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Title:
METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC LIGHTING DEVICE AND OPTOELECTRONIC LIGHTING DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2017/198552
Kind Code:
A1
Abstract:
A method for manufacturing an optoelectronic lighting device involves: - providing a substrate (301), on a top face (303) of which one or more optoelectronic semiconductor chips (305) are arranged; and - pressing a luminescent film (201) onto the one or more semiconductor chips (305). A corresponding optoelectronic lighting device is also disclosed.

Inventors:
BURGER, Markus (Oberer Weg 3, Laaber, 93164, DE)
Application Number:
EP2017/061383
Publication Date:
November 23, 2017
Filing Date:
May 11, 2017
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, DE)
International Classes:
H01L33/50; H01L33/46; H01L33/60
Domestic Patent References:
WO2007049187A12007-05-03
WO2015101899A12015-07-09
Foreign References:
EP2511964A22012-10-17
EP2312625A22011-04-20
US20140151734A12014-06-05
Other References:
None
Attorney, Agent or Firm:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK (Prinzenstr. 13, München, 80639, DE)
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Claims:
PATENTA S PRÜCHE

Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung (501, 601, 1001, 1201), umfassend:

- Bereitstellen (1301) eines Trägers (301), wobei auf ei¬ ner Oberseite (303) des Trägers (301) ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (305) angeordnet sind, und

- Verpressen (1305) einer Leuchtstofffolie (201) auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) .

Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor dem Verpressen (1305) der Leuchtstofffolie (201) auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) die Leuchtstofffo¬ lie (201) zwischen dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) und einem Reflektorrahmen (101) ange¬ ordnet wird, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) zugeordnete Aussparungen (103) umfasst, wobei nach dem Anordnen der Reflektorrahmen (101) gemeinsam mit der Leuchtstofffolie (201) auf die Oberseite (303) des Trägers (301) verpresst wird, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips (305) jeweils in einer der Aus¬ sparungen (103) des verpressten Reflektorrahmens (101) angeordnet sind.

Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor dem Verpressen (1305) der Leuchtstofffolie (201) auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) die Leuchtstofffo¬ lie (201) auf einen Reflektorrahmen (101) verpresst wird, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) zugeordnete Aussparungen (103) umfasst, wobei der die auf dem Reflektorrahmen (101) verpresste Leuchtstofffo¬ lie (201) umfassende Reflektorrahmen (101) auf die Ober¬ seite (303) des Trägers (301) verpresst wird, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips (305) jeweils in einer der Aussparungen (103) des verpressten Reflektorrahmens (101) angeordnet sind.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei nach dem Verpres- sen (1305) der Leuchtstofffolie (201) auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) ein Reflektormaterial (1105) auf die Oberseite (303) des Trägers (301) ge¬ druckt wird, so dass mittels des gedruckten Reflektorma¬ terials (1105) ein Reflektor (1111) gebildet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Drucken ein Siebdru cken und/oder ein Schablonendrucken umfasst.

6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Verpressen (1305) ein Laminieren umfasst.

7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Laminieren ein Vaku umlaminieren und/oder ein Rollenlaminieren umfasst.

8. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (501, 601, 1001, 1201), umfassend:

- einen Träger (301),

- wobei auf einer Oberseite (303) des Trägers (301) ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (305) angeordnet sind und

- wobei eine Leuchtstofffolie (201) auf dem einen oder den mehreren Halbleiterchips (305) verpresst ist.

9. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (501, 601, 1001, 1201) nach Anspruch 8, wobei die Leuchtstofffolie (201) mit einem auf der Oberseite (303) des Trägers (301) ver- pressten Reflektorrahmen (101) verpresst ist, der dem ei nen oder den mehreren Halbleiterchips (305) zugeordnete Aussparungen (103) umfasst, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips (305) jeweils in einer der Aus¬ sparungen (103) des verpressten Reflektorrahmens (101) angeordnet sind.

10. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (501, 601, 1001,

1201) nach Anspruch 8, wobei auf der Oberseite (303) des Trägers (301) ein mittels eines auf die Oberseite (303) des Trägers (301) gedruckten Reflektormaterials (1105) gebildeter Reflektorrahmen (101) gebildet ist.

Description:
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN

LEUCHTVORRICHTUNG UND OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG

BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Die Erfindung betrifft ferner eine optoelektronische Leuchtvorrichtung. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 109 054.9, deren Offenbarungsge ¬ halt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird.

Optoelektronische Leuchtvorrichtungen als solche sind be- kannt . Sie umfassen in der Regel einen oder mehrere opto ¬ elektronische Halbleiterchips, zum Beispiel Leuchtdioden ¬ chips. Ein optoelektronischer Halbleiterchip emittiert in seinem Betrieb eine Primärstrahlung. Oft besteht ein Bedarf, diese Primärstrahlung in eine elektromagnetische Strahlung zu konvertieren, die eine andere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung. Für die Konversion ist es üblich, Leuchtstoffe zu verwenden, die mittels Fluoreszenz und/oder Phosphoreszenz die Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung mit einer anderen Wellenlänge konvertieren.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist darin zu se ¬ hen, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen LeuchtVorrichtung bereitzustellen. Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist auch darin zu sehen, eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bereitzustel ¬ len .

Diese Aufgaben werden mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprüchen . Nach einem Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend :

- Bereitstellen eines Trägers, wobei auf einer Oberseite des Trägers ein oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips angeordnet sind, und

- Verpressen einer Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips. Nach einem weiteren Aspekt wird eine optoelektronische

Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend:

- einen Träger,

- wobei auf einer Oberseite des Trägers ein oder mehrere

optoelektronische Halbleiterchips angeordnet sind und - wobei eine Leuchtstofffolie auf dem einen oder den mehre ¬ ren Halbleiterchips verpresst ist.

Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass die obige Auf ¬ gabe dadurch gelöst werden kann, dass eine Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips verpresst wird. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil be ¬ wirkt, dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips effi ¬ zient mit einem Leuchtstoff, die verpresste Leuchtstofffolie, versehen werden. Dadurch wird ferner der technische Vorteil bewirkt, dass eine mittels des einen oder der mehreren Halb ¬ leiterchips emittierte Primärstrahlung effizient in eine Se ¬ kundärstrahlung konvertiert werden kann.

Eine Leuchtstofffolie im Sinne der vorliegenden Erfindung um- fasst also einen oder mehrere Leuchtstoffe.

Ein Leuchtstoff im Sinne der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ausgebildet, elektromagnetische Strahlung (hier die Primärstrahlung) aufweisend eine erste Wellenlänge oder einen ersten Wellenlängenbereich in eine elektromagnetische Strahlung (hier die Sekundärstrahlung) aufweisend eine zweite Wel ¬ lenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbereich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschieden von der ersten Wellenlänge ist respektive der zweite Wellenlängenbereich zu ¬ mindest teilweise, insbesondere vollständig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als eine Pri- märstrahlung bezeichnet werden. Die mittels des Leuchtstoffs konvertierte elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als eine Sekundärstrahlung bezeichnet werden.

Ein Halbleiterchip im Sinne der vorliegenden Erfindung ist ein optoelektronischer Halbleiterchip, auch wenn das Adjektiv „optoelektronisch" nicht vor dem Wort „Halbleiterchip" stehen sollte. Ausführungen, die im Zusammenhang mit einem Halbleiterchip gemacht sind, gelten analog für mehrere Halb ¬ leiterchips und umgekehrt. Das heißt, wenn der Halbleiterchip im Singular steht, soll stets der Plural mitgelesen werden und umgekehrt.

Ein Halbleiterchip umfasst eine Oberseite und eine der Ober ¬ seite gegenüberliegende Unterseite. Ein Halbleiterchip um- fasst zwei gegenüberliegende Seitenflanken.

Ein Halbleiterchip im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst eine oder mehrere lichtemittierende Flächen, mittels welcher respektive mittels welchen im Betrieb des Halbleiter- chips Primärstrahlung emittiert wird.

In einer Ausführungsform ist eine lichtemittierende Fläche an der Oberseite des Halbleiterchips gebildet. Der Halbleiter ¬ chips emittiert somit zum Beispiel an seiner Oberseite Pri- märstrahlung.

In einer Ausführungsform ist eine lichtemittierende Fläche jeweils an gegenüberliegenden Seitenflanken des Halbleiterchips gebildet. Der Halbleiterchip emittiert somit zum Bei- spiel an seinen Seitenflanken Primärstrahlung.

In einer Ausführungsform ist ein Halbleiterchip als ein Volumenemitter ausgebildet. In einer Ausführungsform ist ein Halbleiterchip als ein Topemitter ausgebildet. In einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip als ein

Leuchtdiodenchip ausgebildet. Ein Leuchtdiodenchip kann auch als LED-Chip bezeichnet werden.

In einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip mit seiner Unterseite auf der Oberseite des Trägers angeordnet.

In einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip ausschließlich mittels seiner Unterseite elektrisch kontaktierbar . In einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip ausschließlich mittels seiner Unterseite elektrisch kontaktiert.

In einer Ausführungsform ist der Träger ein Aufwachssubstrat , auf welchem der Halbleiterchip aufgewachsen ist.

In einer Ausführungsform ist der Träger eine Trägerfolie, auf welcher der Halbleiterchip aufgeklebt ist.

In einer Ausführungsform sind die mehreren Halbleiterchips identisch ausgebildet oder unterschiedlich ausgebildet.

In einer Ausführungsform ist jeweils eine lichtemittierende Fläche sowohl an einer Oberseite als auch an gegenüberliegenden Seitenflanken des Halbleiterchips gebildet. Der Halb- leiterchip emittiert somit zum Beispiel sowohl an seiner Oberseite als auch seinen Seitenflanken Primärstrahlung.

Die auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips verpress- te Leuchtstofffolie ist somit auf einer oder auf mehreren lichtemittierenden Flächen des oder der Halbleiterchips angeordnet. Das heißt, dass die Leuchtstofffolie zum Beispiel die eine oder die mehreren lichtemittierenden Flächen unmittelbar, also direkt, kontaktiert. Zum Beispiel ist die Leucht- stofffolie auf der jeweiligen Oberseite und/oder auf den je ¬ weiligen gegenüberliegenden Seitenflanken des oder der Halbleiterchips verpresst. Das Verpressen der Leuchtstofffolie umfasst insbesondere ein Verpressen der Leuchtstofffolie auf die Oberseite des Trä ¬ gers .

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass vor dem Ver- pressen der Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips die Leuchtstofffolie zwischen dem einen oder den mehreren Halbleiterchips und einem Reflektorrahmen angeordnet wird, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips zugeordnete Aussparungen umfasst, wobei nach dem Anordnen der Reflektorrahmen gemeinsam mit der Leuchtstofffolie auf die Oberseite des Trägers verpresst wird, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips jeweils in einer der Aussparungen des verpressten Reflektorrahmens angeordnet sind. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass in einem einzigen Prozessschritt sowohl der Reflektorrahmen als auch die Leuchtstofffolie effizient auf den Träger verpresst werden. Dadurch kann insbesondere in vorteilhafter Weise eine effiziente und zeitsparende Montage durchgeführt werden.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips, insbesondere auf eine jeweilige Oberfläche des einen oder der mehreren Halbleiterchips, laminiert wird.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie formschlüssig über den einen oder die mehreren Halbleiterchips laminiert wird.

