以下に、本発明の最良の実施の形態につい� ��、図面を参照しながら説明する。
 図1は、第1実施形態に係る粉粒体材料の除� �乾燥システムの一例を模式的に示す概略説� �図、図2は、同実施形態に係る粉粒体材料の� ��湿乾燥システムの内部構成を示すブロック� ��、図3は、同実施形態に係る粉粒体材料の除 湿乾燥システムで実行される粉粒体材料の除 湿乾燥処理を説明するためのタイムチャート の一例であり、(a)は、排気温度を模式的に示 すタイムチャート、(b)は、バルブ開度及び処 理ガスの流量を模式的に示すタイムチャート 、図4(a)、(b)は、いずれも図3に対応させたタ� ��ムチャートの他例である。
 図例の粉粒体材料の除湿乾燥システムAは、 大略的に、乾燥ホッパユニット20と、除湿ユ� ��ット30と、ホッパ側供給経路40bを含む処理� �ス供給経路40、処理ガス除湿経路41及び処理� ��ス除湿経路の一部を構成する除湿側分岐管4 1bを有した処理ガスの循環経路40,40b,41,41bと、 前記処理ガス除湿経路41から分岐されて形成� ��れた再生側分岐管41cと、再生用冷却ガス経� ��42と、再生用加熱ガス経路43と、バイパス経 路44と、同システムAの適所に設けられた制御 部50(図2参照)とを備えている。

 乾燥ホッパユニット20は、下部が円錐状、� �部が円筒状とされ、上方から順次投入され� �粉粒体材料mを貯留するホッパ本体(乾燥ホッ パ)21と、後記する除湿ユニット30を通過して� ��給される処理ガスを加熱する加熱ヒータ27� �を備えている。
 ホッパ本体21の上方には、材料タンク(不図� ��)などから材料輸送管28を介して輸送されて� ��る粉粒体材料mを一時的に貯留する捕集器26� ��接続されており、捕集器26の下方に形成さ� �た材料投入バルブ22の開閉により、粉粒体材 料mがホッパ本体21内に順次投入される。
 ホッパ本体21内に順次投入され貯留された� �粒体材料mは、後記するように除湿乾燥処理� ��なされて、ホッパ本体21の下方に形成され� �材料排出バルブ23の開閉により、次工程であ る樹脂成形機や一時貯留ホッパ(不図示)など� ��向けて順次排出される。

 このような、粉粒体材料mのホッパ本体21へ� ��投入は、例えば、ホッパ本体21の上方部位� �配設されたレベルゲージなどの材料センサ(� ��図示)の信号に基づいてなされ、材料排出バ ルブ23から排出された量に応じて、順次投入� ��れて、ホッパ本体21内の粉粒体材料mの貯留� ��が略一定となるように制御されている。す� ��わち、ホッパ本体21内に積層状態で貯留さ� �ている粉粒体材料mは、除湿乾燥処理がなさ� ��て、最下層にあるものから順次排出され、� ��た、新たな粉粒体材料mが排出された量に応 じて上方から投入される。
 ここに、粉粒体材料mは、合成樹脂ペレット などの粉体・粒体等を指すが、これに限らず 、微小薄片・短繊維片のものや、加工食品材 料・医薬品材料の粉粒体等、製造工程で除湿 乾燥処理が必要な材料を含む。
 尚、上記のような粉粒体材料mの投入及び排 出は、ホッパ本体21内の貯留量がある程度の� ��留量となるようにして、連続的あるいは間� ��的になされるものとしてもよい。

 また、ホッパ本体21内の下部には、後記す� �処理ガス供給経路40を介して送気される処理 ガスを、ホッパ本体21内に吐出する吐出口24� �設けられている。
 吐出口24は、平面視円状に形成されたホッ� �本体21の平面視略中心に配置され、処理ガス 供給経路40を経て送気されてくるガスを、均� ��に分散して給気する構成とされている。
 吐出口24から吐出された処理ガスは、ホッ� �本体21内に貯留されている粉粒体材料mの間� �上方に向けて通過して、ホッパ本体21の上部 に形成された排気口25から処理ガス除湿経路4 1に向けて送気される。

 除湿ユニット30は、吸着剤が配され吸着体� �構成するハニカムロータ(除湿ロータ)31、そ� ��上下両端に配設された蓋体32などを備えた� �ニカム式の除湿ユニットとされている。
 ハニカムロータ31は、ハニカム状に形成し� �セラミックファイバーに吸着剤を含浸させ� �多数のガス流通路を軸方向に沿って有した� �筒状体であり、モータ等の駆動手段(不図示) により、回転軸33を中心として時計方向(白抜 矢印方向)に回転自在とされている。このハ� �カムロータ31の回転は、例えば、1時間当り� �10回転~20回転(10~20rph)程度の回転数で低速か� �連続的になされる。
 ハニカムロータ31に使用される吸着剤とし� �は、シリカゲル、チタニウムシリカゲル、� �チウムクロライド、合成ゼオライト(商品名� ��レキュラシーブ)などが挙げられるが、固体 のもので、水分の吸着が可能かつ後記する再 生用加熱ガスの通過による再生(水分の脱離)� ��可能なものであれば、どのようなものでも� ��い。

 ハニカムロータ31の上下両端に配設され� �上記蓋体32は、各経路からのガスが導入され る導入口及び各経路へガスを導出する導出口 を備えている。また、該蓋体32には、後記す� ��除湿処理ゾーン32a、加熱再生ゾーン32b、冷� ��再生ゾーン32cを区画形成するための区画形� ��手段を構成する仕切壁32dが形成されている� ��仕切壁32dは、ハニカムロータ31の回転軸33を 中心にして、遠心方向に向けて3つ設けられ� �おり、本実施形態では、除湿処理ゾーン32a� �加熱再生ゾーン32b、冷却再生ゾーン32cの容� �割合が、それぞれ5:2:1となるように形成され ている。

 蓋体32は、固定状態とされ、ハニカムロー� �31が蓋体32に対して回転することで、蓋体32� �形成された3つの仕切壁32dによって、ハニカ� ��ロータ31を、上記3つの区画(ゾーン)に区分� �する構成としている。
 尚、蓋体32は、上下一対として図示の下側� �蓋体32にも上側の蓋体32に形成された3つの仕 切壁32dに対応させて、同様の3つの仕切壁32d� �形成されている。
 また、上記のようなハニカム式の除湿ユニ� ��トの具体的構成についての詳述は省略する� ��、例えば、実開昭60-115526号公報、実開平1-16 7318号公報、実開平2-13994号公報に開示がある� ��ニカム式の除湿ユニットを本実施形態に適� ��してもよい。

