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Title:
METHOD FOR CHAMFERING/MACHINING BRITTLE MATERIAL SUBSTRATE AND CHAMFERING/MACHINING APPARATUS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/078324
Kind Code:
A1
Abstract:
Provided is a method for chamfering/machining brittle material substrates, by which the substrate surfaces can be chamfered or rounded. A laser beam is applied to an edge line (EL) where chamfering/machining is to be performed such that the laser beam passes through the substrate, and a light collecting member (15) is arranged on an optical path of the laser beam, and a laser beam collecting point is formed on a surface or inside of the substrate in the vicinity of the edge line. The light collecting point within a range that corresponds to a width to be chamfered/machined is scanned within a surface that intersects with the edge line, and chamfering/machining is performed along the scanning track of the light collecting point by abrasion in the vicinity of the light collecting point.

Inventors:
KUMATANI, Issei (LTD. 2-12-12 Minami-Kaneden, Suita-cit, Osaka 44, 5640044, JP)
熊谷 一星 (〒44 大阪府吹田市南金田2丁目12番12号 三星ダイヤモンド工業株式会社内 Osaka, 5640044, JP)
SUNATA, Tomihisa (LTD. 2-12-12 Minami-Kaneden, Suita-cit, Osaka 44, 5640044, JP)
Application Number:
JP2008/072471
Publication Date:
June 25, 2009
Filing Date:
December 11, 2008
Export Citation:
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Assignee:
MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD. (2-12-12, Minami-Kaneden Suita-cit, Osaka 44, 5640044, JP)
三星ダイヤモンド工業株式会社 (〒44 大阪府吹田市南金田2丁目12番12号 Osaka, 5640044, JP)
KUMATANI, Issei (LTD. 2-12-12 Minami-Kaneden, Suita-cit, Osaka 44, 5640044, JP)
熊谷 一星 (〒44 大阪府吹田市南金田2丁目12番12号 三星ダイヤモンド工業株式会社内 Osaka, 5640044, JP)
International Classes:
B23K26/06; B23K26/08; B23K26/36; B28D5/00; C03B29/08
Attorney, Agent or Firm:
KASHIMA, Yoshio (409 Yuni Higashi-Umeda, 7-2 Minami Ogi-machi, Kita-ku,Osaka-cit, Osaka 52, 5300052, JP)
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Claims:
脆性材料基板の面取り加工を行うエッジラインに対し基板内を透過するようにレーザビームを照射するとともに、レーザビームの光路上に集光部材を配置してエッジライン近傍の基板表面又は基板内部にレーザビームの集光点を形成し、
 前記エッジラインに交差する面内で、面取り加工の加工予定幅に対応する範囲に対して前記集光点を走査し、
 前記集光点近傍のアブレーション処理により集光点の走査軌跡に沿った面取り加工を行うことを特徴とする脆性材料基板の面取り加工方法。
前記エッジラインに沿って前記集光点を相対移動させながら、前記エッジラインに交差する面内での前記集光点の走査を繰り返すことによりエッジラインに沿って面取り加工を行う請求項1に記載の面取り加工方法。
前記集光点の基板内の深さ位置を、面取り加工の加工予定深さに合わせて面取り加工を行う請求項1に記載の面取り加工方法。
前記エッジラインの方向への前記集光点の相対移動を複数回繰り返し、相対移動の移動回数が増えるごとに集光点の深さ位置を基板内部側にシフトする請求項2に記載の面取り加工方法。
脆性材料基板の面取り加工を行う面取り加工装置であって、
 レーザ光源と、
 前記レーザ光源から放射されたレーザビームを集光する集光部材と、
 前記レーザ光源と前記集光部材との間のレーザビームの光路に設けられ、レーザ光源から放射されたレーザビームの集光部材への照射位置を走査して集光部材から出射するレーザビームにより形成される集光点が走査されるようにレーザビームの進行方向を偏向するビーム偏向部と、
 前記基板内を前記レーザビームが透過して面取り加工を行うエッジライン近傍の基板表面又は基板内部で前記集光点がエッジラインと交差する面内で走査されるようにするとともに、エッジラインが空間に開放された状態で前記基板を支持する基板支持部とを備えたことを特徴とする面取り加工装置。
前記集光点が前記エッジラインに沿って相対移動するように基板側又はレーザビーム側を移動させる送り機構を備えた請求項5に記載の面取り加工装置。
前記基板支持部は基板を水平に載置するテーブルからなり、前記集光部材およびビーム偏向部は基板に対しレーザビームが斜め入射するように配置される請求項5に記載の面取り加工装置。
前記集光部材およびビーム偏向部は基板に対しレーザビームが上方から斜め入射するように配置され、面取り加工を行うエッジラインがテーブル面の外側に離れた位置で下方に向けて開放された状態で支持される請求項7に記載の面取り加工装置。
ビーム偏向部はガルバノミラー又はポリゴンミラーにより構成される請求項5に記載の面取り加工装置。
集光部材が、凸レンズ又は実質的に凸レンズと等価な集光点を形成する凹面鏡からなる請求項5に記載の面取り加工装置。
集光部材が、fθレンズ又は実質的にfθレンズと等価な集光点を形成する非球面鏡からなる請求項5に記載の面取り加工装置。
集光部材は、ビーム偏向部によりレーザビームの集光部材への照射位置が走査されたときに集光部材から出射するレーザビームにより形成される集光点の軌跡が凸状の自由曲線を描くように光学パラメータが定められた非球面レンズ又は非球面鏡からなる請求項5に記載の面取り加工装置。
Description:
脆性材料基板の面取り加工方法 よび面取り加工装置

