(第1実施形態)
 以下、本発明に係る第1実施形態を、図1か� �図21を参照して説明する。
 本実施形態の圧電振動子1は、図1から図4に� ��すように、ベース基板2とリッド基板3とで2� ��に積層された箱状に形成されており、内部� ��キャビティC内に圧電振動片4が収納された� �面実装型の圧電振動子1である。
 なお、図4においては、図面を見易くするた めに後述する励振電極15、引き出し電極19、20 、マウント電極16、17及び重り金属膜21の図示 を省略している。

 圧電振動片4は、図5から図7に示すように、� ��晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウ� ��等の圧電材料から形成された音叉型の振動� ��であり、所定の電圧が印加されたときに振� ��するものである。
 この圧電振動片4は、平行に配置された一対 の振動腕部10、11と、この一対の振動腕部10、 11の基端側を一体的に固定する基部12と、一� �の振動腕部10、11の外表面上に形成されて一� ��の振動腕部10、11を振動させる第1の励振電� �13と第2の励振電極14とからなる励振電極15と� ��第1の励振電極13及び第2の励振電極14に電気� ��に接続されたマウント電極16、17とを有して いる。
 また、本実施形態の圧電振動片4は、一対の 振動腕部10、11の両主面上に、振動腕部10、11� ��長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部1 8を備えている。この溝部18は、振動腕部10、1 1の基端側から略中間付近まで形成されてい� �。

 第1の励振電極13と第2の励振電極14とから� ��る励振電極15は、一対の振動腕部10、11を互� ��に接近又は離間する方向に所定の共振周波� ��で振動させる電極であり、一対の振動腕部1 0、11の外表面に、それぞれ電気的に切り離さ れた状態でパターニングされて形成されてい る。具体的には、図7に示すように、第1の励� ��電極13が、一方の振動腕部10の溝部18上と他� ��の振動腕部11の両側面上とに主に形成され� �第2の励振電極14が、一方の振動腕部10の両側 面上と他方の振動腕部11の溝部18上とに主に� �成されている。

 第1の励振電極13及び第2の励振電極14は、図5 及び図6に示すように、基部12の両主面上にお いて、それぞれ引き出し電極19、20を介して� �ウント電極16、17に電気的に接続されている� ��そして圧電振動片4は、このマウント電極16� ��17を介して電圧が印加されるようになって� �る。
 なお、上述した励振電極15、マウント電極16 、17及び引き出し電極19、20は、例えば、クロ ム(Cr)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)やチタ ン(Ti)等の導電性膜の被膜により形成された� �のである。

 一対の振動腕部10、11の先端には、自身の 振動状態を所定の周波数の範囲内で振動する ように調整(周波数調整)を行うための重り金� ��膜21が被膜されている。なお、この重り金� �膜21は、周波数を粗く調整する際に使用され る粗調膜21aと、微小に調整する際に使用され る微調膜21bとに分かれている。これら粗調膜 21a及び微調膜21bを利用して周波数調整を行う ことで、一対の振動腕部10、11の周波数をデ� �イスの公称周波数の範囲内に収めることが� �きる。

 このように構成された圧電振動片4は、図 3から図4に示すように、金等のバンプBを利用 して、ベース基板2の上面にバンプ接合され� �いる。より具体的には、ベース基板2の上面� ��パターニングされた引き回し電極36、37上に 形成された2つのバンプB上に、一対のマウン� ��電極16、17がそれぞれ接触した状態でバンプ 接合されている。これにより、圧電振動片4� �、ベース基板2の上面から浮いた状態で支持� ��れると共に、マウント電極16、17と引き回し 電極36、37とがそれぞれ電気的に接続された� �態となっている。

 上記リッド基板3は、ガラス材料、例えば 、ソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板 であり、図1、図3及び図4に示すように、板状 に形成されている。そして、ベース基板2が� �合される接合面側には、圧電振動片4が収ま� ��矩形状の凹部3aが形成されている。この凹� �3aは、両基板2、3が重ね合わされたときに、� ��電振動片4を収容するキャビティCとなるキ� �ビティ用の凹部3aである。そして、リッド基 板3は、この凹部3aをベース基板2側に対向さ� �た状態でベース基板2に対して陽極接合され� ��いる。

 上記ベース基板2は、リッド基板3と同様に� �ラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからな� �透明な絶縁基板であり、図1から図4に示すよ うに、リッド基板3に対して重ね合わせ可能� �大きさで板状に形成されている。
 このベース基板2には、ベース基板2を貫通� �る一対のスルーホール30、31が形成されてい� ��。この際、一対のスルーホール30、31は、キ ャビティC内に収まるように形成されている� �より詳しく説明すると、本実施形態のスル� �ホール30、31は、マウントされた圧電振動片4 の基部12側に一方のスルーホール30が位置し� �振動腕部10、11の先端側に他方のスルーホー� ��31が位置するように形成されている。また� �本実施形態では、ベース基板2の下面に向か� ��て漸次径が縮径した断面テーパ状のスルー� ��ールを例に挙げて説明するが、この場合に� ��られず、ベース基板2を真っ直ぐに貫通する スルーホールでも構わない。いずれにしても 、ベース基板2を貫通していれば良い。

 そして、これら一対のスルーホール30、31に は、スルーホール30、31を埋めるように形成� �れた一対の貫通電極32、33が形成されている� ��これら貫通電極32、33は、図8に示すように� �複数の金属微粒子P1を含んだペーストPの硬� �によって形成されたものであり、スルーホ� �ル30、31を完全に塞いでキャビティC内の気密 を維持していると共に、後述する外部電極38� ��39と引き回し電極36、37とを導通させる役割� ��担っている。
 なお、貫通電極32、33は、ペーストPに含ま� �る複数の金属微粒子P1が互いに接触し合って いることで、電気導通性が確保されている。 また、本実施形態の金属微粒子P1は、銅等に� ��り細長い繊維状(非球形形状)に形成されて� �る場合を例に挙げて説明する。

 ベース基板2の上面側(リッド基板3が接合� ��れる接合面側)には、図1から図4に示すよう� ��、導電性材料(例えば、アルミニウム)によ� �、陽極接合用の接合膜35と、一対の引き回し 電極36、37とがパターニングされている。こ� �うち接合膜35は、リッド基板3に形成された� �部3aの周囲を囲むようにベース基板2の周縁� �沿って形成されている。

 一対の引き回し電極36、37は、一対の貫通 電極32、33のうち、一方の貫通電極32と圧電振 動片4の一方のマウント電極16とを電気的に接 続すると共に、他方の貫通電極33と圧電振動� ��4の他方のマウント電極17とを電気的に接続� ��るようにパターニングされている。より詳� ��く説明すると、一方の引き回し電極36は、� �電振動片4の基部12の真下に位置するように� �方の貫通電極32の真上に形成されている。ま た、他方の引き回し電極37は、一方の引き回� ��電極36に隣接した位置から、振動腕部10、11� ��沿って振動腕部10、11の先端側に引き回しさ れた後、他方の貫通電極33の真上に位置する� ��うに形成されている。

 そして、これら一対の引き回し電極36、37 上にそれぞれバンプBが形成されており、こ� �バンプBを利用して圧電振動片4がマウントさ れている。これにより、圧電振動片4の一方� �マウント電極16が、一方の引き回し電極36を� ��して一方の貫通電極32に導通し、他方のマ� �ント電極17が、他方の引き回し電極37を介し� ��他方の貫通電極33に導通するようになって� �る。

 ベース基板2の下面には、図1、図3及び図4 に示すように、一対の貫通電極32、33に対し� �それぞれ電気的に接続される外部電極38、39� ��形成されている。つまり、一方の外部電極3 8は、一方の貫通電極32及び一方の引き回し電 極36を介して圧電振動片4の第1の励振電極13に 電気的に接続されている。また、他方の外部 電極39は、他方の貫通電極33及び他方の引き� �し電極37を介して、圧電振動片4の第2の励振� ��極14に電気的に接続されている。

 このように構成された圧電振動子1を作動 させる場合には、ベース基板2に形成された� �部電極38、39に対して、所定の駆動電圧を印� ��する。これにより、圧電振動片4の第1の励� �電極13及び第2の励振電極14からなる励振電極 15に電流を流すことができ、一対の振動腕部1 0、11を接近・離間させる方向に所定の周波数 で振動させることができる。そして、この一 対の振動腕部10、11の振動を利用して、時刻� �、制御信号のタイミング源やリファレンス� �号源等として利用することができる。

 次に、上述した圧電振動子1を、図9に示� �フローチャートを参照しながら、ベース基� �用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とを利用� ��て一度に複数製造する製造方法について以� ��に説明する。

 初めに、圧電振動片作製工程を行って図5 から図7に示す圧電振動片4を作製する(S10)。� �体的には、まず水晶のランバート原石を所� �の角度でスライスして一定の厚みのウエハ� �する。続いて、このウエハをラッピングし� �粗加工した後、加工変質層をエッチングで� �り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加� �を行って、所定の厚みのウエハとする。続� �て、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した� �、ウエハをフォトリソグラフィ技術によっ� �圧電振動片4の外形形状でパターニングする� ��共に、金属膜の成膜及びパターニングを行� ��て、励振電極15、引き出し電極19、20、マウ� ��ト電極16、17、重り金属膜21を形成する。こ� ��により、複数の圧電振動片4を作製すること ができる。

 また、圧電振動片4を作製した後、共振周 波数の粗調を行っておく。これは、重り金属 膜21の粗調膜21aにレーザ光を照射して一部を� ��発させ、重量を変化させることで行う。な� ��、共振周波数をより高精度に調整する微調� ��関しては、マウント後に行う。これについ� ��は、後に説明する。

 次に、後にリッド基板3となるリッド基板 用ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態ま� ��作製する第1のウエハ作製工程を行う(S20)。� ��ず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研� ��加工して洗浄した後に、図10に示すように� �エッチング等により最表面の加工変質層を� �去した円板状のリッド基板用ウエハ50を形成 する(S21)。次いで、リッド基板用ウエハ50の� �合面に、エッチング等により行列方向にキ� �ビティ用の凹部3aを複数形成する凹部形成工 程を行う(S22)。この時点で、第1のウエハ作製 工程が終了する。

 次に、上記工程と同時或いは前後のタイ� ��ングで、後にベース基板2となるベース基板 用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態ま� ��作製する第2のウエハ作製工程を行う(S30)。� ��ず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研� ��加工して洗浄した後に、エッチング等によ� ��最表面の加工変質層を除去した円板状のベ� ��ス基板用ウエハ40を形成する(S31)。次いで、 ベース基板用ウエハ40に、複数の金属微粒子P 1を含んだペーストPを利用して、一対の貫通� ��極32、33を複数形成する貫通電極形成工程を 行う(S30A)。ここで、この貫通電極形成工程に ついて、詳細に説明する。