 処理ガスの循環経路は、除湿ユニット30を� �過して除湿された処理ガスを、乾燥ホッパ� �ニット20に向けて送気する処理ガス供給経路 40と、乾燥ホッパユニット20を通過して、粉� �体材料mの後記する除湿乾燥処理に使用され� ��水分を含んだ処理ガスを、除湿ユニット30� �向けて送気する処理ガス除湿経路41と、処理 ガス除湿経路41から分岐して形成された処理� ��ス除湿経路41の一部を構成する除湿側分岐� �41bとを備えている。
 処理ガス供給経路40は、連結部40aを有し、� �記するバイパス経路44が経路途中に連結され ている。
 また、処理ガス除湿経路41は、連結部41dを� �し、後記するバイパス経路44が経路途中に連 結されている。
 処理ガス除湿経路41には、排気温度検出セ� �サ47、循環フィルタ37、冷却器38、メインブ� �ア39がこの順で配され、メインブロア39の下� ��側には、分配手段を構成する分岐部41aが形� ��されている。上記メインブロア39の駆動に� �って、処理ガスの循環供給がなされる。
 分岐部41aの下流側には、後記する冷却再生� ��ーン32cに連通される再生側分岐管41cが更に� ��成されている。
 排気温度検出センサ47は、ホッパ本体21から 排気された処理ガスの温度を検出するための 温度検出センサであって、ホッパ本体21の排� ��口25と、後記するバイパス経路44の連結部41d との間に位置する処理ガス除湿経路41に設け� ��れている。

 再生用冷却ガス経路42は、その下流端が� �ホッパ本体21と循環フィルタ37との間に位置� ��る前記処理ガス除湿経路41に連結され、前� �再生側分岐管41cを経てハニカムロータ31を通 過した再生用冷却ガスを、前記処理ガス除湿 経路41に合流させる。すなわち、本実施形態� ��は、再生用冷却ガスは、前記循環経路を循� ��する処理ガスと同様に、処理ガス除湿経路4 1の経路途中に配設されたメインブロア39の駆 動によって、乾燥ホッパユニット20を通過し� ��処理ガスとともに、ハニカムロータ31を通� �して循環している。換言すれば、乾燥ホッ� �ユニット20と除湿ユニット30との間を循環す� ��処理ガスの一部が、分岐部41aで分配されて� ��生用冷却ガスとしてハニカムロータ31を通� �し、再生用冷却ガス経路42を経て、処理ガス 除湿経路41で乾燥ホッパユニット20を通過し� �処理ガスと合流する構成とされている。

 再生用加熱ガス経路43には、吸気フィルタ34 、再生用ブロア35、再生用加熱ヒータ36が、� �流側からハニカムロータ31に向けて、この順 に配設されている。再生用加熱ガス経路43で� ��、再生用ブロア35の駆動により、吸気フィ� �タ34を介して外気を導入し、再生用加熱ヒー タ36で加熱して、再生用加熱ガスを生成し、� ��の生成された再生用加熱ガスをハニカムロ� ��タ31に導入する構成としている。
 尚、再生用加熱ヒータ36で加熱されて導入� �れる再生用加熱ガスの温度は、水分を吸着� �た吸着剤から水分を脱離させるため、180℃~2 40℃程度としてもよい。

 バイパス経路44は、処理ガス供給経路40と処 理ガス除湿経路41とを連通接続し、その経路� ��中には、バイパス経路44を通過させる処理� �スの流量を調整するための流量調整バルブ(� ��整弁)45が配設されている。
 すなわち、バイパス経路44の上流端が、処� �ガス供給経路40の連結部40aに連結され、その 下流端が、ホッパ本体21と循環フィルタ37と� �間に位置する処理ガス除湿経路41の連結部41d に連結されている。
 また、バイパス経路44の管径は、流量調整� �ルブ45が全開状態の時に、処理ガス供給経路 40を送気される処理ガスのうち、略半分の処� ��ガスがバイパス経路44へ分配されて送気さ� �るよう設定されている。すなわち、流量調� �バルブ45が全開状態の時に、ホッパ本体21内� ��供給される処理ガスの流量は、流量調整バ� ��ブ45が全閉状態の時と比べて略半分となる� �

 流量調整バルブ45は、モータバルブなど開� �の制御が可能なバルブで構成されており、� �記する制御手段を構成するCPU51によって、そ の開度の制御がなされる。
 この流量調整バルブ45を開閉することによ� �て、処理ガス供給経路40を送気される処理ガ スの一部がバイパス経路44を送気され、除湿� ��理された処理ガスの一部がホッパ本体21に� �ることなく、除湿ユニット30に還流される。
 すなわち、流量調整バルブ45が開状態の場� �は、除湿ユニット30で除湿され、処理ガス供 給経路40を送気される処理ガスは、処理ガス� ��給経路40の連結部40aで、処理ガス供給経路40 のホッパ側供給経路40bと、バイパス経路44と� ��分配されて送気される。
 尚、流量調整バルブ45の開度制御の例につ� �ては後記する。

 制御部50は、図2に示すように、除湿乾燥シ� ��テムAの各部を制御するCPU51、各種設定や後� ��する排気温度の閾値などを設定するための� ��定手段を構成する操作パネル52、操作パネ� �52の操作により設定された設定条件や制御プ ログラムなどを記憶する記憶手段53などを備� ��ている。
 CPU51は、ホッパ本体21からの排気温度を検出 する排気温度検出センサ47が検出した温度検� ��信号に基づいて、後記するように、流量調� ��バルブ45の開度を制御する。また、CPU51は、 加熱ヒータ27を介してホッパ本体21内に給気� �れる処理ガスの温度(給気温度)を検出する給 気温度検出センサ46の温度検出信号に基づい� ��、ホッパ本体21内に供給される処理ガスの� �度が略一定の値となるように加熱ヒータ27を ON/OFF制御あるいはPID制御する。

 前記各経路40乃至43は、ハニカムロータ31の� ��下両端部に設けられた蓋体32に連結されて� �り、蓋体32に形成された3つの仕切壁32dによ� �区分けされた除湿処理ゾーン32a、加熱再生� �ーン32b、冷却再生ゾーン32cに連通される。
 すなわち、以下に説明するように、各経路4 0乃至43は、ハニカムロータ31の回転に伴い、� ��いに気密状態とされた3つの区画(除湿処理� �ーン32a、加熱再生ゾーン32b、冷却再生ゾー� �32c)と、それぞれ連通する構成とされている� ��

 除湿処理ゾーン32aには、ホッパ本体21内に� �留された粉粒体材料mを通過することで水分� ��含んだ処理ガスが、処理ガス除湿経路41の� �路途中に配設されたメインブロア39の駆動に より、循環フィルタ37、冷却器38を経て冷却� �れて、除湿側分岐管41bを介して導入される� �
 除湿処理ゾーン32aに導入された処理ガスは� ��そこに位置するハニカムロータ31内の吸着� �が配されたガス流通路を通過して、吸着剤� �より水分が吸着され、除湿済みの処理ガス� �して、処理ガス供給経路40に向けて送気され る(除湿処理工程)。
 処理ガス供給経路40を送気される処理ガス� �、前記流量調節バルブ45が開状態とされてい る場合には、その一部がバイパス経路44に分� ��されてバイパス経路44を送気される。また� �バイパス経路44を送気されない処理ガスは、 前記加熱ヒータ27で加熱されて、処理ガス供� ��経路40の下流側端部に形成された吐出口24か らホッパ本体21内に給気される。

