Verfahren zum Erkennen fehlerhafter oder fehlerhaft in einen CVD-Reaktor eingesetzte Substrate

Gebiet der Technik

[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erkennen fehlerhafter oder fehlerhaft in einen CVD-Reaktor eingesetzte Substrate mithilfe ein oder mehre- rer optischer Sensoren, die vor oder während eines Behandlungsprozesses der Substrate innerhalb eines CVD-Reaktorgehäuses Eigenschaften der Oberflächen der Substrate erfassen, aus denen Muster gewonnen werden, die zusätzlich mit Vergleichsmustern verglichen werden können, sowie einen CVD-Reaktor mit einer programmierbaren Recheneinrichtung.

Stand der Technik [0002] Die US 2016 / 0125589 Al beschreibt eine V orrichtung und ein Verfah ren zum BesÜmmen einer Fehllage eines Substrates in einem CVD-Reaktor, wo bei an mehreren voneinander verschiedenen Stellen optische Messwerte ge wonnen werden. Die opüschen Messwerte werden als Muster miteinander ver glichen. [0003] Die US 2019/ 0172739 Al beschreibt ein Verfahren, mit dem ein auf ei nem Suszeptor rotierendes Substrat opüsch beobachtet wird, um dessen Lage auf dem Suszeptor zu ermitteln.

[0004] Die US 2015/ 0376782 Al beschreibt einen CVD-Reaktor mit einem Sus zeptor, bei dem Substrate kreisförmig um eine Drehachse des Suszeptors ange- ordnet sind. Um eine Neigungslage des Suszeptors gegenüber einer Drehebene zu ermitteln, werden mit opüschen Sensoren während der Drehung des Sus zeptors Werte eines Abstandes ermittelt. [0005] Die US 2010/ 0216261 Al beschreibt ein Verfahren zum Bestimmen ei ner lateralen Position eines Substrates auf einem Suszeptor.

[0006] Die US 2019/ 0096773 Al beschreibt ein Verfahren, mit dem unter Ver wendung optischer Sensoren eine Fehllage eines Substrates auf einem Suszep- tor in einem CVD-Reaktor erkannt werden kann.

[0007] Aus der US 2019/ 0188840 Al ist ein Verfahren bekannt, bei dem fehler hafte oder fehlerhaft auf einem Suszeptor angeordnete Substrate erkannt wer den können.

[0008] Die DE 102013114412 Al, DE 102018125531 Al, DE 102015100640 Al oder DE 102015100640 Al beschreiben CVD-Reaktoren zum Abscheiden von Halbleiterschichten auf Substraten. Auf einem in einem Reaktorgehäuse angeord neten Suszeptor befinden sich mehrere, dort regelmäßig angeordnete Substrate, die durch Einspeisen von reaktiven Gasen in eine Prozesskammer beschichtet werden. Eine Heizeinrichtung, mit der der Suszeptor beheizt wird, wird mithilfe von Signalen von Sensoren geregelt. Einige dieser Sensoren messen die Tempera tur der Oberfläche der Substrate. Die Vorrichtungen weisen darüber hinaus wei tere optische Sensoren auf, mit denen während des Abscheideprozesses die Schichtdicke der abgeschiedenen Schicht in situ bestimmt werden kann. Dies er folgt insbesondere durch Reflexionsmessungen. [0009] Zum Stand der Technik gehören ferner die US 2016/125589,

EP 2684979 Al, JP 2010258383 A, US 2004/143412 Al, US 2003/218144 Al und DE 69828973 T2. Zusammenfassung der Erfindung

[0010] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das gattungsgemäße Ver fahren zum Erkennen fehlerhafter oder fehlerhaft in einen CVD-Reaktor einge setzte Substrate zu erkennen, und mit einfachen Mitteln durchzuführen.

[0011] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebenen Merkmale. Die Unter ansprüche stellen nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der im Hauptanspruch angegebenen technischen Lösung, sondern auch eigen ständige Lösungen der Aufgabe dar.

[0012] Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass die Ver gleichsmuster, die verwendet werden, um durch Vergleich mit den während ei- nes Abscheideprozesses gewonnenen Mustern fehlerhafte oder fehlerhaft ein gesetzte Substrate zu erkennen, während desselben Abscheideprozesses ge wonnen werden. Das Vergleichsmuster wird aus denselben Mustern gewonnen und insbesondere berechnet, mit denen das Vergleichsmuster verglichen wird. Die Berechnung des Vergleichsmusters erfolgt während des Behandlungspro- zesses.