 本発明は、脆性材料基板の端面に形成され エッジライン(稜線)の面取り加工方法に関 、さらに詳細にはレーザビームの照射によ エッジラインのR面取りまたはC面取りを行う 面取り加工方法および面取り加工装置に関す る。
 ここで加工対象となる脆性材料基板には、 ラス基板のほか、石英、単結晶シリコン、 ファイヤ、半導体ウェハ、セラミック等の 板が含まれる。

 ガラス基板等の脆性材料基板は、所望の寸 、形状に加工することにより各種の製品に いられている。一般に、脆性材料基板の加 は、ダイシング、ホイールスクライブ、レ ザスクライブ等の既存の加工技術により行 れるが、これらの加工技術により分断され 基板端面のエッジラインは非常に鋭く、わ かな衝撃が加わるだけでもチッピングやマ クロクラック等の不具合が生じる。例えば フラットパネルディスプレイ(FPD)用のガラ 基板では、エッジが欠けることにより発生 た破片がFPD用基板の表面に傷を付ける原因 なり、製品の歩留まりに影響を与える。
 そのため、基板を分断した後に発生する基 のエッジ部分の欠け等を防止するために、 ッジラインに沿って面取り加工が行われて る。

 従来からの面取り加工のひとつに、多量 水を供給しつつダイヤモンド砥石により研 するウェット研磨法がある。しかしながら ウェット研磨法により形成される面取り加 面には、微小なクラックが連続的に残存し おり、面取り加工面の強度は周囲より著し 低下することになっていた。

 これに対し、面取り加工を行おうとする ッジラインに沿ってレーザビームを走査し エッジラインに沿って、レーザビームの焦 が移動することによりエッジ上が加熱溶融 ることにより面取りを行う加熱溶融法が提 されている。たとえばガラス部材全体を常 より高い温度に保持(余熱)した状態で、稜 部近傍をレーザ加熱して稜線部を軟化させ 丸くすることにより面取りを行う方法が開 されている(特許文献1参照)。

 図8は、CO 2 レーザ光源を用いて加熱溶融法により面取り 加工を行う際のレーザ照射状態を示す断面図 である。予め、図示しないヒータを用いてガ ラス基板10全体を軟化温度より低い所定温度 徐々に加熱しておき、続いて所定温度に保 されたガラス基板10の面取り加工を行うエ ジライン51に沿って、CO 2 レーザ光源50からのレーザ光を集光レンズ53 より集光し、焦点を加工部分近傍に合わせ 走査する。その際、レーザ出力、走査速度 調整することにより、レーザ照射されたエ ジ部分が高温になって軟化するようにし、 れによりレーザ照射されたエッジ部分が丸 を帯びるように加工する。

 この場合、予備加熱、加工後の冷却に時 がかかる。また、基板全体を予備加熱する 要があり、加熱できないデバイスやセンサ の機能膜が基板上に既に形成されている場 には、この方法による面取り加工を実施で ない場合もある。また、余熱が不十分であ ば熱応力により割れ(クラック)が発生し、 好な面取り加工ができなくなる。さらに、 述した加熱溶融法による面取り加工では、 融部分が変形してその一部(丸みを帯びた部 の一部)が周囲よりも膨れてしまい、基板端 面の平坦度が損なわれることがある。