 除湿処理ゾーン32aで水分を吸着したハニカ� ��ロータ31内の吸着剤は、ハニカムロータ31の 回転に伴い、加熱再生ゾーン32bに至る。
 加熱再生ゾーン32bでは、再生用加熱ガス経� ��43を経て前記再生用加熱ガスが導入され、� �分を吸着した吸着剤が加熱乾燥されて、吸� �剤の再生(水分の脱離)がなされる(加熱再生� �程)。
 再生用加熱ガス経路43を経て、加熱再生ゾ� �ン32bに位置するハニカムロータ31内の吸着剤 が配されたガス流通路を通過した再生用加熱 ガスは、装置外へ排気される。

 加熱再生ゾーン32bで加熱再生されたハニカ� ��ロータ31内の吸着剤は、ハニカムロータ31の 回転に伴い、冷却再生ゾーン32cに至る。
 冷却再生ゾーン32cでは、処理ガス除湿経路4 1を経て、送気される処理ガスを、冷却器38を 介して冷却し、その冷却されたガスが、分岐 部41aで分配されて再生側分岐管41cを経て導入 され、加熱再生された吸着剤の冷却再生がな される(冷却再生工程)。
 このように、処理ガスを冷却するのは、メ� ��ンブロア39の保護のため、及び、上記した� �成ゼオライト等の吸着剤は低温であるほど� �の水分吸着量が増大する特性があり、吸着� �の除湿能力(水分の吸着能力)を高めるためで ある。従って、冷却器38は、メインブロア39� �上流側に配置することが好ましい。
 尚、冷却器38で冷却された処理ガスの温度� �、50℃~70℃程度としてもよい。
 また、冷却器38としては、水冷式や空冷式� �ど公知の冷却器の適用が可能である。

 再生側分岐管41cを経て、冷却再生ゾーン3 2cに位置するハニカムロータ31内の吸着剤が� �されたガス流通路を通過した再生用冷却ガ� �は、ハニカムロータ31の下流側の再生用冷却 ガス経路42に向けて送気され、処理ガス除湿� ��路41に合流して、除湿ユニット30に向けて送 気される。

 ホッパ本体21内の下部に位置する吐出口24か らホッパ本体21内に給気された処理ガスは、� ��記したように、ホッパ本体21内に貯留され� �粉粒体材料mの間を上方に向けて通過して、� ��ッパ本体21の上方に形成された排気口25から 処理ガス除湿経路41に送気される。処理ガス� ��湿経路41に送気された処理ガスは、前記し� �ように、循環フィルタ37、冷却器38を介して� ��却され、除湿側分岐管41b及び再生側分岐管4 1cを経て、それぞれ除湿処理ゾーン32a及び冷� ��再生ゾーン32cに位置するハニカムロータ31� �の吸着剤が配されたガス流通路を通過する� �このように、処理ガスは、乾燥ホッパユニ� �ト20と除湿ユニット30との間を循環する構成� ��されている。
 また、乾燥ホッパユニット20と除湿ユニッ� �30との間を循環する処理ガスの全体の循環風 量は、前記バイパス経路44及び再生用冷却ガ� ��経路43の通過量も含めて、略一定に保持さ� �ている。

 尚、図1において、符号48は、再生用加熱� ��ータ36をON/OFF制御あるいはPID制御するため� �温度検出センサである。また、符号49は、加 熱再生ゾーン32bを通過した再生用加熱ガスの 温度を検出するための温度検出センサである 。この温度に基づいて、再生用ブロア35の回� ��数を調整制御するようにしてもよい。

 上記のように、本実施形態では、除湿ユ� ��ット30のハニカムロータ31で除湿処理した処 理ガスを、ホッパ本体21へ供給して粉粒体材� ��mの除湿乾燥を行うので、例えば、ホッパ本 体内に、加熱ヒータで加熱した外気を直接導 入して粉粒体材料を乾燥する乾燥装置と比べ て、加熱ヒータの小型化(低電力化)が図れた� ��、乾燥時間を短縮化したりできる。すなわ� ��、外気を加熱して直接導入する構成とすれ� ��、季節にもよるが外気の露点は高く、ホッ� ��本体内の粉粒体材料を乾燥するには、乾燥� ��間を長く必要としたり、大型の加熱ヒータ� ��必要となったりするが、本実施形態によれ� ��、ハニカムロータ31で除湿処理されて露点� �低くなった処理ガスを、ホッパ本体21内へ供 給することで、効率的に粉粒体材料mの除湿� �燥を行うことができる。

 また、ハニカムロータ31を連続回転させる� �とで、処理ガスの除湿処理、ハニカムロー� �31の一部の加熱再生処理、ハニカムロータ31� ��一部の冷却再生処理が並列的になされるよ� ��にしているので、安定した露点の処理ガス� ��ホッパ本体21内へ供給できる。
 すなわち、例えば、時系列的に処理ガスの� ��湿処理と、ハニカムロータの再生とを繰り� ��す構成とした場合や、複数の吸着塔を切り� ��えて処理ガスの除湿処理と、吸着塔の再生� ��を並列的に行う構成とした場合は、ホッパ� ��体内へ供給される処理ガスの露点を略一定� ��することは困難であるが、本実施形態によ� ��ば、後記するように、より安定した略一定� ��露点の処理ガスをホッパ本体内へ供給する� ��とができる。

 尚、本実施形態では、除湿乾燥させるガス� ��して空気を適用しているが、これに限らず� ��水分を含んだ気体、例えば、窒素、水素、� ��ルゴンなどのガスを除湿乾燥させて、乾燥� ��ッパへ導入し、粉粒体材料mの除湿乾燥を行 うようにしてもよい。
 また、上記各経路を介して送気される各ガ� ��の温度や露点は、除湿乾燥処理する粉粒体� ��料mの種類や初期水分、ホッパ本体21の容量� ��各ヒータ及び各ブロアの出力、ハニカムロ� ��タ31の形状等に応じて、適宜、設定される� �
 特に、一定の低水分率とする要望が高い合� ��樹脂ペレット等を除湿乾燥処理する場合に� ��、除湿された処理ガスの露点が、例えば、- 10℃~-60℃程度、好ましくは、-40℃~-50℃とな� �ようにしてもよい。

 さらに、本実施形態では、除湿ユニットと� ��てハニカム式のものを適用し、吸着体を1つ のハニカムロータ31としているが、これに限� ��れず、例えば、除湿ユニットを複数の吸着� ��を有した多塔式のものとしてもよい。この� ��うな多塔式のものでは、前記各経路と各吸� ��塔との切り替えを、切り替え弁により行う� ��のや、各経路に対して各吸着塔を回転させ� ��、各経路と各吸着塔とを順次、循環させて� ��通させるものがあるが、本実施形態のよう� ��処理ガスの循環経路を備え、処理ガスの除� ��と供給を行い、吸着体の再生処理がなされ� ��ものであれば、適用可能である。
 このような多塔式の除湿ユニットとしては� ��例えば、特開昭60-178009号公報や特開昭60-1326 22号公報に開示がある。