[0013] Das Vergleichsmuster kann permanent aktualisiert werden. Bei dem Behandlungsprozess handelt es sich bevorzugt um einen Beschichtungsprozess, bei dem durch Einspeisen reaktiver Gase in eine Prozesskammer des CVD- Reaktors Schichten, insbesondere einkristalline Schichten, auf einem Substrat abgeschieden werden. Bei den reaktiven Gasen kann es sich um Hydride der V. Hauptgruppe und metallorganische Verbindungen der III. Hauptgruppe han deln. Es können aber auch reaktive Gase der IV. Hauptgruppe oder der II. und VI. Hauptgruppe verwendet werden. Die reaktiven Gase zerlegen sich pyroly tisch in der Gasphase innerhalb der Prozesskammer oder auf der Oberfläche des Substrates, sodass auf den Substraten Schichten abgeschieden werden. Ein Suszeptor, auf dem die Substrate in regelmäßiger Anordnung, beispielsweise in einer kreisförmigen Anordnung um ein Zentrum liegen, wird mit einer Heiz einrichtung beheizt. Es sind ein oder mehrere Sensoren vorgesehen, mit denen die Temperatur des Suszeptors gemessen werden kann, um mit den von den ein oder mehreren Sensoren gelieferten Messwerten die Temperatur des Sus zeptors zu regeln. Es können ferner Sensoren vorgesehen sein, mit denen gege benenfalls auch nur die Oberflächentemperaturen der Substrate gemessen wer den. Diese Sensoren sind bevorzugt fest mit dem Gehäuse des CVD-Reaktors verbunden. Der Suszeptor kann um eine Drehachse gedreht werden. Bei dieser Drehung wandern die Substrate unterhalb eines Messpunktes der Sensoren, so- dass der Messpunkt auf einer Kreisbogenlinie über den Suszeptor und die auf dem Suszeptor angeordneten Substrate wandert. Bei dieser Messung werden kontinuierlich Messwerte aufgenommen, mit denen einerseits die Temperatur und/ oder die Temperaturverteilung auf der Oberfläche der Substrate ermittelt werden kann, oder andererseits mit denen permanent die Schichtdicke der auf den Substraten abgeschiedenen Schichten gemessen werden kann. Bei den Sen soren kann es sich um ein oder mehrere Pyrometer handeln. Die Pyrometer können im UV-Bereich und/ oder im IR-Bereich sensibel sein. Bei den Messun gen kann es sich um Reflexionsmessungen handeln. Indem der Messpunkt während der Messung über die Substrate wandert, liefern die kontinuierlich aufgenommenen Messwerte eine Messkurve, die zeitlich aufeinanderfolgende Strukturen besitzt, die charakteristische Eigenschaften der Substrate angeben. Diese Strukturen werden bislang dazu verwendet, um die laterale Temperatur verteilung beziehungsweise die Homogenität des Wachstums zu ermitteln. Er findungsgemäß werden diese Strukturen verwendet, um fehlerhafte oder feh lerhaft in den CVD-Reaktor eingesetzte Substrate zu erkennen. Hierzu werden aus den Messwerten Muster gebildet. Dies kann mit den bekannten Methoden der Bilderkennung, der Fourier-Transformation, der Rauschanalyse oder der gleichen erfolgen. Zum Erkennen der Fehler werden die Muster untereinander verglichen. Es ist insbesondere vorgesehen, dass aus den während einer voll ständigen Drehung des Suszeptors aufgenommenen Messwerten und daraus gebildeten Messwerten ein Vergleichsmuster berechnet wird, das mit allen ein zelnen, während derselben Drehung des Suszeptors aufgenommenen Mustern verglichen wird. Mit dem mindestens einen Sensor kann während ein oder mehrerer Drehungen des Suszeptors eine Messkurve aufgenommen werden, die zeitlich hintereinander angeordnete Strukturen aufweist, wobei jede Struk tur während des Wanderns des Messpunktes über eines der Substrate gewon nen wird. Aus diesen jeweils einem individuellen Substrat zuordenbaren Struk turen können Muster berechnet werden. Diese Muster können sich während des Behandlungsprozesses, also insbesondere beim Abscheiden einer Schicht auf die Substrate ändern, indem sie nach jeder oder nach einigen Drehungen des Suszeptors mit den aktuellen Messwerten aktualisiert werden. Es kann vor gesehen sein, dass aus den Mustern untereinander vergleichbare Werte gebildet werden. Diese Werte können Scalare oder Vektoren oder Matrizen sein. Aus den Werten kann ein charakterisüscher Wert oder ein Mittelwert gebildet wer den. Die Werte können die Eigenschaft haben, dass ein numerischer Abstand zwischen den Werten angegeben werden kann. Es kann vorgesehen sein, dass die Werte der einzelnen Muster mit dem charakteristischen Wert verglichen werden und ein Substrat als fehlerhaft angesehen wird, dessen zugeordneter Wert einen über einem Schwellwert hegenden Abstand vom charakteristischen Wert besitzt. Es kann ferner vorgesehen sein, dass ein zweiter Schwellwert defi niert wird und bei einem Überschreiten eines Abstandes dieses zweiten Schwellwertes der Abscheideprozess abgebrochen wird. Es kann ferner vorge sehen sein, dass der mindestens eine Schwellwert durch maschinelles Lernen ermittelt wird. Es kann auch vorgesehen sein, dass die Muster beziehungsweise die daraus gewonnenen Werte nicht mit einem charakterisüschen Wert vergli chen werden, sondern dass die Muster beziehungsweise die daraus gewonne nen Werte untereinander verglichen werden. Es kann ferner vorgesehen sein, dass der Abscheideprozess nicht abgebrochen wird, wenn ein Abstand einen Schwellwert überschreitet, sondern lediglich eine Warnung abgegeben wird.

Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann vorgesehen sein, dass mit zumindest einem Sensor zumindest eine technologische Größe, beispielsweise eine Schichtdicke oder eine Temperatur, an den auf dem sich unter dem zumin dest einen Sensor drehenden Suszeptor aufliegenden Substraten gemessen wird, dass der mindestens eine Sensor Messwerte liefert, die in Form einer Messkurve aufgetragen werden können, wobei die Messkurve jedem der Sub strate zuordenbare Strukturen aufweist, wobei die Strukturen untereinander vergleichbare Muster aufweisen, aus denen untereinander vergleichbare Werte gewonnen werden, wobei zur Ermittlung eines fehlerhaften oder fehlerhaft an geordneten Substrates nur die aus den gleichzeitig aufgenommenen Messwer ten gewonnenen vergleichbaren Werte untereinander oder mit einem aus den gleichzeitig auf genommenen Messwerten gebildeten Mittelwert verglichen werden. Das Verfahren kann sowohl während eines Behandlungsprozesses, bei dem mehrere Substrate gleichzeitig thermisch behandelt werden, als auch vor einem Behandlungsprozess, beispielsweise während einer Aufheizphase durch geführt werden. Es kann vorgesehen sein, dass Messwerte verwendet werden, die während einer Mehrzahl vollständiger Drehungen des Suszeptors aufge nommen worden sind. Die Messstelle wandert während der Drehung des Sus zeptors um seine Drehachse während eines Umlaufs über einen azimutalen Winkel von 360 Grad. Während dieses Umlaufs werden für jedes der Substrate, die auf ihnen zugeordneten azimutalen Winkeln liegen, Messwerte auf genom men. Nach jeder Umdrehung können diese Messwerte aktualisiert werden oder es können Mittelwerte für die Messwerte jedes Substrates gewonnen werden.

[0014] Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen CVD-Reaktor mit einem Suszeptor, der von einer Heizeinrichtung beheizbar ist. Auf dem Suszeptor sind Lagerplätze für Substrate. Durch ein Gaseinlassorgan kann Prozessgas in eine Prozesskammer des CVD-Reaktors eingespeist werden. Es sind Sensoren vorge- sehen, mit denen optische Eigenschaften der Substrate gemessen werden kön nen. Dem CVD-Reaktor ist darüber hinaus eine elektronische Recheneinrich tung zugeordnet, die so programmiert ist, dass fehlerhafte oder fehlerhaft in den CVD-Reaktor eingesetzte Substrate erkannt werden. Das Verfahren ent- spricht dem zuvor beschriebenen Verfahren.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