 加熱溶融法とは異なり、予備加熱の必要 ないレーザ照射による面取り方法として、 ッジ近傍にレーザ光を照射して加熱するこ でガラス基板10にクラックを発生させ、レ ザ光を相対的にエッジライン方向に走査す ことによりクラックをエッジラインに沿っ 成長させ、ガラス基板からエッジ近傍を分 することにより面取りを行うレーザスクラ ブ法が開示されている(特許文献2)。

 図9は、CO 2 レーザ光源を用いてレーザスクライブにより 面取り加工を行う際のレーザ照射状態を示す 図である。ガラス基板10のエッジライン51付 にCO 2 レーザ光源50からのレーザ光を集光レンズ53 より局所的に照射し、軟化温度より低い温 で加熱する。このとき局所的熱膨張にとも う熱応力によってクラック52が発生する。そ して、エッジライン51に沿ってレーザ光を走 することにより、順次発生するクラック52 エッジライン51に沿って成長し、エッジライ ン51を含むエッジ近傍(角部分)が分離される
 特許文献2によれば、レーザスクライブによ る面取り加工を行うことにより、ガラス基板 の精度を損なうことなく、高い生産性と洗浄 工程を必要としない面取り加工を施すことが できるとされている。

特開平2-241684号公報

特開平9-225665号公報

 ここで、レーザスクライブによる面取り加 によって形成される加工面について説明す 。図10は、CO 2 レーザを用いたレーザスクライブにより面取 り加工を行ったときの加工断面の拡大図であ る。

 面取り加工により、ガラス基板10の角部分U 分離(剥離)され、ガラス基板10のエッジライ ン53は角部分Uとともに消失するが、新たに面 取り加工面54が形成される。
 この面取り加工面54の断面形状を観察する 、ガラス基板10側に凹んだ円弧形状の逆R面 有している。面取り加工面54が凹んでいる結 果、ガラス基板Sの基板表面55、56との交差部 には、2つのエッジライン57、58が形成され ことになる。これらエッジライン57、58は、 初のエッジライン53に比べるとエッジの鋭 は改善されているが、それでも凹みが大き なると、鋭利なエッジが形成されてしまう とになる。
 特にフラットパネルディスプレイ用(FPD用) ラス基板では、エッジライン57、58の直上にT ABテープが配線されることがあり、面取り加 後に、この部分に鋭利なエッジが残ってい とTABテープが断線される可能性が高くなる
 そのため、面取り加工面54は、凹みをなく 、面取り部分が平面であるC面、あるいは、 側に向けて凸状になるR面にすることが求め られている。

 しかしながら、上述したような従来のCO 2 レーザを用いたレーザスクライブ法による面 取り加工面54ではどうしても面取り加工面に みが発生してしまう。これはエッジライン5 3に照射するレーザの照射方向を変化させた しても、結果はほぼ同じであり、面取り加 面の形状を制御することが困難であった。

 近年、フラットパネルディスプレイ(FPD) ガラス基板等では、従来よりも大型のガラ 基板が用いられ、ガラス基板の大型化に伴 て、基板の加工品質についても、これまで 上に高い精度や信頼性が求められるように ってきている。面取り加工面の形状につい も、これまで以上に高い精度と信頼性が求 られている。

 そこで本発明は、レーザ照射により形成 れる面取り加工面を、逆R面ではなく、C面 るいはR面、あるいは外側に向けて凸になる 面にすることができる面取り加工方法およ 面取り加工装置を提供することを目的とす 。

 上記課題を解決するためになされた本発明 面取り加工方法は、面取り加工を行うエッ ラインを、そのエッジラインの前方の空間 らレーザビームを照射して加熱するのでは く、基板の裏側から基板内を透過したレー ビームをエッジライン近傍で集光させると もに、エッジラインに交差する面内を走査 ながら加熱し、アブレーションによって面 り加工を行うようにしている。
 すなわち、脆性材料基板の面取り加工を行 エッジラインに対し基板内を透過するよう レーザビームを照射するとともに、レーザ ームの光路上に集光部材を配置してエッジ イン近傍の基板表面又は基板内部にレーザ ームの集光点を形成し、エッジラインに交 する面内で、面取り加工の加工予定幅に対 する範囲に対して集光点を走査し、集光点 傍のアブレーション処理により集光点の走 軌跡に沿った面取り加工を行う。