 まず、図11に示すように、ペーストPを保� ��するため、有底穴状の一対の保持孔30a、31a� ��ベース基板用ウエハ40の上面側に複数形成� �る保持孔形成工程(S32)を行う。なお、図11に� ��す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切 断線を図示している。この工程を行う際、ベ ース基板用ウエハ40の上面側から、例えばサ� ��ドブラスト法で行う。これにより、図12に� �すように、ベース基板用ウエハ40の下面に向 かって漸次径が縮径する断面テーパ状で、下 面側に底がある有底穴状の保持孔30a、31aを形 成することができる。また、後に両ウエハ40� ��50を重ね合わせたときに、リッド基板用ウ� �ハ50に形成された凹部3a内に収まるように一� ��の保持孔30a、31aを複数形成する。しかも、� ��方の保持孔30aが圧電振動片4の基部12側に位� ��し、他方の保持孔31aが振動腕部10、11の先端 側に位置するように形成する。

 なお、本実施形態では、ベース基板用ウ� ��ハ40の下面に向かって漸次径が縮径した断� �テーパ状の保持孔を例に挙げて説明するが� �この場合に限られず、径が均一に設けられ� �保持孔でも構わない。いずれにしても、ベ� �ス基板用ウエハ40の下面側に底を有している 有定状の保持孔であれば良い。

 続いて、図13に示すように、これら複数� �保持孔30a、31a内にペーストを隙間なく埋め� �んで保持孔30a、31aを塞ぐ充填工程を行う(S33) 。この際、保持孔30a、31aが有底穴状に形成さ れているので、ペーストPの埋め込み作業が� �易であり、工程の簡素化を図ることができ� �。加えて、ペーストPを無駄に使用する恐れ� ��無い。続いて、充填したペーストPを仮焼成 した後に本焼成して硬化させる焼成工程を行 う。具体的には、まず埋め込まれたペースト Pを仮焼成する(S34)。仮焼成における加熱条件 は、例えば80℃で30分間程度が好ましい。

 ところで、仮焼成によって硬化したペー� ��トPは、仮焼成時に図示しないペーストP内� �大半の有機物が蒸発してしまうので、図14に 示すように、充填工程時に比べて体積が減少 してしまう。そのため、ペーストPの表面に� �、どうしても凹みが生じてしまう。そこで� �本焼成を行う前に、仮焼成時に減少したペ� �スト量に相当する新たなペーストPを仮焼成� ��のペーストPに補充する(S35)。これにより、� ��んだ部分に新たなペーストPが充填されるの で、図15に示すように、表面が平坦となる。

 そして、ペーストPの補充が終了した後に 、補充されたペーストP内部の有機物が本焼� �時に急激に蒸発することを防止するために� �ペーストP全体を再度仮焼成する(S36)。この� �焼成が終了した後に、ペーストP全体の本焼� ��を行う(S37)。本焼成の加熱温度は、例えば40 0℃~500℃程度が好ましい。これにより、仮焼� ��されたペーストP及び新たに補充されたペー ストPが完全に硬化して一体化した状態にな� �と共に、保持孔30a、31aの内面に強固に固着� �た状態となる。ペーストPの仮焼成及び本焼� ��を行うことで、焼成工程が終了する。

 ところで、本焼成されたペーストPの内、 充填工程で埋め込まれたペーストPは、最初� �仮焼成時に既に大半の有機物が蒸発してい� �ので、ペーストP補充後の仮焼成及び本焼成� ��に体積がほとんど減少しない。一方、最初� ��仮焼成の後に補充された新たなペーストPは 、ペーストP補充後の仮焼成及び本焼成によ� �体積が減少するものの、ペーストPの量自体� ��保持孔30a、31a内のペーストPの全体量と比較 するとごく微量である。よって、新たなペー ストPを仮焼成及び本焼成することで減少す� �体積が全体のペーストPの体積に与える影響� ��、無視できるほど小さい。従って、新たに� ��充したペーストPの体積減少を考慮したとし ても、本焼成で硬化した後のペーストPの表� �が大きく凹むことはない。即ち、ベース基� �用ウエハ40の上面において、ベース基板用ウ エハ40の表面と硬化したペーストPの表面とは 、図16に示すように、ほぼ面一な状態となる� ��

 そして、焼成工程後に、ベース基板用ウ� ��ハ40の両面をそれぞれ所定の厚み研磨する� �磨工程を行う。より具体的には、図17に示す ように、ベース基板用ウエハ40の上面を所定� ��厚みだけ研磨する上面研磨工程を行う(S38)� �この工程を行うことで、ベース基板用ウエ� �40の上面において、本焼成によって硬化した ペーストPも同時に研磨できる。従って、ペ� �ストPのわずかに凹んでいる部分の周囲をも� ��り取ることができる。つまり、図18に示す� �うに、硬化したペーストPの表面をより平坦� ��することができる。これにより、ベース基� ��用ウエハ40の表面と硬化したペーストPの表� ��とがより面一な状態となる。

 更に、上面研磨工程と同時或いは前後の� ��イミングで、図17に示すように、ベース基� �用ウエハ40の下面を、保持孔30a、31aの底に達 するまで研磨する下面研磨工程を実施する(S3 9)。これにより、図18に示すように、保持孔30 a、31a内で硬化したペーストPが下面に露出さ� ��る。この下面研磨工程を行うことで、ベー� ��基板用ウエハ40に形成された一対の保持孔30 a、31aが、これ以降ベース基板用ウエハ40を貫 通したスルーホール30、31になると共に、硬� �したペーストPが一対の貫通電極32、33となる 。加えて、ベース基板用ウエハ40の下面にお� ��ても、ベース基板用ウエハ40の表面と硬化� �たペーストPの表面とが、ほぼ面一な状態と� ��る。これら上面研磨工程及び下面研磨工程� ��行うことで、研磨工程が終了する。そして� ��研磨工程を行うことで、貫通電極形成工程� ��終了する。

 次に、ベース基板用ウエハ40の上面に導電� �材料をパターニングして、図19及び図20に示� ��ように、接合膜35を形成する接合膜形成工� �を行う(S40)と共に、各一対の貫通電極32、33� �それぞれ電気的に接続された引き回し電極36 、37を複数形成する引き回し電極形成工程を� ��う(S41)。なお、図19及び図20に示す点線Mは、 後に行う切断工程で切断する切断線を図示し ている。
 特に、貫通電極32、33は上述したように、ベ ース基板用ウエハ40の上面に対してほぼ面一� ��状態となっている。そのため、ベース基板� ��ウエハ40の上面にパターニングされた引き� �し電極36、37は、間に隙間等を発生させるこ� ��なく貫通電極32、33に対して密着した状態で 接する。これにより、一方の引き回し電極36� ��一方の貫通電極32との導通性、並びに、他� �の引き回し電極37と他方の貫通電極33との導� ��性を確実なものにすることができる。この� ��点で第2のウエハ作製工程が終了する。

 ところで、図9では、接合膜形成工程(S40)� ��後に、引き回し電極形成工程(S41)を行う工� �順序としているが、これとは逆に、引き回� �電極形成工程(S41)の後に、接合膜形成工程(S4 0)を行っても構わないし、両工程を同時に行� ��ても構わない。いずれの工程順序であって� ��、同一の作用効果を奏することができる。� ��って、必要に応じて適宜、工程順序を変更� ��て構わない。

 次に、作製した複数の圧電振動片4を、それ ぞれ引き回し電極36、37を介してベース基板� �ウエハ40の上面に接合するマウント工程を行 う(S50)。まず、一対の引き回し電極36、37上に それぞれ金等のバンプBを形成する。そして� �圧電振動片4の基部12をバンプB上に載置した� ��、バンプBを所定温度に加熱しながら圧電振 動片4をバンプBに押し付ける。これにより、� ��電振動片4は、バンプBに機械的に支持され� �と共に、マウント電極16、17と引き回し電極3 6、37とが電気的に接続された状態となる。よ って、この時点で圧電振動片4の一対の励振� �極15は、一対の貫通電極32、33に対してそれ� �れ導通した状態となる。
 特に、圧電振動片4は、バンプ接合されるの で、ベース基板用ウエハ40の上面から浮いた� ��態で支持される。

 圧電振動片4のマウントが終了した後、ベ ース基板用ウエハ40に対してリッド基板用ウ� ��ハ50を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う(S 60)。具体的には、図示しない基準マーク等を 指標としながら、両ウエハ40、50を正しい位� �にアライメントする。これにより、マウン� �された圧電振動片4が、ベース基板用ウエハ4 0に形成された凹部3aと両ウエハ40、50とで囲� �れるキャビティC内に収容された状態となる� ��

 重ね合わせ工程後、重ね合わせた2枚のウエ ハ40、50を図示しない陽極接合装置に入れ、� �定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽� �接合する接合工程を行う(S70)。具体的には、 接合膜35とリッド基板用ウエハ50との間に所� �の電圧を印加する。すると、接合膜35とリッ ド基板用ウエハ50との界面に電気化学的な反� ��が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽� ��接合される。これにより、圧電振動片4をキ ャビティC内に封止することができ、ベース� �板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とが接� ��した図21に示すウエハ体60を得ることができ る。なお、図21においては、図面を見易くす� ��ために、ウエハ体60を分解した状態を図示� �ており、ベース基板用ウエハ40から接合膜35� ��図示を省略している。また、図21に示す点� �Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を� ��示している。
 ところで、陽極接合を行う際、ベース基板� ��ウエハ40に形成されたスルーホール30、31は� ��貫通電極32、33によって完全に塞がれている ので、キャビティC内の気密がスルーホール30 、31を通じて損なわれることがない。特に、� ��通電極32、33を構成するペーストPは、スル� �ホール30、31の内面に強固に密着しているの� ��、キャビティC内の気密を確実に維持するこ とができる。

 そして、上述した陽極接合が終了した後、� ��ース基板用ウエハ40の下面に導電性材料を� �ターニングして、一対の貫通電極32、33にそ� ��ぞれ電気的に接続された一対の外部電極38� �39を複数形成する外部電極形成工程を行う(S8 0)。この工程により、外部電極38、39を利用し てキャビティC内に封止された圧電振動片4を� ��動させることができる。
 特に、この工程を行う場合も引き回し電極3 6、37の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ 40の下面に対して貫通電極32、33がほぼ面一な 状態となっているので、パターニングされた 外部電極38、39は、間に隙間等を発生させる� �となく貫通電極32、33に対して密着した状態� ��接する。これにより、外部電極38、39と貫通 電極32、33との導通性を確実なものにするこ� �ができる。

 次に、ウエハ体60の状態で、キャビティC� ��に封止された個々の圧電振動子1の周波数を 微調整して所定の範囲内に収める微調工程を 行う(S90)。具体的に説明すると、ベース基板� ��ウエハ40の下面に形成された一対の外部電� �38、39に電圧を印加して圧電振動片4を振動さ せる。そして、周波数を計測しながらリッド 基板用ウエハ50を通して外部からレーザ光を� ��射し、重り金属膜21の微調膜21bを蒸発させ� �。これにより、一対の振動腕部10、11の先端� ��の重量が変化するので、圧電振動片4の周波 数を、公称周波数の所定範囲内に収まるよう に微調整することができる。

