VERFAHREN UND VORRICHTUNG FÜR EIN LASERABHEBEVERFAHREN

MIT EINEM STRAHLTEILER

Es wird eine Vorrichtung für ein Laserabhebeverfahren

angegeben. Darüber hinaus wird ein Laserabhebeverfahren angegeben .

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Vorrichtung für ein Laserabhebeverfahren anzugeben, mit der effizient und zuverlässig eine Schicht von einem Träger abtrennbar ist. Insbesondere besteht eine zu lösende Aufgabe darin, ein

Laserabhebeverfahren anzugeben, bei dem eine

Halbleiterschichtenfolge zuverlässig von einem Träger

entfernbar ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung ist diese für ein Laserabhebeverfahren geeignet, insbesondere zum Abtrennen einer auf einem Epitaxiesubstrat epitaktisch gewachsenen Halbleiterschicht oder Halbleiterschichtenfolge. Die Schicht oder die Halbleiterschicht basiert bevorzugt auf einem nitridhaltigen oder oxidhaltigen Material, insbesondere einem nitridhaltigen Halbleitermaterial. Zum Beispiel basiert die Halbleiterschichtenfolge auf GaN, InGaN und/oder AlGaN.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung umfasst diese einen Laser zur Erzeugung einer bevorzugt gepulsten Laserstrahlung. Eine Wellenlänge der Laserstrahlung ist zum Beispiel so kurzwellig, so dass eine Photonenenergie größer ist als eine Bandlücke eines Halbleitermaterials, das von dem Träger abzutrennen ist. Beispielsweise liegt eine Wellenlänge der Laserstrahlung im ultravioletten Spektralbereich, insbesondere bei Wellenlängen kleiner als 400 nm oder kleiner als 360 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weist diese zumindest einen Strahlteiler auf, bevorzugt mindestens zwei Strahlteiler. Der mindestens eine Strahlteiler ist dazu eingerichtet, die von dem Laser erzeugte insbesondere

gepulste Laserstrahlung in mindestens zwei Teilstrahlen aufzuteilen. Bei den Strahlteilern kann es sich ebenso um insbesondere dielektrische, teildurchlässige Strahlteiler beziehungsweise Spiegel handeln, wie auch um Prismen und/oder um polarisationsabhängig reflektierende Elemente. Das heißt, im Betrieb der Vorrichtung wird die Laserstrahlung durch den mindestens einen Strahlteiler in wenigstens zwei Teilstrahlen aufgeteilt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung werden die mindestens zwei Teilstrahlen in einer Bestrahlungsebene überlagert. Mit anderen Worten wird die Laserstrahlung in mehrere Teilstrahlen aufgeteilt und anschließend in der

Bestrahlungsebene wieder zum Überlappen gebracht. Dass sich die Teilstrahlen in der Bestrahlungsebene überlagern, kann bedeuten, dass Querschnitte der Teilstrahlen in der

Bestrahlungsebene teilweise oder vollständig deckungsgleich sind. Deckungsgleich kann einschließen, dass einer der

Querschnitte vollständig von einem anderen der Querschnitte umfasst oder überdeckt ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung ist die Bestrahlungsebene dazu vorgesehen, dass darin eine der von dem Träger abzutrennenden Schicht abgewandte Hauptseite des Trägers angeordnet ist. Die Vorrichtung kann hierfür eine Halterung aufweisen, mit der der Träger mit der Schicht halterbar ist. Die Halterung ist bevorzugt in lateraler

Richtung positionierbar und verfahrbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung beträgt ein Winkel zwischen den mindestens zwei Teilstrahlen an der Bestrahlungsebene mindestens 1,0°. Bevorzugt beträgt der Winkel mindestens 5,0°. Mit anderen Worten schneiden

Strahlachsen der Teilstrahlen die Bestrahlungsebene derart, dass ein Winkel zwischen den Strahlachsen der Teilstrahlen, insbesondere paarweise, mindestens 1,0°, bevorzugt mindestens 5,0° beträgt .