 ここで、脆性材料基板には、ガラス基板、 英基板、シリコン基板、サファイヤ基板、 リコンその他の半導体ウェハ、セラミック 板が含まれる。
 脆性材料基板に照射するレーザビームは、 取り加工を行う基板材料に応じて適当な波 のレーザ光が選択される。すなわち、レー ビームを集光させながら基板に照射したと に、集光点近傍で多光子吸収によるアブレ ション現象が発生し、集光点近傍以外のレ ザビームが通過する光路上ではほとんど吸 されない波長光が用いられる。
 具体的には、例えばガラス基板では、波長 193nmから1064nmのレーザを用いることができ レーザ光源としてNd-YAGレーザ、ArFエキシマ ーザ、KrFエキシマレーザなどを使用できる また、例えばシリコン基板では、波長が1100n m以上のレーザを用いることができる。
一方、加工対象物に対して吸収率が大きく基 板内をほとんど透過させることができないレ ーザ光源は、本発明の面取り加工に用いるこ とができない。例えばガラス基板では、CO 2 レーザやCOレーザ(波長5.3μm)は、吸収率が大 いため、ガラス基板内をほとんど透過させ ことができないため、加工対象物がガラス 板である場合、本発明で用いる面取り加工 のレーザ光源からは除外される。

 レーザビームの光路上に配置する集光部材 、集光機能を奏する光学素子であればよい 具体的には凸レンズ(複数枚の組み合わせ凸 レンズも含む)、あるいは凹面鏡を用いるこ ができる。また、面取り加工面を所望の曲 (但し集光するために凸状にする)にする場合 は、後述するビーム偏向部により、その曲面 形状に沿って集光点が走査されるように、集 光部材の光学パラメータ(屈折率、曲率半径 曲面形状等)を調整する。
 具体的には集光点の走査軌跡を、球面(R面) 外、例えば放物面にしたり、楕円面にした する。なお、集光部材をいわゆるfθレンズ することにより面取り加工面を平面にする ともできる。

  本発明によれば、脆性材料基板の面取 加工を行うエッジラインに対し、基板内を 過するように、裏側からレーザビームを照 する。このときレーザビームの光路上に集 部材を配置して、エッジライン近傍の基板 面又は基板内部にレーザビームの集光点を 成する。そして、エッジラインに交差する 内で集光点を走査する。この走査は、面取 加工の加工予定幅に対応する範囲を含むよ にする。このようにして、集光させたレー 照射によってアブレーション現象を発生し 集光点近傍を局所的に溶融、除去する。そ て、この集光点を、エッジラインに交差す 面内で走査することにより、走査軌跡に沿 た形状の面取り加工面が形成される。した って、集光部材の光学パラメータにより集 点の走査軌跡を調整するようにして、R面やC 面の面取り加工を行うようにする。

 本発明によれば、レーザ照射によって形 される面取り加工面を、C面、あるいはR面 あるいは外側に向けて凸になる曲面にする とができる。

(その他の課題解決手段および効果)
 上記発明において、エッジラインに沿って 光点を相対移動させながら、エッジライン 交差する面内での集光点の走査を繰り返す とにより、エッジラインに沿って面取り加 を行うようにしてもよい。
 これによれば、エッジラインがエッジライ 全体に面取り加工を行うことができる。こ 場合、エッジラインの起点から終点まで連 的に相対移動させればよいが、深い面取り 工を行うような場合に、場合によって間欠 に相対移動させて十分なエネルギーを与え ことにより、確実に面取り加工を行うよう してもよい。

 上記発明において、集光点の基板内の深さ 置を、面取り加工の加工予定深さに合わせ 面取り加工を行うようにしてもよい。
 これによれば、集光点の基板内の深さ位置 、面取り加工の加工予定深さに合わせてあ ので、走査を行うことにより、予定深さま 一挙に面取り加工を行うことができる。

 上記発明において、エッジラインの方向へ 前記集光点の相対移動を複数回繰り返し、 対移動の移動回数が増えるごとに集光点の さ位置を基板内部側にシフトするようにし もよい。
 これによれば、面取り加工の深さが深いと に、最初は浅く、徐々に深さを増した面取 加工を行うことができる。

