektiv ein Ätzvorgang durchgeführt werden kann , welcher ausschließlich an der stofflichen Verbindung angreift, so dass mittels solch eines Atzvorgangs die stoffliche Verbindung wahlweise gelöst werden kann , insbesondere, um die Saatsubstrate von dem Träger zu lösen und auszutauschen .

Bevorzugt umfasst das Ausbilden der stofflichen Verbindung zwischen Saatsubstrat und Träger, dass die Saatsubstrate auf eine Oberfläche des Trägerelementes aufgelegt werden und zumindest bereichsweise an seitlichen Stirnseiten der Saatsubstrate eine stoffliche Verbindung mit dem Trägerelement ausgebildet wird . I nsbesondere ist es vorteilhaft, dass ein Saatsubstrat mittels stofflicher Verbindung mit dem Trägerelement und mit einem benachbarten Saatsubstrat verbunden wird . Bei dieser vorteilhaften Ausführungsform erfolgt die Fixierung der Saatsubstrate somit bevorzugt im Wesentlichen , insbesondere bevorzugt ausschließlich , mittels seitlich an den Saatsubstraten angeordneter stofflicher Verbindungen , welche einerseits an die seitlichen Stirnseiten der Saatsubstrate und andererseits an eine Oberfläche des Trägerelementes anhaften . Es ergibt sich somit eine lateral abwechselnde Abfolge von Saatsubstrat - stofflicher Verbindung, wobei eine stoffliche Verbindung zwischen zwei Saatsubstraten angeordnet ist und an die beiden gegenüberliegenden Stirnseiten der benachbarten Saatsubstrate sowie an eine Oberfläche des Trägerelementes anhaftet.

H ierdurch ist ein prozesstechnisch einfaches Verfahren gegeben , bei welchem d ie Saatsubstrate auf das Trägerelement aufgelegt werden und anschließend , insbesondere bevorzugt durch einen CVD-Prozess, mittels stofflicher Verbindung mit dem Trägerelement verbunden werden . I n einer vorteilhaften Ausgestaltung sind Abstandshalter vorgesehen , um einen definierten lateralen Abstand zwischen den Saatsubstraten zu erzielen und ein Verrutschen während des Ausbildens der stofflichen Verbindung und der vorgelagerten Handhabungsschritte zu vermeiden . Solche Abstandselemente können lösbare Abstandselemente sein , welche nach Ausbilden der stofflichen Verbindung entfernt werden . Ebenso können Mulden in dem Trägerelement zur Aufnahme der Saatsubstrate ausgebildet sein . Ebenso können Abstandselemente an dem Trägerelement ausgebildet sein , welche lediglich an einem oder mehreren Teilbereichen der umlaufenden Stirnseiten der Saatsubstrate anliegen . Bei Abstandselementen , welche zum Ausbilden der Halbleiterschicht nicht entfernt werden , insbesondere bei einstückig mit dem Trägerelement ausgebildeten Abstandselementen ist es vorteilhaft, wenn die Abstandselemente bei an dem Trägerelement angeordneten Saatsubstraten eine geringere Höhe als die Dicke der Saatsubstrate aufweisen . Hierdurch werden die Abstandselemente während des Ausbildens der stofflichen Verbindung bevorzugt durch die stoffliche Verbindung bedeckt, so dass auch bei Ausbilden der Halbleiterschicht die Halbleiterschicht allenfalls auf der stofflichen Verbindung, nicht jedoch unmittelbar an die Abstandselemente angrenzend ausgebildet wird . Hierdu rch wird ein unmittelbares Anhaften der Halbleiterschicht an den Abstandselementen , welches beim Ablösen eine Bruchgefahr erhöhen könnte, vermieden .

Wie zuvor beschrieben liegt es im Rahmen der Erfindung, dass auf jedes Saatsubstrat jeweils eine Halbleiterschicht aufgebracht wird . Ebenso liegt es im Rahmen der Erfindung, dass die Halbleiterschichten zweier benachbarter Saatsubstrate miteinander verbunden sind , insbesondere eine gemeinsame Halbleiterschicht ausbilden . Bevorzugt ist es, dass zwischen zwei benachbarten Saatsubstraten die stoffliche Verbindung angeordnet wird und dass an der dem Trägerelement abgewandten Seite die stoffliche Verbindung mit den angrenzenden Saatsubtraten mit einer ebenen Oberfläche, insbesondere einer gemeinsamen ebenen Oberfläche ausgebildet wird . Dies kann bevorzugt dadurch erzielt werden , dass zunächst das Ausbilden der stofflichen Verbindung erfolgt und anschließend die ebene Oberfläche in einem Oberflächenbehandlungsschritt ausgebildet wird , beispielsweise durch mechanische Oberflächenbehandlung und/o der Ätzen .