In mindestens einer Ausführungsform der Vorrichtung ist diese für ein Laserabhebeverfahren zum Abtrennen zumindest einer Schicht von einem Träger vorgesehen. Die Vorrichtung

beinhaltet einen Laser zur Erzeugung einer zum Beispiel gepulsten Laserstrahlung sowie wenigstens einen Strahlteiler. Mittels des wenigstens einen Strahlteilers wird die

Laserstrahlung in mindestens zwei Teilstrahlen aufgeteilt. Die Teilstrahlen werden in einer Bestrahlungsebene

überlagert, wobei die Bestrahlungsebene dazu vorgesehen ist, dass darin eine der Schicht abgewandte Hauptseite des Trägers angeordnet ist. An der Bestrahlungsebene beträgt ein Winkel zwischen den mindestens zwei Teilstrahlen mindestens 1,0°.

Wird bei einem Laserabhebeverfahren, englisch Laser-Lift-Off, eine kohärente, gerichtete Laserstrahlung verwendet, so kann beim Durchtritt durch eine insbesondere raue Eintrittsfläche etwa eines Trägers an einer zum Beispiel einige hundert

Mikrometer darunter liegenden Grenzfläche ein

Interferenzmuster entstehen. Dieses Interferenzmuster weist statistisch verteilte, ortsfeste Intensitätsmodulationen des durchtretenden Laserstrahls auf. Allerdings können durch die interferenzfähige Laserstrahlung bei Verwendung eines kostengünstigeren Trägers mit einer nicht polierten, rauen Eintrittsfläche beim Laser-Lift-Off Schäden an der

epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge entstehen. Um eine gleichmäßige Abtrennung beispielsweise der

Halbleiterschichtenfolge von dem Träger zu gewährleisten, hat es sich nun als vorteilhaft herausgestellt, derartige

Intensitätsmodulationen zu vermeiden oder zu reduzieren. Durch ein Aufteilen der Laserstrahlung in wenigstens zwei Teilstrahlen und dem anschließenden Überlagern der

Teilstrahlen unter einem bestimmten Winkel, der größer ist als ein kritischer Winkel, lässt sich die

Interferenzfähigkeit der Laserstrahlung reduzieren, wodurch Intensitätsmodulationen eines Interferenzmusters reduzierbar und Schäden an der Halbleiterschichtenfolge vermeidbar oder verminderbar sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weisen mindestens zwei der Teilstrahlen und/oder weisen alle

Teilstrahlen, mit einer Toleranz von höchstens 20 %,

insbesondere mit einer Toleranz von höchstens 10 %, gleiche Intensitäten auf. Mit anderen Worten weisen beide und/oder alle Teilstrahlen pro Laserimpuls eine im Wesentlichen gleiche Energie auf. Mit zunehmender Anzahl der Teilstrahlen kann die Toleranz der Energien pro Impuls aber auch größer werden. Beispielsweise nimmt die Impulsenergietoleranz pro zusätzlichem Teilstrahl um 5 Prozentpunkte zu, wobei die Toleranz jedoch maximal 50 % beträgt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung liegt eine Impulsdauer der Laserstrahlung bei höchstens 50 ns .

Beispielsweise handelt es sich bei der Laserstrahlung um Nanosekundenimpulse mit Impulsdauern zwischen einschließlich 1 ns und 15 ns, insbesondere zwischen einschließlich 3 ns und 10 ns . Ebenso ist es möglich, dass Pikosekundenimpulse oder Femtosekundenimpulse Verwendung finden, insbesondere mit Impulsdauern zwischen einschließlich 2 fs und 1000 ps oder mit Impulsdauern zwischen einschließlich 60 fs und 20 ps .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung

entspricht ein optischer Weglängenunterschied zwischen den Teilstrahlen höchstens dem 0,05-fachen oder höchstens dem 0,15-fachen, insbesondere höchstens dem 0,025-fachen der mittleren Impulsdauer der Laserstrahlung. Mit anderen Worten sind die Lichtimpulse der Teilstrahlen dazu eingerichtet, im Wesentlichen zeitgleich auf den Träger aufzutreffen .

