(装置構成)
 以下、本発明の実施形態を図面に基づいて� ��明する。
 最初に、本発明の加工方法を実施する際に� ��いる基板加工装置の一例について説明する� ��図1は本発明の一実施形態であるレーザ分断 装置LC1の概略構成図である。図2は図1のレー� ��分断装置LC1における制御系の構成を示すブ� ��ック図である。

 まず、図1に基づいて、レーザ分断装置LC1の 全体構成について説明する。
 水平な架台1上に平行に配置された一対のガ イドレール3、4に沿って、図1の紙面前後方向 (以下Y方向という)に往復移動するスライドテ ーブル2が設けられている。両ガイドレール3, 4の間に、スクリューネジ5が前後方向に沿っ� ��配置され、このスクリューネジ5に、前記ス ライドテーブル2に固定されたステー6が螺合� ��れており、スクリューネジ5をモータ(図示� �)によって正、逆転することにより、スライ� ��テーブル2がガイドレール3,4に沿ってY方向� �往復移動するように形成されている。

 スライドテーブル2上に、水平な台座7が� �イドレール8に沿って、図1の左右方向(以下X� ��向という)に往復移動するように配置されて いる。台座7に固定されたステー10に、モータ 9によって回転するスクリューネジ10aが貫通� �合されており、スクリューネジ10aが正、逆� �することにより、台座7がガイドレール8に沿 って、X方向に往復移動する。

 台座7上には、回転機構11によって回転す� ��回転テーブル12が設けられており、この回� �テーブル12に、切断対象の脆性材料基板であ るガラス基板Gが水平な状態で取り付けられ� �。回転機構11は、回転テーブル12を、垂直な� ��の周りで回転させるようになっており、基� ��位置に対して任意の回転角度になるように� ��転できるように形成されている。ガラス基� ��Gは、例えば吸引チャックによって回転テー ブル12に固定される。

 回転テーブル12の上方には、レーザ発振� �13と光路調整機構14とが取付フレーム15に保� �されている。光路調整機構14は、レーザ発振 器13から出射するレーザ光の光路を調整する� ��めの光路調整素子群14a(メニスカスレンズ31� ��反射ミラー32、ポリゴンミラー33)と、光路� �整素子群14aの位置を移動するモータ群14b(モ� ��タ34~36)と、光路調整素子群14aとモータ群14b� ��を連結するアーム群14c(アーム37~39)とからな る。メニスカスレンズレンズ31はアーム37を� �して昇降モータ34に接続され上下方向の位置 が調整できるようにしてある。また、反射ミ ラー32はアーム38を介して昇降モータ35に接続 され上下方向の位置が調整できるようにして ある。また、ポリゴンミラー33はアーム39を� �して昇降モータ36に接続され上下方向の位置 が調整できるようにしてある。

 レーザ発振器13から出射されたレーザビ� �ムは、これらの光路調整素子群14aを通過す� �ことによって、所望の断面形状を有するビ� �ム束が形成され、基板Gの上にビームスポッ� ��として照射される。本実施形態では円形の� ��ーザビームが出射され、メニスカスレンズ3 1でビーム径が調整され、ポリゴンミラー33で 走査されることにより、実質的に楕円形状の レーザスポットLS(図2)がガラス基板G上に形成 される。そして光路調整素子群14aを調整する ことにより、1回目レーザ照射(レーザスクラ� ��ブ工程)の際に用いる第1ビームスポット、2� ��目レーザ照射(レーザブレイク工程)の際に� �いる第2ビームスポットスポットを切り換え� ��ようにする。

 なお、調整の際に、反射ミラー32とポリ� �ンミラー33とを独立に調整することで、細か い調整が可能になるが、その反面、調整作業 が複雑になる。そのため、反射ミラー32とポ� ��ゴンミラー33とを一体に移動するようにし� �調整作業を簡素化するようにしてもよい。� �体的には、反射ミラー32とポリゴンミラー33� ��を連動させて移動することで基板Gとポリゴ ンミラー33との間の距離調整を行い、メニス� ��スレンズ31を移動してメニスカスレンズ31と ポリゴンミラー33との距離調整を行うように� ��てもよい。

 取付フレーム15には、光路調整機構14に近 接して、冷却ノズル16が設けられている。こ� ��冷却ノズル16からは、冷却水、Heガス、炭酸 ガス等の冷却媒体がガラス基板Gに噴射され� �ようにしてある。冷却媒体は、ガラス基板G� ��照射された楕円形状のレーザスポットLSの� �傍に吹き付けられて、ガラス基板Gの表面に� ��却スポットCS(図2)を形成する。