 すなわち、本実施形態では、除湿処理ゾ� ��ン、加熱再生ゾーン及び冷却再生ゾーンの� ��れぞれに対応して配される吸着体を、1つの ハニカムロータ31で構成し、ハニカムロータ� ��回転に伴い、仕切壁32dがハニカムロータ31� �対して移動することで、ハニカムロータ31に 対して各ゾーンが順次移動し、処理ガスを除 湿処理する除湿処理工程、ハニカムロータの 一部を加熱再生する加熱再生工程、ハニカム ロータの一部を冷却再生する冷却再生工程が 並列的に実行される構成としている。一方、 前記した多塔式のものでは、前記各経路と各 吸着塔との切り替えを、切り替え弁によって 行ったり、各経路に対して各吸着塔を回転さ せたりすることにより、各吸着塔のそれぞれ が、各ゾーンのそれぞれを順次、構成するこ ととなり、処理ガスを除湿処理する除湿処理 工程、吸着塔を加熱再生する加熱再生工程、 吸着塔を冷却再生する冷却再生工程がなされ る。

 このような構成により多塔式の除湿ユニッ� ��では、本実施形態で適用したハニカム式の� ��湿ユニットと比べて、露点の一定性という� ��では、劣るが、本実施形態を適用すること� ��、同様の効果が得られる。
 すなわち、多塔式の除湿ユニットにおいて� ��、前記図9に基づいて説明した従来の除湿乾 燥装置のように、単に、乾燥ホッパへの処理 ガスの流量を増減させるようにすれば、前記 したように、除湿処理後の処理ガスの露点が 安定せず、不安定なものとなる。
 一方、本実施形態を多塔式の除湿ユニット� ��適用すれば、除湿処理後の処理ガスの露点� ��略一定とすることは困難であるが、多塔式� ��除湿ユニットが本来有する安定した露点(露 点は、上下に若干、波打つが、略正弦曲線を 描くように推移し、周期的で安定している。 )を持つ処理ガスの供給を阻害することはな� �。

 あるいは、除湿ユニットとして、複数のハ� ��カムロータを備えた構成としてもよい。例� ��ば、複数のハニカムロータを前記各経路に� ��して並列的に配する構成としてもよい。こ� ��場合は、複数のハニカムロータのそれぞれ� ��ゾーンに対して、各経路を分岐させること� ��本発明を適用することができる。
 または、除湿乾燥システムとして、複数の� ��湿ユニットを備えた構成としてもよい。例� ��ば、複数の除湿ユニットを前記乾燥ホッパ� ��対して並列的に配する構成としてもよい。� ��の場合は、処理ガス除湿経路41をバイパス� �路44の下流側で分岐させて、各除湿ユニット が有するハニカムロータへ接続し、処理ガス 供給経路40をバイパス経路44の上流側で分岐� �せて、各除湿ユニットが有するハニカムロ� �タに接続するよう構成することで、本発明� �適用することができる。

 また、本実施形態では、処理ガス供給経路4 0と処理ガス除湿経路41とを連通接続するバイ パス経路44に配設された流量調整バルブ45は� �開度制御可能なものとしているが、開度の� �御ができない単なる開閉弁としてもよい。
 さらに、バイパス経路44を、一つのみ設け� �構成を例示しているが、例えば、複数のバ� �パス経路44を設け、それぞれのバイパス経路 44に開閉弁を配設し、全ての開閉弁が開状態� ��処理ガス供給経路を送気される処理ガスの� ��ち、例えば、略半分が、それら複数のバイ� ��ス経路にそれぞれ分配されて送気されるよ� ��にしてもよい。この場合は、後記するよう� ��排気温度に基づいて、順次、開閉弁を開閉� ��御して、ホッパ本体21内へ供給する処理ガ� �の流量を増減させるようにしてもよい。こ� �によってもホッパ本体21内へ供給する処理ガ スの流量を漸増、漸減させることができる。
 さらにまた、流量調整バルブ45に換えて、� �なる開閉弁を配設し、その開閉弁の開時に� �ける流量を小さく設定し、高速で開閉制御� �行うことによって、バイパス経路44を通過さ せる処理ガスの流量を漸増、漸減させるよう にしてもよい。

 次に、前記構成とされた粉粒体材料の除湿� ��燥システムAにおけるホッパ本体21へ供給す� ��処理ガスの流量を増減させる態様の一例を� ��3に基づいて説明する。
 図3では、ホッパ本体21内に貯留された粉粒� ��材料mの除湿乾燥処理における3状態、すな� �ち、バッチ運転、連続運転、スタンバイ状� �を示している。
 尚、図3(a)、(b)では、横軸は、いずれも同じ 時間軸を示している。また、図3(a)では、ホ� �パ本体21からの排気温度を、縦軸で示してい る。また、図3(a)において、実線は、ホッパ� �体21への処理ガスの流量を可変とした場合の 排気温度の変化を示し、二点鎖線は、ホッパ 本体21への処理ガスの流量を一定とした場合� ��排気温度の変化を示し、いずれも加熱ヒー� ��27をON/OFF制御あるいはPID制御するための給� �温度の設定を同じ温度に設定した場合を図� �している。
 図3(b)では、バイパス経路44に設けられた流� ��調整バルブ45の開度及びホッパ本体21内に供 給される処理ガスの流量を縦軸で示している 。また、図3(b)において、実線は、流量調整� �ルブ45の開度の変化を示し、二点鎖線は、ホ ッパ本体21内に供給される処理ガスの流量の� ��化を示している。

 この図3に示す態様では、CPU51は、排気温度� ��出センサ47の温度検出信号に基づいて、排� �温度が上限閾値を上回ったときには、流量� �整バルブ45の開度を漸増させ、排気温度が下 限閾値を下回ったときには、流量調整バルブ 45の開度を漸減させるよう制御する。また、� ��気温度が上限閾値と下限閾値との間のとき� ��、非干渉領域として、流量調整バルブ45の� �閉動作を停止(直前の開度を維持)させるよう 制御する。このように非干渉領域を設けるこ とで、流量調整バルブ45の休止時間を発生さ� ��ることができる。
 上限閾値及び下限閾値は、ホッパ本体21で� �湿乾燥処理される粉粒体材料mの種類や条件� ��に応じて、ユーザ側で操作パネル52を操作� �ることにより設定し、記憶手段53に記憶させ てもよい。あるいは、予め粉粒体材料mの種� �や条件等に応じた複数の上限閾値及び下限� �値を設定、記憶させておき操作パネル52の操 作によってユーザ側で選択できるようにして もよい。または、粉粒体材料mの種類や条件� �に応じて、設定温度のみを上記のように設� �あるいは選択し、その設定温度に対して、� �定値を加算及び減算した値を、それぞれ上� �閾値及び下限閾値としてもよい。