Bevorzugt ist der Weglängenunterschied höchstens so groß, dass mindestens 80 % oder mindestens 90 % der Summe der

Energien pro Impuls aller Teilstrahlen in einem Zeitfenster an die Bestrahlungsebene gelangen, das eine Länge von

höchstens dem 1,22-fachen oder 1,15-fachen der mittleren Impulsdauer, bevorzugt von höchstens der mittleren

Impulsdauer aufweist. Die Impulsdauer ist bevorzugt bezogen auf einen Abfall der Intensität auf 1/e einer maximalen

Intensität des zeitlichen Verlaufs der Impulse. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung

entspricht ein optischer Weglängenunterschied zwischen den Teilstrahlen mindestens dem 0,025-fachen und höchstens dem 0,3-fachen der mittleren Impulsdauer der Laserstrahlung. Mit anderen Worten gelangen die Lichtimpulse der Teilstrahlen zu leicht unterschiedlichen Zeiten an der Bestrahlungsebene an.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung beträgt ein Weglängenunterschied zwischen den Teilstrahlen höchstens dem 0,22-fachen oder dem 0,15-fachen eines mittleren

Strahldurchmessers der Teilstrahlen. Der Strahldurchmesser ist insbesondere bezogen auf einen Abfall der räumlichen, lateralen Intensitätsverteilung auf l/e^ einer maximalen Intensität des Strahlprofils.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung beträgt ein Winkel zwischen den Teilstrahlen, bevorzugt paarweise, jeweils zwischen einschließlich 7,5° und 50°. Alternativ oder zusätzlich liegt ein Winkel zwischen den Teilstrahlen und einem Lot zu der Bestrahlungsebene jeweils zwischen

einschließlich 0° und 80°, insbesondere zwischen

einschließlich 0° und 30°. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung wird die Laserstrahlung in N Teilstrahlen aufgeteilt und die

Vorrichtung umfasst N - 1 Strahlteiler. N ist hierbei eine ganze Zahl, bevorzugt zwischen einschließlich 3 und 8. Für eine Reflektivität R des N-ten Strahlteilers gilt der

Zusammenhang:

R(N) = 1 / (N+l)

Der Strahlteiler mit der höchsten Reflektivität befindet sich hierbei, bezogen auf einen Strahlengang der Laserstrahlung oder der Teilstrahlen, am nächsten an der Bestrahlungsebene, der Strahlteiler mit der zweithöchsten Reflektivität befindet sich am zweitnächsten an der Bestrahlungsebene und so weiter. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung

befindet sich in den Strahlwegen der Teilstrahlung zwischen dem jeweiligen, zugeordneten Strahlteiler und der

Bestrahlungsebene keine zu einer Strahlungstransmission vorgesehene optische Komponente. Bevorzugt befindet sich in den Strahlengängen der Teilstrahlen also keine Linse oder Polarisationsoptik. Mit anderen Worten durchlaufen die

Teilstrahlen ab dem zugeordneten Strahlteiler bis zur

Bestrahlungsebene bevorzugt keine kondensierte Materie mehr.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weisen die Teilstrahlen in der Bestrahlungsebene, mit einer Toleranz von höchstens 15 %, insbesondere mit einer Toleranz von höchstens 10 %, jeweils gleiche Querschnittsflächen und/oder gleiche laterale Ausdehnungen auf. Mit anderen Worten sind die Querschnitte der Teilstrahlen in der Bestrahlungsebene im Wesentlichen gleich groß und im Wesentlichen gleich geformt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung beträgt eine Summe der Energiedichten aller Teilstrahlen in der

Bestrahlungsebene zwischen einschließlich 200 mJ/cm^ und 850 mJ/cm^ pro Impuls der Laserstrahlung. Darüber hinaus wird ein Laserabhebeverfahren zum Abtrennen einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge von einem Träger, insbesondere von einem Aufwachssubstrat , angegeben. Das Abhebeverfahren kann mit einer Vorrichtung, wie in Verbindung mit mindestens einer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben, durchgeführt werden. Merkmale des Laserabhebeverfahrens sind daher auch für die hier beschriebene Vorrichtung offenbart und umgekehrt.

In mindestens einer Ausführungsform des Laserabhebeverfahrens umfasst dieses die Schritte:

- Bereitstellen der epitaktisch auf dem Träger gewachsenen Halbleiterschichtenfolge, - Aufteilen einer insbesondere gepulsten Laserstrahlung in mindestens zwei Teilstrahlen, und

- Überlagern der Teilstrahlen in einer Bestrahlungsebene, in der sich eine der Halbleiterschichtenfolge abgewandte

Hauptseite des Trägers befindet.

