Verfahren zum Bilden einer strukturierten Schicht Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Schicht.

Im Allgemeinen kann ein Werkstück (z.B. ein Substrat) beschichtet werden, um dieses zu funktionalisieren, d.h. um dessen elektrische, chemische oder mechanische Eigenschaften zu verändern. Beispielsweise kann das Substrat ein elektrisch leitfähiges, mechanisch stabiles und/oder wirtschaftlich günstiges Gerüst bereitstellen, welches mittels einer Beschichtung funktionalisiert wird. Zur Herstellung funktioneller Bauteile können beispielsweise die mechanischen und/oder elektrischen Eigenschaften des Substrats mit den funktionellen Eigenschaften der Schicht kombiniert werden, um somit hochleistungsfähige Bauteile kostengünstig bereitzustellen. Im Allgemeinen lässt sich damit beispielsweise die Energiedichte von Energiespeichern vergrößern, indem deren Elektrodenenergiegehalt vergrößert wird respektive die größeren Flächenbeladung der Elektroden. Im Bereich von Energiespeichern, wie Akkumulatoren, versprechen Festkörper- Energiespeicher (auch als All-Solid-State-Ansatz bezeichnet) theoretische Betrachtungen eine Verbesserung der Energiedichte, die jedoch praktisch bisher aus verschiedenen Gründen nicht erreicht wird. Gleichzeitig würde mit steigender Energiedichte die generelle Funktionsfähigkeit des Energiespeichers bzw. dessen schnelle Lade- und Entladefähigkeit immer wichtiger.

Im Allgemeinen lässt sich der nutzbare Elektrodenenergiegehalt von Festköper-Energiespeichern durch eine möglichst hohe spezifische Oberfläche der Elektroden vergrößern. Diese lässt sich anschaulich erreichen, indem die funktionelle Schicht strukturiert und/oder diese aus einem porösen

Material hergestellt wird. Beispielsweise lässt sich der nutzbare Elektrodenenergiegehalt von Festköper-Energiespeichern durch eine dreidimensionale Strukturierung von hochkapazitiven und somit dicken Elektroden vergrößern. Herkömmlicherweise erfolgt die dreidimensionale Strukturierung der Elektroden mittels eines sequentiellen und trockenen Schichtaufbaus durch additive und subtraktive Verfahren sowie der Verbesserung der verwendeten Feststoffionenleitern, welche auf die Prozesse angepasst werden. Allerdings lassen sich poröse Schichten, d.h. Schichten mit einer bereits hohen spezifischen Oberfläche, nur mit einem hohen Aufwand strukturieren. Beispielsweise durchdringen flüssige Ätzmittel die Poren einer Schicht und wirken somit unkontrolliert ein, unter anderem auch auf jene Bereiche, welche verbleiben sollen. Daher kann das volle Potential des Strukturierens einer porösen Schicht nur selten ausgeschöpft werden. Auch in anderen Bereichen, wie z.B. der berührungsempfindlichen Bildschirme, werden strukturierte Schichten benötigt. Zum Strukturieren werden häufig herkömmliche Prozesse verwendet, z.B. Plasmaätzen, nasschemisches Ätzen, Ionenimplantation, Laserstrukturieren, Elektronenstrahlstrukturieren, Photolithographie, Druckverfahren, Nanolithographie. In einigen Fällen sind diese Prozesse ungeeignet zum Strukturieren des gewünschten Materials. Andere Prozesse weisen mehrere sequentielle Schritte auf, was deren Anwendung verlangsamt und damit deren Wirtschaftlichkeit reduziert. Beispielsweise werden sequentielle Ablationsschritte benutzt, um mittels

Pulslaserverfahren Stege oder Strukturen zu hinterlassen. Diese Subtraktionsschritte ermöglichen mit relativ wenig Energieeintrag eine große Menge an Material präzise abzutragen. Dafür muss allerdings häufig ein hoher Kostenaufwand in Kauf genommen werden was deren Wirtschaftlichkeit reduziert.

Im Allgemeinen herrscht zur Herstellung von Energiespeichern ein großer Bedarf nach wirtschaftlich durchführbaren Prozessen, um die Energiespeicher anschaulich günstiger produzieren und anbieten zu können und/oder um das Aktivmaterial besser mit dem Stromableiter zu koppeln, was den Wirkungsgrad verbessert.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Schicht bereitgestellt, welches den Aufwand verringert, die Wirtschaftlichkeit erhöht und/oder in einer Durchlaufanlage erfolgen kann, so dass die Produktionskosten reduziert werden können und die Produktionsgeschwindigkeit gesteigert werden kann. Das Verfahren ermöglicht es, die chemische Belastung, welche auf die zu strukturierende Schicht einwirkt, zu minimieren, so dass deren

Funktionalität möglichst wenig beeinträchtigt wird. Somit lässt sich eine breite Vielfalt verschiedener Materialklassen strukturieren, z.B. chemisch und/oder mechanisch sensible Materialien, wie z.B. organische Materialien. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen ermöglicht das Verfahren, Materialien zu strukturieren, welche eine hohe spezifische Oberfläche aufweisen, und daher für die meisten herkömmlichen Strukturierungsprozesse ungeeignet sind, wie beispielsweise poröse Materialien. Das Verfahren ermöglicht es, die spezifische Oberfläche mittels des Strukturierens weiter zu vergrößern, ohne die porösen Materialien zu beeinträchtigen oder unkontrolliert zu entfernen. Somit lässt sich eine breite Vielfalt verschiedener Material klassen strukturieren, z.B. chemisch und/oder mechanisch sensible Materialien, wie beispielsweise ein Aktivmaterial oder ein Elektrolyt. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Aktivmaterialschicht bereitgestellt. Die Aktivmaterialschicht kann beispielsweise in Energiespeichern eingesetzt werden, so dass deren Herstellung günstiger erfolgen und kann und weniger Zeit in Anspruch nimmt.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Sensorschicht bereitgestellt. Die Sensorschicht kann beispielsweise in einem Sensor, z.B. einem kapazitiven Flächensensor eingesetzt werden, so dass dessen Herstellung günstiger erfolgen und kann und weniger Zeit in Anspruch nimmt.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat Folgendes aufweisen: Beschichten des Substrats mit einer zu strukturierenden Schicht, welche ein Targetmaterial und ein Opfermaterial aufweist, wobei bei dem Beschichten das Opfermaterial vor dem Targetmaterial und/oder gleichzeitig mit diesem über dem Substrat angeordnet wird; wobei das Anordnen des Opfermaterials und/oder des Targetmaterials aufweist, Feststoffpartikel über dem Substrat anzuordnen (z.B. in mehreren Bereichen der zu strukturierenden Schicht); und Entfernen des Opfermaterials, so dass mehrere Bereiche der Schicht geöffnet werden (auch als Subtraktionslithographie bezeichnet). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial in den mehreren Bereichen der zu strukturierenden Schicht angeordnet sein oder werden, z.B. in Form von Feststoffpartikeln.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Schicht Folgendes aufweisen: Beschichten des Substrats mit einer zu strukturierenden Schicht, welche ein Targetmaterial und ein Opfermaterial aufweist, wobei bei dem Beschichten das

Opfermaterial vor dem Targetmaterial und/oder gleichzeitig mit diesem über dem Substrat angeordnet wird; wobei das Opfermaterial bei einer kleineren Temperatur und/oder einem größeren Druck als das Targetmaterial in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht (d.h. dass das Opfermaterial eine kleinere Temperatur und/oder einen Druck als das Targetmaterial aufweist, bei dem dieses in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht); thermisches Überführen des

Opfermaterials in den gasförmigen Aggregatszustand, so dass mehrere Bereiche (z.B. die mehreren Bereiche) der Schicht geöffnet werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das thermische Überführen des Opfermaterials in den gasförmigen Aggregatszustand mittels eines (z.B. gepulsten) Bestrahlens des Opfermaterials und des Targetmaterials erfolgen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial eine Maske (auch als

Opfermaske bezeichnet) über dem Substrat bilden oder zumindest Teil dieser sein, wobei die Maske eine zusammenhängende Öffnung aufweist, durch welche das Targetmaterial hindurch oder zumindest in diese hinein gelangt.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Schicht innerhalb einer Vakuumkammer Folgendes aufweisen: Anordnen und/oder Transportieren eines Substrats in der Vakuumkammer; Erzeugen eines Stroms von Feststoffpartikeln aus einem Quellbereich in Richtung des Substrats; und Anordnen einer Maske zwischen dem Substrat und dem Quellbereich, wobei die Maske eine oder mehrere (z.B. disjunkte) Öffnungen aufweist.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Beschichten des Substrats durch die Maske hindurch erfolgen. Optional kann die Maske zum Beschichten eines zusätzlichen Substrats verwendet sein oder werden (in dem Fall auch als Austauschmaske oder wiederverwendbare Maske bezeichnet). Alternativ kann die Maske zum Strukturieren der Beschichtung (welche die zu strukturierenden Schicht aufweisen oder daraus gebildet sein kann) entfernt werden (in dem Fall auch als Opfermaske bezeichnet). Die Austauschmaske kann in einem Abstand von dem Substrat angeordnet sein oder werden. Die Opfermaske kann Teil der Beschichtung sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Schicht innerhalb einer Vakuumkammer, in welcher eine Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung angeordnet ist, Folgendes aufweisen: Anordnen eines Substrats in der Vakuumkammer; Anordnen einer Maske zwischen dem Substrat und der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung, wobei die Maske eine oder mehrere Öffnungen aufweist; und Emittieren von Feststoffpartikeln mittels der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung in Richtung des Substrats.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Erzeugen und/oder Erhalten eines elektrischen Feldes zwischen dem Substrat und der Maske

(Austauschmaske) und/oder zwischen der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung und der Maske zum Führen der Feststoffpartikel. Beispielsweise kann das elektrische Feld eine Elektrophorese ermöglichen, z.B. einen Drift der Elektronen in eine bestimmte Richtung. Beispielsweise können die Feststoff partikel mittels des elektrischen Feldes (z.B. durch die mehreren Öffnungen hindurch) geleitet werden. Wobei die Feststoffpartikel, welche mittels der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung in Richtung des Substrats emittiert werden, ein Targetmaterial aufweisen oder daraus gebildet sind. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Beschichten des Substrats mittels der Feststoffpartikel durch die Maske hindurch.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Maske mehrere Feststoffpartikel aufweisen, welche über dem Substrat angeordnet sein oder werden können.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Feststoffpartikel der Maske ein Opfermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein (auch als Opfermaske bezeichnet). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Targetmaterial eine größere Partikeldichte aufweisen als das Opfermaterial und/oder als das Substrat.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial eine größere Partikeldichte aufweisen als das Targetmaterial und/oder als das Substrat.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Entfernen des Opfermaterials erfolgen, indem dieses zumindest teilweise in einen gasförmigen Aggregatszustand überführt wird, z.B. indem dieses zumindest teilweise verdampft und/oder sublimiert wird. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann bei dem Beschichten das Opfermaterial in mehreren voneinander separierten Bereichen der Schicht angeordnet und zwischen diesen und/oder über diesen (d.h. diese zumindest teilweise bedeckend) das Targetmaterial angeordnet werden, so dass beispielsweise das Opfermaterial in das Targetmaterial eingebettet wird und/oder zwischen dem Targetmaterial und dem Substrat angeordnet wird.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Überführen mittels eines (z.B. gepulsten) Bestrahlens erfolgen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das (z.B. gepulste) Bestrahlen beidseitig des Substrats erfolgen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das (z.B. gepulste) Bestrahlen in einem Vakuum erfolgen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Porosität des Targetmaterials größer sein als eine Porosität des Substrats. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Feststoffpartikel in einem Vakuum über dem Substrat angeordnet werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Feststoffpartikel, welche über dem Substrat angeordnet werden, aus einem Partikelstrom (z.B. in einem Vakuum) stammen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Feststoffpartikel mittels einer

Feststoffpartikelemission und/oder in einem Vakuum über dem Substrat angeordnet werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Feststoffpartikelemission mittels einer

Elektrophorese erfolgen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Feststoffpartikelemission in einem Vakuum erfolgen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das Opfermaterial und/oder das Targetmaterial mittels eines Druckprozesses (d.h. mittels Bedruckens) über dem Substrat angeordnet werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Feststoffpartikel, welche das Opfermaterial aufweisen oder daraus gebildet sind, größer sein als die Feststoffpartikel, welche das Targetmaterial aufweisen oder daraus gebildet sind.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Temperatur, bei der das Opfermaterial in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht, kleiner sein als eine Temperatur, bei dem das Targetmaterial in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial zwischen dem Targetmaterial und dem Substrat angeordnet sein oder werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial zumindest teilweise (d.h.

teilweise oder vollständig) mit dem Targetmaterial bedeckt sein oder werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Targetmaterial ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Targetmaterial zumindest eines von folgenden Metallen aufweisen: Aluminium (AI), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Nickel (Ni), Zirkonium (Zr), Niob (Nb), Molybdän (Mo), Tantal (Ta), Gold (Au), Silber (Ag), Platin (Pt), Wolfram (W). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die mehreren Bereiche der Schicht, welche geöffnet werden, das Substrat freilegen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Targetmaterial ein Metall, ein Halbmetall, eine Keramik oder ein Aktivmaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat opak sein oder zumindest ein opakes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten kann das Substrat intransparent sein oder zumindest ein intransparentes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ kann das Substrat transparent sein oder zumindest ein transparentes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ein transparentes Substrat kann beispielsweise zum Bilden einer Vorrichtung verwendet werden, welche Licht durch das Substrat hindurch emittiert.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat eine Elektrode eines

Energiespeichers aufweisen oder daraus gebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Energiespeicher reversibel sein (d.h.

wiederaufladbar sein). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Energiespeicher einen Kondensator (d.h. ein

Energiespeicher zum Speichern von elektrischer Ladung mittels eines elektrischen Feldes) oder einen Akkumulator (d.h. ein Energiespeicher zum Speichern von elektrischer Ladung mittels elektrochemischer Umwandlung) aufweisen oder daraus gebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat eine Solarzelle aufweisen oder daraus gebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat eine Leiterplatte aufweisen oder daraus gebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Bilden eines kapazitiven Flächensensors mittels des Targetmaterials. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: elektrisches Kontaktieren der strukturierten Schicht (z.B. deren Targetmaterial). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Bilden einer Metallisierung, welche das Targetmaterial (über dem Substrat) elektrisch kontaktiert, z.B. eine Metallisierung, welche ein Kontaktpad aufweist.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das Targetmaterial und/oder das Opfermaterial aus einer Flüssigphase gebildet sein oder werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das Targetmaterial und/oder das Opfermaterial aus einer Dispersion gebildet sein oder werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bilden aus der Flüssigphase aufweisen, diese zu verfestigen, z.B. indem ein Lösungsmittel aus dieser herausgebracht wird (auch als trocken bezeichnet) und/oder indem diese in einen festen Aggregatszustand überführt wird (z.B. indem diese erstarrt wird). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bilden einer strukturierten Schicht Folgendes aufweisen: Anordnen einer Opferschicht über einem Substrat, welche mehrere (vereinzelte) Segmente aufweist; Abscheiden einer zu strukturierenden Schicht über dem Substrat derart, dass deren Material zumindest zwischen den mehreren Segmenten angeordnet wird;

Entfernen der mehreren Segmente, so dass Öffnungen in der zu strukturierenden Schicht gebildet werden; wobei die Opferschicht und/oder die zu strukturierende Schicht mittels einer

Feststoffpartikelemission gebildet werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein transparentes Polymer.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. ein opakes Polymer), z.B. verschieden von dem des Substrats.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat zumindest einen flächenförmigen Träger und/oder einen flexiblen Träger aufweisen, z.B. eine Folie oder eine Platte (z.B. einen Wafer). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat beidseitig beschichtet sein oder werden, z.B. von genau einer Seite aus (indem das Substrat gewendet wird) oder von zwei einander gegenüberliegenden Seiten aus. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat ein Laminat aufweisen oder daraus gebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat Glimmer (z.B. Schichtsilikat aufweisend oder daraus gebildet), eine Keramik (z.B. eine transparente Keramik, wie z.B. Glas), ein Halbleitermaterial (z.B. Silizium) und/oder ein Metall (z.B. Aluminium, Kupfer, und/oder Lithium) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das Targetmaterial und/oder das Substrat ein elektrisch leitfähiges Material aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Metall und/oder eine metallische Legierung. Beispielsweise kann das Substrat eine elektrisch leitfähige Beschichtung (z.B. eine Stromsammlerschicht) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Alternativ oder zusätzlich kann das Metall des Targetmaterials und/oder des Substrats in einer Keramik (z.B. einem Nitrid oder Karbid) vorliegen oder damit beschichtet sein. Beispielsweise kann das Targetmaterial und/oder das Substrat ein Metallnitrid (wie TiN, CrN) und/oder ein Metallcarbid (wie TiC, CrC) aufweisen oder daraus gebildet sein. Allgemeiner kann zusätzlich zu dem Metall ein Nichtmetall in das Targetmaterial und/oder das Substrat eingebaut sein oder werden. Beispielsweise kann das Targetmaterial chemisch reagiert sein oder werden, z.B. mit einer Prozessatmosphäre aufweisend Kohlenstoff und/oder Stickstoff.

Als Keramik kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein anorganisches nichtmetallisches Material verstanden werden, welches neben Oxiden (z.B. Metalloxiden) auch für Nitride und/oder Karbide verwendet werden kann. Mit anderen Worten kann ein Oxid, ein Karbid und/oder ein Nitrid eine Keramik sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das Targetmaterial und/oder das Substrat elektrisch leitfähig sein, d.h. eine spezifische elektrische Leitfähigkeit von größer als ungefähr 10 ⁶ S/m (Siemens pro Meter) aufweisen, z.B. größer als ungefähr 2-10 ⁶ S/m, z.B. größer als ungefähr 5-10 ⁶ S/m, z.B. größer als ungefähr 10 ⁷ S/m, z.B. größer als ungefähr 2-10 ⁷ S/m, z.B. größer als ungefähr 5-10 ⁷ S/m, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10 ⁷ S/m bis ungefähr 10-10 ⁷ S/m. Das Targetmaterial und das Substrat können sich voneinander unterscheiden, z.B. in zumindest einer von folgenden Eigenschaften: ihrer Dichte, ihrer Porosität (falls vorhanden), ihrer

mechanischen Härte, ihrer mittleren Partikeldichte (falls vorhanden), ihrer mittleren Dichte, ihrer elektrischen Leitfähigkeit; ihrer Gaspermeabilität; ihrer Permittivität, ihrer chemischen

Zusammensetzung oder ihrer chemischen Reaktivität.