 図において、バッチ運転は、ホッパ本体21� �に貯留された粉粒体材料mの除湿乾燥処理の� ��期の運転状態(例えば、除湿乾燥システムA� �稼動開始時など)を示し、ホッパ本体21内に� �、水分を含んだ室温程度の粉粒体材料mが所� ��の貯留量となるまで投入されて、貯留され� ��いる。この貯留量は、前記したホッパ本体2 1の上方部位に設けられたレベルゲージによ� �て制御され、バッチ運転中は、粉粒体材料m� ��排出及び投入はなされず、ホッパ本体21内� �下方に位置する粉粒体材料mが、所定の温度� ��水分率となるまで除湿乾燥がなされる。
 このバッチ運転の運転時間は、ホッパ本体2 1の容量、粉粒体材料mの種類や条件、順次排� ��される粉粒体材料mの量などに応じて、適宜 設定される。
 すなわち、ホッパ本体21内に貯留された粉� �体材料mは、ホッパ本体21内の下部の吐出口24 から吐出された処理ガスによって、最下層に 位置する粉粒体材料mから徐々に加熱、除湿� �なされ、ホッパ本体21内に貯留されている粉 粒体材料mの最下部から5割~7割程度の粉粒体� �料mの温度が所定の温度となるように運転が� ��けられる。
 換言すれば、少なくとも後記する連続運転� ��始までに、その連続運転の際に順次、最下� ��から排出される所定の排出量の粉粒体材料m の除湿乾燥が十分になされ、所定の水分率と なるまでバッチ運転が続けられる。

 上記バッチ運転では、図3(a)に示すように、 運転開始時から徐々に排気温度が高くなる。 このバッチ運転開始の際、図3(b)に示すよう� �、流量調整バルブ45は、全閉状態、すなわち 、ホッパ本体21へ供給される処理ガスの流量� ��最大である。換言すれば、処理ガス供給経� ��40を送気される処理ガスの全てがホッパ本� �21内に供給されている。
 ホッパ本体21内に貯留されている粉粒体材� �mの加熱、除湿が進み、排気温度が上限閾値� ��上回ると、流量調整バルブ45が開動作を始� �る。この際、流量調整バルブ45は、その開度 が徐々に増加するように開動作する。この流 量調整バルブ45の開度が漸増することによっ� ��、ホッパ本体21へ供給される処理ガスの流� �が漸減する。すなわち、処理ガス供給経路40 を送気される処理ガスの一部がバイパス経路 44を経て、ハニカムロータ31側へ還流される� �これにより、排気温度の上昇スピードが徐� �に遅くなる。

 流量調整バルブ45の開度の漸増制御は、上� �閾値を超えている限り継続され、開度が全� �となった状態では、ホッパ本体21への処理ガ スの流量が最小となる。すなわち、処理ガス 供給経路40を送気される処理ガスは、略半分� ��バイパス経路44へ送気され、略半分がホッ� �本体21内へ供給される。
 前記のようにホッパ本体21内に貯留された� �方に位置する粉粒体材料mの除湿乾燥処理が� ��分になされると、樹脂成形機や一次貯留ホ� ��パへ向けて所定量の粉粒体材料mを排出し、 その排出量に応じて捕集機26から粉粒体材料m を投入する連続運転に移行する。
 この粉粒体材料mの排出及び投入は、例えば 、樹脂成形機や一次貯留ホッパからの材料要 求信号に基づいて、例えば、定期的に繰り返 しなされる。

 上記連続運転では、粉粒体材料mの排出量に 応じて、新たに投入された粉粒体材料mによ� �て、排気温度が急激に降下する。
 すなわち、ホッパ本体21の最下部から5割~7� �程度の粉粒体材料mは、バッチ運転時に十分� ��加熱されて所定温度となっているが、上方� ��位に新たに投入された粉粒体材料mは、未だ 加熱が十分にされておらず、例えば、室温程 度の低温であるため、排気温度が降下する。
 この降下によって、排気温度が下限閾値を� ��回ると、流量調整バルブ45を閉動作させて� �その開度を漸減させる。これにより、ホッ� �本体21へ供給される処理ガスの流量が漸増し 、排気温度が徐々に上昇して、ホッパ本体21� ��の粉粒体材料mの除湿乾燥がなされる。
 この連続運転では、繰り返しなされる粉粒� ��材料mの排出及び投入動作に伴い、排気温度 が上限閾値を上回ると流量調整バルブ45の開� ��を漸増制御し、下限閾値を下回ると、その� ��度を漸減制御する制御がなされる。

 上記連続運転の間に、例えば樹脂成形機等� ��らの粉粒体材料mの要求信号等がない等、粉 粒体材料mの排出・投入が所定時間なされな� �場合は、スタンバイ状態となる。
 このスタンバイ状態では、排気温度は、上� ��閾値と下限閾値との間の非干渉領域に留ま� ��、流量調整バルブ45の開度が全開、ホッパ� �体21への処理ガスの流量が最小の状態となっ ている。
 このように流量調整バルブ45の開度が全開� �されている場合でも、前記したようにホッ� �本体21内へは、処理ガス供給経路40を送気さ� ��る処理ガスの半分程度がホッパ本体21内へ� �給される。これにより、ホッパ本体21内の粉 粒体材料mは、常に適温で加熱され、除湿乾� �されている状態となり、粉粒体材料mの排出� ��び投入が後に開始され、ホッパ本体21内の� �粒体材料mの温度分布が崩れても、スムーズ� ��通常状態の温度分布へ移行させることがで� ��る。

 上記のように、ホッパ本体21内へ供給さ� �る処理ガスの流量を、排気温度に基づいて� �加、減少させることで、図3(a)の二点鎖線に� ��すホッパ本体への処理ガスの流量を一定と� ��た場合と比べて、排気温度が無駄に上昇す� ��こと防止できる。すなわち、ホッパ本体21� �に貯留されている粉粒体材料mを所望の水分� ��とするためには、ある程度の温度の処理ガ� ��を給気する必要があり、また、その給気温� ��を一定に保つことが好ましい。このような� ��合に、稼働時間が十分に経過し、ホッパ本� ��21内の下方に位置する粉粒体材料mの除湿処� ��がなされた後も同じ量の処理ガスを供給す� ��と、排気温度が無駄に上昇し、例えば、粉� ��体材料mに劣化(酸化、やけ、分解、変色な� �)が発生したり、粉粒体材料mに添加剤などが 添加されている場合には、その添加剤が飛散 したりする恐れがある。

 また、排気温度が無駄に上昇することで、� ��理ガス除湿経路41に配設された冷却器38への 負荷が高くなる恐れもある。
 本実施形態では、上記のように、排気温度� ��基づいてホッパ本体21内へ供給される処理� �スの流量を増減させているので、上記のよ� �な問題を低減できる。
 また、上記のように排気温度が所定の閾値� ��上回ると、ホッパ本体21内への処理ガスの� �量を減少させることで、ホッパ本体21内へ供 給する処理ガスを加熱する加熱ヒータ27の稼� ��率を下げることができ、省電力化が図れる� ��換言すれば、前記のように、稼働時間が十� ��に経過し、ホッパ本体21内の下方に位置す� �粉粒体材料mの除湿処理がなされた後も同じ� ��量の処理ガスを供給する場合は、ホッパ本� ��21から排気される処理ガスの熱エネルギは� �冷却器38で廃棄されることとなり、エネルギ の無駄が生じるが、本実施形態によれば、そ のようなことを低減できる。
 さらに、ホッパ本体21内への処理ガスの流� �の増減がなされても、除湿ユニット30へ導入 される処理ガスの流量は、増減されることが ない。従って、除湿ユニット30が備えるハニ� ��ムロータ31の加熱再生処理後の冷却再生処� �に影響を与えることがない。これにより、� �ニカムロータ31における吸着剤による水分の 吸着及び、その再生のバランスが崩れること が無く、よって、安定した露点の処理ガスを ホッパ本体21へ向けて供給できる。