Ein Winkel zwischen den mindestens zwei Teilstrahlen

zueinander an der Bestrahlungsebene beträgt hierbei

mindestens 1,0°. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Laserabhebeverfahrens beträgt eine mittlere Rauheit der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Hauptfläche des Trägers zwischen einschließlich 0,1 ym und 5,0 ym, insbesondere zwischen einschließlich 0,25 ym und 2,5 ym. Beispielsweise bei einem epitaktischen Wachsen einer

Halbleiterschichtenfolge ist ein Substrat mit einer polierten und einer rauen Oberfläche einsetzbar. Hierdurch sind

kostengünstigere Substrate verwendbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Laserabhebeverfahrens umfasst der Träger Saphir oder besteht hieraus. Alternativ kann der Träger aus einem anderen, für die Laserstrahlung klarsichtigen oder transparenten Material bestehen. Transparent kann heißen, dass der Träger eine

Absorption von höchstens 20 % oder von höchstens 1 %, bevorzugt von höchstens 0,2 % bei der Wellenlänge der

Laserstrahlung und der Teilstrahlung aufweist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Laserabhebeverfahrens basiert die Halbleiterschichtenfolge auf Galliumnitrid, Indiumgalliumnitrid und/oder

Aluminiumgalliumnitrid. Alternativ ist es möglich, dass eine abzutrennende Schicht ein anderes, insbesondere oxidhaltiges oder nitridhaltiges Material wie Siliziumnitrid aufweist, das bei der Wellenlänge der Laserstrahlung eine hohe Absorption aufweist . Darüber hinaus wird eine Nitrid-Halbleiterschichtenfolge, insbesondere auf Galliumnitrid basierend, angegeben. Die Halbleiterschichtenfolge ist zum Beispiel mit einer

Vorrichtung oder mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten

Ausführungsformen angegeben. Merkmale für die

Halbleiterschichtenfolge sind daher auch für das Verfahren sowie für die Vorrichtung offenbart und umgekehrt.

Neben einem Laserabhebeverfahren ist es auch möglich, dass eine hier beschriebenen Vorrichtung und eine Abwandlung eines hier beschriebenen Verfahrens zu einer auf einer

mikroskopischen Skala homogenen Ausleuchtung einer Schicht durch eine raue Oberfläche hindurch eingesetzt wird, wobei die Schicht von der rauen Oberfläche beabstandet ist.

Beispielsweise ist eine homogene Belichtung eines Fotolacks in einem lithographischen Verfahren oder eine homogene

Ausleuchtung bei einem strahlungsinduzierten Härten eines Verbindungsmittels, wie einem UV-aushärtendem Kleber, durch raue Oberflächen hindurch realisierbar.

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Laserabhebeverfahren, eine hier beschriebene Halbleiterschichtenfolge sowie eine hier beschriebene Vorrichtung unter Bezugnahme auf die

Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine

maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1, 2, 4, 7 und 8 schematische

Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen Vorrichtungen, an denen ein hier beschriebenes Laserabhebeverfahren durchführbar ist,

Figuren 3 und 5 schematische Ausführungsbeispiele von

hier beschriebenen Halbleiterschichtenfolgen, und

Figur 6 schematische Draufsichten auf Hauptseiten eines

Trägers bei einem hier beschriebenen

Laserabhebeverfahren .

In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung 100 dargestellt, mit der ein Laserabhebeverfahren durchgeführt wird. Ein in Figur 1 nicht gezeigter Laser emittiert eine gepulste Laserstrahlung L. Mittels zwei Strahlteilern 4a, 4b wird die Laserstrahlung in drei Teilstrahlen PI, P2, P3 aufgeteilt, wobei der Teilstrahl P3 die um die Teilstrahlen PI, P2 verminderte Laserstrahlung L ist. Die Teilstrahlen PI, P2, P3 und die Laserstrahlung L weisen zum Beispiel

näherungsweise gaußförmige Strahlprofile mit einem

Durchmesser von 1/e ² , bezogen auf einen Abfall der Intensität der Strahlung in lateraler Richtung hinsichtlich einer maximalen Intensität, zwischen einschließlich 2 mm und 8 mm, insbesondere um 4 mm, auf. Eine Wellenlänge beträgt

beispielsweise zirka 343 nm oder zirka 355 nm. Die Teilstrahlen PI, P2 werden über Spiegel 5 mit der nicht abgelenkten Teilstrahlung P3 in einer Bestrahlungsebene 10 überlagert. Ein Winkel l, 2 zwischen den Teilstrahlen PI, P3 und P2, P3 beträgt jeweils zirka 30°. Die Winkel al, a2 sind auch gleich einem Winkel zu einem Lot 11 der

Bestrahlungsebene 10. Das Lot 11 fällt mit einer Strahlachse der Teilstrahlung P3 und der Laserstrahlung L zusammen.