[0015] Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand bei gefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 schematisch den Querschnitt eines CVD-Reaktors zur Durch führung des Verfahrens,

Fig. 2 den Schnitt gemäß der Linie II-II (eine Draufsicht auf den Sus zeptor 2), wobei der Suszeptor 7 Lagerplätze für jeweils ein Substrat 3 aufweist,

Fig. 3 schematisch den Verlauf eines Signales S, welches von einem Sensor 6 während einer Umdrehung des Suszeptors 2 aufge- nommen wird, wobei hier ein Suszeptor verwendet wird, der fünf um eine Drehachse A angeordnete Auflageplätze für Sub strate 3 besitzt. Die horizontale Achse, die mit t bezeichnet ist, repräsentiert entweder die Zeit oder den azimutalen Winkel der Messstelle auf dem Suszeptor.

Beschreibung der Ausführungsformen [0016] Die Figur 1 zeigt einen CVD-Reaktor mit einem Reaktorgehäuse 1, wel ches gasdicht ist. Innerhalb des Reaktorgehäuses befindet sich zwischen einer Prozesskammerdecke 4 und einem Suszeptor 2 eine Prozesskammer, in die durch ein Gaseinlassorgan 8 reaktive Gase eingespeist werden. Der Suszeptor 2 wird von unten mit einer Heizeinrichtung 9 beheizt. Auf dem Suszeptor 2 lie gen mehrere Substrate 3. Die Substrate 3 liegen beim Ausführungsbeispiel je weils in einer Tasche 12. Die Tasche 12 wird von einem Substrathalter 13 ausge bildet, der in einer Vertiefung 14 des Suszeptors 2 liegt. Der Substrathalter 13 kann auf einem Gaspolster schweben, das den Substrathalter 13 in eine Drehbe wegung um seine Achse versetzt. Durch eine Durchtrittsöffnung 5 innerhalb der Prozesskammerdecke 4 verläuft ein Strahlengang 7 eines optischen Sen sors 6, der fest mit dem Gehäuse 1 verbunden ist. Der Strahlengang 7 trifft auf eine Messstelle 10 auf dem Substrat 3. Mit dem Sensor 6 kann die Temperatur des Substrates 3 gemessen werden. Es ist aber auch möglich, dass mit dem Sen sor 6 oder einem weiteren Sensor eine andere optische Eigenschaft, beispiels weise die Reflektanz, des Substrates 3 gemessen werden kann, um während des Abscheideprozesses laufend die Schichtdicke der auf den Substraten 3 abge schiedenen Schichten zu messen.

[0017] Während des Beschichtungsverfahrens dreht sich der Suszeptor 2 um die Drehachse A, sodass die Messstelle 10 auf einer kreisförmigen Bahn 11 über kreisförmig um die Drehachse A angeordnete Substrate 3 wandert. Die kreisför mige Bahn 11 kann durch den Mittelpunkt des Substrates 3 beziehungsweise den Mittelpunkt der Tasche 12 oder des Substrathalters 13 verlaufen.

[0018] Bei anderen, nicht dargestellten Ausführungsbeispielen können die Substrate 3 in einer hexagonal dichtesten Anordnung oder anderweitig über die gesamte Fläche des Suszeptors 2 verteilt angeordnet sein. Das Gaseinlassor gan 8 kann bei diesen Ausführungsbeispielen die Form eines Showerheads auf weisen. Es sind geeignete Mittel vorgesehen, mit denen eine Messstelle 10 eines optischen Sensors über die Substrate 3 wandert, beispielsweise kann der Strah lengang über Umlenkelemente entsprechend gesteuert werden. [0019] Zumindest einer der ein oder mehreren optischen Sensoren 6 kann dazu verwendet werden, um die Heizeinrichtung 9 oder andere Stellglieder des CVD-Reaktors zu regeln.

[0020] Während einer Umdrehung des Suszeptors 2 liefert der mindestens eine Sensor 6 ein Signal, das etwa die in der Figur 3 dargestellte Form haben kann. Anders als in der Figur 2 dargestellt, entstammt dieses Signal von einer Vorrichtung bei der auf dem Suszeptor 2 fünf Substrate 3 in einer gleichmäßi gen Anordnung um die Drehachse A angeordnet sind. Während der Mess punkt 10 über ein Substrat 3 wandert, bildet sich ein charakteristischer Mess- kurvenabschnitt, der ein gewisses Muster a, b, c, d, e aufweist. Haben alle Sub strate 3 eine im Wesentlichen gleiche Qualität und sind ordnungsgemäß auf dem Suszeptor 2 angeordnet, beispielsweise liegen korrekt in Taschen 12, die in die Oberseite des Suszeptors 2 eingearbeitet sind, um die Substrate 3 aufzuneh men, so sind die Muster a, b, c, d, e im Wesentlichen gleich oder ähnlich. In der Figur 3 handelt es sich dabei um die Muster a, b, c und e.