Vorzugsweise wird auf die an dem Trägerelement mittels stofflicher Verbindung angeordneten Saatsubstrate zumindest eine Halbleiterschicht aufgebracht und vor Ablösen der Halbleitersch icht erfolgt ein Trennschnitt im Bereich zwischen zwei benachbarten Saatsubstraten . Dieser Trennschnitt kann durch Materialabtrag, insbesondere durch mechanischen Materialabtrag, durch Ablation , insbesondere Laserablation oder chemisch , insbesondere durch einen Ätzvorgang erfolgen . Bevorzugt durchdringt der Trennschnitt zumindest die aufgebrachte Halbleiterschicht. H ierdurch wird somit sichergestellt, dass vor Ablösen der Halbleiterschichten eine Vereinzelung vorliegt, so dass jedem Saatsubstrat jeweils eine erzeugte Halbleiterschicht zugeordnet ist und bei Ablösen einer Halbleiterschicht keine Bruchgefahr durch eine etwaige Verbindung dieser Halbleiter schicht mit einer benachbarten Halbleiterschicht besteht. Es liegt im Rahmen der Erfindung, die Halbleiterschicht zunächst vollständig abzulösen . Hierdurch können besonders großflächige Halbleiterschichten erzeugt werden . Ebenso kann die Halbleiterschicht nach Ablösen vereinzelt werden , beispielsweise durch Trennschnitte insbesondere mittels Sägen oder mittels eines Lasers.

Sofern zwischen den Halbleitersubstraten eine stoffliche Verbindung ausgebildet ist, erfolgt bevorzugt der Trennschnitt nicht oder nur geringfügig bis in den Bereich der stofflichen Verbindung, um ein Lösen oder ein Schwächen der stofflichen Verbindung durch den Trennschnitt zu vermeiden .

Vorzugsweise werden die Saatsubstrate zumindest an der dem Trägerelement zugewandten Seite mittels stofflicher Verbindung mit dem Trägerelement verbunden . I n dieser vorteilhaften Ausführungsform kann eine besonders stabile, insbesondere eine großflächige stoffliche Verbindung zwischen Trägerelement und Saatsubstrat erzielt werden . H ierbei ist es vorteilhaft, dass das Trägerelement eine Öffnung aufweist, so dass die Saatsubstrate an dem Trägerelement angeordnet werden und mittels einer, bevorzugt mittels mehrerer Öffnungen im Trägerelement Material zur stofflichen Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement eingebracht wird . H ier ist es vorteilhaft, die stoffliche Verbindung mittels chemischer Gasphasenabscheidung (Chemical Vapour Deposition , CVD), insbesondere mittels epitaktischer Abscheidung, insbesondere bei Atmosphärendruck oder bei Prozessdrücken kleiner Atmossphärendruck, insbesondere mittels LPCVD (low pressure CVD), auszubilden . H ierdurch wird eine I nfiltration der Prozessgase in das Trägerelement und an die Öffnungen zur Erzeugung der stofflichen Verbindung vereinfacht.

I n einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird die stoffliche Verbindung zwischen Trägerelement und Saatsubstrat mittels Plasmaspritzen oder Flammspritzen ausgebildet. Hierdurch werden schnelle und kostengünstige Verfahren ermöglicht.

I n einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform werden an zwei gegenüberliegenden Seiten des Trägerelementes jeweils Saatsubstrate mittels stofflicher Verbindung angeordnet. H ierdurch ergibt sich der Vorteil , dass besonders raumsparend der Prozessraum beim Aufbringen der Halbleiterschicht ausgenutzt werden kann , da beidseitig des Trägerelements Halbleiterschichten abgeschieden werden können .

H ier zeigt sich ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens und des erfindungsgemäßen Trägerelementes: Durch die stoffliche Verbindung ist ein besonders stabiles Anhaften der Saatsubstrate an dem Trägerelement gegeben , so dass bei den einzelnen Bearbeitungsschritten , insbesondere bei der Oberflächenbehandlung beispielsweise mittels Porosifizieren vor Aufbringen der Halbleiterschicht oder beim Ablösen der Halbleiterschicht auch ein sequentielles Bearbeiten der Seiten des Trägers möglich ist, insbesondere eine waagerechte Anordnung des Trägers mit untenliegenden , stofflich verbundenen Saatsubstraten . Denn die stoffliche Verbindung zwischen Saatsubstrat und Träger verhindert ein Abfallen oder Herausrutschen der Saatsubstrate, so dass ein einfaches Handling auch bei beidseitiger Verwendung des Trägers möglich ist.

