Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von

optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip

Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur

Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und einen optoelektronischen Halbleiterchip .

Leuchtdioden-Halbleiterchips weisen oftmals zur elektrischen Kontaktierung auf der Vorderseite einen elektrischen

Anschluss auf, der über eine Drahtbondverbindung elektrisch kontaktiert wird. Eine solche Drahtbondverbindung erschwert jedoch kompakte Ausführungen des LED-Gehäuses und stellt zudem ein zusätzliches Ausfallrisiko dar.

Eine Aufgabe ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips anzugeben, mit dem auf einfache und kostengünstige Weise Halbleiterchips hergestellt werden können, die sich durch gute optoelektronische

Eigenschaften auszeichnen. Weiterhin soll ein

optoelektronischer Halbleiterchip angegeben werden, der sich durch eine hohe Effizienz auszeichnet und gleichzeitig eine kompakte Ausgestaltung des Gehäuses erlaubt.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren beziehungsweise einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und

Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen

Patentansprüche . Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips wird gemäß einer

Ausführungsform eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen und/oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht und einer zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden. Die Halbleiterschichtenfolge wird an einem Träger befestigt. Das Befestigen erfolgt beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht, etwa einer Lotschicht oder einer Klebeschicht. Vorzugsweise erfolgt die Befestigung der Halbleiterschichtenfolge auf der dem

Aufwachssubstrat abgewandten Seite der

Halbleiterschichtenfolge . Eine Mehrzahl von Ausnehmungen wird ausgebildet, die sich durch den Träger, die zweite Halbleiterschicht und den aktiven Bereich hindurch in die erste Halbleiterschicht hinein erstrecken. Auf einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten ersten Hauptfläche des Trägers werden erste Kontakte ausgebildet, wobei die ersten Kontakte im Bereich der Ausnehmungen jeweils mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden sind. Der Träger mit der

Halbleiterschichtenfolge wird in die Mehrzahl von

optoelektronischen Halbleiterchips vereinzelt, wobei jeder Halbleiterchip zumindest eine Ausnehmung aufweist. Jeder Halbleiterchip kann auch zwei oder mehr Ausnehmungen

aufweisen .

Mittels der zumindest einen Ausnehmung ist die auf der dem Träger abgewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnete erste Halbleiterschicht von der ersten Hauptfläche des

Trägers her elektrisch kontaktierbar . Auf einen elektrischen Kontakt auf einer dem Träger abgewandten Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterschichtenfolge für die externe elektrische Kontaktierung kann verzichtet werden. Vorzugsweise erfolgt das Ausbilden der Ausnehmungen, nachdem die Halbleiterschichtenfolge bereits an dem Träger befestigt ist. Zum Zeitpunkt der Befestigung der

Halbleiterschichtenfolge an dem Träger weist diese also noch keine Ausnehmungen auf, die sich von dem Träger durch den aktiven Bereich hindurch in die erste Halbleiterschicht hinein erstrecken und zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht vorgesehen sind. Es ist jedoch denkbar, dass die Halbleiterschichtenfolge vor dem Befestigen an dem Träger bereits Gräben aufweist, die die

Halbleiterschichtenfolge in lateraler Richtung in einzelne Halbleiterkörper unterteilt.

In einer bevorzugten Ausgestaltung werden die Ausnehmungen mittels eines anisotropen Ätzprozesses ausgebildet.

Insbesondere eignet sich reaktives Ionentiefenätzen (Deep Reactive Ion Etching, DRIE) . Das reaktive Ionentiefenätzen wird auch als „Bosch-Prozess" bezeichnet.

Mit einem anisotropen Ätzprozess, insbesondere mittels reaktiven Ionentiefenätzens , können Ausnehmungen mit einem großen Aspektverhältnis, also einem großen Verhältnis der Tiefe der Ausnehmungen, in einer senkrecht zu einer

Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der

Halbleiterschichtenfolge verlaufenden Richtung zum

Querschnitt der Ausnehmungen in lateraler Richtung erzielt werden. Das Aspektverhältnis beträgt vorzugsweise mindestens 5:1, besonders bevorzugt mindestens 10:1. Das

Aspektverhältnis kann auch deutlich größer sein,

beispielsweise mindestens 20:1, oder mindestens 30:1.

Insbesondere kann das Aspektverhältnis bis zu 50:1 betragen. Die Seitenflächen der Ausnehmungen verlaufen vorzugsweise senkrecht zu der Haupterstreckungsebene .