[0021] Der das Muster d bildende Kurvenabschnitt unterscheidet sich von den anderen Mustern. Durch einen Vergleich der Muster a, b, c, d, e untereinander wird erfindungsgemäß das Muster d als abweichend angesehen. Das Muster d kann somit zu einem Substrat 3 korrespondieren, das fehlerhaft ist oder fehler- haft in die Tasche 12 eingesetzt ist.

[0022] Zur Ermittlung des fehlerhaften oder fehlerhaft eingesetzten Substra tes 3 können jedem der Muster a, b, c, d, e Werte La, Lb, Lc, Ld, Le zugeordnet werden. Diese Werte können durch eine Fourier- Analyse, eine Bilderkennung, eine Rauschanalyse oder dergleichen ermittelt werden. Es kann vorgesehen sein, dass aus den Werten ein Mittelwert Lm gebildet wird.

Lm = (La +Lb + Lc + Ld + Le) / 5 Mit diesem Mittelwert können alle Werte verglichen werden.

Aa La - Lm

Ab Lb - Lm

Ac Lc - Lm

Ad Ld - Lm

Ae Le - Lm

Überschreitet ein Abstand Aa, Ab, Ac, Ad, Ae zwischen einem der Werte La, Lb, Lc, Ld, Le und dem Mittelwert Lm einen Schwellwert Ls, so kann eine War nung ausgegeben werden, dass eines der Substrate 3 fehlerhaft oder fehlerhaft eingesetzt ist. Die Überschreitung des Schwellwertes kann aber auch dazu füh ren, dass ein Beschichtungsprozess abgebrochen wird.

[0023] Erfindungsgemäß können nicht nur Sensorsignale S, die von einem Py rometer zur Messung der Temperatur der Oberfläche des Substrates gewonnen werden, verwendet werden. Es ist auch möglich, Sensorsignale S zu verwen- den, die von anderen optischen Sensoren, beispielsweise Sensoren, mit denen die Schichtdicke der auf den Substraten 3 abgeschiedenen Schichten gemessen werden, kommen.

[0024] Die Schwellwerte können sich dynamisch ändern. Zur Ermittlung der Schwellwerte kann insbesondere die Methode des maschinellen Lernens ver- wendet werden. Es kann vorgesehen sein, dass die von den Sensoren aufge nommenen Messwerte, beispielsweise Spektren, in einer Datenbank abgespei chert werden und aus solchen historischen Daten die Schwellwerte ermittelt werden. [0025] Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lässt sich ermitteln, ob Sub strate 3 gebrochen sind oder ob Substrate 3 nicht ordnungsgemäß in den ihnen zugeordneten Taschen 12 einliegen oder ob Substrathalter 13, die auf Gaspols tern gelagert sind und die ein oder mehreren Substrate 3 tragen, sich nicht ord- nungsgemäß auf den Gaspolstern drehen.

[0026] Die Figur 3 ist auch so zu verstehen, dass t einen azimutalen Winkel an gibt und die Figur 3 die Messkurve einer vollständigen Drehung des Suszeptors wiedergibt. Aus mehreren derartigen, hintereinander aufgenommenen Mess kurven können für jedes Substrat 3 individualisierte und/ oder gemittelte Mus- ter a, b, c, d, e ermittelt werden oder aus mehreren, zeitlich hintereinander er mittelten Mustern a, b, c, d, e charakteristische Werte La, Lb, Lc, Ld, Le gebildet werden, die jeweils aus einer Mehrzahl von jeweils einem Substrat individuell zugeordneten Mustern berechnet werden.

[0027] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän dig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinatio nen auch kombiniert sein können, nämlich:

[0028] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Vergleichs- muster aus den während desselben Behandlungsprozesses gewonnenen Mus tern a, b, c, d, e gebildet werden.