Gemäß einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass vor dem Verpressen der Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips die Leuchtstofffolie auf einen Reflektorrah- men verpresst wird, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips zugeordnete Aussparungen umfasst, wobei der die auf dem Reflektorrahmen verpresste Leuchtstofffolie umfassen ¬ de Reflektorrahmen auf die Oberseite des Trägers verpresst wird, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips je ¬ weils in einer der Aussparungen des verpressten Reflektorrahmens angeordnet sind.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass das Verfahren technisch leicht und effizient durchge ¬ führt werden kann.

Im verpressten Zustand ist die Leuchtstofffolie zwischen dem Reflektorrahmen und den Halbleiterchips angeordnet. Das heißt zum Beispiel, dass die Leuchtstofffolie die Halbleiterchips unmittelbar, also direkt, kontaktiert oder berührt. Der Re ¬ flektorrahmen hingegen weist keinen direkten Kontakt zu den Halbleiterchips auf, berührt diese also nicht. Das heißt, dass die mittels der Halbleiterchips emittierte Primärstrahlung zuerst auf die Leuchtstofffolie trifft und mittels dieser in Sekundärstrahlung konvertiert wird. Die Se ¬ kundärstrahlung trifft dann auf den Reflektorrahmen und wird mittels dieser zumindest teilweise, insbesondere vollständig, reflektiert und/oder gestreut.

Der Reflektorrahmen reflektiert zum Beispiel auch einen Anteil der Primärstrahlung zurück zur Leuchtstofffolie, die mittels dieser nicht konvertiert wurde, so dass dann die Mög- lichkeit gegeben ist, dass die zurückreflektierte Primär ¬ strahlung mittels der Leuchtstofffolie konvertiert wird.

Das Vorsehen des Reflektorrahmens bewirkt somit in vorteil ¬ hafter Weise eine effiziente Konversion der Primärstrahlung und somit eine Erhöhung eines Konversionsgrads, also des An ¬ teils der Primärstrahlung, die konvertiert wird. Ein Reflektorrahmen im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst insbesondere eine oder mehrere Aussparungen, wobei die Anzahl der Aussparungen mindestens der Anzahl, insbesondere genau der Anzahl, an Halbleiterchips entspricht, die auf dem Träger angeordnet sind. Das heißt also insbesondere, dass je ¬ der Halbleiterchip in seiner eigenen Aussparung angeordnet ist, wenn der Reflektorrahmen auf dem Träger verpresst ist.

Eine jeweilige Kontur der Aussparungen entspricht zum Bei- spiel einer jeweiligen Kontur der Halbleiterchips. Zum Bei ¬ spiel weisen die Halbleiterchips jeweils eine rechteckige Kontur auf. Zum Beispiel weisen die Aussparungen jeweils eine rechteckige Kontur auf. In einer Ausführungsform ist eine jeweilige Größe der Ausspa ¬ rungen derart bemessen, dass die Halbleiterchips passgenau in den Aussparungen angeordnet sind.

Wenn der Reflektorrahmen auf dem Träger verpresst ist, ist zum Beispiel vorgesehen, dass die gegenüberliegenden Seitenflanken mit dem Reflektorrahmen mittelbar bedeckt sind. Mittelbar bedeutet, dass die Leuchtstofffolie zwischen dem Re ¬ flektorrahmen und den gegenüberliegenden Seitenflanken angeordnet ist.

Wenn der Reflektorrahmen auf dem Träger verpresst ist, ist zum Beispiel vorgesehen, dass die jeweilige Oberseite der Halbleiterchips frei von dem Reflektorrahmen ist. Die Ober ¬ seite ist somit im verpressten Zustand zum Beispiel aus- schließlich mittels der Leuchtstofffolie unmittelbar bedeckt.

Der Reflektorrahmen umfasst zum Beispiel Reflexionspartikel. Reflexionspartikel umfassen zum Beispiel Ti02-Partikel und/oder A1203-Partikel .

Der Reflektorrahmen weist zum Beispiel eine Reflektivität von mindestens 80 %, insbesondere 90 %, vorzugsweise 95 %, für die Sekundärstrahlung auf. Der Reflektorrahmen weist zum Beispiel ein Matrixmaterial auf, in welchem zum Beispiel Reflexionspartikel eingebettet sind. Das Matrixmaterial ist zum Beispiel ein Silikon.

Der verpresste Reflektorrahmen bildet somit einen jeweiligen Reflektor für die Halbleiterchips.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Ver- pressen der Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips ein Reflektormaterial auf die Oberseite des Trägers gedruckt wird, so dass mittels des gedruckten Reflek ¬ tormaterials ein Reflektor gebildet wird. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass ein jeweiliger Reflektor für die Halbleiterchips effi ¬ zient mittels eines technisch bewährten Beschichtungsverfah- rens (Drucken) hergestellt werden kann. Ein Reflektormaterial umfasst zum Beispiel Reflexionsparti ¬ kel. Reflexionspartikel umfassen zum Beispiel Ti02-Partikel und/oder A1203-Partikel .

Ein Reflektormaterial weist zum Beispiel eine Reflektivität von mindestens 80 %, insbesondere 90 %, vorzugsweise 95 %, für die Sekundärstrahlung auf.