Die Ausnehmungen können in einem durchgängigen Prozessschritt mittels eines anisotropen Ätzprozesses, insbesondere mittels reaktiven Ionentiefenätzens , ausgebildet werden.

Alternativ können die Ausnehmungen in einem ersten

Teilschritt mittels eines isotropen Ätzprozesses und in einem zweiten Teilschritt mittels eines anisotropen Ätzprozesses ausgebildet werden. Im Unterschied zu einem anisotropen

Ätzprozess führt ein isotroper Ätzprozess zur Ausbildung von schrägen Seitenflächen der Ausnehmungen. Die Seitenflächen verlaufen also zumindest bereichsweise nicht senkrecht einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der

Halbleiterschichtenfolge. In dem im ersten Teilschritt ausgebildeten Bereich der Ausnehmungen kann sich ein

Querschnitt der Ausnehmungen zur ersten Hauptfläche des

Trägers hin vergrößern. Eine nachfolgende elektrische

Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht durch die

Ausnehmungen hindurch kann so vereinfacht werden. Die

beschriebene zweistufige Ausbildung der Ausnehmungen erfolgt vorzugsweise derart, dass im ersten Teilschritt nur Material des Trägers entfernt wird. Nach dem ersten Teilschritt erstreckt sich die Ausnehmung also nicht vollständig durch den Träger hindurch.

Vorzugsweise werden die Ausnehmungen derart ausgebildet, dass der Querschnitt der Ausnehmungen auf Höhe einer der

Halbleiterschichtenfolge zugewandten zweiten Hauptfläche des Trägers gleich oder im Wesentlichen gleich dem Querschnitt der Ausnehmungen auf Höhe des aktiven Bereichs ist. Unter einem im Wesentlichen gleichen Querschnitt wird verstanden, dass sich die Querschnittsflächen um höchstens 10 %

voneinander unterscheiden. Insbesondere verläuft eine

Umrandung der Ausnehmung auf Höhe des aktiven Bereichs in Aufsicht deckungsgleich mit oder innerhalb einer Umrandung der Ausnehmung auf Höhe der zweiten Hauptfläche des Trägers.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung wird der Träger gedünnt. Dies erfolgt vorzugsweise nach dem Befestigen der Halbleiterschichtenfolge an dem Träger und weiterhin

bevorzugt vor dem Ausbilden der Ausnehmungen. Die

erforderliche Ätztiefe kann dadurch verringert werden. Das Dünnen erfolgt vorzugsweise mechanisch, beispielsweise mittels Schleifens. Alternativ kann aber auch ein chemisches Verfahren Anwendung finden.

In einer bevorzugten Ausgestaltung wird vor dem Ausbilden der ersten Kontakte eine Isolationsschicht aufgebracht, die die Seitenflächen der Ausnehmungen insbesondere vollständig bedeckt. Mittels der Isolationsschicht kann zur Ausbildung des ersten Kontakts vorgesehenes Material von dem aktiven Bereich, der zweiten Halbleiterschicht und vom Träger

elektrisch isoliert werden. Insbesondere kann die

Isolationsschicht in einem einzigen Abscheideprozess so ausgebildet werden, dass sie an den aktiven Bereich und an die erste Hauptfläche des Trägers unmittelbar angrenzt. Auf der ersten Hauptfläche ist die Isolationsschicht bevorzugt zwischen der ersten Hauptfläche und dem ersten Kontakt angeordnet, so dass der erste Kontakt nicht an den Träger angrenzt .

In einer weiteren Ausgestaltung wird zur Ausbildung des ersten Kontakts eine erste Kontaktschicht aufgebracht, die unmittelbar an die erste Halbleiterschicht angrenzt und die sich von der ersten Halbleiterschicht unterbrechungsfrei bis zur ersten Hauptfläche des Trägers erstreckt.

Unterbrechungsfrei bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die erste Kontaktschicht einen durchgängigen Strompfad von der ersten Halbleiterschicht zur ersten Hauptfläche des Trägers hin bildet, so dass die erste Halbleiterschicht von der ersten Hauptfläche des Trägers her extern elektrisch

kontaktierbar ist.

Für die Ausbildung der ersten Kontaktschicht eignet sich beispielsweise ein PVD (Physical Vapor Deposition) -Verfahren, beispielsweise Sputtern, oder ein CVD (Chemical Vapor

Deposition) -Verfahren . Die erste Kontaktschicht kann auch mittels eines ALD (Atomic Layer Deposition) -Verfahrens aufgebracht werden. Ein solches ALD-Verfahren kann auch mehrfach durchgeführt werden, um einen durchgängig

leitfähigen Pfad von der ersten Halbleiterschicht zur ersten Hauptfläche des Trägers zu erzielen. Durch ein ALD-Verfahren kann der Materialeinsatz, insbesondere im Vergleich zu einem Sputter-Verfahren, verringert werden.