 また、上記発明と関連して別の観点から された本発明の面取り加工装置は、脆性材 基板の面取り加工を行う面取り加工装置で って、レーザ光源と、レーザ光源から放射 れたレーザビームを集光する集光部材と、 ーザ光源と集光部材との間のレーザビーム 光路に設けられ、レーザ光源から放射され レーザビームの集光部材への照射位置を走 して集光部材から出射するレーザビームに り形成される集光点が走査されるようにレ ザビームの進行方向を偏向するビーム偏向 と、基板内を前記レーザビームが透過して 取り加工を行うエッジライン近傍の基板表 又は基板内部で前記集光点がエッジライン 交差する面内で走査されるようにするとと に、エッジラインが空間に開放された状態 前記基板を支持する基板支持部とを備える うにしている。

 これによれば、レーザ光源と集光部材と 間のレーザビームの光路上に設けられたビ ム偏向部は、レーザ光源から放射されたレ ザビームの集光部材への照射位置を走査す 。集光部材はレーザビームの照射位置に応 てレーザビームの出射方向を偏向する。そ 結果、集光部材から出射されるレーザビー により形成される集光点が、エッジライン 傍においてエッジラインと交差する面内で 査されるようになり、集光点の走査軌跡に ってアブレーションによる面取り加工面が 成される。このときの集光点の走査軌跡は 集光部材の光学パラメータによって定まる 一般に集光部材で形成される走査軌跡はレ ザビームの進行方向に向かって凸状になる で(例えば集光部材が凸レンズや凹面鏡の場 合の走査軌跡は凸となる弧になる)、集光素 の光学パラメータで定まる凸状の走査軌跡 応じた面取り加工面が形成される。

 上記面取り加工装置において、集光点がエ ジラインに沿って相対移動するように基板 又はレーザビーム側を移動させる送り機構 備えるようにしてもよい。
 これによれば、エッジラインがエッジライ 全体に面取り加工を行うことができる。

 上記面取り加工装置において、基板支持部 基板を水平に載置するテーブルからなり、 光部材およびビーム偏向部は基板に対しレ ザビームが斜め入射するように配置される うにしてもよい。
 これによれば、基板を水平なテーブル上に 定に載置したまま面取り加工を行うことが きる。

 この場合に、集光部材および偏向部は基板 対しレーザビームが上方から斜め入射する うに配置され、面取り加工を行うエッジラ ンがテーブル面の外側に離れた位置で下方 向けて開放された状態で支持されるように てもよい。
 これによれば、面取り加工が行われるエッ ラインが下方に向けられているので、アブ ーションにより除去された基板材料の残渣 下方に拡散することで基板への付着量が低 される。

 上記面取り装置において、ビーム偏向部は ルバノミラー又はポリゴンミラーにより構 されるようにしてもよい。
 ガルバノミラーの場合は反射鏡の揺動運動 より、また、ポリゴンミラーの場合は反射 の回転運動により、集光部材に向かうレー ビームを偏向させることができる。

 上記面取り装置において、集光部材が凸レ ズ又は実質的に凸レンズと等価な集光点を 成する凹面鏡からなるようにしてもよい。
 これによれば、集光点の走査軌跡によって 成される面取り加工面をR面にすることがで きる。

 上記面取り装置において、集光部材が、fθ ンズ又は実質的にfθレンズと等価な集光点 形成する非球面鏡からなるようにしてもよ 。
 これによれば、集光点の走査軌跡によって 成される面取り加工面をC面にすることがで きる。

 上記面取り装置において、集光部材は、ビ ム偏向部によりレーザビームの集光部材へ 照射位置が走査されたときに集光部材から 射するレーザビームにより形成される集光 の軌跡が凸状の自由曲線を描くように光学 ラメータが定められた非球面レンズ又は非 面鏡からなるようにしてもよい。
 これによれば、集光点の走査軌跡によって 成される面取り加工面を、所望の凸状曲面 することができる。

本発明の一実施形態である脆性材料基 の面取り加工装置の構成を示す図。 図1の走査光学系の拡大図。 図1の面取り加工装置の制御系のブロッ ク図。 面取り加工面を深く形成する場合の手 を示す図。 走査光学系の変形例の拡大図。 走査光学系の変形例の拡大図。 走査光学計の変形例の拡大図。 CO 2 レーザ光源を用いて加熱溶融法により面取り 加工を行う際のレーザ照射状態を示す断面図 。 CO 2 レーザ光源を用いてレーザスクライブ法によ り面取り加工を行う際のレーザ照射状態を示 す図。 CO 2 レーザを用いたレーザスクライブ法により面 取り加工を行ったときの加工断面の拡大図。