Das Targetmaterial und das Opfermaterial können sich voneinander unterscheiden, z.B. in zumindest einer von folgenden Eigenschaften: ihrer Dichte, ihrer Porosität (falls vorhanden), ihrer mechanischen Härte, ihrer Schichtdicke, ihrer mittleren Partikeldichte (falls vorhanden), ihrer mittleren Partikelgröße (falls vorhanden), ihrer mittleren Dichte, ihrer elektrischen Leitfähigkeit; ihrer Gaspermeabilität; ihrer Permittivität, ihrer chemischen Zusammensetzung oder ihrer chemischen Reaktivität.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektrische Leitfähigkeit des Targetmaterials kleiner sein als die elektrische Leitfähigkeit des Substrats und/oder beide können eine größere elektrische Leitfähigkeit aufweisen als das Opfermaterial. Beispielsweise kann das Targetmaterial elektrisch isolierend sein (d.h. eine elektrische Leitfähigkeit von weniger als ungefähr 10- ⁶ S/m aufweisen), z.B. wenn das Targetmaterial eine Keramik oder ein Polymer aufweist. Alternativ kann die elektrische Leitfähigkeit des Targetmaterials größer sein als die elektrische

Leitfähigkeit des Substrats und/oder beide können eine größere elektrische Leitfähigkeit aufweisen als das Opfermaterial. Beispielsweise kann das Substrat elektrisch isolierend sein (d.h. eine elektrische Leitfähigkeit von weniger als ungefähr 10 ⁶ S/m aufweisen), z.B. wenn das Substrat eine Keramik oder ein Polymer aufweist.

Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Metall (auch als metallischer Werkstoff bezeichnet) zumindest ein metallisches Element (d.h. ein oder mehrere metallische Elemente) aufweisen (oder daraus gebildet sein), z.B. zumindest ein Element aus der Folgenden Gruppe von Elementen: Kupfer (Cu), Eisen (Fe), Titan (Ti), Nickel (Ni), Chrom (Cr), Platin (Pt), Gold (Au), Zink (Zn), Magnesium (Mg), Aluminium (AI), Zirkonium (Zr), Niob (Nb), Tantal (Ta), Molybdän (Mo), Wolfram (W),

Vanadium (V), Barium (Ba), Indium (In), Calcium (Ca), Hafnium (Hf), Samarium (Sm), Silber (Ag), und/oder Lithium (Li). Optional kann ein Metall eine metallische Verbindung (z.B. eine

intermetallische Verbindung oder eine Legierung) aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. eine Verbindung aus zumindest zwei metallischen Elementen (z.B. aus der Gruppe von Elementen), z.B. eine Verbindung wie Bronze oder Messing. Alternativ oder zusätzlich kann ein Metall eine

Verbindung aus zumindest einem metallischen Element (z.B. aus der Gruppe von Elementen) und mindestens einem nichtmetallischen Element (z.B. Kohlenstoff), z.B. eine Verbindung wie Stahl. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Metall eine thermische Leitfähigkeit größer als 10 W/(m-K) (Watt pro Kelvin und Meter) aufweisen, z.B. größer als 50 W/(m-K). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Polymer einen Duroplast, einen Thermoplast und/oder ein Elastomer aufweisen oder daraus gebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Polymer ein organisches Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. einen Kohlenwasserstoff. Ein organisches Polymer kann ein Polymer bezeichnen, welches Kohlenstoffatome in der Hauptkette des Polymers aufweist oder dessen Hauptkette aus mehreren Kohlenstoffatomen gebildet ist.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Polymer Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) Polytetrafluorethylen (PTFE), Cyclo-Olefin-Copolymer (COC), Cyclo-Olefin-Polymer (COC,

Handelsname: ZEONOR), elektrisch leitfähiges Polymer und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Bilden eines Energiespeichers unter Verwendung der strukturierten Schicht, des Targetmaterials und/oder des Substrats.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat zum Beschichten mit dem

Targetmaterial und/oder mit dem Opfermaterial in einer Vakuumkammer angeordnet und/oder transportiert werden. Beispielsweise kann ein Druck (Prozessdruck), in dem das Beschichten (Bilden der ersten Schicht und/oder Bilden der zweiten Schicht) erfolgt, in einem Bereich von ungefähr HO- ⁵ Millibar (mbar) bis ungefähr von bis 8 ^■ 10 ⁴ Millibar eingestellt und/oder geregelt sein oder werden. Beispielsweise kann der Prozessdruck mittels eines gestellten und/oder geregelten Gaseinlasses (z.B. bei konstanter Pumpleistung) eingestellt und/oder geregelt werden, z.B. indem ein Prozessgas eingelassen wird.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial vor (z.B. mit einem zeitlichen Abstand zu) dem Targetmaterial über dem Substrat angeordnet werden. Dann kann das

Opfermaterial optional mit dem Targetmaterial bedeckt werden. Alternativ oder zusätzlich kann das Opfermaterial gleichzeitig dem Targetmaterial über dem Substrat angeordnet werden. Dann kann das Opfermaterial optional neben dem Targetmaterial angeordnet sein und/oder teilweise freiliegen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann bei dem Beschichten das Targetmaterial von dem Opfermaterial unbedeckt bleiben. Alternativ oder zusätzlich kann das Targetmaterial freiliegen (z.B. von dem Opfermaterial). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat eine kleinere Transparenz aufweisen als das Targetmaterial und/oder als das Opfermaterial. Alternativ oder zusätzlich kann das Targetmaterial eine kleinere Transparenz aufweisen als das Opfermaterial.

Die Transparenz kann als Maß verstanden werden, welches beschreibt, welcher Anteil des einfallenden Lichts einen Bereich und/oder einen Körper (z.B. eine Schicht und/oder ein Substrat) durchdringt. Die Transparenz kann von dem Material, aus dem der Bereich und/oder der Körper gebildet ist, und/oder von dem Weg, den das Licht in durch den Bereich und/oder den Körper zurücklegen muss, beeinflusst werden. Je größer die Mächtigkeit (z.B. die Dicke) des Bereichs und/oder des Körpers ist, desto weniger Licht kann diese(n) entlang der Dicke durchdringen. Das Licht kann verstanden werden als das sichtbare Licht, z.B. mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 380 nm bis ungefähr 780 nm. Die Transparenz kann auf die Gesamtheit des einfallenden Lichts, z.B. gemittelt über die Wellenlängen des Lichts verstanden werden. Alternativ oder zusätzlich kann sich die Transparenz auf eine bestimmte Wellenlänge aus dem Bereich von ungefähr 380 nm bis ungefähr 780 nm beziehen, z.B. auf Licht mit einer Wellenlänge von ungefähr 650 nm (rot), einer Wellenlänge von ungefähr 520 nm (grün) und/oder einer Wellenlänge von ungefähr 470 nm (blau). Die Transparenz kann als Kehrwert der Opazität verstanden werden. Transparent mit Bezug auf einen Körper (z.B. eine Schicht und/oder ein Substrat) oder einen Bereich kann verstanden werden, als dass diese(r) mehr als 75% des Lichtes (z.B. sichtbaren Lichtes) hindurchlässt, z.B. mehr als ungefähr 90%, z.B. mehr als ungefähr 95%, z.B. mehr als ungefähr 99%.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial einen größeren

Absorptionskoeffizienten aufweisen als das Substrat und/oder als das Targetmaterial, z.B.

gegenüber dem Bestrahlen. Der Absorptionskoeffizient kann den Anteil der zum Bestrahlen verwendeten Strahlung beschreiben, welcher absorbiert wird (und/oder in thermische Energie umgewandelt wird).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zu strukturierende Schicht oder zumindest das Targetmaterial eine Dicke (Schichtdicke) aufweisen in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 1 μιη, z.B. in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 500 nm. Beispielsweise kann die zu strukturierende Schicht oder zumindest das Targetmaterial Kupfer aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. aufweisend eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 800 nm bis ungefähr 1 μιπ Damit lässt sich beispielsweise eine Sensorschicht aufweisend das Targetmaterial bilden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Anordnen des Targetmaterials mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einer Atomlagendeposition (ALD), Plasmaspritzen oder einer Flussigphasendeposition erfolgen. Die Flussigphasendeposition kann beispielsweise erfolgen wenn das Opfermaterial in Form von

Feststoff Partikeln bereitgestellt ist oder wird. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Anordnen des Opfermaterials mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einer Atomlagendeposition (ALD) oder einer Flüssigphasendeposition erfolgen. Das Anordnen des Opfermaterials mittels Plasmaspritzen kann aufgrund der damit verbundenen hohen Temperaturen schwerer sein als das Anordnen des Targetmaterials mittels Plasmaspritzen. Beispielsweise kann das Anordnen des Opfermaterials frei von einem Plasmaspritzen sein. Die Flüssigphasendeposition kann beispielsweise erfolgen wenn das Targetmaterial in Form von Feststoffpartikeln bereitgestellt ist oder wird.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Feststoffpartikel, die das Targetmaterial aufweisen, nach den Feststoffpartikeln, die das Opfermaterial aufweisen, über dem Substrat angeordnet werden, z.B. in einem zeitlichen Abstand voneinander und/oder mittels verschiedener Prozesse.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtungsanordnung zur Beschichtung eines Substrats Folgendes aufweisen: einen Behälter, welcher einen Bereich (auch als Quellbereich bezeichnet) zum Aufnehmen von Feststoffpartikeln aufweist; eine Positionierungsvorrichtung zum Positionieren eines Substrats mit einer Substratoberfläche des Substrats in Richtung des Bereichs; zumindest eine Elektronenquelle zum Einbringen von Elektronen in die Feststoffpartikel; eine Steuerung, eingerichtet zum Steuern einer elektrostatischen Aufladung der Feststoffpartikel derart, dass eine durch die elektrostatische Aufladung bewirkte Kraft die Feststoffpartikel voneinander trennt und in Richtung der Substratoberfläche des Substrats beschleunigt zum Beschichten der

Substratoberfläche mit zumindest einem Teil der voneinander getrennten Feststoffpartikel; und eine Maske, welche zwischen der Positionierungsvorrichtung und dem Behälter angeordnet und/oder beweglich gelagert ist.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtungsanordnung zur Beschichtung eines Substrats Folgendes aufweisen: eine Vakuumkammer, in der ein Beschichtungsbereich und eine Strukturierungsbereich angeordnet ist; eine Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung zum Emittieren von Feststoffpartikeln in den Beschichtungsbereich; eine Positionierungsvorrichtung zum Transportieren eines Substrats zwischen dem Beschichtungsbereich und dem

Strukturierungsbereich; eine thermisch-Strukturierungsvorrichtung zum Entfernen eines

Opfermaterials von dem Substrat (z.B. mittels eines thermischen Überführens des Opfermaterials in einen gasförmigen Aggregatszustand) in dem Strukturierungsbereich.

Die thermisch-Strukturierungsvorrichtung kann eine Bestrahlungsvorrichtung aufweisen zum Emittieren von Strahlung in den Strukturierungsbereich.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Targetmaterial eine größere chemische Aktivität aufweisen als das Substrat und/oder als das Opfermaterial.

Als chemische Aktivität kann die Fähigkeit (anschaulich das Bestreben) eines Materials verstanden werden mit anderen Materialien zu reagieren. Die chemische Aktivität kann die Geschwindigkeit repräsentieren, mit der die chemische Reaktion erfolgt. Je größer die chemische Aktivität eines Materials ist, desto schneller kann das Material chemisch reagieren und/oder mittels der chemischen Reaktion verbraucht werden. Die chemische Aktivität kann sich auf einen Referenzreaktanten beziehen, z.B. auf Sauerstoff und/oder ein lonenleiter (z.B. ein Elektrolyt).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Targetmaterial eine größere elektrische Leitfähigkeit aufweisen als das Substrat und/oder als das Opfermaterial. Damit lassen sich beispielsweise elektrisch leitfähige Stege oder Leiterbahnen bilden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das strukturieren der Schicht mittels einer

Subtraktionslithographie erfolgen, z.B. mittels des Bestrahlens.

Das Bestrahlen kann ein ganzflächiges Bestrahlen aufweisen, z.B. des Opfermaterial und des Targetmaterials. Beispielsweise kann das Opfermaterial mit ungefähr derselben Energiedichte bestrahlt sein oder werden wie das Targetmaterial. Alternativ oder zusätzlich kann in das

Opfermaterial ungefähr dieselbe Energiedichte eingetragen sein oder werden wie in das

Targetmaterial.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen Figur 1A und Figur 1 B jeweils eine Feststoffpartikelemission in einem Verfahren gemäß

verschiedenen Ausführungsformen; Figur 2A, Figur 2B und Figur 2C jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 3A, Figur 3B und Figur 3C jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 4A, Figur 4B und Figur 4C jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 5A, Figur 5B und Figur 5C jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 6A und Figur 6B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen

Ausführungsformen; Figur 7A und Figur 7B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen

Ausführungsformen;

Figur 8A und Figur 8B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen

Ausführungsformen;

Figur 9A und Figur 9B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen

Ausführungsformen;

Figur 10A und Figur 10B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 11 A und Figur 11 B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen; Figur 12A, Figur 12B, Figur 12C und Figur 12D jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen; Figur 13A und Figur 13B jeweils eine Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen

Ausführungsformen;

Figur 14A und Figur 14B jeweils einen Energiespeicher gemäß verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 15A und Figur 15B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 16A und Figur 16B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 17A und Figur 17B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen; Figur 18A und Figur 18B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 19 eine Maske zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen; Figur 20A und Figur 20B jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß

verschiedenen Ausführungsformen;

Figur 21 A, Figur 21 B und Figur 21 C jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen; und

Figur 22A, Figur 22B und Figur 22C jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische

Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa„oben",„unten",„vorne",„hinten",„vorderes",„ hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie

"gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung (z.B. ohmsch und/oder elektrisch leitfähig, z.B. einer elektrisch leitfähigen Verbindung), eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung.

Der Begriff "über" in Bezug auf abgeschiedenes Material oder einer Schicht daraus, welches "über" einer Seite oder Fläche gebildet wird, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen verstanden werden, als dass das abgeschiedene Material bzw. die Schicht "direkt auf, z.B. in direktem (z.B. körperlichem) Kontakt mit, der genannten Seite oder Fläche gebildet wird. Der Begriff "über" in Bezug auf ein abgeschiedenes Material bzw. der Schicht, welches "über" einer Seite oder Fläche gebildet wird, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen verstanden werden, als dass das abgeschiedene Material bzw. die Schicht "indirekt auf" der genannten Seite oder Fläche gebildet wird, wobei eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der genannten Seite oder Fläche und dem abgeschiedenen Material angeordnet sind oder werden.

Der Begriff "seitlich" oder "lateral" mit Bezug auf die "seitliche" bzw. "laterale" Ausdehnung einer Struktur (oder eines Substrats, eines Wafer oder eines Trägers) oder "seitlich" bzw. "lateral" angrenzend, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen verwendet werden, um eine

Ausdehnung oder eine Lagebeziehung entlang einer Oberfläche eines Substrats, eines Wafers oder eines Trägers zu bezeichnen. Das bedeutet, dass eine Oberfläche eines Substrats (beispielsweise eine Oberfläche eines Trägers oder einer Oberfläche eines Wafers) als Referenz dienen kann, die allgemein als die Hauptbearbeitungsfläche des Substrats (oder die Hauptbearbeitungsfläche des Trägers oder Wafers) bezeichnet wird. Ferner kann der Begriff "Breite", der im Hinblick auf eine "Breite" einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, hier verwendet werden, um die seitliche (bzw. laterale) Ausdehnung einer Struktur zu bezeichnen.

Ferner kann der Begriff "Höhe", der in Bezug eine Höhe einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, hier verwendet werden, auf die Ausdehnung einer Struktur entlang einer Richtung senkrecht zu der Oberfläche eines Substrats (z.B. senkrecht zu der Hauptbearbeitungsfläche eines Substrats) zu bezeichnen, d.h. eine vertikale Ausdehnung. Der Begriff "Dicke", der im Hinblick auf eine "Dicke" einer Schicht verwendet wird, kann hier verwendet werden, um die räumliche Ausdehnung der Schicht senkrecht zu der Oberfläche des Trägers (des Materials), auf dem die Schicht abgeschieden wird, zu bezeichnen, d.h. eine vertikale Ausdehnung. Wenn die Oberfläche des Trägers parallel zu der Oberfläche des Substrats (beispielsweise zu der

Hauptbearbeitungsfläche) ist, kann die Dicke der auf dem Träger aufgebrachten Schicht gleich der Höhe der Schicht sein. Ferner kann eine "vertikale" Struktur eine Struktur bezeichnen, die sich in einer Richtung senkrecht zu der seitlichen Richtung (z.B. senkrecht zu der

Hauptbearbeitungsoberfläche eines Substrats) erstreckt, und eine "vertikale" Ausdehnung kann eine Ausdehnung entlang einer Richtung senkrecht zu einer lateralen Richtung (beispielsweise eine Ausdehnung senkrecht zu der Hauptbearbeitungsfläche eines Substrats) bezeichnen.

In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht bereitgestellt, welche eine hohe spezifische Oberfläche aufweist. Das gemäß verschiedenen

Ausführungsformen bereitgestellte Verfahren vergrößert eine Wirtschaftlichkeit der Produktion einer damit hergestellten Vorrichtung.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Strukturieren einer dünnen porösen Schicht bereitgestellt. Die Schicht kann eine Dicke (vertikale Ausdehnung) in einem Bereich von ungefähr 1 nm (Nanometer) bis ungefähr 10 μιη (Mikrometer) aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1 μιπ

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde erkannt, dass zur Herstellung eines

Energiespeichers, beispielsweise einer Lithium-Ion-Batterie, beispielsweise eines Feststoff- Energiespeichers, ein großer Bedarf nach wirtschaftlichen durchführbaren Prozessen besteht, um die Aktivmaterialien auf den Stromableiter (z.B. aufweisend eine Aluminiumfolie oder Kupferfolie, z.B. mit einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 4 μιη bis ungefähr 20 μιη) so einzurichten, dass diese besser an den Stromableiter ankoppeln, um so einen Performancegewinn zu erreichen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren bereitgestellt, welches ermöglicht, Oberflächen bzw. Grenzflächen für die Lithium-Interkalation zu erhöhen und/oder den Weg zu verkürzen, den die Elektronen durch die strukturierte Schicht nehmen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen lässt sich das Verfahren zum Strukturieren von Anoden- bzw.