Eine vorteilhaft stabile und dennoch wahlweise einfach lösbare stoffliche Verbindung ergibt sich , indem das Saatsubstrat zumindest teilweise stirnseitig und in einem Teilbereich an der dem Trägerelement zugewandten Seite stofflich mit dem Trägerelement verbunden wird . H ierdurch ist eine erhöhte Stabilität der stofflichen Verbindung gegeben .

Dennoch kann beispielsweise durch einen Ätzvorgang in einfacher Weise die seitliche stoffliche Verbindung sowie die nur in Teilbereichen an der dem Trägerelement zugewandten Seite bestehende stoffliche Verbindung gelöst werden . H ierbei ist es insbesondere vorteilhaft, wenn die an der dem Trägerelement zugewandten Seite ausgebildete stoffliche Verbindung an einem oder mehreren Randbereichen des Saatsubstrates ausgebildet wird , da hier in einfacher Weise mechanisch oder mittels eines Ätzvorgangs ein Lösen solch einer Verbindung möglich ist. Dies ermöglicht insbesondere ein einfacheres Ablösen eines

Saatsubstrates von dem Trägerelement verglichen mit einer großflächigen , insbesondere ganzflächigen stofflichen Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement an der dem Trägerelement zugewandten Seite des Saatsubstrates.

Wie zuvor beschrieben , ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren eine mehrfache Verwendung der Saatsubstrate. Es ist daher vorteilhaft, dass die Saatsubstrate mittels stofflicher Verbindung an dem Trägerelement angeordnet werden und ohne die stoffliche Verbindung zwischen Saatsubstrat und

Trägerelement zu trennen mehrfach die Prozessabfolge

Vorbehandeln der dem Trägerelement abgewandten Seite der

Saatsubstrate,

Aufbringen zumindest einer Halbleiterschicht auf die Saatsubstrate,

Ablösen der Halbleiterschicht von den Saatsubstraten mit oder ohne Zwischenschaltung von weiteren Zwischenschritten durchgeführt wird , insbesondere zumindest 20 Mal , bevorzugt zumindest 50 Mal durchgeführt wird . H ierdurch wird ein kosteneffizientes Herstellungsverfahren erzielt.

Vorzugsweise weist das Trägerelement zumindest eine Auflage für jedes Saatsubstrat auf, an welcher eine dem Trägerelement zugewandte Rückseite des Saatsubstrates unmittelbar an dem Trägerelement anliegt. Weiterhin weist das Trägerelement im Randbereich jedes Saatsubstrates zumindest eine Vertiefung, bevorzugt eine um den Rand des Saatsubstrates umlaufende Vertiefung auf, an welcher die Rückseite des Saatsubstrates stoffflüssig mit dem Träger verbunden ist. H ierdurch werden die zuvor genannten Vorteile erzielt. I nsbesondere untergreift vorteilhafterweise die Ausnehmung zumindest bereichsweise, bevorzugt umlaufend den Randbereich der dem Trägerelement zugewandten Rückseite des Saatsubstrates.

Die Saatsubstrate weisen bevorzugt Kantenlängen im Bereich 1 0 cm bis 50 cm auf und sind bevorzugt rechteckig, insbesondere bevorzugt quadratisch ausgebildet. Das Trägerelement ist bevorzugt zur Aufnahme von zumindest 9, bevorzugt zumindest 12, weiter bevorzugt zumindest 1 6, weiter bevorzugt zumindest 20 Saatsubstraten ausgebildet.

Die Halbleiterschicht ist vorteilhafterweise aus Silizium ausgebildet. Die Halbleiterschicht wird bevorzugt mittels eines an sich bekannten Verfahrens, insbesondere wie in Habuka et al .„Model on transport phenomena and epitaxial growth of Silicon thin film in Si HCI3-H2 System under atmospheric pressure", Journal of Crystal Growth 1 69 (1 996) 61 -72 oder Narusawa, "Si Deposition from Chlorosilanes", J . Electrochem . Soc , Vol . 141 , No. 8, August 1 994 beschrieben . Das Trägerelement ist bevorzugt aus einem oder mehreren der Materialien Graphit, Silicium , Quarz, Siliciumcarbid oder Siliciumn itrid oder Kompositen und Verbünden aus diesen Materialien ausgebildet. Das Trägerelement weist bevorzugt eine Dicke im Bereich 0, 1 cm bis 1 5 cm , insbesondere bevorzugt 0,3 cm bis 8 cm auf. Vorzugsweise weist das Trägerelement einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, welcher an die Ausdehnung der Halbleiterschicht an- gepasst ist.