 周波数の微調が終了後、接合されたウエハ� ��60を図21に示す切断線Mに沿って切断して小� �化する切断工程を行う(S100)。その結果、互� �に接合されたベース基板2とリッド基板3との 間に形成されたキャビティC内に圧電振動片4� ��封止された、図1に示す2層構造式表面実装� �の圧電振動子1を一度に複数製造することが� ��きる。
 なお、切断工程(S100)を行って個々の圧電振� ��子1に小片化した後に、微調工程(S90)を行う� ��程順序でも構わない。但し、上述したよう� ��、微調工程(S90)を先に行うことで、ウエハ� �60の状態で微調を行うことができるので、複 数の圧電振動子1をより効率よく微調するこ� �ができる。よって、スループットの向上化� �図ることができるので好ましい。

 その後、内部の電気特性検査を行う(S110)� ��即ち、圧電振動片4の共振周波数、共振抵抗 値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共� �抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェ� ��クする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチ� ��ックする。そして、最後に圧電振動子1の外 観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチ ェックする。これをもって圧電振動子1の製� �が終了する。

 特に、本実施形態の圧電振動子1は、ベー ス基板2に対してほぼ面一な状態で貫通電極32 、33を形成できるので、貫通電極32、33を、引 き回し電極36、37及び外部電極38、39に対して� ��実に密着させることができる。その結果、� ��電振動片4と外部電極38、39との安定した導� �性を確保することができ、作動性能の信頼� �を向上して高性能化を図ることができる。� �た、キャビティC内の気密に関しても確実に� ��持することができるので、この点において� ��高品質化を図ることができる。加えて、ペ� ��ストPを利用した簡単な方法で貫通電極32、3 3を形成できるので、工程の簡素化を図るこ� �ができる。

 また、本実施形態の製造方法によれば、上� ��圧電振動子1を一度に複数製造することがで きるので、低コスト化を図ることができる。
 更に、研磨工程において、特に下面研磨工� ��の際、焼成時に減少するペーストPの体積に 依存することなく、ベース基板用ウエハ40の� ��みと保持孔30a、31aの深さとに基づいて研磨� ��を設定することができる。つまり、保持孔3 0a、31aの底に達するまで研磨すればよい。従� ��て、ペーストPの状態を確認した上で研磨を 行うといったことが必要なく、予め決められ た量を研磨すればよい。これにより、研磨不 足や過度の研磨を防ぐことができる。

 また、仮焼成した後にペーストPを補充して から本焼成を行うことで、ペーストPの表面� �凹みを小さく抑えることができる。従って� �研磨工程において、特に上面研磨工程の際� �ベース基板用ウエハ40の研磨量がごくわずか で済む。これにより、研磨工程に要する時間 を短縮し、圧電振動子1の製造工程の高効率� �を図ることができる。
 加えて、上記本焼成後に研磨工程を実施す� ��ことで、硬化したペーストPの表面とほぼ面 一な状態にあるベース基板用ウエハ40の表面� ��、更に研磨することになる。これにより、� ��ース基板用ウエハ40の表面と硬化したペー� �トPの表面とをより面一な状態にすることが� ��きる。

(第2実施形態)
 次に、本発明に係る第2実施形態を、図22か� ��図25を参照して説明する。なお、この第2実� ��形態においては、第1実施形態における構成 要素と同一の部分については、同一の符号を 付しその説明を省略する。

 第2実施形態と第1実施形態とは、製造方� �における貫通電極形成工程の作業順序につ� �て異なる。即ち、第1実施形態は、充填工程� ��埋め込まれたペーストPを仮焼成した直後に 新たなペーストPを補充して再度仮焼成をし� �その後、本焼成の後に研磨工程を実施した� �、第2実施形態は、充填工程で埋め込まれた� ��ーストPを仮焼成した直後に研磨工程を実施 し、その後本焼成を行う。以下、図22に示す� ��発明に係る第2実施形態の製造方法を表すフ ローチャートを参照しながら、特に本実施形 態の貫通電極形成工程(S30B)について説明する 。

 本実施形態の貫通電極形成工程において、� ��填工程で埋め込まれたペーストPを仮焼成す るまでは第1実施形態と同様に行う。
 充填工程で埋め込まれたペーストPを仮焼成 した後には、ペーストPの表面に凹みが生じ� �。そこで、この仮焼成を行った直後に、ベ� �ス基板用ウエハ40の両面をそれぞれ所定の厚 み研磨する研磨工程を行う。即ち、図23に示� ��ように、ベース基板用ウエハ40の上面を所� �の厚みだけ研磨する上面研磨工程と、保持� �30a、31aの底に達するまでベース基板用ウエ� �40の下面を研磨する下面研磨工程とを行う。 これにより、図24に示すように、保持孔30a、3 1aがスルーホール30、31となる。加えて、ペー ストPの凹んでいる部分の周囲を削りとるこ� �ができるので、ベース基板用ウエハ40の表面 と仮焼成後のペーストPの表面とがほぼ面一� �状態となる。

 また、この仮焼成におけるペーストPの体積 の減少量は、仮焼成せず1回で本焼成する場� �と比べると小さい。従って、仮焼成によっ� �生じるペーストP表面の凹みは、同量のペー� ��トPを仮焼成せずに1度に本焼成する際に生� �る凹みに比べて小さい。よって、ペーストP� ��仮焼成した直後に研磨工程を行うことで研� ��量を抑えることができ、特に上面研磨に要� ��る時間が短くなる。
 これら上面研磨工程及び下面研磨工程を行� ��ことで、研磨工程が終了する。

 そして、研磨工程を行った後、本焼成を� ��うことでペーストPを完全に硬化させる。こ れにより、スルーホール30、31の内面にペー� �トPが強固に固着した状態になり、ペーストP は貫通電極32、33として機能する。また、仮� �成時に既にペーストP内の大半の有機物が蒸� ��しているので、本焼成における体積の減少� ��ごくわずかである。従って、ベース基板用� ��エハ40の表面と硬化したペーストPの表面と� ��、本焼成を行う前と同様にほぼ面一な状態� ��維持している。この本焼成を行うことで、� ��通電極形成工程が終了する。

 本実施形態の製造方法によれば、第1実施 形態に示した作用効果を奏する上に、充填工 程で埋め込まれたペーストPを仮焼成した直� �に上面研磨工程を行うことで、仮焼成せず� �1度に本焼成した直後に研磨工程を行う場合� ��比べて、研磨工程に要する時間を短くする� ��とができる。

(第3実施形態)
 以下、本発明に係る第3実施形態を、図26か� ��図44を参照して説明する。
 本実施形態の圧電振動子101は、図26から図29 に示すように、ベース基板102とリッド基板103 とで2層に積層された箱状に形成されており� �内部のキャビティC内に圧電振動片104が収納� ��れた表面実装型の圧電振動子101である。
 なお、図29においては、図面を見易くする� �めに後述する励振電極115、引き出し電極119� �120、マウント電極116、117及び重り金属膜121� �図示を省略している。

 圧電振動片104は、図30から図32に示すように 、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチ ウム等の圧電材料から形成された音叉型の振 動片であり、所定の電圧が印加されたときに 振動するものである。
 この圧電振動片104は、平行に配置された一� ��の振動腕部110、111と、一対の振動腕部110、1 11の基端側を一体的に固定する基部112と、一� ��の振動腕部110、111の外表面上に形成されて� ��対の振動腕部110、111を振動させる第1の励振 電極113と第2の励振電極114とからなる励振電� �115と、第1の励振電極113及び第2の励振電極114 に電気的に接続されたマウント電極116、117と を有している。
 また、本実施形態の圧電振動片104は、一対� ��振動腕部110、111の両主面上に、振動腕部110� ��111の長手方向に沿ってそれぞれ形成された� ��部118を備えている。この溝部118は、振動腕� ��110、111の基端側から略中間付近まで形成さ� ��ている。

 第1の励振電極113と第2の励振電極114とか� �なる励振電極115は、一対の振動腕部110、111� �互いに接近又は離間する方向に所定の共振� �波数で振動させる電極であり、一対の振動� �部110、111の外表面に、それぞれ電気的に切� �離された状態でパターニングされて形成さ� �ている。具体的には、図32に示すように、第 1の励振電極113が、一方の振動腕部110の溝部11 8上と他方の振動腕部111の両側面上とに主に� �成され、第2の励振電極114が、一方の振動腕� ��110の両側面上と他方の振動腕部111の溝部118� ��とに主に形成されている。

 第1の励振電極113及び第2の励振電極114は、� �30及び図31に示すように、基部112の両主面上� ��おいて、それぞれ引き出し電極119、120を介� ��てマウント電極116、117に電気的に接続され� ��いる。そして圧電振動片104は、このマウン� ��電極116、117を介して電圧が印加されるよう� ��なっている。
 なお、上述した励振電極115、マウント電極1 16、117及び引き出し電極119、120は、例えば、� ��ロム(Cr)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)や� ��タン(Ti)等の導電性膜の被膜により形成され たものである。

 一対の振動腕部110、111の先端には、自身� ��振動状態を所定の周波数の範囲内で振動す� ��ように調整(周波数調整)を行うための重り� �属膜121が被膜されている。なお、この重り� �属膜121は、周波数を粗く調整する際に使用� �れる粗調膜121aと、微小に調整する際に使用� ��れる微調膜121bとに分かれている。これら粗 調膜121a及び微調膜121bを利用して周波数調整� ��行うことで、一対の振動腕部110、111の周波� ��をデバイスの公称周波数の範囲内に収める� ��とができる。

 このように構成された圧電振動片104は、� ��27から図29に示すように、金等のバンプBを� �用して、ベース基板102の上面にバンプ接合� �れている。より具体的には、ベース基板102� �上面にパターニングされた引き回し電極136� �137上に形成された2つのバンプB上に、一対の マウント電極116、117がそれぞれ接触した状態 でバンプ接合されている。これにより、圧電 振動片104は、ベース基板102の上面から浮いた 状態で支持されると共に、マウント電極116、 117と引き回し電極136、137とがそれぞれ電気的 に接続された状態となっている。

 上記リッド基板103は、ガラス材料、例え� ��ソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板� ��あり、図26、図28及び図29に示すように、板� ��に形成されている。そして、ベース基板102� ��接合される接合面側には、圧電振動片104が� ��まる矩形状の凹部103aが形成されている。こ の凹部103aは、両基板102、103が重ね合わされ� �ときに、圧電振動片104を収容するキャビテ� �Cとなるキャビティ用の凹部である。そして� ��リッド基板103は、この凹部103aをベース基板 102側に対向させた状態でベース基板102に対し て陽極接合されている。