Ein Reflektormaterial weist zum Beispiel ein Matrixmaterial auf, in welchem zum Beispiel Reflexionspartikel eingebettet sind. Das Matrixmaterial ist zum Beispiel ein Silikon.

Im gedruckten Zustand ist also analog zum Reflektorrahmen vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie zwischen dem gedruckten Reflektor und den Halbleiterchips angeordnet ist. Somit wird auch hier die Primärstrahlung zuerst auf die Leuchtstofffolie treffen und mittels dieser zumindest teilweise, insbesondere vollständig, konvertiert werden. Die im Zusammenhang mit dem Reflektorrahmen gemachten Ausführungen bezüglich der spezifi- sehen Vorteile (zum Beispiel Erhöhung des Konversionsgrads) gelten insofern analog für den gedruckten Reflektor.

Das Drucken des Reflektors umfasst insbesondere, dass Reflek- tormaterial in jeweilige Zwischenräume zwischen den Halb ¬ leiterchips eingebracht wird. Das heißt, dass die Zwischen ¬ räume zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit Re ¬ flektormaterial verfüllt werden. Es wird also insbesondere Reflektormaterial in die Zwischenräume eingefüllt.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Drucken ein Siebdrucken und/oder ein Schablonendrucken umfasst.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der Reflektor effizient gedruckt werden kann. Ein weite ¬ rer Vorteil der Verwendung einer Schablone liegt insbesondere darin, dass ein Schablonendesign flexibel an den konkreten Einzelfall angepasst werden kann. Druckparameter bei einem Schablonendrucken respektive Siebdrucken umfassen zum Beispiel: ein Anpressdruck, der von der Kraft abhängt, mit der das Rakel beaufschlagt wird, und/oder eine Rakelgeschwindigkeit und/oder ein Absprung (Abstand Schablone zum Substrat) und/oder eine Pastenzusammensetzung und/oder eine Viskosität der Paste. Paste steht hier insbe ¬ sondere für das Reflektormaterial.

Beim Siebdrucken respektive Schablonendrucken ist insbesondere vorgesehen, dass ein oder mehrere der vorstehend bezeich- neten Druckparameter derart gewählt werden, dass (möglichst) kein Pastenmaterial auf einen Oberflächenabschnitt der

Leuchtstofffolie gelangt, der auf der Oberseite des oder der Halbleiterchips angeordnet ist. Ein Sieb, welches zum Siebdrucken verwendet wird, respektive eine Schablone, welche zum Schablonendrucken verwendet wird, weist zum Beispiel Aussparungen auf, die einem Abstand zwi ¬ schen zwei Halbleiterchips entsprechen, so dass effizient Re- flektormaterial durch das Sieb respektive die Schablone in den Zwischenraum zwischen zwei Halbleiterchips eingebracht werden kann. Die Schablone respektive das Sieb ist also derart ausgebil ¬ det, dass ein Bedrucken der jeweiligen Oberseite der Halbleiterchips verhindert wird. Das heißt also insbesondere, dass das Sieb respektive die Schablone Aussparungen aufweist, die den Zwischenräumen zwischen den Halbleiterchips entspre- chen.

In einer Ausführungsform umfasst das Verpressen ein Laminie- ren . Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass das Verpressen mittels eines technisch bewährten Verfahrens durchgeführt werden kann. Ein Laminieren weist insbesondere den Vorteil auf, dass eine robuste und zuverlässige Ver ¬ bindung zwischen der Leuchtstofffolie und gegebenenfalls zwi- sehen dem Reflektorrahmen und den Halbleiterchips respektive dem Träger geschaffen ist.

Bei einem Laminieren kann das Adjektiv „verpresst" auch durch das Adjektiv „laminiert" ersetzt werden. Das heißt, dass eine verpresste Leuchtstofffolie respektive ein verpresster Re ¬ flektorrahmen auch als eine laminierte Leuchtstofffolie res ¬ pektive als ein laminierter Reflektorrahmen bezeichnet werden kann . In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Laminieren ein Vakuumlaminieren und/oder ein Rollenlaminieren umfasst.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass die Leuchtstofffolie respektive der Reflektorrahmen ef- fizient laminiert werden kann.

Vorteile des Vakuumlaminierens sind zum Beispiel ein schonen ¬ derer Umgang mit dem Material (beim Vakuumlaminieren wirkt flächig Kraft auf den Träger ein, beim Rollenlaminieren nur an der aktuellen Rollenposition) .

Das Vakuumlaminieren erfolgt in einer Ausführungsform in meh reren Schritten, die nachfolgend beschrieben werden:

Die Leuchtstofffolie respektive der Reflektorrahmen wird auf den Träger aufgelegt, wobei der Träger mit der aufgelegten Leuchtstofffolie respektive dem aufgelegten Reflektorrahmen anschließend in eine Vakuumkammer einer Laminieranlage einge bracht wird. Anschließend wird die Vakuumkammer evakuiert. E wird dann ein mechanisches Aufdrücken der Leuchtstofffolie respektive des Reflektorrahmens unter Vakuum für ein erstes Aufkleben (zum Beispiel durch eine Gummimembrane) durchge ¬ führt. Dann wird eine Druckluftbeaufschlagung durchgeführt, um einen Formschluss (zweites Aufkleben) um den oder den meh reren Halbeiterchips zu bewirken.

Prozessparameter für ein Vakuumlaminieren umfassen: einen Va kuumwert (Unterdruck) und/oder eine Vakuumzeit und/oder eine Temperatur und/oder eine Druckbeaufschlagung von oben auf de Träger für den Formschluss.

Das Laminieren wird nach einer Ausführungsform mittels eines Laminiergeräts durchgeführt.