Kathodenmaterialien verwenden. Fig.lA und Fig.l B veranschaulichen jeweils eine Feststoffpartikelemission in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht 100a und einer schematischen Draufsicht 100b. Die Feststoffpartikelemission (auch als Fast Partikel Deposition, kurz„FPD", bezeichnet) kann aufweisen: Positionieren eines zu beschichtenden Substrats 102 in einem Vakuum und in Richtung (entgegen Richtung 105) eines Bereichs 104q (auch als Quellbereich 104q oder Feststoffpartikel- Quellbereich 104q bezeichnet), in dem Feststoffpartikel 104 angeordnet sind, mit denen das Substrat 102 beschichtet werden soll.

Die Feststoffpartikelemission kann ferner aufweisen: Einbringen von Elektronen in die

Feststoffpartikel 104 zur elektrostatischen Aufladung der Feststoffpartikel 104 derart, dass eine durch die elektrostatische Aufladung bewirkte Kraft die Feststoffpartikel 104 voneinander trennt und in Richtung 105 des Substrats 102 beschleunigt zum Beschichten des Substrat 102 mit zumindest einem Teil der voneinander getrennten Feststoffpartikel 104. Die in Richtung 105 des Substrats 102 beschleunigten Feststoffpartikel 104 können einen Partikelstrom 1802 bilden.

Die Feststoffpartikel 104 können als lose Schüttung (auch als Agglomerat bezeichnet) in dem Quellbereich 104q angeordnet sein oder werden.

Beispielsweise können die Feststoffpartikel 104 in einem Parti kelbehälter 106 angeordnet sein oder werden, welcher eine zumindest teilweise elektrisch leitfähige Wandung aufweist. Optional kann das Einbringen der Elektronen in die Feststoffpartikel 104 indirekt über die Behälterwandung erfolgen. Mit anderen Worten kann das Einbringen von Elektronen in die Feststoffpartikel 104 aus der Behälterwandung erfolgen. Damit kann beispielsweise erreicht werden, dass die Elektronen mittels der Behälterwandung (als Pfeile dargestellt) verteilt werden was eine elektrische Stromdichte, welche durch das Einbringen von Elektronen in die Feststoffpartikel 104 bewirkt wird, verringert. Somit kann anschaulich ein lokales Erwärmen der Feststoffpartikel 104 reduziert und/oder verhindert werden, z.B. ein dadurch bewirktes lokales Aufschmelzen oder Zusammensintern.

Im Rahmen dieser Beschreibung können die Feststoffpartikel 104 als Partikel (anschaulich Körner) verstanden werden, welche einen Feststoff aufweisen oder daraus gebildet sind, d.h. in einem festen Aggregatzustand vorliegende Materie (wobei die Materie mehrere Atome und/oder Moleküle aufweisen kann). Die Feststoffpartikel 104 können eine mittlere Ausdehnung (anschaulich

Partikelgröße) größer als 5 nm aufweisen, z.B. größer als 0,1 μιη, z.B. kleiner als 1 mm, z.B. kleiner als 500 μιη, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 500 μιη , z.B. in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 100 μιη, z.B. in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 10 μιη, oder in einem Bereich von ungefähr 0,1 μιη bis ungefähr 1 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 1 μιη bis ungefähr 500 μιη, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10 μιη bis ungefähr 250 μηι. Die Feststoffpartikel 104 können anschaulich ein Granulat oder ein Pulver bilden, welches zumindest in dem Quellbereiche 104q angeordnet sein oder werden kann. Die Ausdehnung der Feststoffpartikel 104 kann deren gemittelte Ausdehnung sein, z.B. über alle Feststoffpartikel 104 gemittelt und/oder für jedes Feststoffpartikel 104 einzeln gemittelt. Die gemittelte Ausdehnung eines einzelnen Feststoffpartikels 104 kann anschaulich einem Durchmesser einer Kugel entsprechen, welche das Volumen des Feststoffpartikels 104 aufweist. Optional kann die Feststoffpartikelemission aufweisen: Abführen von Elektronen aus den

Feststoffpartikeln 104 während des Einbringens von Elektronen in die Feststoffpartikel 104, wobei das Abführen gesteuert oder geregelt erfolgt, z.B. mittels einer Steuerung 108. Damit kann ein elektrisches Potential der Feststoffpartikel 104, welches durch das Einbringen von Elektronen bewirkt wird, gesteuert oder geregelt werden. Anschaulich kann ein Teil der elektrischen Ladung, welche durch das Einbringen von Elektronen in die Feststoffpartikel 104 eingebracht wird mittels des Abführens von Elektronen wieder abgeführt werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Steuerung 108 eine nach vorn gerichtete Steuerstrecke aufweisen und somit anschaulich eine Ablaufsteuerung implementieren, welche eine Eingangsgröße in eine Ausgangsgröße umsetzt. Die Steuerstrecke kann aber auch Teil eines

Regelkreises sein, so dass eine Regelung implementiert wird. Die Regelung weist im Gegensatz zu der reinen Vorwärts-Steuerung eine fortlaufende Einflussnahme der Ausgangsgröße auf die Eingangsgröße auf, welche durch den Regelkreis bewirkt wird (Rückführung). Gemäß

verschiedenen Ausführungsformen kann anstatt der Steuerung eine Regelung verwendet werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Einbringen gesteuert oder geregelt erfolgen, z.B. mittels der Steuerung 108. Damit kann ein elektrisches Potential der Feststoffpartikel 104, welches durch das Einbringen von Elektronen bewirkt wird, gesteuert oder geregelt werden. Optional kann die Feststoffpartikelemission ferner aufweisen: Verdampfen eines

Beschichtungsmaterials (auch als Co-Beschichtung bezeichnet) in Richtung des Substrats 102 zum Beschichten des Substrats 102 mit zumindest einem Teil des Beschichtungsmaterials. Wird eine Co- Beschichtung verwendet, können die Feststoffpartikel 104 das Opfermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein und das Beschichtungsmaterial kann das Targetmaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise können das Beschichten des Substrats 102 mit zumindest dem Teil des

Beschichtungsmaterials und das Beschichten des Substrats 102 mit zumindest dem Teil der voneinander getrennten Feststoffpartikel 104 einander zeitlich und/oder räumlich überlappen.

Alternativ oder zusätzlich kann das Beschichten des Substrats 102 mit zumindest dem Teil des Beschichtungsmaterials nach dem Beschichten des Substrats 102 mit zumindest dem Teil der voneinander getrennten Feststoffpartikel 104 erfolgen.

Alternativ können die Feststoffpartikel 104 das Targetmaterial aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Akkumulator-Aktivmaterial, ein Solarzellen-Aktivmaterial, ein Katalysatormaterial und/oder ein Feststoffelektrolyt aufweisen. Dann kann das Substrat bereits mit dem Opfermaterial beschichtet sein. Beispielsweise kann das Beschichten des Substrats 102 mit dem Opfermaterial mittels einer vorangehenden Feststoffpartikelemission erfolgen, wie nachfolgend genauer beschrieben wird. Alternativ oder zusätzlich kann das Beschichten des Substrats 102 mit dem Opfermaterial mittels einer vorangehenden Flüssigphasendeposition erfolgen (d.h. aus einer Flüssigphase und vor der Feststoffpartikelemission), wie nachfolgend genauer beschrieben wird.

Optional kann die Feststoffpartikelemission ferner aufweisen: Steuern und/oder Regeln (z.B. mittels einer Steuerung 108 bzw. Regelung) eines elektrischen Potentialunterschieds zwischen dem Substrat 102 und den Feststoffpartikeln 104. Werden die Feststoffpartikel 104 in einem Behälter 106 angeordnet, kann das elektrische Potential der Feststoffpartikel 104 dem elektrischen Potential des

Behälters 106 entsprechen. Beispielsweise kann ein elektrisches Potential des Substrats 102 und/oder ein elektrisches Potential der Feststoffpartikel 104 gesteuert und/oder geregelt werden. Beispielsweise kann eine an dem Substrat 102 angelegte elektrische Spannung (d.h. ein elektrischer Potentialunterschied zu einem elektrischen Bezugspotential) gesteuert oder geregelt werden.

Alternativ oder zusätzlich kann eine an den Feststoffpartikeln 104 angelegte elektrische Spannung (d.h. ein elektrischer Potentialunterschied zu einem elektrischen Bezugspotential) gesteuert oder geregelt werden. Das elektrische Bezugspotential kann beispielsweise von einer Vakuumkammer bereitgestellt sein oder werden. Alternativ kann der elektrische Potentialunterschied zwischen Substrat 102 und Feststoffpartikel 104 auch floatend gesteuert oder geregelt werden (d.h.

unabhängig von dem elektrischen Bezugspotential).

Wird eine Maske (vergleiche Fig.6A) verwendet, kann die Feststoffpartikelemission optional aufweisen: Steuern und/oder Regeln (z.B. mittels einer Steuerung 108 bzw. Regelung) eines elektrischen Potentialunterschieds zwischen der Maske und dem Substrat 102 und/oder den Feststoffpartikeln 104. Beispielsweise kann ein elektrisches Potential der Maske gesteuert und/oder geregelt werden. Beispielsweise kann eine an die Maske angelegte elektrische Spannung (d.h. ein elektrischer Potentialunterschied zu einem elektrischen Bezugspotential) gesteuert oder geregelt werden. Alternativ oder zusätzlich kann eine an den Feststoffpartikeln 104 und/oder an dem Substrat 102 angelegte elektrische Spannung (d.h. ein elektrischer Potentialunterschied zu einem

elektrischen Bezugspotential) gesteuert oder geregelt werden. Alternativ kann der elektrische Potentialunterschied zwischen der Maske und dem Substrat 102 und/oder den Feststoffpartikeln 104 auch floatend gesteuert oder geregelt werden (d.h. unabhängig von dem elektrischen

Bezugspotential). Mittels des elektrischen Potentials der Maske kann eine Elektrophorese gesteuert und/oder geregelt werden.

Die Elektrophorese kann den Vorgang der Bewegung (des Strömens) der Feststoffpartikel 104 durch das elektrische Feld bezeichnen.

Optional kann die Feststoffpartikelemission ferner aufweisen: Bewegen des Substrats 102 während dieses mit zumindest dem Teil der voneinander getrennten Feststoffpartikel 104 beschichtet wird. Alternativ oder zusätzlich kann die Feststoffpartikelemission aufweisen: Bewegen der Maske (wenn verwendet) während das Substrat 102 mit zumindest dem Teil der voneinander getrennten

Feststoffpartikel 104 beschichtet wird.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 102 eine Elektrode eines

Akkumulators, eines Kondensators, einer Brennstoffzelle oder eine Solarzelle aufweisen oder daraus gebildet sein.

Beispielsweise kann das Targetmaterial ein Elektrolyt des Akkumulators oder einer Brennstoffzelle aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Elektrolyt kann beispielsweise ein Feststoffelektrolyt aufweisen oder daraus gebildet sein.

Alternativ kann das Substrat 102 beispielsweise ein Separator eines Akkumulators oder einer Brennstoffzelle aufweisen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Vorrichtung 152 zum Emittieren von

Feststoffpartikeln 104 (auch als Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152 bezeichnet) eine Elektronenstrahlkanone 112 und einen Bereich 104q zum Aufnehmen der Feststoffpartikel 104 aufweisen. Das Einbringen der Elektronen kann mittels der Elektronenstrahlkanone 112 erfolgen, mittels derer ein Elektronenstrahl 112e in Richtung der Feststoffpartikel 104 emittiert wird. Ferner kann die Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152 die Steuerung 108 aufweisen, welche das Einbringen der Elektronen (mittels der Elektronenstrahlkanone 112) und/oder das Abführen der

Elektronen steuert. Optional kann die Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152 einen Behälter 106 aufweisen, welcher den Bereich 104q aufweist. Fig.2A, Fig.2B und Fig.2C veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht in 200a, 200c (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102) und einer Draufsicht in 200b (mit Blickrichtung auf die Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 200a, 200b aufweisen:

Beschichten des Substrats 102 mit einer zu strukturierenden Schicht 202.

Die zu strukturierende Schicht 202 kann ein Targetmaterial 202t und ein Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Beschichten kann derart erfolgen, dass das Opfermaterial 202o zeitlich vor dem Targetmaterial 202t und/oder gleichzeitig mit diesem über dem Substrat 102 angeordnet wird.

Das Beschichten kann optional derart erfolgen, dass das Opfermaterial 202o in mehreren voneinander separierten Bereichen 204 der zu strukturierenden Schicht 202 angeordnet ist oder wird. Mit anderen Worten kann die zu strukturierende Schicht 202 mehrere Segmente 204 (auch als Opfersegmente 204 bezeichnet) aufweisen, welche das Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sind.

Einander benachbarte Bereiche der mehreren voneinander separierten Bereiche 204 können einen Abstand 204d voneinander aufweisen. Jeder Bereich der mehreren voneinander separierten Bereiche 204 kann eine Ausdehnung 204b (laterale Ausdehnung 204b) aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Abstand 204d einander benachbarter Bereiche der mehreren voneinander separierten Bereiche 204 größer sein als deren Ausdehnung 204b (entlang einer vertikalen Richtung 101 , 103). Eine laterale Ausdehnung kann verstanden werden, als eine Ausdehnung entlang einer Richtung, welcher entlang einer oder der Hauptprozessierseite 102t, 102b verläuft.

Optional können die mehreren voneinander separierten Bereiche 204 bzw. das Opfermaterial 202o freiliegen. Beispielsweise kann eine Dicke 202p der mehreren voneinander separierten Bereiche 204 bzw. des Opfermaterials 202o gleich oder größer sein zu einer mittleren Dicke 202d der zu strukturierenden Schicht 202 (mittleren Schichtdicke 202d) und/oder des Targetmaterials 202t. Beispielsweise können die mehreren voneinander separierten Bereiche 204 bzw. das Opfermaterial 202o aus der zu strukturierenden Schicht 202 hervorstehen. Eine Dicke kann im Rahmen der vorliegenden Beschreibung als vertikale Ausdehnung, d.h. in Richtung senkrecht zu einer

Oberfläche des Substrats 102 (auf einer Hauptprozessierseite 102t) gemessen, verstanden werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mittlere Dicke 202d der zu strukturierenden Schicht 202 in einem Bereich von ungefähr 10 μιη bis ungefähr 20 μιη liegen, z.B. wenn das Targetmaterial 202t ein Aktivmaterial aufweist. Gemäß verschiedenen anderen Ausführungsformen kann die mittlere Dicke 202d der zu strukturierenden Schicht 202 in einem Bereich von ungefähr 100 μιη bis ungefähr 200 μιη liegen, z.B. wenn das Targetmaterial 202t ein Elektrolyt (z.B. ein Flüssigelektrolyt) aufweist. Gemäß verschiedenen anderen Ausführungsformen kann die mittlere Dicke 202d der zu strukturierenden Schicht 202 in einem Bereich von ungefähr 10 μιη bis ungefähr 200 μιη liegen, z.B. wenn das Targetmaterial 202t ein Metall aufweist (z.B. zum Bilden von elektrisch leitfähigen Stegen oder Leiterbahnen).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Beschichten derart erfolgen, dass zumindest zwischen den mehreren voneinander separierten Bereichen 204 das Targetmaterial 202t angeordnet wird. Beispielsweise kann das Opfermaterial 202o in das Targetmaterial 202t eingebettet sein oder werden, wie nachfolgend noch genauer beschrieben wird.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zu strukturierende Schicht 202 mittels

Feststoffpartikel 104 gebildet sein oder werden. Beispielsweise können die Feststoffpartikel 104 das Targetmaterial 202t aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können die Feststoffpartikel 104 das Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sein.

Zumindest ein Teil der Feststoffpartikel 104 (d.h. einige oder alle) können mittels einer

Feststoffpartikelemission über (entlang der Prozessierrichtung 105) dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich kann zumindest ein Teil der Feststoffpartikel 104 (d.h. einige oder alle) mittels einer Flüssigphase über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden, z.B. aus eine Dispersion und/oder Suspension, wie nachfolgend noch genauer beschrieben wird. Die Feststoffpartikel 104 können beispielsweise Kolloide der Flüssigphase sein.

In 200c kann das Verfahren aufweisen: Entfernen des Opfermaterials 202o aus der zu

strukturierenden Schicht 202, so dass eine strukturierte Schicht 202 gebildet wird, indem die mehreren Bereiche 204 der Schicht 202 geöffnet werden. Optional kann das Verfahren in 200c ferner aufweisen: Beschichten der strukturierten Schicht 202 (nach dem Entfernen des Opfermaterials 202o). Fig.3A, Fig.3B und Fig.3C veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht in 300a, 300c (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102) und einer Draufsicht in 300b (mit Blickrichtung auf die Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 300a, 300b aufweisen:

Beschichten des Substrats 102 mit einer zu strukturierenden Schicht 202, z.B. ähnlich wie vorangehend beschreiben ist.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Beschichten derart erfolgen, dass zwischen den mehreren voneinander separierten Bereichen 204 und über den mehreren voneinander separierten Bereichen 204 das Targetmaterial 202t angeordnet wird. Mit anderen Worten können die mehreren voneinander separierten Bereiche 204 bzw. das Opfermaterial 202o vergraben sein, z.B. mittels des Targetmaterials 202t Targetmaterial 202t teilweise bedeckt. Beispielsweise kann das Opfermaterial 202o in das Targetmaterial 202t eingebettet sein oder werden.

Die Dicke 202p der mehreren voneinander separierten Bereiche 204 bzw. des Opfermaterials 202o kann größer sein als ungefähr 75% der mittleren Dicke 202d der zu strukturierenden Schicht 202 und/oder des Targetmaterials 202t und/oder kleiner als die mittlere Dicke 202d der zu

strukturierenden Schicht 202 und/oder des Targetmaterials 202t. Beispielsweise kann eine Dicke 202d des Targetmaterials 202t, welches über den mehreren voneinander separierten Bereichen 204 bzw. über dem Opfermaterial 202o angeordnet ist, kleiner sein als die Dicke 202p der mehreren voneinander separierten Bereiche 204 bzw. des Opfermaterials 202o.

In 300c kann das Verfahren aufweisen: Entfernen des Opfermaterials 202o aus der zu

strukturierenden Schicht 202, so dass die mehreren Bereiche 204 der Schicht 202 geöffnet werden. Das Entfernen des Opfermaterials 202o kann durch das Targetmaterial 202t hindurch erfolgen. Dazu kann das Opfermaterial 202o beispielsweise in einen gasförmigen Aggregatszustand überführt sein oder werden, wie nachfolgend noch genauer beschrieben wird.