符号の説明

  2 スライドテーブル
  7 台座
 11 昇降テーブル
 12 吸着テーブル
 13 レーザ光源 
 14 ガルバノミラー(ビーム偏向部)
 14a ポリゴンミラー
 15 凸レンズ(集光部材)
 15a fθレンズ
 15b 凹面鏡
 16 走査光学系

 以下、本発明の実施形態について図面を用 て説明する。ここでは、ガラス基板につい の面取り加工について説明する。
 なお、本発明は、以下に説明するような実 形態に限定されるものではなく、本発明の 旨を逸脱しない範囲で種々の態様が含まれ ことはいうまでもない。

 図1は、本発明の一実施形態である脆性材 料基板の面取り加工装置LMを示す図である。 2は、図1の走査光学系を示す拡大図である

 面取り加工装置LMは、水平な架台1上に平 に配置された一対のガイドレール3、4に沿 て、図1の紙面前後方向(以下Y方向という)に 復移動するスライドテーブル2が設けられて いる。両ガイドレール3、4の間に、スクリュ ネジ5が前後方向に沿って配置され、このス クリューネジ5に、前記スライドテーブル2に 定されたステー6が螺合されており、スクリ ューネジ5をモータ(図示外)によって正、逆転 することにより、スライドテーブル2がガイ レール3、4に沿ってY方向に往復移動するよ に形成されている。

 スライドテーブル2上には、水平な台座7 ガイドレール8に沿って、図1の左右方向(以 X方向という)に往復移動するように配置され ている。台座7に固定されたステー10aに、モ タ9によって回転するスクリューネジ10が貫 螺合されており、スクリューネジ10が正、逆 転することにより、台座7がガイドレール8に って、X方向に往復移動する。

 台座7上には、高さ方向(以下Z方向という)の 調整を行う昇降テーブル11と、吸引チャック 搭載した吸着テーブル12が設けられており この吸着テーブル12の上に、ガラス基板Gが 平な状態でセットされる。このときガラス 板Gは、面取り加工を行うエッジラインを含 た基板の一部が、吸着テーブル12の外側に び出た状態で吸着される。したがって、面 り加工を行うエッジラインELは下方に向けて 開放された状態で支持される。
 なお、ガラス基板Gはカメラ20および基板に 成されたアライメントマーク(不図示)を利 して位置決めを行い、エッジラインELをY方 に向けるようにする。基板Gが一定である場 には、吸着テーブル12の表面に位置決め用 ガイドを設けておき、基板の一部をガイド 当接させるようにして位置決めを行っても い。

 ガラス基板Gの上方には、レーザ光源13と、 ルバノミラー14(ビーム偏向部)と、凸レンズ 15(集光部材)とが取り付けられている。ガル ノミラー14と凸レンズ15とは走査光学系16を 成する。
 レーザ光源13にはNd-YAGレーザ光源が用いら る。レーザ光源13はXZ面内で出射方向が左斜 下方45度に向けられている。
 ガルバノミラー14は、レーザ光源13から出射 されるレーザビームの光路上に反射鏡を配置 してあり、レーザビームを右斜め下方に出射 するとともに、反射鏡の揺動運動により、ビ ームの出射方向をXZ面内で偏向する。このと のガルバノミラー14の揺動運動の範囲は、 工対象物の面取り加工を行う角度範囲に応 て調整する。
 凸レンズ15は、ガルバノミラー14から出射さ れるレーザビームを集光し、集光点を形成す る。なおレーザビームの強度などは、加工対 象物に形成された集光点で多光子吸収が生じ るように設定される。また、ガルバノミラー 14によって出射方向が偏向されて、レーザビ ムの凸レンズ15への入射位置が走査される 果、凸レンズ15から出射されるレーザビーム による集光点は、XZ面内(すなわちエッジライ ンELに直交する面内)で走査され、走査軌跡が ビームの進行方向に向けて凸状になる。
 例えば図2に示すように、ガルバノミラー14 揺動運動により集光点の走査軌跡はF0、F1、 F2を結ぶ弧R0となる。