Die Bestrahlungsebene 10 ist dazu eingerichtet, dass mittels eines in Figur 1 nicht dargestellten Halters ein Träger 2 mit einer Schicht 2 oder mit einer Halbleiterschichtenfolge 2 mit einer der Schicht 2 abgewandten Hauptseite 30 des Trägers 3 in der Bestrahlungsebene 10 zu liegen kommt. Die Hauptseite 30 des Trägers 3 weist bevorzugt eine Rauheit zwischen einschließlich 0,5 ym und 1,5 ym, beispielsweise mit einer Rauheit von ungefähr 1 ym, auf.

Strahlwege der Teilstrahlen PI, P2, P3, jeweils gerechnet ab dem Strahlteiler 4a bis zur Bestrahlungsebene 10,

unterscheiden sich voneinander in ihrer Länge. Beispielsweise ist der Strahlweg des Teilstrahls P2 um zirka 15 cm länger als der Strahlweg des Teilstrahls P3. Der Strahlweg des Teilstrahls PI ist beispielsweise um zirka 30 cm länger als der Strahlweg des Teilstrahls P3. Beträgt eine Impulsdauer der Laserstrahlung L beispielsweise zirka 5 ns, so entspricht ein optischer Weglängenunterschied zwischen den Teilstrahlen PI, P3 zirka einem 0,2-fachen der Impulsdauer. Mit anderen Worten treffen die Impulse der Teilstrahlen PI, P2, P3 zu unterschiedlichen Zeiten auf den Träger 3 auf.

Anders als in Figur 1 dargestellt ist es möglich, dass insbesondere die Teilstrahlen P2 und P3 so geführt werden, dass die einzelnen Impulse der Teilstrahlen PI, P2, P3 im Wesentlichen zeitgleich die Bestrahlungsebene 10 erreichen. Jedoch ist durch ein Ankommen der Impulse der Teilstrahlen PI, P2, P3 zu moderat unterschiedlichen Zeiten an der

Bestrahlungsebene 10 eine Interferenzfähigkeit der

Laserstrahlung L beziehungsweise der Teilstrahlen PI, P2, P3 an der Bestrahlungsebene 10 reduzierbar.

In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der

Vorrichtung 100, mit der das Laserabhebeverfahren

durchführbar ist, dreidimensional dargestellt. Die

Laserstrahlung L wird in die vier Teilstrahlen PI, P2, P3, P4 aufgeteilt. Die Teilstrahlen PI, P2, P3 sind

rotationssymmetrisch um die nicht abgelenkte Teilstrahlung P4 angeordnet. Die Winkel, unter denen die Teilstrahlen P2, P3, P4 auf die Hauptseite 30 des Trägers 3 treffen, sind zum Beispiel paarweise voneinander verschieden.

In einer Schnittdarstellung ist in Figur 3A das

Halbleiterbauteil dargestellt. Die Halbleiterschichtenfolge 2, die bevorzugt epitaktisch auf dem Träger 3 gewachsen ist, ist nach dem epitaktischen Wachsen weiterhin an einem

Substrat 9 angebracht. Verbindungsschichten zwischen dem Substrat 9 und der Halbleiterschichtenfolge 2 sind in den Figuren nicht gezeichnet. Der Träger 3 besteht zum Beispiel aus Saphir und weist eine Dicke bevorzugt zwischen

einschließlich 250 ym und 1,5 mm auf, insbesondere eine Dicke um zirka 650 ym.

Eine Zersetzungszone 20 der Halbleiterschichtenfolge 2 an einer dem Substrat 9 zugewandten Hauptseite 35 des Trägers 3 absorbiert die Teilstrahlungen P. Eine Dicke der

Halbleiterschichtenfolge 2 insgesamt beträgt zum Beispiel höchstens 12 ym, insbesondere um zirka 6 ym. Durch die Absorption der Teilstrahlungen P erfolgt eine thermische Zersetzung des Materials der Zersetzungszone 20. Durch ein Abrastern der Halbleiterschichtenfolge 2 sowie des Trägers 3 in lateraler Richtung durch die Teilstrahlen PI, P2, P3, P4 ist die Halbleiterschichtenfolge 2 von dem Träger 3

abtrennbar. Eine Energiedichte aller Teilstrahlen PI, P2, P3, P4 pro Impuls beträgt insgesamt zum Beispiel zirka 400 mJ/cm^ und liegt bevorzugt knapp unterhalb einer Zerstörschwelle eines Materials der Zersetzungszone 20.