Beim Entfernen des Opfermaterial 202o kann optional ein Teil des Targetmaterials 202t entfernt werden oder zumindest verformt werden. Dies kann die Oberfläche der strukturierten Schicht 202 vergrößern.

Fig.4A, Fig.4B und Fig.4C veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht in 400a, 400c (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102) und einer Draufsicht in 400b (mit Blickrichtung auf die Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 400a, 400b aufweisen:

Beschichten des Substrats 102 mit einer zu strukturierenden Schicht 202, z.B. ähnlich wie vorangehend beschreiben ist.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Beschichten derart erfolgen, dass zwischen den mehreren voneinander separierten Bereichen 204 und optional über den mehreren voneinander separierten Bereichen 204 das Targetmaterial 202t angeordnet wird, wie vorangehend beschrieben ist.

Das Opfermaterial 202o kann eine erste Temperatur (auch als erste Übergangstemperatur bezeichnet) und/oder einen ersten Druck (auch als erster Übergangsdruck bezeichnet) aufweisen, bei dem dieses in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht. Analog kann das Targetmaterial 202t eine zweite Temperatur (auch als zweite Übergangstemperatur bezeichnet) und/oder einen zweiten Druck (auch als zweiter Übergangsdruck bezeichnet) aufweisen, bei dem dieses in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial 202o eine erste

Übergangstemperatur von weniger als ungefähr 500°C aufweisen, z.B. von weniger als ungefähr 400°C, z.B. von weniger als ungefähr 300°C, z.B. von weniger als ungefähr 200°C, z.B. von weniger als ungefähr 100°C.

Im Allgemeinen kann die Übergangstemperatur eine Funktion des äußeren Drucks sein, so dass der Phasenraum eines Materials eine Vielzahl von Temperatur-Druck-Tupel aufweist, bei dem ein Material in den gasförmigen Zustand übergeht (z.B. sublimiert oder siedet), d.h. bei dem der Druck der Übergangsdruck ist und bei dem die Temperatur die Übergangstemperatur ist. Jedes der Temperatur-Druck-Tupel kann durch den Übergangsdruck bzw. die Übergangstemperatur eindeutig charakterisiert sein. Beispielsweise kann bei einer konstanten Temperatur der Druck reduziert werden, wobei beim Überschreiten des Übergangsdrucks das Material in den gasförmigen Zustand übergeht. Alternativ oder zusätzlich kann bei einem konstanten Druck die Temperatur erhöht werden, wobei beim Überschreiten der Übergangstemperatur das Material in den gasförmigen Zustand übergeht. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Übergangstemperatur kleiner sein als die zweite Übergangstemperatur, z.B. kleiner als ungefähr 75% der zweiten Übergangstemperatur, z.B. kleiner als ungefähr 50% der zweiten Übergangstemperatur, z.B. kleiner als ungefähr 25% der zweiten Übergangstemperatur, z.B. kleiner als ungefähr 10% der zweiten Übergangstemperatur, z.B. kleiner als ungefähr 5% der zweiten Übergangstemperatur. Alternativ oder zusätzlich kann der zweite Übergangsdruck kleiner sein als der erste Übergangsdruck, z.B. kleiner als ungefähr 75% des ersten Übergangsdrucks, z.B. kleiner als ungefähr 50% des ersten Übergangsdrucks, z.B. kleiner als ungefähr 25% des ersten Übergangsdrucks, z.B. kleiner als ungefähr 10% des ersten

Übergangsdrucks, z.B. kleiner als ungefähr 5% des ersten Übergangsdrucks. Damit kann das Entfernen des Opfermaterials 202o erleichtert sein oder werden, z.B. wenn dieses in einen gasförmigen Aggregatszustand überführt wird.

In 400c kann das Verfahren aufweisen zum Entfernen des Opfermaterials 202o die zu

strukturierende Schicht 202 zu bestrahlen 402, z.B. gepulst. Das Bestrahlen 402 kann derart erfolgen, dass die zu strukturierende Schicht 202 auf die erste Übergangstemperatur gebracht wird oder darüber. Damit kann ein Überführen 432 des Opfermaterials 202o in den gasförmigen Zustand erfolgen. Beispielsweise kann das Opfermaterial 202o verdampfen oder sublimieren.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das gepulste Bestrahlen 402 von der

Hauptprozessierseite 102t (auch als erste Hauptprozessierseite 102t bezeichnet) erfolgen. Alternativ oder zusätzlich kann das gepulste Bestrahlen 402 von einer der ersten Hauptprozessierseite 102t gegenüberliegenden Hauptprozessierseite 102b (auch als zweite Hauptprozessierseite 102b bezeichnet) erfolgen. Das Bestrahlen der zweiten Hauptprozessierseite 102b kann erfolgen, wenn das Substrat 102 transparent ist und ebenso, wenn das Substrat 102 opak ist. Ein opakes Substrat 102 kann als Strahlungsabsorber dienen, so dass selbst ein transparentes Opfermaterial 202o in den gasförmigen Aggregatszustand überführt werden kann. Ein transparentes Substrat kann zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils benötigt werden, wobei beispielsweise eine Anzeige.

Optional kann das Bestrahlen 402 gepulst erfolgen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bestrahlen 402 unter Verwendung zumindest einer gepulst betriebenen Bestrahlungsquelle erfolgen, z.B. zumindest einer Lichtquelle (z.B.

zumindest eines Laser, zumindest einer Lampe, zumindest einer Blitzlampe oder zumindest einer Leuchtdiode) oder mehrerer Lichtquellen erfolgen, wobei die Schicht mittels der Strahlung gepulst belichtet werden kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bestrahlen 402 unter Verwendung zumindest einer (z.B. gepulst oder kontinuierlich betriebenen) Elektronenstrahlquelle erfolgen, z.B. in Form einer Linienquelle, wobei die Schicht mittels der Strahlung gepulst belichtet werden kann. Die Elektronenstrahlquelle kann beispielsweise eine explizit abgestimmte Energiedichte bereitstellen. Das Bestrahlen mittels der Elektronenstrahlquelle kann beispielsweise unabhängig von den optischen Eigenschaften (z.B. von der Opazität) des Opfermaterials erfolgen bzw. ein geeignetes Bestrahlen (z.B. geeignet Eindringtiefe) unabhängig von den optischen Eigenschaften (z.B. von der Opazität) des Opfermaterials bereitstellen. Beispielsweise kann das gepulste Bestrahlen 402 mit einer Pulsdauer von jeweils bis zu 10 ms erfolgen. Beispielsweise kann die Pulsdauer der gepulsten Strahlung zum Bestrahlen 402 kürzer sein als 1 ms, z.B. kürzer als 0,1 ms oder kürzer als 100 s. Alternativ kann die gepulste Strahlung zum Bestrahlen eine Dauer (Impulsdauer) in einem Bereich von ungefähr 10 s bis ungefähr 10 ms aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 100 s bis ungefähr 1 ms, z.B. in einem Bereich von ungefähr 200 s bis ungefähr 500 s.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Erzeugen der gepulsten Strahlung zum Bestrahlen 402 mit einer Wiederholrate von mehr als 0,1 Hz, z.B. mit mehr als 1 Hz erfolgen.

Beispielsweise kann das Erzeugen der gepulsten Strahlung zum Bestrahlen 402 mit einer Wiederholrate in einem Bereich zwischen ungefähr 10 Hz und ungefähr 0,1 Hz erfolgen.

Alternativ kann das Bestrahlen 402 kontinuierlich erfolgen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bestrahlen 402 unter Verwendung zumindest einer kontinuierlich betriebenen Bestrahlungsquelle erfolgen, z.B. zumindest einer Lichtquelle (z.B. zumindest eines Laser, zumindest einer Lampe, zumindest einer Leuchtdiode) oder mehrerer Lichtquellen erfolgen, wobei die Schicht mittels der Strahlung kontinuierlich belichtet werden kann. Ein kontinuierliches Bestrahlen 402 kann alternativ oder zusätzlich mittels eines Ofens erfolgen. Der Ofen kann eingerichtet sein in einem thermischen Gleichgewicht thermische Strahlung

(Wärmestrahlung zu emittieren). Die thermische Strahlung kann am Ort ihrer Entstehung im thermischen Gleichgewicht mit der Materie sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann alternativ oder zusätzliche zu dem Bestrahlen 402 ein Erwärmen der zu strukturierenden Schicht 202 mittels Induktion erfolgen. Dazu kann beispielsweise ein elektrisch leitfähiges Substrat 102 verwendet werden, in welches ein elektromagnetisches Wechselfeld eingekoppelt wird. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Eigenschaften (z.B. die Wellenlänge oder die kinetische Energie) der Strahlung 402 an die chemische Zusammensetzung und die Eigenschaften (z.B. die Schichtdicke 202d oder die Absorptionseigenschaften) der zu strukturierenden Schicht 202 derart angepasst werden, dass die zu strukturierende Schicht 202 mittels des Bestrahlens 402 erwärmt werden kann und die zu strukturierende Schicht 202 zumindest teilweise strukturell verändert werden kann. Beispielsweise kann die gepulste Strahlung 402 monochromatisch sein oder die spektrale Verteilung gemäß einer Vorgabe (z.B. ein innerhalb eines bestimmten

Frequenzbereichs, bzw. Wellenlängenbereichs, z.B. des sichtbaren Wellenlängenbereichs) mittels einer geeigneten Bestrahlungsquelle eingestellt werden. Optional kann die gepulste Strahlung 402 durch ein transparentes Substrat 102 hindurch geführt werden. Beispielsweise kann die Strahlung 402 eine Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 10 nm (Nanometer) bis ungefähr 10 mm (Millimeter) aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 1 mm.

Optional kann eine Absorptionsschicht zwischen dem Substrat 102 und der zu strukturierenden Schicht 202 angeordnet sein oder werden. Die Absorptionsschicht kann einen größeren

Absorptionskoeffizienten gegenüber dem Bestrahlen 402 aufweisen als das Opfermaterial 202o und/oder als das Substrat 102 (z.B. wenn das Substrat 102 transparent ist). Alternativ oder zusätzlich kann optional eine Absorptionsschicht über der zu strukturierenden Schicht 202 angeordnet sein oder werden. Mittels der einen oder den mehreren Absorptionsschichten kann eine verbesserte Strahlungsabsorption erreicht werden. Wird ein opakes Substrat 102 verwendet, kann auf eine Absorptionsschicht zwischen der zu strukturierenden Schicht 202 und dem Substrat 102 verzichtet werden. Anschaulich kann die Absorptionsschicht anschaulich mittels des opaken Substrats 102 bereitgestellt sein oder werden. Fig.5A, Fig.5B und Fig.5C veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht in 500a, 500c (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102) und einer Draufsicht in 500b (mit Blickrichtung auf die Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 500a, 500b zum Beschichten des Substrats 102 aufweisen, mehrere voneinander separierte Segmente 204 zu bilden, welche das Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sind. Zwischen den mehreren voneinander separierten Segmenten 204 kann das Substrat 102 freiliegen.

Die voneinander separierten Segmente 204 können eine Maske 902 (auch als Opfermaske 902 bezeichnet) bilden, welche einen zusammenhängenden Bereich 502o aufweist, in dem die Maske 902 geöffnet ist. Mit anderen Worten kann die Maske 902 eine zusammenhängende (z.B.

wegzusammenhängende) Öffnung 502o aufweisen, welche das Substrat 102 freilegt. Mit anderen Worten kann das Opfermaterial 202o eine Maske 902 über dem Substrat 102 bilden, wobei die Maske 902 eine zusammenhängende Öffnung 204o aufweist, z.B. durch welche das Targetmaterial 102t hindurch oder zumindest hinein gelangen kann.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 500c aufweisen: Anordnen des Targetmaterials 202t über dem Substrat 102 und über den mehreren voneinander separierten Segmenten 204. Mit anderen Worten können die mehreren voneinander separierten Segmente 204 mit dem Targetmaterial 202t bedeckt sein oder werden.

Fig.6A und Fig.6B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht in 600a (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102) und einer Draufsicht in 600b (mit Blickrichtung auf die Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 600a, 600b aufweisen, eine Maske 502 über dem Substrat 102 anzuordnen, z.B. zwischen dem Substrat 102 und einer Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152. Das Verfahren kann in einem Vakuum durchgeführt werden, d.h. bei einem Druck von weniger als 0,3 bar. Das Vakuum kann mittels einer

Vakuumkammer bereitgestellt sein oder werden, wie nachfolgend noch genauer beschrieben wird.

Die Maske 502 kann mehrere Öffnungen 502o aufweisen, von denen einander benachbarte Öffnungen 502o der mehreren voneinander separierten Öffnungen 502o einen Abstand 504d voneinander aufweisen können. Jede Öffnung der mehreren voneinander separierten Öffnungen

502o kann eine Ausdehnung 512b (laterale Ausdehnung 512b) aufweisen. Optional kann der Abstand 204d einander benachbarter Öffnung der mehreren voneinander separierten Öffnungen 502o kleiner sein als deren Ausdehnung 512b (entlang einer vertikalen Richtung 101 , 103). Fig.7A und Fig.7B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht in 700a, 700b (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 700a, 700b aufweisen: Emittieren von Feststoffpartikeln 104, z.B. mittels der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152, in Richtung des Substrats 102. Zumindest ein Teil der emittierten Feststoffpartikel 104 kann durch die mehreren Öffnungen 502o hindurch gelangen. Die Feststoffpartikel 104 können das Targetmaterial 202t aufweisen oder daraus gebildet sein (auch als Targetmaterial-Feststoffpartikel 104t bezeichnet).

In 700a kann das Verfahren aufweisen, die Maske 502 in einem Abstand 502d von dem Substrat 102 anzuordnen. Die Maske 502 in kann in 700a beispielsweise ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein. Nach dem Beschichten kann die Maske 502 zum Beschichten eines zusätzlichen Substrats 102 wieder verwendet werden (auch als Austauschmaske 502 bezeichnet). Optional kann die Maske 502 zwischen dem Beschichten mehrerer Substrate 102 gereinigt werden. In 700b kann das Verfahren aufweisen die Maske 902 in körperlichen Kontakt mit dem Substrat 102 anzuordnen. Die Maske 902 in kann in 700a beispielsweise das Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sein (auch als Opfermaske 902 bezeichnet). In 700b kann das Targetmaterial 202t eine größere Partikeldichte aufweisen als das Opfermaterial 202o. Alternativ oder zusätzlich kann das Targetmaterial 202t eine größere Porosität aufweisen als das Opfermaterial 202o. Anschaulich kann das mittels der Feststoffpartikel 104 bereitgestellt Targetmaterial 202t porös sein. Wird das Opfermaterial 202o entfernt, kann das poröse Targetmaterial 202t der Schicht 202 zurückbleiben.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die strukturierte Schicht 202 (d.h. wenn das Opfermaterial 202o entfernt wurde) bzw. das Targetmaterial 202t porös sein, d.h. Hohlräume aufweisen. Beispielsweise kann die Schicht 202 bzw. das Targetmaterial 202t ein Netzwerk aus miteinander verbundenen Poren (Hohlräume) aufweisen, so dass diese gasdurchlässig ist.

Beispielsweise kann die Schicht 202 bzw. das Targetmaterial 202t eine Porosität in einem Bereich von ungefähr 10% bis ungefähr 95% aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 25% bis ungefähr 75%, z.B. von größer als ungefähr 40%, z.B. von größer als ungefähr 50%, z.B. von größer als ungefähr 60%, z.B. von größer als ungefähr 70%.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Begriff porös oder Porosität bezogen auf einen Bereich oder einen Körper (z.B. die Schicht 202 oder das Substrat 102) verstanden werden, als dass der Bereich oder der Körper die Matrix und die Hohlräume aufweist. Gemäß verschiedenen

Ausführungsformen kann als Porosität eine dimensionslose Messgröße verstanden werden, welche das Verhältnis von Hohlraumvolumen zu Gesamtvolumen des Bereichs oder des Körpers bezeichnet. Eine Massendichte des Bereichs oder des Körpers kann mit steigender Porosität zunehmen, anschaulich da die Hohlräume berücksichtigt werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Begriff porös oder Porosität bezogen auf ein Material verstanden werden, als dass das Material eine feste Matrix bildet, in denen die Hohlräume angeordnet sind. Mit anderen Worten kann das Material als der Anteil des porösen Bereichs verstanden werden, welcher in einem festen Aggregatszustand vorliegt. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann als Porosität des Materials eine dimensionslose Messgröße verstanden werden, welche das Verhältnis von Hohlraumvolumen zu Gesamtvolumen (Volumen des Materials und Volumen der Hohlräume) bezeichnet, welches die feste Matrix aufspannt.

Fig.8A und Fig.8B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht in 800a, 800b (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 800a aufweisen: Erzeugen und/oder Erhalten eines elektrischen Feldes 802a zwischen dem Substrat 102 und der Maske 502. Das elektrische Feld 802a kann erzeugt und/oder erhalten werden, indem zwischen dem Substrat 102 und der Maske 502 ein elektrischer Potentialunterschied (d.h. eine elektrische Spannung) erzeugt und/oder erhalten wird, beispielsweise mittels der Steuerung 108. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Maske 502 ein elektrisch leifähiges Material aufweisen (z.B. eine

Beschichtung) oder daraus gebildet sein. Dies kann ein gleichmäßigeres elektrisches Feld 802a zur Folge haben.

Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren in 800b aufweisen: Erzeugen und/oder Erhalten eines elektrischen Feldes 802b zwischen der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152 und der Maske

502. Das elektrische Feld 802b kann erzeugt und/oder erhalten werden, indem zwischen der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152 und der Maske 502 ein elektrischer Potentialunterschied (d.h. eine elektrische Spannung) erzeugt und/oder erhalten wird, beispielsweise mittels der Steuerung 108.

Das elektrische Feld 802a, 802b kann es erleichtern, die Feststoffpartikel 104 durch die Öffnungen 502o der Maske hindurch zu leiten. Damit kann eine parasitäre Beschichtung der Maske 502 reduziert oder verhindert werden. Somit muss anschaulich ein Austauschen und Reinigen der Maske 502 seltener erfolgen, was Kosten spart.

