LASERBEHANDLUNG UND TEMPERATURINDUZIERTEN SPANNUNGEN

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Festkörperelementen gemäß dem Gegenstand von Anspruch 1 und auf einen mittels dieses Verfahrens hergestellten Festkörpers (Anspruch 9).

In vielen technischen Bereichen (z.B. Mikroelektronik- oder Photovoltaiktechnologie) werden Materialien, wie z.B. Silizium, Germanium oder Saphir, häufig in der Form dünner Scheiben und Platten (so genannte Wafer) gebraucht. Standardmäßig werden solche Wafer derzeit durch Sägen aus einem Ingot hergestellt, wobei relativ große Materialverluste ("kerf-loss") entstehen. Da das verwendete Ausgangsmaterial oft sehr teuer ist, gibt es starke Bestrebungen, solche Wafers mit weniger Materialaufwand und damit effizienter und kostengünstiger herzustellen.

Beispielsweise gehen mit den derzeit üblichen Verfahren allein bei der Herstellung von Siliziumwafer für Solarzellen fast 50% des eingesetzten Materials als "kerf-loss" verloren. Weltweit gesehen entspricht dies einem jährlichen Verlust von über 2 Milliarden Euro. Da die Kosten des Wafers den größten Anteil an den Kosten der fertigen Solarzelle ausmachen (über 40%}, könnten durch entsprechende Verbesserungen der Waferherstellung die Kosten von Solarzellen signifikant reduziert werden.

Besonders attraktiv für eine solche Waferherstellung ohne kerf-loss ("kerf-free wafering") erscheinen Verfahren, die auf das herkömmliche Sägen verzichten und z.B. durch Einsatz von temperaturinduzierten Spannungen direkt dünne Wafer von einem dickeren Werkstück abspalten können. Dazu gehören insbesondere Verfahren, wie sie z.B. in PCT/US2008/012140 und PCT/EP2009/067539 beschrieben sind, wo zum Erzeugen dieser Spannungen eine auf das Werkstück aufgetragene Polymerschicht verwendet wird.

Die Polymerschicht weist bei den erwähnten Verfahren einen im Vergleich zum Werkstück um ungefähr zwei Größenordnungen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf. Außerdem kann durch Ausnutzen eines Glasübergangs ein relativ hoher Elastizitätsmodul in der Polymerschicht erreicht werden, so dass im Schichtsystem Polymerschicht-Werkstück durch Abkühlen genügend große Spannungen induziert werden können, um die Abspaltung von Wafer vom Werkstück zu ermöglichen. Beim Abspalten eines Wafers vom Werkstück haftet bei den erwähnten Verfahren jeweils auf einer Seite des Wafers noch Polymer an. Der Wafer krümmt sich dabei sehr stark in Richtung dieser Polymerschicht, was ein kontrolliertes Abspalten erschwert, und z.B. zu Dickenschwankungen des abgespaltenen Wafers führen kann. Außerdem erschwert die starke Krümmung die weitere Verarbeitung und kann sogar zum Zerbrechen des Wafers führen.

Bei Verwendung der Verfahren nach bisherigem Stand der Technik weisen die hergestellten Wafer üblicherweise jeweils größere Dickenschwankungen auf, wobei die räumliche Dickenverteilung häufig ein Muster mit vierzähliger Symmetrie zeigt. Die totale Dickenschwankung über den ganzen Wafer gesehen ("total thickness Variation", TTV) beträgt bei Verwendung der bisherigen Verfahren häufig mehr als 100% der mittleren Waferdicke (ein Wafer von bspw. 100 Mikrometer mittlerer Dicke, der z.B. an seiner dünnsten Stelle 50 Mikrometer dick und an seiner dicksten Stelle 170 Mikrometer dick ist, hat ein TTV von 170-50=120 Mikrometer, was relativ zu seiner mittleren Dicke einer totalen Dickenschwankung von 120% entspricht). Wafer mit solch starken Dickenschwankungen sind für viele Anwendungen nicht geeignet. Außerdem liegen bei den am häufigsten auftretenden vierzähligen Dickenverteilungsmustern die Bereiche mit den größten Schwankungen unglücklicherweise in der Mitte des Wafers, wo sie am meisten stören.

Außerdem entstehen beim Verfahren nach aktuellem Stand der Technik während der Bruchpropagation beim Abspalten selbst unerwünschte Oszillationen in den beteiligten Schichtsystemen, die den Verlauf der Bruchfront ungünstig beeinflussen und insbesondere zu signifikanten Dickenschwankungen des abgespaltenen Wafers führen können.

Zudem ist es bei den bisherigen Verfahren schwierig, einen reproduzierbar guten Wärmekontakt über die ganze Fläche der Polymerschicht sicherzustellen. Lokal ungenügender Wärmekontakt kann aber aufgrund der geringen thermischen Leitfähigkeit der verwendeten Polymere zu ungewollten, signifikanten lokalen Temperaturabweichungen im Schichtsystem führen, was sich seinerseits negativ auf die Kontrollierbarkeit der erzeugten Spannungsfelder und damit die Qualität der hergestellten Wafer auswirkt.

Weiterhin ist aus der Druckschrift DE 196 40 594 A1 ein Verfahren zur Trennung von Halbleitermaterialien mittels licht-induzierter Grenzflächenzersetzung und damit hergestellter Vorrichtungen, wie strukturierte und freistehende Halbleiterschichten und Bauelemente, bekannt. Das Verfahren gemäß der DE 196 40 594 A1 beinhaltet die Beleuchtung von Grenzflächen zwischen Substrat und Halbleiterschicht oder zwischen Halbleiterschichten, wodurch die Lichtabsorption an der Grenzfläche oder in einer dafür vorgesehenen Absorptionsschicht zur Materialzersetzung führt. Die Auswahl der Grenzfläche oder Halbleiterschicht, welche zur Zersetzung gebracht wird, erfolgt durch die Wahl der Lichtwellenlänge und Lichtintensität, die Einstrahlrichtung oder den Einbau einer dünnen Opferschicht während der Materialherstellung. Dieses Verfahren hat den Nachteil, dass zur Zerstörung ganzer Schichten hohe Energiedosen verwendet werden müssen, wodurch der Energiebedarf und somit die Kosten des Verfahrens sehr hoch sind.

Ferner werden die erzeugten Festkörperschichten nach all diesen Verfahren noch in einzelne Festkörperelemente zersägt, wodurch wiederum ein hoher Materialverlust entsteht.

Es ist somit die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein kostengünstiges Verfahren zur Herstellung von Festkörperelementen, insbesondere Computerchips, mit einer gleichmäßigen Dicke, insbesondere mit einem TTV von weniger als 120 Mikrometer, bereitzustellen.

Die zuvor genannte Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Herstellen von Festkörperelementen, insbesondere Trägerelementen zum Aufnehmen von elektrisch leitfähigen Komponenten, gelöst. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst bevorzugt mindestens die Schritte, des Bereitstellens eines Festkörpers, insbesondere eines dicken Wafers, zum Abspalten mindestens einer Festkörperschicht, insbesondere eines dünnen Wafers, des Erzeugens einer ersten Gruppe von Defekten mittels eines Lasers zum Vorgeben einer ersten Ablöseebene, entlang der die Festkörperschicht vom Festkörper abgetrennt wird, des Erzeugens einer zweiten Gruppe von Defekten mittels des Lasers zum Vorgeben von mindestens einer zweiten Ablöseebene, wobei die erste Ablöseebene und die zweite Ablöseebene zueinander orthogonal ausgerichtet sind, des Ablösens der Festkörperschicht vom Festkörper entlang der ersten Ablöseebene infolge einer Erzeugung von Spannungen in dem Festkörper und des Teilens der Festkörperschicht entlang der zweiten Ablöseebene zum Vereinzeln der Festkörperelemente.

Dieses Verfahren ist vorteilhaft, da durch die Defekterzeugung in mehreren zueinander orthogonalen Ebenen ohne signifikanten Materialverlust eine definierte Schwächung der Festkörperstruktur bzw. der Festkörperschichtstruktur bewirkt wird, wodurch auf vorteilhafte Weise Sollbruchstellen definiert werden, entlang denen ein mittels Spannungen induzierter Riss führbar ist. Weitere Ausführungsformen sind Gegenstand der Unteransprüche und der nachfolgenden Beschreibung.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mindestens eine dritte Gruppe an Defekten zum Vorgeben mindestens einer und bevorzugt mehrerer dritter Ablöseebenen mittels des Lasers erzeugt, wobei die und bevorzugt jede dritte Ablöseebene orthogonal zur ersten Ablöseebene und orthogonal zur zweiten bzw. zu einer zweiten Ablöseebene ausgerichtet ist, wobei die Festkörperschicht zum Vereinzeln der Festkörperelemente entlang der zweiten Ablöseebene und entlang der dritten Ablöseebene voneinander getrennt werden. Bevorzugt werden mehrere dritte Ablöseebenen erzeugt, die im Zusammenspiel mit mehreren zweiten Ablöseebenen ein bevorzugt gitterförmiges Muster bilden, das die einzelnen Festkörperelemente, die den Festkörper bilden bzw. mit ausbilden voneinander abgrenzt. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da das gitterförmige Muster eine gitterförmige Soll bruchsteile darstellt, entlang der die Vielzahl der einzelnen Festkörperelemente auf einfache und definierte Art voneinander getrennt werden können.

Die Spannungen zum Ablösen der Festkörperschicht werden gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung von dem Festkörper durch die thermische Beaufschlagung mindestens einer am Festkörper angeordneten Aufnahmeschicht, insbesondere einer Polymerschicht, erzeugt. Die · thermische Beaufschlagung stellt bevorzugt ein Abkühlen der Aufnahmeschicht bzw. Polymerschicht auf oder unter die Umgebungstemperatur und bevorzugt unter 10°C und besonders bevorzugt unter 0°C und weiter bevorzugt unter -10 ^e C dar. Die Abkühlung der Polymerschicht erfolgt höchst bevorzugt derart, dass zumindest ein Teil der Polymerschicht, die bevorzugt aus PDMS besteht, einen Glasübergang vollzieht. Die Abkühlung kann hierbei eine Abkühlung auf unter -100°C sein, die z.B. mittels flüssigen Stickstoffs bewirkbar ist. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da sich die Polymerschicht in Abhängigkeit von der Temperaturveränderung zusammenzieht und/oder einen Gasübergang erfährt und die dabei entstehenden Kräfte auf den Festkörper überträgt, wodurch mechanische Spannungen in dem Festkörper erzeugbar sind, die zum Auslösen eines Risses und/oder zur Rissausbreitung führen, wobei sich der Riss zunächst entlang der ersten Ablöseebene zum Abspalten der Festkörperschicht ausbreitet.

Die Polymerschicht, insbesondere PDMS, wird gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zum Erzeugen der Spannungen definiert abgekühlt, wobei die Spannungen in dem Festkörper derart erzeugbar sind, dass die Rissauslösung und/oder die Rissausbreitung zum Erzeugen einer vorbestimmten Oberflächenbeschaffenheit der sich in der Rissebene ergebenden Oberfläche steuerbar ist. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da aufgrund des beeinflussbaren bzw. steuerbaren Rissverlaufs Bereiche, in denen der Riss typisch erweise eine eher heterogene Oberfläche, d.h. mit einer hohen Dickenschwankung hinterlässt, reduzierbar sind bzw. derart z.B. an den Rand des Festkörpers verlagerbar sind, dass die Gesamtzahl der nutzbaren Festkörperelemente erhöht wird.

Die Polymerschicht wird gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung derart beaufschlagt, dass sie eine Formveränderung in einer ersten Richtung und/oder in einer zweiten Richtung erfährt, wobei eine Formveränderung in der ersten Richtung ein Ablösen von Festkörperelementen voneinander entlang der zweiten Ablöseebene bewirkt und eine Formveränderung in der zweiten Richtung ein Ablösen von Festkörperelementen voneinander entlang der dritten Ablöseebene bewirkt. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da die ohnehin schon an der abgetrennten Festkörperschicht angeordnete bzw. anhaftende Polymerschicht nicht nur zur Abtrennung der Festkörperschicht von dem Festkörper und zur Aufnahme der abgetrennten Festkörperschicht dient, sondern noch zur Vereinzelung der Festkörperelemente verwendet wird. Dies stellt somit eine deutliche Prozessvereinfachung und eine deutliche Prozessbeschleunigung dar, wodurch die einzelnen Festkörperelemente deutlich günstiger und schneller hergestellt werden können.

Die Formveränderung der Polymerschicht stellt gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in der ersten Richtung und/oder in der zweiten Richtung eine radiale Ausdehnung dar, die infolge einer mechanischen Belastung und/oder einer thermischen Beaufschlagung bewirkt wird. Die Polymerschicht kann somit bevorzugt auf verschiedene Arten in ihrer Form verändert werden, wodurch eine hohe Prozessflexibilität geschaffen wird. Bevorzugt wird die Polymerschicht in eine oder mehrere Richtungen gezogen, gedrückt und/oder gebogen. Zusätzlich oder alternativ ist jedoch ebenfalls denkbar, dass die Polymerschicht derart temperiert wird, dass sie sich ausdehnt.

Der Festkörper weist bevorzugt ein Material oder eine Materialkombination aus einer der Hauptgruppen 3, 4 und 5 des Periodensystems der Elemente auf, wie z.B. Si, SiC, SiGe, Ge, GaAs, InP, GaN, AI203 (Saphir), AIN. Besonders bevorzugt weist der Festkörper eine Kombination aus in der dritten und fünften Gruppe des Periodensystems vorkommenden Elementen auf. Denkbare Materialien oder Materialkombinationen sind dabei z.B. Galliumarsenid, Silizium, Siliziumcarbid, etc. Weiterhin kann der Festkörper eine Keramik (z.B. AI203 - Alumiumoxid) aufweisen oder aus einer Keramik bestehen, bevorzugte Keramiken sind dabei z.B. Perovskitkeramiken (wie z.B. Pb-, O-, Ti/Zr-haltige Keramiken) im Allgemeinen und Blei-Magnesium-Niobate, Bariumtitanat, Lithiumtitanat, Yttrium-Aluminium- Granat, insbesondere Yttrium-Aluminium-Granat Kristalle für Festkörperlaseranwendungen, SAW-Keramiken (surface acoustic wave), wie z.B. Lithiumniobat, Galliumorthophosphat, Quartz, Calziumtitanat, etc. im Speziellen. Der Festkörper weist somit bevorzugt ein Halbleitermaterial oder ein Keramikmaterial auf bzw. besonders bevorzugt besteht der Festkörper aus mindestens einem Halbleitermaterial oder einem Keramikmaterial. Es ist weiterhin denkbar, dass der Festkörper ein transparentes Material aufweist oder teilweise aus einem transparenten Material, wie z.B. Saphir, besteht bzw. gefertigt ist. Weitere Materialien, die hierbei als Festkörpermaterial alleine oder in Kombination mit einem anderen Material in Frage kommen, sind z.B. „wide band gap"-Materialien, InAISb, Hochtemperatursupraleiter, insbesondere seltene Erden Cuprate (z.B. YBa2Cu307).

Die erste Gruppe von Defekten und die zweite Gruppe von Defekten werden gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vor dem Ablösen der Festkörperschicht von dem Festkörper in dem Festkörper erzeugt. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da die abgetrennte Festkörperschicht, dann nicht nochmal mit einem Laser behandelt werden muss, sondern direkt weiter verarbeitet werden kann bzw. die Festkörperelemente vereinzelt werden können.

Die zweite Gruppe und bevorzugt die dritte Gruppe von Defekten werden gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nach dem Ablösen der Festkörperschicht von dem Festkörper erzeugt. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da keine Gefahr einer Beeinflussung der Rissführung zum Abtrennen der Festkörperschicht durch die Defekte der zweiten und/oder dritten Gruppe besteht.

Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Festkörperelement bzw. auf Trägerelement zum Aufnehmen elektrischer Komponenten, das nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellt wird.

Weiterhin werden die Gegenstände der Druckschriften PCT/US2008/012140 und PCT/EP2009/067539 vollumfänglich durch Bezugnahme zum Gegenstand der vorliegenden Patentanmeldung gemacht. Ebenso werden die Gegenstände aller weiteren am Anmeldetag der vorliegenden Patentanmeldung von der Anmelderin ebenfalls eingereichten und das Gebiet der Herstellung von Festkörperschichten betreffenden weiteren Patentanmeldungen vollumfänglich zum Gegenstand der vorliegenden Patentanmeldung gemacht.

Weitere Vorteile, Ziele und Eigenschaften der vorliegenden Erfindung werden anhand nachfolgender Beschreibung anliegender Zeichnungen erläutert, in welchen beispielhaft die erfindungsgemäße Waferherstellung dargestellt ist. Bauteile oder Elemente der erfindungsgemäßen Waferherstellung, welche in den Figuren wenigstens im Wesentlichen hinsichtlich ihrer Funktion übereinstimmen, können hierbei mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sein, wobei diese Bauteile oder Elemente nicht in allen Figuren beziffert oder erläutert sein müssen.

Einzelne oder alle Darstellungen der im Nachfolgenden beschriebenen Figuren sind bevorzugt als Konstruktionszeichnungen anzusehen, d.h. die sich aus der bzw. den Figuren ergebenden Abmessungen, Proportionen, Funktionszusammenhänge und/oder Anordnungen entsprechen bevorzugt genau oder bevorzugt im Wesentlichen denen der erfindungsgemäßen Vorrichtung bzw. des erfindungsgemäßen Produkts.

Darin zeigen:

Fig. 1a einen schematischen Aufbau zum Erzeugen von Defekten in einem

Festkörper;

Fig. 1b eine schematische Darstellung einer Schichtanordnung vor dem Abtrennen einer Festkörperschicht von einem Festkörper;

Fig. 1c eine schematische Darstellung einer Schichtanordnung nach dem Abtrennen einer Festkörperschicht von einem Festkörper;

Fig. 2a eine erste schematisch dargestellte Variante zur Defekterzeugung mittels

Lichtwellen;

Fig. 2b eine zweite schematisch dargestellte Variante zur Defekterzeugung mittels

Lichtwellen; Fig. 3a zeigt eine schematisch Draufsicht und eine schematische Seitenansicht des Festkörpers;

Fig. 3b zeigt die Darstellung der Fig. 3a und eine schematische Darstellung einer ersten Ablöseebene;

Fig. 4 zeigt schematisch eine weitere Anordnung der die Ablöseebenen definierenden Defekte;

Fig. 5a zeigt ein schematisches Beispiel der Ausbildung mehrerer zweiter

Ablöseebenen;

Fig. 5b zeigt ein weiteres schematisches Beispiel bzgl. der Ausbildung der zweiten

Ablöseebenen und der dritten Ablöseebenen;

Fig. 6 zeigt eine Festkörperschicht mit zweiten Ablöseebenen, die an einer

Polymerschicht angeordnet ist;

Fig. 7a zeigt eine Festkörperschicht vor der Zerteilung in Festkörperelemente; und

Fig. 7b zeigt eine Festkörperschicht nach der Zerteilung in Festkörperelemente.

In Fig. 1 a ist ein Festkörper 2 bzw. ein Substrat gezeigt, das im Bereich einer Strahlungsquelle 18, insbesondere einem Laser, angeordnet ist. Der Festkörper 2 weist bevorzugt einen ersten ebenen Flächenanteil 14 und einen zweiten ebenen Flächenanteil 16 auf, wobei der erste ebene Flächenanteil 14 bevorzugt im Wesentlichen oder genau parallel zu dem zweiten ebenen Flächenanteil 16 ausgerichtet ist. Der erste ebene Flächenanteil 14 und der zweite ebene Flächenanteil 16 begrenzen bevorzugt den Festkörper 2 in einer Y- Richtung, die bevorzugt vertikal bzw. lotrecht ausgerichtet ist. Die ebenen Flächenanteile 14 und 16 erstrecken sich bevorzugt jeweils in einer X-Z-Ebene, wobei die X-Z-Ebene bevorzugt horizontal ausgerichtet ist. Weiterhin lässt sich dieser Darstellung entnehmen, dass die Strahlungsquelle 18 Stahlen 6 auf den Festkörper 2 ausstrahlt. Die Strahlen 6 dringen je nach Konfiguration definiert tief in den Festkörper 2 ein und erzeugen an der jeweiligen Position bzw. an einer vorbestimmten Position einen Defekt. In Fig. 1b ist eine mehrschichtige Anordnung gezeigt, wobei der Festkörper 2 die Ablöseebene 8 beinhaltet und im Bereich des ersten ebenen Flächenanteils 14 mit einer Halteschicht 12 versehen ist, die wiederum bevorzugt von einer weiteren Schicht 20 überlagert wird, wobei die weitere Schicht 20 bevorzugt eine Stabilisierungseinrichtung, insbesondere eine Metallplatte, ist. An dem zweiten ebenen Flächenanteil 16 des Festkörpers 2 ist bevorzugt eine Polymerschicht 10 angeordnet. Die Polymerschicht 10 und/oder die Halteschicht 12 bestehen bevorzugt zumindest teilweise und besonders bevorzugt vollständig aus PDMS.

In Fig. 1c ist ein Zustand nach einer Rissauslösung und anschließender Rissführung gezeigt. Die Festkörperschicht 4 haftet an der Polymerschicht 10 und ist von dem verbleibenden Rest des Festkörpers 2 beabstandet bzw. beabstandbar.

Die Erfindung bezieht sich somit auf ein Verfahren zum Herstellen von Festkörperelementen 40, insbesondere Trägerelementen zum Aufnehmen von elektrisch leitfähigen Komponenten. Das Verfahren umfasst mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Festkörpers 2 zum Abspalten mindestens einer Festkörperschicht 4, Erzeugen einer ersten Gruppe von Defekten mittels eines Lasers 18 zum Vorgeben einer ersten Ablöseebene 8, entlang der die Festkörperschicht 4 vom Festkörper 2 abgetrennt wird, Erzeugen einer zweiten Gruppe von Defekten mittels des Lasers 18 zum Vorgeben von mindestens einer zweiten Ablöseebene 50, wobei die erste Ablöseebene 8 und die zweite Ablöseebene 8 zueinander orthogonal ausgerichtet sind, Ablösen der Festkörperschicht 4 vom Festkörper 2 entlang der ersten Ablöseebene 8 infolge einer Erzeugung von Spannungen in dem Festkörper 2 und Teilen der Festkörperschicht 4 entlang der zweiten Ablöseebene 50 zum Vereinzeln der Festkörperelemente 40.

In den Figuren 2a und 2b sind Beispiele für die in Fig. 1a gezeigte Erzeugung einer Ablöseebene 8 durch die Einbringung von Defekten in einen Festkörper 2 mittels Lichtstrahlen gezeigt.

In Fig. 2a ist somit schematisch gezeigt, wie Defekte in einem Festkörper 2, insbesondere zur Erzeugung von Ablöseebenen, insbesondere einer oder mehrerer Ablöseebene/n 8, einer oder mehrerer zweiter Ablöseebene/n 50 {vgl. Fig. 3a) und/oder einer oder mehrerer dritter Ablöseebenen 52 (vgl. Fig. 3b), mittels einer Strahlungsquelle 18, insbesondere einem oder mehrerer Laser, erzeugbar ist. Die Strahlungsquelle 18 emittiert dabei gemäß einer ersten Defekterzeugungsvariante Strahlung 6 mit einer ersten Wellenlänge 30 und einer zweiten Wellenlänge 32. Die Wellenlängen 30, 32 sind dabei derart aufeinander abgestimmt bzw. die Distanz zwischen der Strahlungsquelle 18 und der zu erzeugenden Ablöseebene 8 ist derart abgestimmt, dass die Wellen 30, 32 im Wesentlichen oder genau auf der Ablöseebene 8 in dem Festkörper 2 zusammentreffen, wodurch am Ort des Zusammentreffens 34 infolge der Energien beider Wellen 30, 32 ein Defekt erzeugt wird. Die Defekterzeugung kann dabei durch unterschiedliche oder kombinierte Zersetzungsmechanismen wie z.B. Sublimation oder chemische Reaktion erfolgen, wobei die Zersetzung dabei z.B. thermisch und/oder photochemisch initiiert werden kann.

In Fig. 2b ist ein fokussierter Lichtstrahl 6 gezeigt, dessen Brennpunkt bevorzugt in der zu erzeugenden ersten Ablöseebene 8 (oder zweiten Ablöseebene 50, dritten Ablöseebene 52 vgl. Fig. 3a und 3b) liegt. Es ist hierbei denkbar, dass der Lichtstrahl 6 durch einen oder mehrere fokussierende Körper, insbesondere Linse/n (nicht gezeigt), fokussiert wird. Der Festkörper 2 ist in dieser Ausführungsform mehrschichtig ausgebildet und weist bevorzugt eine teiltransparente oder transparente Substratschicht 3 bzw. Materialschicht auf, die bevorzugt aus Saphir besteht oder Saphir aufweist. Die Lichtstrahlen 6 gelangen durch die Substratschicht 3 z.B. auf die Position der ersten Ablöseebene 8, die bevorzugt durch eine Opferschicht 5 gebildet wird, wobei die Opferschicht 5 durch die Strahlung derart beaufschlagt wird, dass thermisch und/oder photochemisch eine teilweise oder vollständige Zerstörung der Opferschicht 5 in dem Brennpunkt bzw. im Bereich des Brennpunkts bewirkt wird. Es ist ebenfalls denkbar, dass die Defekte zur Erzeugung einer Ablöseschicht bzw. der ersten Ablöseschicht 8 im Bereich oder genau auf einer Grenzfläche zwischen zwei Schichten 3, 4 erzeugt werden. Somit ist ebenfalls denkbar, dass die Festkörperschicht 4 auf einer Trägerschicht, insbesondere einer Substratschicht 3, erzeugt wird und mittels einer oder mehrerer Opferschichten 5 und/oder mittels der Erzeugung von Defekten in einer Grenzfläche, insbesondere zwischen der Festkörperschicht 4 und der Trägerschicht, eine Ablöseebene 8 zum Ablösen bzw. Abtrennen der Festkörperschicht 4 erzeugbar ist.

In Fig. 3a ist schematisch im oberen Bildteil eine Draufsicht auf einen Festkörper 2 gezeigt und im unteren Bildteil ist eine Seitenansicht, insbesondere eine Schnittdarstellung, gezeigt. Der Festkörper 2 ist in dieser Darstellung mit geraden Linien versehen, welche die einzelne aneinander angeordnete Festkörperelemente 40, insbesondere Trägerelemente, wie z.B. Computerchips oder Solarzellen, begrenzen. Die Linien können hierbei rein exemplarisch und zu Erläuterungszwecken die äußere Form der Festkörperelemente 40 beschreiben, wobei sie bei einem realen Festkörper 2 nicht oder nicht zwingend ersichtlich bzw. vorhanden sein müssen. Ferner kann der Festkörper 2 in der Draufsicht eine andere äußere Form, insbesondere mit geraden Anteilen, aufweisen. In Fig. 3b sind der Draufsicht und der Seitenansicht jeweils eine Vielzahl an Defekte 34 zu entnehmen. Die Defekte 34 können, wie z.B. in der Draufsicht dargestellt, gleichmäßig verteilt sein oder in bestimmten Bereichen vermehrt bzw. vermindert erzeugt werden. Eine hohe Konzentration an Defekten 34 gegenüber einer geringen Konzentration an Defekten 34 ermöglicht z.B. eine definierte Rissauslösung und/oder ein einfacheres Ablösen der Festkörperschicht 4 in dem jeweiligen Bereich. Bevorzugt ist im Bereich einer Stelle des Festkörpers 2, an der ein Riss ausgelöst werden soll, eine erhöhte Konzentration an Defekten 34 vorgesehen. Weiterhin werden bevorzugt zur Steuerung des Rissverlaufs Defekte 34 in einer erhöhten Konzentration vorgegebenen, um die Rissausbreitung zu lenken. Weiterhin wird bevorzugt in der Mitte bzw. im Zentrum der ersten Ablöseebene 8 zusätzlich oder alternativ eine gegenüber anderen Bereichen der ersten Ablöseschicht 8 erhöhte Konzentration an Defekten 34 erzeugt. Es lässt sich der Seitenansicht entnehmen, dass die Ablöseebene 8 bevorzugt durch in einer Ebene erzeugte Defekte 34 gebildet wird.

Die Draufsicht der Fig. 4 zeigt neben den Defekten 34, welche die erste Ablöseschicht 8 bilden, weitere in zweiten Ablöseebenen 50 erzeugte Defekte, die mittels gestrichelten Linien dargestellt sind und sich in Z-Richtung erstrecken. Weiterhin sind in X-Richtung orientierte gestrichelte Linien gezeigt, die ebenfalls Defekte repräsentieren und in dritten Ablöseebenen 52 liegen. Die erste Ablöseebene 8 liegt somit bevorzugt in der X-Z-Ebene, die zweite Ablöseebene 50 liegt bevorzugt in der Y-Z-Ebene und die dritte Ablöseebene 52 liegt bevorzugt in der x-Y-Ebene. Der Seitenansicht bzw. Schnittdarstellung der Fig. 4 lässt sich entnehmen, dass die Defekte, d.h. Defekte die zum Erzeugen der ersten Ablöseschicht 8 und die Defekte zum Erzeugen der zweiten Ablöseschicht 50 sowie der dritten Ablöseschicht 52 gegenüber einer ebenen Oberfläche des Festkörpers 2, insbesondere gegenüber einer in einer X-Z-Ebene liegenden Oberfläche des Festkörpers 2, unterschiedlich weit beabstandet sind.

In Fig. 5a ist eine Draufsicht gezeigt, gemäß der die Defekte 34 zum Erzeugen der zweiten Ablöseebene/n 50 bereits erzeugt sind. Die Defekte 34 zum Ausbilden der dritten Ablöseebene/n 52 sind jedoch noch nicht erzeugt. Es ist somit denkbar, dass die Defekte zum Erzeugen der zweiten und dritten Ablöseebene/n 50, 52 zeitgleich, zeitversetzt oder vollständig nacheinander erzeugt werden. Weiterhin ist der Seitenansicht bzw. Schnittdarstellung zu entnehmen, dass die Defekte zum Erzeugen der zweiten Ablöseebene/n 50 mit unterschiedlichen Abständen zu einer sich in der X-Z-Ebene erstreckenden Oberfläche erzeugt werden können. Fig. 5b lässt sich entnehmen, dass die Defekte zum Erzeugen der ersten Ablöseschicht 50 und der zweiten Ablöseschicht 52 in ihrer Gesamtheit auch mit demselben Abstand zu einer sich in der X-Z-Ebene erstreckenden Oberfläche erzeugt werden können.

In Fig. 6 ist eine Ausführungsform gezeigt, gemäß der die Festkörperschicht 4 an der Polymerschicht 10 angeordnet ist. Es ist hierbei denkbar, dass die Defekte zum Erzeugen der zweiten Ablöseschicht 50 und der dritten Ablöseschicht 52 bereits in der Festkörperschicht 4 erzeugt sind. Weiterhin ist alternativ denkbar, dass die Defekte zum Erzeugen der zweiten Ablöseschicht 50 und der dritten Ablöseschicht 52 erst nach der Abspaltung der Festkörperschicht 4 von dem Festkörper 2 In der Festkörperschicht 4 erzeugt werden.

Fig. 7a zeigt eine Anordnung, gemäß der die Festkörperschicht 4 auf der Polymerschicht 10 angeordnet ist bzw. die Festkörperschicht 4 mit der Polymerschicht 10, insbesondere adhäsiv, verbunden ist. Die Polymerschicht 10 wird dabei in einer ersten Richtung 60 und/oder in einer zweiten Richtung 62 ausgelenkt und/oder um mindestens eine Achse gebogen. Die Auslenkung der Polymerschicht 10 kann durch thermische Effekte und/oder äußere Kraftbeaufschlagung, insbesondere Dehnung, Stauchung und/oder Biegung, bewirkt werden.

Als Reaktion auf die bzgl. Fig. 7a beschriebene Auslenkung der Polymerschicht 10, erfolgt ein Ablösen der einzelnen Festkörperelemente 40 im Bereich bzw. entlang der zweiten Ablöseebene 50 und/oder der dritten Ablöseebene 52. Die Ablösung entspricht dabei bevorzugt einem Abbrechen oder Abreisen der einzelnen Festkörperelemente 40 voneinander.

Bezugszeichenliste

Festkörper

3 Substrat

Festkörperschicht

5 Opferschicht

6 Strahlung

8 Ablöseebene

10 Polymersch icht bzw. Auf na h meschicht

12 Haiteschicht

14 erster ebener Flächenanteil

16 zweiter ebener Flächenanteil

18 Strahlungsquelle

20 Stabilisierungseinrichtung

30 erster Strahlungsanteil

32 zweiter Strahlungsanteil

34 Ort der Defekterzeugung

40 Festkörperelement

50 zweite Ablöseebene

52 dritte Ablöseebene

60 erste Ausdehnung

62 zweite Ausdehnung

X X-Achse

Y Y-Achse

Z Z-Achse