 取付フレーム15には、カッターホイール18 が、上下移動調節機構17を介して取り付けら� ��ている。このカッターホイール18は、焼結� �イヤモンドまたは超硬合金を材料とし、外� �面に頂点を刃先とするV字形の稜線部を備え� ��ものであって、ガラス基板Gへの圧接力が上 下移動調節機構17によって微細に調整できる� ��うになっている。カッターホイール18は、� �ら、ガラス基板Gの端縁に初期亀裂TR(図2)を� �成するときに、台座7をX方向に移動しつつ一 時的に下降するようにして用いる。

 また、取付フレーム15の上方に、一対の� �メラ20、21が固定してあり、基板Gに刻印して ある位置決め用マーカを映し出すことができ るようにしてある。

 続いて、図2に基づいて制御系を説明する 。レーザ分断装置LC1は、メモリに記憶された 制御パラメータおよびプログラム(ソフトウ� �ア)とCPUとにより、各種処理を実行する制御� ��50を備えている。この制御部50は、スライド テーブル2、台座7、回転テーブル12の位置決� �や移動を行うためのモータ(モータ9等)を駆� �するテーブル駆動部51、レーザ照射を行うレ ーザ駆動部52(レーザ発振器13を駆動するレー� ��光源駆動部52a、光路調整素子群14a用のモー� ��群14bを駆動する光路調整機構駆動部52bを含� ��)、冷却ノズル16による冷媒噴射を制御する� ��閉弁(不図示)を駆動するノズル駆動部53、カ ッターホイール18および上下移動調節機構17� �よりガラス基板Gに初期亀裂を形成するカッ� ��ー駆動部54、カメラ20、21により基板Gに刻印 してある位置決め用マーカを映し出すカメラ 駆動部55の各駆動系を制御する。また、制御� ��50は、キーボード、マウスなどからなる入� �部56、および、表示画面上に各種表示を行う 表示部57が接続され、必要な情報が画面に表� ��されるとともに、必要な指令や設定が入力� ��きるようにしてある。

 また、制御部50は、テーブル駆動部51、レー ザ駆動部52(レーザ光源駆動部52a、光路調整機 構駆動部52b)、ノズル駆動部53、カッター駆動 部54を総合的に駆動してガラス基板Gの加工を 行う加工制御部58を備えており、この加工制� ��部58により、1回目レーザ照射、冷却、2回目 レーザ照射の手順によるレーザ加工が実行さ れる。
 具体的には、加工制御部58が、まずカッタ� �駆動部54とテーブル駆動部51とを制御して、� ��ッターホイール18を下降した状態で基板Gを� ��動し、これにより初期亀裂TRを形成する処� �が行われる。続いてテーブル駆動部51、レー ザ駆動部52、ノズル駆動部53を制御して、レ� �ザビーム(第1ビームスポット)を照射すると� �もに冷媒を噴射した状態で基板Gを移動する� ��これにより1回目レーザ照射および冷却を行 い、基板に有限深さのクラックからなるスク ライブラインを形成する処理が行われる。続 いてテーブル駆動部51、レーザ駆動部52を制� �して、レーザビーム(第2ビームスポット)を� �射した状態で基板Gを移動する。これにより2 回目レーザ照射を行い、クラックを浸透させ る処理(あるいは完全分断させる処理)が行わ� ��る。

(光路調整動作)
 次に、加工制御部58が光路調整機構14(光路� �整素子群14a、モータ群14b、アーム群14c)を制� ��することにより行われる光路調整について� ��明する。
 図3は光路調整機構14の動作例を示す図であ� ��、具体的には、メニスカスレンズ31の上下� �動により、ポリゴンミラー33のミラー面に照 射するビーム径を変化させて、基板Gに照射� �れるビームスポットのエネルギー分布を変� �させる動作を説明する図である。

 レーザ光源13から出射される円形断面の� �ーザビームLB0の進行方向は鉛直下方に向け� �あり、レーザビームLB0はメニスカスレンズ31 に入射する。メニスカスレンズ31を通過した� ��ーザビームLB1は集光されながらさらに鉛直� ��向に進行し、反射ミラー32に入射する。こ� �とき反射ミラー32の反射面に45度の入射角度� ��入射するとともに、45度の反射角度で出射� �るように反射ミラー32の取付角度が調整して あり、反射ミラー32で反射したレーザビームL B2は、水平方向に進行する。

 水平方向に進行するレーザビームLB2は回� ��中のポリゴンミラー33に入射する。このと� �、メニスカスレンズ31とポリゴンミラー33と� ��間の距離に応じて、ポリゴンミラーのミラ� ��面に照射されるビーム径が変化するように� ��る。

 図4~図6はポリゴンミラー33のミラー面に照� �されるビーム径が比較的大きい場合のポリ� �ンミラーの回転角度とレーザビームの光路� �よびビームスポットとの関係を示す図であ� �。
 この状態のビーム径は、メニスカスレンズ3 1を反射ミラー32に近づけ、メニスカスレンズ 31の焦点がポリゴンミラー33のミラー面より� �基板G側になるように調整したときに実現さ� ��る。そしてこの状態のビーム径は、レーザ� ��クライブ工程の際に用いられる。

