以下、本発明の好適な実施形態について� ��細に説明する。ただし、本発明は以下の実� ��形態に限定されるものではない。

(第一実施形態)
 図1、2、3、4及び5は、第一実施形態に係る� �導体チップの製造方法を示す端面図である� �本実施形態に係る半導体チップの製造方法� �、半導体ウェハ1、半導体用接着フィルム2及 びダイシングテープ3がこの順で積層された� �層体20を準備する工程(図1)と、積層体20に半� ��体ウェハ1側から切り込み40を形成する工程( 図2、3)と、半導体用接着フィルム2を切り込� �40に沿って分割する工程(図4)と、半導体チッ プ10を半導体用接着フィルム2とともにピック アップする工程(図5)とを備える。

 図1の積層体20は、半導体ウェハ1の裏面に 半導体用接着フィルム2及びダイシングテー� �3をこの順で貼り付けるか、又は半導体用接� ��フィルム2及びダイシングテープ3が積層さ� �た複合シートを半導体用接着フィルム2が半� ��体ウェハ1側に位置する向きで半導体ウェハ 1の裏面に貼り付ける方法で準備される。

 半導体ウェハ1としては、単結晶シリコン の他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガ リウム砒素などの化合物半導体などから構成 されるウェハが使用される。ダイシングテー プ3は、固定用のリングに対して固定可能な� �度の粘着性を有し、半導体用接着フィルム2� ��分断されるように引き伸ばすことが可能な� ��のであれば、特に制限なく用いられる。例� ��ば、塩化ビニル系テープをダイシングテー� ��として用いることができる。半導体用接着� ��ィルム2の詳細については後述する。

 半導体用接着フィルム2又はこれを有する 複合シートを半導体ウェハ1に貼り付ける際� �半導体用接着フィルムの温度は0~100℃に保持 されることが好ましい。このように比較的低 い温度で半導体用接着フィルム2を貼り付け� �ことにより、半導体ウェハ1の反りや、ダイ� ��ングテープやバックグラインドテープの熱� ��歴に起因する損傷が十分に抑制される。同� ��の観点から、上記温度は、より好ましくは1 5℃~95℃、更に好ましくは20℃~90℃である。

 積層体20に対して、半導体ウェハ1が複数� ��半導体チップ10に分割されるとともに半導� �用接着フィルム2の厚さ方向の一部が切断さ� ��ずに残るように、ダイシングブレード4を用 いて半導体ウェハ1側から切り込み40が形成さ れる(図2)。言い換えると、半導体ウェハ1は� �全に切断され、半導体ウェハ1が切断される� ��に沿って半導体用接着フィルム2がハーフカ ットされる。

 図3は、積層体20に形成された切り込み40� �傍を示す拡大端面図である。「ハーフカッ� �」は、半導体用接着フィルム2の厚さT1及び� �導体用接着フィルム2が切り込まれる深さT2� �、T2/T1<1の関係を満たすことを意味する。T 2/T1は好ましくは1/5~4/5、より好ましくは1/4~3/4 、さらに好ましくは1/3~2/3である。T2が小さく なると、半導体用接着フィルム2を切り込み40 に沿って分割したときにバリの発生が妨げら れる傾向がある一方で、ダイシングテープ3� �引き伸ばすこと、更には半導体チップ10をピ ックアップする際の突き上げ高さを高くする ことによっても、半導体用接着フィルム2を� �全に分断することが困難になる傾向がある� �また、T2が大きくなるとダイシングテープを 引き伸ばす量(以下場合により「エキスパン� �量」という。)が小さくても、または半導体� ��ップ10をピックアップする際の突き上げ高� �が低くても、ダイボンドフィルムを完全に� �断し易い傾向がある。ただし、T2が過度に大 きくなると、バリ抑制の効果が小さくなって 、半導体装置製造の歩留まりが低下する傾向 がある。