 ガルバノミラー14と凸レンズ15とにより形 成される集光点の位置および集光点の走査軌 跡は、一定の位置および軌跡になるので、予 め、集光点の座標(F0,F1,F2の座標)や軌跡(弧R0) 表す関数を幾何学的計算により(または実測 で)求めておくことができる。

 したがって、ガラス基板Gをセットした後 、スライドテーブル2および台座7および昇降 ーブル11によるXYZ方向の位置調整を行うこ により、集光点F0をエッジラインEL上、ある はエッジラインEL近傍に設定した加工予定 の位置に合わせるようにする。

 続いて、面取り加工装置LMの制御系につ て説明する。図3は制御系のブロック図であ 。面取り加工装置LMは、各種制御データ、 定パラメータおよびプログラム(ソフトウェ )を記憶するメモリ、演算処理を実行するCPU からなる制御部50を備えている。

 この制御部50は、スライドテーブル2、台 7の位置決めや移動を行うためのモータ(モ タ9等)を駆動するテーブル駆動部51、吸着テ ブル12の吸引チャックを駆動する吸着機構 動部52、ガルバノミラー14を駆動するビーム 向部駆動部53、レーザ照射を行うレーザ駆 部54の各駆動系を制御する。また、制御部50 、キーボード、マウスなどからなる入力部5 6、および、表示画面上に各種表示を行う表 部57が接続され、必要な情報が画面に表示す るとともに、必要な指令や設定が入力できる ようにしてある。

 次に、面取り加工装置LMによる面取り動作 ついて説明する。基板Gを吸着テーブル12に せ、カメラ20を用いて位置調整を行う。そし てエッジラインELをY方向に向けるとともに、 集光点F0の座標がエッジラインEL上またはこ 近傍の加工予定面の深さにくるようにスラ ドテーブル2、台座7、昇降テーブル11により 置調整する。
 続いて、ガルバノミラー14およびレーザ光 13を駆動してレーザビームをエッジライン近 傍で走査する。その結果、集光点ではアブレ ーションにより基板材料が溶融除去され、面 取り加工面が形成される。

 なお、エッジラインELの全長にわたって 取りを行うときは、スライドテーブル2を一 速度で送り、レーザビームの走査面(XZ面)に 対し基板GをY方向へ移動する。このとき、ス イドテーブル2を間欠的に送り、同じ加工位 置に対して複数回レーザビームが走査される ようにしてもよい。

 また、面取り加工面を深く形成する場合 は、複数回に分けて面取り加工を行う。す わち、図4に示すように、初回の面取り加工 はエッジラインELに近い浅い位置に集光点を 定してY方向へ移動しながら加工を行い、2 目移行は集光点の位置を基板内部側に少し つシフトさせて同様の加工を繰り返すよう する。

 次に、変形実施例について説明する。
 図5は、集光部材を凸レンズ15からfθレンズ1 5aに代えたときの走査光学系の拡大図である この場合は、集光点の走査軌跡がXZ面で直 状になるのでC面の面取り加工を行うことが きる。

 また、レンズの曲面形状、曲率半径、屈 率等の光学パラメータを適宜設計すれば、 望の走査軌跡を描くことができる自由曲面 ンズを作成することができるので、この自 曲面レンズを用いて、面取り加工面を放物 にしたり、楕円面にしたり、任意の自由曲 にすることもできる。さらにレンズによる 査軌跡と同じ軌跡を、レンズに代えて反射 を用いて描かせることもできる。

 図6はビーム偏向部をガルバノミラー14から リゴンミラー14aに代えたときの走
査光学系の拡大図である。図7は集光部材を ンズから凹面鏡15bに代えたときの走査光学 の拡大図である。これらの走査光学系を用 た場合も図2と同様の面取り加工を行うこと できる。

 また、エッジラインELに沿って面取り加 を行う際に、図2の面取り加工装置LMでは基 Gを載せたスライドテーブル2を移動したが、 走査光学系(ガルバノミラー14、凸レンズ15)側 を移動することもできる。

 以上、ガラス基板についての面取り加工 ついて説明したが、他の脆性材料基板につ ても、それぞれの基板材料の吸収特性に応 て使用可能なレーザ光源を選択することに り、同様の面取り加工を実現することがで る。

 本発明は、ガラス基板等の脆性材料基板 面取り加工に利用される。