In den Figuren 3B und 3C ist eine Intensität I der

Teilstrahlung P in lateraler Richtung schematisch

aufgetragen. Gemäß Figur 3B weist die Teilstrahlung P eine rechteckförmige Einhüllende 7 eines realen Strahlprofils 8 der Teilstrahlung P auf, gemäß Figur 3C ist die Einhüllende 7 gaußförmig. Das reale Strahlprofil 8 weicht von der

Einhüllenden 7 aufgrund von Interferenzeffekten ab. Diese Abweichungen können zu einem ungleichmäßigen Ablösen der Halbleiterschichtenfolge 2 von dem Träger 3 und damit zu einer Beschädigung der Halbleiterschichtenfolge 2 führen.

Durch die Aufteilung der Laserstrahlung L in mindestens zwei der Teilstrahlen P sind die Intensitätsmodulationen des realen Strahlprofils 8 um die Einhüllende 7 reduzierbar, so dass ein effizientes und zuverlässiges Ablösen der

Halbleiterschichtenfolge 2 von dem Träger 3 mittels der

Vorrichtung und mittels des Verfahrens realisierbar ist. Zum Beispiel betragen die Abweichungen der Einhüllenden 7 von dem realen Strahlprofil 8 höchstens 20 %, bevorzugt höchstens 10 %.

Eine Größe der Intensitätsmodulation des realen Strahlprofils 8 gegenüber der Einhüllenden 7 kann beispielsweise über eine Rauheit der Halbleiterschichtenfolge 2 nach dem Abtrennen von dem Träger 3 nachweisbar sein. Wird die Zersetzungszone 20 beispielsweise über ein Ätzen von der

Halbleiterschichtenfolge 2 nach dem Abtrennen von dem Träger 3 entfernt, so kann die Intensitätsmodulation des realen Strahlprofils 8 über eine nach dem Ätzen resultierende

Struktur der Halbleiterschichtenfolge 2 an einer dem Substrat 9 abgewandten Seite nachweisbar sein.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 4 durchlaufen die

Teilstrahlungen P2, P3 jeweils eine optische Komponente 6. Die optische Komponente 6 ist zum Beispiel eine

Zylinderlinse, mit der ein Querschnitt der Teilstrahlen P2, P3 in der Bestrahlungsebene 10 an einen Querschnitt des

Teilstrahls PI, der senkrecht auf die Bestrahlungsebene 10 trifft, anpassbar ist, vergleiche auch Figur 6B . Bis auf die zur Strahlkorrektur eingerichtete optische Komponente 6 durchlaufen die Teilstrahlen PI, P2, P3 nach dem jeweils zugeordneten Strahlteiler 4a, 4b bis zur Bestrahlungsebene 10 bevorzugt jeweils keine weitere kondensierte Materie.

Gemäß Figur 5 weist die Halbleiterschichtenfolge 2 die

Zersetzungszone 20 nicht direkt an der dem Substrat 9 zugewandten Hauptseite 35 des Trägers 3 auf. Mit anderen Worten ist es möglich, mit dem hier beschriebenen Verfahren ein teilweises Abheben der Halbleiterschichtenfolge 2 zu realisieren. Abweichend hiervon ist es alternativ oder zusätzlich ebenso möglich, dass der Träger 3 eine nicht gezeichnete Teilschicht oder einen Bereich aufweist, der eine erhöhte Absorption für die Teilstrahlung P aufweist, so dass dann nach dem Abtrennen auch ein Teil des Trägers 3 an der Halbleiterschichtenfolge 2 verbleiben kann. Die Halbleiterschichtenfolge 2 basiert beispielsweise auf Galliumnitrid. Ebenso ist es möglich, dass die

Zersetzungszone 20 ein anderes, ein Nitrid beinhaltendes Material aufweist. Beispielsweise kann die Zersetzungszone 20 aus Siliziumnitrid bestehen oder dieses aufweisen.