Die Halbleiter-Saatsubstrate werden bevorzugt ersetzt, wenn sie„verbraucht" sind . Dies kann sich durch U nterschreiten einer vorgegebenen Mindestdicke, nach Durchlaufen einer vorgegebenen Anzahl von Prozesszyklen oder durch individuelle Kontrolle, insbesondere auf Brüche oder stark inhomogene Abn utzungen zeigen . H ierzu kann beispielsweise mittels Ätzen die stoffliche Verbindung vollständig entfernt werden , so dass die Saatsubstrate von dem Trägerelement entfernt werden können . Anschließend wird das Trägerelement wiederverwendet, indem neue Saatsubstrate mittels stofflicher Verbindung an dem Trägerelement angeordnet werden .

I n einer bevorzugten Ausführungsform wird die Dicke der Saatsubstrate erhöht, um einer zu starken Abnutzung entgegenzuwirken . Hierzu wird somit Material der Saatsubstrate auf der dem Trägerelement abgewandten Seite der Saatsubstrate aufgebracht, bevorzugt epitaktisch aufgebracht. I n diesem Fall wird somit keine Zwischenschicht und insbesondere keine Porosifizierung der Oberfläche der Saatsubstrate vorgenommen , da die neu aufgebrachte Schicht dauerhaft auf der Oberfläche der Saatsubstrate verbleiben soll .

I n diesem Ausführungsbeispiel wird die Dicke der Saatsubstrate somit mittels Epitaxie wieder erhöht, so dass eine weitere Verwendung im vorbeschriebenen Prozesskreislauf möglich ist. Die Erhöhung der Dicke der Saatsubstrate erfolgt bevorzugt bei U nterschreiten einer vorgegebenen Mindestdicke, nach Durchlaufen einer vorgegebenen Anzahl von Prozesszyklen oder durch individuelle Kontrolle, insbesondere optische Kontrolle.

Weitere bevorzugte Merkmale und Ausführungsformen werden im Folgenden anhand der Figuren und von Ausführungsbeispielen erläutert. Dabei zeigt: Figur 1 eine Teilschnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Trägerelementes mit stofflich verbundenen

Saatsubstraten ;

Figur 2 eine perspektivische Teilansicht des Trägerelementes gemäß Figur

1 ;

Figur 3 einen Zwischenschritt eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens mit aufgebrachtem Verbindungsmaterial ;

Figur 4 einen weiteren Zwischenschritt des Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens nach Durchführen eines Trennschnitts;

Figur 5 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Trägerelementes mit Abstandhaltern ;

Figur 6 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Trägerelementes mit lösbar anbringbaren Halteelementen ;

Figur 7 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindu ngsgemäßen Trägerelementes mit beidseitig angeordneten Saatsubstraten ;

Figur 8 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Trägerelementes mit lösbar anbringbaren Halteelementen und großflächig stofflicher Verbindung zwischen Saatsubstrat und Trägerelement und

Figur 9 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Trägerelements mit stofflich verbundenen Saatsubstraten , wobei die stoffliche Verbindung an den Stirnseiten des Saatsubstrates sowie umlaufend begrenzt an der dem Trägerelement zugewandten Seite des Saatsubstrates erfolgt.

Sämtliche Figuren zeigen schematische, nicht maßstabsgetreue Darstellungen . Gleiche Bezugszeichen bezeichnen gleiche oder gleichwirkende Elemente. Figur 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Trägerelementes 1 , an welchem an einer Oberseite mehrere Saatsubstrate 2 angeordnet sind .

Das Trägerelement ist ausgebildet als Graphitplatte und zur Anordnung von 3x3 Saatsubstraten 2 ausgebildet. Das Trägerelement weist eine Dicke von 1 0 mm auf. Die Saatsubstrate sind als Siliziumwafer mit einer quadratischen Grundform ausgebildet, wobei die Kantenlänge vorliegend 1 57 mm beträgt. Die Saatsubstrate weisen eine p-Dotierung mittels Bor als Dotierstoff, im Bereich 1 x1 0 ¹⁸ At./cm ³ bis 1 x1 0 ¹⁹ At./cm ³ , vorliegend etwa 5x1 0 ¹⁸ At./cm ³ auf.

An den seitlichen Stirnseiten der Saatsubstrate 2 ist jeweils zwischen den Saatsubstraten eine stoffliche Verbindung 3 angeordnet. Die stoffliche Verbindung ist aus n-dotiertem Silizium mit Phosphor als Dotierstoff ausgebildet, mit einer Dotierkonzentration im Bereich 5x1 0 ¹⁴ At./cm ³ bis 3x1 0 ¹⁵ At./cm ³ , vorliegend 9x1 0 ¹⁴ At./cm ³ cm ^"3 .