Die Ausnehmungen müssen nicht vollständig mit Kontaktmaterial befüllt sein. Vielmehr können die Ausnehmungen jeweils einen oder mehrere Hohlräume aufweisen.

Alternativ können die Ausnehmungen befüllt werden,

insbesondere nach dem Ausbilden der ersten Kontaktschicht. Das Befüllen erfolgt vorzugsweise mittels eines galvanischen Verfahrens. Es kann aber auch ein anderes Verfahren,

beispielsweise ein PVD-Verfahren oder ein CVD-Verfahren

Anwendung finden. In einer bevorzugten Ausgestaltung wird das Aufwachssubstrat entfernt. Das Aufwachssubstrat kann beispielsweise mechanisch oder chemisch entfernt werden. Alternativ kann auch ein

Laserablöseverfahren (Laser Lift Off, LLO) Anwendung finden, beispielsweise bei einem Saphir-Aufwachssubstrat .

Ein Halbleiterchip, bei dem das Aufwachssubstrat entfernt wird, wird auch als Dünnfilm-Halbleiterchip bezeichnet. Der Träger dient der mechanischen Stabilisierung der

Halbleiterschichtenfolge, sodass das Aufwachssubstrat hierfür nicht mehr erforderlich ist. Das Entfernen des

Aufwachssubstrats erfolgt vorzugsweise, nachdem die

Halbleiterschichtenfolge bereits an dem Träger befestigt ist. Die Befestigung der Halbleiterschichtenfolge an dem Träger kann beispielsweise in einem Waferbonding-Verfahren erfolgen.

Vorzugsweise wird vor dem Befestigen der

Halbleiterschichtenfolge an dem Träger eine Spiegelschicht auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Die

Ausnehmungen erstrecken sich durch die Spiegelschicht

hindurch. Im Betrieb der Halbleiterchips kann im aktiven Bereich erzeugte oder vom aktiven Bereich zu detektierende Strahlung an der Spiegelschicht reflektiert werden. Die

Gefahr einer Strahlungsabsorption durch den Träger wird dadurch verringert. Der Träger kann daher auch für im aktiven Bereich erzeugte oder vom aktiven Bereich zu detektierende Strahlung strahlungsundurchlässig sein. Die Spiegelschicht enthält vorzugsweise ein Metall oder eine metallische

Legierung mit zumindest einem der genannten Metalle. Für den sichtbaren Spektralbereich eignet sich insbesondere Silber oder eine silberhaltige Legierung. Weiterhin kann für den sichtbaren, insbesondere roten, bis infraroten Spektralbereich beispielsweise Zink enthalten, etwa in Form einer Zink-haltigen Legierung.

Ein optoelektronischer Halbleiterchip weist gemäß einer Ausführungsform einen Halbleiterkörper und einen Träger, an dem der Halbleiterkörper befestigt ist, auf. Eine

Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen und/oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht und einer zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, bildet den

Halbleiterkörper. Der Halbleiterchip weist eine Ausnehmung auf, die sich von einer dem Halbleiterkörper abgewandten ersten Hauptfläche des Trägers durch den Träger, die zweite Halbleiterschicht und den aktiven Bereich in die erste

Halbleiterschicht hinein erstreckt. Auf der ersten

Hauptfläche des Trägers ist ein erster Kontakt angeordnet, der im Bereich der zumindest einen Ausnehmung mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist. Vorzugsweise weist der Halbleiterchip auf der ersten

Hauptfläche einen zweiten Kontakt auf, der über den Träger elektrisch leitend mit der zweiten Halbleiterschicht verbunden ist. Über den ersten Kontakt und den zweiten

Kontakt ist der aktive Bereich extern elektrisch

kontaktierbar, sodass Ladungsträger aus entgegengesetzten Richtungen in den aktiven Bereich injiziert oder aus dem aktiven Bereich in entgegengesetzte Richtungen

abtransportiert werden können. Der Träger enthält vorzugsweise ein Halbleitermaterial, insbesondere Silizium. Silizium ist großflächig und

kostengünstig verfügbar und zeichnet sich zudem durch eine gute Mikrostrukturierbarkeit aus. Für eine elektrisch leitende Verbindung des zweiten Kontakts mit der zweiten Halbleiterschicht ist der Träger zweckmäßigerweise dotiert.