In den Figuren 6A und 6B sind Draufsichten auf die

Bestrahlungsebene 10 sowie die Hauptseite 30 dargestellt. Ferner sind die Strahlprofile 8a, 8b, 8c, 8d der Teilstrahlen PI, P2, P3, P4 dargestellt, die beispielsweise durch die Vorrichtung 100 gemäß Figur 2 in der Bestrahlungsebene 10 vorliegen. Dadurch, dass die Teilstrahlen PI, P2, P3 unter einem vergleichsweise großen Winkel zum Lot 11 der

Bestrahlungsebene 10 auf diese auftreffen, weisen die

Teilstrahlen PI, P2, P3 in der Bestrahlungsebene 10

unterschiedliche Querschnitte auf.

In Figur 6B ist dargestellt, dass die Querschnitte in der Bestrahlungsebene 10 gleiche oder im Wesentlichen gleiche Querschnittsflächen und laterale Ausdehnungen aufweisen. Dies ist durch insbesondere reflektive Optiken, beispielsweise durch entsprechend geformte Spiegel 5 oder durch die optische Komponente 6 in den Strahlgängen der Teilstrahlen PI, P2, P3, realisierbar. Bevorzugt liegen innerhalb eines Kreises mit einem Radius des mittleren oder des kleinsten

Strahldurchmessers der Teilstrahlen PI, P2, P3, bezogen auf einen Abfall der Intensität auf l/e^, mindestens 80 % oder mindestens 90 % der gesamten Energie der Teilstrahlen PI, P2, P3.

In den Figuren 7A und 7B sind weitere Ausführungsbeispiele der Vorrichtung 100 dargestellt. Gemäß Figur 7B sind die drei Spiegel 5a um eine horizontale Achse drehbar, so dass der Winkel, unter dem die Teilstrahlen PI, P2, P3 auf die

Hauptseite 30 auftreffen, einstellbar ist. Ebenso kann der Träger 3 mit der Halbleiterschichtenfolge 2 optional in vertikaler Richtung verschoben werden. Über die beweglichen Spiegel 5b sind Strahlwege der Teilstrahlen P2, P3

einstellbar, so dass eine zeitliche Verzögerung zwischen den Teilstrahlen PI, P2, P3 einstellbar ist.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 8 sind die Strahlteiler 4a, 4b durch Prismen 12a, 12b, 12c implementiert, die zum Beispiel aus Quarzglas gebildet sind. Die Prismen 12a, 12b, 12c sind entweder aneinander gekittet oder, bevorzugt, durch dünne Luftspalte voneinander separiert. Die Strahlteiler 4a, 4b sind dann teilreflektierende Begrenzungsflächen der

Prismen 12a, 12b. Der Strahlteiler 4a weist eine

Reflektivität von zirka 33 % auf und der Strahlteiler 4b von zirka 50 %. Die Reflektivität ist beispielsweise durch

Beschichtungen auf den entsprechenden Begrenzungsflächen der Prismen 12a, 12b durch einen Winkel der entsprechenden

Begrenzungsflächen der Prismen 12a, 12b, 12c, durch eine Polarisation der Strahlung und/oder durch eine Dicke eines Spalts zwischen benachbarten Prismen 12a, 12b, 12c

einstellbar . An den Prismen 12a, 12c sind optional die optischen

Komponenten 6, die als Zylinderlinsen gestaltet sind, entweder angebracht oder bereits einstückig mit den Prismen 12a, 12c hergestellt. Über die Zylinderlinsen wird erreicht, dass die Teilstrahlen PI, P2, P3 in der Bestrahlungsebene 10 gleiche Strahlquerschnitte aufweisen, siehe auch Figur 6B . Der Spiegel 5 kann durch eine totalreflektierende

Begrenzungsfläche des Prismas 12c oder durch eine

hochreflektierende Beschichtung gebildet sein. Das Prisma 12a weist bevorzugt eine Antireflexionsbeschichtung 13 an einer Strahlungseintrittsfläche auf. Bei der Verwendung von

Femtosekundenimpulsen oder von Pikosekundenimpulsen können in Figur 8 nicht gezeichnete Vorrichtungen zu einer Korrektur eines zeitlichen Farbverlaufs in den Impulsen der

Teilstrahlen PI, P2, P3, englisch auch als Chirp bezeichnet, vorgesehen sein.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die

Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.

Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 057 566.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.