Die stoffliche Verbindung 3 haftet einerseits an den seitlichen Stirnseiten der Saatsubstrate 2 an und andererseits an der in Figur 1 oben liegend gezeichneten Oberfläche des Trägerelementes 1 . Die Saatsubstrate 2 sind somit mittels der stofflichen Verbindung 3 an dem Trägerelement 1 fixiert. Die stoffliche Verbindung 3 bedeckt dabei mindestens 2 Stirnseiten des Saatsubstrats 2, vorteilhafterweise alle 4 Stirnseiten des Saatsubstrates 2.

Figur 2 zeigt eine perspektivische Teildarstellung des Trägerelementes 1 . Gezeigt ist die rechte untere Ecke, wobei vier Saatsubstrate ersichtlich sind . Lateral zwischen den seitlichen Stirnseiten der Saatsubstrate 2 ist jeweils eine stoffliche Verbindung 3 angeordnet. Die stoffliche Verbindung ist an allen 4 Stirnseiten der Saatsubstrate ausgebildet.

Die Figuren 1 und 2 zeigen somit ebenfalls das Ergebnis eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Anordnen mehrerer Saatsubstrate 2 an einem Trägerelement 1 , wobei die Saatsubstrate 2 mittels stofflicher Verbindung 3 an dem Trägerelement angeordnet werden . Figur 3 zeigt einen Teilschritt dieses ersten Ausführungsbeispiels: Zunächst wurden die Saatsubstrate 2 einzeln an einer Oberfläche porosifiziert, um eine Trennschicht 5 zu erzeugen . Dies wurde mittels des an sich bekannten einseitigen Ätzvorgangs durchgeführt, wie zuvor beschrieben . Anschließend wurden die Saatsubstrate 2 auf dem Trägerelement 1 angeordnet, mit einem lateralen Abstand A im Bereich 0, 1 mm bis 1 0 mm, vorliegend 2 mm, wobei die an der Oberfläche der Saatsubstrate 2 mittels Porosifikation ausgebildete Trennschicht 5 an der dem Trägerelement 1 abgewandten Seite angeordnet wurde.

Anschließend wu rde das Trägerelement in einer Anlage zur CVD-Abscheidung geführt und mittels chemischer Gasphasenabscheidung Silizium abgeschieden . Das Ergebnis ist in Figur 3 dargestellt:

Die Abscheidung führte zur Ausbildung der stofflichen Verbindung 3, welche die seitlichen Stirnseiten der Saatsubstrate 2 mit dem Trägerelement 1 verbindet. Darüber hinaus erfolgte jedoch auch eine Abscheidung einer parasitären stofflichen Verbindung 4 auf den Saatsubstraten 2. Da an den Oberflächen der Saatsubstrate 2 jedoch eine Trennschicht 5 ausgebildet wurde, kann in einem nachfolgenden Schritt in einfacher Weise ein Abtrennen der parasitären stofflichen Verbindung 4 erfolgen , so dass nur die stoffliche Verbindung 3 verbleibt. I m Bereich zwischen parasitärer stofflicher Verbindung 4 und stofflicher Verbindung 3 bricht die stoffliche Verbindung durch . H ier wird in einer bevorzugten Ausführungsform anschließend mechanisch oder mittels Ätzen die stoffliche Verbindung 3 eingeebnet, so dass die dem Trägerelement 1 abgewandte Seite der stofflichen Verbindung 3 eine ebene Fläche mit der dem Trägerelement 1 abgewandten Seite der Saatsubstrate 2 bildet.

Alternativ kann die parasitäre stoffliche Verbindung 4 mechanisch entfernt werden , insbesondere abgeschliffen werden . Hierzu ist das Ausbilden einer Trennschicht 5 nicht zwingend notwendig. Weiterhin kann alternativ die parasitäre stoffliche Verbindung 4 mittels Ätzen entfernt werden . H ier ist ebenfalls eine Trennschicht 5 nicht zwingend notwendig. I n dieser vorteilhaften Ausgestaltung ist es insbesondere vorteilhaft, dass die Saatsubstrate 2 eine entgegengesetzte Dotierung zu der stofflichen Verbindung 3 aufweisen . I n diesem Fall kann ein Ätzvorgang mittels eines Elektrolyten und Einprägen eines Ätzstroms durchgeführt werden , welcher selektiv lediglich die stoffliche Verbindung 3 ätzt und somit an der Oberfläche der Saatsubstrate 2 stoppt.