 上記ベース基板102は、リッド基板103と同様� ��ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスから� ��る透明な絶縁基板であり、図26から図29に示 すように、リッド基板103に対して重ね合わせ 可能な大きさで板状に形成されている。
 このベース基板102には、ベース基板102を貫� ��する一対のスルーホール130、131が形成され� ��いる。この際、一対のスルーホール130、131� ��、キャビティC内に収まるように形成されて いる。より詳しく説明すると、本実施形態の スルーホール130、131は、マウントされた圧電 振動片104の基部112側に一方のスルーホール130 が位置し、振動腕部110、111の先端側に他方の スルーホール131が位置するように形成されて いる。

 また、本実施形態では、ベース基板102の� ��面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ� ��のスルーホールを例に挙げて説明するが、� ��の場合に限られず、ベース基板102を真っ直� ��に貫通するスルーホールでも構わない。い� ��れにしても、ベース基板102を貫通していれ� ��良い。

 そして、これら一対のスルーホール130、131� ��は、スルーホール130、131を埋めるように形� ��された一対の貫通電極132、133が形成されて� ��る。これら貫通電極132、133は、図33に示す� �うに、複数の金属微粒子P1を含んだペースト Pの硬化によって形成されたものであり、ス� �ーホール130、131を完全に塞いでキャビティC� ��の気密を維持していると共に、後述する外� ��電極138、139と引き回し電極136、137とを導通� ��せる役割を担っている。
 なお、貫通電極132、133は、ペーストPに含ま れる複数の金属微粒子P1が互いに接触し合っ� ��いることで、電気導通性が確保されている� ��また、本実施形態の金属微粒子P1は、銅等� �より細長い繊維状(非球形形状)に形成されて いる場合を例に挙げて説明する。

 ベース基板102の上面側(リッド基板103が接 合される接合面側)には、図26から図29に示す� ��うに、導電性材料(例えば、アルミニウム)� �より、陽極接合用の接合膜135と、一対の引� �回し電極136、137とがパターニングされてい� �。このうち接合膜135は、リッド基板103に形� �された凹部103aの周囲を囲むようにベース基� ��102の周縁に沿って形成されている。

 一対の引き回し電極136、137は、一対の貫� ��電極132、133のうち、一方の貫通電極132と圧� ��振動片104の一方のマウント電極116とを電気� ��に接続すると共に、他方の貫通電極133と圧� ��振動片104の他方のマウント電極117とを電気� ��に接続するようにパターニングされている� ��より詳しく説明すると、一方の引き回し電� ��136は、圧電振動片104の基部112の真下に位置� ��るように一方の貫通電極132の真上に形成さ� ��ている。また、他方の引き回し電極137は、� ��方の引き回し電極136に隣接した位置から、� ��動腕部110、111に沿って振動腕部110、111の先� ��側に引き回しされた後、他方の貫通電極133� ��真上に位置するように形成されている。

 そして、これら一対の引き回し電極136、1 37上にそれぞれバンプBが形成されており、バ ンプBを利用して圧電振動片104がマウントさ� �ている。これにより、圧電振動片104の一方� �マウント電極116が、一方の引き回し電極136� �介して一方の貫通電極132に導通し、他方の� �ウント電極117が、他方の引き回し電極137を� �して他方の貫通電極133に導通するようにな� �ている。

 ベース基板102の下面には、図26、図28及び 図29に示すように、一対の貫通電極132、133に� ��してそれぞれ電気的に接続される外部電極1 38、139が形成されている。つまり、一方の外� ��電極138は、一方の貫通電極132及び一方の引� ��回し電極136を介して圧電振動片104の第1の励 振電極113に電気的に接続されている。また、 他方の外部電極139は、他方の貫通電極133及び 他方の引き回し電極137を介して、圧電振動片 104の第2の励振電極114に電気的に接続されて� �る。

 このように構成された圧電振動子101を作� ��させる場合には、ベース基板102に形成され� ��外部電極138、139に対して、所定の駆動電圧� ��印加する。これにより、圧電振動片104の第1 の励振電極113及び第2の励振電極114からなる� �振電極115に電流を流すことができ、一対の� �動腕部110、111を接近・離間させる方向に所� �の周波数で振動させることができる。そし� �、この一対の振動腕部110、111の振動を利用� �て、時刻源、制御信号のタイミング源やリ� �ァレンス信号源等として利用することがで� �る。

 次に、上述した圧電振動子101を、図34に� �すフローチャートを参照しながら、ベース� �板用ウエハ140とリッド基板用ウエハ150とを� �用して一度に複数製造する製造方法につい� �以下に説明する。

 初めに、圧電振動片作製工程を行って図3 0から図32に示す圧電振動片104を作製する(S110) 。具体的には、まず水晶のランバート原石を 所定の角度でスライスして一定の厚みのウエ ハとする。続いて、このウエハをラッピング して粗加工した後、加工変質層をエッチング で取り除き、その後、ポリッシュ等の鏡面研 磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする 。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施 した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術に よって圧電振動片104の外形形状でパターニン グすると共に、金属膜の成膜及びパターニン グを行って、励振電極115、引き出し電極119、 120、マウント電極116、117、重り金属膜121を形 成する。これにより、複数の圧電振動片104を 作製することができる。

 また、圧電振動片104を作製した後、共振� ��波数の粗調を行っておく。これは、重り金� ��膜121の粗調膜121aにレーザ光を照射して一部 を蒸発させ、重量を変化させることで行う。 なお、共振周波数をより高精度に調整する微 調に関しては、マウント後に行う。これにつ いては、後に説明する。

 次に、後にリッド基板103となるリッド基� ��用ウエハ150を、陽極接合を行う直前の状態� ��で作製する第1のウエハ作製工程を行う(S120) 。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで 研磨加工して洗浄した後に、図35に示すよう� ��、エッチング等により最表面の加工変質層� ��除去した円板状のリッド基板用ウエハ150を� ��成する(S121)。次いで、リッド基板用ウエハ1 50の接合面に、エッチング等により行列方向� ��キャビティ用の凹部103aを複数形成する凹部 形成工程を行う(S122)。この時点で、第1のウ� �ハ作製工程が終了する。

 次に、上記工程と同時或いは前後のタイ� ��ングで、後にベース基板102となるベース基� ��用ウエハ140を、陽極接合を行う直前の状態� ��で作製する第2のウエハ作製工程を行う(S130) 。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで 研磨加工して洗浄した後に、エッチング等に より最表面の加工変質層を除去した円板状の ベース基板用ウエハ140を形成する(S131)。次い で、ベース基板用ウエハ140に、複数の金属微 粒子P1を含んだペーストPを利用して、一対の 貫通電極132、133を複数形成する貫通電極形成 工程を行う(S130A)。ここで、この貫通電極形� �工程について、詳細に説明する。

 まず、図36に示すように、ベース基板用� �エハ140の上面に一対の穴部130a、131aを複数形 成する穴部形成工程(S132)を行う。なお、図36� ��示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する 切断線を図示している。この工程を行う際、 ベース基板用ウエハ140の上面側から、例えば サンドブラスト法で行う。これにより、図37� ��示すように、ベース基板用ウエハ140の下面� ��向かって漸次径が縮径する断面テーパ状で� ��下面側に底がある穴部130a、131aを形成する� �とができる。また、後に両ウエハ140、150を� �ね合わせたときに、リッド基板用ウエハ150� �形成された凹部103a内に収まるように一対の� ��部130a、131aを複数形成する。しかも、一方� �穴部130aが圧電振動片104の基部112側に位置し� ��他方の穴部131aが振動腕部110、111の先端側に 位置するように形成する。

 なお、本実施形態では、ベース基板用ウ� ��ハ140の下面に向かって漸次径が縮径した断� ��テーパ状の穴部を例に挙げて説明するが、� ��の場合に限られず、径が均一に設けられた� ��部でも構わない。いずれにしても、ベース� ��板用ウエハ140の下面側に底を有している有� ��状の穴部であれば良い。

 続いて、図38に示すように、これら複数の� �部130a、131a内にペーストPを隙間なく埋め込� �で穴部130a、131aを塞ぐ充填工程を行う(S133)。 なお、図38から図41では、金属微粒子P1の図示 を省略している。
 続いて、充填したペーストPを所定の温度で 焼成して、硬化させる焼成工程を行う(S134)。 これにより、穴部130a、131aの内面にペーストP が強固に固着した状態となる。ところで、硬 化したペーストPは、焼成時に図示しないペ� �ストP内の有機物が蒸発してしまうので、図3 9に示すように、充填工程時に比べて体積が� �少してしまう。そのため、ペーストPの表面� ��は、どうしても凹みが生じてしまう。

 そこで、焼成後に、図40に示すように、� �ース基板用ウエハ140の上面を所定の厚みだ� �研磨する上面研磨工程(S135)を行う。この工� �を行うことで、ベース基板用ウエハ140の上� �において、焼成によって硬化したペーストP� ��同時に研磨できるので、凹んでしまった部� ��の周囲を削り取ることができる。つまり、� ��化したペーストPの表面を平坦にすることが できる。よって、図41に示すように、ベース� ��板用ウエハ140の上面において、ベース基板� ��ウエハ140の表面と硬化したペーストPの表面 とが、ほぼ面一な状態にすることができる。

 また、上面研磨工程と同時或いは前後のタ� ��ミングで、図40に示すように、穴部130a、131a が貫通して硬化したペーストPが少なくとも� �出するまで、ベース基板用ウエハ140の下面� �研磨する下面研磨工程を実施する(S136)。な� �、本実施形態の下面研磨工程では、穴部130a� ��131aの底に達するまで研磨している。これに より、図41に示すように、穴部130a、131a内で� �化したペーストPが下面に露出される。この� ��面研磨工程を行うことで、ベース基板用ウ� ��ハ140に形成された一対の穴部130a、131aが、� �れ以降ベース基板用ウエハ140を貫通したス� �ーホール130、131になると共に、硬化したペ� �ストPが一対の貫通電極132、133となる。加え� ��、上面研磨工程と同様に、ベース基板用ウ� ��ハ140の下面においても、ベース基板用ウエ� ��140の表面と硬化したペーストPの表面とが、 ほぼ面一な状態にすることができる。
 これら上面研磨工程及び下面研磨工程を行� ��ことで、貫通電極形成工程が終了する。

 次に、ベース基板用ウエハ140の上面に導電� ��材料をパターニングして、図42及び図43に示 すように、接合膜135を形成する接合膜形成工 程を行う(S137)と共に、各一対の貫通電極132、 133にそれぞれ電気的に接続された引き回し電 極136、137を複数形成する引き回し電極形成工 程を行う(S138)。なお、図42及び図43に示す点� �Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を� ��示している。
 特に、貫通電極132、133は上述したように、� ��面に凹みがなく、ベース基板用ウエハ140の� ��面に対してほぼ面一な状態となっている。� ��のため、ベース基板用ウエハ140の上面にパ� ��ーニングされた引き回し電極136、137は、間� ��隙間等を発生させることなく貫通電極132、1 33に対して密着した状態で接する。これによ� ��、一方の引き回し電極136と一方の貫通電極1 32との導通性、並びに、他方の引き回し電極1 37と他方の貫通電極133との導通性を確実なも� ��にすることができる。この時点で第2のウエ ハ作製工程が終了する。