[0029] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass mehrere gleichar tige Substrate 3 in einer regelmäßigen Anordnung auf einem Suszeptor 2 ange ordnet sind. [0030] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Substrate 3 auf zumindest einem Kreisbogen um eine Drehachse A des Suszeptors 3 angeord net sind und der zumindest eine optische Sensor 6 derart ortsfest dem Reaktor gehäuse 1 zugeordnet ist, dass ein Messpunkt 10 als Folge einer Relativdrehung des Suszeptors 2 gegenüber dem Reaktorgehäuse 1 auf einer kreisförmigen Bahn 11 über die Substrate 3 wandert.

[0031] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Muster a, b, c, d, e aus den während des Wanderns des Messpunktes 10 über die Oberfläche des Substrates 3 gewonnenen Messwerten gewonnen werden und aus den bei zumindest einer vollständigen oder aus mehreren vollständigen Drehung des Suszeptors 3 gewonnenen Muster a, b, c, d, e jeweils ein zugeordneter Wert La, Lb, Lc, Ld, Le gebildet wird, wobei die zugeordneten Werte untereinander ver gleichbar sind, und zur Erkennung eines Fehlers die so gebildeten Werte La, Lb, Lc, Ld, Le untereinander verglichen werden. [0032] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Muster a, b, c, d, e aus Reflexionswerten oder Temperaturmesswerten gewonnen werden.

[0033] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Muster a, b, c, d, e durch Aufbereitung der von dem mindestens einen Sensor 6 gelieferten Signale berechnet werden, wobei bei der Berechnung Methoden der Bilderken- nung, der Fourier-Transformation, der Rauschanalyse oder dergleichen ver wendet werden.

[0034] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass aus den zugeord neten Werten La, Lb, Lc, Ld, Le ein charakteristischer Wert oder Mittelwert Lm gebildet wird, mit dem alle Werte La, Lb, Lc, Ld, Le verglichen werden und ein Fehler festgestellt wird, wenn ein Abstand eines der Werte La, Lb, Lc, Ld, Le zum charakteristischen Wert oder Mittelwert Lm oberhalb eines Schwellwer tes Ls liegt.

[0035] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Muster a, b, c, d, e aus Messwerten gewonnen werden, die zur Steuerung des CVD-Reaktors und/ oder zur Steuerung eine Heizeinrichtung 9 zur Beheizung des Suszep- tors 2 gewonnen werden.

[0036] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass mit dem zumin dest einen Sensor 6 zumindest eine technologische Größe, beispielsweise eine Schichtdicke oder eine Temperatur an den auf dem sich unter dem zumindest einen Sensor 6 drehenden Suszeptor 2 aufliegenden Substraten 3 gemessen wird, wobei der zumindest eine Sensor 6 Messwerte liefert, die in Form einer Messkurve aufgetragen werden können, wobei die Messkurve jedem Substrat 3 zuordenbare Strukturen mit untereinander vergleichbaren Mustern aufweist, wobei aus den Mustern untereinander vergleichbare Werte La, Lb, Lc, Ld, Le gewonnen werden, die mit einem aus den gleichzeitig aufgenommenen Mess werten gebildeten Mittelwert verglichen werden.

[0037] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass aus durch mehrfa ches Überwandern des Messpunktes 10 über die mehreren Substrate 3 aus den mehreren, jedem Substrat 3 individuell zugeordneten Mustern a, b, c, d, e je- weils ein einem Substrat 3 zugeordneter Wert La, Lb, Lc, Ld, Le gebildet wird, und die Werte La, Lb, Lc, Ld, Le untereinander verglichen werden.

[0038] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination un tereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritäts- unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An meldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe- sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfin dung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehen- den Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.

Liste der Bezugszeichen

1 Reaktorgehäuse A Drehachse

2 Suszeptor S Sensorsignal

3 Substrat

4 Prozesskammerdecke

5 Durchtrittsöffnung a Muster

6 optischer Sensor b Muster

7 Strahlengang c Muster

8 Gaseinlassorgan d Muster

9 Heizeinrichtung _e Muster

10 Messstelle t Zeit

11 kreisförmige Bahn

12 Tasche

13 Substrathalter La Wert

14 Vertiefung Lb Wert

Lc Wert

Ld Wert

Le Wert

Lm Mittelwert

Ls Schwellwert