 さらにまた、本実施形態では、バイパス経� ��44を通過させる処理ガスの流量を、ホッパ� �体21からの排気温度が、予め設定された上限 閾値を上回ったときには、漸増させる一方、 予め設定された下限閾値を下回ったときには 、漸減させるようにしているので、上限閾値 を上回ると、バイパス経路44への処理ガスの� ��量が徐々に増加する一方、下限閾値を下回� ��と、バイパス経路44への処理ガスの流量が� �々に減少する。
 すなわち、排気温度が上限閾値を上回ると� ��ホッパ本体21への処理ガスの流量が徐々に� �少し、下限閾値を下回ると、ホッパ本体21へ の処理ガスの流量が徐々に増加する。これに よれば、乾燥する粉粒体材料mの種類や条件� �に応じて予め上限閾値及び下限閾値を設定� �ておくことで、これら閾値に基づいて、ホ� �パ本体21へ供給される処理ガスの流量が増減 されるので、材料に応じた適切な乾燥が、省 電力化を図りつつ効果的になされる。

 また、上記のように、ホッパ本体21への� �理ガスの流量が、漸減あるいは漸増される� �で、その流量が急激に変化することがない� �これにより、加熱ヒータ27のON/OFF制御による 処理ガスの温度コントロールの追従が安定し てなされる。すなわち、ホッパ本体21への処� ��ガスの流量が急激に変化すると、その変化� ��対して、加熱ヒータ27のON/OFF制御による処� �ガスの温度コントロールの追従がなされな� �恐れがあり、例えば、オーバーシュートや� �ンダーシュートなどが発生する恐れがある� �、本実施形態によれば、そのような恐れを� �減できる。

 次に、除湿乾燥システムAにおけるホッパ本 体21へ供給する処理ガスの流量を増減させる� ��様の他例を図4に基づいて説明する。
 上記図3に基づいて説明した態様例と異なる 点を主に説明し、同様の点については、説明 を省略する。

 この図4に示す態様では、CPU51は、排気温度� ��出センサ47の温度検出信号に基づいて、排� �温度が閾値を上回ったときには、流量調整� �ルブ45の開度を漸増させ、排気温度が閾値を 下回ったときには、流量調整バルブ45の開度� ��漸減させるよう制御する。
 すなわち、上記図3に基づいて説明した態様 例とは異なり、一つの閾値のみに基づいて流 量調整バルブ45の開度を制御している。
 この閾値は、前記した上限閾値及び下限閾� ��と同様、ホッパ本体21で除湿乾燥処理され� �粉粒体材料mの種類や条件等に応じて、ユー� ��側で操作パネル52を操作することにより設� �し、記憶手段53に記憶させてもよい。あるい は、予め粉粒体材料mの種類や条件等に応じ� �複数の閾値を設定、記憶させておき操作パ� �ル52の操作によってユーザ側で選択設定でき るようにしてもよい。
 このように、図4に示す本態様では、図3に� �づいて説明した態様とは異なり、非干渉領� �を設けていないので、流量調整バルブ45は、 閾値を挟んで開動作から閉動作への切り換え 、あるいは閉動作から開動作への切り換えが なされる。

 尚、上記各態様例では、流量調整バルブ45� �開度を漸増及び漸減させる速さは、例えば� �全閉状態から全開状態となるまで1時間~2時� �程度のゆっくりとした速さで漸増、漸減さ� �てもよいが、ホッパ本体21の容量、除湿乾燥 する粉粒体材料mの種類や条件等に応じて適� �設定可能である。
 また、流量調整バルブ45の開度は、一定の� �さで漸増及び漸減させるようにしてもよく� �あるいは、その速さを可変としてもよい。
 さらに、本実施形態では、流量調整バルブ4 5の開度が全開となった際に、処理ガス供給� �路40を送気される処理ガスのうち、略半分の 処理ガスがバイパス経路44に分配されて、バ� ��パス経路44を送気される構成としているが� �これに限られず、バイパス経路44に分配され る処理ガスの流量を、半分より多くしてもよ く、あるいは半分未満としてもよい。

 次に、本実施形態に係る粉粒体材料の除湿� ��燥システムAにおける粉粒体材料mの除湿乾� �処理の一実施例を図5に基づいて説明する。
 図5は、同実施例を模式的に示すタイムチャ ートであり、横軸は、時間軸である。また、 縦軸は、排気温度(℃)、バルブ開度(度)、ホ� �パ本体への処理ガスの流量(m ³ /h)、露点(℃)を示している。また、各グラフ� ��、経過時間が3600秒の時点で上から順に、ホ ッパ本体への給気温度の変化、ホッパ本体か らの排気温度の変化、ホッパ本体への処理ガ スの流量の変化、バルブ開度の変化、除湿処 理された処理ガスの露点の変化をそれぞれ示 している。

 本実施例では、ホッパ本体21に貯留され、� �湿処理される粉粒体材料mとして、ポリブチ� ��ンテレフタレート樹脂(PBT樹脂)ペレットを� �用している。
 ホッパ本体21へ供給する処理ガスの温度(給� ��温度)が略130℃となるように、加熱ヒータ27� ��制御している。
 流量調整バルブ45は、全閉状態から全開状� �、あるいは全開状態から全閉状態となるま� �の時間が約2時間となるように設定されてい� ��。また、一定の速さで開・閉動作がなされ� ��いる。
 ホッパ本体21へ供給される処理ガスの流量� �、流量調整バルブ45が全開のときには、約15m ³ /hとされ、流量調整バルブ45が全閉のときに� �、約45m ³ /hとされている。すなわち、流量調整バルブ4 5が全開のときには、除湿ユニット30を経て処 理ガス供給経路40を送気される処理ガスのう� ��、約2/3程度の流量の処理ガスがバイパス経� ��44に分配されて送気されるようにしている� �
 排気温度の設定温度は、40℃として、上限� �値を設定温度+3℃、すなわち43℃に設定し、� ��限閾値を設定温度-3℃、すなわち37℃に設定 している。

 図に示すように、給気温度は、上記のよう� ��制御され、130℃をやや下回った状態の略一� ��温度で推移している。
 排気温度は、室温程度の25℃程度からPBT樹� �の除湿乾燥処理が進むに従い、徐々に上昇� �、90℃程度まで上昇している。
 上記排気温度の上昇過程で、上限閾値であ� ��43℃を上回ると、流量調整バルブ45が全閉状 態から開動作し、徐々にその開度が大きくな る。この流量調整バルブ45の開動作に従い、� ��ッパ本体21へ供給される処理ガスの流量は� �徐々に減少している。

