Beschreibung

Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips, optoelektronischer Halbleiterchip sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement

Die Druckschrift US 2003/0197170 AI beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips sowie einen optoelektronischen Halbleiterchip.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen

Halbleiterchips mit einer erhöhten Lichtausbeute anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, einen

optoelektronischen Halbleiterchip mit einer erhöhten

Lichtausbeute sowie ein optoelektronisches

Halbleiterbauelement mit einem solchen optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben. Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. Der

optoelektronische Halbleiterchip ist zur Emission und/oder zur Detektion von Licht vorgesehen. Bei dem

optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip und/oder um einen Fotodiodenchip handeln .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein Schichtenverbund bereitgestellt. Der

Schichtenverbund umfasst eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht, einer Bodenfläche und einer der

Bodenfläche abgewandte Deckfläche. Die aktive Schicht ist zur Erzeugung und/oder zur Detektion von Licht eingerichtet. Die Halbleiterschichtenfolge kann eine erste

Halbleiterschicht und eine zweite Halbleiterschicht

aufweisen, zwischen denen die aktive Schicht angeordnet sein kann. Bei der ersten Halbleiterschicht kann es sich

beispielsweise um eine n-leitende Halbleiterschicht und bei der zweiten Halbleiterschicht um eine p-leitende

Halbleiterschicht handeln. Beispielsweise weist die zweite Halbleiterschicht an einer der aktiven Schicht abgewandten Seite die Bodenfläche auf. Die erste Halbleiterschicht weist dann an einer der Bodenfläche und der aktiven Schicht

abgewandten Seite die Deckfläche auf.

Die Halbleiterschichtenfolge weist eine

Haupterstreckungsebene auf, in der sie sich in lateralen Richtungen erstreckt. Eine Hauptebene der

Halbleiterschichtenfolge bildet die Bodenfläche der

Halbleiterschichtenfolge. Senkrecht zur

Haupterstreckungsebene, in einer vertikalen Richtung, weist die Halbleiterschichtenfolge eine Dicke auf. Die Dicke der Halbleiterschichtenfolge ist klein gegen die maximale

Erstreckung der Halbleiterschichtenfolge in der

Haupterstreckungsebene . Der Schichtenverbund umfasst ferner einen Träger, der an der Bodenfläche der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Der Träger weist eine der Bodenfläche abgewandte Grundfläche auf. Die Grundfläche kann beispielsweise eine freiliegende

Außenfläche des Schichtenverbunds bilden. Mit anderen Worten, die Grundfläche kann von außen frei zugänglich sein und den Schichtenverbund nach außen abschließen. Bei dem Träger kann es sich um einen elektrisch leitfähigen Träger, der

beispielsweise mit Silizium gebildet sein kann, handeln. Bevorzugt handelt es sich bei dem Träger nicht um ein für das Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge verwendetes

Aufwachssubstrat . Beispielsweise wurde die

Halbleiterschichtenfolge zunächst auf einem Aufwachssubstrat epitaktisch aufgewachsen und das Aufwachssubstrat

anschließend entfernt. Die Halbleiterschichtenfolge ist also insbesondere frei von einem Aufwachssubstrat .

Der Schichtenverbund umfasst ferner eine

Verbindungsschichtenfolge, die in der vertikalen Richtung zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger angeordnet ist. Die Verbindungsschichtenfolge kann insbesondere mehrere Schichten umfassen. Beispielsweise umfasst die Verbindungsschichtenfolge eine dem Träger

zugewandte erste Verbindungsschicht und eine dem Träger abgewandte zweite Verbindungsschicht. Die

Verbindungsschichtenfolge kann eine der Grundfläche

abgewandte Trägerdeckfläche des Trägers vollständig bedecken. Die Verbindungsschichtenfolge dient insbesondere der

mechanischen Verbindung (sog. Bonding) des Trägers mit der Halbleiterschichtenfolge .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Vielzahl von Trenngräben in dem Schichtenverbund

ausgebildet. Die Ausbildung erfolgt hierbei entlang eines Vereinzelungsmusters unter Verwendung zumindest eines

gerichteten Trockenätzverfahrens. Bei dem Vereinzelungsmuster kann es sich beispielsweise um eine auf der Deckfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebrachte Maskenschicht handeln. Das verwendete Trockenätzverfahren ist zumindest teilweise ein stark anisotropes Trockenätzverfahren. Mit anderen

Worten, das Ausbilden der Trenngräben erfolgt gerichtet, bevorzugt in vertikaler Richtung. Beispielsweise erfolgt das Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Chlorplasmas und/oder eines Fluor-Plasmas. Optional ist das Hinzufügen von Argon zu dem Plasma möglich. Die Verwendung von Argon in Verbindung mit einem Chlor- und/oder Fluor-Plasma ermöglicht insbesondere das Bereitstellen einer mechanisch abtragenden Komponente, während das besagte Plasma vor allem eine

chemische Reaktion mit dem Material der abzutragenden

Schichten eingeht. Das Ausbilden der Trenngräben erfolgt derart, dass zumindest ein Trenngraben in zumindest einer lateralen Richtung eine Maximalausdehnung von höchstens 30 ym aufweist. Ferner kann die Maximalausdehnung wenigstens 5 ym betragen. Die

Maximalausdehnung des Trenngrabens ist hierbei die maximale Breite des Trenngrabens in lateraler Richtung, insbesondere senkrecht zu einer Haupterstreckungsrichtung des

Trenngrabens. Bevorzugt erfolgt die Bestimmung der maximalen Breite innerhalb des Trenngrabens und nicht in der Nähe der Grundfläche und/oder der Deckfläche. Beispielsweise beträgt der vertikale Abstand der maximalen Breite zur Grundfläche und/oder zur Deckfläche wenigstens 20 ym. An den

Außenbereichen des Trenngrabens, in der Nähe der Grundfläche oder Deckfläche, kann der Trenngraben bedingt durch das Trockenätzverfahren breiter ausgebildet sein.

Das Ausbilden der Vielzahl von Trenngräben erfolgt ferner derart, dass jeder Trenngraben den Schichtenverbund in der vertikalen Richtung vollständig durchdringt. Mit anderen Worten, der Schichtenverbund wird durch den Trenngraben durchtrennt beziehungsweise durchbrochen. Hierbei ist es insbesondere möglich, dass die Trenngräben miteinander verbunden sind. Mit anderen Worten, die Trenngräben können zusammenhängend ausgebildet sein. Bevorzugt umschließen die Trenngräben Teile des Schichtenverbundes lateral vollständig. Mit anderen Worten, der Schichtenverbund ist bevorzugt durch die Trenngräben nicht mehr zusammenhängend ausgebildet. Diese Teile bilden dann im weiteren Verfahren die zu erzeugenden optoelektronischen Halbleiterchips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Schichtenverbund entlang der Trenngräben vereinzelt und somit zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip erzeugt.

Bevorzugt wird eine Vielzahl optoelektronischer

Halbleiterchips erzeugt. Der vereinzelte zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip weist einen Teil der

Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der

Verbindungsschichtenfolge auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen

Halbleiterchips umfasst dieses die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Schichtenverbunds aufweisend eine

Halbleiterschichtenfolge mit einer Haupterstreckungsebene, einer aktiven Schicht und einer Bodenfläche, einem Träger, der an der Bodenfläche der Halbleiterschichtenfolge

angeordnet ist und eine der Bodenfläche abgewandte

Grundfläche aufweist, und eine Verbindungsschichtenfolge, die in einer vertikalen Richtung zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger angeordnet ist, b) Ausbilden einer Vielzahl von Trenngräben in dem

Schichtenverbund entlang eines Vereinzelungsmusters unter

Verwendung zumindest eines gerichteten Trockenätzverfahrens, wobei zumindest ein Trenngraben in zumindest einer lateralen Richtung eine Maximalausdehnung von höchstens 30 ym aufweist und jeder Trenngraben den Schichtenverbund in der vertikalen Richtung vollständig durchdringt, c) Vereinzeln des Schichtenverbunds entlang der Trenngräben zur Erzeugung von zumindest einem optoelektronischen

Halbleiterchip, wobei der zumindest eine vereinzelte

optoelektronische Halbleiterchips jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der

Verbindungsschichtenfolge aufweist .

Die Verfahrensschritte können insbesondere in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt.

Vorliegend wird insbesondere die Idee verfolgt, ein Verfahren zur Herstellung von zumindest einem optoelektronischen

Halbleiterchip anzugeben, bei dem aufgrund der Verwendung eines stark gerichteten Trockenätzverfahrens besonders schmale Trenngräben ausgebildet werden können. Hierdurch kann ein Großteil des Schichtenverbundes in den optoelektronischen Halbleiterchips verwendet werden und damit ein geringer Ausschuss an epitaktischem Material erzielt werden. Ein solches Verfahren kann ferner vereinfacht in einen

bestehenden Prozessfluss eingebaut werden. Somit kann ein kostengünstiges und einfaches Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips

bereitgestellt werden.

Bei herkömmlichen Herstellungsverfahren, bei denen ein

Schichtenverbund insbesondere mittels eines

Schneideverfahrens, eines Sägeverfahrens und/oder eines

Lasertrennverfahrens vereinzelt wird, werden Bereiche des Schichtenverbundes, insbesondere der Halbleiterschichtenfolge und der aktiven Schicht, für die Definition und Realisierung der Trenngräben zur Vereinzelung weit über die eigentlich erforderliche Schnittbreite hinaus vorgehalten, um

Ungenauigkeiten in der Justage und/oder Inhomogenitäten in der beispielsweise thermischen Ausdehnung der Schichten des Schichtenverbundes tolerieren zu können, ohne die aktiven Schichten des herzustellenden optoelektronischen

Halbleiterchips zu schädigen. Bei solchen herkömmlichen

Verfahren weisen die Trenngräben typischerweise eine laterale Maximalausdehnung von wenigstens 50 ym auf. Abhängig von der lateralen Ausdehnung des zu erzeugenden optoelektronischen Halbleiterchips kann ein solcher Trenngraben einen großen Teil der eingesetzten Epitaxiefläche, insbesondere der aktiven Schicht des Schichtenverbundes, zerstören.

Beispielsweise benötigt ein solcher Trenngraben bei einer lateralen Ausdehnung von 200 ym mehr als 50 % der

eingesetzten Epitaxiefläche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Ausbilden der Trenngräben in Schritt b) mehrere Schritte, wie im Folgenden näher erläutert. Für das Ausbilden der

Trenngräben wird zunächst die Halbleiterschichtenfolge im Bereich der zu erzeugenden Trenngräben teilweise entfernt. Die Erzeugung der Trenngräben wird also von oben aus

durchgeführt. Die Richtungsangabe "von oben" bedeutet hierbei und im Folgenden "von der Deckfläche her kommend". Umgekehrt bedeutet die Richtungsangabe "von unten" hierbei und im

Folgenden "von der Grundfläche her kommend" .

Die zu erzeugenden Trenngräben werden beispielsweise mit einer auf die Deckfläche der Halbleiterschichtenfolge

aufgebrachten Maskenschicht definiert. Das teilweise

Entfernen der Halbleiterschichtenfolge erfolgt bevorzugt mit einem gerichteten Trockenätzverfahren, bei dem beispielsweise ein Chlor-Plasma in Verbindung mit Argon zum Einsatz kommt. Ferner erfolgt das teilweise Entfernen der

Halbleiterschichtenfolge derart, dass die

Halbleiterschichtenfolge vollständig von dem teilweise erzeugten Trenngraben durchdrungen wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem teilweisen Entfernen der Halbleiterschichtenfolge die Verbindungsschichtenfolge im Bereich der teilweise entfernten Halbleiterschichtenfolge ebenfalls teilweise entfernt. Das teilweise Entfernen der

Verbindungsschichtenfolge erfolgt ebenfalls mit einem

gerichteten Trockenätzverfahren. Beispielsweise kann für das teilweise Entfernen der Verbindungsschichtenfolge ein Fluor- Plasma in Verbindung mit Argon zum Einsatz kommen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem teilweisen Entfernen der Verbindungsschichtenfolge eine ALD-Schicht an allen der Grundfläche abgewandten

freiliegenden Außenflächen des Schichtenverbunds aufgebracht. Bei der ALD-Schicht handelt es sich vorliegend um eine mittels Atomlagendeposition (ALD: Atomic Layer Deposition) erzeugte Schicht. Mittels Atomlagendeposition erzeugte

Schichten sind beispielsweise aus den US- Veröffentlichungsschriften US 2011/0049730 AI und US

2012/0132953 AI bekannt, deren Offenbarung hiermit

rückbezüglich aufgenommen wird. Eine mittels

Atomlagendeposition erzeugte Schicht eignet sich als

Verkapselungsschicht und weist insbesondere eine geringe Durchlässigkeit für Feuchtigkeit auf. Hierdurch kann die

Migrationsstabilität des herzustellenden optoelektronischen Halbleiterchips ohne Platzverlust hergestellt werden.

Insbesondere bedeckt die ALD-Schicht direkt nach dem Aufbringen sämtliche freiliegenden Flächen der

Verbindungsschichtenfolge und der Halbleiterschichtenfolge. Die ALD-Schicht kann insbesondere mit A1203 gebildet sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Aufbringen der ALD-Schicht diese teilweise im

Bereich der zu erzeugenden Trenngräben von der

Trägerdeckfläche des Trägers entfernt. Für das Entfernen wird beispielsweise ein gerichtetes Trockenätzverfahren verwendet. Bei der teilweisen Entfernung der ALD-Schicht von der

Trägerdeckfläche kann die ALD-Schicht auch zumindest

stellenweise von der Deckfläche der Halbleiterschichtenfolge entfernt werden. Nach dem teilweisen Entfernen der ALD- Schicht ist die Trägerdeckfläche im Bereich des Trenngrabens frei zugänglich. Die übrigen Bereiche der Trägerdeckfläche des Trägers sind beispielsweise von der

Verbindungsschichtenfolge bedeckt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem teilweisen Entfernen der ALD-Schicht der Träger teilweise entfernt. Das Entfernen erfolgt in dem Bereich der teilweise entfernten Halbleiterschichtenfolge und der

teilweise entfernten Verbindungsschichtenfolge. Mit anderen Worten, das teilweise Entfernen des Trägers erfolgt in dem Bereich der zu erzeugenden Trenngräben. Das teilweise

Entfernen des Trägers erfolgt bevorzugt ebenfalls mit einem Trockenätzverfahren. Nach dem teilweisen Entfernen des

Trägers durchdringt der Trenngraben den Schichtenverbund bevorzugt vollständig. Mit anderen Worten, das teilweise Entfernen des Trägers erfolgt bevorzugt bis zur Grundfläche. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Ausbilden der Trenngräben in Schritt b) die folgenden Schritte : bl) Teilweises Entfernen der Halbleiterschichtenfolge im Bereich der zu erzeugenden Trenngräben, b2) teilweises Entfernen der Verbindungsschichtenfolge im Bereich der teilweise entfernten Halbleiterschichtenfolge, b3) Aufbringen einer ALD-Schicht an allen der Grundfläche abgewandten freiliegenden Außenflächen des Schichtenverbunds, b4) teilweises Entfernen der ALD-Schicht im Bereich der zu erzeugenden Trenngräben von einer der Grundfläche abgewandten Trägerdeckfläche des Trägers, b5) teilweises Entfernen des Trägers im Bereich der teilweise entfernten Halbleiterschichtenfolge und der teilweise

entfernten Verbindungsschichtenfolge, wobei für die Schritte bl), b2) und b5) zumindest teilweise ein Trockenätzverfahren Verwendung findet.

Die angegebenen Verfahrensschritte bl) bis b5) können

insbesondere in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die ALD-Schicht in Schritt b4) von sämtlichen im Rahmen der

Herstellungstoleranzen entlang der Haupterstreckungsebene verlaufenden freiliegenden Außenflächen der

Halbleiterschichtenfolge, des Vereinzelungsmusters und/oder des Trägers entfernt. Bevorzugt wird die ALD-Schicht von der Trägerdeckfläche im Bereich des zu erzeugenden Trenngrabens und von der Deckfläche der Halbleiterschichtenfolge oder im Fall, dass die Deckfläche der Halbleiterschichtenfolge von einer Maskenschicht, die als Vereinzelungsmuster dient, bedeckt ist, von einer der Deckfläche der

Halbleiterschichtenfolge abgewandten Maskenschichtdeckfläche vollständig entfernt. Das Entfernen erfolgt mit einem gerichteten Ätzverfahren, wie beispielsweise einem

Trockenätzverfahren . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst der Schichtenverbund ferner eine zwischen der

Verbindungsschichtenfolge und der Halbleiterschichtenfolge angeordnete Strahlungsreflektierende Kontaktschichtenfolge. "Strahlungsreflektierend" bedeutet hierbei und im Folgenden, dass eine auf die Kontaktschichtenfolge treffende Strahlung zu wenigstens 90 %, bevorzugt wenigstens 95 %, von der

Kontaktschichtenfolge reflektiert wird. Die

Kontaktschichtenfolge grenzt vorzugsweise direkt an die Halbleiterschichtenfolge und die Verbindungsschichtenfolge an. Hierbei steht die Kontaktschichtenfolge bevorzugt in direktem elektrischem Kontakt mit einer zweiten

Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge. Die

Kontaktschichtenfolge ist zumindest teilweise elektrisch leitfähig ausgebildet.

Die Kontaktschichtenfolge weist eine Metallschicht auf, die mit einem Metall gebildet ist oder aus einem Metall besteht. Die Metallschicht wird zur Erzeugung der Trenngräben in dem Verfahrensschritt b) unter zumindest teilweiser Verwendung eines nasschemischen Ätzverfahrens entfernt. Anschließend können Seitenflächen der Metallschicht Spuren eines

Materialabtrags mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens aufweisen. Beispielsweise enthält die Metallschicht Silber oder besteht aus Silber. Ferner kann die Metallschicht

Aluminium enthalten oder aus Aluminium bestehen. Insbesondere im Fall von Silber ist die Anwendung eines

Trockenätzverfahrens schwer realisierbar, weshalb die

Verwendung eines nasschemischen Ätzverfahrens vorteilhaft ist. Weitere Schichten der Kontaktschichtenfolge können beispielsweise mit einem Trockenätzverfahren entfernt werden.

Um ein rechtzeitiges Stoppen des in vorherigen

Verfahrensschritten verwendeten Trockenätzverfahrens auf der Metallschicht zu ermöglichen, kann hierzu eine zusätzliche Stoppschicht in die Kontaktschichtenfolge eingeführt werden. Die Stoppschicht ist beispielsweise mit einem Nitrid oder einem Oxid gebildet. Die Stoppschicht kann auf einer dem Träger abgewandten Seite der Metallschicht aufgebracht sein. Während des teilweisen Entfernens der übrigen Schichten der Kontaktschichtenfolge mittels eines Trockenätzverfahrens kann die spektrale Emission der beim Trockenätzen erzeugten

Reaktanden untersucht werden. Wenn die spektrale Emission anzeigt, dass die Stoppschicht erreicht ist, kann das

Trockenätzverfahren gestoppt werden und nasschemisch

weitergeätzt werden. Hierdurch wird eine Bildung von

beispielsweise Silberfluorid aufgrund des Trockenätzens von Silber vermieden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden sämtliche freiliegenden Außenflächen der

Halbleiterschichtenfolge in Schritt b) und/oder nach Schritt c) gereinigt. Beispielsweise erfolgt die Reinigung vor dem Aufbringen der ALD-Schicht in Schritt b3) . Die Reinigung erfolgt derart, dass Spuren eines Materials der

Verbindungsschichtenfolge und/oder der Kontaktschichtenfolge von den freiliegenden Außenflächen der Halbleiterschichtenfolge entfernt werden. Bei dem Trockenätzverfahren können Spuren eines elektrisch

leitfähigen Materials, wie zum Beispiel eines Metalls, durch das Abtragen mit dem Plasma auf die Außenflächen der

Halbleiterschichtenfolge gelangen und dort einen Kurzschluss hervorrufen. Diese Spuren können mit Reinigung zum Beispiel unter Hochdruck entfernt werden.

Es wird ferner ein optoelektronischer Halbleiterchip

angegeben. Der optoelektronische Halbleiterchip ist

vorzugsweise mit einem hier beschriebenen Verfahren

herstellbar. Das heißt, sämtliche für das Verfahren

offenbarten Merkmale sind auch für den optoelektronischen Halbleiterchip offenbart und umgekehrt.

Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst einen Teil des oben im Zusammenhang mit dem Herstellungsverfahren

beschriebenen Schichtenverbundes, insbesondere einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers, der

Verbindungsschichtenfolge und gegebenenfalls der

Kontaktschichtenfolge. Im Folgenden werden vereinzelte

Komponenten des optoelektronischen Halbleiterchips mit denselben Begriffen wie die ursprünglichen Komponenten des Schichtenverbundes, aus denen besagte vereinzelte Komponenten hervorgehen, bezeichnet. Die vereinzelten Komponenten weisen hierbei dieselbe Funktion wie die ursprünglichen Komponenten auf. Die vereinzelten Komponenten sind hierbei ein Teil der ursprünglichen Komponenten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weist dieser eine Halbleiterschichtenfolge mit der Haupterstreckungsebene, der aktiven Schicht, der Bodenfläche und einer der Bodenfläche abgewandten Strahlungsdurchtrittsflache auf. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst die erste Halbleiterschicht und die zweite

Halbleiterschicht. Ferner umfasst der optoelektronische

Halbleiterchip den Träger, der an der Bodenfläche der

Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist und die der

Bodenfläche abgewandte Grundfläche aufweist, und eine

Verbindungsschichtenfolge, die in der vertikalen Richtung zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger angeordnet ist. Der Träger überragt die

Halbleiterschichtenfolge lateral um höchstens 10 ym. Der

Träger kann die Halbleiterschichtenfolge ferner lateral um wenigstens 2 ym überragen. Mit anderen Worten, der Träger und die Halbleiterschichtenfolge weisen lateral eine ähnliche Ausdehnung auf.

Insbesondere handelt es sich bei dem optoelektronischen

Halbleiterchip um ein so genanntes "Chip-Size-Package" . Bei einem solchen "Chip-Size-Package" beträgt die gesamte

laterale Ausdehnung des optoelektronischen Halbleiterchips maximal 130 %, bevorzugt 120 %, der lateralen Ausdehnung der Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen

Halbleiterchips. Der optoelektronische Halbleiterchip weist somit eine hohe Lichtausbeute pro bedeckter Fläche auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist die Verbindungsschichtenfolge aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet. Die

Verbindungsschichtenfolge bildet dann eine dielektrische Bondverbindung. Die Verbindungsschichtenfolge kann

beispielsweise die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht aufweisen, wobei die zweite

Verbindungsschicht mit der Trägerdeckfläche des Trägers in direktem Kontakt steht. Die erste Verbindungsschicht kann mit Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxid gebildet sein. Die zweite Verbindungsschicht kann beispielsweise Siliziumoxid und/oder Silizium aufweisen. Bevorzugt werden für die

Verbindungsschichtenfolge Materialien verwendet, die chemisch und/oder durch einen Plasmaprozess leicht durchtrennbar sind.

Bei einer dielektrischen Bondverbindung wird eine Verbindung zwischen dem Träger und weiteren Schichten des

Halbleiterchips durch eine kovalente Bindung der

dielektrischen Verbindungen der Verbindungsschichtenfolge erzielt. Durch die elektrisch isolierende Ausbildung der Verbindungsschichtenfolge ist der Träger elektrisch von der Halbleiterschichtenfolge und/oder gegebenenfalls der

Kontaktschichtenfolge isoliert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist die Verbindungsschichtenfolge aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet. Die erste

Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht können jeweils mit einer Metalllegierung gebildet sein.

Beispielsweise umfasst die erste Verbindungsschicht der

Verbindungsschichtenfolge Titan, Platin, Nickel und/oder Zinn. Die zweite Verbindungsschicht kann beispielsweise mit Nickel, Zinn und/oder Titan gebildet sein. Es ist ferner möglich, dass zumindest eine der beiden Verbindungsschichten Gold und/oder Silber enthält. Bei einer elektrisch

leitfähigen Verbindungsschichtenfolge handelt es sich somit bevorzugt um eine metallische Bondverbindung. Beispielsweise ist die metallische Bondverbindung mittels Lötens

hergestellt. Der Träger ist dann über die

Verbindungsschichtenfolge elektrisch leitend mit zumindest einer Halbleiterschicht des optoelektronischen

Halbleiterchips verbunden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weisen die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht jeweils eine Dicke von wenigstens 0,4 ym und höchstens 1,5 ym auf. Hierbei ist es möglich, dass die erste Verbindungsschicht und die zweite

Verbindungsschicht jeweils ein Metall enthalten oder mit einem Metall gebildet sind. Die besonders dünne Ausführung der ersten Verbindungsschicht und der zweiten

Verbindungsschicht ermöglicht die Verwendung eines

Trockenätzverfahrens auch bei metallischen Schichten zur Erzeugung eines Trenngrabens durch die

Verbindungsschichtenfolge. Alternativ können die erste

Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht auch mit einem nasschemischen Ätzverfahren durchtrennt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weisen alle im Rahmen der

Herstellungstoleranzen vertikal zur Grundfläche und/oder zur Trägerdeckfläche verlaufenden Seitenflächen des Trägers

Spuren eines Materialabtrags mittels eines

Trockenätzverfahrens auf. Bei den Spuren des Materialabtrags kann es sich um ein sogenanntes Locken- oder Muschelmuster (englisch: scallops) handeln. Die Seitenflächen weisen dann beispielsweise Rillen und/oder Einkerbungen auf, wobei sich die Rillen entlang einer lateralen Richtung erstrecken.

Anhand der Spuren des Materialabtrags kann an dem fertigen optoelektronischen Halbleiterchip nachgewiesen werden, dass zur Vereinzelung ein Trockenätzverfahren zum Einsatz gekommen ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist der optoelektronische Halbleiterchip seitlich durch die ALD-Schicht verkapselt. Die

Strahlungsdurchtrittsflache des optoelektronischen

Halbleiterchips ist hierbei frei von der ALD-Schicht. Ferner sind die Seitenflächen des Trägers frei von der ALD-Schicht. Insbesondere können die Strahlungsdurchtrittsfläche und/oder die Seitenflächen des Trägers vollständig frei von der ALD- Schicht sein. Insbesondere kann eine dem Träger abgewandte Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips

vollständig frei von der ALD-Schicht sein.

Anhand der lediglich seitlichen Verkapselung des

optoelektronischen Halbleiterchips ist somit am fertigen optoelektronischen Halbleiterchip feststellbar, dass die ALD- Schicht zumindest teilweise mit einem Trockenätzverfahren entfernt wurde. Die seitliche Verkapselung mit der ALD- Schicht dient hierbei insbesondere der elektrischen

Isolierung und dem Schutz vor äußeren Einflüssen, wie

beispielsweise dem Eindringen von Feuchtigkeit, der aktiven Schicht der Halbleiterschichtenfolge.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips sind die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht aus unterschiedlichen Materialien gebildet. Im Falle einer elektrisch isolierenden

Verbindungsschichtenfolge kann die erste Verbindungsschicht aus Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxid bestehen, während die zweite Verbindungsschicht aus Siliziumoxid und/oder

Silizium bestehen kann. Im Falle einer elektrisch leitfähigen Verbindungsschichtenfolge können die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht aus unterschiedlichen

Metalllegierungen bestehen. Die unterschiedlichen Materialien der beiden Verbindungsschichten dienen hierbei der verbesserten Verbindung des Trägers an die übrigen Schichten des optoelektronischen Halbleiterchips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weist dieser die zwischen der

Verbindungsschichtenfolge und der Halbleiterschichtenfolge angeordnete Strahlungsreflektierende Kontaktschichtenfolge auf. Die Kontaktschichtenfolge steht hierbei bevorzugt in direktem Kontakt mit der Halbleiterschichtenfolge und der Verbindungsschichtenfolge. Die Kontaktschichtenfolge ist zumindest stellenweise elektrisch leitfähig ausgebildet.

Insbesondere kann die Kontaktschichtenfolge elektrisch leitend mit der Halbleiterschichtenfolge und/oder der

Verbindungsschichtenfolge verbunden sein.

Die Kontaktschichtenfolge umfasst eine Oxidschicht, eine Isolationsstruktur und die Metallschicht. Die Oxidschicht ist bevorzugt mit einem transparenten leitfähigen Oxid, wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid, gebildet. Die Oxidschicht grenzt bevorzugt direkt an die zweite Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge und steht in direktem elektrischem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschicht.

Die Isolationsstruktur ist zumindest bereichsweise zwischen der Metallschicht und der Oxidschicht angeordnet. Die

Isolationsstruktur umfasst ein elektrisch isolierend

ausgebildetes Material, wie beispielsweise Siliziumoxid. Bei der Isolationsstruktur kann es sich vorliegend um eine mehrfach zusammenhängend ausgebildete, strukturierte

Siliziumoxid-Schicht handeln. Hierbei ist es möglich, dass die Siliziumoxid-Schicht Ausnehmungen und/oder Durchbrüche aufweist, die strukturierte Bereiche der Isolationsstruktur bilden. Beispielsweise ist zwischen den strukturierten Bereichen der Isolationsstruktur die Metallschicht angeordnet. Mit anderen Worten, die Isolationsstruktur grenzt direkt an die Metallschicht und die Oxidschicht an. Hierbei ist es möglich, dass die Metallschicht die Isolationsstruktur stellenweise durchdringt und an diesen Stellen direkt an die Oxidschicht angrenzt.

Durch die Verwendung einer Kontaktschichtenfolge, die

insbesondere eine Isolationsstruktur enthält, anstelle einer einzigen Metallschicht ergeben sich mehrere Vorteile. So ist die Reflektivität der Kontaktschichtenfolge im Vergleich zu einer einzigen Metallschicht erhöht. Die

Kontaktschichtenfolge kann also insbesondere einen

dielektrischen Spiegel bilden oder nach Art eines

dielektrischen Spiegels ausgebildet sein. Ferner kann die mechanische Haftung der Kontaktschicht an der

Halbleiterschichtenfolge und die Verbindungsschichtenfolge durch die Verwendung mehrerer Schichten erhöht werden.

Beispielsweise weist die Oxidschicht im Vergleich zu einer Metallschicht eine erhöhte mechanische Haftung zu der zweiten Halbleiterschicht auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weist dieser in dem Bereich der Metallschicht eine geringere laterale Ausdehnung auf als in Bereichen außerhalb der Metallschicht. Diese geringere laterale

Ausdehnung ist insbesondere durch die Verwendung des

nasschemischen Ätzverfahrens bedingt. So hat ein

nasschemisches Ätzverfahren meist eine isotropere Ätzwirkung als ein Trockenätzverfahren, weshalb auch in lateraler

Richtung geätzt wird (sogenannte Unterätzung) . An der

geringeren lateralen Ausdehnung der Metallschicht kann somit das verwendete nasschemische Ätzverfahren nachgewiesen werden. Beispielsweise ist die laterale Ausdehnung der

Metallschicht um wenigstens 0,5 ym bis höchstens 3 ym

geringer als die laterale Ausdehnung des Trägers und/oder der Halbleiterschichtenfolge entlang derselben lateralen

Richtung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weisen Seitenflächen der Metallschicht Spuren eines Materialabtrags mittels eines nasschemischen

Ätzverfahrens auf. Beispielsweise weisen die Seitenflächen der Metallschicht Rillen und/oder Einkerbungen und/oder

Aufrauungen auf. Hierbei ist es möglich, dass anhand der Spuren des Materialabtrags an dem fertigen optoelektronischen Halbleiterchip nachgewiesen werden kann, dass die

Metallschicht unter Verwendung eines nasschemischen

Ätzverfahrens durchtrennt wurde.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips ist zumindest eine Durchkontaktierung

vorhanden, die sich vollständig durch den Träger erstreckt. Ferner erstreckt sich die Durchkontaktierung zumindest teilweise durch die Verbindungsschichtenfolge. Die

Durchkontaktierung steht bevorzugt in direktem Kontakt mit der Kontaktschichtenfolge und ist elektrisch leitend mit der Kontaktschichtenfolge verbunden. Die Durchkontaktierung ist zumindest stellenweise leitfähig ausgebildet. Bei der

Durchkontaktierung kann es sich um eine sogenannte Silizium- Durchkontaktierung (Through Silicon Via) handeln. Eine solche Durchkontaktierung umfasst mitunter ein elektrisch

leitfähiges Metall, wie beispielsweise Kupfer.

Bei einer elektrisch isolierend ausgebildeten

Verbindungsschichtenfolge ist der elektrisch leitfähig ausgebildete Träger von der Halbleiterschichtenfolge und der Kontaktschichtenfolge durch die Verbindungsschichtenfolge elektrisch isoliert. Eine einfache Kontaktierung der

Halbleiterschichtenfolge über den elektrisch leitfähigen Träger ist somit nicht möglich. Dementsprechend ist die

Durchkontaktierung durch den Träger erforderlich.

Es ist ferner möglich, dass eine weitere Durchkontaktierung vorhanden ist, die sich durch den Träger, die

Verbindungsschichtenfolge, die Kontaktschichtenfolge, die erste Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch in die zweite Halbleiterschicht erstreckt und mit der zweiten Halbleiterschicht in direktem elektrischem Kontakt steht. Die weitere Durchkontaktierung kann dann elektrisch von dem

Träger, der Verbindungsschichtenfolge, der

Kontaktschichtenfolge, der ersten Halbleiterschicht und der aktiven Schicht isoliert sein.

Die Durchkontaktierung und die weitere Durchkontaktierung sind bevorzugt jeweils an der Grundfläche des Trägers frei zugänglich und elektrisch kontaktierbar . Hierbei ist es möglich, dass die Durchkontaktierung und die weitere

Durchkontaktierung von dem Träger jeweils elektrisch isoliert sind .

Bei der Verwendung von Durchkontaktierungen ist eine direkte elektrische Kontaktierung des Metalls der Durchkontaktierung möglich. Der Träger selbst muss dann keine elektrische

Stromtragefunktion erfüllen beziehungsweise dient nicht der elektrischen Kontaktierung. Somit ist ein mitunter schlecht haftender Metall-Halbleiter-Kontakt zum Material des Trägers an der Grundfläche nicht erforderlich. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips sind die aktive Schicht und eine zweite

Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge seitlich vollständig von Bereichen der Isolationsstruktur bedeckt. Mit anderen Worten, alle im Rahmen der Herstellungstoleranzen entlang der vertikalen Richtung verlaufenden Seitenflächen der aktiven Schicht und der zweiten Halbleiterschicht sind vollständig von Bereichen der Isolationsstruktur bedeckt. Beispielsweise sind die bedeckenden Bereiche der

Isolationsstruktur an lateralen Randbereichen des

optoelektronischen Halbleiterchips dicker ausgebildet als im Inneren des optoelektronischen Halbleiterchips. Hierdurch ist es möglich, dass sich die Bereiche der Isolationsstruktur die Oxidschicht der Kontaktschichtenfolge in vertikaler Richtung überragen und die oben genannten Seitenflächen verkapseln. Es ist hierbei möglich, dass die zweite Halbleiterschicht und/oder die aktive Schicht nicht mehr direkt an die ALD- Schicht angrenzen oder (falls keine ALD-Schicht vorgesehen ist) lateral nicht mehr frei zugänglich sind.

Es ist ferner möglich, dass der optoelektronische

Halbleiterchip an der Strahlungsdurchtrittsfläche

Auskoppelstrukturen aufweisen. In den lateralen

Zwischenräumen zwischen den Auskoppelstrukturen kann eine planar ausgebildete Kontaktfläche, die Teil der

Strahlungsdurchtrittsfläche sein kann, erzeugt werden. Auf dieser Kontaktfläche können Stromstege geführt werden, die der verbesserten elektrischen Kontaktierung der ersten

Halbleiterschicht dienen können. Insbesondere können solche Stromstege reflektierend ausgebildet sein und eine von der aktiven Schicht erzeugte und in Richtung der Stromstege abgestrahlte Strahlung zurück in die Halbleiterschichtenfolge reflektieren . Es wird ferner ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst einen hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip. Das heißt, sämtliche für den optoelektronischen

Halbleiterchip und für das Herstellungsverfahren offenbarten Merkmale sind auch für das optoelektronische

Halbleiterbauelement offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst dieses einen oben beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip und einen Formkörper. Der Formkörper ist elektrisch isolierend ausgebildet. Der

Formkörper kann beispielsweise mit einem Epoxidharz und/oder einem Silikonharz gebildet sein. Beispielsweise kann der Formkörper mit einem Formguss-Verfahren, einem Formpress- Verfahren und/oder einem Spritzguss-Verfahren hergestellt sein. Bevorzugt ist der Formkörper Strahlungsabsorbierend und/oder strahlungsreflektierend ausgebildet.

Der Formkörper umschließt den optoelektronischen

Halbleiterchip rahmenartig. Ferner kann der Formkörper zumindest stellenweise direkt an die ALD-Schicht angrenzen. Eine Formkörperbodenfläche schließt bündig mit der

Grundfläche des Trägers ab. "Rahmenartig" bedeutet hierbei und im Folgenden, dass der optoelektronische Halbleiterchip in einer Aufsicht von oben von dem Formkörper lateral vollständig umgeben ist. Es ist jedoch möglich, dass der Formkörper in vertikaler Richtung durch einzelne Schichten und/oder Schichtenfolgen des optoelektronischen

Halbleiterchips überragt wird. Mit anderen Worten, der

Formkörper kann in der vertikalen Richtung eine geringere Dicke als der optoelektronische Halbleiterchip aufweisen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst dieses ferner einen

Kontaktkörper. Der Kontaktkörper umschließt den

optoelektronischen Halbleiterchip rahmenartig. Ferner grenzt der Kontaktkörper direkt an eine der Formkörperbodenfläche abgewandte Formkörperdeckfläche des Formkörpers an. Der Kontaktkörper ist mit einem elektrisch leitfähigen Material wie beispielsweise einem Metall gebildet. Bevorzugt ist der Kontaktkörper elektrisch leitfähig und

Strahlungsreflektierend ausgebildet. Durch die rahmenartige Umschließung des optoelektronischen Halbleiterchips durch den Kontaktkörper kann somit die Effizienz des optoelektronischen Halbleiterchips erhöht werden, da Strahlungsverluste zur Seite vermieden werden.

Ferner ermöglicht der Kontaktkörper eine drahtfreie

Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht der

Halbleiterschichtenfolge. Hierzu kann der Kontaktkörper elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht verbunden sein. Der Kontaktkörper bedeckt die

Strahlungsdurchtrittsfläche zumindest stellenweise, wodurch seitliche Strahlungsverluste reduziert werden. Ferner kann der optoelektronische Halbleiterchip lateral zumindest stellenweise mit einem Strahlungsreflektierend ausgebildeten weiteren Material bedeckt sein. Das weitere Material kann zumindest stellenweise zwischen dem Träger und dem Formkörper angeordnet sein. Hierdurch können seitliche Lichtverluste reduziert werden. Zudem kann der Formkörper durch ein solches Material vor lichtinduzierter Alterung geschützt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements überragt der Formkörper den Träger in vertikaler Richtung. Dies ermöglicht insbesondere eine

Isolation des elektrisch leitfähigen Trägers nach außen.

Hierbei ist es möglich, dass der Formkörper auch die

Verbindungsschichtenfolge in vertikaler Richtung überragt. Beispielsweise sind lateral lediglich elektrisch isolierend ausgebildete Komponenten des optoelektronischen

Halbleiterchips, wie beispielsweise die Isolationsstruktur oder die ALD-Schicht, von außen frei zugänglich. Von oben oder von unten können auch elektrisch leitend ausgebildete Komponenten frei zugänglich sein.

Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren, der hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchip und das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauelement anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert . Die Figur 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines hier

beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips anhand einer schematischen Schnittdarstellung.

Die Figuren 2, 3 und 4 zeigen Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen optoelektronischen

Halbleiterbauelements anhand schematischer Aufsichten .

Die Figur 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines hier

beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips anhand einer schematischen Schnittdarstellung. Die Figuren 6A, 6B, 6C und 6D zeigen ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens anhand einer schematischen Schnittdarstellung . Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Die Figur 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines hier

beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips 10 und eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines

optoelektronischen Halbleiterchips 10 anhand einer

schematischen Schnittdarstellung. Der optoelektronische

Halbleiterchip 10 ist lateral durch einen Trenngraben 71 von einem weiteren optoelektronischen Halbleiterchip 10' (nicht vollständig dargestellt) getrennt.

Der optoelektronische Halbleiterchip 10 weist eine

Halbleiterschichtenfolge 1 mit einer

Strahlungsdurchtrittsfläche la und einer der

Strahlungsdurchtrittsfläche la abgewandten Bodenfläche lc auf. Die Halbleiterschichtenfolge 1 umfasst eine erste

Halbleiterschicht 11, bei der es sich beispielsweise um eine n-leitende Halbleiterschicht handeln kann, eine aktive

Schicht 12, die der Strahlungserzeugung und/oder -detektion dient, und eine zweite Halbleiterschicht 13, bei der es sich beispielsweise um eine p-leitende Halbleiterschicht handeln kann. Die aktive Schicht 12 ist zwischen der ersten Halbleiterschicht 11 und der zweiten Halbleiterschicht 13 angeordnet .

Die Strahlungsdurchtrittsflache la ist mit

Auskoppelstrukturen 6 versehen. Bei den Auskoppelstrukturen 6 handelt es sich vorliegend um gleichmäßig angeordnete und voneinander beabstandete Aufrauungen in der ersten

Halbleiterschicht 11. Beispielsweise können die

Auskoppelstrukturen 6 in dem dargestellten Querschnitt die Form eines Ellipsensegments aufweisen. Zwischen den

Auskoppelstrukturen 6 befinden sich planare Kontaktflächen IIa der ersten Halbleiterschicht 11. Diese Kontaktflächen IIa können beispielsweise der zusätzlichen elektrischen

Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 11 mit Stromstegen 111 dienen (vergleiche Figur 4) .

An der Bodenfläche lc der Halbleiterschichtenfolge 1 ist die Kontaktschichtenfolge 2 angeordnet. Die Kontaktschichtenfolge 2 umfasst die Oxidschicht 21, die Isolationsstruktur 22 und die Metallschicht 23. Die Oxidschicht 21 ist mit einem leitfähigen Oxid gebildet und strahlungsdurchlässig

ausgebildet. Die Oxidschicht 21 grenzt direkt an die zweite Halbleiterschicht 13 und steht mit dieser in direktem

elektrischem Kontakt.

Die Metallschicht 23 ist in einer Aufsicht von oben einfach zusammenhängend und durchgängig ausgebildet und durchdringt die Isolationsstruktur 22 zumindest stellenweise. Die

Metallschicht 23 steht in direktem elektrischem Kontakt zu der Oxidschicht 21. Die Metallschicht 23 ist bevorzugt mit Silber und/oder Aluminium gebildet. Die Isolationsstruktur 22 ist zumindest stellenweise zwischen der Oxidschicht 21 und der Metallschicht 23 angeordnet. Die Isolationsstruktur 22 ist an gleichmäßig verteilten Stellen kreisförmig durchbrochen. Mit anderen Worten, die

Isolationsstruktur 22 ist in einer Aufsicht mehrfach

zusammenhängend ausgebildet. An diesen Stellen wird die

Isolationsstruktur 22 von der Metallschicht 23 durchdrungen. Die Isolationsstruktur 22 grenzt direkt an die Oxidschicht 21 und die Metallschicht 23 an.

An der der Bodenfläche lc abgewandten Seite der

Kontaktschichtenfolge 2 ist eine Verbindungsschichtenfolge 3 angeordnet. Die Verbindungsschichtenfolge 3 umfasst eine der Kontaktschichtenfolge 2 zugewandte erste Verbindungsschicht 31 und eine der Kontaktschichtenfolge 2 abgewandte zweite

Verbindungsschicht 32. An der zweiten Verbindungsschicht 32 ist der Träger 41 mit der der Verbindungsschichtenfolge 3 zugewandten Trägerdeckfläche 41a und der der

Verbindungsschichtenfolge 3 abgewandten Grundfläche 41c angeordnet. Die Grundfläche 41c bildet vorliegend eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen

Halbleiterchips 10. Die Trägerdeckfläche 41a steht in

direktem Kontakt zur zweiten Verbindungsschicht 32. Der

Träger 41 ist mittels der Verbindungsschichtenfolge 3 mit der Kontaktschichtenfolge 2 und der Halbleiterschichtenfolge 1 mechanisch verbunden.

Die erste Verbindungsschicht 31 steht in direktem Kontakt mit der Metallschicht 23 der Kontaktschichtenfolge 2. Die zweite Verbindungsschicht 32 steht in direktem Kontakt mit dem

Träger 41. In dem vorliegend gezeigten Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 10 ist die

Verbindungsschichtenfolge 3 mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet. Hierdurch ist der Träger 41 von der

Kontaktschichtenfolge 2 durch die Verbindungsschichtenfolge 3 elektrisch isoliert. Um eine Kontaktierung der

Kontaktschichtenfolge 2 zu ermöglichen, ist eine

Durchkontaktierung 42 vorgesehen. Die Durchkontaktierung 42 durchdringt den Träger 41 und die Verbindungsschichtenfolge 3 vollständig. Die Durchkontaktierung 42 grenzt direkt an die Kontaktschichtenfolge 2 an und steht in direktem elektrischem Kontakt mit der Kontaktschichtenfolge 2.

Lateral ist der optoelektronische Halbleiterchip 10 zumindest teilweise von einer ALD-Schicht 5 bedeckt und durch diese elektrisch isolierend verkapselt. Insbesondere sind alle im Rahmen der Herstellungstoleranzen entlang der vertikalen Richtung verlaufenden Seitenflächen der

Halbleiterschichtenfolge 1, der Kontaktschichtenfolge 2 und der Verbindungsschichtenfolge 3 von der ALD-Schicht bedeckt.

In dem gezeigten Ausführungsbeispiel wurde der

Vereinzelungsschritt des hier beschriebenen Verfahrens bereits durchgeführt. Lateral neben dem optoelektronischen Halbleiterchip 10 ist ein weiterer optoelektronischer

Halbleiterchip 10' angeordnet. Der weitere optoelektronische Halbleiterchip 10' ist durch einen Trenngraben 71 von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 10 getrennt. Der Trenngraben weist eine laterale Maximalausdehnung d von höchstens 30 ym, bevorzugt höchstens 20 ym, auf. Bevorzugt befindet sich die Maximalausdehnung d im Bereich der

Metallschicht 23. Dies ist dadurch bedingt, dass die

Metallschicht 23 in dem Verfahren mit einem nasschemischen Ätzverfahren durchtrennt wurde und somit eine Unterätzung, das heißt eine laterale Einätzung der Metallschicht 23, stattgefunden hat. Hierdurch weist die Metallschicht 23 eine geringere laterale Ausdehnung als die übrigen Schichten des optoelektronischen Halbleiterchips 10, 10' auf.

Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der Figur 2 ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen

Halbleiterbauelements näher erläutert. Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst einen optoelektronischen

Halbleiterchip 10, einen Formkörper 82 und einen

Kontaktkörper 81. Der Formkörper 82 grenzt zumindest

stellenweise direkt an den optoelektronischen Halbleiterchip 10 und umgibt diesen in einer Aufsicht lateral vollständig. Eine Formkörperbodenfläche 82c schließt bündig mit der

Grundfläche 41c ab. Eine der Formkörperbodenfläche 82c abgewandt Formkörperdeckfläche 82a überragt den Träger 41 und die Verbindungsschichtenfolge 3 in vertikaler Richtung vollständig .

Die Formkörperdeckfläche 82a ist nicht eben beziehungsweise planar ausgebildet. Vielmehr weist die Formkörperdeckfläche 82a eine Krümmung auf. Insbesondere weist der Formkörper 82 in Bereichen, die einen geringeren lateralen Abstand zum optoelektronischen Halbleiterchip 10 aufweisen, eine

geringere Dicke auf als in Bereichen, die einen größeren lateralen Abstand zum optoelektronischen Halbleiterchip 10 aufweisen. Diese Einkerbung des Formkörpers 81 am

optoelektronischen Halbleiterchip 10 ist durch das

Herstellungsverfahren bedingt.

Der Kontaktkörper 81 grenzt direkt an die

Formkörperdeckfläche 82a an. Der Kontaktkörper 81 steht in direktem elektrischem Kontakt mit der ersten

Halbleiterschicht 11. Hierzu bedeckt der Kontaktkörper 81 die Strahlungsdurchtrittsfläche la zumindest stellenweise. Beispielsweise ist der Kontaktkörper 81

Strahlungsreflektierend ausgebildet. Der Kontaktkörper 81 kann beispielsweise galvanisch auf den Formkörper 82

aufgebracht sein.

Im Gegensatz zu dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 weist der optoelektronische Halbleiterchip 10 keine Durchkontaktierung 42 auf. Vorliegend ist die Verbindungsschichtenfolge 3 somit mit einem elektrisch leitfähigen Material, wie beispielsweise einem Metall, gebildet. Die elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 13 erfolgt dann über den elektrisch leitfähig ausgebildeten Träger 41.

Der optoelektronische Halbleiterchip 10 weist ferner Bereiche der Isolationsstruktur 22' auf, die die zweite

Halbleiterschicht 13 und die aktive Schicht 12 seitlich vollständig bedecken. Insbesondere bedecken die Bereiche der Isolationsstruktur 22' die Seitenflächen der aktiven Schicht und der zweiten Halbleiterschicht 13 vollständig. Die aktive Schicht 12 und die zweite Halbleiterschicht 13 grenzen somit nicht mehr direkt an die ALD-Schicht 5 an. Eine elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 13 ist über die Kontaktschichtenfolge 2 möglich. Anhand der schematischen Aufsicht der Figur 3 ist ein

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterbauelements näher erläutert. Die Aufsicht erfolgt hierbei von oben, also auf die

Strahlungsdurchtrittsfläche la.

Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 10. Der optoelektronische Halbleiterchip 10 ist rahmenartig von dem Kontaktkörper 81 und dem Formkörper 82 umschlossen. Hierbei sind Bereiche 11' der Strahlungsdurchtrittsflache la von dem Kontaktkörper 81 bedeckt. Diese teilweise Bedeckung ist in der gezeigten

Aufsicht durch die Trennlinie 115 und den lateralen

Chipabschluss 116 angedeutet. Der Chipabschluss 116

entspricht hierbei den entlang der vertikalen Richtung verlaufenden Außenflächen des optoelektronischen

Halbleiterchips 10. Die Auskoppelstrukturen 6 sind in der Form eines regelmäßigen Gitters an der

Strahlungsdurchtrittsfläche la angeordnet.

Gemäß der schematischen Aufsicht der Figur 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterbauelements näher erläutert. Das Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in Figur 3 dadurch, dass auf der Strahlungsdurchtrittsfläche la zwischen den Auskoppelstrukturen 6 Stromstege 111 angeordnet sind, die insbesondere einstückig mit dem Kontaktkörper 81 ausgebildet sind. Alternativ können die Stromstege 111 auch mit einem anderen Material gebildet sein und lediglich elektrisch leitend mit dem Kontaktkörper 81 verbunden sein. Die

Stromstege 111 sind vorliegend linear zwischen Reihen der Auskoppelstrukturen 6 angeordnet. Die Stromstege 111 dienen insbesondere einer verbesserten Stromverteilung über die erste Halbleiterschicht 11. Ferner können die Stromstege strahlungsreflektierend ausgebildet sein und damit die

Effizienz des optoelektronischen Halbleiterbauelements erhöhen . Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der Figur 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips näher erläutert. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der optoelektronische Halbleiterchip 10 als sogenanntes "Chip-Size-Package"

ausgeführt. Zur elektrischen Kontaktierung der

Halbleiterschichten 11, 13 sind zwei Durchkontaktierungen 42, 42' vorgesehen. Eine erste Durchkontaktierung 42 erstreckt sich vollständig durch den Träger 41 und die

Verbindungsschichtenfolge 3 zur Kontaktschichtenfolge 2 und ist elektrisch leitend mit der Kontaktschichtenfolge 2, und damit der zweiten Halbleiterschicht 13, verbunden. Eine zweite Durchkontaktierung 42' erstreckt sich vollständig durch den Träger 41, die Verbindungsschichtenfolge 3, die Kontaktschichtenfolge 2, die zweite Halbleiterschicht 13 und die aktive Schicht 12. Die zweite Durchkontaktierung 42' ist elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht 11 verbunden. Im Bereich der Kontaktschichtenfolge 2, der zweiten Halbleiterschicht 13 und der aktiven Schicht 12 ist die zweite Durchkontaktierung 42 ' von weiteren Bereichen der Isolationsstruktur 22'' umgeben. Diese weiteren Bereiche der Isolationsstruktur 22'' dienen der elektrischen Isolation der zweiten Durchkontaktierung 42' von der Kontaktschichtenfolge 2, der zweiten Halbleiterschicht 13 und der aktiven Schicht 12.

Gemäß der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 6A, 6B, 6C und 6D sind Verfahrensschritte eines hier

beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Die Figur 6A zeigt einen ersten Verfahrensschritt eines hier beschriebenen

Verfahrens. Zunächst wird ein Schichtenverbund 14 mit einer Halbleiterschichtenfolge 1, einer Kontaktschichtenfolge 2, einer Verbindungsschichtenfolge 3 und einem Träger 41

bereitgestellt. Auf einer Deckfläche la' des

Schichtenverbunds 14 ist eine Maskenschicht 72 aufgebracht. Die Maskenschicht 72 bildet ein Vereinzelungsmuster 72 des Schichtenverbunds 14.

Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der Figur 6B ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen

Verfahrens näher erläutert. In dem Schichtenverbund 14 wird unter zumindest teilweiser Verwendung eines

Trockenätzverfahrens ein Trenngraben 71 erzeugt, der sich vorliegend bis zur Trägerdeckfläche 41a erstreckt. Die

Metallschicht 23 kann hierbei mittels einem nasschemischen Ätzverfahren durchtrennt worden sein. Die Erzeugung des Trenngrabens 71 erfolgt hierbei an nicht von der

Maskenschicht 72 bedeckten, freiliegenden Bereichen der

Deckfläche la ' .

Nach dem teilweisen Erzeugen des Trenngrabens 71 wird eine ALD-Schicht 5 ganzflächig auf freiliegende Außenflächen des Schichtenverbunds 14 aufgebracht. Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der Figur 6C ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen

Verfahrens näher erläutert. Vorliegend werden sämtliche entlang der Haupterstreckungsrichtung des Trägers 41

verlaufende Außenflächen durch ein gerichtetes

Trockenätzverfahren (Pfeile in der Figur 6C) von der ALD- Schicht 5 freigelegt. Anschließend ist die Trägerdeckfläche 41a im Bereich des Trenngrabens 71 frei zugänglich. Ferner ist eine dem Träger 41 abgewandte Maskenschichtdeckfläche 72a nach dem teilweisen Entfernen der ALD-Schicht 5 frei

zugänglich.

Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der Figur 6D ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Bei dem gezeigten

Verfahrensschritt wird der Träger 41 im Bereich des

Trenngrabens 71 mit einem Trockenätzverfahren durchtrennt. Der Trenngraben 71 erstreckt sich dann vollständig durch den Schichtenverbund 14. Hierdurch ist ein Vereinzeln des

Schichtenverbunds 14 in einzelne optoelektronische

Halbleiterchips 10 entlang des Trenngrabens 71 möglich.

Aufgrund des Trockenätzverfahrens weist der Träger im Bereich des Trenngrabens 71 Spuren von Vereinzelung 73 durch das Trockenätzverfahren auf. Diese Spuren von Vereinzelungen 73 weisen ein schuppenähnliches beziehungsweise muschelähnliches Muster auf. Die Spuren von Vereinzelung 73 können sich entlang einer lateralen Richtung erstrecken. Anhand dieser Spuren von Vereinzelung 73 ist somit das verwendete Verfahren an dem fertiggestellten optoelektronischen Halbleiterchip 10 nachweisbar .

Das hier beschriebene Verfahren ist kostengünstig und

ermöglicht die Bereitstellung eines effizienten

optoelektronischen Halbleiterchips. Beim Durchtrennen des Schichtenverbundes mit einem Trockenätzverfahren entstehen senkrechte Kanten und ferner bei der Metallschicht durch die Verwendung des nasschemischen Ätzverfahrens leichte

Unterätzungen. Diese leichten Unterätzungen können auch gezielt gesteuert werden. Mittels einer sogenannten "Spacer"- Technologie oder mittels einer Verkapselung mit einer ALD- Schicht oder anderen feuchtedichten dielektrischen Schichten, kann eine Migrationsstabilität ohne lateralen Platzverlust hergestellt werden. Der Flächenverlust ist im Wesentlichen durch die Maximalausdehnung des Trenngrabens bestimmt und kann im Extremfall weniger als 15 ym betragen. Gleichzeitig kommen bei diesem Design bevorzugt keine

Strahlungsabsorbierenden Schichten zum Einsatz. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 10 2014 116 141.6, deren

Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen

Bezugs zeichenliste

10 optoelektronischer Halbleiterchip

1 Halbleiterschichtenfolge

11, 11' erste Halbleiterschicht

IIa Kontaktfläche

111 Stromstege

115 Trennlinie

116 Chipabschluss

12 aktive Schicht

13 zweite Halbleiterschicht

la' Deckfläche

la Strahlungsdurchtrittsfläche lc Bodenfläche

2 Kontaktschichtenfolge

21 Oxidschicht

22 Isolationsstruktur

22', 22'' Bereiche der Isolationsstruktur

23 Metallschicht

41 Träger

41c Grundfläche

41a Trägerdeckfläche

42, 42' Durchkontaktierung

5 ALD-Schicht

6 Auskoppelstrukturen

71 Trenngräben

72 Maskenschicht, Vereinzelungsmuster 72a Maskenschichtdeckfläche

73 Spuren von Vereinzelung

81 Kontaktierung

82 Formkörper

82a Formkörperdeckfläche

82c Formkörperbodenfläche