Der Halbleiterkörper kann auch mehr als einen aktiven Bereich aufweisen. In diesem Fall erstreckt sich die zumindest eine Ausnehmung vorzugsweise durch alle aktiven Bereiche hindurch. In diesem Fall ist die erste Halbleiterschicht also diejenige Schicht, die auf der vom Träger abgewandten Seite des am weitesten vom Träger entfernten aktiven Bereichs angeordnet ist.

In einer Ausgestaltung weist die Ausnehmung einen Teilbereich auf, in dem sich ein Querschnitt der Ausnehmung zur ersten Hauptfläche des Trägers hin vergrößert. Die Ausnehmung kann also trichterförmig ausgebildet sein. Die Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem ersten Kontakt und der ersten Halbleiterschicht wird dadurch vereinfacht.

Alternativ kann die Ausnehmung aber auch durchgängig

denselben Querschnitt oder im Wesentlichen denselben

Querschnitt aufweisen.

In einer bevorzugten Ausgestaltung ist zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper eine Spiegelschicht angeordnet. Die Gefahr einer Strahlungsabsorption in dem Träger wird dadurch vermindert .

Für die Herstellung des beschriebenen Halbleiterchips eignet sich insbesondere das vorstehend beschriebene

Herstellungsverfahren. Im Zusammenhang mit den Verfahren beschriebene Merkmale können daher auch für den

Halbleiterchip herangezogen werden und umgekehrt. Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der

Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.

Es zeigen:

Figuren 1A bis 1H ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen

Halbleiterchips in schematischer Schnittansicht (Figuren 1A bis IG) und in einer Rückansicht des in Figur IG dargestellten fertig gestellten

Halbleiterchips gemäß einem ersten

Ausführungsbeispiel; und

Figur 2 ein zweites Ausführungsbeispiel für einen

optoelektronischen Halbleiterchip.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als

maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß

dargestellt sein.

Ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur

Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips ist anhand der Figuren 1A bis 1H schematisch dargestellt. Wie in Figur 1A gezeigt, wird auf einem Aufwachssubstrat 29 eine

Halbleiterschichtenfolge vorzugsweise epitaktisch,

beispielsweise mittels MOCVD, abgeschieden. Die

Halbleiterschichtenfolge weist eine dem Aufwachssubstrat zugewandte erste Halbleiterschicht 21, einen aktiven Bereich 20 und auf einer der ersten Halbleiterschicht 21 abgewandten Seite des aktiven Bereichs eine zweite Halbleiterschicht 22 auf. Die erste Halbleiterschicht und die zweite

Halbleiterschicht sind bezüglich des Leitungstyps voneinander verschieden. Beispielsweise kann die erste Halbleiterschicht n-leitend und die zweite Halbleiterschicht p-leitend

ausgebildet sein oder umgekehrt. Die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht können jeweils mehrere

Teilschichten umfassen.

Zur vereinfachten Darstellung ist in den Figuren lediglich ein Ausschnitt eines Waferverbunds gezeigt, aus dem bei der Herstellung ein Halbleiterchip hervorgeht. Weiterhin wird lediglich exemplarisch die Herstellung einer

Lumineszenzdiode, etwa einer Leuchtdiode beschrieben. Das Verfahren eignet sich jedoch auch für die Herstellung einer Laserdiode oder eines Strahlungsdetektors mit einem zum

Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich.

Die Halbleiterschichtenfolge 2, insbesondere der aktive

Bereich 20, enthält vorzugsweise ein III-V-Verbindungs- Halbleitermaterial . III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien sind zur

Strahlungserzeugung im ultravioletten (Al _x In _y Gai- _x - _y N ) über den sichtbaren (Al _x In _y Gai- _x - _y N , insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder Al _x In _y Gai- _x - _y P, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Al _x In _y Gai- _x - _y As) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils

0 < x < l, O ^ y ^ l und x + y < 1, insbesondere mit x + 1, y + 1, x + 0 und/oder y + 0. Mit III-V- Verbindungs- Halbleitermaterialien, insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der

Strahlungserzeugung hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden . Der aktive Bereich 20 umfasst bevorzugt einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfach-Quantentopf (SQW, Single quantum well) oder, besonders bevorzugt, eine

Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der

Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen. Für die epitaktische Abscheidung, beispielsweise mittels

MOCVD, MBE oder LPE, einer Halbleiterschichtenfolge auf der Basis von Al _x In _y Gai- _x - _y N (nitridisches Verbindungs- Halbleitermaterial ) eignet sich beispielsweise Saphir,

Siliziumkarbid oder Silizium.