Optional kann das zweite elektrische Feld 802b derart eingerichtet sein, dass die Feststoffpartikel 104 in Richtung des Substrats 102 kollimiert werden, z.B. in Richtung der Öffnungen 502o der Maske. Alternativ oder zusätzlich kann das erste elektrische Feld 802b derart eingerichtet sein, dass die Feststoffpartikel 104 in Richtung des Substrats 102 kollimiert werden und/oder bleiben, z.B. aus Richtung der Öffnungen 502o der Maske. Fig.9A und Fig.9B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht in 900a, 900b (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zum Beschichten des Substrats 102 in 900a aufweisen, eine Austauschmaske 502 über dem Substrat 102 anzuordnen, z.B. zwischen dem Substrat 102 und einer Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152. Ferner kann das Verfahren in 900a aufweisen: Emittieren von Feststoffpartikeln 104o mittels der Feststoffpartikel- Emissionsvorrichtung 152 in Richtung des Substrats 102. Zumindest ein Teil der emittierten Feststoffpartikel 104o kann durch mehrere Öffnungen 502o der Austauschmaske 502 hindurch gelangen. Die Feststoffpartikel 104o können das Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sein (auch als Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o bezeichnet).

Mit anderen Worten können mehrere voneinander separierte Segmente 204 gebildet werden, welche Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o aufweisen oder daraus gebildet sind. Zwischen den mehreren voneinander separierten Segmenten 204 kann das Substrat 102 freiliegen.

Mittels der Austauschmaske 502 kann die Opfermaske 902 über dem Substrat 102 gebildet werden, welche mehrere Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o aufweisen oder daraus gebildet sein kann.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zum Beschichten des Substrats 102 in 900b aufweisen: Emittieren von Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o mittels der Feststoffpartikel- Emissionsvorrichtung 152 in Richtung des Substrats 102. Die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o in 900b können anschaulich größer sein als die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o in 900a. Die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o können in 900b voneinander separiert angeordnet sein oder werden, z.B. stochastisch.

Das Emittieren von Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o kann in 900b aufweisen, weniger

Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o in Richtung des Substrats 102 zu emittieren, als zur vollständigen Belegung des Substrats 102 nötig wären. Damit kann eine Partikeldichte von

Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o über dem Substrat 102 (z.B. eine Flächendichte, z.B. bezogen auf die Oberfläche des Substrats 102) kleiner sein als das Reziproke des dreifachen Quadrats des mittleren Partikeldurchmessers 204b der Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o. Das dreifache Quadrat des mittleren Partikeldurchmessers 204b kann anschaulich ungefähr die von einem Feststoffpartikel 104 belegte Fläche repräsentieren (genauer entspricht sie dem Produkt aus Pi und dem Quadrat des mittleren Partikeldurchmessers 204b). Die Partikeldichte von Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o über dem Substrat 102 kann anschaulich als Partialdichte verstanden werden (d.h. als partielle Dichte)- analog des Partialdrucks bei einem Gasgemisch. Beispielsweise kann die Partialdichte von Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o über dem Substrat 102 (z.B. bezogen das Gesamtvolumen) weniger als ungefähr 75% betragen, z.B. weniger als ungefähr 50%, z.B. weniger als ungefähr 25%.

Die Partikeldichte in Bezug auf Feststoffpartikel 104 (auch als Partikelflächendichte bezeichnet) kann verstanden werden, als eine Partikeldichte der Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o oder eine Partikeldichte der Targetmaterial-Feststoffpartikel 104. Die Partikeldichte kann größer werden, je kleiner der mittlere Partikeldurchmesser der Feststoffpartikel 104 ist, d.h. dass diese Feststoffpartikel

104 dann dichter gepackt sind.

Die Partikeldichte in Bezug auf eine Oberfläche, z.B. eines Substrats 102, kann verstanden werden als Flächendichte, d.h. als Verhältnis von Anzahl der Feststoffpartikel 104 zu dem von den

Feststoffpartikeln 104 aufgespannten Anteil der Oberfläche, welche die Feststoffpartikel 104 belegen. Die Partikeldichte in Bezug auf einen Bereich, ein Material oder einen Körper (z.B. eine Schicht) kann verstanden werden als Volumendichte, d.h. als Verhältnis von Anzahl der

Feststoffpartikel 104 zu dem von den Feststoffpartikeln 104 aufgespannten Anteil des Volumens (des Bereichs, des Materials oder des Körpers), welche die Feststoffpartikel 104 belegen.

Beispielsweise kann eine von den Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o belegter Teil der Oberfläche des Substrats 102, z.B. keiner sein als ungefähr 50%, z.B. kleiner als ungefähr 25%, z.B. kleiner als ungefähr 25%. Beispielsweise können mehrere voneinander separierte Segmente 204 gebildet werden, von denen jedes Segment 204 genau ein Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o aufweist oder daraus gebildet ist. Zwischen den mehreren voneinander separierten Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o kann das Substrat 102 freiliegen. Mit anderen Worten kann die Opfermaske 902 mehrere voneinander separierte Opfermaterial-

Feststoffpartikel 104o aufweisen, welche über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden können.

Fig.10A und Fig.10B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht in 1000a, 1000b (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren zum Beschichten des Substrats 102 in 1000a, 1000b aufweisen: Emittieren von Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t, z.B. mittels der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152, in Richtung des Substrats 102, welche mit dem

Opfermaterial 202o beschichtet ist.

In 1000b kann das Targetmaterial 202t eine größere Partikeldichte aufweisen als das Opfermaterial 202o. Alternativ oder zusätzlich können die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t kleiner sein (d.h. eine kleineren mittleren Partikeldurchmesser aufweisen) als die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o. Alternativ oder zusätzlich kann das Targetmaterial 202t eine größere Porosität aufweisen als das Opfermaterial 202o.

Wird das Targetmaterial 202t nach den Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o abgeschieden, kann sich das Targetmaterial 202t auch über den Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o anlagern. Dann können die mehreren voneinander separierten Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o vergraben sein, z.B. mittels des Targetmaterials 202t bedeckt, z.B. mittels der Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t bedeckt. Beispielsweise können die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o in das Targetmaterial 202t eingebettet sein. Die Partikelgröße 202p der mehreren voneinander separierten Opfermaterial- Feststoffpartikel 104o kann größer sein als ungefähr 75% der mittleren Dicke 202d der zu strukturierenden Schicht 202 und/oder des Targetmaterials 202t.

Wird das Targetmaterial 202t gleichzeitig mit dem Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o und/oder aus einer Flüssigphase abgeschieden, kann sich das Targetmaterial 202t vornehmlich neben den Opfermaterial-Feststoffpartikeln 104o anlagern. Dann können die mehreren voneinander separierten Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o aus der zu strukturierenden Schicht 202 hervorstehen.

Beispielsweise kann die Partikelgröße 202p der mehreren voneinander separierten Opfermaterial- Feststoffpartikel 104o gleich oder größer sein zu einer mittleren Dicke 202d der zu strukturierenden Schicht 202 (mittleren Schichtdicke 202d) und/oder des Targetmaterials 202t. Alternativ zu der Feststoffpartikelemission können die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t aus einer Flüssigphase über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden.

Fig.11A und Fig.11 B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht in 1100a, 1100b (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1100a aufweisen, die

Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o gepulst zu bestrahlen 402. Das Bestrahlen 402 kann derart eingerichtet sein, dass die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o auf die Übergangstemperatur gebracht werden oder mehr. Dabei können die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o verdampfen und/oder sublimieren.

Optional kann das gepulste Bestrahlen 402 beidseitig des Substrats erfolgen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1100b aufweisen, das Substrat 102, über dem die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o angeordnet sind, mittels eines gasförmigen und/oder flüssigen Targetmaterials 1102 zu beschichten. In 1100b kann das Targetmaterial 202t mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung 1102, einer chemischen

Gasphasenabscheidung (CVD) 1102, einer Atomlagendeposition (ALD) 1102, Plasmaspritzen 1102 oder einer Flüssigphasendeposition 1102 über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden, z.B. alternativ zu den Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t.

Weiterhin (z.B. anschließend oder gleichzeitig) können die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o entfernt werden, z.B. nach dem Anordnen der Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o wie voranstehend beschrieben ist.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das gleichzeitige Entfernen (z.B. abhängig von Materialkombination und/oder Anwendung), d.h. gleichzeitig zu dem Anordnen der Opfermaterial- Feststoff partikel 104o, bereitgestellt sein oder werden, indem der thermische Wärmeeintrag des zum Anordnen der Targetmaterials 202t verwendeten Beschichtungsprozesses zum Entfernen der Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o verwendet wird. Mit anderen Worten kann mittels des

Anordnens des Targetmaterials 202t thermische Energie in die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o eingetragen werden derart, dass die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o auf die erste

Übergangstemperatur gebracht werden oder darüber. Damit kann ein Überführen 432 der

Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o in den gasförmigen Zustand erfolgen. Beispielsweise kann der Beschichtungsprozess eine Elektronenstrahlbeschichtung oder Plasmaspritzen aufweisen oder daraus gebildet sein. Damit kann auf einen zusätzlichen Schritt zum Entfernen der Opfermaterial- Feststoff partikel 104o verzichtet werden.

Fig.12A, Fig.12B, Fig.12C und Fig.12D veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial 202o in 1200a aus einer Flüssigphase 1602 prozessiert sein oder werden. Beispielsweise kann die Flüssigphase 1602 das Opfermaterial 202o und eine Flüssigkeit aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein flüssiges Lösungsmittel. Beispielsweise kann die Flüssigphase 1602 das Opfermaterial 202o Form eines Precursors oder die Targetmaterial-Feststoffpartikel 104o aufweisen. Alternativ kann die

Flüssigphase 1602 das Opfermaterial 202o flüssig aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. das geschmolzene Opfermaterial 202o. Die Flüssigphase 1602 kann mittels eines Druckprozesses über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden, z.B. mittels eines Flüssigphasen-Verteilers 1202a, z.B. eines Druckkopfes 1202a oder eines Sprühers 1202a.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Targetmaterial 202t in 1200b aus einer Flüssigphase 1602 prozessiert sein oder werden. Die Flüssigphase 1602 kann das Targetmaterial 202t und eine Flüssigkeit aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein flüssiges Lösungsmittel. Beispielsweise kann die Flüssigphase 1602 das Opfermaterial 202o Form eines Precursors oder die Targetmaterial-Feststoffpartikel 104o aufweisen. Alternativ kann die Flüssigphase 1602 das Targetmaterial 202t flüssig aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. das geschmolzene

Targetmaterial 202t. Die Flüssigphase 1602 kann mittels eines Druckprozesses über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden, z.B. mittels eines Flüssigphasen-Verteilers 1202a, z.B. eines Druckkopfes 1202a oder eines Sprühers 1202a.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o in 1200c aus einer Flüssigphase 1602 prozessiert sein oder werden. Die Flüssigphase 1602 kann die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o und eine Flüssigkeit aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein flüssiges Lösungsmittel. Optional kann die Flüssigphase 1602 das Targetmaterial 202t Form eines Precursors oder die Targetmaterial-Feststoffpartikel 104o aufweisen (siehe 1200d). Alternativ kann die Flüssigphase 1602 das Targetmaterial 202t flüssig aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. das geschmolzene Targetmaterial 202t. Die Flüssigphase 1602 kann mittels eines

Druckprozesses über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden, z.B. mittels eines

Flüssigphasen-Verteilers 1202a, z.B. eines Druckkopfes 1202a oder eines Sprühers 1202a.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können in 1200d die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t und die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o aus einer gemeinsamen Flüssigphase 1602 prozessiert sein oder werden. Die Flüssigphase 1602 kann die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o, die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t und eine Flüssigkeit aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein flüssiges Lösungsmittel. Die Flüssigphase 1602 kann mittels eines Druckprozesses über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden, z.B. mittels eines Flüssigphasen-Verteilers 1202a, z.B. eines Druckkopfes 1202a oder eines Sprühers 1202a. In 1200d kann die zu strukturierende Schicht 202 beispielsweise eine größere Partikeldichte an Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t als an Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o aufweisen. Mit anderen Worten kann das Targetmaterial 202t eine größere Partikeldichte aufweisen als das Opfermaterial 202o. Im Allgemeinen kann in 1200a, 1200b, 1200c, 1200d eine geeignete Flüssigphasendeposition 1202a, beispielsweise eine Sprühbeschichtung (auch bezeichnet als Aufsprühen Spray Coating), eine Vorhangbeschichtung (auch bezeichnet als Curtain Coating) und/oder eine Breitschlitzdüsen- Beschichtung (auch bezeichnet als Slot-Die-Coating), z.B. unter Verwendung einer optionalen Austauschmaske 502.

Fig.13A und Fig.13B veranschaulichen jeweils eine Beschichtungsanordnung 1300a, 1300b in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Das Beschichten des Substrats 102 kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem Vakuum erfolgen, z.B. in einer Beschichtungsanordnung 1300a, 1300b.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsanordnung 1300a, 1300b ein Vakuumkammergehäuse 802 aufweisen, in welcher ein Vakuum erzeugt und/oder erhalten werden kann. Das Vakuumkammergehäuse 802 kann dazu beispielsweise luftdicht, staubdicht und/oder vakuumdicht eingerichtet sein oder werden. Das Vakuumkammergehäuse 802 kann eine oder mehrere Vakuumkammern aufweisen. Die oder jede Vakuumkammer kann einen oder mehrere Vakuumbereiche 306b, 308b bereitstellen. Die Vakuumkammern des Vakuumkammergehäuses 802 können optional zumindest teilweise gassepariert voneinander sein.

Ferner kann das Vakuumkammergehäuse 802 mit einem Pumpensystem 804 (aufweisend zumindest eine Hochvakuumpumpe) gekoppelt sein. Das Pumpensystem 804 kann eingerichtet sein, dem Vakuumkammergehäuse 802 ein Gas (z.B. das Prozessgas) zu entziehen, so dass innerhalb des Vakuumkammergehäuses 802 ein Vakuum (d.h. ein Druck kleiner als 0,3 bar) und/oder ein Druck in einem Bereich von ungefähr 1 mbar bis ungefähr 10- ³ mbar (mit anderen Worten Feinvakuum) und/oder ein Druck in einem Bereich von ungefähr 10- ³ mbar bis ungefähr 10- ⁷ mbar (mit anderen Worten Hochvakuum) oder ein Druck von kleiner als Hochvakuum, z.B. kleiner als ungefähr 10- ⁷ mbar (mit anderen Worten Ultrahochvakuum) bereitgestellt sein oder werden kann.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsanordnung 1300a, 1300b eine Gaszuführung 1716 aufweisen. Mittels der Gaszuführung 1716 kann dem Vakuumkammergehäuse 802 ein Prozessgas zugeführt werden zum Bilden einer Prozessatmosphäre in dem

Vakuumkammergehäuse 802. Das Prozessgas kann z.B. ein Inertgas aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann das Prozessgas Stickstoff, Wasserstoff, Argon und/oder Kohlenstoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Prozessdruck kann sich aus einem Gleichgewicht an Prozessgas bilden, welches mittels der Gaszuführung 1716 zugeführt und mittels des Pumpensystems 804 entzogen wird.

Ferner kann das Vakuumkammergehäuse 802 derart eingerichtet sein, dass die

Vakuumbedingungen (die Prozessbedingungen) innerhalb des Vakuumkammergehäuses 802 (z.B. Prozessdruck, Prozesstemperatur, chemische Prozessgaszusammensetzung, usw.) gestellt oder geregelt werden können (z.B. lokal), z.B. während des Beschichtens, z.B. mittels einer Steuerung 108. Beispielsweise kann mittels des Vakuumkammergehäuses 802 zumindest ein Vakuumbereich 306b, 308b, z.B. mehrere Vakuumbereiche 306b, 308b mit voneinander verschiedenen

Vakuumbedingungen, bereitgestellt sein oder werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung 108 zum Steuern und/oder Regeln einer optionalen Substrat-Temperiervorrichtung 1124 (z.B. aufweisend eine Heizvorrichtung und/oder ein Kühlvorrichtung) eingerichtet sein, so dass eine Prozesstemperatur (z.B. des Substrat 102 und/oder des Prozessgases), beispielsweise während des Prozessierens (z.B. während des Beschichtens), gesteuert und/oder geregelt werden kann. Beispielsweise kann die Steuerung 108 eingerichtet sein zum Steuern und/oder Regeln einer elektrischen Leistung, welche der Substrat- Temperiervorrichtung 1124 zugeführt, und/oder einer thermischen Leistung, welche von dieser abgeführt wird. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung 108 zum Steuern und/oder Regeln der Gaszuführung 1716 und/oder des Pumpensystems 804 eingerichtet sein, so dass ein

Prozessdruck und/oder eine Prozessgaszusammensetzung gesteuert und/oder geregelt werden kann. Beispielsweise kann die Steuerung 108 zum Steuern und/oder Regeln eines

Normvolumenstroms an Prozessgas eingerichtet sein, welche mittels der Gaszuführung 1716 zugeführt und/oder mittels des Pumpensystems 804 entzogen wird.

In dem Vakuumkammergehäuse 802 (z.B. in einer erste Vakuumkammer) kann zumindest ein Vakuumbereich 306b, z.B. ein erster Vakuumbereich 306b, angeordnet sein. Ferner kann in dem Vakuumkammergehäuse 802 (z.B. in der ersten Vakuumkammer) eine Feststoffpartikel- Emissionsvorrichtung 152 angeordnet sein zum Emittieren von Feststoffpartikeln 104 (z.B. die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o und/oder die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t) in den ersten Vakuumbereich 306b hinein. Mit anderen Worten kann die Feststoffpartikelemission in einem Vakuum erfolgen. Der erste Vakuumbereich 306b kann ein Beschichtungsbereich 306b sein.

In dem Vakuumkammergehäuse 802 (z.B. in einer zweiten Vakuumkammer oder in der ersten Vakuumkammer) kann zumindest ein zusätzlicher Vakuumbereich 308b, z.B. ein zweiter

Vakuumbereich 308b angeordnet sein. Ferner kann in dem Vakuumkammergehäuse 802 (z.B. in der zweiten Vakuumkammer) eine thermisch-Strukturierungsvorrichtung 308 angeordnet sein zum Strukturieren der zu strukturierenden Beschichtung 202 (auch als zu strukturierenden Schicht 202 bezeichnet) des Substrats 102. Beispielsweise kann die thermisch-Strukturierungsvorrichtung 308 zum Bereitstellen von Strahlung, z.B. von gepulster Strahlung (auch als Strahlungspulse bezeichnet) eingerichtet sein. Der zweite Vakuumbereich 308b kann ein Strukturierungsbereich 308b sein.