I n einer weiteren vorteilhaften Abwandlung wird vor Entfernen der parasitären stofflichen Verbindung 4 ein Trennschnitt im Bereich A durchgeführt, insbesondere mittels Laserablation , welcher in etwa die Tiefe der Dicke der parasitären stofflichen Verbindung 4 aufweist. Auf diese Weise wird besonders effizient vermieden , dass bei Entfernen der parasitären stofflichen Verbindung 4 eine Beschädigung oder Verringerung der Haftkraft der stofflichen Verbindung 3 auftritt.

Figur 4 zeigt einen weiteren Teilschritt des ersten Ausführungsbeispiels: Nach Anordnen der Saatsubstrate 2 mittels stofflicher Verbindung 3 und Entfernen der parasitären stofflichen Verbindung 4 wurde die Oberfläche der Saatsubstrate 2 vorbehandelt: Mittels einseitiger Benetzung mit einem Elektrolyten und Aufprägen eines Ätzstroms wurde wie zuvor beschrieben eine Trennschicht 5 auf den Oberflächen der Saatsubstrate 2 mittels Porosifikation erzeugt. Hier zeigt sich ein Vorteil der vorliegenden Erfindung: Das Ausbilden der Trennschicht an der Oberfläche der Saatsubstrate 2 kann erfolgen , ohne die Saatsubstrate von dem Trägerelement 1 zu lösen , so dass in effizienter Weise sämtliche an dem Trägerelement 1 angeordnete Saatsubstrate 2 an der Oberfläche in einem Verfahrensschritt behandelt werden können .

Nach Ausbilden der Trennschicht 5 wurde das Trägerelement 1 mit den

Saatsubstraten 2, welche mittels stofflicher Verbindung 3 an dem Trägerelement 1 fixiert sind , in eine CVD-Anlage geführt, um in an sich bekannter Weise eine Halbleiterschicht 6 abzuscheiden . I n diesem Ausführungsbeispiel erstreckt sich die Halbleiterschicht 6 über sämtliche Saatsubstrate 2 und die dazwischenliegende stoffliche Verbindung 3, wie in Figur 4 dargestellt.

Zum Ablösen der Halbleiterschicht 6 erfolgt zunächst eine Vereinzelung mittels Trennschnitten B. Diese Trennschnitte werden ebenfalls mittels Laserablation durchgeführt und trennen die Halbleiterschicht 6 entlang der stofflichen Verbindung 3, d . h . entlang der Zwischenräume zwischen den Saatsubstraten 2, so dass im Ergebnis jedem Saatsubstrat 2 eine Halbleiterschicht 6 zugeordnet ist, welche jeweils ein Teil der zuvor überdeckenden Halbleiterschicht 6 darstellt. Der Trennschnitt B ist derart gewählt, dass er zumindest die Dicke der Halbleiterschicht 6 vollständig durchtrennt und vorsorglich geringfügig (vorliegend etwa 0,05 mm) in die stoffliche Verbindung 3 eingreift, um eine vollständige Durchtrennung der Halbleiterschicht 6 sicherzustellen . Der Trennschnitt B durchgreift die stoffliche Verbindung 3 jedoch nur geringfügig und keineswegs vollständig, so dass die Haftwirkung der stofflichen Verbindung 3 nicht beeinträchtigt ist.

Anschließend erfolgt ein mechanisches Ablösen der einzelnen Halbleiterschichten 6 von den Saatsubstraten 2.

Aufgrund der vorliegend entgegengesetzten Dotierung zwischen Saatsubstraten 2 einerseits und stofflicher Verbindung 3 andererseits kann sich die Trennschicht 5 im Bereich der stofflichen Verbindung 3 auch dünner oder gar nicht ausbilden . I n diesem Fall bildet sich bei Abscheiden der Halbleiterschicht 5 eine stabilere Verbindung zwischen Halbleiterschicht 6 und stofflicher Verbindung 3 aus. Durch den Trennschnitt B kann jedoch auch in diesem Fall ein bruchunan- fälliges Ablösen der vereinzelten Halbleiterschichten erfolgen . Bevorzugt weist in diesen Fällen der Trennschnitt B eine Breite auf, welche zumindest 90% des Abstandes zwischen den Saatsubstraten entspricht, insbesondere bevorzugt 90% bis 99%. Ebenso kann der Trennschritt die volle Breite des Abstands zwischen den Saatsubstraten oder eine größere Breite als der Abstand zwischen den Saatsubstraten aufweisen , um eine Verbindung der Halbleiterschicht mit dem Bereich zwischen den Saatsubstraten sicher zu vermeiden .

I n einem alternativen Ausführungsbeispiel weist die stoffliche Verbindung 3 den gleichen Dotierungstyp wie die Saatsubstrate 2, bevorzugt auch den gleichen Dotierstoff und insbesondere bevorzugt auch die gleiche Dotierkonzentration auf. Hierdurch wird gewährleistet, dass sich die Trennschicht 5 zwischen den Halbleitersubstraten 2 auch über die stoffliche Verbindung 3 erstreckt.