Das Laminiergerät ist zum Beispiel ein Vakuumlaminierer oder ein Rollenlaminierer oder ein kombinierter Vakuumrollenlami- nierer .

Das Verpressen wird nach einer Ausführungsform mittels eines Pressgeräts durchgeführt.

Eine Leuchtstofffolie weist nach einer Ausführungsform eine maximale Dicke von 100 ym auf.

Eine Leuchtstofffolie weist nach einer Ausführungsform eine minimale Dicke von 10 ym auf. Eine Leuchtstofffolie weist nach einer Ausführungsform eine Dicke zwischen 50 ym und 100 ym auf. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Ver- pressen der Leuchtstofffolie (gegebenenfalls nach dem Ver- pressen des Reflektorrahmens) die Halbleiterchips vereinzelt werden . Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine Vielzahl an vereinzelten Halbleiterchips mit je ¬ weils einer eigenen vereinzelten Leuchtstofffolie und gegebe ¬ nenfalls einem eigenen vereinzelten Reflektorrahmen effizient hergestellt werden können.

Jeder der vereinzelten Halbleiterchips ist somit auf einem eigenen vereinzelten Träger angeordnet, so dass eine entspre ¬ chend vereinzelte Anordnung (also ein vereinzelter Träger mit vereinzeltem Halbleiterchip mit eigener Leuchtstofffolie und gegebenenfalls einem eigenen vereinzelten Reflektorrahmen) jeweils eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bilden.

Nach einer Ausführungsform umfasst das Vereinzeln ein Sägen. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Vereinzeln erst nach dem Drucken des Reflektors durchgeführt wird.

Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform erst nach dem Bilden eines Reflektors, sei es mittels Dru- ckens oder sei es mittels Verpressen eines Reflektorrahmens, die Halbleiterchips vereinzelt werden.

Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform vorgesehen ist, dass die vereinzelten Halbleiterchips einen eigenen gedruckten oder verpressten Reflektor aufweisen.

Somit wird also insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass einzelne einen Reflektor umfassende Halbleiterchips ef- fizient und insbesondere kostengünstig hergestellt werden können .

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leucht- stofffolie mit einem auf der Oberseite des Trägers verpress- ten Reflektorrahmen verpresst ist, der dem einen oder den mehreren Halbleiterchips zugeordnete Aussparungen umfasst, so dass der eine oder die mehreren Halbleiterchips jeweils in einer der Aussparungen des verpressten Reflektorrahmens ange- ordnet sind.

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass auf der Oberseite des Trägers ein mittels eines auf die Oberseite des Trägers gedruckten Reflektormaterials gebildeter Reflek- torrahmen gebildet ist.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die optoelektronische Leuchtvorrichtung mittels des Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung herge- stellt wird respektive ist.

Technische Funktionalitäten der optoelektronischen Leuchtvorrichtung ergeben sich analog aus entsprechenden technischen Funktionalitäten des Verfahrens zum Herstellen einer opto- elektronischen Leuchtvorrichtung und umgekehrt.

Vorrichtungsmerkmale ergeben sich somit aus entsprechenden Verfahrensmerkmalen und umgekehrt. Der Reflektorrahmen weist nach einer Ausführungsform eine Rechteckform auf.

Die Aussparungen des Reflektorrahmens weisen in einer Ausführungsform jeweils eine quadratische Kontur auf.

In einer Ausführungsform sind die Aussparungen des Reflektorrahmens aus dem Reflektorrahmen ausgestanzt. Die Aussparungen des Reflektorrahmens weisen in einer Ausführungsform einander gegenüberliegende Innenwände auf.

Die Aussparungen des Reflektorrahmens sind in einer Ausfüh- rungsform in einer Matrix aus Spalten und Zeilen angeordnet.

Bei einer Matrix aus Spalten und Zeilen sind in einer Ausführungsform zwischen den Aussparungen Längsstege und Querstege gebildet, wobei die Querstege senkrecht zu den Längsstegen verlaufen.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die mehreren Halbleiterchips entsprechend der Matrix aus Aussparungen des Reflektorrahmens analog in einer weiteren Matrix angeordnet sind. Das heißt, dass die weitere Matrix aus Halbleiterchips der Matrix aus Aussparungen des Reflektorrahmens entspricht.

Die Schablone respektive das Sieb ist nach einer Ausführungs ¬ form derart ausgebildet, dass beim Rakeln kein Reflektormate- rial auf die Oberseiten der Halbleiterchips aufgedruckt wird.

In einer Ausführungsform sind Aussparungen der Schablone respektive des Siebs entsprechend der Matrix aus Halbleiterchips selbst in einer Matrix angeordnet, wobei die Aussparungen der Schablone jeweils Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips zugeordnet sind.

Die Formulierung „respektive" umfasst insbesondere die Formu ¬ lierung „und/oder".

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei

Fig. 1 einen Reflektorrahmen, eine Leuchtstofffolie, einen Träger mit mehreren optoelektronischen Halbleiterchips , jeweils einen Herstellungsschritt eines ers ¬ ten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leucht orrichtung, jeweils einen Herstellungsschritt eines zweiten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen LeuchtVorrichtung, Fig. 9 bis 12 jeweils einen Herstellungsschritt eines

dritten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und

Fig. 13 ein Ablaufdiagramm eines vierten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen

LeuchtVorrichtung zeigen . Im Folgenden werden für gleiche Merkmale gleiche Bezugszei ¬ chen verwendet.