Auf die Halbleiterschichtenfolge 2 wird eine Spiegelschicht 3 aufgebracht, beispielsweise mittels Aufdampfens oder

Sputterns . Die Spiegelschicht enthält vorzugsweise ein Metall oder eine metallische Legierung. Beispielsweise zeichnet sich Silber oder eine silberhaltige Legierung durch eine besonders hohe Reflektivität im sichtbaren Spektralbereich aus.

Alternativ kann die Spiegelschicht aber auch Nickel, Chrom, Palladium, Rhodium, Aluminium, Zink oder Gold enthalten oder eine metallischen Legierung mit zumindest einem der genannten Metalle aufweisen. Für den roten bis infraroten

Spektralbereich eignet sich beispielsweise eine Gold-Zink- Legierung . Das Aufwachssubstrat 29 mit der Halbleiterschichtenfolge 2 wird in einem Waferbonding-Prozess mittels einer

Verbindungsschicht 4, beispielsweise einer Lotschicht oder einer elektrisch leitfähigen Klebeschicht an einem Träger 5 befestigt. Der Träger 5 weist eine von der

Halbleiterschichtenfolge abgewandte erste Hauptfläche 51 und eine der Halbleiterschichtenfolge 2 zugewandte zweite

Hauptfläche 52 auf. Zwischen der Halbleiterschichtenfolge 2 und dem Träger 5 können noch weitere Schichten angeordnet sein, beispielsweise eine Diffusionsbarriere oder eine Verkapselung der

Spiegelschicht . Für den Träger 5 eignet sich besonders Silizium aufgrund der guten Mikrostrukturierbarkeit . Es kann aber auch ein anderes Material, insbesondere ein anderes Halbleitermaterial wie beispielsweise Germanium oder Galliumarsenid Anwendung finden. Vorzugsweise ist der Träger dotiert und weist den selben Leitungstyp auf wie die zweite Halbleiterschicht 22. Die elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht über den Träger wird so vereinfacht.

Wie in Figur 1B dargestellt, kann nach dem Befestigen des Trägers ein Dünnen des Trägers von der ersten Hauptfläche 51 her erfolgen, um die Dicke des Trägers 5 zu reduzieren. Das Dünnen kann mittels eines mechanischen Prozesses,

beispielsweise Schleifens, Polierens oder Läppens, und/oder mittels eines chemischen Prozesses erfolgen. Durch das Dünnen wird die Bauhöhe der fertigen Halbleiterchips verringert. Zudem vereinfacht das Dünnen das spätere Vereinzeln in

Halbleiterchips, beispielsweise mittels Lasertrennens. Der Träger 5 kann bereits vor dem Dünnen eine Dicke von höchstens 50 ym aufweisen. Der Aufwand beim Dünnen kann so verringert werden. Davon abweichend kann die Dicke aber auch größer als 50 ym sein, beispielsweise zwischen einschließlich 50 ym und einschließlich 300 ym.

Zur Reduzierung der Bruchgefahr kann die

Halbleiterschichtenfolge auf der dem Träger gegenüber

liegenden Seite an einem temporären Träger (nicht explizit dargestellt) befestigt werden, insbesondere vor dem Dünnen.

Das Aufwachssubstrat 29 wird entfernt. Für ein Silizium- Aufwachssubstrat eignet sich hierfür insbesondere ein

mechanisches Verfahren, ein chemisches Verfahren oder die Kombination eines mechanischen Verfahrens mit einem

nachfolgenden chemischen Verfahren. Ein

strahlungsdurchlässiges Substrat, beispielsweise

Siliziumkarbid oder Saphir kann auch mittels eines LLO- Verfahrens entfernt werden.

Eine vom Träger abgewandte Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterschichtenfolge 2 wird mit einer Strukturierung 25 versehen. Mittels der Strukturierung kann die

Auskoppeleffizienz für die im Betrieb im aktiven Bereich 20 erzeugte Strahlung erhöht werden. Die Strukturierung kann beispielsweise mittels eines chemischen Verfahrens,

insbesondere eines nasschemischen Ätzprozesses, erfolgen. Die Strukturierung kann unregelmäßig oder regelmäßig,

insbesondere periodisch, etwa zur Ausbildung eines

photonischen Gitters, ausgebildet sein. Für die Ausbildung einer unregelmäßigen Strukturierung ist ein Photolithgraphie- Verfahren nicht erforderlich. Wie in Figur IC dargestellt, werden von der ersten Hauptfläche 51 des Trägers 5 her Ausnehmungen 6 ausgebildet, die sich durch den Träger 5 und den aktiven Bereich 20 hindurch in die erste Halbleiterschicht 21 hinein erstrecken.