Wie in Figur 4 ersichtlich , ergibt sich hierdurch der Vorteil , dass die Halbleiterschichten 6 geringfügig größer sind , als die Saatsubstrate 2, aufgrund der Ü berlappung der stofflichen Verbindung 3. I n einer weiteren Nachbehandlung kann somit eine Kantendefinition der Halbleiterschicht 6 erfolgen , in dem zum Beispiel mittels Laserschneiden umlaufend der Randbereich der Halbleiterschicht 6 abgeschnitten wird , um die Größe des Saatsubstrates 2 zu erzielen . H ierdurch ist zum einen eine exakte Kantendefinition und eine exakte Form gegeben , darüber hinaus sind Randbereiche, in denen auf Kristallebene oder bei Abscheiden einer dotierten Halbleiterschicht auf Dotierebene Unregelmäßigkeiten vorliegen können entfernt, so dass eine qualitativ hochwertige Halbleiterschicht 6 erzielt wird .

Anschließend erfolgt erneut eine Oberflächendefinition der Saatsubstrate 2, in dem die an dem Trägerelement 1 mittels der stofflichen Verbindung 3 fixierten Saatsubstrate 2 erneut wie zuvor beschrieben mit einer Trennschicht 5 versehen werden . Anschließend erfolgt erneut das Abscheiden einer Halbleiterschicht 6. H ier ist anzumerken , dass ein gegebenenfalls in dem zuvor erfolgten Trennschnitt B erfolgte teilweise Entfernung der stofflichen Verbindung 3 bei dem nun erneuten Abscheiden einer Halbleiterschicht 6 durch Halbleitermaterial wieder aufgefüllt wird . Anschließend erfolgen wiederum ein Trennschnitt und ein Ablösen der nun erneut erzeugten Halbleiterschichten 6.

Dieser Zyklus wird mehrere Male wiederholt, wobei sich bei jedem Durchgang die Dicke der Saatsubstrate aufgrund des Erzeugens der Trennschicht geringfügig verringert. Die Dicke der Saatsubstrate von 1 00 pm bis 2 mm , vorliegend 0,5 mm , erlaubt jedoch eine Durchführung des Verfahrens mit 1 00 Zyklen .

H ier zeigt sich somit ein besonderer Vorteil der vorliegenden Erfindung: Die Verfahrensschritte zum Anordnen der Saatsubstrate an dem Trägerelement mittels der stofflichen Verbindung 3 müssen lediglich einmalig durchgeführt werden und anschließend kann eine Vielzahl von Prozessdurchläufen zum Herstellen von Halbleiterschichten 6 vorgenommen werden .

H ier ist auch relevant, dass in jedem Verfahrensschritt, insbesondere auch bei Ablösen der Halbleiterschichten 6 die Saatsubstrate 2 das Bruchrisiko der Saatsubstrate 2 deutlich verringert ist.

Haben die Saatsubstrate 2 eine Mindestdicke unterschritten , so kann beispielsweise mittels Ätzen die stoffliche Verbindung 3 vollständig entfernt werden , so dass die Saatsubstrate von dem Trägerelement 1 entfernt werden können . Anschließend wird das Trägerelement wiederverwendet, indem neue Saatsubstrate 2 mittels stofflicher Verbindung wie zuvor beschrieben an dem Trägerelement 1 angeordnet werden .

I n einem alternativen Ausführungsbeispiel wird die Dicke der Saatsubstrate 2 mittels Epitaxie wieder erhöht, so dass eine weitere Verwendung im vorbeschriebenen Prozesskreislauf möglich ist.

Figur 5 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Trägerelementes. Dieses Ausführungsbeispiel weist Abstandselemente 7 auf, welche einstückig mit dem Trägerelement 1 a ausgebildet sind . H ierbei sind an jeder Seite der Saatsubstrate 3 Abstandselemente 7 etwa gleich verteilt angeordnet, so dass ein zwischen die Abstandselemente 7 eingelegtes Saatsubstrat 2 lateral in beide Raumrichtungen fixiert ist. Die Abstandselemente 7 weisen jedoch eine geringere Höhe als die Saatsubstrate 2 auf. Durch die Abstandselemente 7 wird vermieden , dass bei dem nachfolgenden Erzeugen der stofflichen Verbindung 3 aufgrund äußerer Einflüsse wie Vibrationen oder Stöße ein Verrutschen der Saatsubstrate 2 erfolgt. In den Bereichen , in welchen die Abstandselemente 7 angeordnet sind , wird die stoffliche Verbindung 3 auf den Abstandselementen 7 angeordnet. Zwischen den Abstandselementen 7 ergibt sich hingegen ein Querschnitt wie beispielsweise in Figur 1 dargestellt.