 排気温度は、前記図3及び図4に基づいて説� �した各態様と同様、PBT樹脂の排出・投入に� �って、急激に降下する。図に示すように、PB T樹脂が排出・投入される毎に、降下と、上� �とを繰り返している(排気温度が急激に降下� ��ている経過時間にPBT樹脂の排出・投入がな� ��れている)。
 本実施例では、排気温度が下限閾値を下回� ��前に流量調整バルブ45の開度が全開となっ� �いる。この状態からPBT樹脂の排出・投入に� �う排気温度の降下と上昇が繰り返されなが� �も、徐々に排気温度が降下し、下限閾値で� �る37℃を下回ると、流量調整バルブ45が全開� ��態から閉動作し、徐々にその開度が小さく� ��る。この流量調整バルブ45の閉動作に従い� �ホッパ本体21への処理ガスの流量は、徐々に 増加する。これにより排気温度がPBT樹脂の排 出・投入に伴う降下と上昇を繰り返しながら も徐々に上昇する。この排気温度の上昇過程 で、上記同様、上限閾値である43℃を上回る� ��、流量調整バルブ45が全閉状態から開動作� �、徐々にその開度が大きくなる。以下、同� �に、排気温度に基づいて、流量調整バルブ45 の開度の漸増制御、漸減制御がなされ、ホッ パ本体21へ供給される処理ガスの流量の増減� ��なされている。

 以上のように、排気温度に基づいて、ホッ� ��本体21へ供給する処理ガスの流量を増減さ� �た結果、図に示すように、除湿ユニット30で 除湿処理された処理ガスの露点は、安定して おり、-45℃前後の略一定の露点で推移してい る。
 この安定した低い露点の処理ガスをホッパ� ��体21に供給することにより、ホッパ本体21に 貯留されているPBT樹脂を効率的に除湿乾燥処 理できる。
 また、ホッパ本体21へ供給する処理ガスの� �量を上記のように排気温度に基づいて、増� �させることで、前記したように省電力化を� �ることができる。

 次に、本発明に係る他の実施の形態につい� ��、図面を参照しながら説明する。
 図6は、第2実施形態に係る粉粒体材料の除� �乾燥システムを模式的に示す概略説明図、� �7は、同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾� ��システムの内部構成を示すブロック図であ� ��。
 尚、上記第1実施形態との相違点を中心に説 明し、同様の構成については、同一符号を付 し、その説明を省略あるいは簡略に説明する 。

 本実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥シ� ��テムBでは、バイパス経路44を通過させる処� ��ガスの流量を制御するための温度検出信号� ��生成する温度検出センサの配設箇所が、上� ��第1実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥シ ステムAとは異なる。
 すなわち、本実施形態では、処理ガス除湿� ��路41に設けた排気温度検出センサ47に代えて 、ホッパ本体21内の上層部の温度を検出する� ��めの上層部温度検出センサ47Aを備えている� ��

 上記上層部温度検出センサ47Aは、ホッパ本� ��21内に貯留されている粉粒体材料mが満レベ� ��まで貯留されている状態において、その粉� ��体材料mの最上層部からホッパ本体21の上端� ��を閉塞する天蓋までの空間に、その検出部� ��臨むように配設されている。
 すなわち、当該上層部温度検出センサ47Aは� ��ホッパ本体21内に貯留されている粉粒体材� �層の上方空間(以下、材料非貯留空間と略す) spの雰囲気温度を測定している。
 このホッパ本体21内の上記材料非貯留空間sp の温度は、図3或いは図4に基づいて説明した� ��記各態様の排気温度の変化と同様、粉粒体� ��料mの排出及び投入に伴い、降下と上昇とを 繰り返すようにして、上記排気温度の温度変 化と略同様に推移する。
 上述のように、ホッパ本体21内の下部の吐� �口24からホッパ本体21内に吐出された高温の� ��理ガスは、ホッパ本体21内に貯留されてい� �粉粒体材料mの間を上方に向けて通過し、上� ��排気口25からホッパ本体21外へ排気される。 この際、該処理ガスは、ホッパ本体21内に貯� ��されている粉粒体材料m(特に、上層部に貯� �されている十分に昇温されていない粉粒体� �料や新たに投入された粉粒体材料)との熱交� ��がなされて、上記材料非貯留空間spの温度� �、ホッパ本体21内への新たな粉粒体材料mの� �入によって、一旦、降下し、処理ガスの供� �によって昇温されて徐々に上昇する。

 上記構成とされた本実施形態に係る粉粒体� ��料の除湿乾燥システムBにおいても、図3或� �は図4に基づいて説明した上記各態様と同様� ��該上層部温度検出センサ47Aが検出した温度� ��出信号に基づいて、ホッパ本体21内に供給� �る処理ガスの流量を増減させている。
 すなわち、図7に示すように、制御部50のCPU5 1による制御によって、上記同様、上層部温� �検出センサ47Aが検出した温度検出信号に基� �いて、流量調整バルブ45の開度を増減制御し 、ホッパ本体21内に供給する処理ガスの流量� ��増減させている。
 上記構成とされた本実施形態に係る粉粒体� ��料の除湿乾燥システムBによれば、上記第1� �施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システ� �Aと同様の効果を奏する。

 次に、本実施形態に係る粉粒体材料の除湿� ��燥システムの変形例について図8に基づいて 説明する。
 図8(a)、(b)は、いずれも同実施形態に係る粉 粒体材料の除湿乾燥システムの一変形例を模 式的に示す概略一部説明図である。
 尚、上記第1実施形態及び第2実施形態との� �違点を中心に説明し、同様の構成について� �、同一符号を付し、その説明を省略あるい� �簡略に説明する。
 また、図8(a)、(b)においては、除湿ユニット を図示省略しているが、上記各例と同様であ る。
 また、以下の各変形例に係る各粉粒体材料� ��除湿乾燥システムの内部構成は、図7に基づ いて説明した上記除湿乾燥システムBと略同� �であり、図7に参照符号を付して、その説明� ��省略する。

 図8(a)に示す第1変形例に係る粉粒体材料の� �湿乾燥システムCは、上記第2実施形態に係る 粉粒体材料の除湿乾燥システムBとは、上層� �温度検出センサ47Bの配設箇所が異なる。
 本変形例においては、上記上層部温度検出� ��ンサ47Bを、上記した例の上層部温度検出セ� ��サ47Aよりも、その検出部がホッパ本体21内� �おいてやや下方位置となるように配設して� �る。
 すなわち、図8(a)に示すように、当該上層部 温度検出センサ47Bは、ホッパ本体21内に貯留� ��れている粉粒体材料層の上層部の粉粒体材� ��層内に、その検出部が位置するように配設� ��れており、この上層部の粉粒体材料層の温� ��、すなわち、実質的には、その粉粒体材料� ��における粉粒体材料npmの温度を測定してい� ��。