Beispielsweise kann die thermisch-Strukturierungsvorrichtung 308 mindestens eine

Bestrahlungsvorrichtung aufweisen, beispielsweise eine Lichtquelle (z.B. ein Laser, eine Lampe, eine Blitzlampe oder eine Röntgenquelle), einen Wärmestrahlungsquelle oder eine Teilchenquelle (z.B. ein Elektronenquelle oder eine Protonenquelle). Die mindestens eine Bestrahlungsvorrichtung kann eine gepulst oder eine kontinuierlich betriebene Bestrahlungsvorrichtung sein. Mit anderen Worten kann mittels der mindestens einen thermisch-Strukturierungsvorrichtung 308 eine gepulste oder eine kontinuierliche Strahlung 402 (z.B. elektromagnetische Strahlung, wie Licht,

Wärmestrahlung und/oder Teilchenstrahlung, wie Elektronenstrahlung und/oder lonenstrahlung) erzeugt werden, beispielsweise ein kontinuierlicher Elektronenstrahl 402 mittels einer

Elektronenstrahlkanone (z.B. mittels einer Linienquelle) oder ein gepulster Lichtblitz 402 mittels einer Blitzlampe (z.B. einer Gasentladungslampe oder einer Leuchtdiode). Die thermisch-Strukturierungsvorrichtung 308 kann beispielsweise eine oder mehrere Blitzlampen aufweisen oder daraus gebildet sein. Die oder jede Blitzlampe kann eine Gasentladungslampe aufweisen, welche gepulst betrieben wird, z.B. mittels der Steuerung 108. Zum gepulsten Betreiben der oder jeder Gasentladungslampe, kann ein Strompuls durch die Gasentladungslampe hindurch entladen werden.

Mittels der thermisch-Strukturierungsvorrichtung 308 kann ein schnelles thermisches Bearbeiten (Tempern) der zu strukturierenden Schicht 202 erfolgen (z.B. schnelle thermische Bearbeitung - RTA, z.B. mittels einer Blitzlampe).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung 108 zum Steuern und/oder Regeln der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152 und/oder der thermisch-Strukturierungsvorrichtung 308 eingerichtet sein, z.B. indem diese eine Materialmenge und/oder thermische Energie (z.B. Strahlungsenergie) steuert und/oder regeln welche pro Zeit in Richtung 105 des Substrats 102 emittiert wird.

Ferner kann die Beschichtungsanordnung 1300a eine Abwickelwalze 502a zum Abwickeln eines Substrat 102 aufweisen, so dass das Substrat 102 in den zumindest einen Vakuumbereich 306b, 308b hineingebracht wird. Ferner kann die Beschichtungsanordnung 1300a eine Aufwickelwalze 502b zum Aufwickeln des Substrat 102 aufweisen, welches aus dem den zumindest einen

Vakuumbereich 306b, 308b herausgebracht wird. Mit anderen Worten kann das Substrat 102 von Rolle-zu-Rolle prozessiert werden.

Ferner kann die Beschichtungsanordnung 1300a eine Vielzahl von Transportrollen 508 aufweisen, welche einen Transportpfad definieren, entlang dessen das Substrat 102 (z.B. ein bandförmiges Substrat) zwischen der Abwickelwalze 502a und der Aufwickelwalze 502b durch den zumindest einen Vakuumbereich 306b, 308b hindurch transportiert wird, z.B. in eine Transportrichtung 102s.

Alternativ dazu kann die Beschichtungsanordnung 1300b eine Vielzahl von Transportrollen 508 aufweisen, welche zum Transportieren eines plattenförmigen Substrat 102 in die Transportrichtung 102s eingerichtet sind. Das plattenförmige Substrat 102 kann, z.B. auf den Transportrollen 508 aufliegend und/oder in einen Substratträger eingelegt, transportiert werden.

Ferner kann die Beschichtungsanordnung 1300a, 1300b ein Antriebssystem 518 aufweisen, welches zumindest mit einem Teil der Vielzahl von Transportrollen 508, und optional mit der Abwickelwalze 502a und der Aufwickelwalze 502b, gekoppelt 518k ist. Beispielsweise kann das Antriebssystem 518 mittels Ketten 518k, Riemen 518k oder Zahnrädern 518k mit den Rollen 508, 502a, 502b gekoppelt sein. Die Transportrollen 508 und das Antriebssystem 518 können Teil der

Positionierungsvorrichtung sein.

Die Steuerung 108 kann zum Steuern 518k und/oder Regeln 518k des Antriebssystems 518 eingerichtet sein, z.B. zum Steuern 518k und/oder Regeln 518k einer Transportgeschwindigkeit und/oder einer Position des Substrats 102 während des Beschichtens und/oder Bestrahlens, z.B. auf Grundlage eines Beschichtungsfortschritts und/oder eines Strukturierungsfortschritts.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsanordnung 1300a, 1300b optional zumindest eine Substratvorbehandlung-Vorrichtung 310 (d.h. eine oder mehrere

Substratvorbehandlung-Vorrichtungen 310) aufweisen zum Vorbehandeln des Substrats 102, z.B. zum chemischen Aktivieren des Substrats 102. Beispielsweise kann die zumindest eine

Substratvorbehandlung-Vorrichtungen 310 eingerichtet sein, das Substrat 102 chemisch zu aktivieren, z.B. dessen Oberfläche chemisch zu aktivieren, das Substrat 102 zu Reinigen und/oder das Substrat 102 zu ätzen.

Beispielsweise kann die zumindest eine Substratvorbehandlung-Vorrichtungen 310 eine

Ätzvorrichtung aufweisen oder daraus gebildet sein zum Ätzen des Substrats 102. Alternativ oder zusätzlich kann die zumindest eine Substratvorbehandlung-Vorrichtung 310 zumindest eine Sputterätzquelle, zumindest eine Plasmaquelle, zumindest eine Glimmvorrichtung und/oder zumindest eine Ätzgasquelle aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise kann das Vorbehandeln des Substrats 102 aufweisen, das Substrat 102 mittels Sputterätzens; lonenätzens und/oder Glimmens zu behandeln.

Optional kann mittels der zumindest einen Substratvorbehandlung-Vorrichtung 310 ein Wasserfilm von dem Substrat 102 entfernt werden. Alternativ oder zusätzlich mittels der Substratvorbehandlung- Vorrichtung 310 eine Anzahl offener chemischer Bindungen des Substrats 102 (auch als chemische Aktivierung bezeichnet) vergrößert werden, was z.B. die Haftung und die Ausbildung der zu strukturierenden Schicht 202 auf dem Substrat 102 verbessern kann.

Alternativ oder zusätzlich kann eine Substratnachbehandlung-Vorrichtung 310 verwendet werden, um das Substrat 102 aufweisend die strukturierte Beschichtung 202 (auch als strukturierte Schicht 202 bezeichnet) nachzubehandeln, z.B. ähnlich zu dem Vorbehandeln. Beispielsweise kann das Substrat 102 aufweisend die geöffnete Schicht 202 selektiv geheizt (z.B. getempert) und/oder geätzt werden.

Optional kann die Maske 502 (wenn verwendet) mittels der Positionierungsvorrichtung gelagert sein oder werden. Die Positionierungsvorrichtung kann beispielsweise eingerichtet sein, die Maske in dem Beschichtungsbereich 306b zu bewegen. Beispielsweise kann die Steuerung 108 eingerichtet sein, die Maske 502 und das Substrat 102 mit einer gleichen Geschwindigkeit und/oder in dieselbe Richtung 102s zu transportieren. Fig.14A veranschaulicht einen Energiespeicher 1400a in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder einer schematischen

Querschnittsansicht (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Der Energiespeicher 1400a kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine erste Elektrode 1012 aufweisen, welche ein erstes chemisches Potential aufweist. Die erste Elektrode 1012 kann ein flächenförmiges Substrat 102 (z.B. aufweisend Kupfer oder daraus gebildet) aufweisen. Das flächenförmige Substrat 102 kann eine Folie und/oder eine Platte aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Folie kann beispielsweise eine Dicke von weniger als ungefähr 100 μιη aufweisen, z.B. von weniger als ungefähr 50 μιπ

Ferner kann die erste Elektrode 1012 ein Aktivmaterial 1012a aufweisen, welches über dem flächenförmigen Substrat 102 angeordnet ist. Das Aktivmaterial 1012a der ersten Elektrode 1012 (auch als erstes Aktivmaterial 1012a bezeichnet) kann das erste chemische Potential der ersten Elektrode 1012 bereitstellen. Das erste Aktivmaterial 1012a kann beispielsweise Lithium-Eisen- Phosphat (LFPO) aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. in einem Lithium-Eisen-Phosphat- Energiespeicher 1400a), Lithium-Mangan-Oxid (LMO) aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. in einem Lithium-Mangan-Oxid-Energiespeicher 1400a) oder Lithium-Titanat (LTO) (z.B. wenn die erste Elektrode 1012 eine Anode ist) aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. in einem Lithium- Titanat-Energiespeicher 1400a), Lithium-Nickel-Kobalt-Mangan-Oxid (LNCM) aufweisen oder daraus gebildet sein, Lithium-Nickel-Kobalt-Aluminium-Oxid (LNCA) aufweisen oder daraus gebildet sein oder Lithium-Cobalt-Oxid (LiCoO) aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. in einem Lithium-Cobalt- Oxid-Energiespeicher 1400a). Für Lithium-Ionen-Energiespeicher 1400a kann das Aktivmaterial 1012a auch als Lithiumverbindung-Aktivmaterial 1012a bezeichnet werden.

Das erste Aktivmaterial 1012a kann optional mittels einer ersten strukturierten Schicht 202 gemäß verschiedenen Ausführungsformen bereitgestellt sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich kann das erste Aktivmaterial 1012a in Form von Feststoffpartikeln 104 bereitgestellt sein oder werden.

Ferner kann der Energiespeicher 1400a eine zweite Elektrode 1022 aufweisen, welche ein zweites chemisches Potential aufweist. Zwischen der ersten Elektrode 1012 und der zweiten Elektrode 1022 kann sich eine elektrische Spannung ausbilden, z.B. wenn der Energiespeicher 1400a geladen ist oder wird, welche ungefähr der Differenz zwischen dem ersten chemischen Potential und dem zweiten chemischen Potential entspricht.

Optional kann der Energiespeicher 1400a mittels einer Verkapselung 1030 verkapselt sein oder werden, welche die ersten Elektrode 1012 und die zweite Elektrode 1022 umgibt. Die zweite Elektrode 1022 und die erste Elektrode 1022 können gemeinsam verkapselt sein oder werden.

Ein Paar aus zweiter Elektrode 1022 und erster Elektrode 1022 kann auch als Energiespeicherzelle bezeichnet werden. Optional kann der Energiespeicher 1400a mehrere Energiespeicherzelle aufweisen.

Das Substrat 102 kann anschaulich einen flächenförmigen Träger 102 für den Stromsammler aufweisen oder daraus gebildet sein, zum Abgreifen der elektrischen Ladungen mittels des Stromsammlers, welche durch einen lonenaustausch zwischen der ersten Elektrode 1012 der ersten Elektrode 1022 und der zweiten Elektrode 1022 erfolgt, z.B. wenn sich der Energiespeicher 1400a entlädt. Die Ionen, welche sich zwischen der ersten Elektrode 1012 und der zweiten Elektrode 1022 bewegen (lonenaustausch), können eine Umwandlung von gespeicherter chemischer Energie (z.B. wenn der Energiespeicher 1400a geladen ist) in elektrische Energie bewirken, wobei die elektrische Energie eine elektrische Spannung an den Kontakten 1012k, 1022k (siehe Fig.5B) bereitstellt.

Die Verkapselung 1030 kann beispielsweise ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein. Optional kann die Verkapselung 1030 eine Metallisierung und/oder einen Kontakts 1012k, 1022k aufweisen.

Fig.14B veranschaulicht eine Energiespeicher 1400b gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Elektrode 1022 analog zu der ersten Elektrode 1012 eingerichtet sein oder werden, wie im Folgenden genauer beschrieben wird. Die zweite Elektrode 1022 kann ein flächenförmiges Substrat 102 (z.B. aufweisend Kupfer oder daraus gebildet) aufweisen, z.B. eine Folie ähnlichen wie die Folie der ersten Elektrode 1012.

Ferner kann die zweite Elektrode 1022 ein zweites Aktivmaterial 1022a aufweisen, welches auf dem flächenförmigen Substrat 102 der zweiten Elektrode 1022 angeordnet wird oder ist, wobei das zweite Aktivmaterial 1022a das zweite chemische Potential der zweiten Elektrode 1022 bereitstellt. Das zweite Aktivmaterial 1022a kann optional mittels einer zweiten strukturierten Schicht 202 gemäß verschiedenen Ausführungsformen bereitgestellt sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich kann das zweite Aktivmaterial 1022a in Form von Feststoffpartikeln 104 bereitgestellt sein oder werden.

Das zweite Aktivmaterial 1022a der zweiten Elektrode 1022 (z.B. die Anode) kann sich von dem ersten Aktivmaterial 1012a der ersten Elektrode 1012 unterscheiden. Das zweite Aktivmaterial 1022a kann beispielsweise Graphit (oder Kohlenstoff in einer anderen Kohlenstoffkonfiguration) aufweisen oder daraus gebildet sein, nanokristallines und/oder amorphes Silizium aufweisen oder daraus gebildet sein, Lithium-Titanat bzw. Lithium-Titan-Oxid (LTO, z.B. TI5O12) aufweisen oder daraus gebildet sein oder Zinndioxid (SnC ) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Ferner kann der Energiespeicher 1100 einen ersten Kontakt 1012k aufweisen, welcher die erste Elektrode 1012 kontaktiert, und z.B. mit der ersten strukturierten Schicht 202 elektrisch leitend verbunden ist. Der erste Kontakt 1012k kann eine freiliegende Oberfläche aufweisen. Ferner kann der Energiespeicher 1100 einen zweiten Kontakt 1022k aufweisen, welcher die zweiten Elektrode 1022 kontaktiert, und z.B. mit einer zweiten strukturierten Schicht 202 elektrisch leitend verbunden ist. Der zweite Kontakt 1022k kann eine freiliegende Oberfläche aufweisen. Zwischen dem ersten Kontakt 1012k und dem zweiten Kontakt 1022k kann sich eine elektrische Spannung ausbilden, z.B. wenn der Energiespeicher 1100 geladen ist, welche ungefähr der Differenz zwischen dem ersten chemischen Potential und dem zweiten chemischen Potential entspricht.

Optional kann der Energiespeicher 1100 einen Separator 1040 aufweisen. Der Separator 1040 kann die erste Elektrode 1012 und die zweite Elektrode 1022, mit anderen Worten die negative und positive Elektrode (d.h. Kathode und Anode) räumlich und elektrisch voneinander trennen. Der Separator 1040 kann jedoch für Ionen, welche sich zwischen der ersten Elektrode 1012 und der zweiten Elektrode 1022 bewegen, durchlässig sein. Die Ionen, welche sich zwischen der ersten Elektrode 1012 und der zweiten Elektrode 1022 bewegen, können eine Umwandlung von gespeicherter chemischer Energie (z.B. wenn der Energiespeicher 1100 geladen ist) in elektrische Energie bewirken, wobei die elektrische Energie eine elektrische Spannung an den Kontakten 1012k, 1022k bereitstellt.

Der Separator 1040 kann einen mikroporösen Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein und/oder der Separator 1040 kann ein Vlies aus Glasfaser oder Polyethylen aufweisen oder daraus gebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Separator 1040 in Form der Feststoffpartikel 104 oder als dichte Feststoffelektrolytschicht bereitgestellt sein oder werden.

Alternativ oder zusätzlich kann der Separator 1040 mittels der strukturierten Schicht 202

bereitgestellt sein oder werden.

Fig.15A und Fig.15B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht in 1500b (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t, 102b des Substrats 102) und einer Draufsicht in 1500a (mit Blickrichtung auf die Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1500a aufweisen die zu strukturierende Schicht 202 in den mehreren Bereichen 204 zu öffnen 204o indem das Opfermaterial 202o entfernt wird. Beispielsweise kann die geöffnete Schicht 202 (auch als strukturierte Schicht 202 bezeichnet) mehrere Öffnungen 204o aufweisen, welche in einem Muster angeordnet sind (z.B. in gleichen Abständen 204d voneinander) und/oder zwischen denen das Targetmaterial 202t angeordnet ist. Das Targetmaterial 202t kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein. Die strukturierte Schicht 202 kann mehrere Stege 202s (z.B. Metallbahnen 202s) aufweisen, welche das Targetmaterial 202t aufweisen oder daraus gebildet sein können. Von den mehreren Stegen 202s kann sich eine erste Gruppe entlang einer ersten Richtung 101 und einer zweite Gruppe entlang einer zweiten Richtung 103 (z.B. quer dazu) erstrecken. Die erste Gruppe und die zweite Gruppe können sich anschaulich überkreuzen. Die mehreren Stege 202s können ein Netz (z.B. ein Metallnetz) bilden.

Der Abstand 204d benachbarter Öffnungen 204o voneinander kann die Stegbreite 204d definieren. Die Ausdehnung 204b der Öffnungen 204o kann größer sein als die der Stege 202s (d.h. als die Stegbreite 204d), z.B. mehr als das zehnfache größer. Beispielsweise kann die Ausdehnung 204b der Öffnungen 204o in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 1 mm liegen. Die

Stegbreite 204d kann weniger sein als ungefähr 100 μιη, z.B. in einem Bereich von ungefähr 1 μιη bis ungefähr 100 μιη liegen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 3 μιη bis ungefähr 10 μιπ

Die mehreren Öffnungen 204o können mehr als 80% der Fläche des Substrats 102 belegen. Damit wird eine möglichst hohe Transparenz der strukturierten Schicht 202 erreicht, z.B. von mehr als ungefähr 80%, z.B. mehr als ungefähr 90%, z.B. mehr als ungefähr 95%. Beispielsweise kann das Strukturieren der Schicht 202 aufweisen, mehr als 80% der zu strukturierenden Schicht 202 zu öffnen, z.B. von mehr als ungefähr 80%, z.B. mehr als ungefähr 90%, z.B. mehr als ungefähr 95%. Alternativ oder zusätzlich kann die strukturierte Schicht 202 eine Dicke aufweisen kleiner als ungefähr 80 nm, z.B. kleiner als ungefähr 40 nm, z.B. kleiner als ungefähr 20 nm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 20 nm. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1500b aufweisen: Bilden eines kapazitiven Flächensensors mittels des Targetmaterials 202t, d.h. mittels der strukturierten Schicht 202 (nach dem Öffnen).

