以下、本発明に係る面取り方法について� ��り詳細に説明するが、本発明はこれらの実� ��形態に何ら限定されるものではない。

 本発明に係る面取り方法の一実施形態を� ��1に示す。図1は、TFT基板1とCF基板2とが微小� ��隙を保持してその周囲をシール部材3で貼着 されてなるLCDの、TFT基板1の外周部を面取り� �る場合の工程図であって、まず、脆性材料� �板のTFT基板1の縁端から所定範囲の領域に、� ��端に沿って、カッタホイール4によってスク ライブがなされる(同図(a))。ここで重要なこ� ��は、カッタホイール4によってスクライブを 行う位置を、縁端から、TFT基板1の厚さaの50%� ��下の距離の領域内とすることである。これ� ��よって、TFT基板1の表面から側端面に向かっ て傾斜したクラックCが形成される。スクラ� �ブを行う位置が、縁端から、TFT基板1の厚さ� ��50%を超える位置であると、スクライブによ� ��て形成されるクラックCが側端面の方向に傾 斜せず略垂直方向に形成され、面取りができ なくなる。スクライブを行うより好適な位置 は、縁端から、TFT基板1の厚さの10%~50%の範囲� ��ある。

 カッタホイール4を用いたスクライブ方法 について具体的に説明する。図2に、カッタ� �イール4を取り付けたカッタヘッド5の概説図 を示す。このカッタヘッド5には、回転軸を� �有する2つの円錐台の底部が交わって、刃先� ��なる円周稜線が形成されたカッタホイール4 が、軸51によって支持枠体52に回転自在に支� �されている。このカッタヘッド5を、スクラ� ��ブ装置に装着し、カッタホイール4をTFT基板 1に圧接させながら、基板1の表面上転動させ� ��。これにより、基板1上にスクライブライン SLが形成され、傾斜クラックCが発生する。こ のときのカッタホイール4にかける荷重及び� �クライブ速度は、基板1の種類や厚みなどか� ��適宜決定されるが、通常、カッタホイール4 にかける荷重は0.05~0.4MPaの範囲、スクライブ� ��度は10~500mm/secの範囲である。

 図2のカッタヘッド5に取り付けるカッタ� �イール4としては、その他、例えば図3に示す ような、回転軸を共有する2つの円錐の底部� �交わって、刃先となる円周稜線が形成され� �カッタホイール4’など、従来公知のものが� ��用できる。カッタホイールの外径は1mm~10mm� �範囲が好ましい。ホイールの外径が1mmより� �小さいと、取り扱い性及び耐久性が低下す� �ことがあり、外径が10mmより大きいと、スク� ��イブの際に傾斜クラックが深く形成されな� ��ことがある。より好ましいホイール外径は1 mm~5mmの範囲である。

 カッタホイールの刃先の形成は、次のよう� ��して形成すればよい。例えば、図4に示すよ うに、カッタホイールの刃先をまず刃先角度 θ ₁ に粗研磨する。そして、刃先角度θ ₁ のカッタホイールが必要な場合は、さらに仕 上げ研磨した後、必要により後述する傾斜溝 を形成する。一方、刃先角度θ ₂ のカッタホイールが必要な場合は、刃先角度 θ ₁ に粗研磨したカッタホイールに仕上げ研磨を 施して刃先角度θ ₂ のカッタホイールを得る(図4の破線)。そして 、前記と同様に、必要により後述する傾斜溝 を形成する。このような二段研磨方式によっ て刃先を形成するようにすると、刃先角度θ ₁ に予め仕上げられたカッタホイールを標準品 として複数備えておけば、わずかな仕上げ研 磨を施すだけで多様な刃先角度のカッタホイ ールを短時間で製造でき、納期短縮が図れる とともに、多品種少量生産にも適応できるよ うになる。なお、上記二段研磨方式は、図3� �び後述する図6のカッタホイールにも適用可� ��である。