Fig. 1 zeigt einen Reflektorrahmen 101 in einer Draufsicht. Der Reflektorrahmen 101 weist eine Rechteckform auf. Der Reflektorrahmen 101 umfasst mehrere Aussparungen 103. Die Aus ¬ sparungen 103 weisen jeweils eine quadratische Kontur auf. Zum Beispiel sind die Aussparungen 103 aus dem Reflektorrahmen 101 ausgestanzt worden.

Die Aussparungen 103 weisen einander gegenüberliegende Innenwände 105 auf. Die Aussparungen 103 sind in einer Matrix aus Spalten und Zeilen angeordnet. In dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel weist der Reflektorrahmen 101 vier Zeilen und sieben Spalten auf. Insofern gibt es 28 Aussparungen 103.

Aufgrund der Matrix-Anordnung sind zwischen den Aussparungen 103 Längsstege 107 und Querstege 109 gebildet, wobei die Querstege 109 senkrecht zu den Längsstegen 107 verlaufen. In Fig. 1 ist eine Schnittlinie I-I gezeichnet. Die Figuren 4 bis 8 zeigen jeweils eine Schnittansicht entlang der Schnitt ¬ linie I-I .

Fig. 2 zeigt eine Leuchtstofffolie 201 in einer Draufsicht.

Die Leuchtstofffolie 201 entspricht in ihrer Größe und in ih ¬ ren Abmessungen vorzugsweise der Größe respektive den Abmes ¬ sungen des Reflektorrahmens 101 der Fig. 1. Fig. 3 zeigt einen Träger 301 in einer Draufsicht.

Der Träger 301 weist eine Rechteckform auf. Die Abmessungen respektive die Größe des Trägers 301 entsprechen vorzugsweise den Abmessungen respektive der Größe des Reflektorrahmens 101 der Fig. 1.

Der Träger 301 umfasst eine Oberseite 303. Auf der Obersei ¬ te 303 sind mehrere optoelektronische Halbleiterchips 305 an ¬ geordnet. Die optoelektronischen Halbleiterchips 305 sind zum Beispiel Leuchtdiodenchips.

Die optoelektronischen Halbleiterchips 305 weisen jeweils ei ¬ ne Oberseite 307 auf, die der Oberseite 303 des Trägers 301 abgewandt ist. Das heißt also, dass die Halbleiterchips 305 mit ihrer Unterseite (nicht gezeigt) auf der Oberseite 303 des Trägers 301 angeordnet sind. Die mehreren Halbleiterchips 305 sind entsprechend der Matrix aus Aussparungen 103 des Reflektorrahmens 101 analog in einer Matrix angeordnet. Das heißt also, dass die mehreren Halb ¬ leiterchips 305 in einer Matrix aus vier Zeilen und sieben Spalten angeordnet sind. Somit sind in dem in Fig. 3 gezeig ¬ ten Ausführungsbeispiel 28 Halbleiterchips 305 auf der Ober ¬ seite 303 des Trägers 301 angeordnet.

In Fig. 3 ist eine Schnittlinie II-II gezeichnet. Die Figuren 4 bis 6 und 8 bis 12 zeigen jeweils eine entsprechende

Schnittansicht entlang der Schnittlinie II-II.

Fig. 4 zeigt einen Herstellungsschritt eines ersten Verfah ¬ rens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrich- tung.

Es ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie 201 der Fig. 2 zwischen dem Reflektorrahmen 101 der Fig. 1 und dem Träger 301 der Fig. 3 angeordnet wird. Zum Beispiel wird die Leuchtstofffolie 201 zwischen die Halbleiterchips 305 und den Reflektorrahmen 101 gelegt.

Aufgrund der in Fig. 4 gezeigten Schnittansicht ist nun eine jeweilige Unterseite 401 der Halbleiterchips 305 erkennbar. Ferner sind gegenüberliegende Seitenflanken der Halbleiterchips 305 mit dem Bezugszeichen 403 gekennzeichnet.

Fig. 5 zeigt einen weiteren Schritt des ersten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Der weitere Schritt folgt zeitlich nach dem in Fig. 4 dargestell ¬ ten Schritt.

Der Reflektorrahmen 101 ist auf die Oberseite 303 des Trä ¬ gers 301 aufgepresst worden. Das heißt also, dass der Reflek- torrahmen 101 auf der Oberseite 303 des Trägers 301 verpresst ist . Das Verpressen ist zum Beispiel mittels einer Laminieranlage respektive eines Laminiergeräts durchgeführt worden. Das heißt also insbesondere, dass der Reflektorrahmen 101 auf die Oberseite 303 des Trägers 301 laminiert wird.

Durch dieses Auf- oder Verpressen des Reflektorrahmens 101 wird in einem gemeinsamen Prozessschritt gleichzeitig die Leuchtstofffolie 201 ebenfalls auf die Halbleiterchips 305 verpresst. Somit wird die Leuchtstofffolie 201 auf die jewei- lige Oberseite 307 und die jeweiligen Seitenflanken 403 der Halbleiterchips 305 verpresst, insbesondere laminiert.

Zum Beispiel ist an der jeweiligen Oberseite 307 eine licht ¬ emittierende Fläche (nicht gezeigt) gebildet, mittels welcher die Halbleiterchips 305 Primärstrahlung emittieren.

Zum Beispiel ist an den gegenüberliegenden Seitenflanken 403 jeweils eine lichtemittierende Fläche (nicht gezeigt) gebil ¬ det. Mittels dieser lichtemittierenden Flächen wird zum Bei- spiel Primärstrahlung emittiert.

Dadurch, dass die Leuchtstofffolie 201 nun in unmittelbarem, also direktem, Kontakt mit der Oberseite 307 respektive den Seitenflanken 403 ist, trifft die Primärstrahlung zuerst auf die Leuchtstofffolie 201 und somit auf den oder die Leucht ¬ stoffe, der von der Leuchtstofffolie 201 umfasst ist. Dadurch kann in vorteilhafter Weise die Primärstrahlung mittels des Leuchtstoffs in eine Sekundärstrahlung konvertiert werden. Da die Matrix aus Aussparungen 103 des Reflektorrahmens 101 der Matrix aus Halbleiterchips 305 des Trägers 301 ent ¬ spricht, werden Zwischenräume 405 zwischen den Halbleiterchips 305 durch die Querstege 109 und die Längsstege 107 auf ¬ gefüllt. Somit werden diese Zwischenräume 405 mit dem Materi- al gefüllt, aus welchem der Reflektorrahmen 101 gebildet ist. Da ein Reflektorrahmen 101 im Sinne der vorliegenden Erfindung ein Reflektormaterial umfasst, wird somit um die einzel ¬ nen Halbleiterchips 305 ein Reflektor gebildet. Somit zeigt die Fig. 5 eine optoelektronische Leuchtvorrich ¬ tung 501 aufweisend den Träger 301, wobei auf der Obersei ¬ te 303 des Trägers 301 die mehreren optoelektronischen Halb- leiterchips 305 angeordnet sind. Ferner umfasst die opto ¬ elektronische Leuchtvorrichtung 501 die Leuchtstofffolie 201, die auf den mehreren Halbleiterchips 305 verpresst ist.

Ferner umfasst die optoelektronische Leuchtvorrichtung 501 einen Reflektorrahmen 101, der den mehreren Halbleiterchips 305 entsprechende Aussparungen 103 aufweist, wobei der Reflektorrahmen 101 auf der Oberseite 303 des Trägers 301 verpresst ist, so dass die mehreren Halbleiterchips 305 je ¬ weils in einer der Aussparungen 103 des verpressten Reflek- torrahmens 101 angeordnet sind.

Fig. 6 zeigt einen anderen Herstellungsschritt des ersten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Der andere Schritt folgt zeitlich nach dem weiteren Schritt, der in Fig. 5 dargestellt ist.

Gemäß dem weiteren Schritt ist vorgesehen, dass die Halb ¬ leiterchips 305 vereinzelt werden, zum Beispiel mittels Sä ¬ gen .

Das heißt also, dass mehrere optoelektronische Leuchtvorrich ¬ tungen 601 durch das Vereinzeln gebildet werden, die jeweils einen entsprechend vereinzelten Träger mit einer entsprechend vereinzelten Leuchtstofffolie und einem entsprechend verein- zelten Reflektorrahmen umfassen.

Fig. 7 zeigt einen Herstellungsschritt eines zweiten Verfah ¬ rens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung .

Gemäß diesem Schritt ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffo ¬ lie 201 auf den Reflektorrahmen 101 verpresst respektive auf- gepresst wird, insbesondere laminiert wird. Gemäß dem in Fig. 8 gezeigten weiteren Schritt des zweiten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, wobei der weitere Schritt dem Schritt gemäß Fig. 7 zeitlich folgt, ist dann vorgesehen, dass der Reflektorrahmen 101 mit der verpressten Leuchtstofffolie 201 auf die Obersei ¬ te 303 des Trägers 301 aufgepresst wird, insbesondere lami ¬ niert wird. Das Bezugszeichen 801 zeigt auf zwei Pfeile, die eine Auf ¬ pressrichtung anzeigen.

Durch dieses Verpressen, wie es in Fig. 8 symbolisch dargestellt ist, wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung ge- bildet, die analog zu der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 501 gemäß Fig. 5 ausgebildet ist. Von daher wurde auf eine gesonderte Darstellung verzichtet.

Analog zu der in Fig. 6 gezeigten Darstellung ist auch in dem zweiten Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen

Leuchtvorrichtung in einer Ausführungsform vorgesehen, dass die Halbleiterchips 305 vereinzelt werden. Die vereinzelten Halbleiterchips entsprechen dann den in Fig. 6 gezeigten vereinzelten Halbleiterchips 305. Auf die entsprechenden Ausfüh- rungen wird verwiesen. Es wird auch hier auf eine gesonderte Darstellung verzichtet.

Fig. 9 zeigt einen Herstellungsschritt eines dritten Verfah ¬ rens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrich- tung.

Gemäß diesem Herstellungsschritt ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie 201 auf die Halbleiterchips 305 verpresst respektive aufgepresst wird, insbesondere laminiert wird.

Fig. 10 zeigt die LeuchtstoffSchicht 201 im verpressten Zu ¬ stand. Das heißt also, dass die Fig. 10 eine Anordnung zeigt, die den Träger 301 umfasst, wobei auf der Oberseite 303 des Trägers 301 die mehreren Halbleiterchips 305 angeordnet sind, wobei die Leuchtstofffolie 201 auf den mehreren Halbleiter ¬ chips 305 verpresst ist. Insofern zeigt die Fig. 10 eine optoelektronische Leuchtvor ¬ richtung 1001.

Fig. 11 zeigt einen weiteren Herstellungsschritt des dritten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvor- richtung, wobei der weitere Herstellungsschritt zeitlich dem Verpressen gemäß Fig. 9 folgt.

Gemäß diesem weiteren Herstellungsschritt ist vorgesehen, dass die in Fig. 10 gezeigte Anordnung noch mittels eines Re- flektormaterials 1105 bedruckt wird. Das heißt also, dass durch Aussparungen 1103 einer Schablone 1101 mittels eines Rakels 1107 Reflektormaterial 1105 in die Zwischenräume 1109 zwischen den Halbleiterchips 305 eingebracht oder eingefüllt wird. Das heißt also, dass zwischen den Halbleiterchips 305, also in den entsprechenden Zwischenräumen 1109, Reflektormaterial 1105 eingebracht oder eingefüllt wird, wobei das Ein ¬ füllen respektive Einbringen mittels eines Druckverfahrens durchgeführt wird. Insofern bildet sich zwischen den Halbleiterchips 305, also in den Zwischenräumen 1109, jeweils ein Reflektor 1111 aus Reflektormaterial 1105.

Hierbei ist die Schablone 1101 derart ausgebildet, dass beim Rakeln kein Reflektormaterial 1105 auf die Oberseiten 307 der Halbleiterchips 305 aufgedruckt wird. Das heißt also insbe ¬ sondere, dass die Aussparungen 1103 der Schablone 1101 ent ¬ sprechend der in Fig. 3 gezeigten Matrix aus Halbleiterchips 305 angeordnet und ausgebildet sind, wobei die Ausspa- rungen 1103 der Schablone 1101 jeweils den Zwischenräumen 1109 zugeordnet sind. Nach dem Drucken der Reflektoren 1111 ist gemäß einem anderen in Fig. 12 gezeigten Herstellungsschritt vorgesehen, dass die Halbleiterchips 305 vereinzelt werden, zum Beispiel mittels Sägen .

Insofern sind mehrere optoelektronische Leuchtvorrichtun ¬ gen 1201 gebildet, die jeweils einen entsprechend vereinzel ¬ ten Träger umfassen, wobei auf einer Oberseite des vereinzel ¬ ten Trägers jeweils einer der optoelektronischen Halbleiter- chips 305 angeordnet ist, der sowohl mit einer verpressten Leuchtstofffolie versehen ist als auch mit einem gedruckten Reflektor .

Fig. 13 zeigt ein Ablaufdiagramm eines vierten Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:

- Bereitstellen 1301 eines Trägers, wobei auf einer Obersei- te des Trägers ein oder mehrere optoelektronische Halb ¬ leiterchips angeordnet sind, und

- Verpressen 1305 einer Leuchtstofffolie auf den einen oder den mehreren Halbleiterchips. Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, eine Leuchtstofffolie auf mehrere Halbleiterchips zu verpressen, insbesondere eine Leuchtstofffolie auf mehrere Halbleiter ¬ chips zu laminieren. Gemäß einer ersten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die

Leuchtstofffolie zwischen einem Reflektorrahmen und den Halbleiterchips angeordnet oder gelegt wird, wobei dann der Re ¬ flektorrahmen auf den Träger aufgepresst wird, zum Beispiel mittels einer Laminieranlage . Vorzugsweise wird anschließend ein Vereinzeln der Halbleiterchips durchgeführt.

Gemäß einer zweiten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leuchtstofffolie zuerst auf den Reflektorrahmen aufgepresst, insbesondere auflaminiert , wird. Der Reflektorrahmen mit der aufgepressten Leuchtstofffolie wird dann in einem zeitlich folgenden Schritt auf den Träger umfassend die Halbleiterchips verpresst, insbesondere auflaminiert . Vorzugsweise wer- den anschließend die Halbleiterchips vereinzelt.

Gemäß einer dritten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die LeuchtstoffSchicht auf die Halbleiterchips auflaminiert wird. Anschließend wird mittels eines Druckens, insbesondere mit- tels eines Sieb- und/oder Schablonendruckens, Reflektormate ¬ rial zwischen die Halbleiterchips eingefüllt oder einge ¬ bracht. Das heißt also insbesondere, dass in Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips Reflektormaterial eingebracht wird. Das heißt also, dass gemäß dieser dritten Ausführungs- form die Reflektoren für die Halbleiterchips gedruckt werden. Vorzugsweise werden die Halbleiterchips nach dem Drucken ver ¬ einzelt, zum Beispiel mittels Sägen.

Das erfindungsgemäße Konzept weist insbesondere den Vorteil auf, dass nur wenige, kostengünstige Prozessschritte notwen ¬ dig sind, um eine optoelektronische Leuchtvorrichtung aufwei ¬ send eine Leuchtstofffolie und einen Reflektor herzustellen. Somit können zum Beispiel viele kritische Umklebe-Schritte entfallen .

Gemäß der ersten Ausführungsform werden also die drei Teile (Träger, Leuchtstofffolie, Reflektorrahmen) in einem gemeinsamen Prozessschritt verpresst. Gemäß der zweiten Ausführungsform wird also vorab die Leucht ¬ stofffolie auf den Reflektorrahmen verpresst, wobei erst in einem zeitlich folgenden Schritt dieser Reflektorrahmen mit der verpressten Leuchtstofffolie auf den Träger aufgepresst wird .

Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele ein- geschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

BEZUGSZEICHENLISTE

101 Reflektorrahmen

103 Aussparung

105 Innenwand der Aussparung

107 Längssteg

109 Quersteg

201 Leuchtstofffolie

301 Träger

303 Oberseite des Trägers

305 optoelektronischer Halbleiterchip

307 Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips

401 Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips

403 Seitenflanke des optoelektronischen Halbleiterchips

405 Zwischenraum

501 optoelektronische Leucht orrichtung

601 optoelektronische Leucht orrichtung

801 Aufpressrichtung

1001 optoelektronische LeuchtVorrichtung

1101 Schablone

1103 Aussparung

1105 Reflektormaterial

1107 Rakel

1109 Zwischenraum

1111 Reflektor

1201 optoelektronische LeuchtVorrichtung

1301 Bereitstellen

1305 Verpressen