Für die Ausbildung von Ausnehmungen mit einem hohen bis sehr hohen Aspektverhältnis eignet sich insbesondere ein

anisotropes Ätzverfahren, beispielsweise reaktives

Ionenätzen, insbesondere reaktives Ionentiefenätzen . Das Aspektverhältnis beträgt vorzugsweise mindestens 5:1,

besonders bevorzugt mindestens 10:1. Das Aspektverhältnis kann auch noch höher sein, beispielsweise 20:1 oder mehr, insbesondere bis zu 50:1. Die Ausnehmungen 6 können

durchgehend mittels eines solchen anisotropen Ätzprozesses hergestellt werden. Davon abweichend können die Ausnehmungen auch zweistufig ausgebildet werden, wobei die Ausnehmungen in einem ersten Teilschritt mittels eines isotropen

Ätzverfahrens, beispielsweise eines nasschemischen

Ätzverfahrens, ausgebildet werden. Der erste Teilschritt wird so durchgeführt, dass sich die dadurch gebildete Ausnehmung noch nicht vollständig durch den Träger 5 hindurch erstreckt. In dem zweiten Teilschritt wird ein anisotropes Ätzverfahren durchgeführt. Dadurch entstehen, wie in Figur IC anhand der gestrichelten Linie 61 dargestellt, schräg zur

Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der

Halbleiterschichtenfolge 2 verlaufende Teilbereiche 61 der Seitenflächen 65.

Sowohl bei der durchgängigen Ausbildung der Ausnehmung 6 mittels eines anisotropen Ätzverfahrens als auch bei einer zweistufigen Ausbildung mit einem isotropen Teilschritt und einem anisotropen Teilschritt erfolgt die Ausbildung der Ausnehmung vorzugsweise derart, dass der Querschnitt der Ausnehmungen im Bereich der zweiten Hauptfläche 52 des

Trägers und der Querschnitt der Ausnehmungen im Bereich des aktiven Bereichs 20 gleich oder zumindest im Wesentlichen gleich ist. Insbesondere liegt eine Umrandung der

Ausnehmungen auf Höhe des aktiven Bereichs in Aufsicht auf die Halbleiterschichtenfolge vollständig innerhalb einer Umrandung der Ausnehmungen auf Höhe der zweiten Hauptfläche 32 des Trägers oder verläuft deckungsgleich mit dieser. Nachfolgend wird, wie in Figur 1D dargestellt, eine

Isolationsschicht, beispielsweise eine Siliziumoxidschicht, aufgebracht, die die Seitenflächen 65 der Ausnehmungen 6 und die erste Hauptfläche des Trägers 5 bedeckt. Die

Isolationsschicht kann beispielsweise mittels eines CVD

(Chemical Vapor Deposition) , etwa mittels eines PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) - Verfahrens abgeschieden werden .

Die Isolationsschicht 7 ist also eine Schicht, die die

Seitenflächen 65 durchgängig bedeckt und im Bereich der

Ausnehmungen 6 bereichsweise an den Träger 5 und

bereichsweise an die Halbleiterschichtenfolge 2, insbesondere den aktiven Bereich 20, unmittelbar angrenzt. Mit anderen Worten wird die elektrische Isolation des nachfolgend in die Ausnehmungen 6 eingebrachten Kontaktmaterials vom aktiven

Bereich 20 und der zweiten Halbleiterschicht 22 sowie von dem Träger 5 mittels einer in einem einzigen Abscheideschritt hergestellten, durchgängigen Schicht erzielt. Nachfolgend wird, wie in Figur IE dargestellt, in der

Isolationsschicht 7 ein Anschlussfenster 60 ausgebildet, in dem die erste Halbleiterschicht 21 freiliegt. Dies erfolgt vorzugsweise mittels eines weiteren anisotropen Ätzschritts, insbesondere eines weiteren DRIE-Ätzschritts .

Nachfolgend wird eine erste Kontaktschicht 81 aufgebracht, über die die erste Halbleiterschicht 21 von der Rückseite, also der ersten Hauptfläche 51 des Trägers her, elektrisch kontaktierbar ist.