Figur 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Trägerelementes: Das Trägerelement 1 b weist Bohrungen auf, in welche mit einem Gewinde versehene Halteelemente 8 eingeschraubt werden können . Mittels dieses Trägerelementes 1 b werden somit zunächst die Saatsubstrate 2 aufgelegt und anschließend durch Einschrauben der Halteelemente 8 fixiert, so dass die Saatsubstrate 2 in allen drei Raumrichtungen fixiert sind , da die Halteelemente 8 mit einem Pilzkopf ausgebildet sind .

Anschließend erfolgt das Erzeugen einer stofflichen Verbindung 3. Diese fixiert somit die Saatsubstrate 2 an dem Trägerelement 1 b in den Bereichen , in denen sich kein Halteelement 8 befindet. Anschließend können die Halteelemente 8 in einfacher Weise durch Herausschrauben gelöst werden . Bei einem nachfolgen- den Verfahrensschritt, in welchem die Halbleiterschicht abgeschieden wird , werden die Gewinde und die zuvor durch die Halteelemente 8 ausgeführten Zwischenbereiche zwischen den Saatsubstraten 2 ebenfalls durch das Material der Halbleiterschicht gefüllt.

I n Figur 7 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. Dieses Verfahren entspricht grundsätzlich dem ersten Ausführungsbeispiel . Zusätzlich wurde jedoch nach Fixieren der Saatsubstrate 2 an einer ersten Seite des Trägerelementes 1 c mittels der stofflichen Verbindung 3 durch U mdrehen des Trägerelementes 1 c der Vorgang wiederholt, indem nochmals auf die nun nicht belegte, oben liegende Seite des Trägerelementes 1 c Saatsubstrate 2 angeordnet und mittels stofflicher Verbindung 3 fixiert werden .

H ierdurch ergibt sich eine beidseitige Belegung mit Saatsubstraten , wie in Figur 7 dargestellt. Dies erlaubt eine besonders effiziente Ausnutzung einer Abscheideanlage für die Halbleiterschicht 6.

I n einem weiteren Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Trägerelementes 1 d erfolgt eine besonders stabile, flächige Fixierung der Saatsubstrate 2 an dem Trägerelement 1 d . Wie in Figur 8 ersichtlich, weist das Trägerelement 1 d eine durchgehende Füllöffnung 9a und eine Verbindungswanne 9b auf. H ierbei werden nach Auflegen der Saatsubstrate 2 auf das Trägerelement 1 d die

Saatsubstrate 2 zunächst mittels Einschrauben von Halteelementen 8 analog zu dem Vorgehen gemäß Figur 6 fixiert. Anschließend erfolgt ein Zuführen von Material zum Ausbilden der stofflichen Verbindung 3 durch die Füllöffnung 9a in die Verbindungswanne 9b. Hierbei verhindern die Halteelemente 8 ein Abheben der Saatsubstrate 2 nach oben . Durch die Verbindungswanne 9b wird eine großflächige stoffliche Verbindung zwischen Saatsubstrat 2 und Trägerelement 1 d erzielt.

Anschließend erfolgt ein Lösen der Halteelemente 8 und das Vorbehandeln der Saatsubstrate 2 und Abscheiden einer Halbleiterschicht 6 wie zuvor beschrieben .

I n Figur 9 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Trägerelementes 1 e dargestellt. Dieses Trägerelement 1 e weist ebenfalls Verbindungswannen 9c auf, die jedoch die Zwischenräume zwischen den Saatsubstraten 2 an der den Saatsubstraten 2 zugewandten Seite des Trägerelementes 1 e überdecken. I n diesem Ausführungsbeispiel ist somit keine Füllöffnung notwendig: Nach Auflegen der Saatsubstrate 2 auf das Trägerelement 1 e erfolgt bei Ausbilden der stofflichen Verbindung 3 auch ein Füllen der Verbindungswannen 9c mit stofflicher Verbindung 3. Die Verbindungswannen 9c untergreifen in einem Randbereich der dem Trägerelement 1 e zugewandten Rückseite der Saatsubstrate 2 die Saatsubstrate, so dass eine stoffliche Verbindung zwischen Trägerelement 1 e nicht nur an den seitlichen Stirnseiten der Saatsubstrate 2, sondern auch in Randberei- chen der Rückseite der Saatsubstrate 2 erfolgt. Hierdurch ist ebenfalls eine besonders stabile Fixierung gewährleistet.