 ところで、図34では、接合膜形成工程(S137 )の後に、引き回し電極形成工程(S138)を行う� �程順序としているが、これとは逆に、引き� �し電極形成工程(S138)の後に、接合膜形成工� �(S137)を行っても構わないし、両工程を同時� �行っても構わない。いずれの工程順序であ� �ても、同一の作用効果を奏することができ� �。よって、必要に応じて適宜、工程順序を� �更して構わない。

 次に、作製した複数の圧電振動片104を、そ� ��ぞれ引き回し電極136、137を介してベース基� ��用ウエハ140の上面に接合するマウント工程� ��行う(S140)。まず、一対の引き回し電極136、1 37上にそれぞれ金等のバンプBを形成する。そ して、圧電振動片104の基部112をバンプB上に� �置した後、バンプBを所定温度に加熱しなが� ��圧電振動片104をバンプBに押し付ける。これ により、圧電振動片104は、バンプBに機械的� �支持されると共に、マウント電極116、117と� �き回し電極136、137とが電気的に接続された� �態となる。よって、この時点で圧電振動片10 4の一対の励振電極115は、一対の貫通電極132� �133に対してそれぞれ導通した状態となる。
 特に、圧電振動片104は、バンプ接合される� ��で、ベース基板用ウエハ140の上面から浮い� ��状態で支持される。

 圧電振動片104のマウントが終了した後、� ��ース基板用ウエハ140に対してリッド基板用� ��エハ150を重ね合わせる重ね合わせ工程を行� ��(S150)。具体的には、図示しない基準マーク� ��を指標としながら、両ウエハ140、150を正し� ��位置にアライメントする。これにより、マ� ��ントされた圧電振動片104が、ベース基板用� ��エハ140に形成された凹部103aと両ウエハ140、 150とで囲まれるキャビティC内に収容された� �態となる。

 重ね合わせ工程後、重ね合わせた2枚のウ エハ140、150を図示しない陽極接合装置に入れ 、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して 陽極接合する接合工程を行う(S160)。具体的に は、接合膜135とリッド基板用ウエハ150との間 に所定の電圧を印加する。すると、接合膜135 とリッド基板用ウエハ150との界面に電気化学 的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着 して陽極接合される。これにより、圧電振動 片104をキャビティC内に封止することができ� �ベース基板用ウエハ140とリッド基板用ウエ� �150とが接合した図44に示すウエハ体160を得る ことができる。なお、図44においては、図面� ��見易くするために、ウエハ体160を分解した� ��態を図示しており、ベース基板用ウエハ140� ��ら接合膜135の図示を省略している。また、� ��44に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断� ��る切断線を図示している。

 ところで、陽極接合を行う際、ベース基� ��用ウエハ140に形成されたスルーホール130、1 31は、貫通電極132、133によって完全に塞がれ� ��いるので、キャビティC内の気密がスルーホ ール130、131を通じて損なわれることがない。 特に、貫通電極132、133を構成するペーストP� �、スルーホール130、131の内面に強固に密着� �ているので、キャビティC内の気密を確実に� ��持することができる。

 そして、上述した陽極接合が終了した後、� ��ース基板用ウエハ140の下面に導電性材料を� ��ターニングして、一対の貫通電極132、133に� ��れぞれ電気的に接続された一対の外部電極1 38、139を複数形成する外部電極形成工程を行� ��(S170)。この工程により、外部電極138、139を� ��用してキャビティC内に封止された圧電振動 片104を作動させることができる。
 特に、この工程を行う場合も引き回し電極1 36、137の形成時と同様に、ベース基板用ウエ� ��140の下面に対して貫通電極132、133がほぼ面� ��な状態となっているので、パターニングさ� ��た外部電極138、139は、間に隙間等を発生さ� ��ることなく貫通電極132、133に対して密着し� ��状態で接する。これにより、外部電極138、1 39と貫通電極132、133との導通性を確実なもの� ��することができる。

 次に、ウエハ体160の状態で、キャビティC 内に封止された個々の圧電振動子101の周波数 を微調整して所定の範囲内に収める微調工程 を行う(S180)。具体的に説明すると、ベース基 板用ウエハ140の下面に形成された一対の外部 電極138、139に電圧を印加して圧電振動片104を 振動させる。そして、周波数を計測しながら リッド基板用ウエハ150を通して外部からレー ザ光を照射し、重り金属膜121の微調膜121bを� �発させる。これにより、一対の振動腕部110� �111の先端側の重量が変化するので、圧電振� �片104の周波数を、公称周波数の所定範囲内� �収まるように微調整することができる。

 周波数の微調が終了後、接合されたウエハ� ��160を図44に示す切断線Mに沿って切断して小� ��化する切断工程を行う(S190)。その結果、互� ��に接合されたベース基板102とリッド基板103� ��の間に形成されたキャビティC内に圧電振動 片104が封止された、図26に示す2層構造式表面 実装型の圧電振動子101を一度に複数製造する ことができる。
 なお、切断工程(S190)を行って個々の圧電振� ��子101に小片化した後に、微調工程(S180)を行� ��工程順序でも構わない。但し、上述したよ� ��に、微調工程(S180)を先に行うことで、ウエ� ��体160の状態で微調を行うことができるので� ��複数の圧電振動子101をより効率よく微調す� ��ことができる。よって、スループットの向� ��化を図ることができるので好ましい。

 その後、内部の電気特性検査を行う(S195)� ��即ち、圧電振動片104の共振周波数、共振抵� ��値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共 振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチ� �ックする。また、絶縁抵抗特性等を併せて� �ェックする。そして、最後に圧電振動子101� �外観検査を行って、寸法や品質等を最終的� �チェックする。これをもって圧電振動子101� �製造が終了する。

 特に、本実施形態の圧電振動子101は、表� ��に凹みがなく、ベース基板102に対してほぼ� ��一な状態で貫通電極132、133を形成できるの� ��、貫通電極132、133を、引き回し電極136、137� ��び外部電極138、139に対して確実に密着させ� ��ことができる。その結果、圧電振動片104と� ��部電極138、139との安定した導通性を確保す� ��ことができ、作動性能の信頼性を向上して� ��性能化を図ることができる。また、キャビ� ��ィC内の気密に関しても確実に維持すること ができるので、この点においても高品質化を 図ることができる。

 更に、下面研磨工程においては、焼成時に� ��少するペーストPの体積に依存することなく 、ベース基板用ウエハ140の厚みと穴部130a、13 1aの深さとに基づいて研磨量を設定すること� ��できる。つまり、図40に示すように、ベー� �基板用ウエハ140の厚みT1と、穴部130a、131aの� ��さT2とから、研磨量T3を容易に設定できる。 従って、下面研磨工程に関しては、ペースト Pの状態を確認した上で研磨を行うといった� �とが必要なく、予め決められた量を研磨す� �ばよい。従って、研磨不足や過度の研磨を� �ぐことができる。
 また、ペーストPを利用した簡単な方法で貫 通電極132、133を形成できるので、工程の簡素 化を図ることができる。更に、ペーストPを� �め込む際に有底穴である穴部130a、131aを用い ているので、ペーストPの埋め込み作業が容� �であり、工程の簡素化を図ることができる� �加えて、ペーストPを無駄に使用する恐れが� ��い。
 そして、本実施形態の製造方法によれば、� ��記圧電振動子101を一度に複数製造すること� ��できるので、低コスト化を図ることができ� ��。

(第4実施形態)
 以下、本発明に係る第4実施形態を、図45か� ��図63を参照して説明する。
 本実施形態の圧電振動子201は、図45から図48 に示すように、ベース基板202とリッド基板203 とで2層に積層された箱状に形成されており� �内部のキャビティC内に圧電振動片204が収納� ��れた表面実装型の圧電振動子である。
 なお、図48においては、図面を見易くする� �めに後述する励振電極215、引き出し電極219� �220、マウント電極216、217及び重り金属膜221� �図示を省略している。

 圧電振動片204は、図49から図51に示すように 、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチ ウム等の圧電材料から形成された音叉型の振 動片であり、所定の電圧が印加されたときに 振動するものである。
 この圧電振動片204は、平行に配置された一� ��の振動腕部210、211と、一対の振動腕部210、2 11の基端側を一体的に固定する基部212と、一� ��の振動腕部210、211の外表面上に形成されて� ��対の振動腕部210、211を振動させる第1の励振 電極213と第2の励振電極214とからなる励振電� �215と、第1の励振電極213及び第2の励振電極214 に電気的に接続されたマウント電極216、217と を有している。

 また、本実施形態の圧電振動片204は、一� ��の振動腕部210、211の両主面上に、振動腕部2 10、211の長手方向に沿ってそれぞれ形成され� ��溝部218を備えている。この溝部218は、振動� ��部210、211の基端側から略中間付近まで形成� ��れている。

 第1の励振電極213と第2の励振電極214とか� �なる励振電極215は、一対の振動腕部210、211� �互いに接近又は離間する方向に所定の共振� �波数で振動させる電極であり、一対の振動� �部210、211の外表面に、それぞれ電気的に切� �離された状態でパターニングされて形成さ� �ている。具体的には、図51に示すように、第 1の励振電極213が、一方の振動腕部210の溝部21 8上と他方の振動腕部211の両側面上とに主に� �成され、第2の励振電極214が、一方の振動腕� ��210の両側面上と他方の振動腕部211の溝部218� ��とに主に形成されている。

 第1の励振電極213及び第2の励振電極214は、� �49及び図50に示すように、基部212の両主面上� ��おいて、それぞれ引き出し電極219、220を介� ��てマウント電極216、217に電気的に接続され� ��いる。そして圧電振動片204は、このマウン� ��電極216、217を介して電圧が印加されるよう� ��なっている。
 なお、上述した励振電極215、マウント電極2 16、217及び引き出し電極219、220は、例えば、� ��ロム(Cr)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)や� ��タン(Ti)等の導電性膜の被膜により形成され たものである。

 一対の振動腕部210、211の先端には、自身� ��振動状態を所定の周波数の範囲内で振動す� ��ように調整(周波数調整)を行うための重り� �属膜221が被膜されている。なお、この重り� �属膜221は、周波数を粗く調整する際に使用� �れる粗調膜221aと、微小に調整する際に使用� ��れる微調膜221bとに分かれている。これら粗 調膜221a及び微調膜221bを利用して周波数調整� ��行うことで、一対の振動腕部210、211の周波� ��をデバイスの公称周波数の範囲内に収める� ��とができる。