Die erste Kontaktschicht kann mittels Aufdampfens oder mittels eines PVD-Verfahrens , beispielsweise Sputterns, aufgebracht werden. Alternativ eignet sich auch ein ALD- Verfahren, das insbesondere auch mehrfach nacheinander durchgeführt werden kann, um eine durchgängige Belegung der Seitenflächen der Ausnehmungen 6 mit einer hinreichenden elektrischen Leitfähigkeit zu erzielen. Mittels eines ALD- Verfahrens kann mit reduziertem Materialverbrauch

gewährleistet werden, dass ein durchgängiger elektrischer Pfad von der ersten Halbleiterschicht 21 zur ersten

Hauptfläche 51 des Trägers gewährleistet ist.

Nachfolgend können die Ausnehmungen 6 mittels einer zweiten elektrisch leitfähigen Kontaktschicht 82 befüllt werden. Die zweite Kontaktschicht kann beispielsweise Aluminium oder Nickel enthalten oder aus einem solchen Material bestehen. Dies kann beispielsweise mittels eines galvanischen

Verfahrens, etwa eines LIGA (Lithographie, Galvanik und Abformung) -Verfahrens , erfolgen. Es hat sich herausgestellt, dass mit einem solchen Verfahren ein vollständiges,

defektfreies Auffüllen der Ausnehmung trotz des hohen

Aspektverhältnisses der Ausnehmungen, zuverlässig erzielt werden kann. Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend, können die Ausnehmungen 6 auch zumindest teilweise unbefüllt bleiben, d. h. der fertig gestellte Halbleiterchip weist im Bereich der Ausnehmungen einen oder mehrere Hohlräume auf.

Beim Ausbilden der ersten Kontaktschicht 81 und

gegebenenfalls der zweiten Kontaktschicht 82 wird auch die die erste Hauptfläche 51 des Trägers 5 beschichtet. Durch eine Separation in zwei Teilbereiche werden auf der ersten Hauptfläche 51 ein erster Kontakt 8 zur externen elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und ein zweiter Kontakt 9 ausgebildet, der über den Träger 5 elektrisch leitend mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge 22 verbunden ist. Die Separation kann beispielsweise durch einen

Lithographie-Schritt und einen Ätzschritt erfolgen. Die beiden elektrischen Kontakte können also in einem gemeinsamen Abscheideschritt hergestellt werden. Durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen dem ersten Kontakt 8 und dem zweiten Kontakt 9 können Ladungsträger von entgegengesetzten Richtungen in den aktiven Bereich 20 injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren. Ein

elektrischer Kontakt auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers 2 zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht ist somit nicht erforderlich.

Für eine spätere Befestigung der vereinzelten

Halbleiterchips, beispielsweise mittels Lötens, etwa mittels Reflow-Lötens , können auf dem ersten Kontakt 8 und dem zweiten Kontakt 9 jeweils eine Kontakterhebung (bump) 93 aufgebracht werden, beispielsweise aus Gold oder aus einer Gold-haltigen Legierung, etwa AuSn, NiAu:Sn oder InAuSn. Zur Fertigstellung der Halbleiterchips wird der Träger 5 mit der Halbleiterschichtenfolge 2 in Halbleiterchips vereinzelt, sodass jeder Halbleiterchip wie in Figur IG dargestellt zumindest eine Ausnehmung 6 aufweist. Das Vereinzeln erfolgt vorzugsweise mittels Lasertrennens. Es kann aber auch ein mechanisches Verfahren, beispielsweise Sägen, Ritzen,

Brechen, Stealth Dicing oder Spalten, Anwendung finden. Vor dem Vereinzeln kann die Halbleiterschichtenfolge bereits durch Gräben in einzelne Halbleiterkörper unterteilt sein, wobei die Vereinzelung entlang der Gräben erfolgt.

Die Ausnehmung ist in Aufsicht vollständig innerhalb des durch die Halbleiterschichtenfolge gebildeten

Halbleiterkörpers angeordnet. Das heißt, die Ausnehmung ist entlang ihres gesamten Umfangs von Material der

Halbleiterschichtenfolge umgeben. Von dem beschriebenen

Ausführungsbeispiel abweichend kann der Halbleiterchip auch zwei oder mehr Ausnehmungen aufweisen. Im Unterschied zu einem so genannten Flip-Chip, bei dem das Aufwachssubstrat in dem fertig gestellten Halbleiterchip verbleibt, ist eine seitliche Strahlungsauskopplung auf die Seitenfläche des durch die Halbleiterschichtenfolge 2

gebildeten Halbleiterkörpers begrenzt. Der Halbleiterchip stellt daher in guter Näherung einen reinen Oberflächen- Emitter mit einer Lambert ' sehen Abstrahlcharakteristik dar. Vorzugsweise tritt mindestens 70 % der im aktiven Bereich 20 erzeugten Strahlung durch die dem Träger gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips 1 aus.