 この上層部の粉粒体材料npmは、上記連続� ��転の際に、ホッパ本体21の下部の材料排出� �ルブ23が開放されて排出された粉粒体材料m� �排出量に応じて、捕集器26から新たに投入さ れた粉粒体材料である。換言すれば、粉粒体 材料npmは、ホッパ本体21の粉粒体材料mの貯留 レベルが下部からの排出によって低下して、 捕集器26からの材料の投入が開始される材料� ��入開始レベルの位置から、所定の満レベル� ��なるまで新たに投入されて、貯留されてい� ��粉粒体材料である。

 上記のように新たに投入された粉粒体材料n pmは、投入された直後は、例えば、室温程度� ��あり、ホッパ本体21内に供給された処理ガ� �によって徐々に昇温される。この粉粒体材� �npmの温度は、上記第1実施形態で説明した排� ��温度及び上記例の材料非貯留空間spの温度� �略同様の温度変化で推移する。
 つまり、この粉粒体材料npmの温度は、投入� ��れた直後の室温程度の温度から、処理ガス� ��供給による除湿乾燥処理が進むに従い、徐� ��に上昇する。この粉粒体材料npmの温度を、� ��層部温度検出センサ47Bによって測定して、� ��記同様、その温度検出信号に基づいて、上� ��流量調整バルブ45の開度を増減制御し、ホ� �パ本体21内に供給する処理ガスの流量を増減 させている。
 このような態様によっても上記第1実施形態 に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムAと同� �の効果を奏する。
 また、投入された直後の粉粒体材料npmの温� ��を直接、測定することにより、上記した各� ��よりも投入に伴う温度の降下を、迅速に検� ��することができる。

 図8(b)に示す第2変形例に係る粉粒体材料の� �湿乾燥システムDは、上記第1変形例に係る粉 粒体材料の除湿乾燥システムCとは、上層部� �度検出センサ47Cの配設箇所が異なる。
 すなわち、本変形例においては、上記上層� ��温度検出センサ47Cを、上記第1変形例にて説 明した上層部温度検出センサ47Bよりも、その 検出部がホッパ本体21内において、さらに下� ��位置となるように配設している。
 この上層部温度検出センサ47Cは、上記バッ� ��運転後の連続運転時において昇温過程にあ� ��粉粒体材料層内に、その検出部が位置する� ��うに配設されており、この上層部に貯留さ� ��た昇温過程にある粉粒体材料層の温度、す� ��わち、実質的には、その粉粒体材料層にお� ��る粉粒体材料nhmの温度を測定している。

 上記昇温過程にある粉粒体材料nhmは、上記� ��ッチ運転及び連続運転時において、未だ十� ��に昇温がなされていない粉粒体材料であっ� ��、上記バッチ運転において十分に昇温がな� ��れて所定の設定温度に達した下層部の粉粒� ��材料hmよりも低温の粉粒体材料である。
 すなわち、下層部の粉粒体材料hmは、図3或� ��は図4に基づいて説明した各態様と同様、上 記連続運転への移行前に所定の温度に昇温さ れているが、その上層に貯留されている粉粒 体材料nhmは、上記バッチ運転及び連続運転時 においては、その所定の温度までは昇温され ていない状態である。
 つまり、ホッパ本体21内に貯留されている� �粒体材料の温度分布は、上記下層部では略� �定の設定温度となっており、該下層部の上� �側では、最上層部に向けて徐々に温度が低� �なるような分布となっている。換言すれば� �上記下層部に貯留された粉粒体材料hmは、上 記バッチ運転終了時において、また、上記連 続運転中には、略全量が設定温度に達してい る。一方、その下層部の粉粒体材料hmの上層� ��に貯留された粉粒体材料nhm及び新たに投入� ��れた粉粒体材料npmは、昇温過程にあり、設� ��温度には達しておらず、最上層部に向けて� ��々に温度が低くなるように積層されている� ��

 上記昇温過程にある粉粒体材料nhmの温度は� ��上記各例よりも高温域での変化ではあるが� ��粉粒体材料の排出及び投入に伴い、降下と� ��昇とを繰り返すように推移する。
 すなわち、上記のような温度分布とされた� ��ッパ本体21内においては、ホッパ本体21の下 部からの下層部の粉粒体材料hmの一部の排出� ��伴い、上記上層部温度検出センサ47Dの検出� ��周囲には、昇温過程にある粉粒体材料nhmの� ��ち、さらに低温の粉粒体材料が降下してく� ��。その降下してきた粉粒体材料nhmは、上記� ��例と同様、吐出口24から供給される処理ガ� �によって徐々に昇温されて、その温度が徐� �に上昇する。
 本変形例では、この昇温過程にある粉粒体� ��料nhmの温度を測定し、上記同様、上記上層� ��温度検出センサ47Dの温度検出信号に基づい� ��、上記流量調整バルブ45の開度を増減制御� �、ホッパ本体21内に供給する処理ガスの流量 を増減させている。
 本変形例では、上記各例で説明した各閾値� ��、上記各例のように新たに投入された粉粒� ��材料による急激な温度降下がなく、また、� ��る程度の昇温がなされた粉粒体材料nhmの温� ��を測定しているので、上記した各例よりも� ��く設定されている。

 上記のような態様によっても上記第1実施形 態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムAと� �様の効果を奏する。
 また、特に、昇温過程にある粉粒体材料nhm� ��温度に基づいて、ホッパ本体21内に供給す� �処理ガスの流量を増減させることで、上記� �例に比べて、検出する温度変化の上下幅が� �さく、より精密かつ緻密な制御を行うこと� �できる。
 また、ホッパ本体21の下部からの排出に伴� �、下層部へと移行する前の粉粒体材料nhmの� �度に基づいて、上述のようにホッパ本体21内 に供給する処理ガスの流量を増減させている ので、下層部の粉粒体材料hmが上記所定の設� ��温度となるように制御することもできる。� ��言すれば、所定の設定温度にする必要があ� ��下層部の粉粒体材料hmの前段に位置し、昇� �過程にある粉粒体材料nhmの温度に基づいて� �上記のようにホッパ本体21内に供給する処理 ガスの流量を増減させることで、ホッパ本体 21内における上述のような好ましい粉粒体材� ��の温度分布を制御することも可能となる。

 尚、本変形例において、上記下層部の粉粒� ��材料hmの量、上記昇温過程にある粉粒体材� �nhmの量は、ホッパ本体21の下部からの排出量 や排出態様(排出頻度等)に応じて、適宜、設� ��される。すなわち、成形機等からの材料要� ��信号に応じて排出される最下層の所定量の� ��粒体材料が、常に十分に除湿乾燥がなされ� ��ものとなるよう、上記下層部の粉粒体材料h m及び上記昇温過程にある粉粒体材料nhmの各� �を設定すればよい。
 また、上記第2実施形態及び各変形例では、 ホッパ本体21内の上層部の温度をそれぞれ検� ��するための各上層部温度検出センサを、ホ� ��パ本体21の側壁から内方に向けて設けた例� �示しているが、ホッパ本体21の天蓋から内方 に向けて設けるような態様としてもよい。