 切り込み40の形成の後、ダイシングテー� �3を、複数の半導体チップ10が互いに離れる� �向、すなわちダイシングテープ3の主面に沿� ��方向(図2の矢印の方向)に引き伸ばして、半� ��体用接着フィルム2が分割される(図4)。その 結果、半導体チップ10及びこれに貼り付けら� ��た半導体用接着フィルム2を有する接着フィ ルム付き半導体チップが、ダイシングテープ 3上に配列した状態になる。

 エキスパンド量は、引き伸ばした後のダイ� ��ングテープ3の幅(最大幅)R ₁ と、初期のダイシングテープ3の幅(最大幅)R ₀ (図2参照)との差である。このエキスパンド量 は、好ましくは2mm~10mm、より好ましくは2mm~8mm 、更に好ましくは2mm~7mmである。本実施形態� �ように、半導体用接着フィルム2に切込みが� ��成されている場合、切断のきっかけが存在� ��ることから、後述の第二実施形態のように� ��導体用接着フィルム2が全く切断されていな い場合に比べてエキスパンド量は少なくてよ い。

 ダイシングテープ3を引き伸ばした後、半 導体チップ10がその裏面に貼り付けられた半� ��体用接着フィルム2とともにピックアップさ れる(図5)。ピックアップする半導体チップ10� ��位置において、ダイシングテープ3を半導体 チップ10とは反対側から所定の高さまで突き� ��げてもよい。ピックアップされた半導体チ� ��プ10は、その裏面に貼り付けられた半導体� �接着フィルム2をダイボンディング材として� ��いることにより各種支持部材等に搭載され� ��。ピックアップ後の工程については後述す� ��。

 以下、半導体用接着フィルム2の詳細につ いて説明する。

 半導体用接着フィルム2は、引張破断伸度 が比較的短いことが一つの特徴である。半導 体用接着フィルム2は、引張試験において降� �することなく、又は最大荷重を経て降伏し� �直後に破断する。このような引張特性を有� �ていることにより、半導体用接着フィルム2� ��、引張応力によって破断したときに破断面� ��ささくれ立ちにくく、バリの発生が十分に� ��制される。

 より具体的には、半導体用接着フィルム2 の引張破断伸度は好ましくは5%未満である。� ��た、半導体用接着フィルム2の引張破断伸度 は、引張試験における最大荷重時の伸度に対 して好ましくは110%未満である。半導体用接� �フィルム2がこのような引張特性を有するこ� ��により、少ないエキスパンド量で半導体用� ��着フィルム2を効率よく且つ確実に分断する ことができる。

 引張破断伸度が5%以上であると、半導体� �接着フィルム2を完全に分断するためには、� ��イシングテープ3のエキスパンド量を通常以 上に大きくすることが必要とされる。また、 引張破断伸度の最大荷重時の伸度に対する割 合が110%以上であることは、降伏状態が長い� �と、又はネッキングが起こりやすいことに� �応し、この場合、半導体用接着フィルム2を� ��バリを抑制しながら完全に分断することが� ��難になる傾向がある。

 上記と同様の観点から、引張破断伸度は� ��より好ましくは4%未満、さらに好ましくは3. 5%未満である。同様に、引張破断伸度の最大� ��重時の伸度に対する比率は、より好ましく� ��108%未満、さらに好ましくは105%未満である� �なお、係る比率は、引張破断伸度と最大荷� �時の伸度が一致するときに、最低値である10 0%となる。

 最大応力、最大荷重伸度及び引張破断伸度� ��、Bステージ状態の半導体用接着フィルムか ら切り出された、幅5mm、長さ50mm、厚さ25μmの サイズを有する短冊状の試験片を用いて、25� ��の環境下で、以下の条件で引張試験を行う� ��とにより求められる。
引張試験機:SIMADZU製100Nオートグラフ「AGS-100NH 」
チャック間距離(試験開始時):30mm
引張速度:5mm/分

 引張試験によって得られた応力-ひずみ曲線 から、最大荷重、最大荷重時のチャック間長 さ、及び破断時のチャック間長さを読み取り 、これらの値と試料断面積の実測値を用いて 、下記式により最大応力、最大荷重伸度及び 引張破断伸度を算出する。
最大応力(Pa)=最大荷重(N)/試料の断面積(m ² )
最大荷重時の伸度(%)={(最大荷重時のチャック 間長さ(mm)-30)/30}×100
引張破断伸度(%)={(破断時のチャック間長さ(mm )-30)/30}×100

 通常、複数の試験片について測定を行い� ��その平均値をその半導体用接着フィルムの� ��張特性として記録する。再現性の観点から� ��引張試験は上記条件で行うことが好ましい� ��、実質的に同一の試験結果を与える他の条� ��に変更してもよい。

 半導体用接着フィルム2は、好ましくは、 熱可塑性樹脂、熱硬化性成分及びフィラーを 含有する。これらの成分によって半導体用接 着フィルム2を構成し、各成分の種類及び配� �量を調整することにより、上記特定の引張� �性を有する半導体用接着フィルム2が得られ� ��。

 半導体用接着フィルムを構成する熱可塑� ��樹脂は、60℃以下のガラス転移温度(Tg)を有� ��ることが好ましい。また、300℃以上の耐熱� ��を有する熱可塑性樹脂が好ましい。好適な� ��可塑性樹脂の具体例としては、ポリイミド� ��脂、ポリアミドイミド樹脂、フェノキシ樹� ��、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂及びウレ� ��ン樹脂が挙げられる。これらを1種又は複数 組合わせて用いることができる。これらの中 でも、ポリイミド樹脂が特に好ましい。ポリ イミド樹脂を用いることにより、フィラーの 含有量をある程度小さく維持しながら、上述 のような引張特性を半導体用接着フィルム2� �容易に付与することができる。

 熱硬化性成分は、加熱により架橋して硬� ��体を形成し得る成分であり、例えば、熱硬� ��性樹脂及びその硬化剤から構成される。熱� ��化性樹脂としては、従来公知のものを使用� ��ることができ、特に制限はないが、中でも� ��導体周辺材料としての利便性(高純度品の入 手容易、品種が多い、反応性制御しやすい)� �点で、エポキシ樹脂、及び1分子中に少なく� ��も2個の熱硬化性イミド基を有するイミド化 合物が好ましい。エポキシ樹脂は、通常エポ キシ樹脂硬化剤と併用される。

 エポキシ樹脂は、好ましくは2個以上のエ ポキシ基を有する化合物である。硬化性や硬 化物特性の点から、フェノールのグリシジル エーテル型のエポキシ樹脂が好ましい。フェ ノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹 脂としては、例えば、ビスフェノールA、ビ� �フェノールAD、ビスフェノールS、ビスフェ� �ールF又はハロゲン化ビスフェノールAとエピ クロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラ ック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾール ノボラック樹脂のグリシジルエーテル、及び ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジ� �エーテルが挙げられる。これらの中でも、� �ボラック型エポキシ樹脂(クレゾールノボラ� ��ク樹脂のグリシジルエーテル及びフェノー� ��ノボラック樹脂のグリシジルエーテル等)は 、硬化物の架橋密度が高く、フィルムの熱時 の接着強度を高くすることができる点で好ま しい。これらは単独で又は二種類以上を組み 合わせて使用することができる。

 エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、� ��ェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族� ��ミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂� ��族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無� ��物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジ� ��、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾー� ��類、及び第3級アミンが挙げられる。これら の中でもフェノール系化合物が好ましく、そ の中でも2個以上のフェノール性水酸基を有� �るフェノール系化合物が特に好ましい。よ� �具体的には、ナフトールノボラック樹脂及� �トリスフェノールノボラック樹脂が好まし� �。これらのフェノール系化合物をエポキシ� �脂硬化剤として用いると、パッケージ組み� �てのための加熱の際のチップ表面及び装置� �汚染や、臭気の原因となるアウトガスの発� �を有効に低減できる。

 フィラーの含有量を調整することにより� ��半導体用接着フィルムの引張特性を制御す� ��ことができる。フィラーの含有量を多くす� ��と、引張破断伸度が小さくなる傾向、及び� ��張破断伸度の最大荷重時の伸度に対する比� ��が小さくなる傾向がある。また、フィラー� ��適量用いることにより、取扱い性の向上、� ��伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソト� ��ピック性の付与などの効果を得ることも可� ��である。

 上記目的の観点から、フィラーは無機フ� ��ラーであることが好ましい。より具体的に� ��、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウ� ��、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケ� ��酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化� ��ルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、� ��化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、� ��化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ及� ��アンチモン酸化物からなる群より選ばれる� ��なくとも1種の無機材料を含む無機フィラー が好ましい。これらの中でも、熱伝導性向上 のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、 窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカ が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピ ック性の付与の目的には、水酸化アルミニウ ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、 炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ 酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグ ネシウム、アルミナ、結晶性シリカ及び非晶 性シリカが好ましい。また、耐湿性を向上さ せるためには、アルミナ、シリカ、水酸化ア ルミニウム及びアンチモン酸化物が好ましい 。複数種類のフィラーを混ぜて使用してもよ い。

 フィラーの含有量が多くなると、引張破� ��伸度が小さくなるとともに弾性率が高くな� ��て破断強度が上昇する傾向がある一方で、� ��着性の低下によって耐リフローククラック� ��が低下する傾向がある。特に、有機基板の� ��うな表面に凹凸が形成されている被着体と� ��導体チップの間でリフロー時に破壊が進行� ��易くなる傾向がある。また、フィラーの含� ��量が多くなると、HAST試験等の高温高湿環境 下における信頼性試験に対する耐性が低下す る傾向もある。更に、フィラーの含有量が多 くなると、半導体用接着フィルムを半導体ウ ェハへ貼り付け可能な温度も上昇してしまう 傾向がある。以上のような事情を鑑みると、 フィラーの含有量は、半導体用接着フィルム の全質量に対して好ましくは30質量%未満、よ り好ましくは25質量%未満。更に好ましくは20� ��量%未満である。

 半導体用接着フィルム2は、100℃以下の温 度で被着体である半導体ウェハに貼り付け可 能であることが好ましい。ここで、所定の温 度に保持された半導体用接着フィルムを半導 体ウェハに貼り付けたときに、半導体用接着 フィルムと半導体ウェハの界面におけるピー ル強度が20N/m以上であれば、半導体ウェハに� ��り付け可能であると判断される。半導体用� ��着フィルムは、例えば、100℃以下の温度に� ��定されたホットロールラミネータを用いて� ��導体ウェハに貼り付けられる。ピール強度� ��測定は、25℃の雰囲気中、引張り角度90°、� ��張り速度50mm/分として行われる。例えば、� �ィラーの含有量を小さくしたり、低いTgを有 する熱可塑性樹脂を用いたりすることにより 、100℃以下で半導体ウェハに貼り付け可能な 半導体用接着フィルムが得られる。半導体用 接着フィルム2が半導体ウェハに貼り付け可� �な温度は、より好ましくは95℃以下、更に好 ましくは90℃以下である。

 半導体用接着フィルム2は、半導体チップ 搭載用支持部材に半導体チップを搭載する場 合に要求される耐熱性および耐湿性を有する ことが好ましい。その為、耐リフロークラッ ク性試験をパスしていることが好ましい。接 着強度を指標にして半導体用接着フィルムの 耐リフロークラック性を評価することができ る。良好な耐リフロークラック性を得るため には、4×2mm角の接着面積で半導体用接着フィ ルムを半導体ウェハに接着したときに、ピー ル強度が初期に1.0kg/cm以上、85℃/85%の雰囲気� ��で48時間放置した後に0.5kg/cm以上であること が好ましい。初期のピール強度は1.3kg/cm以上� ��あることがより好ましく、1.5kg/cmであるこ� �が更に好ましくい。85℃/85%の雰囲気下で48時 間放置した後のピール強度は0.7kg/cm以上であ� ��ことがより好ましく、0.8kg/cm以上であるこ� �が更に好ましい。

 半導体用接着フィルム2は、例えば、熱可 塑性樹脂、熱硬化性成分、フィラー及びこれ らを溶解又は分散する有機溶剤を含有する塗 工液を基材フィルムに塗付し、基材フィルム 上の塗工液から加熱により有機溶剤を除去す る方法で得ることができる。

 有機溶媒は、材料を均一に溶解又は分散� ��きるものであれば制限はなく、例えば、ジ� ��チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド� ��N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシ� �、ジエチレングリコールジメチルエーテル� �トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエ� �ルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセ� �ソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブ� �ルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサ� �ン及び酢酸エチルが挙げられる。これらは� �独で又は二種類以上を組み合わせて使用す� �ことができる。

 基材フィルムは、有機溶剤の除去のため� ��加熱に耐えるものであれば特に限定するも� ��ではない。基材フィルムの例としては、ポ� ��エステルフィルム、ポリプロピレンフィル� ��、ポリエチレンテレフタレートフィルム、� ��リイミドフィルム、ポリエーテルイミドフ� ��ルム、ポリエーテルナフタレートフィルム� ��及びメチルペンテンフィルムが挙げられる� ��これらフィルムを2種以上組み合わせた多層 フィルムを基材フィルムとして用いてもよい 。基材フィルムの表面はシリコーン系、シリ カ系等の離型剤などで処理されていてもよい 。有機溶剤の除去後、基材フィルムを除去す ることなく、半導体用接着フィルムの支持体 としてそのまま用いてもよい。

 半導体用接着フィルムは、ダイシングテ� ��プと貼り合わせた複合シートの状態で保管� ��び使用することもできる。このような複合� ��ートを用いることにより、半導体装置製造� ��程を簡略化することができる。

(第二実施形態)
 図6、7、8及び9は、第二実施形態に係る半導 体チップの製造方法を示す端面図である。本 実施形態に係る方法は、半導体ウェハ1、半� �体用接着フィルム2及びダイシングテープ3が この順で積層された積層体20を準備する工程( 図6~8)と、ダイシングテープ3を複数の半導体� ��ップ10が互いに離れる方向に引き伸ばすこ� �により、半導体ウェハ1を複数の半導体チッ� ��10に分割するとともに半導体用接着フィル� �2を分割する工程(図9)と、半導体チップ10を� �導体用接着フィルム2とともにピックアップ� ��る工程とを備える。

 積層体20を準備する工程は、レーザー加� �により半導体ウェハ1を複数の半導体チップ1 0に分画する線50(以下「分割予定線」という� �)に沿って改質部1aを半導体ウェハ1の内部に� ��成する工程(図6)と、改質部1aが形成された� �導体ウェハ1に半導体用接着フィルム2を貼り 付ける工程(図7)と、半導体用接着フィルム2� �ダイシングテープ3を貼り付ける工程(図8)と� ��ら構成される。

 レーザー加工により改質部1aを形成する� �程において、レーザー90が分割予定線50に沿� ��て照射される(図6の(b))。係るレーザー加工� ��、いわゆるステルスダイシングとして知ら� ��ている方法において通常採用されている条� ��により行うことが可能である。レーザー加� ��によって、半導体ウェハ1の内部に改質部1a� ��形成される。

 その後、図7、8に示すように半導体ウェ� �1に半導体用接着フィルム2及びダイシングテ ープ3を順次貼り付けて、積層体20が得られる 。

 積層体20を得る工程は本実施形態のよう� �順序に限られるものではない。例えば、半� �体ウェハに半導体用接着フィルムを貼り付� �た後、レーザー加工により改質部を形成し� �もよい。

 積層体20を得た後、ダイシングテープ3を� ��数の半導体チップ10が互いに離れる方向(図8 (b)の矢印の方向)に引き伸ばすことにより、� �導体ウェハ1が複数の半導体チップ10に分割� �れるとともに、半導体用接着フィルム2が改� ��部1aに沿って分割される(図9)。

 本実施形態によれば、半導体ウェハ1及び 半導体用接着フィルム2は、ダイシングブレ� �ドによって切断されることなく、ダイシン� �テープの引き伸ばしによって分割される。� �の方法によれば、半導体ウェハ1と半導体用� ��着フィルム2をダイシングブレードによって 同時に切断する必要がないため、半導体ウェ アの個片化の速度を高めることができ、バリ の発生も抑制される。

 本実施形態の場合、ダイシングテープ3の エキスパンド量は好ましくは5~30mmであり、よ り好ましくは10~30mmであり、更に好ましくは10 ~20mmである。エキスパンド量が5mm未満である� ��、半導体ウェハ1及び半導体用接着フィルム 2を完全に分断することが困難となる傾向が� �り、30mmを超えると分割予定線に沿った部分� ��外での破断が起こり易くなる傾向がある。

 また、本実施形態の場合、ダイシングテ� ��プ3を引き伸ばす速度(エキスパンド速度)は� ��ましくは10~1000mm/秒であり、より好ましくは 10~100mm/秒であり、更に好ましくは10~50mm/秒で� ��る。エキスパンド速度が10mm/秒未満である� �、半導体ウェハ1及び半導体用接着フィルム2 が完全に分断することが困難となる傾向があ り、1000mm/秒を超えると、分割予定線に沿っ� �部分以外での破断が起こり易くなる傾向が� �る。

 以上説明したような、第一実施形態又は� ��二実施形態に係る方法によって得られ、半� ��体用接着フィルム2とともにピックアップさ れた半導体チップ10は、例えばIC、LSIのよう� �半導体素子を構成する。半導体チップ10は、 例えば、その裏面に貼り付けられた半導体用 接着フィルム2を介して支持部材に接着され� �。支持部材としては、例えば、42アロイリー ドフレーム及び銅リードフレーム等のリード フレーム、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂 及びマレイミド系樹脂等から形成された樹脂 フィルム、ガラス不織布又はガラス織布にエ ポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂及びマレイミ ド系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸しこれを硬 化させて得られる基板、並びに、ガラス基板 及びアルミナ等のセラミックス基板が挙げら れる。

 半導体チップ同士を半導体用接着フィル� ��を介して接着してもよい。図10は、係る方� �によって得られる半導体装置の一実施形態� �示す断面図である。図10に示す半導体装置100 は、配線付基材(支持部材)7と、配線付基材7� �半導体用接着フィルム2を介して接着された� ��導体チップ10aと、半導体チップ10aに半導体� ��接着フィルム2を介して接着された半導体チ ップ10bとを備える。半導体チップ10a及び10bは 、ボンディングワイヤ8によって配線付基材7� ��配線と接続されている。また、半導体チッ� ��10a及び10bは、これらが埋設される封止樹脂� ��9によって封止されている。

 半導体チップと支持部材との接着、及び� ��導体チップ同士の接着は、例えば、半導体� ��ップと支持部材との間又は半導体チップ同� ��の間に半導体用接着フィルムを挟んだ状態� ��、60~300℃で0.1~300秒間加熱して行われる。

 半導体用接着フィルム2が熱硬化性樹脂を 含有する場合は、接着後の半導体チップを加 熱して半導体用接着フィルムの被着体への密 着や硬化を促進させて、接合部の強度を増す ことが好ましい。このときの加熱は、接着フ ィルムの組成に応じて適宜調整すればよく、 通常、60~220℃、0.1~600分間である。樹脂封止� �行う場合は、封止樹脂の硬化工程の加熱を� �用してもよい。