 基板表面に対して傾斜したクラックCを形成 するには、図5に示すような、ホイール本体41 の刃先に、カッタホイール4の軸心方向に対� �て所定角度傾斜した傾斜溝42が形成されたも のが好ましい。傾斜溝42のピッチとしては、2 0~200μmの範囲が好ましい。傾斜溝42の両端で� �深さは、深さd ₁ が2~2500μmの範囲、深さd ₂ が1~20μmの範囲が好ましい。なお、傾斜溝42を 側面から見たときの形状は、U字状やV字状、� ��刃状、凹形状などいずれの形状であっても� ��わない。なお、このカッタホイール4を用い てスクライブを行うと、図の下方に向かって 左方向に傾斜したクラックCが形成される。

 あるいは、図6に示すような、2つの外周� �部の刃先の稜線に対する刃先角度が異なる� �のを用いても、基板表面に対して傾斜した� �ラックCを形成することができる。図6に示す カッタホイール43を用いてスクライブを行う� ��、図5のカッタホイールと同様に、図の下方 に向かって左方向に傾斜したクラックCが形� �される。なお、クラックCの傾斜は、通常は� ��刃先の稜線に対する左右の刃先角度の差に� ��例し、左右の刃先角度の差が大きくなるほ� ��クラックCの傾斜は大きくなる。

 さらにまた、刃先の稜線に対する左右の� ��先角度が同じカッタホイールを用いても、� ��ッタホイールの稜線を基板に対して傾斜さ� ��てスクライブを行うことによって、基板表� ��に対して傾斜したクラックを形成すること� ��できる。

 次に、図1(b)に示すように、本発明に係る 面取り方法では、スクライブラインSL及びそ� ��近傍を加熱及び/又は冷却する。TFT基板1を� �熱及び/又は冷却することによって、TFT基板1 の厚み方向に膨張差又は収縮差が生じ、クラ ックCが基板1の側端面まで進展し、TFT基板1の 縁端の角部が切断される。なお、クラックC� �確実に基板の側端面まで進展させるには、� �熱した後、冷却するのが望ましい。

 加熱及び冷却の手段としては、従来公知� ��ものが使用でき、例えば、加熱手段として� ��、レーザ加熱やスチーム加熱、ハロゲンヒ� ��タ等による赤外線加熱が挙げられる。冷却� ��段としては、例えば、二酸化炭素、窒素、� ��リウム、水等の気体状又は液体状の冷却媒� ��の噴霧による冷却が挙げられる。

 そして、図1(c)に示すように、TFT基板1か� �縁端の角部が分断され、カレット61として吸 引除去される。前行程の加熱及び/又は冷却� �よって、TFT基板1の縁端の角部は切断され、� ��の自重によってTFT基板から分離するが、縁� ��の角部の分離が不十分な場合等、外力を加� ��て縁端の角部を分離させても構わない。

 以上、LCDのTFT基板を例に本発明の面取り� ��法を説明したが、PDP用などFPDのガラス基板� ��の脆性材料基板の面取りに本発明の面取り� ��法は適用できる。また、本発明の面取り方� ��の対象となる脆性材料基板としては、ガラ� ��基板の他、例えばセラミック、シリコン、� ��ファイヤ等の各基板が挙げられる。

 また、製品の縁端が閉曲線からなる場合に� ��いても、本発明に係る面取り方法を適用で� ��る。図7にその一例を示す。同図(a)に示すよ うに、ガラス基板7に、閉曲線からなる製品6� ��パターンに沿ってスクライブラインを形成� ��、次いで、カッタホイール4を用いて面取り のためのスクライブを行う。そして、製品6� �パターンのスクライブラインから伸展した� �ラックC ₀ によって製品6をガラス基板7から取り出す。� ��に、同図(b)に示すように、製品6の縁端を加 熱及び/又は冷却して、縁端の角部がクラッ� �Cに沿って分断し、カレット61として吸引除� �する。なお、ガラス基板7から製品6を取り出 した後に、面取りのためのスクライブを製品 6に行い、次いで縁端を加熱及び/又は冷却し� ��縁端の角部を分断してもよい。