Der kapazitive Flächensensor kann die strukturierte Schicht 202 aufweisend mehrere Stege 202s aufweisen. Die strukturierte Schicht 202 kann auf einem flächenförmigen Substrat 102 aufgebracht sein oder werden. Das flächenförmige Substrat 102 kann beispielsweise eine Polymerfolie aufweisen, welche optional auf einen Glasträger laminiert sein oder werden kann.

Die strukturierte(n) Schicht(en) 202 können jede eine Sensorschicht 202 bereitstellen. Eine an den Ecken der strukturierten Schicht 202 angelegte Wechselspannung kann ein konstantes, gleichmäßiges elektrisches Feld erzeugen. Dringt ein elektrisch leitfähiger Körper in den Nahbereich des elektrisches Felds (d.h. des kapazitiven Flächensensors) ein, z.B. bei Berührung des kapazitiven Flächensensors, kann ein geringer Ladungstransport bewirkt werden, der im Entladezyklus in Form eines Stromes an den Ecken erfasst werden kann. Die resultierenden elektrischen Ströme aus den Ecken können im direkten Verhältnis zu der Position des eindringenden Körpers stehen. Der kapazitive Flächensensor kann einen Controller 1702s (z.B. einen Prozessor) aufweisen, welcher die resultierenden Ströme erfasst und eine Information bereitstellt, welche die Position repräsentiert.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1500b ferner aufweisen: Bilden einer Metallisierung, welche das Targetmaterial 202t elektrisch kontaktiert. Die Metallisierung kann eine oder mehrere elektrische Leitungen aufweisen, welche die Controller 1702s den mehreren Stegen elektrisch leitfähig verbinden, z.B. in zumindest den vier Ecken.

Der kapazitive Flächensensor kann beispielsweise Teil eines berührungssensitiven Eingabegerätes (auch als berührungsempfindliches Eingabegerät bezeichnet) sein oder dieses bilden. Alternativ oder zusätzlich kann der kapazitive Flächensensor als anzeigender Flächensensor ausgebildet sein oder werden. Dann kann der kapazitive Flächensensor eine optionales optoelektronisches Bauelement 1702 aufweisen, z.B. eine Anzeige 1702, z.B. einen Bildschirm. Die Anzeige 1702 kann mehrere Pixel aufweisen, welche mittels eines Grafiktreibers der Anzeige 1702 angesteuert sein oder werden können. Der Grafiktreiber kann beispielsweise in dem Controller 1702s implementiert sein oder werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 102 beidseitig mit einer strukturierten Schicht 202 beschichtet sein oder werden, z.B. von zwei einander gegenüberliegenden Seiten 102t, 102b aus.

Fig.16A und Fig.16B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1600a aufweisen: Bilden einer

Flüssigphase 1602 (z.B. einer Dispersion 1602), welches die Feststoffpartikel 104t, 104o aufweist, z.B. die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o und/oder die Targetmaterial-Feststoffpartikel 104t. Die Flüssigphase 1602 kann verstanden werden, als ein heterogenes Gemisch (Dispersion) aus festen Schwebeteilchen (die Feststoffpartikel 104t, 104o) in einer Flüssigkeit. Die Flüssigkeit kann eine Trägerflüssigkeit sein, in welche die Feststoffpartikel 104t, 104o zugegeben werden. Die Flüssigkeit kann beispielsweise ein organisches Lösungsmittel (z.B. Ethanol und Ethylacetat oder andere Carbonsäureester), Wasser und/oder ein Bindemittel (z.B. ein Harz) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Zum Bilden der Flüssigphase 1602 kann ein Parti kelbehalter 106 verwendet werden, in dem die Feststoffpartikel 104t, 104o angeordnet sein oder werden können, z.B. die Opfermaterial- Feststoffpartikel 104o und/oder die Targetmaterial-Feststoffpartikel 104t. Der Parti kelbehalter 106 kann beispielsweise ein Druckertank sein, z.B. wenn die Flüssigphase 1602 gedruckt wird. Alternativ kann der Parti kelbehalter 106 ein Dosierbehälter sein, z.B. wenn die Flüssigphase 1602 mittels einer Rotationsbeschichtung aufgebracht wird.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine erste Flüssigphase 1602 gebildet werden, welche mehr Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o als Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t aufweist, z.B. nur die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o. Alternativ oder zusätzlich kann eine zweite Flüssigphase 1602 gebildet werden, welche weniger Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o als Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t aufweist, z.B. nur die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1600b aufweisen: Beschichten des Substrats 102 unter Verwendung der Flüssigphase 1602. Das Beschichten des Substrats 102 kann aufweisen die Flüssigphase 1602 über dem Substrat 102 anzuordnen, z.B. mittels eines Flüssigphasen-Verteilers 1202a (vergleiche Fig.12A, Fig.12B, Fig.12C und Fig.12D) oder mittels einer Dosiervorrichtung. Das Bilden der zu strukturierenden Schicht 202 aus der Flüssigphase 1602 kann aufweisen, ein

Lösungsmittel aus der zu strukturierenden Schicht 202 herauszubringen (auch als trocken bezeichnet), so dass die verbleibenden Feststoffpartikel 104t, 104o eine feste Schicht 202 bilden.

Beispielsweise kann die erste Flüssigphase 1602 getrocknet werden, bevor das Substrat 102 mittels der zweiten Flüssigphase 1602 beschichtet wird.

Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 102 mittels einer Flüssigphase 1602 beschichtet werden, welche die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o und die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t aufweist. Im Allgemeinen kann in 1600b eine geeignete Flüssigphasendeposition 1202a, wie beispielsweise eine Sprühbeschichtung, eine Vorhangbeschichtung und/oder eine Breitschlitzdüsen-Beschichtung verwendet werden. Fig.17A und Fig.17B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1700a aufweisen: Co-Abscheiden von Feststoffpartikeln 104t (auch vereinfacht als Partikel bezeichnet) eines ersten Typs (z.B.

Nanopartikel) mit Feststoffpartikeln 104o eines zweiten Typs (z.B. Mikropartikel), d.h. gemeinsam miteinander (zur gleichen Zeit). Die Feststoffpartikel 104t ersten Typs können das Targetmaterial 202t aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Feststoffpartikel 104o zweiten Typs können das Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sein.

Die Feststoffpartikel 104t des ersten Typs (auch als Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t bezeichnet) können eine kleinere mittlere Größe aufweisen als die Feststoffpartikel 104o des zweiten Typs (auch als Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o bezeichnet). Alternativ oder zusätzlich können die Feststoffpartikel 104t des ersten Typs eine größere Partikeldichte in der zu

strukturierenden Schicht 202 aufweisen als die Feststoffpartikel 104o des zweiten Typs.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann anstatt der Feststoffpartikel 104t des ersten Typs das Targetmaterial 202t aus einem Precursor oder einem gasförmigen Material gebildet sein oder werden, z.B. ein Targetmaterial 202t welches wenig oder keine Poren aufweist, d.h. ein anschaulich massives Targetmaterial 202t.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Feststoffpartikel 104t des ersten Typs mittels einer Feststoffpartikelemission abgeschieden werden. Optional kann zu der Feststoffpartikelemission eine physikalische Gasphasenabscheidung (z.B. eine thermische Verdampfung) erfolgen. Mittels der Gasphasenabscheidung kann das Targetmaterial 202t (z.B. wenn dieses massiv sein soll) und/oder ein Haftvermittlungsmaterial abgeschieden werden.

Mittels der physikalischen Gasphasenabscheidung kann ein gasförmiges Beschichtungsmaterial bereitgestellt sein oder werden. Beispielsweise kann die physikalische Gasphasenabscheidung ein thermisches Verdampfen oder Sputtern aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzliche zu der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) kann eine chemische

Gasphasenabscheidung (CVD) oder eine Atomlagendeposition (ALD) verwendet werden. Das Haftvermittlungsmaterial kann beispielsweise eine Haftung der Feststoffpartikel 104t des ersten Typs (d.h. der Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t) untereinander und/oder zu dem Substrat 102 verbessern. Alternativ oder zusätzlich kann das Haftvermittlungsmaterial eine Haftung der

Feststoffpartikel 104o des zweiten Typs (d.h. der Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o) zu dem Substrat 102 und/oder zu den Feststoffpartikel 104t des ersten Typs verbessern.

Alternativ oder zusätzlich zu dem Haftvermittlungsmaterial kann ein elektrisch leitfähiges Material verdampft werden, z.B. ein Metall oder Kohlenstoff. Das elektrisch leitfähige Material kann eine elektrische Leitfähigkeit der zu strukturierenden Schicht 202 verbessern. Beispielsweise kann sich das elektrisch leitfähige Material zu den Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t abgeschieden werden.

Mit anderen Worten kann die zu strukturierende Schicht 202 mittels einer Feststoffpartikelemission (auch als Parti kelemissionsprozess bezeichnet) zuzüglich einer optionalen thermischen

Verdampfung gebildet werden. Beispielsweise lassen sich dadurch mechanische und/oder chemische Festigkeiten, elektrische Leifähigkeiten und/oder lonenleitfähigkeiten erhöhen.

Das Substrat 102 kann beispielsweise eine Folie aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. eine Glasfolie, eine Metallfolie und/oder eine Polymerfolie, z.B. ein Laminat von mehreren Folien, von denen zumindest eine Folie ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein kann und eine andere Folie ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein kann; oder von denen zumindest eine Folie ein Glas aufweisen oder daraus gebildet sein kann und eine andere Folie ein Polymer aufweisen oder daraus gebildet sein kann.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1700b aufweisen: Überführen des Opfermaterials 202o in eine gasförmigen Aggregatszustand. Das Überführen in den gasförmigen Aggregatszustand kann auch als Verflüchtigen bezeichnet sein. Mittels eines Blitzlampen-Erhitzens (engl. Flash Lamp Annealing (FLA)) bzw. einer

Kurzzeittemperung (engl. Rapid Thermal Process (RTP)) kann ein selektives Verflüchtigen

(Verdampfen und/oder Sublimieren) der Feststoffpartikel 104o des zweiten Typs (z.B. Mikropartikel) bewirkt werden. Das Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t können ein Aktivmaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o können eine anorganisches und/oder organisches Material aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. anorganische oder organische Mikropartikel). Im Vergleich zum Aktivmaterial (in Form von kleineren Feststoffpartikeln 104t, z.B. Nanopartikeln) kann das Opfermaterial 202o niedrigschmelzend sein und einen hohen Dampfdruck aufweisen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1700b aufweisen:

explosionsartiges Entfernen eines Teils des Targetmaterials 202t (z.B. ein Aktivmaterial). Dabei können Vakanzen 204o zurückbleiben. Hohe spezifische Oberflächen können die Folge sein.

Darüber hinaus können, abhängig von der eingetragenen Energiedichte beim Bestrahlen auch eine Rekristallisierung und/oder ein zumindest teilweises Schmelzen des Targetmaterials 202t bewirkt werden.

Wird ein Energiespeicher unter Verwendung des Targetmaterials 202t gebildet, können die

Rekristallisierung und/oder das zumindest teilweise Schmelzen beispielsweise den Wirkungsgrad des Energiespeichers erhöhen (z.B. einer Batterie). Als Aktivmaterial für einen Lithium-Ion- Energiespeicher (z.B. eine Lithium-Ion-Batterie) kann eine geeignete chemische Zusammensetzung verwendet werden, z.B. LMC (Lithium-Mangan-Kobalt-Oxid), NMC (Lithium-Nickel-Mangan- Kobaltoxid), LFP (Lithium-Eisen-Phosphat), LiS (Lithium-Schwefel), Silizium oder Siliziumkomposite, Graphit, Lithium, oder LTO (Lithium-Titanat).

Beispielsweise kann das Opfermaterial 202o bzw. können die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o ein Polymer, ein Monomer, PTFE, Kohlenstoff in einer Kohlenstoffmodifikation (z.B. in Form von Graphit), ein Metall (wie beispielsweise Lithium) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Alternativ zur Feststoffpartikelemission der Feststoffpartikel 104o, 104t kann eine

Flüssigphasendeposition zum Beschichten des Substrats 102 verwendet werden, z.B.

Breitschlitzdüsen-Beschichtung, Aufsprühen oder Drucken. Beispielsweise kann das Targetmaterial 202t in Form von Nanopartikeln mittels einer Nanosuspensionslösung und/oder einer

Nanodispersionslösung auf dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich kann das Opfermaterial 202o in Form von Mikropartikeln mittels einer

Mikrosuspensionslösung und/oder Mikrodispersionslösung auf dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 102 ein transparentes Material aufweisen oder daraus gebildet sein oder ein opakes Material aufweisen oder daraus gebildet sein (d.h. ein optisch dichtes Substrat 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 102 Glas, Metall (wie Edelstahl, Aluminium, Kupfer) und/oder ein Polymer (wie beispielsweise Polyethylen und/oder Polyethylenterephthalat) und/oder Glimmer (z.B. aufweisend Schichtsilikat oder daraus gebildet) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Fig.18A und Fig.18B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1800a aufweisen:

Kurzzeittempern 402 der zu strukturierenden Schicht 202. Das Kurzzeittempern 402 kann einseitig (z.B. von der ersten Hauptprozessierseite 102t oder von der zweite Hauptprozessierseite 102b aus) erfolgen. Alternativ kann das Kurzzeittempern 402 kann beidseitig (z.B. von der ersten

Hauptprozessierseite 102t und von der zweite Hauptprozessierseite 102b aus) erfolgen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 1800a aufweisen: Erzeugen eines Partikelstroms 1802 (d.h. eines Stroms 1802 aus Feststoffpartikeln 104). Der Partikelstrom 1802 kann die Opfermaterial-Feststoffpartikel 104o und/oder die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Feststoffpartikel 104 des Partikelstrom 1802 können eine Bewegungsrichtung 105 zu dem Substrat 102 hin (d.h. in Beschichtungsrichtung 105) aufweisen. Der Partikelstrom 1802 kann auf das Substrat 102 gerichtet sein. Zwischen dem Partikelstrom 1802 und dem Substrat kann eine Maske 502 (auch als Schattenmaske 502 oder Austauschmaske 502 bezeichnet) angeordnet sein oder werden. Mit anderen Worten kann der Partikelstrom 1802 auf die Schattenmaske 502 gerichtet sein oder werden. Beispielsweise kann mittels einer Feststoffpartikelemission eine kollektive Partikelemission bewirkt werden, wobei die emittierten Feststoffpartikel 104 in Richtung des Substrats 102 strömen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die emittierten Feststoff partikel 104 eine elektrostatische Aufladung aufweisen, d.h. sich von einem Referenzpotential, z.B. elektrischer Masse, unterscheiden). Beispielsweise können die emittierten Feststoffpartikel 104 eine elektrisch negative Ladung (bezüglich des Referenzpotentials) aufweisen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde erkannt, dass die elektrische Ladung der Feststoffpartikel 104 genutzt werden kann, um deren Bewegung Richtung 105 Substrat 102 zu beeinflussen. Beispielsweise kann die elektrische Ladung der Feststoffpartikel 104 genutzt werden, um die Feststoffpartikel 104 bevorzugt durch die Öffnungen 502o (z.B. Schlitze 502o) der Maske 502 zu leiten (z.B. abzulenken), indem die Maske 502 (z.B. eine elektrisch leitfähige Maske 502) an ein elektrisch negatives Potential angelegt wird. Das elektrische Potential der Maske 502 kann beispielsweise negativer sein als das elektrische Potential der Feststoffpartikel 104.

Fig.19 veranschaulicht eine Maske 502, 902 zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (z.B. quer zu einem Partikelstrom), z.B. die Opfermaske 902 und/oder die Austauschmaske 502.

Die Maske 502, 902 kann mehrere länglich ausgebildete Öffnungen 502o aufweisen. Die Öffnungen 502o können sich entlang einer Richtung 1901 erstrecken.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Richtung 1901 quer zu einer Transportrichtung 102s des Substrats 102 ausgerichtet sein oder werden. Dann können das Substrat 102 und die Maske 502, 902 in einer festen Position (Ausrichtung und/oder Orientierung) relativ zueinander eingerichtet sein. Beispielsweise kann das Substrat 102 (z.B. ein bandförmiges Substrat 102) sequentiell beschichtet werden.

Wird die Austauschmaske 502 ortsfest angeordnet, kann das Substrat 102 in mehreren

nacheinander folgenden Schritten beschichtet werden, wobei in aufeinanderfolgende Schritte jeweils aneinandergrenzende Bereiche des Substrats 102 beschichtet werden. Während des Beschichtens in jedem Schritt kann das Substrat 102 ortsfest angeordnet sein oder werden. Zwischen den aufeinanderfolgenden Schritten kann das Substrat 102 um einen Bereich weiter transportiert werden. Wenn das Substrat 102 bewegt wird, kann das Beschichten gestoppt sein oder werden. Alternativ kann die Austauschmaske 502 genauso groß sein wie das Substrat 102 oder größer. Damit können einzelne (z.B. plattenförmige) Substrat 102 sequentiell beschichtet sein oder werden.

Alternativ kann die Austauschmaske 502 gleich zu dem Substrat 102 bewegt werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Richtung 1901 entlang zu einer

Transportrichtung 102s des Substrats 102 ausgerichtet sein oder werden, z.B. ein bandförmiges Substrat 102 oder ein plattenförmiges Substrat 102. Dann kann das Substrat 102 relativ zu der

Austauschmaske 502 bewegt werden. Anschaulich kann das Substrat 102 kontinuierlich beschichtet werden. Beispielsweise kann das Substrat 102 während des Beschichtens kontinuierlich transportiert sein oder werden. Fig.20A und Fig.20B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder

Querschnittsansicht (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Opfermaterial 202o in 2000a aus einer Flüssigphase 1602 über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden, z.B. in mehreren separierten Segmenten 204, wie z.B. Inseln, Waben oder Stegen. Nachdem das Opfermaterial 202o über dem Substrat 102 angeordnet wurde, kann das Targetmaterial 202t über dem Substrat 102 angeordnet sein oder werden, z.B. über dem Targetmaterial 202t und zwischen den Segmenten 204.