 このように構成された圧電振動片204は、� ��46から図48に示すように、金等のバンプBを� �用して、ベース基板202の上面にバンプ接合� �れている。より具体的には、ベース基板202� �上面にパターニングされた後述する引き回� �電極236、237上に形成された2つのバンプB上に 、一対のマウント電極216、217がそれぞれ接触 した状態でバンプ接合されている。これによ り、圧電振動片204は、ベース基板202の上面か ら浮いた状態で支持されると共に、マウント 電極216、217と引き回し電極236、237とがそれぞ れ電気的に接続された状態となっている。

 上記リッド基板203は、ガラス材料、例え� ��ソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板� ��あり、図45、図47及び図48に示すように、板� ��に形成されている。そして、ベース基板202� ��接合される接合面側には、圧電振動片204が� ��まる矩形状の凹部203aが形成されている。こ の凹部203aは、両基板202、203が重ね合わされ� �ときに、圧電振動片204を収容するキャビテ� �Cとなるキャビティ用の凹部である。そして� ��リッド基板203は、この凹部203aをベース基板 202側に対向させた状態でベース基板202に対し て陽極接合されている。

 上記ベース基板202は、リッド基板203と同様� ��ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスから� ��る透明な絶縁基板であり、図45から図48に示 すように、リッド基板203に対して重ね合わせ 可能な大きさで板状に形成されている。
 このベース基板202には、ベース基板202を貫� ��する一対のスルーホール(貫通孔)230、231が� �成されている。この際、一対のスルーホー� �230、231は、キャビティC内に収まるように形� ��されている。より詳しく説明すると、本実� ��形態のスルーホール230、231は、マウントさ� ��た圧電振動片204の基部212側に一方のスルー� ��ール230が位置し、振動腕部210、211の先端側� ��他方のスルーホール231が位置するように形� ��されている。また、本実施形態では、ベー� ��基板202の下面に向かって漸次径が縮径した� ��面テーパ状のスルーホールを例に挙げて説� ��するが、この場合に限られず、ベース基板2 02を真っ直ぐに貫通するスルーホールでも構� ��ない。いずれにしても、ベース基板202を貫� ��していれば良い。

 そして、これら一対のスルーホール230、231� ��は、スルーホール230、231を埋めるように形� ��された一対の貫通電極232、233が形成されて� ��る。これら貫通電極232、233は、図52に示す� �うに、複数の金属微粒子P1を含んだペースト Pの硬化によって形成されたものであり、ス� �ーホール230、231を完全に塞いでキャビティC� ��の気密を維持していると共に、後述する外� ��電極238、239と引き回し電極236、237とを導通� ��せる役割を担っている。
 なお、貫通電極232、233は、ペーストPに含ま れる複数の金属微粒子P1が互いに接触し合っ� ��いることで、電気導通性が確保されている� ��また、本実施形態の金属微粒子P1は、銅等� �より細長い繊維状(非球形形状)に形成されて いる場合を例に挙げて説明する。

 ベース基板202の上面側(リッド基板203が接 合される接合面側)には、図45から図48に示す� ��うに、導電性材料(例えば、アルミニウム)� �より、陽極接合用の接合膜235と、一対の引� �回し電極236、237とがパターニングされてい� �。このうち接合膜235は、リッド基板203に形� �された凹部203aの周囲を囲むようにベース基� ��202の周縁に沿って形成されている。

 一対の引き回し電極236、237は、一対の貫� ��電極232、233のうち、一方の貫通電極232と圧� ��振動片204の一方のマウント電極216とを電気� ��に接続すると共に、他方の貫通電極233と圧� ��振動片204の他方のマウント電極217とを電気� ��に接続するようにパターニングされている� ��より詳しく説明すると、一方の引き回し電� ��236は、圧電振動片204の基部212の真下に位置� ��るように一方の貫通電極232の真上に形成さ� ��ている。また、他方の引き回し電極237は、� ��方の引き回し電極236に隣接した位置から、� ��動腕部210、211に沿って振動腕部210、211の先� ��側に引き回しされた後、他方の貫通電極233� ��真上に位置するように形成されている。

 そして、これら一対の引き回し電極236、2 37上にそれぞれバンプBが形成されており、バ ンプBを利用して圧電振動片204がマウントさ� �ている。これにより、圧電振動片204の一方� �マウント電極216が、一方の引き回し電極236� �介して一方の貫通電極232に導通し、他方の� �ウント電極217が、他方の引き回し電極237を� �して他方の貫通電極233に導通するようにな� �ている。

 ベース基板202の下面には、図45、図47及び 図48に示すように、一対の貫通電極232、233に� ��してそれぞれ電気的に接続される外部電極2 38、239が形成されている。つまり、一方の外� ��電極238は、一方の貫通電極232及び一方の引� ��回し電極236を介して圧電振動片204の第1の励 振電極213に電気的に接続されている。また、 他方の外部電極239は、他方の貫通電極233及び 他方の引き回し電極237を介して、圧電振動片 204の第2の励振電極214に電気的に接続されて� �る。

 このように構成された圧電振動子201を作� ��させる場合には、ベース基板202に形成され� ��外部電極238、239に対して、所定の駆動電圧� ��印加する。これにより、圧電振動片204の第1 の励振電極213及び第2の励振電極214からなる� �振電極215に電流を流すことができ、一対の� �動腕部210、211を接近・離間させる方向に所� �の周波数で振動させることができる。そし� �、この一対の振動腕部210、211の振動を利用� �て、時刻源、制御信号のタイミング源やリ� �ァレンス信号源等として利用することがで� �る。

 次に、上述した圧電振動子201を、図53に� �すフローチャートを参照しながら、ベース� �板用ウエハ240とリッド基板用ウエハ250とを� �用して一度に複数製造する製造方法につい� �以下に説明する。

 初めに、圧電振動片作製工程を行って図4 9から図51に示す圧電振動片204を作製する(S210) 。具体的には、まず、水晶のランバート原石 を所定の角度でスライスして一定の厚みのウ エハとする。続いて、このウエハをラッピン グして粗加工した後、加工変質層をエッチン グで取り除き、その後、ポリッシュ等の鏡面 研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとす る。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を 施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術 によって圧電振動片204の外形形状でパターニ ングすると共に、金属膜の成膜及びパターニ ングを行って、励振電極215、引き出し電極219 、220、マウント電極216、217、重り金属膜221を 形成する。これにより、複数の圧電振動片204 を作製することができる。

 また、圧電振動片204を作製した後、共振� ��波数の粗調を行っておく。これは、重り金� ��膜221の粗調膜221aにレーザ光を照射して一部 を蒸発させ、重量を変化させることで行う。 なお、共振周波数をより高精度に調整する微 調に関しては、マウント後に行う。これにつ いては、後に説明する。

 次に、後にリッド基板203となるリッド基� ��用ウエハ250を、陽極接合を行う直前の状態� ��で作製する第1のウエハ作製工程を行う(S220) 。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで 研磨加工して洗浄した後に、図54に示すよう� ��、エッチング等により最表面の加工変質層� ��除去した円板状のリッド基板用ウエハ250を� ��成する(S221)。次いで、リッド基板用ウエハ2 50の接合面に、エッチング等により行列方向� ��キャビティ用の凹部203aを複数形成する凹部 形成工程を行う(S222)。この時点で、第1のウ� �ハ作製工程が終了する。

 次に、上記工程と同時或いは前後のタイ� ��ングで、後にベース基板202となるベース基� ��用ウエハ240を、陽極接合を行う直前の状態� ��で作製する第2のウエハ作製工程を行う(S230) 。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで 研磨加工して洗浄した後に、エッチング等に より最表面の加工変質層を除去した円板状の ベース基板用ウエハ240を形成する(S231)。次い で、ベース基板用ウエハ240に一対の貫通電極 232、233を複数形成する貫通電極形成工程を行 う(S232)。ここで、この貫通電極形成工程につ いて、詳細に説明する。

 まず、図55に示すように、ベース基板用� �エハ240を貫通する一対のスルーホール230、23 1を複数形成する貫通孔形成工程(S233)を行う� �なお、図55に示す点線Mは、後に行う切断工� �で切断する切断線を図示している。この工� �を行う際、ベース基板用ウエハ240の上面側� �ら、例えばサンドブラスト法で行う。これ� �より、図56に示すように、ベース基板用ウエ ハ240の下面に向かって漸次径が縮径する断面 テーパ状のスルーホール230、231を形成するこ とができる。また、後に両ウエハ240、250を重 ね合わせたときに、リッド基板用ウエハ250に 形成された凹部203a内に収まるように一対の� �ルーホール230、231を複数形成する。しかも� �一方のスルーホール230が圧電振動片204の基� �212側に位置し、他方のスルーホール231が振� �腕部210、211の先端側に位置するように形成� �る。

 続いて、図57に示すように、これら複数の� �ルーホール230、231内に金属微粒子P1を含んだ ペーストPを隙間なく埋め込んでスルーホー� �230、231を塞ぐ充填工程を行う(S234)。なお、� �57から図60では、金属微粒子P1の図示を省略� �ている。
 続いて、充填したペーストPを所定の温度で 焼成して、硬化させる焼成工程を行う(S235)。 これにより、スルーホール230、231の内面にペ ーストPが強固に固着した状態となる。とこ� �で、硬化したペーストPは、焼成時に図示し� ��いペーストP内の有機物が蒸発してしまうの で、図58に示すように、充填工程時に比べて� ��積が減少してしまう。そのため、ペーストP の表面には、どうしても凹みが生じてしまう 。

 そこで、焼成後に、図59に示すように、ベ� �ス基板用ウエハ240の両面をそれぞれ所定の� �みだけ研磨する研磨工程を行う(S236)。この� �程を行うことで、焼成によって硬化したペ� �ストPの両面も同時に研磨できるので、凹ん� ��しまった部分の周囲を削り取ることができ� ��。つまり、ペーストPの表面を平坦にするこ とができる。
 よって、図60に示すように、ベース基板用� �エハ240の表面と、貫通電極232、233の表面と� �ほぼ面一の状態にすることができる。この� �磨工程を行うことで、貫通電極形成工程が� �了する。

 次に、ベース基板用ウエハ240の上面に導電� ��材料をパターニングして、図61及び図62に示 すように、接合膜235を形成する接合膜形成工 程を行う(S237)と共に、各一対の貫通電極232、 233にそれぞれ電気的に接続された引き回し電 極236、237を複数形成する引き回し電極形成工 程を行う(S238)。なお、図61及び図62に示す点� �Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を� ��示している。
 特に、貫通電極232、233は上述したように、� ��面に凹みがなく、ベース基板用ウエハ240の� ��面に対してほぼ面一な状態となっている。� ��のため、ベース基板用ウエハ240の上面にパ� ��ーニングされた引き回し電極236、237は、間� ��隙間等を発生させることなく貫通電極232、2 33に対して密着した状態で接する。これによ� ��、一方の引き回し電極236と一方の貫通電極2 32との導通性、並びに、他方の引き回し電極2 37と他方の貫通電極233との導通性を確実なも� ��にすることができる。この時点で第2のウエ ハ作製工程が終了する。