Eine Rückseitenansicht des in Figur IG dargestellten

Halbleiterchips 1 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel ist in Figur 1H abgebildet. Der Halbleiterchip weist zwei in lateraler Richtung nebeneinander angeordnete rückseitige Kontakte 8, 9 auf. Die elektrische Kontaktierung des

Halbleiterchips 1 kann bei der Montage in einem Gehäuse oder auf einem Anschlussträger, beispielsweise einer Leiterplatte, direkt beim Herstellen der Befestigung in dem Gehäuse

beziehungsweise dem Anschlussträger erfolgen. Auf eine

Drahtbond-Verbindung zur Herstellung eines elektrischen

Oberseitenkontakts kann also verzichtet werden, wodurch die Herstellungskosten und auch der Bedarf an Gold reduziert werden können. Bauformen mit einer besonders geringen

Ausdehnung in vertikaler Richtung, also senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten des

Halbleiterkörpers, können dadurch vereinfacht erzielt werden. Vorzugsweise beträgt die Ausdehnung des Halbleiterchips in vertikaler Richtung höchstens 200ym, beispielsweise zwischen einschließlich 120 ym und einschließlich 180 ym. Es können aber auch Halbleiterchips hergestellt werden, deren

Ausdehnung in vertikaler Richtung weitergehend verringert ist und höchstens 100 ym beträgt. Ein zweites Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterchip ist in Figur 2 schematisch in Schnittansicht dargestellt. Dieses zweite Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit Figur IG beschriebenen ersten

Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die

Ausnehmung 6 einen Teilbereich 61 auf, in dem die

Seitenflächen 65 der Ausnehmungen schräg, also nicht

senkrecht, zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge 2 verlaufen. In diesem Bereich nimmt der Querschnitt der Ausnehmungen 6 zur ersten

Hauptfläche 51 des Trägers 5 hin zu, insbesondere

trichterförmig. Die Herstellung dieses Teilbereichs 61 kann wie im Zusammenhang mit Figur IC beschrieben erfolgen. Weiterhin ist auf der dem Träger 5 gegenüberliegenden

Strahlungsaustrittsfläche ein Konversionselement 95

angeordnet. Das Konversionselement ist dafür vorgesehen, im aktiven Bereich 20 im Betrieb erzeugte Strahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umzuwandeln, sodass die insgesamt Mischstrahlung, insbesondere für das menschliche Auge weiß erscheinendes Mischlicht, abgestrahlt wird. Das Konversionselement 95 kann beispielsweise in Form eines

Plättchens ausgebildet sein, das mittels einer

Befestigungsschicht 96 an dem Halbleiterkörper 2 befestigt ist. Das Konversionselement 95 kann dieselbe Grundform aufweisen wie der Träger 5. Auf eine Aussparung für die

Durchführung einer Drahtbond-Verbindung, beispielsweise in Form einer Ausfräsung, kann aufgrund der rückseitigen

Kontakte des Halbleiterchips 1 verzichtet werden. Die

Herstellung des Konversionselement ist dadurch vereinfacht. Ferner kann das Konversionselement auch in lateraler Richtung zumindest bereichsweise oder entlang des gesamten Umfangs, über den Halbleiterchip hinausragen. Die Gefahr, dass im aktiven Bereich erzeugte Strahlung seitlich an dem

Konversionselement vorbei abgestrahlt wird, wird dadurch verringert. Die Größe des Konversionselements ist nicht mehr durch Anforderungen beim Herstellen der Drahtbond-Verbindung beschränkt. Davon abweichend kann das Konversionselement aber auch bündig mit dem Halbleiterkörper 2 abschließen.

Das Konversionselement kann beispielsweise ein Matrixmaterial umfassen, in das ein Leuchtstoff eingebettet ist. Alternativ kann das Konversionselement als eine Konversionskeramik ausgebildet sein. Für die Befestigungsschicht 96 eignet sich beispielsweise ein Silikon. Die Befestigungsschicht kann ebenfalls mit Leuchtstoff versetzt sein. Das Konversionselement 93 kann auch bei dem im Zusammenhang mit Figur IG beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel

Anwendung finden. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2012 106 953.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die

Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede neue Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist .