GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur

Herstellung eines Hochfrequenz-Steckverbinders sowie ei ne zugehörige Vorrichtung.

TECHNISCHER HINTERGRUND

Eine elektrische Verbindung zwischen einem Kabel und einem weiteren Kabel wird mittels eines zueinander steckbaren Paa res aus einem Steckverbinder und einem zugehörigen Gegen steckverbinder hergestellt und wieder gelöst.

Eine derartige Steckverbindung lässt sich auch zwischen ei nem Kabel und einer Leiterplatte bzw. zwischen einem Kabel und einem Gehäuse einer Elektronikbaugruppe realisieren.

Auch zwischen zwei Leiterplatten bzw. zwischen einer Leiter platte und einem Gehäuse einer Leiterplatte bzw. zwischen den Gehäusen von zwei Elektronikbaugruppen lässt sich je weils eine Steckverbindung verwirklichen.

Derartige Steckverbinder realisieren nicht nur eine elektri sche Verbindung für ein oder mehrere Gleichspannungssignale oder Niederfrequenzsignale _» sondern auch für ein oder mehre re Hochfrequenzsignale. Unter einem HochfrequenzSignal wird hierbei und im Folgenden ein Signal mit einer Frequenz ab 3 MHz bis 30 THz _» also fast der gesamte Bereich des elektro magnetischen Spektrums _» verstanden.

Gemäß beispielsweise der DE 10 2011 103 524 Al setzt sich jeder Steckverbinder für ein Hochfrequenzsignal wenigstens aus einem Innenleiterelement _» einem dazu koaxial angeordne- ten Außenleiterelement und einem dazwischen angeordneten Isolatorelement, das das Innenleiterelement vom Außenleiterelement beabstandet, zusammen. Das Innenleiterelement, das Isolatorelement und das Außen leiterelement werden als separate Bauteile konventionell mittels Zerspanungstechnologie, beispielsweise Drehen, oder mittels Umformtechnologie, beispielsweise Stanzen und Bie gen, gefertigt. Anschließend werden die Einzelbauteile ver- gleichsweise aufwendig zu einem Steckverbinder montiert.

Zur Übertragung eines Hochfrequenzsignals auf der Übertra gungsstrecke - Kabel bzw. Leiterplatte, Steckverbinder, Ge gensteckverbinder, Kabel bzw. Leiterplatte - ist die Impe- danz des Steckverbinders und des Gegensteckverbinders an die Impedanz des Kabels und der Hochfrequenzsignalleitung auf der Leiterplatte anzupassen. Ist die Impedanz nicht ange passt, so kommt es zu unerwünschten Reflexionen des zu über tragenden Hochfrequenzsignals an den einzelnen Schnittstel- len.

Die Anforderung einer Impedanzanpassung für Steckverbinder bis in den Höchstfrequenzbereich stellt in Kombination mit erhöhten mechanischen und thermischen Anforderungen, bei- spielsweise Vibrationsfestigkeit, Verschleißfestigkeit, Tem peraturbeständigkeit usw. , und speziellen geometrischen An forderungen nicht selten eine Machbarkeitsgrenze für konven tionelle Fertigungstechnologien dar. Eine weitere technische Anforderung an zukünftige Steckver binder-Generationen liegt in der zunehmenden Miniaturisie rung des Steckverbinders. Hochfrequenz-Steckverbinder, die eine Vielzahl von Hochfrequenzsignalen auf engstem Raum in unterschiedlichen Anwendungsgebieten übertragen, erfordern Dimensionen im Mikrometerbereich und u.U. im Nanometerbe- reich. Insbesondere bei derartigen Anforderungen wird die konventionelle Fertigungstechnologie an ihre Grenzen kommen.

Dies ist ein Zustand, den es zu verbessern gilt.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Vor diesem Hintergrund liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur kostengünstigen Herstel lung eines Steckverbinders für mindestens ein Hochfrequenz signal anzugeben, der hinsichtlich seiner elektrischen und mechanischen Eigenschaften optimiert ist und auch in einer sehr geringen Ausdehnung mit Qualität herstellbar ist.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz-Steckverbinders mit den Merk malen des Patentanspruchs 1 gelöst.

Demgemäß ist vorgesehen:

Ein Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz- Steckverbinders mit folgenden Verfahrensschritten:

- Herstellen eines Grundkörperteils des Hochfrequenz- Steckverbinders aus einem dielektrischen Material mit tels eines additiven Fertigungsverfahrens ,

- wobei das Grundkörperteil eine Durchführung zwischen einem ersten Ende und einem zweiten Ende einer Längser- Streckung des Grundkörperteils und

- eine Stirnfläche am ersten Ende zur Kontaktierung mit einem Gegensteckverbinder aufweist,

- Beschichten des dielektrischen Grundkörperteils mit einer elektrisch leitfähigen Schicht und

- Entfernen der elektrisch leitfähigen Schicht in einem die Durchführung umschließenden Bereich an der Stirn- fläche am ersten Ende und an dem zweiten Ende des

Grundkörperteils zur Ausbildung einer elektrisch leit fähigen außenleiterseitigen Beschichtung und einer elektrisch leitfähigen innenleiterseitigen Beschich tung.

Erfindungsgemäß wird ein Grundkörperteil des Hochfrequenz- Steckverbinders aus einem dielektrischen Material mittels eines additiven FertigungsVerfahrens hergestellt, das eine Durchführung zwischen einem ersten Ende und einem zweiten Ende seiner Längserstreckung aufweist. Ein Grundkörperteil mit einer derartigen Ausformung und aus einem derartigen Material wird für ein Isolatorelement des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders verwendet .

Der Hochfrequenz-Steckverbinder ist bevorzugt aus einem ein stückigen Grundkörperteil zusammengesetzt. I Sonderfall eines mehrstückigen Grundkörperteils werden die dielektrischen Einzelteile des Grundkörperteils vor dem Beschichten geeig net, beispielsweise mittels Klebung, miteinander verbunden.

Erfindungsgemäß wird außerdem das dielektrische Grundkörperteil mit einer elektrisch leitfähigen Schicht beschichtet. Schließlich wird erfindungsgemäß die elektrisch leitfähige Schicht in einem die Durchführung jeweils umschließenden Be reich an der Stirnfläche am ersten Ende und am zweiten Ende des Grundkörperteils entfernt. Auf diese Weise wird vorteilhaft ein Hochfrequenz-Steckverbinder mit einer Innenleiter beschichtung und einer Außenleiterbeschichtung erzeugt, die jeweils durch das dielektrische Material des Grundkörper teils voneinander elektrisch isoliert sind.

Der wesentliche Vorteil dieses erfindungsgemäßen Herstel lungsverfahrens liegt darin, dass die Einzelbauteile des Hochfrequenz-Steckverbinders, d.h. das Innenleiterelement, das Isolatorelement und das Außenleiterelement, nicht mehr einzeln gefertigt und anschließend vergleichsweise aufwaui ' zum fertigen Hochfrequenz-Steckverbinder montiert werden müssen. Stattdessen wird der Hochfrequenz-Steckverbinder über drei sequenziell ablaufende Fertigungsschritte herge stellt, die automatisiert werden können .

Außerdem ermöglicht die Herstellung des Grundkörperteils aus einem dielektrischen Material mittels eines additiven Ferti gungsverfahrens im Vergleich zur Einzelteilfertigung in ei ner konventiouu ¹ n Fex J .migstechnologie vorteilhaft die Realisierung von sehr komplexen und extrem kleinen Geomet rien. Diese komplexen und kleinen Geometrien lassen sich zu sätzlich vorteilhaft mit komplexen Werkstoffkombinationen verbinden. Damit lassen sich Hochfrequenz-Steckverbinder mit komplexen elektrischen und mechanischen Anforderungen her steilen. Insbesondere lässt sich ein Hochfrequenz- Steckverbinder mit einer Impedanz herstellen, die entlang seiner gesamten Längserstreckung einstellbar ist .

Unter einer einstellbaren Impedanz eines Hochfrequenz- Steckverbinders wird hierbei und im Folgenden eine Impedanz verstanden, die zwischen den beiden Schnittstellen am ersten und zweiten Ende des Grundkörpers an die Impedanz des jewei ligen Steckpartners , d.h. des Hochfrequenz- Gegensteckverbinders , des Hochfrequenzkabels oder Hochfre quenzsigna11eitung auf einer Leiterplatte, angepasst ist . Eine bevorzugt konstante Impedanz über die gesamte Längser- Streckung wird durch eine geeignete Formgebung und Material wahl des Grundkörperteils real . Im Sonderfall einer untersch: Impedanz der beiden Steckpartner wird eine angepa pedanz erreicht, indem mittels Formgebung und

Materialwahl im Grundkörperteil ein stetiger oder zumindest mehrfach gestufter Übergang zwischen den beiden unterschied- liehen Werten am ersten und zweiten Ende des Grundkörperteils verwirklicht wird.

Unter einem „additiven Fertigungsverfahren", das auch als „generatives Fertigungsverfahren" bezeichnet wird, wird hierbei und im Folgenden ein Fertigungsverfahren verstanden, das auf der Basis von rechnerinternen Datenmodellen aus formlosem (Flüssigkeiten, Gelen/Pasten, Pulver u. ä.) oder formneutralem (band-, drahtförmig, blattförmig) Material mittels chemischer und/oder physikalischer Prozesse Erzeug nisse hoch präzise und kostengünstig herstellt. Obwohl es sich um formende Verfahren handelt, sind für ein konkretes Erzeugnis keine speziellen Werkzeuge erforderlich, die die jeweilige Geometrie des Werkstücks gespeichert haben (zum Beispiel Gussformen) .

Zur Realisierung sehr kleiner Geometriestrukturen des Hoch frequenz-Steckverbinders eignet sich bevorzugt die 3D-Laser- Lithographie, insbesondere bevorzugt die 2-Photonen-Laser- Lithographie. Mit der hierbei verwendeten Multi-Photonen- Polymerisation wird ein fotosensitives Material, bevorzugt ein flüssiges fotosensitives Material, insbesondere bevor zugt ein pastöses fotosensitives Material, mittels eines La sers bevorzugt in einzelnen Laserlichtblitzen beschossen und härtet dabei an speziellen Stellen aus. Auf diese Weise wird das Grundkörperteil des Hochfrequenz-Steckverbinders

schrittweise aus dem fotosensitiven dielektrischen Material aufgebaut .

Nach der Herstellung des dielektrischen Grundkörperteils des Hochfrequenz-Steckverbinders mittels eines additiven Ferti gungsverfahrens wird das Grundkörperteil mit einer

elektrisch leitfähigen Schicht beschichtet. Als Beschich tungsverfahren eignet sich bevorzugt ein elektrochemisches Beschichtungsverfahren, beispielsweise ein Galvanik-Prozess. In einem Galvanikbad mit einem Elektrolyten wird hierbei ein elektrischer Stromkreis zwischen einer Kathode, die mit dem zu galvanisierenden Körper verbunden ist, und einer Anode aus dem Beschichtungsmaterial aufgebaut . Als Beschichtungs material eignet sich bevorzugt Kupfer . Daneben kann auch Palladium, Silber, Gold, Nickel , Zinn oder Bleizinn zum Ein satz kommen .

Neben einem elektrochemischen Prozess kann für das Beschich ten auch ein chemisches Verfahren verwendet werden. Bei ei nem chemischen Verfahren reagiert ein Ausgangsstoff, der an ein Trägergas gebunden ist oder in einer eit gelöst ist, unter bestimmten Reaktionsbedingungen, beispielsweise Temperatur und Druck, mit dem Grundkörperteil aus dielektri schen Material und erzeugt als Reaktionsergebnis eine elektrisch leitfähige Schicht, bevorzugt eine metallische Schicht .

Schließlich ist als Beschichtungsverfahren auch ein physika lisches Verfahren möglich, wie beispielsweise das Sputter- Verfahren oder andere Verdampfungsverfahren,

Alternativ ist als alternative Beschichtung auch eine Kombi nation eines elektrochemischen Verfahrens mit einem che i- sehen Verfahren oder eine Kombination eines elektrochemi- sehen Verfahrens mit einem physikalischen Verfahren denkbar .

Für das Entfernen der elektrisch leitfähigen Schicht an ei nem ersten und an einem zweiten Ende des Grundkörperteils in einem die Durchführung des Grundkörperteils umschließenden Bereich kann ein mechanisches Verfahren wie beispielsweise das Abschleifen der mindestens einen elektrisch leitfähigen Schicht mit einem hierfür geeignet ausgelegten Schleifwerk zeug zum Einsatz kommen . Daneben kann das Entfernen der elektrisch leitfähigen

Schicht auch über ein physikalisches bzw. optisches Verfah ren, beispielsweise mittels Laserablation oder Laserverdamp fung, durchgeführt werden. Hierbei wird die elektrisch leit fähige Schicht von einer Oberfläche des Grundkörperteils durch Beschuss mit einer Laserstrahlung entfernt. Die hier bei verwendete Laserstrahlung weist eine hohe Leistungsdich te auf, die zu einer rapiden Erhitzung und Ausbildung eines Plasmas an der Oberfläche führt. Hierbei werden die chemi schen Bindungen der elektrisch leitfähigen Schicht, bevor zugt der metallischen Schicht, aufgebrochen und/oder aus der Oberfläche des Grundkörperteils geschleudert.

Schließlich kann die elektrisch leitfähige Schicht auch über ein chemisches Verfahren, beispielsweise über den sogenann ten Lift-Off-Prozess , entfernt werden. Hierzu wird zwischen der elektrisch leitfähigen Schicht und dem Grundkörperteil aus dielektrischem Material eine Opferschicht bevorzugt aus Fotolack aufgebracht. Über einen nasschemischen Prozess mit einem Lösungsmittel, beispielsweise Aceton, wird die Opfer schicht entfernt. Mit der Opferschicht wird auch die

elektrisch leitfähige Schicht mit abgehoben (englisch: lift off) und weggewaschen .

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen ergeben sich aus den weiteren Unteransprüchen sowie aus der Be schreibung unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung.

Es versteht sich, dass die voranstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen. In einer besonderen Weiterbildung der Erfindung wird die Schichtdicke der Beschichtung, d.h. der elektrisch leitfähi gen Schicht, innerhalb der Durchführung vergleichsweise grö ßer als die Schichtdicke der elektrisch leitfähigen Be schichtung an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils ausgebildet. Auf diese Weise lassen sich auch Hochfrequenz signale mit einem höheren Leistungspegel über den Hochfre quenz-Steckverbinder übertragen. Im Extremfall füllt die Be schichtung die Durchführung vollständig aus.

Insbesondere bei Anwendung eines elektrochemischen Beschich tungsverfahrens, d.h. bei Anwendung eines Galvanik- Prozesses, ist vor dem Aufbringen der eigentlichen

elektrisch leitfähigen Schicht funktionsbedingt eine elektrisch leitfähige Startschicht, bevorzugt eine metalli sche Startschicht, auf dem elektrisch isolierenden Material des Grundkörperteils mittels beispielsweise eines chemischen Verfahrens aufzubringen.

Somit beinhaltet das Beschichten des dielektrischen Grund körperteils mit einer elektrisch leitfähigen Schicht bevor zugt ein Beschichten des dielektrischen Grundkörperteils mit mehreren elektrisch leitfähigen Schichten, bevorzugt mit mehreren metallischen Schichten. Die einzelnen metallischen Schichten, d.h. die Startschicht und die darauf aufgesetzte mindestens eine weitere metallische Schicht, sind bevorzugt aus einem unterschiedlichen metallischen Material . Durch ge eignete Wahl der Schichtfolgen lassen sich auf diese Weise insbesondere in den Kontaktierungsbereichen besonders ausge prägte elektrische und mechanische Eigenschaften, beispiels weise ein minimierter Kontaktwiderstand oder eine optimierte Abriebfestigkeit, realisieren.

Anstelle von einer Durchführung zwischen dem ersten und dem zweiten Ende der Längserstreckung des dielektrischen Grund- körperteils können auch zwei Durchführungen zwischen dem ersten und zweiten Ende des Grundkörperteils ausgebildet werden. In diesem Fall lässt sich ein Hochfrequenz- Steckverbinder für ein differenzielles HochfrequenzSignal realisieren. Schließlich sind auch mehrere Paare von Durch führungen für einen Hochfrequenz-Steckverbinder für mehrere differenzielle Hochfrequenz-Signale möglich. Die Paare von Durchführungen zur Übertragung von mehreren differenziellen Hochfrequenz-Signalen können im dielektrischen Grundkörper teil jeweils sternförmig zueinander oder jeweils parallel zueinander angeordnet werden.

Das additive Fertigungsverfahren bietet vorteilhaft im Ge gensatz zur konventionellen Fertigungstechnologie die Mög lichkeit, sehr komplexe geometrische Formen im Steckbereich eines Hochfrequenz-Steckverbinders zu realisieren. Auf diese Weise lassen sich vollkommen neue Konturen zur elektrischen Kontaktierung im gesteckten Zustand und zur mechanischen Führung im Steckprozess zwischen einem Hochfrequenz- Steckverbinder und einem zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinders realisieren. Gleichzeitig lässt sich eine eingestellte Impedanz entlang der Längserstreckung des Hochfrequenz-Steckverbinders verwirklichen.

Hierzu werden am ersten Ende des Grundkörperteils des Hoch frequenz-Steckverbinders außenleiter- und innenleiterseitige Kontaktierungsbereiche zur elektrischen Kontaktierung mit zum zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder gehörigen außenleiter- und innenleiterseitigen Kontaktierungsberei chen ausgebildet. Jeweils einer der beiden Kontaktierungsbe reiche kann zusätzlich als Führungsbereich im Steckprozess dienen. Im Fall einer außenleiterseitigen und innenleiter seitigen Stirnkontaktierung wird keiner der beiden Kontak tierungsbereiche als Führungsbereich verwendet. Am zweiten Ende des Grundkörperteils des Hochfrequenz

Steckverbinders werden die außenleiter- und innenleitersei tigen Kontaktierungsbereiche zuzüglich der Führungsbereiche mit einem weiteren Hochfrequenz-Gegensteckverbinder, einem Hochfrequenzkabel oder einer Leiterplatte mit einer Hochfre quenzleitungsstruktur ausgebildet .

In einer ersten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungs verfahrens wird das Grundkörperteil an seinem ersten Ende außenleiterseitig in der Längsachsrichtung des Hochfrequenz- Steckverbinders verlängert. Die Verlängerung des Grundkör perteils wird hierbei buchsenförmig mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut. Diese buchsenförmige Verlän gerung des Grundkörperteils dient zur außenleiterseitigen Kontaktierung und zur Führung des Hochfrequenz- Steckverbinders und des zugehörigem Hochfrequenz- Gegensteckverbinders .

Dieser Hochfrequenz-Gegensteckverbinder kann bevorzugt eben falls mit einem additiven Fertigungsverfahren hergestellt werden. Alternativ kann der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder auch mittels eines konventionellen Fertigungsverfahrens her gestellt werden.

Unter einer außenleiterseitigen buchsenförmigen Verlängerung wird hierbei bevorzugt eine hülsenförmige Verlängerung zur Aufnahme eines stiftförmig ausgeformten Außenleiters eines

Hochfrequenz-Gegensteckverbinders verstanden .

Der Innendurchmesser der buchsenförmigen Verlängerung wird dabei so ausgebildet, dass bei einem korrespondierenden Au ßendurchmesser des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders eine form- oder kraftschlüssige Verbindung mit dem Außenleiter eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinders und damit ein guter elektrischer Übergangswiderstand herstellbar sind. Zur au- ßenleiterseitigen Kontaktierung des Hochfrequenz- Steckverbinders wird die außenleiterseitige Beschichtung an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils über die Innen mantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung geführt. Damit wird die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung zum außenleiterseitigen Kontaktierungsbereich.

Die Länge der buchsenförmigen Verlängerung des dielektri schen Grundkörperteils wird so ausgebildet _» dass einerseits eine ausreichende elektrische Kontaktierungsfläche zum Au ßenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders und anderer seits eine ausreichende Führungsfläche für den Hochfrequenz- Gegensteckverbinder im Hochfrequenz-Steckverbinder gesichert sind. Außerdem ist hiermit sichergestellt _» dass ein axialer Versatz und ein Winkelversatz zwischen dem Hochfrequenz- Steckverbinder und dem zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinder jeweils innerhalb technisch festgelegter Toleranzen liegen oder anderweitig abgefangen werden.

In einer zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstel lungsverfahrens wird das Grundkörperteil innenleiterseitig an seinem ersten Ende in der Längsachsrichtung des Hochfre quenz-Steckverbinders verlängert. Die Verlängerung des

Grundkörperteils wird hierbei stiftförmig mithilfe des addi tiven Fertigungsverfahrens aufgebaut. Die innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils dient einer seits zur innenleiterseitigen elektrischen Kontaktierung des Hochfrequenz-Steckverbinders mit einem zugehörigen Hochfre quenz-Gegensteckverbinder. Außerdem dient die innenleiter seitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils zur Führung des Hochfrequenz-Steckverbinders in einem bevorzugt buchsenförmig ausgeformten Innenleiter des Hochfrequenz- Gegensteckverbinders . Hinsichtlich der Auslegung des Außendurchmessers und der Länge der stiftförmigen innenleiterseitigen Verlängerung des Grundkörperteils in der zweiten Variante des erfindungsgemä ßen Herstellungsverfahrens gilt korrespondierend das obig zur Auslegung des Innendurchmessers und der Länge der buchsenförmigen außenleiterseitigen Verlängerung des Grundkör perteils Gesagte.

In der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils wird bevorzugt in der Längsachsrichtung des Hochfrequenz- Steckverbinders eine Durchführung, bevorzugt mindestens eine Durchführung, mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens ausgeformt. Auf diese Weise ist gesichert, dass die metalli sche Schicht auf der Außenoberfläche der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung zusammenhängend ohne Unterbre chung mit der innenleiterseitigen metallischen Schicht in der Durchführung des Grundkörperteils verbunden ist.

In einer bevorzugten Ausprägung der zweiten Variante des er findungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird eine innenlei terseitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils mit einer sternförmigen Struktur aufgebaut.

Unter einer Ausbildung einer sternförmigen Struktur der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils wird hierbei der Aufbau von mehreren im Wesentlichen gleich geformten Be reichen verstanden, die ausgehend vom innenleiterseitigen Bereich des Grundkörperteils jeweils in einem bestimmten Winkel zueinander benachbart bis zur Längsachse des Hochfre quenz-Steckverbinders verlaufen.

Die stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils mit sternförmiger Struktur bietet vorteilhaft eine Mehrfachkon taktierung zwischen der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung des zum Hochfrequenz-Steckverbinder gehörigen Grundkörperteils und dem zugehörigen buchsenförmigen Innen leiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders .

In einer ersten Untervariante der zweiten Variante des er findungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird die innenleiter seitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils aus einer Anzahl n von lamellenförmigen Bereichen aus dielektri schem Material aufgebaut. Hierbei schließen jeweils zwei be nachbarte lamellenförmige Bereiche einen Winkel von 360°/n ein. Diese 1a e11enförmigen Bereiche werden so aufgebaut, dass sie einerseits im Bereich der Längsachse des Hochfre quenz-Steckverbinders miteinander verbunden sind und ande rerseits jeweils im innenleiterseitigen Bereich des Grund körperteils mit dem restlichen Grundkörperteil verbunden sind. Zwischen zwei benachbarten lamellenförmigen Bereichen wird somit jeweils eine axiale Durchführung in der stiftför migen Verlängerung des Grundkörperteils ausgeformt.

Zur Verbesserung einer radialen Kontaktierung mit dem Hoch frequenz-Gegensteckverbinder, insbesondere zur Realisierung einer bevorzugt halbkugelförmigen radialen Kontaktierung, wird mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens an einer Stirnfläche jedes lamellenförmigen Bereiches jeweils eine Kontakterhöhung aufgebaut. Diese Kontakterhöhung weist eine Ausformung mit einem sich in Richtung des Kontaktierungs- punktes bzw. der Kontaktierungsfläche sich verkleinernden Querschnitt auf. Sie kann beispielsweise die Form einer Halbkugel, einer Hälfte eines Ellipsoids , einer Kegelspitze oder einer Pyramidenspitze annehmen.

Um einen ausreichenden Kontaktdruck von der innenleitersei tigen stiftförmigen Verlängerung des zum Hochfrequenz- Steckverbinder gehörigen Grundkörperteils auf den buchsen förmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders auszuüben, wird jeder lamellenförmige Bereich der schlitz- förmigen Verlängerung elastisch ausgebildet. Hierzu wird in jedem lamellenförmigen Bereich jeweils eine Durchgangsboh rung ausgeformt. Der Querschnitt der Durchgangsbohrung kann jede technisch sinnvolle Ausformung annehmen, beispielsweise kreisförmig, quadratisch, rechteckig, polygonal, elliptisch, oval, „bananenförmig" usw..

Alternativ können die einzelnen lamellenförmigen Bereiche der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung im Hin blick auf eine Elastizität auch aus einem elastischen die lektrischen Material aufgebaut werden.

Die Seitenflächen jedes einzelnen lamellenförmigen Bereiches der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils können so ausgeformt werden, dass sie eine radiale Querschnittskon tur eines Stiftes aufweisen. Bevorzugt kann neben einer ko nischen Ausformung auch eine konkav gewölbte Ausformung Ver wendung finden.

Alternativ zum Aufbau einer Kontakterhöhung an der Stirnflä che zur Realisierung einer radialen Kontaktierung wird in einer zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfin dungsgemäßen Herstellungsverfahrens ein Hochfrequenz- Steckverbinder hergestellt, in dem auf den beiden Seitenflä chen jedes lamellenförmigen Bereiches der stiftförmigen Ver längerung des Grundkörperteils jeweils eine Kontakterhöhung zur Realisierung einer lateralen Kontaktierung aufgebaut wird. Die Ausformung der Kontakterhöhung zur lateralen Kon taktierung entspricht der Kontakterhöhung zur radialen Kon taktierung.

Hierbei kontaktieren die Kontakterhöhungen an den beiden Seitenflächen jedes lamellenförmigen Bereiches der stiftför migen Verlängerung mit den Seitenflächen von jeweils benach barten und elastisch ausgebildeten Vorsprüngen, die in den Hohlraum eines buchsenförmigen Innenleiters des Hochfre quenz-Gegensteckverbinders hineinragen. Das Herstellungsver fahren eines Hochfrequenz-Steckverbinders mit derartigen in nenleiterseitigen Vorsprüngen wird weiter unten im Detail noch erläutert .

In einer dritten Untervariante der zweiten Variante des er findungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird ebenfalls eine stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils mit sternför miger Struktur hergestellt. Die innenleiterseitige stiftför mige Verlängerung des Grundkörperteils wird hierbei aus ei ner Anzahl n von rippenförmigen Bereichen aufgebaut . Hierbei schließen jeweils zwei benachbarte rippenförmige Bereiche einen Winkel von 360°/n ein. Diese rippenförmigen Bereiche werden so aufgebaut, dass sie einerseits im Bereich der Längsachse des Hochfrequenz-Steckverbinders miteinander ver bunden sind und andererseits jeweils im innenleiterseitigen Bereich des Grundkörperteils mit dem restlichen Grundkörper teil verbunden sind. Zwischen zwei benachbarten rippenförmi gen Bereichen wird somit ebenfalls jeweils eine axiale

Durchführung in der stiftförmigen Verlängerung des Grundkör perteils ausgeformt.

An den Stirnflächen der einzelnen rippenförmigen Bereiche der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils wird im Hinblick auf eine verbesserte radiale Kontaktierung, bevor zugt einer halbkugelförmigen radialen Kontaktierung, jeweils eine Kontakterhöhung aufgebaut .

Zur Erhöhung des Kontaktdruckes der einzelnen rippenförmigen Bereiche der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung auf den buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz- Gegensteckverbinders wird durch Ausformung einer Durchgangs- bohrung, insbesondere durch Ausformung von mindestens einer Durchgangsbohrung, in jedem rippenförmigen Bereich jeweils eine Elastizität erzeugt. Gegenüber den lamellenförmigen Be reichen weisen die rippenförmigen Bereiche bei ansonsten gleicher Dimensionierung eine höhere Elastizität auf.

In einer vierten üntervariante der zweiten Variante des er findungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird die innenleiter seitige stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils aus einer Anzahl n von federarmförmigen Bereichen aus einem die lektrischen Material aufgebaut. Hierbei schließen zwei zuei nander benachbarte federarmförmige Bereiche jeweils einen Winkel von 360°/n ein. Die einzelnen Federarme werden je weils so aufgebaut, dass sie jeweils beabstandet durch einen Winkel von 360°/n zueinander mit dem innenleiterseitigen Be reich des Grundkörperteils verbunden sind.

Zur Verbesserung einer radialen Kontaktierung mit dem Hoch frequenz-Gegensteckverbinder wird mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens an einer radial nach außen gerichteten Außenoberfläche jedes federarmförmigen Bereiches jeweils ei ne Kontakterhöhung aufgebaut .

Aufgrund ihrer federarmförmigen Ausformung weist jeder fe derarmförmige Bereich der stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils jeweils eine Elastizität auf, die einen ausreichenden Kontaktdruck auf den zu kontaktierenden buch senförmigen Innenleiter des Hochfrequenz- Gegensteckverbinders ausübt.

Die Anzahl der federarmförmiges Bereiche und die Länge der federarmförmigen Bereiche in Längsachsrichtung des Hochfre quenz-Steckverbinders sind derart auszugestalten, dass ei nerseits eine ausreichende elektrische Kontaktierung mit dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder und eine sichere Führung des Hochfrequenz-Steckverbinders im buchsenförmigen Innen leiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders gesichert ist. In einer dritten Variante des erfindungsgemäßen Herstel lungsverfahrens wird am ersten Ende des Grundkörperteils in nenleiterseitig eine hülsenförmige Verlängerung aufgebaut. Diese hülsenförmige Verlängerung wird an ihrem distalen Ende mehrfach geschlitzt ausgeformt, um mehrere durch einen

Schlitz jeweils voneinander beabstandete Federlaschen auszu bilden. An den distalen Enden der einzelnen Federlaschen werden mittels des additiven Fertigungsverfahrens jeweils radial nach außen verlaufende Kontakterhöhungen aufgebaut.

Die aus einzelnen Federlaschen ausgeformte hülsenförmige Verlängerung kontaktiert mit den zugehörigen radial nach au ßen verlaufenden Kontakterhöhungen mit dem buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders . Die ein zelnen Federlaschen werden hierbei mittels des additiven Fertigungsverfahrens so ausgeformt, dass die hülsenförmige Verlängerung eine ausreichende Elastizität aufweist, mit der sie im gesteckten Zustand einen ausreichenden Kontaktdruck auf den Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ausübt. Über eine ausreichende Längserstreckung der hülsen förmigen Verlängerung des Grundkörperteils wird der Hochfre quenz-Steckverbinder in dem buchsenförmig ausgeführten In nenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders gesichert geführt .

Die metallische Beschichtung wird hierbei bevorzugt von der Innenmantelfläche des Grundkörperteils über die gesamte in nenleiterseitige hülsenförmige Verlängerung des Grundkörper teils geführt.

Bevorzugt erfolgt die Kontaktierung der hülsenförmigen Ver längerung des zum Hochfrequenz-Steckverbinder gehörigen Grundkörperteils mit einer innenleiterseitig am Kontaktie- rungsende des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ausgeformten Stufe.

In einer vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstel lungsverfahrens wird am ersten Ende des Grundkörperteils keine Verlängerung des Grundkörperteils aufgebaut. Das erste Ende des Grundkörperteils bildet folglich eine durchgehende Stirnfläche. Diese Stirnfläche am ersten Ende des Grundkör perteils wird innenleiter- und/oder außenleiterseitig, be vorzug innenleiter- und außenleiterseitig, jeweils derart mit einer metallischen Schicht beschichtet, dass ein innen leiterseitiger und ein außenleiterseitiger Kontaktbereich zur innenleiter- bzw. außenleiterseitigen Stirnkontaktierung mit einem zugehörigen innenleiter- bzw. außenleiterseitigen Kontaktbereich eines Hochfrequenz-Gegensteckverbinders aus gebildet wird.

Um einen Winkelversatz zwischen dem Hochfrequenz- Steckverbinder und dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder zu verhindern, wird am ersten Ende des Grundkörperteils innen leiterseitig und/oder außenleiterseitig jeweils eine Verlän gerung aufgebaut. Innerhalb dieser Verlängerung des Grund körperteils wird ein Hohlraum ausgeformt . Auf diese Weise wird innenleiterseitig bzw. außenleiterseitig jeweils eine in Längsachsrichtung wirkende Elastizität realisiert, die einen Winkelversatz zwischen den Stirnflächen des Hochfre quenz-Steckverbinders und des zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinders im gesteckten Zustand ausgleicht.

Die Verlängerung des Grundkörperteils und der zugehörige Hohlraum in der Verlängerung des Grundkörperteils können je weils beispielsweise ring- oder hülsenförmig ausgeformt wer den. Alternativ ist auch eine Realisierung aus mehreren bei spielsweise halbkugelförmigen Verlängerungen des Grundkörperteils denkbar, die jeweils auf einem innenleiterseitigen bzw. außenleiterseitigen Kreis _» Ellipse oder Rechteck um die Längsachse des Hochfrequenz-Steckverbinders aufgebaut wer den. Innerhalb dieser beispielsweise halbkugelförmigen Ver längerungen des Grundkörperteils werden jeweils zugehörige lokal begrenzte Hohlräume ausgeformt.

Um einen axialen Versatz zwischen dem Hochfrequenz- Steckverbinder und dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder im gesteckten Zustand zu verhindern _» kann einerseits eine elektrisch isolierende Hülse auf den Hochfrequenz- Steckverbinder aufgepresst werden _» die über das erste Ende des Grundkörpers hinausragt. Der Innendurchmesser dieser Hülse wird hierbei so ausgelegt _» dass der Hochfrequenz- Gegensteckverbinder bei gegebenem Außendurchmesser seines Außenleiters innerhalb der Hülse bevorzugt ohne axiales Spiel geführt wird. Eine andere Variante zur Verhinderung eines axialen Versatzes kann auch eine buchsenförmige Ver längerung des Grundkörpers im Sinne der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens sein.

In einer bevorzugten Erweiterung der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird außenleiter seitig und benachbart zum ersten Ende des Grundkörperteils am Grundkörperteil eine radial nach außen verlaufende Kon takterhöhung _» bevorzugt eine ringförmige Kontakterhöhung _» aufgebaut .

Mit einem derart hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinder lässt sich vorteilhaft die außenleiterseitige Kontaktierung mit einem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder im Hinblick auf eine lokal begrenzte und radial gerichtete Kontaktierung op timieren. Der zugehörige Hochfrequenz-Gegensteckverbinder ist ein Hochfrequenz-Steckverbinder _» der eine nach der ers ten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellte außenleiterseitige buchsenförmige Verlängerung des Grundkörperteils aufweist.

Bevorzugt wird mithilfe des additiven FertigungsVerfahrens ein Bereich des Grundkörperteils, der zur radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung benachbart ist, elastisch aus gebildet. Durch diese zusätzliche Elastizität wird vorteil haft von der radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung ein ausreichender Kontaktdruck auf den Außenleiter des Hoch frequenz-Gegensteckverbinders ausgeübt, um einen niedrigen elektrischen Kontaktwiderstand zu realisieren.

Dieser elastisch auszubildende Bereich des Grundkörperteils kann hierbei mittels des additiven FertigungsVerfahrens aus einem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden. Alternativ kann mittels des additiven Fertigungsverfahrens auch mindestens ein Hohlraum im elastisch auszubildenden Be reich des Grundkörperteils ausgeformt werden.

In einer weiteren bevorzugten Erweiterung der ersten Varian te des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens werden mit tels eines additiven Fertigungsverfahrens benachbart zum ersten Ende des Grundkörperteils innenleiterseitig am Grund körperteil mehrere in die Durchführung des Grundkörperteils hineinragende Vorsprünge aufgebaut . Diese Vorsprünge werden jeweils an der Innenmantelfläche des Grundkörperteils als lokal begrenzte Verbreiterungen des Grundkörperteils ausge bildet. Jeweils zwei benachbarte Vorsprünge werden an der Innenmantelfläche des Grundkörperteils in einem derartigen Winkelabstand zueinander aufgebaut, dass dazwischen eine in nenleiterseitige Führung und gleichzeitig eine laterale in nenleiterseitige Kontaktierung eines membranförmigen Berei ches einer stiftförmigen Verlängerung des Grundkörperteils des Hochfrequenz-Gegensteckverbinder möglich sind. Der zuge hörige Hochfrequenz-Gegensteckverbinder ist ein Hochfre- quenz-Steckverbinder, der nach der zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfah rens hergestellt wird.

Um einen ausreichenden Kontaktdruck zwischen den einzelnen Vorsprüngen und den einzelnen lamellenförmigen Bereichen zu verwirklichen, werden die einzelnen Vorsprünge jeweils elas tisch ausgebildet. Hierzu werden sie entweder jeweils aus einem elastischen dielektrischen Material und/oder durch ei ne entsprechende elastische Formgebung aufgebaut.

Von der Erfindung ist auch ein erfindungsgemäßer Hochfre quenz-Steckverbinder mit abgedeckt, der nach dem erfindungs gemäßen Herstellungsverfahren hergestellt wird, wie es obig in seinen einzelnen technischen Ausprägungen und technischen Facetten dargestellt wurde.

Die obigen Ausgestaltungen und Weiterbildungen lassen sich, sofern sinnvoll, beliebig miteinander kombinieren und neben einander anordnen. Weitere mögliche Ausgestaltungen, Weiter bildungen und Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Fol genden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmale der Erfindung. Insbesondere wird dabei der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der vorliegenden Erfindung hinzufü gen.

INHALTSANGABE DER ZEICHNUNG

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand der in den schematischen Figuren der Zeichnung angegebenen Ausführungs beispiele näher erläutert . Es zeigen dabei : Fig, 1A, 1B, IC eine Querschnittsdarstellung einer Grund

struktur des erfindungsgemäßen Hochfrequenz- Steckverbinders in den einzelnen Fertigungs- schritten des erfindungsgemäßen Verfahrens,

Fig. 2A,2B eine vertikale und horizontale Querschnitts darstellung einer Grundstruktur des erfin dungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders für ein differentielles Hochfrequenzsignal,

Fig. 3 eine Querschnittsdarstellung einer Grund

struktur des erfindungsgemäßen Hochfrequenz- Steckverbinders mit vollständiger Füllung der Durchführung mit Beschichtungsmaterial,

Fig. 4A, 4B eine isometrische Darstellung eines nach der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfah rens hergestellten Hochfrequenz- Steckverbinders und eines zugehörigen Hoch frequenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. 4C, 4D zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfah rens hergestellten Hochfrequenz- Steckverbinders ,

Fig. 4E, 4F zwei Querschnittsdarstellungen des zugehöri gen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. 4G eine Querschnittsdarstellung eines nach der ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfah rens hergestellten Hochfrequenz- Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder , Fig. 5A, 5B eine isometrische Darstellung eines nach der ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten

Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zuge hörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. 5C, 5D zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders ,

Fig. 5E, 5F zwei Querschnittsdarstellungen des zugehöri gen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. 5G eine Querschnittsdarstellung eines nach der ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinder,

Fig. 6A, 6B eine isometrische Darstellung eines nach der zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestell ten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinders ,

Fig. 6C, 6D zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestell ten Hochfrequenz-Steckverbinders,

Fig. 6E, 6F zwei Querschnittsdarstellungen des zugehöri gen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders , Fig. 6G eine Querschnittsdarstellung eines nach der zweiten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens bergesteil ten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteck ten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinder,

Fig 7A, 7B eine isometrische Darstellung eines nach der dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestell ten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinders ,

Fig. 7C, 7D zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders,

Fig. 7E, 7F zwei Querschnittsdarstellungen des zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. 7G eine Querschnittsdarstellung eines nach der dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinder,

Fig. 8A, 9B eine isometrische Darstellung eines nach der vierten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders und eines zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinders _»

Fig. 8C, 8D zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der vierten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestell ten Hochfrequenz-Steckverbinders,

Fig. 8E, 8F zwei Querschnittsdarstellungen des zugehöri gen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. 8G eine Querschnittsdarstellung eines nach der vierten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestell ten Hochfrequenz-Steckverbinders im gesteck ten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinder,

Fig. 9A, 9B eine isometrische Darstellung eines nach der dritten Variante des erfindungsgemäßen Ver fahrens hergestellten Hochfrequenz-Steck verbinders und eines zugehörigen Hochfre quenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. 9C, 9D zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der dritten Variante des erfindungsgemäßen Ver fahrens hergestellten Hochfrequenz- Steckverbinders ,

Fig. 9E, 9F zwei Querschnittsdarstellungen des zugehöri gen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. 9G eine Querschnittsdarstellung eines nach der dritten Variante des erfindungsgemäßen Ver fahrens hergestellten Hochfrequenz-Steck- verbinders im gesteckten Zustand mit dem zu gehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder,

Fig. 10A, 10B eine isometrische Darstellung eines nach der vierten Variante des erfindungsgemäßen Ver fahrens hergestellten Hochfrequenz- Steckverbinders und eines zugehörigen Hoch frequenz-Gegensteckverbinders ,

Fig. IOC, 10D zwei Querschnittsdarstellungen eines nach der vierten üntervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestell ten Hochfrequenz-Steckverbinders,

Fig. 10E, 10F zwei Querschnittsdarstellungen des zugehöri gen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders und

Fig. 10G eine Querschnittsdarstellung eines nach der vierten Variante des erfindungsgemäßen Ver fahrens hergestellten Hochfrequenz- Steckverbinders im gesteckten Zustand mit dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder,

Die beiliegenden Figuren der Zeichnung sollen ein weiteres Verständnis der Ausführungsformen der Erfindung vermitteln. Sie veranschaulichen Ausführungsformen und dienen im Zusam menhang mit der Beschreibung der Erklärung von Prinzipien und Konzepten der Erfindung. Andere Ausführungsformen und viele der genannten Vorteile ergeben sich im Hinblick auf die Zeichnungen. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu zueinander gezeigt.

In den Figuren der Zeichnung sind gleiche, funktionsgleiche und gleich wirkende Elemente, Merkmale und Komponenten - so- fern nichts anderes ausgeführt ist - jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen.

Im Folgenden werden die Figuren zusammenhängend und über greifend beschrieben.

Beschreibung von Ausführungsbeispielen

Im Folgenden wird das Prinzip des erfindungsgemäßen Verfah rens zur Herstellung eines Hochfrequenz-Steckverbinders an hand der Figuren 1A bis IC erläutert:

In einem ersten Fertigungsschritt gemäß Fig. 1A wird ein Grundkörperteil 1 des erfindungsgemäßen Hochfrequenz- Steckverbinders 2 aus einem dielektrischen Material herge stellt. Das Grundkörperteil 1 weist eine einzige Durchfüh rung 4 auf, die entlang der Längsachse 3 verläuft. Die Geo metrie des dielektrischen Grundkörperteils 1 muss nicht zwingend hohlzylindrisch sein, wie in den Figuren 1A bis IC aus Gründen der Vereinfachung dargestellt ist. Andere von einer hohlzylindrischen Geometrie abweichende Geometrien für das Grundkörperteil 1, beispielsweise für einen Hochfre quenz-Winkelsteckverbinder, sind auch denkbar.

Bevorzugt ist die Geometrie des Grundkörperteils 1 rotati onssymmetrisch zur Längsachse 3 ausgeformt, um mit dem als Isolatorelement dienenden Grundkörperteil 1 eine Koaxialitat zwischen der Innenleiter- und der Außenleiterbeschichtung des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 zu rea lisieren. Diese Koaxialität ist eine wesentliche Vorausset zung für eine hochfrequenztechnisch optimierte Übertragung eines unsymmetrischen Hochfrequenzsignals innerhalb des Hochfrequenz-Steckverbinders. Ausgehend von dieser rotati onssymmetrischen Grundgeometrie des Grundkörperteils 1 kön nen insbesondere im Hinblick auf weitere mechanische und elektrische Funktionen bzw. Optimierungen zusätzliche tech nisch sinnvolle geometrische Modifikationen durchgeführt werden. Mittels Anwendung von additiven Fertigungstechnolo- gien bei der Herstellung des Grundkörperteils 1 sind hierbei vergleichsweise komplexe technische Geometrien und miniatu risierte Ausformungen bis in den Mikro- und Nanometerbereich realisierbar .

In einem weiteren Fertigungsschritt gemäß Fig. 1B wird das dielektrische Grundkörperteil 1 mit einer elektrisch leitfä higen Beschichtung 5 beschichtet. Die Beschichtung 5 um schließt das dielektrische Grundkörperteil 1 vollständig. Selbst bei vergleichsweise komplexen geometrische Ausformun gen des Grundkörperteils 1 ist die gesamte Außenoberfläche des Grundkörperteils 1 mit einer elektrisch leitfähigen Be schichtung 5 lückenlos versehen. Die elektrisch leitfähige Beschichtung 5 enthält typischerweise eine elektrisch leit fähige Schicht, d.h. eine metallische Schicht.

Bei Anwendung eines elektrochemischen Beschichtungsverfah rens ist das dielektrische Grundkörperteil 1 mittels eines nicht elektrochemischen Beschichtungsverfahrens mit einer elektrisch leitfähigen, bevorzugt einer metallischen, Start schicht zu beschichten. Auf diese Startschicht wird darauf hin die eigentliche metallische Schicht aufgebaut.

Daneben kann das dielektrische Grundkörperteil 1 über die gesamte Oberfläche oder bevorzugt selektiv in bestimmten Be reichen jeweils mehrere metallische Schichten aufweisen, um mit dieser Mehrfachbeschichtung besondere mechanische und elektrische Eigenschaften zu erzielen. Insbesondere im au ßenleiterseitigen und innenleiterseitigen Kontaktierungsbe reich 7n und 712 des erfindungsgemäßen Hochfrequenz- Steckverbinders 2 mit einem zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinder am ersten Ende 6i des Grundkörperteils 1 stellen sich erhöhte mechanische und elektrische Anforderun gen. Beispielsweise eine zusätzliche Goldschicht in den bei den Kontaktierungsbereichen 7u und 1 ₂ bewirkt vorteilhaft eine höhere Abriebfestigkeit und gleichzeitig einen geringe ren Kontaktwiderstand. Aber auch in den außenleiterseitigen und innenleiterseitigen Kontaktierungsbereichen Ί21 und I22 am zweiten Ende 6 ₂ des Grundkörperteils 1, die beispielsweise mit einem weiteren Hochfrequenz-Gegensteckverbinder kontak tieren, können sich erhöhte mechanische und elektrische An forderungen stellen, die eine mehrschichtige Beschichtung erforderlich machen.

Im abschließenden dritten Fertigungsschritt wird gemäß Fig,

IC die elektrisch leitfähige Beschichtung 5, die aus mindes tens einer metallischen Schicht zusammengesetzt ist, in ei nem. die Durchführung 5 jeweils umschließenden Bereich 34i und 34 ₂ am ersten Ende 6 ₁ bzw. am zweiten Ende 6 ₂ des erfindungs gemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 entfernt. Auf diese Weise bilden sich auf der Außenoberfläche des Grundkörper teils 1 in sich geschlossenen Bereiche der Beschichtung 5, die jeweils voneinander elektrisch getrennt sind. Der eine Bereich ist der Bereich auf der Außenmantelfläche des Grund körperteils 1, der bis in Stirnflächen an den beiden Enden des Grundkörperteils 1 hineinreicht und den Außenleiter des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bildet. Der andere Bereich ist der Bereich in der Durchführung 5, der bis in Stirnflächen an den beiden Enden des Grundkörperteils 1 hineinreicht und den Innenleiter des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bildet. Die ursprüngliche Be schichtung teilt sich durch diesen Fertigungsschritt in eine außenleiterseitige Beschichtung 5i und eine innenleiterseiti ge Beschichtung 5 ₂ auf. Am ersten Ende 6 ₁ des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 bildet sich ein außenleiterseitiger Kon taktierungsbereich 7n und ein innenleiterseitiger Kontaktie rungsbereich 7 ₁₂ . Am zweiten Ende 6 ₂ des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 bildet sich ein außenleiterseitiger Kon taktierungsbereich 721 und ein innenleiterseitiger Kontaktie rungsbereich 722.

Auf diese Weise ist ein erfindungsgemäßer Hochfrequenz- Steckverbinder 2 für ein Hochfrequenzsignal mittels drei

Landerfolgender und typischerweise automatisierbarer Fertigungsschritte herstellbar. Eine Einzelteilfertigung für das Innenleiterelement , das Isolatorelement und das Außen- l i ^< · element und eine anschließende vergleichsweise auf wendige Montage ist nicht erforderlich.

Aus de 2A und 2B geht eine Grundstruktur eines er findungsgemäßen Steckverbinders 2 für ein differenzielles Hochfrequenzsignal hervor . Es werden mittels des ad ditiven Fertigungsverfahrens zwei Durchführungen 4i und 4 ₂ ausgebildet, die jeweils vom ersten Ende 6i zum zweiten Ende 62 in Längserstreckung des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 verlaufen. Die Beschichtungen Sa ¹ bzw. 5 ₂ ² in den beiden Durchführungen 4i und 4 ₂ dienen jeweils als Innenleiter, wäh rend die Beschichtung 5i an der Außenmantelfläche den Außen bildet. Anstelle von zwei Durchführungen 4i und 4 ₂ kann eine beliebige und technisch sinnvolle Anzahl von

Durchführungspaaren ausgebildet werden, deren Innenbeschich tung jeweils die Innenleiterpaare zur Übertragung von je weils einem enziellen Hochfrequenzsignal verwirklicht .

Die einzelnen Paare von Durchführungen können innerhalb des Grundkörperteils 1 entweder zueinander überkreuzt oder zuei nander parallel ausgebildet werden .

Eine weitere Ausprägung einer Grundstruktur für einen erfin dungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 geht aus Fig . 3 hervor . Hierbei wird die Durchführung 4 des Grundkörperteils 1 mittels selektiver Beschichtung vollständig mit Beschich tungsmaterial gefüllt . Alterna .ch eine Be- Schichtung innerhalb der Durchführung 4 realisieren, die im Vergleich zur außerleiterseitigen Beschichtung 5i eine größe re Schichtdicke aufweist und gleichzeitig die Durchführung 4 nicht vollständig ausfüllt. Eine derartige selektive Be schichtung, die eine vergrößerte Schichtdicke im Innenlei terberreich aufweist, ist vor allem für die Übertragung ei nes Hochfrequenzsignals in einem höheren Leistungsbereich vorteilhaft .

Eine mittels selektiver Beschichtung durchgeführte erhöhte Schichtdicke in einem Kontaktierungsbereich 7u, 712, 7 _2i und 7 ₂₂ des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 er möglicht eine Verlängerung der durch Abrieb im Kontaktie rungsbereich sich stetig verkürzenden Standzeit eines Hoch frequenz-Steckverbinders .

Die Figuren 4A, 4B 4C, 4D, 4E, 4F und 4G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer ersten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens herge stellt wird. Mittels des additiven Fertigungsverfahrens wird hierbei im Bereich des ersten Endes 6 ₁ des dielektrischen Grundkörperteils 1 ausgehend vom im Wesentlichen hohlzylind rischen ausgeformten Grundkörperteil 1 außenleiterseitig ei ne buchsenförmige Verlängerung 9 des Grundkörperteils 1 auf gebaut. Die buchsenförmige Verlängerung 9 des Grundkörper teils 1 ragt hierbei in Längsachsrichtung des Hochfrequenz steckverbinders über die Stirnfläche 10 am ersten Ende 6 ₁ des Grundkörperteils hinaus.

Der innenleiterseitige Kontaktierungsbereich I12 eines derart hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird durch eine innenleiterseitig auf der Stirnfläche 10 aufgebrachte innen leiterseitige Beschichtung 5 ₂ realisiert. Dieser innenleiter seitige Kontaktierungsbereich 712 bildet mit einem innenlei terseitigen Kontaktierungsbereich Ί12 ' , der sich auf einer gegenüberliegenden Stirnfläche 10' eines zugehörigen Hoch frequenz-Gegensteckverbinders 2' befindet, eine Stirnkontak tierung,

Der außenleiterseitige Kontaktierungsbereich 7n eines derart hergestellten Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird durch die außenleiterseitige Beschichtung 5i auf der Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung 9 des Grundkörperteils 1 verwirklicht. Hierzu wird bevorzugt die außenleiterseitige Beschichtung 5i des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 von der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1 über mehrere

Schlitze 11, die mittels des additiven Fertigungsverfahrens im Übergangsbereich 12 zwischen der buchsenförmigen Verlän gerung 9 und dem Grundkörperteil 1 ausgebildet werden, auf die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung 9 ge führt. Auf diese Weise wird die außenleiterseitige Beschich tung 5i über die gesamte Längserstreckung des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 im gleichen radialen Ab stand zur Längsachse 3 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 und damit koaxial zur innenleiterseitigen Beschichtung 5 ₂ geführt. Dieser außenleiterseitige Kontaktierungsbereich 7n bildet mit einem außenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 7n ' , der sich auf der Außenmantelfläche eines zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' befindet, eine radial gerichtete Kontaktierung.

Eine elektrische Trennung zwischen dem außenleiterseitigen Kontaktbereich 7n und dem innenleiterseitigen Kontaktbereich 712 wird dadurch verwirklicht, dass ein zwischen dem außen leiterseitigen Kontaktbereich 7u und der buchsenförmigen Verlängerung 9 befindlicher Bereich der Stirnfläche 10 des Grundkörperteils 1 nicht beschichtet wird.

Der zugehörige Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 ' kann mit einem konventioneller Fertigungsverfahren hergestellt wer- den. Alternativ kann der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder

2', wie aus den Figuren 4F und 4G hervorgeht, auch erfin dungsgemäß in einem additiven Fertigungsverfahren herge stellt werden.

Der erfindungsgemäß in einem additiven Fertigungsverfahren hergestellte Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' ist in die sem Fall ein nach der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellter Hochfrequenz- Steckverbinder 2 mit Stirnkontaktierung, der weiter unten noch erläutert wird. Die Stirnkontaktierung beschränkt sich hierbei auf die innenleiterseitige Kontaktierung über einen innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 7 _{2 '} , da die außen leiterseitige Kontaktierung über eine radiale Kontaktierung verwirklicht wird.

Zur Verbesserung der außenleiterseitigen Kontaktierung zwi schen dem Hochfrequenz-Steckverbinder 2 und dem zugehörigen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 ' wird in einer bevorzug ten Erweiterung der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens eines Hochfrequenz-Steckverbinders gemäß der Figuren 4F und 4G an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1 im Bereich des ersten Endes des Grundkör perteils 1 mittels des additiven Fertigungsverfahrens eine radial nach außen verlaufende Kontakterhöhung 13, bevorzugt eine ringförmige Kontakterhöhung 13, aufgebaut. Diese radial nach außen verlaufende Kontakterhöhung 13 ermöglicht nähe rungsweise einen linienförmigen Kontakt zwischen der Innen- mantelflache der zum Hochfrequenz-Steckverbinder 2 gehörigen buchsenförmigen Verlängerung 9 und der Außenmantelfläche des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2 ' . Um einen ausreichenden Kontaktdruck von der radial nach außen verlaufenden Kontak terhöhung 13 auf die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlängerung 9 auszuüben, wird der zur radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung 13 benachbarte Bereich des Grundkörperteils 1 ' sgebildet . Dies kann, wie in 4F und 4G dargestellt ist, ein Hohlraum 14 sein, der mittels des additiven Fertigungsverfahren in einem zur radial nach außen verlaufenden Kontakterhöhung 13 benachbar ten Bereich des Grundkörperteils 1 ' ausgeformt wird. Alter nativ kann der zur radial nach außen verlaufenden Kontakter höhung 13 beim i^-irte Ber< ' d s Grundkörperteils 1' auch mittels des additiven Fer igungsverfahrens mit einem elasti schen dielektrischen Material aufgebaut werde .

Im Hinblick auf , ußenleiterseitige Kontaktierung und eine gute mechanische Führung wird der Innendurchmesser der buchsenförmigen Verlängerung 9 zuzüglich der außenlei terseitigen Beschichtung 5i an den Außendurchmesser des zuge hörigen Hochfrequenz-Gege: kverbinders 2 angepasst . Die

Länge der buchsenförmigen Verlängerung 9 ist ausreichend zu bemessen, um ebenfalls eine gute Führung des Hochfrequenz- Gegensteckverbinders 2 ' im Hochfrequenz-Steckverbinder 2 zu sichern. Die Innenmantelfläche der buchsenförmigen Verlänge rung 9 des Grundkörperteils 1 des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 dient nicht nur als außenleiterseitiger Kontaktierungsbereich 7u, sondern auch in Kombination mit der Außenmantelfläche des Hochfrc t z-Gegensteckverbinders als Führungsbereich .

In einer zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird ein Hochfrequenz-Steckverbinder 2 mit einer innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung 15 her gestellt. Die stiftför längerung 15 des Grundkörper teils 1 ragt hierbei in Längsachsrichtung des Hochfrequenz- steckverbinders über die Stirnfläche 10 am ersten Ende 6i des Grundkör erteils hinaus .

In einer bevorzugten Ausformung innenleiterseitige stiftförmige Verlängerung eine sternförmige Struktur auf . Diese sternförmige Struktur ermöglicht vorteilhaft eine Mehrfachkontaktierung zwischen der innenleiterseitigen stiftförmigen Verlängerung 15 und. einem zugehörigen primär buchsenförmigen Innenleiter eines zugehörigen Hochfrequenz- Gegensteckverbinders 2 ' .

Die Figuren 5A, 5B, 5C, 5D, 5E, 5F und 5G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer ersten Untervariante dieser zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird. In der ersten Un tervariante wie auch in der darauffolgend erläuterten zwei ten Untervariante einer stiftförmig ausgebildeten innenlei terseitigen Verlängerung 15 des Grundkörperteils 1 werden als stiftförmige Verlängerung 15 jeweils mehrere lamellen förmige Bereiche auf den Grundkörperteil 1 mittels additiver Fertigungstechnologie aufgebaut.

Die lamellenförmige Bereiche 16i, 16 ₂ , I6 ₃ und I64 der stift- förmigen Verlängerung 15 mit sternförmiger Struktur werden mittels des additiven Fertigungsverfahrens am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 derart auf das Grundkörperteils 1 aufgebaut, dass jeweils zwei benachbarte lamellenförmige Be reiche I6 ₁ , I6 ₂ , I6 ₃ und I6 ₄ jeweils einen Winkel , bevorzugt einem gleichen Winkel , einschließen. Der Winkel ergibt sich aus der Anzahl n von lamellenförmigen Bereichen und ent spricht 360°/n. Somit werden die einzelnen la ellenförmigen Bereiche innerhalb der stiftförmigen Verlängerung 15 radial und damit sternförmig zur Längsachse 3 des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 ausgerichtet . Die einzelnen lamellenförmi gen Bereiche I6 ₁ , I6 ₂ , I6 ₃ und I6 ₄ werden so aufgebaut , dass sie im Bereich der Längsachse 3 miteinander verbunden sind. Durch den additiven Aufbau sind jeweils zwei benachbarte la mellenförmige Bereiche I61, I6 ₂ , I6 ₃ und I64 j eweils in einem Winkel von 360°/n voneinander beabstandet mit dem Grundkör- perteil 1 _» bevorzugt mit der Innenmantelfläche des hohlzy lindrischen Grundkörperteils 1, verbunden.

Durch den radial bzw. sternförmig ausgerichteten Aufbau der einzelnen lamellenförmige Bereiche 16i, I6 ₂ , I6 ₃ und I6 ₄ wer den in der stiftförmigen Verlängerung 15 eine der Anzahl von lamellenförmige Bereichen entsprechende Anzahl von axialen Durchführungen 17i, 17 ₂ , 17 ₃ und 17 ₄ ausgebildet. Über diese axialen Durchführungen 17i, 17 ₂ , 17 ₃ und 17 ₄ wird die gesamte stiftförmige Verlängerung 15 mit allen ihren lamellenförmi- gen Bereichen I61, I62 , I6 ₃ und I6 ₄ zusammenhängend mit der innenleiterseitigen Beschichtung 5 ₂ des Grundkörperteils 1 beschichtet .

Im Hinblick auf eine bessere Kontaktierung, d.h. eine bevor zugt halbkugelförmige Kontaktierung, zwischen der innenlei terseitigen stiftförmigen Verlängerung 15 des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 mit einem buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2 ' ist an der Stirnfläche jedes lamellenförmigen Bereiches I6 ₁ , I6 ₂ , I6 ₃ und I6 ₄ jeweils eine Kontakterhöhung 18 aufgebaut . Bei Vorliegen von Ferti gungstoleranzen und eines axialen Versatzes bzw. eines Win kelversatzes zwischen dem Hochfrequenz-Steckverbinder 2 und dem Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 ' ermöglicht die Kon- takterhöhung 18 gegenüber einem Flächenkontakt in einem Stirnflächensegment des einzelnen lamellenförmigen Bereiches eine sichere Kontaktierung .

Das radiale Querschnittsprofil jedes einzelnen lamellenför migen Bereiches , d.h. die Ausformung der Seitenflächen j edes einzelnen lamellenförmigen Bereiches , ist mithilfe des addi tiven Fertigungsverfahrene derart aufzubauen, dass einer seits ein einfaches Einführen der innenleiterseitigen stift förmigen Verlängerung 15 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 in die innenleiterseitige buchsenförmigen Ausformung des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2' möglich ist. Außerdem soll eine sichere innenleiterseitige Kontaktierung reali siert sein. Somit bietet sich eine konkav gewölbte Ausfor mung gemäß der Figuren 5A, 5C und 5G an. Alternativ ist auch eine konisch geformte Ausformung denkbar. Die bevorzugt halbkugelförmigen Kontakteerhöhungen 18 werden jeweils in Abhängigkeit der gewählten Ausformung der einzelnen lamel lenförmigen Bereiche in einem Abschnitt der Stirnfläche des lamellenförmigen Bereiches aufgebaut, in dem eine sichere Kontaktierung möglich ist.

Um einen ausreichenden Kontaktdruck von der Kontakterhöhung 18 an der Stirnfläche der einzelnen lamellenförmige Bereiche auf den buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz-

Gegensteckverbinders 2' auszuüben, werden die einzelnen la mellenförmigen Bereiche 16i , I62, I6 ₃ und I64 jeweils elas tisch ausgebildet. Bevorzugt werden hierbei mittels des ad ditiven Fertigungsverfahrens Durchgangsbohrungen 19 in den einzelnen lamellenförmigen Bereichen ausgeformt . Alternativ können die einzelnen lamellenförmigen Bereiche auch mit ei nem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden.

Bei einem Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach der ersten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens gefertigt wird, erfolgt somit zusam menfassend innenleiterseitig eine radiale Kontaktierung zwi schen den einzelnen lamellenförmige Bereichen I61, I62, I63 und I6 ₄ der stiftförmigen Verlängerung 15 des Grundkörper teils 1, die den innenleiterseitigen Kontaktbereich 1\2 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 bilden, mit einem innenlei terseitigen Kontaktbereich Ί12' des Hochfrequenz-Gegensteck verbinders 2'. Dieser innenleiterseitigen Kontaktbereich 7 _{I2 '} befindet sich in der Durchführung 4' auf der mit einer in nenleiterseitigen Beschichtung 5 ₂ versehenen Innenmantelflä- che des zum Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' gehörigen Grundkörperteils 1' .

Zur Realisierung des außenleiterseifigen Kontaktbereiches 7u des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird die außenleitersei tige Beschichtung 5i über einen bestimmten Bereich der Stirn fläche 10 am ersten Ende 6i des Grundkörperteils 1 geführt. Dieser außenleiterseitige Kontaktierungsbereich 7u des Hoch frequenz-Steckverbinders 2 befindet sich in einem Stirnkon takt mit einem gegenüberliegenden außenleiterseit!gen Kon taktierungsbereich 7 _H' , der außenleiterseitig an der Stirn fläche 10' am ersten Ende 6i des zum Hochfrequenz- Gegensteckverbinder 2 ' gehörigen Grundkörperteils 1 ' aufge baut wird. Der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2' kann in konventioneller wie auch in additiver Fertigungstechnologie hergestellt werden.

Eine elektrische Trennung zwischen dem außenleiterseitigen Kontaktbereich 7n und dem innenleiterseitigen Kontaktbereich 712 wird dadurch verwirklicht, dass ein zwischen dem außen leiterseitigen Kontaktbereich 7n und der stiftförmigen Ver längerung 15 befindlicher Bereich der Stirnfläche 10 des Grundkörperteils 1 nicht beschichtet wird.

Der innenleiterseitige Kontaktbereich 7i ₂ des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 bildet zusätzlich in Kombination mit der Innenmantelfläche des buchsenförmigen Innenleiters des Hoch frequenz-Gegensteckverbinders 2 ' den Führungsbereich der Hochfrequenzsteckverbindung.

Die Figuren 6h, 6B, 6C , 6D, 6E, 6F und 6G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer zur zweiten Variante gehörigen zweiten Untervariante des erfin dungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird. Auch bei der zur zweiten Variante gehörigen zweiten Unterva riante wird eine stiftförmige Verlängerung 15' des Grundkör perteils 1 mit einer sternförmigen Struktur aus mehreren sternförmig zueinander aufgebauten lamellenförmige Bereichen 16i ' , 16 _{2 '} , I6 _3' und 16 _{4 '} mithilfe eines additiven Fertigungs verfahrens aufgebaut. Im Unterschied zur ersten Untervarian te erfolgt die Kontaktierung zwischen den einzelnen lamel lenförmige Bereichen I6 _{1 '} , I62' _» lös' und I64 ' und dem Innen leiter des Hochfrequenz-Steckverbinders 2' lateral. Hierzu wird auf den beiden Seitenflächen jedes lamellenförmige Be reiches I6 _{1 '} , I6 _{2 '} , I6 _{3 '} und I6 _{4 '} jeweils eine Kontakterhöhung 18' aufgebaut .

Jede dieser bevorzugt halbkugelförmigen Kontakteerhöhungen 18' auf einem lamellenförmigen Bereich I61 ' , I62 ' , I6 ₃ ' und

I6 ₄ ' der stiftförmigen Verlängerung 15 ' des zum Hochfrequenz- Steckverbinder 2 gehörigen Grundkörperteils 1 kontaktiert in lateraler Richtung einen zugehörigen Vorsprung 20. Jeder einzelne Vorsprung 20 wird ausgehend vom hohlzylindrischen Grundkörpertei1 1' des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2 ' in einem zum ersten Ende 6 _{1 '} benachbarten Bereich des Grund körperteils 1 ' in die Durchführung 4 ' hineinragend mittels des additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut . Die einzelnen Vorsprünge 20 werden gemäß einem Hochfrequenz-Steckverbinder 2 aufgebaut, der nach einer bevorzugten Erweiterung der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfah rens entsprechend der Figuren 6E, 6F und 6G hergestellt wird. Die einzelnen Vorsprünge werden hierbei innerhalb des hohlzy1indrischen Grundkörperteils 1 ' so aufgebaut , dass zwischen jeweils zwei benachbarten Vorsprüngen 20 ein zuge höriger lamellenförmiger Bereich des Hochfrequenz- Steckverbinders sicher geführt wird.

Gleichzeitig werden die einzelnen Vorsprünge hierbei inner halb des hohlzylindrischen Grundkörperteils 1 ' so aufgebaut und ausgeformt, dass eine sichere Kontaktierung zu den Kon takterhöhungen 18 der jeweils benachbart eingeführten lamel lenförmige Bereiche des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 rea- wird.

Als Ausformungen der einzelnen Vorsprünge 20 bieten sich ra diale Querschnitte an, die entweder wie in Fig. 6E angedeu tet konisch ausgeführt oder konkav gewölbt sind. Zur Ver wirklichung eines ausreichenden Kontaktdruckes zwischen den Kontakterhöhungen 18 der einzelnen lamellenförmigen Bereiche der zum Hochfrequenz-Steckverbinder 2 gehörigen stiftförmi gen Verlängerung 15' des Grundkörperteils 1 und den zugehö rigen Vorsprüngen 20 des Hochfrequenz-Gege

2 ' bietet sich eine elastische Ausbildung der einzelnen Vor sprünge 20 an. Hierzu können die einzelnen Vorsprünge 20 in ver Fertigungstechnologie jeweils mit einem elasti schen dielektrischen Material aufgebaut werden . Alternativ ist auch eine elastische Ausformung der einzelnen Vorsprünge 20 beispielsweise mittels Ausformung von Hohlräumen inner halb der Vorsprünge 20 möglich.

Die außenleiterseitige Kontaktierung erfolgt über einen Stirnkontakt zwischen einem außenleiterseitigen Kontaktbe reich 7n auf der Stirnfläche 10 des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 und einem gegenüber1iegenden außenleiter seitigen Kontaktbereich 7u' auf der Stirnfläche 10' des Hochfrequenz-Gegenteckverbinders 2 ' .

Die Figuren 7A, 7B, 7C, 7D, 7E, 7F und 7G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 , der nach einer zur zweiten Variante gehörigen dritten Untervariante des erfin dungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird.

Bei der zur zweiten Variante gehörigen dritten Untervariante wird eine stiftförmige Verlängerung 15 des Grundkörper- teils 1 mit einer sternförmigen Struktur aus mehreren stern förmig zueinander aufgebauten rippenförmigen Bereichen 21i, 21 ₂ , 2I ₃ und 2I ₄ mithilfe eines additiven Fertigungsverfah rens aufgebaut .

Die rippenförmigen Bereiche 21i, 21 ₂ , 21 ₃ und 21 ₄ der stift förmigen Verlängerung 15 ' ' mit sternförmiger Struktur werden mittels des additiven Fertigungsverfahrens am ersten Ende 61 des Grundkörperteils 1 derart auf das Grundkörperteil 1 auf gebaut, dass jeweils zwei benachbarte rippenförmige Bereiche 21i, 2I ₂ , 2I ₃ und 2I ₄ jeweils einen Winkel, bevorzugt einem gleichen Winkel, einschließen. Der Winkel ergibt sich aus der Anzahl n von rippenförmigen Bereichen und entspricht

360°/n. Somit sind die einzelnen rippenförmigen Bereiche in nerhalb der stiftförmigen Verlängerung 15'" radial und damit sternförmig zur Längsachse 3 des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 ausgerichtet. Die einzelnen rippenförmigen Bereiche 21i, 21 ₂ , 21 ₃ und 21 ₄ werden so aufgebaut, dass sie im Bereich der Längsachse 3 miteinander verbunden werden. Durch den additiven Aufbau werden zwei benachbarte rippen förmige Bereiche 21i, 21 ₂ , 21 ₃ und 21 ₄ jeweils in einem Winkel von 360°/n zueinander beabsfandet mit dem Grundkörperteil 1, bevorzugt an der Innenmantelfläche des hohlzylindrisch

Grundkörperteils 1, verbunden.

Die sternförmige Struktur der stiftförmigen Verlängerung 15"' aus den einzelnen rippenförmigen Bereichen 21i, 2I2, 21 ₃ und 2I ₄ bildet eine der Anzahl von rippenförmigen Bereichen entsprechende Anzahl von axialen Durchführungen 22i, 22 ₂ , 22 ₃ und 22 ₄ aus. Über diese axialen Durchführungen 22i, 22 ₂ , 22 ₃ und 22 ₄ wird die gesamte stiftförmige Verlängerung 15'' mit allen ihren rippenförmigen Bereichen 21i, 21 ₂ , 21 ₃ und 21 ₄ zu sammenhängend mit der innenleiterseitigen Beschichtung 5 ₂ des Grundkörperteils 1 beschichtet. Der einzelne rippenförmige Bereich der stiftförmigen Verlän gerung 15'' des Grundkörperteils 1 weist radial nach innen und radial nach außen jeweils eine konkav gewölbte Stirnflä che auf . Auf der radial nach außen gerichteten Stirnfläche jedes rippenförmigen Bereiches 21i, 21 ₂ , 21 ₃ und 21 ₄ wird mit tels des additiven Fertigungsverfahrens jeweils eine Kontak terhöhung 23 aufgebaut. Über die Kontakterhöhungen 23 aller rippenförmigen Bereiche 21i, 21 ₂ , 21 ₃ und 21 ₄ wird eine radia le Mehrfachkontaktierung mit dem innenleiterseitigen Kontak tierungsbereich 7 _{2I '} auf der Innenmantelfläche des im Wesent lichen hohlzylindrisch ausgeformten Grundkörperteils 1' des Hochfrequenz-Gegensteck-verbinders 2' realisiert. Der Hoch frequenz-Gegensteck- erbinder 2 ' kann hierbei in konventio neller Fertigungstechnologie oder, wie in den Figuren 7E, 7F und 7G dargestellt ist, auch erfindungsgemäß in additiver Fertigungstechnologie hergestellt werden .

Um einen ausreichenden Kontaktdruck von der Kontakterhöhung 23 an der Stirnfläche der einzelnen rippenförmigen Bereiche auf den innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 7 _{2I '} im buchsenförmigen Innenleiter des Hochfrequenz- Gegensteckverbinders 2 ' auszuüben, werden die einzelnen rip penförmigen Bereiche 21i, 21 ₂ , 21 ₃ und 21 ₄ jeweils elastisch ausgebildet . Bevorzugt werden hierbei mittels des additiven Fertigungsverfahrens Durchgangsbohrungen 24 in den einzelnen rippenförmigen Bereichen ausgeformt . Alternativ können die einzelnen rippenförmigen Bereiche auch mit einem elastischen dielektrischen Material aufgebaut werden .

Beim erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 , der nach der zur zweiten Variante gehörigen dritten Untervarian te des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird, wird innenleiterseitig eine radiale Kontaktierung rea lisiert . Außenleiterseitig wird in Äquivalenz zur ersten und zweiten U tervariante der zweiten Variante des erfindungsge- mäßen Herstellungsverfahrens eine Stirnkontaktierung mit dem

Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2 verwirklicht.

Die Figuren 8A, 8B, 8C , 8D , 8E, 8F und 8G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2, der nach einer zur zweiten Variante gehörigen vierten Untervariante des erfin dungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird.

Bei der zur zweiten Variante gehörigen vierten Untervariante wird eine stiftförmige Verlängerung 15''' des Grundkörper teils 1 aus mehreren federarmförmigen Bereichen 25i, 25 ₂ , 25 ₃ und 25 ₄ auf den Grundkörperteil 1 mithilfe eines additiven Fertigungsverfahrens aufgebaut .

Jeder einzelne federarmförmige Bereich 25i , 25 _2/ 25 ₃ und 25 ₄ der stiftförmigen Verlängerung 15''' des Grundkörperteils 1 wird mit seiner wesentlichen Ausdehnung in Richtung der Längsachse 3 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 ausgeformt. Die einzelnen federarmförmigen Bereiche 25i, 25 ₂ , 25 ₃ und 25 ₄ werden winkelversetzt bevorzugt an der Innenmantelfläche des hohlzylindrischen Grundkörperteils 1 am Grundkörperteil 1 aufgebaut. Hierbei schließen jeweils zwei benachbarte feder armförmige Bereiche 25i, 25 ₂ , 25 ₃ und 25 ₄ jeweils in einem Winkel von 360°/n, wenn die stiftförmige Verlängerung 15''' des Grundkörperteils 1 eine Anzahl n von federarmförmigen Bereichen enthält.

Da die einzelnen federarmförmigen Bereiche 25i, 25 ₂ , 25 ₃ und 25 ₄ der stiftförmigen Verlängerung 15''' des Grundkörperteils 1 im Bereich der Längsachse 3 des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 nicht miteinander verbunden werden, weist die stiftförmige Verlängerung 15''' eine einzige Durchfüh rung 26 auf . Die Durchführung 26 ermöglicht eine vollständi ge und zusammenhängende elektrisch leitfähige Beschichtung jedes einzelnen federarmförmigen Bereiches 25i, 25 ₂ , 25 ₃ und 25 ₄ mit der innenleiterseitigen Beschichtung 5 ₂ des im We sentlichen hohlzylindrisch ausgeformten Grundkörperteils 1.

Auf der radial nach außen gerichteten und konkav gewölbten Stirnfläche jedes federarmförmigen Bereiches 25i, 25 ₂ , 25 ₃ und 25 ₄ wird mittels des additiven Fertigungsverfahrens je weils eine Kontakterhöhung 27 aufgebaut. Über die Kontakter höhungen 27 aller federarmförmigen Bereiche 25i, 25 ₂ , 25a und 25 ₄ wird eine radiale Mehrfachkontaktierung mit dem innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 7 _{2I '} auf der Innenmantel fläche des im Wesentlichen hohlzylindrisch ausgeformten Grundkörperteils 1 ' des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2 realisiert . Der Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 kann hierbei in konventioneller Fertigungstechnologie oder, wie in den Figuren 7E, 7F und 7G dargestellt ist, auch erfin dungsgemäß in additiver Fertigungstechnologie hergestellt werden .

Aufgrund ihrer formgebenden Elastizität müssen die einzelnen federarmförmigen Kontaktbereichen 25i , 25 ₂ , 25a und 25 ₄ nicht zusätzlich mittels des additiven Fertigungsverfahrens elas tisch ausgebildet werden .

Neben der radial ausgerichteten innenleiterseitigen Kontak tierung wird im Hochfrequenz-Steckverbinder 2 außenleiter seitig eine Stirnkontaktierung mit dem Hochfrequenz- Gegensteckverbinder 2 ' realisiert . Diese außenleiterseitige Stirnkontaktierung wird äquivalent zur ersten, zweiten und dritten Untervariante der zweiten Variante des erfindungsge mäßen Herstellungs erfahrens realisiert .

Die Figuren 9A, 9B, 9C, 9D, 9E, 9F und 9G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 , der nach einer dritten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens herge stellt wird. Bei einem nach der dritten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellte Hochfrequenz- Steckverbinder 2 wird an das Grundkörperteil 1 innenleiter seitig eine hüIsenförmige Verlängerung 28 des Grundkörper teils 1 mithilfe des additiven Fertigungsverfahrens aufge baut. Diese hülsenförmige Verlängerung 28 ragt in Längsachs richtung über die Stirnfläche 10 am ersten Ende 6i des Grund körperteils 1 hinaus.

Diese hülsenförmige Verlängerung 28 ist an ihrem distalen Ende jeweils mehrfach in Richtung der Längsachse 3 des Hoch frequenz-Steckverbinders geschlitzt ausgeformt . Auf diese Weise wird zwischen jeweils zwei benachbarten Schlitzen 29 eine Federlasche ausgebildet. Der hülsenförmigen Verlänge rung 28 bildet somit eine in radialer Richtung jeweils fe dernd oder elastisch ausgebildete Hülse. Zur besseren radia len Kontaktierung wird mithilfe des additiven Fertigungsver fahrens am distalen Ende jeder einzelnen Federlasche jeweils eine radial nach außen gerichteten Kontakterhöhung 30 aufge baut .

Die hülsenförmigen Verlängerung 28 des Grundkörperteils 1 wird mit all ihren Federlaschen vollständig und zusammenhän gend mit der innenleiterseitigen Beschichtung 5 ₂ an der In nenmantelfläche des im Wesentlichen hohlzylindrisch ausge bildeten Grundkörperteils 1 beschichtet. Somit bildet die hülsenförmigen Verlängerung 28 den innenleiterseitigen Kon taktbereich 7 _2I des Hochfrequenz-Steckverbinders 2.

Ein außenleiterseitiger Kontaktbereich 7 des Hochfrequenz- Steckverbinders 2 wird als Stirnkontaktbereich ausgebildet und wird in Äquivalenz zu allen Untervarianten der zweiten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens herge stellt . Die innenleiterseitige Kontaktierung erfolgt zwischen dem innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 7 ₁₂ des Hochfre quenz-Steckverbinders 2, der aus den einzelnen radial nach aßen verlaufenden Kontakterhöhungen 30 an den Federlaschen der hülsenförmigen Verlängerung 28 gebildet wird _» und dem innenleiterseitigen Kontaktierungsbereich 7 _12' an der Innen- mantelflache des Grundkörperteils 1 des Hochfrequenz- Gegensteckverbinder 2 ' , Der innenleiterseitige Kontaktie rungsbereich 7i2 ' des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2 ' wird bevorzugt durch eine Stufe 31 an der Innenmantelfläche am ersten Ende 61' des Grundkörperteils 1 gebildet. Die ra diale Erstreckung der Stufe 31 entspricht im Wesentlichen der Wandstärke der hülsenförmigen Verlängerung 28 an deren distalen Ende _» um auf diese Weise einen innenleiterseitigen Durchmessersprung im Übergangsbereich zwischen Hochfrequenz- Steckverbinder 2 und Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 ' zu vermeiden. Andernfalls würde eine Störstelle entstehen _» die das Übertragungs erhalten der Hochfrequenz-Steckverbindung nicht unerheblich verschlechtert.

Die Figuren 1QA, 1QB, IOC _» 10D, 10E, 10F und 10G beziehen sich auf einen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 _» der nach einer vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstellungsverfah rens hergestellt wird.

Ein nach der vierten Variante des erfindungsgemäßen Herstel lungsverfahrens hergestellter Hochfrequenz-Steckverbinder 2 kontaktiert bevorzugt innenleiterseitig und außenleitersei tig über jeweils eine Stirnkontaktierung mit einem zugehöri gen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 ' . Alternativ ist auch nur eine innenleiterseitige Stirnkontaktierung oder nur eine außenleiterseitige Stirnkontaktierung möglich. Hierzu wird an der Stirnfläche 10 am ersten Ende 6 ₁ des Grundkörperteils 1 ein innenleiterseitiger Kontaktierungsbereich Ί12 herge- stellt _» indem die innenleiterseitige Beschichtung 5 ₂ an der Innenmantelfläche des im Wesentlichen hohlzylindrisch ausge formten Grundkörperteils 1 bis in einen innenleiterseitigen Bereich auf der Stirnfläche 10 verlängert wird. Die innen- leiterseitige Beschichtung 5 ₂ wird hierbei so weit in die Stirnfläche 10 geführt _» dass ein ausreichend großer innen leiterseitiger Kontaktierungsbereich 7 _I2 besteht. Im Hinblick auf eine höhere Lebensdauer des innenleiterseitigen Kontak tierungsbereiches 712 im Stirnbereich _» der aufgrund hoher Steckzyklen einem gewissen Abrieb unterworfen ist _» wird die innenleiterseitige Beschichtung 52 im Stirnflächenbereich bevorzugt mehrschichtig oder mit einer höheren Schichtdicke ausgeführt. Äquivalent wird der außenleiterseitigen Kontak tierungsbereich 7n erzeugt _» indem die außenleiterseitige Be schichtung 5i von der Außenmantelfläche des Grundkörpers 1 in einen ausreichend großen außenleiterseitigen Bereich auf der Stirnfläche 10 weitergeführt wird.

Um einen Winkelversatz zwischen Hochfrequenz-Steckverbinder 2 und Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 ' bei einer Stirn kontaktierung zu verhindern _» wird innenleiterseitig und/oder außenleiterseitig jeweils eine hülsen- oder ringförmige Ver längerung 32 des Grundkörperteils 1 am ersten Ende 6i des Grundkörperteils 1 mittels eines additiven Fertigungsverfah rens aufgebaut . In unmittelbarer Nachbarschaft zu dieser hülsen- oder ringförmig Verlängerung 32 wird mittels eines additiven Fertigungsverfahrens im Grundkörperteil 1 ein Hohlraum 33 ausgebildet. Der Hohlraum 33 bildet mit der ring- oder hülsenförmigen Verlängerung 32 an der Stirnfläche 10 innenleiterseitig bzw. außenleiterseitig jeweils einen elastisch ausgebildeten Abschluss des Grundkörperteils 1. Dieser elastisch ausgebildete Abschluss des Grundkörperteils 1 kann einen Winkelversatz zwischen den beiden ineinanderge- steckten Hochfrequenz-Steckverbindern ausgleichen. Alterna tiv zu einer ring- oder hülsenförmigen Verlängerung 32 des Grundkörperteils 1 sind auch mehrfache bevorzugt halbkugel förmige Verlängerungen des Grundkörperteils 1 möglich. Die mehrfachen bevorzugt halbkugelförmigen Verlängerungen 32 des Grundkörperteils 1 sind jeweils auf einem Kreis, einer El lipse oder einem Rechteck im Außenleiter- und Innenleiterbe reich angeordnet. Auch in unmittelbarer Nachbarschaft zu den einzelnen bevorzugt halbkugelförmigen Verlängerungen 32 wer den mittels eines additiven Fertigungsverfahrens im Grund körperteil 1 jeweils Hohlrämne 33 ausgebildet.

Zum Ausgleich eines axialen Versatzes zwischen Hochfrequenz- Steckverbinder 2 und Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 ' wird an einem der beiden Hochfrequenz-Steckverbinder eine buchsenförmige Verlängerung 34 befestigt. Diese buchsenför migen Verlängerung 34 kann beispielsweise eine aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellte Hülse sein, die wie in Fig. 10G angedeutet ist, im Bereich des ersten Endes 6i des Grundkörperteils 1 auf den fertigen Hochfre quenz-Steckverbinder gepresst wird. Alternativ ist auch eine buchsenförmige Verlängerung gemäß der Figuren 4C, 4D und 4G möglich, die mittels eines additiven Fertigungsverfahrens im Bereich des ersten Endes 6i des Grundkörperteils 1 auf das Grundkörperteil 1 aufgebaut wird. Aufgrund der außenleiter seitigen Stirnkontaktierung ist die außenleiterseitige Be schichtung 5i auf der gesamten Außenoberfläche dieser buch senförmigen Verlängerung mit Ausnahme der Beschichtung in den Schlitzen 11 mittels eines thermischen oder mechanischen Verfahrens zu entfernen.

Neben eines Hochfrequenz-Steckverbinders 2 mit einem außen- leiter- und innenleiterseitigen Kontaktbereich 7 und 7 _I2 zur gleichzeitigen außenleiter- und innenleiterseitigen Stirn kontaktierung kann mittels der vierten Variante des erfin- dungsgemäßen Herstellungsverfahrens auch ein Hochfrequenz- Steckverbinder 2 hergestellt werden, der nur außenleitersei- tig oder nur innenleiterseitig jeweils einen Kontaktierungs- bereich zur Stirnkontaktierung aufweist. Diese wurden be reits obig bei den Hochfrequenz-Gegensteckverbindern 2 ' er läutert, die zu den nach allen bisher vorgestellten Varian ten bzw. Untervarianten des erfindungsgemäßen Herstellungs verfahrens hergestellten Hochfrequenz-Steckverbindern 2 steckbar sind {siehe hierzu: Fig. 4B, 4E, 4F, 4G; 5B, 5E,

5F, 5G; 6B, 6E, 6F, 6G; 7B, 7E, 7F, 7G; 8B, 8E, 8F, 8G; 9B, 9E, 9F , 9G) .

Neben diesen bisher vorgestellten und auf der Anwendung des additiven Fertigungsverfahrens basierenden Ausprägungen ei ner elektrischen Kontaktierung und Führung von zwei zueinan der steckbaren Hochfrequenz-Steckverbindern bieten die addi tiven Fertigungsverfahren den weiteren erheblichen Vorteil, einen Hochfrequenz-Steckverbinder mit einer kontrollierten Impedanz entlang seiner gesamten Längserstreckung zu ver wirklichen. Insbesondere die komplexeren geometrischen Aus formungen im Bereich der Verlängerungen des Grundkörperteil 1 können zu einer Abweichung von einer angepassten Impedanz führen. Zur Kompensation dieser Abweichung der Impedanz kön nen mittels des additiven Fertigungsverfahrens in diesen kritischen Bereichen des Grundkörperteils 1 andere dielekt rische Materialen verwendet werden. Die relative Permittivi- tät dieser dielektrischen Materialen ist gegenüber der rela tiven Permittivität des in den restlichen impedanzangepasten Bereichen des Grundkörperteils 1 verwendeten dielektrischen Materials geeignet geändert. Auch mittels geeigneter Anord nung und geeigneter Ausformung von Hohlräumen im dielektri schen Grundkörpers 1 kann eine geänderte effektive Permitti vität in diesen kritischen Bereichen und damit eine Impe danzanpassung über die gesamte Längserstreckung des Hochfre quenz-Steckverbinders 2 erzielt werden. Eine weitere technische Funktion neben der elektrischen Kon taktierung und Führung, die in Hochfrequenz-Steckverbinder ganz wesentlich ist, stellt die Verschlusstechnik dar.

Für eine mittels Verschraubung realisierte Verschlusstechnik zwischen zwei steckbaren Hochfrequenz-Steckverbindern wird an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1 mittels ei nes additiven Fertigungsverfahrens ein Außengewindeprofil ausgeformt. Das beschichtete Außengewindeprofil des erfin dungsgemäßen Hochfrequenz-Steckverbinders 2 wird mit einem passenden Innengewindeprofil einer Überwurfmutter ver schraubt, die auf einen Hochfrequenz-Gegensteckverbinder 2 drehbar gelagert wird. Die Überwurfmutter mit ihrem Innenge windeprofil kann in konventioneller Fertigungstechnologie oder auch in additiver Fertigungstechnologie mit anschlie ßender metallischer Beschichtung hergestellt werden.

Für eine mittels Schnappverbindung realisierte Verschluss technik werden an der Außenmantelfläche des Grundkörperteils 1 des Hochfrequenz-Steckverbinders 2 eine oder mehrere nut förmige Vertiefungen ausgeformt, die mit zugehörigen Rastna sen bzw, Rasthacken des Hochfrequenz-Gegensteckverbinders 2 ' eine Rast erbindung realisieren.

Neben diesen Ausführungen einer Verschlusstechnik sind auch andere Verschlusstechniken wie beispielsweise eine Bajonett verbindung mittels additiver Fertigungstechnologie reali sierbar. Schließlich ist auch eine magnetische Verbindung zwischen den zu kontaktierenden Hochfrequenz-Steckverbindern möglich, in dem im Grundkörperteil 1 im Bereich des ersten Endes 6i mindestens ein Magnet mit einer entsprechenden Pola rität eingefügt wird.

Über die elektrische Kontaktierung und Führung eines weite ren Hochfrequenz-Gegensteckverbinders , eines Hochfrequenzka- bels oder einer Hochfrequenzsignalleitungsstruktur auf einer Leiterplatte, die mit dem erfindungsgemäßen Hochfrequenz- Steckverbinder 2 am zweiten Ende 6 ₂ des Grundkörperteils 1 verbunden ist, sind die obig vorgestellten erfindungsgemä- ßen, auf dem additiven Fertigungsverfahren basierenden Kon struktionsprinzipien zur elektrischen Kontaktierung und Füh rung eines Hochfrequenz-Steckverbinders 2 äquivalent anwend bar . Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausfüh rungsbeispiele vorstehend vollständig beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar .

Bezugszeichenliste

1,1' Grundkörperteil

2,2' Hochfrequenz-Steckverbinder, Hochfrequenz-

Gegensteckverbinder

3 Längsachse

4,4',4I,4 ₂ Durchführung

5 , 5I , 5 ₂

5 ₂ ¹ ,52 ² Beschichtung, außenleiter- und innenleiterseiti ge Beschichtung

61 , 61 ^' , 62 erstes Ende und zweites Ende

7n , 7 _2I außenleiterseitiger Kontaktierungsbereich des

Hochfrequenz-Steckverbinders

112,122 innenleiterseitiger Kontaktierungsbereich des

Hochfrequenz-Steckverbinders

7n ' , 7i2 ' außenleiter- und innenleiterseitiger Kontaktie rungsbereich des Hochfrequenz- Gegensteckverbinders

8 Verbindungsbereich

9 buchsenförmige Verlängerung des Grundkörperteils

10,10' Stirnfläche

11 Schlitz

12 Übergangsbereich

13 radial nach außen verlaufende Kontakterhöhung

14 Hohlraum

15,15',

15", 15"" stiftförmige Verlängerung des Grundkörperteils 16i, I62 , 16 ₃ ,

16 ₄ lamellenförmiger Bereich

I61M62',

I6 ₃ M64' lamellenförmiger Bereich

17I, 17 ₂ ,17 ₃ ,

17 ₄ axiale Durchführung

18,18' Kontakterhöhung 19 Durchgangsbohrung

20 Vorsprung

21i, 212, 2I3,

21 ₄ rippenförmiger Bereich

22i, 22 ₂ , 22 ₃ ,

22 ₄ axiale Durchführung

23 Kontakterhöhung

24 Durchgangsbohrung

25I,252,25 _3,

25 ₄ federarmförmiger Bereich

26 axiale Durchführung

27 Kontakterhöhung

28 hülsenförmige Verlängerung des Grundkörperteils

29 Schlitz

30 nach außen verlaufende Kontakterhöhung

31 Stufe

32 hülsen , ring- oder halbkugelförmige Verlänge rung des Grundkörperteils

33 Hohlraum

34I,34 ₂ von einer Beschichtung befreiter Bereich am ers- ten und z eiten Ende