 ところで、図53では、接合膜形成工程(S237 )の後に、引き回し電極形成工程(S238)を行う� �程順序としているが、これとは逆に、引き� �し電極形成工程(S238)の後に、接合膜形成工� �(S237)を行っても構わないし、両工程を同時� �行っても構わない。いずれの工程順序であ� �ても、同一の作用効果を奏することができ� �。よって、必要に応じて適宜、工程順序を� �更して構わない。

 次に、作製した複数の圧電振動片204を、そ� ��ぞれ引き回し電極236、237を介してベース基� ��用ウエハ240の上面に接合するマウント工程� ��行う(S240)。まず、一対の引き回し電極236、2 37上にそれぞれ金等のバンプBを形成する。そ して、圧電振動片204の基部212をバンプB上に� �置した後、バンプBを所定温度に加熱しなが� ��圧電振動片204をバンプBに押し付ける。これ により、圧電振動片204は、バンプBに機械的� �支持されると共に、マウント電極216、217と� �き回し電極236、237とが電気的に接続された� �態となる。よって、この時点で圧電振動片20 4の一対の励振電極215は、一対の貫通電極232� �233に対してそれぞれ導通した状態となる。
 特に、圧電振動片204は、バンプ接合される� ��で、ベース基板用ウエハ240の上面から浮い� ��状態で支持される。

 圧電振動片204のマウントが終了した後、� ��ース基板用ウエハ240に対してリッド基板用� ��エハ250を重ね合わせる重ね合わせ工程を行� ��(S250)。具体的には、図示しない基準マーク� ��を指標としながら、両ウエハ240、250を正し� ��位置にアライメントする。これにより、マ� ��ントされた圧電振動片204が、ベース基板用� ��エハ240に形成された凹部203aと両ウエハ240、 250とで囲まれるキャビティC内に収容された� �態となる。

 重ね合わせ工程後、重ね合わせた2枚のウ エハ240、250を図示しない陽極接合装置に入れ 、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して 陽極接合する接合工程を行う(S260)。具体的に は、接合膜235とリッド基板用ウエハ250との間 に所定の電圧を印加する。すると、接合膜235 とリッド基板用ウエハ250との界面に電気化学 的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着 して陽極接合される。これにより、圧電振動 片204をキャビティC内に封止することができ� �ベース基板用ウエハ240とリッド基板用ウエ� �250とが接合した図63に示すウエハ体260を得る ことができる。なお、図63においては、図面� ��見易くするために、ウエハ体260を分解した� ��態を図示しており、ベース基板用ウエハ240� ��ら接合膜235の図示を省略している。なお、� ��63に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断� ��る切断線を図示している。

 ところで、陽極接合を行う際、ベース基� ��用ウエハ240に形成されたスルーホール230、2 31は、貫通電極232、233によって完全に塞がれ� ��いるので、キャビティC内の気密がスルーホ ール230、231を通じて損なわれることがない。 特に、貫通電極232、233を構成するペーストP� �、スルーホール230、231の内面に強固に密着� �ているので、キャビティC内の気密を確実に� ��持することができる。

 そして、上述した陽極接合が終了した後、� ��ース基板用ウエハ240の下面に導電性材料を� ��ターニングして、一対の貫通電極232、233に� ��れぞれ電気的に接続された一対の外部電極2 38、239を複数形成する外部電極形成工程を行� ��(S270)。この工程により、外部電極238、239を� ��用してキャビティC内に封止された圧電振動 片204を作動させることができる。
 特に、この工程を行う場合も引き回し電極2 36、237の形成時と同様に、ベース基板用ウエ� ��240の下面に対して貫通電極232、233がほぼ面� ��な状態となっているので、パターニングさ� ��た外部電極238、239は、間に隙間等を発生さ� ��ることなく貫通電極232、233に対して密着し� ��状態で接する。これにより、外部電極238、2 39と貫通電極232、233との導通性を確実なもの� ��することができる。

 次に、ウエハ体260の状態で、キャビティC 内に封止された個々の圧電振動子201の周波数 を微調整して所定の範囲内に収める微調工程 を行う(S280)。具体的に説明すると、ベース基 板用ウエハ240の下面に形成された一対の外部 電極238、239に電圧を印加して圧電振動片204を 振動させる。そして、周波数を計測しながら リッド基板用ウエハ250を通して外部からレー ザ光を照射し、重り金属膜221の微調膜221bを� �発させる。これにより、一対の振動腕部210� �211の先端側の重量が変化するので、圧電振� �片204の周波数を、公称周波数の所定範囲内� �収まるように微調整することができる。

 周波数の微調が終了後、接合されたウエハ� ��260を図63に示す切断線Mに沿って切断して小� ��化する切断工程を行う(S290)。その結果、互� ��に陽極接合されたベース基板202とリッド基� ��203との間に形成されたキャビティC内に圧電 振動片204が封止された、図45に示す2層構造式 表面実装型の圧電振動子201を一度に複数製造 することができる。
 なお、切断工程(290)を行って個々の圧電振� �子201に小片化した後に、微調工程(S280)を行� �工程順序でも構わない。但し、上述したよ� �に、微調工程(S280)を先に行うことで、ウエ� �体260の状態で微調を行うことができるので� �複数の圧電振動子201をより効率良く微調す� �ことができる。よって、スループットの向� �化を図ることができるので好ましい。

 その後、内部の電気特性検査を行う(S295)� ��即ち、圧電振動片204の共振周波数、共振抵� ��値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共 振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチ� �ックする。また、絶縁抵抗特性等を併せて� �ェックする。そして、最後に圧電振動子201� �外観検査を行って、寸法や品質等を最終的� �チェックする。これをもって圧電振動子201� �製造が終了する。

 特に、本実施形態の圧電振動子201は、表面� ��凹みがなく、ベース基板202に対してほぼ面� ��な状態で貫通電極232、233を形成できるので� ��貫通電極232、233を、引き回し電極236、237及� ��外部電極238、239に対して確実に密着させる� ��とができる。その結果、圧電振動片204と外� ��電極238、239との安定した導通性を確保する� ��とができ、作動性能の信頼性を向上して高� ��能化を図ることができる。また、キャビテ� ��C内の気密に関しても確実に維持することが できるので、この点においても高品質化を図 ることができる。加えて、ペーストPを利用� �た簡単な方法で貫通電極232、233を形成でき� �ので、工程の簡素化を図ることができる。
 また、本実施形態の製造方法によれば、上� ��圧電振動子201を一度に複数製造することが� ��きるので、低コスト化を図ることができる� ��

 次に、本発明に係る発振器の一実施形態に� ��いて、図64を参照しながら説明する。なお� �本実施形態では、第1実施形態の圧電振動子1 を備えている発振器を例に挙げて説明する。
 本実施形態の発振器500は、図64に示すよう� �、圧電振動子1を、集積回路501に電気的に接� ��された発振子として構成したものである。� ��の発振器500は、コンデンサ等の電子部品502� ��実装された基板503を備えている。基板503に� ��、発振器用の上記集積回路501が実装されて� ��り、この集積回路501の近傍に、圧電振動子1 が実装されている。これら電子部品502、集積 回路501及び圧電振動子1は、図示しない配線� �ターンによってそれぞれ電気的に接続され� �いる。なお、各構成部品は、図示しない樹� �によりモールドされている。

 このように構成された発振器500において、� ��電振動子1に電圧を印加すると、圧電振動子 1内の圧電振動片4が振動する。この振動は、� ��電振動片4が有する圧電特性により電気信号 に変換されて、集積回路501に電気信号として 入力される。入力された電気信号は、集積回 路501によって各種処理がなされ、周波数信号 として出力される。これにより、圧電振動子 1が発振子として機能する。
 また、集積回路501の構成を、例えば、RTC(リ アルタイムクロック)モジュール等を要求に� �じて選択的に設定することで、時計用単機� �発振器等の他、当該機器や外部機器の動作� �や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等� �提供したりする機能を付加することができ� �。

 本実施形態の発振器500によれば、キャビテ� ��C内の気密が確実で、作動の信頼性が向上し た高品質な圧電振動子1を備えているので、� �振器500自体も同様に作動の信頼性を高めて� �品質化を図ることができる。さらにこれに� �え、長期にわたって安定した高精度な周波� �信号を得ることができる。
 なお、第1実施形態の圧電振動子1を備えて� �る場合を例に挙げて説明したが、その他の� �施形態の圧電振動子であっても同様の作用� �果を奏することができる。

 次に、本発明に係る電子機器の一実施形態� ��ついて、図65を参照して説明する。なお、� �子機器として、第1実施形態の圧電振動子1を 有する携帯情報機器110を例にして説明する。
 はじめに、本実施形態の携帯情報機器510は� ��例えば、携帯電話に代表されるものであり� ��従来技術における腕時計を発展、改良した� ��のである。外観は腕時計に類似し、文字盤� ��相当する部分に液晶ディスプレイを配し、� ��の画面上に現在の時刻等を表示させること� ��できるものである。また、通信機として利� ��する場合には、手首から外し、バンドの内� ��部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフ� ��ンによって、従来技術の携帯電話と同様の� ��信を行うことが可能である。しかしながら� ��従来の携帯電話と比較して、格段に小型化� ��び軽量化されている。

 次に、本実施形態の携帯情報機器510の構� ��について説明する。この携帯情報機器510は� ��図65に示すように、圧電振動子1と、電力を� ��給するための電源部511とを備えている。電� ��部511は、例えば、リチウム二次電池からな� ��ている。この電源部511には、各種制御を行� ��制御部512と、時刻等のカウントを行う計時� ��513と、外部との通信を行う通信部514と、各� ��情報を表示する表示部515と、それぞれの機� ��部の電圧を検出する電圧検出部516とが並列� ��接続されている。そして、電源部511によっ� ��、各機能部に電力が供給されるようになっ� ��いる。

 制御部512は、各機能部を制御して音声デ� ��タの送信及び受信、現在時刻の計測や表示� ��、システム全体の動作制御を行う。また、� ��御部512は、予めプログラムが書き込まれたR OMと、ROMに書き込まれたプログラムを読み出� ��て実行するCPUと、CPUのワークエリアとして� ��用されるRAM等とを備えている。

 計時部513は、発振回路、レジスタ回路、� ��ウンタ回路及びインターフェース回路等を� ��蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えて いる。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電� �動片4が振動し、この振動が水晶の有する圧� ��特性により電気信号に変換されて、発振回� ��に電気信号として入力される。発振回路の� ��力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ� ��路とにより計数される。そして、インター� ��ェース回路を介して、制御部512と信号の送� ��信が行われ、表示部515に、現在時刻や現在� ��付或いはカレンダー情報等が表示される。