Beispielsweise kann das Opfermaterial 202o mittels eines Druckverfahrens (auch als Additive Lithographie bezeichnet, engl. Printing) angeordnet werden. Beispielsweise kann eine großflächige Mikro- oder Nanostruktur gebildet werden, welche das Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sein kann.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das (z.B. organische oder anorganische)

Opfermaterial 202o wie vorangehend beschrieben eingerichtet sein. Beispielsweise kann das Opfermaterial 202o in einer Wabenstruktur oder einem anderen geometrischen Muster angeordnet sein oder werden. Mit anderen Worten kann eine Mikro- oder Nanostruktur gebildet sein oder werden, welche das zu subtrahierenden (zu verdampfende) Opfermaterial 202o aufweisen oder daraus gebildet sein kann. Nach dem Beschichten der Mikro- oder Nanostruktur mit dem

Targetmaterial 202t und dem Subtrahieren des Opfermaterials 202o, kann der entsprechende Rest des Targetmaterials 202t neben den Segmenten 204 zurückbleiben (auch als

Subtraktionslithographie bezeichnet).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner in 2000b aufweisen:

Überführen des Opfermaterials 202o in einen gasförmigen Zustand, z.B. mittels Bestrahlens 402 der zu strukturierenden Schicht 202. Damit kann ein Öffnen der zu strukturierenden Schicht 202 in den Bereichen 402 erfolgen, in denen das Opfermaterial 202o angeordnet war. Mit anderen Worten kann die zu strukturierende Schicht 202 strukturiert werden, indem Öffnungen 204o in der zu

strukturierenden Schicht 202 gebildet werden. Fig.21, Fig.21 B und Fig.21C veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 2100a aufweisen: Strukturieren einer ersten Schicht 202 (z.B. wie vorangehend beschreiben ist); und Strukturieren einer zweiten Schicht 212 (nach der ersten Schicht 202), wobei die erste Schicht 202 zwischen dem Substrat 102 und der zweiten Schicht 212 angeordnet ist. Die erste Schicht 202 kann ein erstes Targetmaterial 202t aufweisen oder daraus gebildet sein. Die erste Schicht 202 kann strukturiert werden, indem wahlweise eine erste Opfermaske 902 (d.h. ein erstes Opfermaterial 202o) oder indem eine erste Austauschmaske 502 verwendet wird, wie vorangehend beschrieben ist. Die erste Opfermaske 902 (bzw. das erste Opfermaterial 202o) und/oder das erste Targetmaterial 202t können optional in Form von Feststoffpartikeln 104 bereitgestellt sein oder werden.

Die zweite Schicht 202 kann ein zweites Targetmaterial 212t aufweisen oder daraus gebildet sein. Die zweite Schicht 212 kann strukturiert werden, indem wahlweise eine zweite Opfermaske 902 (d.h. ein zweite Opfermaterial 202o), eine zweite Austauschmaske 502 oder die erste Austauschmaske 502 verwendet wird, wie vorangehend beschrieben ist. Die zweite Opfermaske 902 (bzw. das zweite Opfermaterial 212o) und/oder das zweite Targetmaterial 212t können optional in Form von

Feststoffpartikeln 104 bereitgestellt sein oder werden.

Optional kann ein Füllmaterial 2102 (z.B. das zweite Targetmaterial 212t aufweisend oder daraus gebildet) in den Öffnungen 204o der ersten Schicht 202 angeordnet sein oder werden, z.B. in einem optionalen ersten Beschichtungsschritt. Beispielsweise kann das erste Opfermaterial 202o mit dem Füllmaterial 2102 (z.B. dem zweiten Targetmaterial 212t) ersetzt werden. Somit können die

Öffnungen 204o der ersten Schicht 202 mit dem Füllmaterial 2102 (z.B. dem zweiten Targetmaterial 212t) zumindest teilweise (teilweise oder vollständig) gefüllt werden. Alternativ oder zusätzlich zu dem zweiten Targetmaterial 212t kann das Füllmaterial 2102 ein anderes Material aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Metall oder ein Haltmetall. Nachfolgend kann, z.B. in einem optionalen zweiten Beschichtungsschritt, das zweite Targetmaterial 212t über der ersten Schicht 202 angeordnet sein oder werden, z.B. das erste Targetmaterial 202t zumindest teilweise bedeckend.

Wird eine zweite Opfermaske 902 zum Strukturieren der zweiten Schicht 212 verwendet, kann diese nach dem Anordnen des Füllmaterials 2102 gebildet sein oder werden. Wird eine Austauschmaske 502 zum Strukturieren der zweiten Schicht 212 verwendet, kann diese nach dem Anordnen des Füllmaterials 2102 zwischen dem Substrat 102 und der Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung 152 angeordnet sein oder werden.

Wird eine zweite Opfermaske 902 zum Strukturieren der zweiten Schicht 212 verwendet, kann die zweite Opfermaske 902 über dem Füllmaterial 2102 angeordnet sein oder werden, z.B. über dem ersten Targetmaterial 202t. Optional kann die zweite Opfermaske 902 einen Abstand zu dem ersten Targetmaterial 202t aufweisen, z.B. mittels des Füllmaterials 2102 oder mittels des zweiten

Targetmaterials 212t. Mit anderen Worten kann zwischen der zweiten Opfermaske 902 und dem ersten Targetmaterial 202t das Füllmaterial 2102 oder das zweite Targetmaterial 212t angeordnet sein oder werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 2100b aufweisen: Beschichten der zweiten Schicht 212 mit einer dritten Schicht 222. Die dritte Schicht 222 kann optional strukturiert werden, wie vorangehend beschreiben ist, z.B. mittels einer Opfermaske 902 und/oder mittels einer Austauschmaske 502.

Die strukturierte zweite Schicht 212 kann mehrere zweite Öffnungen 214o aufweisen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren in 2100c aufweisen: Bilden eines Schichtstapels, der mehrere (z.B. zwei, drei oder mehr) Schichten aufweist, von denen jede Schicht mittels eines Verfahrens gemäß verschiedenen Ausführungsformen strukturiert wird. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste strukturierte Schicht 202 bzw. deren erstes Targetmaterial 202t eine größere elektrische Leitfähigkeit aufweisen als die zweite strukturierte Schicht 212 und/oder als die dritte strukturierte Schicht 222. Beispielsweise kann eine erste strukturierte Schicht 202 ein elektrisch leitfähiges erstes Targetmaterial 202t aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Metall oder Kohlenstoff in einer Kohlenstoffmodifikation (z.B. Leitruß oder Graphit). Anschaulich kann das erste Targetmaterial 202t ein elektrisch aktives Material aufweisen oder daraus gebildet sein.

Beispielsweise kann eine zweite strukturierte Schicht 212 ein ionenspeicherndes zweites

Targetmaterial 212t aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Aktivmaterial (z.B. ein Kathoden- Aktivmaterial), wie beispielsweise NMC, LCO (Lithium-Kobaltoxid) und/oder LFP. Anschaulich kann das zweite Targetmaterial 212t ein kapazitiv aktives Material aufweisen oder daraus gebildet sein.

Alternativ kann die zweite strukturierte Schicht 212 ein Anoden-Aktivmaterial aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. Silizium aufweisend oder daraus gebildet, z.B. in Form von Siliziumpartikeln 104t.

Alternativ oder zusätzlich kann eine dritte strukturierte Schicht 222 ein ionenleitendes drittes Targetmaterial 222t aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Feststoffelektrolyt wie

beispielsweise LiPON (Lithium-Phosphor-Oxinitrid). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können sich die Targetmaterialien 202t, 212t, 222t voneinander unterscheiden, in zumindest ihrer chemischen Zusammensetzung, ihrer chemischen Reaktivität, ihrer lohnenleitfähigkeit, ihrer elektrischen Leitfähigkeit, ihrer Dicke und/oder ihrer Rauheit.

Alternativ oder zusätzlich zu der dritten strukturierten Schicht 222 kann auch ein Flüssigelelektrolyt verwendet werden, welches optional in die zweite strukturierte Schicht 212 eindringt, wenn diese porös ist.

Das Substrat 102 kann optional eine Elektrode eines Energiespeichers aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. dessen Stromsammler (auch als Stromableiter bezeichnet).

Anschaulich kann die erste strukturierte Schicht 202 das zweite Targetmaterial 222t (z.B. das Aktivmaterial) elektrisch besser mit dem Substrat 102 (z.B. einem Stromableiter) koppeln, als eine herkömmliche glatte Schicht. Fig.22 und Fig.22B veranschaulichen jeweils ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (mit Blickrichtung entlang einer Hauptprozessierseite 102t des Substrats 102).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 102 in 2200a eine Leiterplatte 2112 aufweisen oder daraus gebildet sein. Die zu strukturierende Schicht 202 kann eine Metallisierung aufweisen oder daraus gebildet sein.

Nach dem Strukturieren der Schicht 202 (d.h. wenn die strukturierte Schicht 202 gebildet ist), kann die Schicht 202 mehrere Leiterbahnen 2104 aufweisen. Die mehreren Leiterbahnen 2104 können zumindest zwei Kontaktbereiche 2104a, 2104b, 2104c der Leiterplatte 2112 elektrisch leitfähig miteinander verbinden. Beispielsweise kann der Leiterplatte 2112 eine gedruckte Leiterplatte 2112 aufweisen oder daraus gebildet sein.

Die Leiterplatte 2112 kann ein elektrisch isolierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein, in oder auf dem die elektrisch leitfähigen Verbindungen 2104 (Leiterbahnen 2104) gebildet sein oder werden können. Das elektrisch isolierende Material kann optional einen faserverstärkten Kunststoff oder ein Hartpapier aufweisen. Die mehreren Leiterbahnen 2104 können Kupfer aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. in einem Abstand von 35 μιη oder weniger voneinander. Zumindest ein Kontaktbereich 2104a, 2104b, 2104c der Leiterplatte 2112 kann zum Aufnehmen zumindest eines elektronischen Bauelements eingerichtet sein, z.B. eines Chips. Beispielsweise kann das zumindest eine Bauelement mittels Lötflächen (Kontaktpads) oder mittels Lötaugen auf den zumindest einen Kontaktbereich 2104a, 2104b, 2104c gelötet sein oder werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 102 in 2200b eine Elektrode 2212 eines Kondensators aufweisen oder daraus gebildet sein. Die zu strukturierende Schicht 202 kann eine Funktionalisierung des Substrats 102 bereitstellen. Das Substrat 202 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. Kupfer.

Der Kondensator kann zwei Elektroden 2212, 2222 aufweisen, welche elektrisch voneinander isoliert sind, z.B. mittels eines Dielektrikums 2252. Zumindest eine der zwei Elektroden 2212, 2222 eine gemäß verschiedenen Ausführungsformen strukturierte Schicht 202 aufweisen. Die Schicht 202 kann eine Vielzahl Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Targetmaterial-Feststoffpartikeln 104t können ein Elektrodenmaterial aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. Kohlenstoff in einer Kohlenstoffmodifikation (z.B. Kohle) und/oder Titan.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 102 in 2200c eine Solarzelle 2220 aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. eine Dünnschichtsolarzelle. Die Solarzelle 2220 kann eine Halbleiterschicht (z.B. eine Siliziumschicht) aufweisen, in welcher ein pn-Übergang gebildet ist, z.B. eine lateral verlaufende pn-Grenzfläche. Die Solarzelle 2220 kann zum Umwandeln von

Strahlungsenergie, z.B. Sonnenlicht, in elektrische Energie eingerichtet sein. Die strukturierte Schicht 202 kann eine Kontaktierung der Solarzelle 2220 bereitstellen.

Beispielsweise kann die strukturierte Schicht 202 mehrere Busbars 2202b aufweisen oder daraus gebildet sein. Die strukturierte Schicht 202 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein. Optional kann die strukturierte Schicht 202 mehrere Metallfinger 2202f aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die strukturierte Schicht 202 ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid (auch als TCO bezeichnet) aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. Indium-Zinn-Oxid (ITO), Fluor-Zinn-Oxid

(FTO), Aluminium-Zink-Oxid (AZO) und/oder Antimon-Zinn-Oxid (ATO).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine strukturierte Schicht 202 bereitgestellt sein oder werden, welcher eine hohe spezifische Oberfläche aufweist. Die strukturierte Schicht 202 muss nicht zwangsläufig eine hohe Kantenschärfe aufweisen, so dass die hierin beschriebene

Subtraktionslithographie vereinfacht und kostengünstiger durchgeführt sein oder werden kann. Beispielsweise können aufgrund des explosionsartigen Überführens des Opfermaterials 202o in den gasförmigen Aggregatszustand lokal fraktale Strukturen in dem Targetmaterial 202t erzeugt sein oder werden, welche zurückbleiben, und die Erhöhung der Oberfläche der Schicht 202 weiter begünstigen. Im Folgenden werden verschiedene Beispiele beschrieben, die sich auf vorangehend Beschriebene und in den Figuren Dargestellte beziehen.

Beispiel 1 ist ein Verfahren 200a, 200c zum Bilden einer strukturierten Schicht 202 auf einem Substrat 102, wobei das Verfahren aufweist Beschichten des Substrats 102 mit einer zu strukturierenden Schicht 202, welche ein Targetmaterial 202t und ein Opfermaterial 202o aufweist, wobei bei dem Beschichten das Opfermaterial 202o vor dem Targetmaterial 202t und/oder gleichzeitig mit diesem über dem Substrat 102 angeordnet wird; wobei das Anordnen des

Opfermaterials 202o und/oder des Targetmaterials 202t aufweist, Feststoffpartikel 104 über dem Substrat 102 anzuordnen; und Entfernen des Opfermaterials 202o, so dass mehrere Bereiche 204 der Schicht 202 geöffnet werden.

Beispiel 2 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß Beispiel 1 , wobei das Targetmaterial 202t eine größere Partikeldichte aufweist als das Opfermaterial 202o und/oder als das Substrat 102.

Beispiel 3 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß Beispiel 1 , wobei das Opfermaterial 202o eine größere Partikeldichte aufweist als das Targetmaterial 202t und/oder als das Substrat 102.

Beispiel 4 ist eine Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 3, wobei bei dem Beschichten das Targetmaterial 202t von dem Opfermaterial 202o unbedeckt bleibt.

Beispiel 5 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 4, wobei bei dem

Beschichten das Opfermaterial 202o in mehreren voneinander separierten Bereichen 204 der Schicht 202 angeordnet und zwischen diesen und/oder über diesen das Targetmaterial 202t angeordnet wird.

Beispiel 6 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 5, wobei das Entfernen des Opfermaterials 202o erfolgt, indem dieses zumindest teilweise in einen gasförmigen

Aggregatszustand überführt wird.

Beispiel 7 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 6, wobei das Entfernen des Opfermaterials 202o mittels eines Bestrahlens 402 erfolgt.

Beispiel 8 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 7, wobei die

Feststoff partikel 104 in einem Vakuum über dem Substrat 102 angeordnet werden. Beispiel 9 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiel e 1 bis 8, wobei das Opfermaterial 202o und/oder das Targetmaterial 202t mittels eines Druckprozesses über dem Substrat 102 angeordnet wird. Beispiel 10 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 9, wobei eine Temperatur, bei der das Opfermaterial 202o in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht, kleiner ist als eine Temperatur, bei dem das Targetmaterial 202t in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht.

Beispiel 11 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 10, wobei das Substrat 102 eine Elektrode 1012, 1022, 2212, 2222 eines Energiespeichers aufweist.

Beispiel 12 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 10, wobei das Substrat 102 eine Solarzelle 2220 aufweist. Beispiel 13 ist ein Verfahren 200a, 200c gemäß einem der Beispiele 1 bis 10, wobei das das

Verfahren ferner aufweist: Bilden eines kapazitiven Flächensensors mittels des Targetmaterials 202t.

Beispiel 14 ist ein Verfahren 200a, 200c zum Bilden einer strukturierten Schicht 202, wobei das Verfahren aufweist: Beschichten des Substrats 102 mit einer zu strukturierenden Schicht 202, welche ein Targetmaterial 202t und ein Opfermaterial 202o aufweist, wobei bei dem Beschichten das Opfermaterial 202o vor dem Targetmaterial 202t und/oder gleichzeitig mit diesem über dem Substrat 102 angeordnet wird; wobei das Opfermaterial 202o bei einer kleineren Temperatur und/oder einem größeren Druck als das Targetmaterial 202t in einen gasförmigen Aggregatszustand übergeht; thermisches Überführen des Opfermaterials 202o in den gasförmigen Aggregatszustand, so dass die mehreren Bereiche 204 der Schicht 202 geöffnet werden.

Beispiel 15 ist ein Verfahren 200a, 200c zum Bilden einer strukturierten Schicht 202, wobei das Verfahren aufweist: Anordnen eines Substrats 102 in einer Vakuumkammer; Erzeugen eines Stroms von Feststoffpartikeln 104 aus einem Quellbereich in Richtung des Substrats 102; und Anordnen einer Maske 502, 902 zwischen dem Substrat 102 und dem Quellbereich, wobei die Maske 502, 902 eine oder mehrere Öffnungen aufweist.

Beispiel 16 ist eine Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung zur Beschichtung eines Substrats 102, wobei die Feststoffpartikel-Emissionsvorrichtung aufweist: einen Behälter 106, welcher einen Bereich zum Aufnehmen von Feststoffpartikeln 104 aufweist; eine Positionierungsvorrichtung zum Positionieren eines Substrats 102 mit einer Substratoberfläche des Substrats 102 in Richtung des Bereichs; zumindest eine Elektronenquelle 112 zum Einbringen von Elektronen in die Feststoffpartikel 104; eine Steuerung 108, eingerichtet zum Steuern einer elektrostatischen Aufladung der Feststoffpartikel 104 derart, dass eine durch die elektrostatische Aufladung bewirkte Kraft die Feststoffpartikel 104 voneinander trennt und in Richtung der Substratoberfläche des Substrats 102 beschleunigt zum Beschichten der Substratoberfläche mit zumindest einem Teil der voneinander getrennten Feststoffpartikel 104; und eine Maske 502, welche zwischen der

Positionierungsvorrichtung und dem Behälter 106 angeordnet ist.

Beispiel 17 ist eine Beschichtungsanordnung 1300a, 1300b zur Beschichtung eines Substrats 102, wobei die Beschichtungsanordnung aufweist: eine Vakuumkammer, in der ein Beschichtungsbereich 306b und ein Strukturierungsbereich 308b angeordnet sind; eine Feststoffpartikel- Emissionsvorrichtung zum Emittieren von Feststoffpartikeln 104 in den Beschichtungsbereich 306b; eine Positionierungsvorrichtung 518, 508, 502a, 502b zum Transportieren eines Substrats 102 zwischen dem Beschichtungsbereich 306b und dem Strukturierungsbereich 308b; eine thermisch- Strukturierungsvorrichtung 308 zum Entfernen eines Opfermaterials 202o von dem Substrat 102 in dem Strukturierungsbereich.