 通信部514は、従来の携帯電話と同様の機能� ��有し、無線部517、音声処理部518、切替部519� ��増幅部520、音声入出力部521、電話番号入力� ��522、着信音発生部523及び呼制御メモリ部524� ��備えている。
 無線部517は、音声データ等の各種データを� ��アンテナ525を介して基地局と送受信のやり� ��りを行う。音声処理部518は、無線部517又は� ��幅部520から入力された音声信号を符号化及� ��複号化する。増幅部520は、音声処理部518又� ��音声入出力部521から入力された信号を、所� ��のレベルまで増幅する。音声入出力部521は� ��スピーカやマイクロフォン等からなり、着� ��音や受話音声を拡声したり、音声を集音し� ��りする。

 着信音発生部523は、基地局からの呼び出し� ��応じて着信音を生成する。切替部519は、着� ��時に限って、音声処理部518に接続されてい� ��増幅部520を着信音発生部523に切り替えるこ� ��によって、着信音発生部523において生成さ� ��た着信音が増幅部520を介して音声入出力部5 21に出力される。
 なお、呼制御メモリ部524は、通信の発着呼� ��御に係るプログラムを格納する。また、電� ��番号入力部522は、例えば、0から9の番号キ� �及びその他のキーを備えており、これら番� �キー等を押下することにより、通話先の電� �番号等が入力される。

 電圧検出部516は、電源部511によって制御� ��512等の各機能部に対して加えられている電� ��が、所定の値を下回った場合に、その電圧� ��下を検出して制御部512に通知する。このと� ��の所定の電圧値は、通信部514を安定して動� ��させるために必要な最低限の電圧として予� ��設定されている値であり、例えば、3V程度� �なる。電圧検出部516から電圧降下の通知を� �けた制御部512は、無線部517、音声処理部518� �切替部519及び着信音発生部523の動作を禁止� �る。特に、消費電力の大きな無線部517の動� �停止は、必須となる。更に、表示部515に、� �信部514が電池残量の不足により使用不能に� �った旨が表示される。

 即ち、電圧検出部516と制御部512とによって� ��通信部514の動作を禁止し、その旨を表示部5 15に表示することができる。この表示は、文� ��メッセージであっても良いが、より直感的� ��表示として、表示部515の表示面の上部に表� ��された電話アイコンに、×(バツ)印を付ける ようにしても良い。
 なお、通信部514の機能に係る部分の電源を� ��選択的に遮断することができる電源遮断部5 26を備えることで、通信部514の機能をより確� ��に停止することができる。

 本実施形態の携帯情報機器510によれば、キ� ��ビティC内の気密が確実で、作動の信頼性が 向上した高品質な圧電振動子1を備えている� �で、携帯情報機器自体も同様に作動の信頼� �を高めて高品質化を図ることができる。さ� �にこれに加え、長期にわたって安定した高� �度な時計情報を表示することができる。
 なお、第1実施形態の圧電振動子1を備えて� �る場合を例に挙げて説明したが、その他の� �施形態の圧電振動子であっても同様の作用� �果を奏することができる。

 次に、本発明に係る電波時計の一実施形態� ��ついて、図66を参照して説明する。なお、� �実施形態では、第1実施形態の圧電振動子1を 備えている電波時計を例に挙げて説明する。
 本実施形態の電波時計530は、図66に示すよ� �に、フィルタ部531に電気的に接続された圧� �振動子1を備えたものであり、時計情報を含� ��標準の電波を受信して、正確な時刻に自動� ��正して表示する機能を備えた時計である。
 日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)� �に、標準の電波を送信する送信所(送信局)が あり、それぞれ標準電波を送信している。40k Hz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播� �る性質と、電離層と地表とを反射しながら� �播する性質とを併せもつため、伝播範囲が� �く、上述した2つの送信所で日本国内を全て� ��羅している。

 以下、電波時計530の機能的構成について詳� ��に説明する。
 アンテナ532は、40kHz若しくは60kHzの長波の標 準電波を受信する。長波の標準電波は、タイ ムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しく� ��60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。 受信された長波の標準電波は、アンプ533によ って増幅され、複数の圧電振動子1を有する� �ィルタ部531によって濾波、同調される。
 本実施形態における圧電振動子1は、上記搬 送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数� �有する水晶振動子部538、539をそれぞれ備え� �いる。

 更に、濾波された所定周波数の信号は、検� ��、整流回路534により検波復調される。続い� ��、波形整形回路535を介してタイムコードが� ��り出され、CPU536でカウントされる。CPU536で� ��、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報� ��読み取る。読み取られた情報は、RTC537に反� ��され、正確な時刻情報が表示される。
 搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水 晶振動子部538、539は、上述した音叉型の構造 を持つ振動子が好適である。

 なお、上述の説明は、日本国内の例で示� ��たが、長波の標準電波の周波数は、海外で� ��異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの 標準電波が用いられている。従って、海外で も対応可能な電波時計530を携帯機器に組み込 む場合には、さらに日本の場合とは異なる周 波数の圧電振動子1を必要とする。

 本実施形態の電波時計530によれば、キャビ� ��ィC内の気密が確実で、作動の信頼性が向上 した高品質な圧電振動子1を備えているので� �電波時計自体も同様に作動の信頼性を高め� �高品質化を図ることができる。さらにこれ� �加え、長期にわたって安定して高精度に時� �をカウントすることができる。
 なお、第1実施形態の圧電振動子1を備えて� �る場合を例に挙げて説明したが、その他の� �施形態の圧電振動子であっても同様の作用� �果を奏することができる。

 なお、本発明の技術範囲は上記実施の形� ��に限定されるものではなく、本発明の趣旨� ��逸脱しない範囲において種々の変更を加え� ��ことが可能である。

 例えば、上記各実施形態では、圧電振動片� ��一例として振動腕部の両面に溝部が形成さ� ��た溝付きの圧電振動片を例に挙げて説明し� ��が、溝部がないタイプの圧電振動片でも構� ��ない。但し、溝部を形成することで、一対� ��励振電極に所定の電圧を印加させたときに� ��一対の励振電極間における電界効率を上げ� ��ことができるので、振動損失をより抑えて� ��動特性をさらに向上することができる。つ� ��り、CI値(Crystal Impedance)をさらに低くするこ とができ、圧電振動片のさらなる高性能化を 図ることができる。この点において、溝部を 形成する方が好ましい。
 また、上記各実施形態では、音叉型の圧電� ��動片を例に挙げて説明したが、音叉型に限� ��れるものではない。例えば、厚み滑り振動� ��としても構わない。

 また、上記各実施形態では、ベース基板と� ��ッド基板とを接合膜を介して陽極接合した� ��、陽極接合に限定されるものではない。但� ��、陽極接合することで、両基板を強固に接� ��できるので好ましい。
 また、上記各実施形態では、圧電振動片を� ��ンプ接合したが、バンプ接合に限定される� ��のではない。例えば、導電性接着剤により� ��電振動片を接合しても構わない。但し、バ� ��プ接合することで、圧電振動片をベース基� ��の上面から浮かすことができ、振動に必要� ��最低限の振動ギャップを自然と確保するこ� ��ができる。よって、バンプ接合することが� ��ましい。
 また、上記各実施形態では、貫通電極を一� ��として説明したが、1つでも構わないし、3� �以上設けても構わない。

 また、上記各実施形態において充填工程� ��行う際に、ペーストを脱泡処理(例えば、遠 心脱泡や真空引き等)した後に埋め込んでも� �わない。このように、事前にペーストを脱� �処理することで、気泡等が極力含まれてい� �いペーストを充填することができる。よっ� �、焼成工程を行ったとしても、ペーストの� �積減少をできるだけ抑えることができる。� �って、その後に行う研磨量を少なくするこ� �ができ、研磨に費やす時間を削減してより� �率良く圧電振動子を製造することができる� �

 また、上記各実施形態において、図67に� �すように、ベース基板(ベース基板用ウエハ) と熱膨張率が同一のガラスフリット(粒体)Gを 混合させたペーストPを用いても構わない。� �うすることで、焼成時、ペーストPの熱膨張� ��ベース基板用ウエハの熱膨張に近づけるこ� ��ができる。そのため、両者の間に熱膨張差� ��起因する隙間等が生じ難く、両者をより密� ��させた状態にすることができる。その結果� ��より気密性を高めた貫通電極を形成するこ� ��ができ、長期的な気密の信頼性を向上する� ��とができる。なお、ガラスフリットGを混合 させる割合としては、金属微粒子P1の導電性� ��阻害しない程度の範囲で、できるだけ多く� ��れることが好ましい。

 また、上記各実施形態では、細長い繊維状� ��金属微粒子を含むペーストを用いた場合を� ��に挙げたが、金属微粒子の形状は他の形状� ��も構わない。例えば、球形でも構わない。� ��の場合であっても、金属微粒子が互いに接� ��し合ったときに、点接触するので同様に電� ��的な導通性を確保することができる。但し� ��細長い繊維状のように非球形形状の金属微� ��子を用いることで、互いに接触し合ったと� ��に点接触ではなく、線接触になり易い。従� ��て、貫通電極の電気的な導通性をより高め� ��ことができるので、球形よりも非球形の金� ��微粒子を含むペーストを用いることが好ま� ��い。
 なお、金属微粒子P1を非球形とする場合に� �、例えば、図68Aに示す短冊状や、図68Bに示� �波型状にしても構わないし、図68Cに示す断� �星型や、図68Dに示す断面十字型でも構わな� �。

 また、上記各実施形態では、外部電極に� ��かうにしたがって漸次径が大きくなるよう� ��貫通電極を設けた構成にしたが、これとは� ��に、図69に示すように、外部電極38、39に向� ��うにしたがって漸次径が小さくなるように� ��通電極32、33を設けても構わない。この場合 であっても、同様の作用効果を奏することが できる。

 また、上記第1及び第2実施形態では、下面� �磨工程の際に、ベース基板用ウエハの下面� �、保持孔の底に達するまで研磨したが、こ� �場合に限られず、ベース基板用ウエハのよ� �上面側まで研磨してもかまわない。
 また、上記第1及び第2実施形態では、保持� �形成工程の際、保持孔を、ベース基板用ウ� �ハの下面側が底になるような有底穴状に形� �したが、他の形状でも構わない。例えばベ� �ス基板用ウエハの厚み方向に形成した貫通� �状でも構わない。但し、この場合は、下面� �磨工程において、研磨量を、焼成時に減少� �るペーストの体積に依存して変化させる必� �がある上に、充填工程において、ペースト� �埋め込み作業が煩雑になるため、保持孔は� �底状であることが好ましい。

 また、上記第3実施形態では、下面研磨工 程の際に、ベース基板用ウエハの下面を、穴 部の底に達する位置まで研磨したが、この場 合に限られず、研磨量T3以上に研磨しても構� ��ない。