 図4(a)において、時計方向に回転中のポリゴ ンミラー33における2つのミラー面M0とM1に注� �する。ミラー面M0は、直前までレーザビーム LB2が照射されていたミラー面である。回転が 進み、レーザビームLB2のミラー面M0への照射� ��まもなく終了する時点になると、ミラー面M 0の終端と次のミラー面M1の始端とにレーザビ ームLB2が分割されて同時に照射されるように なる。図4(c)はミラー面M0に照射されるレーザ ビームLB2の断面形状を示す図である。また、 図4(d)はミラー面M1に照射されるレーザビーム LB2の断面形状を示す図である。
 分割されたレーザビームの断面の面積比に� ��じて、ミラー面M0、M1に照射されるレーザビ ームのエネルギーが分配されるようになる。 このときミラー面M0側で反射されたレーザビ� ��ムLB3aはガラス基板GのビームスポットLS1の� �置の左端部分を照射するようになり、この� �分にエネルギーを与える。一方、ミラー面M1 側で反射されたレーザビームLB3bはビームス� �ットLS1の位置の右端部分を照射するように� �り、この部分にエネルギーを与える。

 図4(b)は基板GのビームスポットLS1の位置� �照射されるエネルギー分布である。すなわ� �、レーザビームLB3a、LB3bに分割されて照射さ れるため、基板Gに与えられるエネルギーも2� ��に分割され、ビームスポットLS1の両端はそ� ��ぞれ分割比に対応したエネルギーで加熱さ� ��ることになる。

 図5(a)はさらに回転が進み、ミラー面M1の� ��央部分にレーザビームLB2が照射されるよう� ��なった状態である。この時点では、1つのミ ラー面M1だけに円形断面のレーザビームLB2が� ��射されるようになる。図5(c)はミラー面M1に� ��射されるレーザビームLB2の断面形状を示す� ��である。レーザビームLB2が有する円形断面� ��ビームがそのまま照射されている。このと� ��ミラー面M1で反射されたレーザビームLB3cは� ��ームスポットLS1の位置の中央を照射し、こ� ��部分に全エネルギーを与える。

 図5(b)は基板GのビームスポットLS1の位置� �照射されるエネルギー分布である。ビーム� �ポットLS1の位置の中央部分にエネルギーが� �えられ、この部分が集中的に加熱される。

 図6はさらに回転が進み、ミラー面M1の終端� ��次のミラー面M2の始端とにレーザビームLB2� �分割されて同時に照射された状態である。� �6(c)はミラー面M1に照射されるレーザビームLB 2の断面形状を示す図である。また、図6(d)は� ��ラー面M2に照射されるレーザビームLB2の断� �形状を示す図である。
 図4のときと同様に、分割されたレーザビー ムの断面の面積比に応じて、ミラー面M1、M2� �照射されるレーザビームのエネルギーが分� �されるようになる。このときミラー面M1側で 反射されたレーザビームLB3dはガラス基板Gの� ��ームスポットLS1の位置の左端部分を照射し� ��この部分にエネルギーを与える。ミラー面M 2側で反射されたレーザビームLB3eはビームス� ��ットLS1の位置の右端部分を照射するように� ��り、この部分にエネルギーを与える。

 図6(b)は基板GのビームスポットLS1の位置� �照射されるエネルギー分布である。基板Gに� ��射されるエネルギーは2つに分配され、ビー ムスポットLS1の両端はそれぞれ分割比に対応 したエネルギーで加熱されることになる。

 そして、高速回転するポリゴンミラー33� �よって図4から図6までのレーザ照射が繰り返 されることにより、図4(b)、図5(b)、図6(b)で示 したエネルギー分布が足し合わされたエネル ギー分布を有するビームスポットLS1が形成さ れるようになる。

 図7は高速回転するミラー面M1に照射される� ��ーザビームLB2の断面形状の経時変化とミラ� ��面M1によってガラス基板Gに照射されるビー� ��スポットLS1のエネルギー分布との関係を示� ��図である。
 図7(a)に示すように、ミラー面M1に照射され� ��レーザビームLB2の断面は、回転が進むにつ� ��て変化する。
 すなわち、ミラー面M1の始端(ミラー面M0と� �境界)がレーザビームLB2の照射範囲を通過す� ��期間には、ミラー面M1に照射されるレーザ� �ームLB2の断面形状は、円形断面の一部が欠� �た形状であり、この間は断面積が次第に増� �する。その後は、ミラー面M1に照射されるレ ーザビームLB2の断面形状は、円形断面となり 、ミラー面M1の終端(ミラー面M2との境界)がレ ーザビームLB2の照射範囲に入るまでは円形断 面が続く。そしてミラー面M1の終端が、レー� ��ビームLB2の照射範囲を通過する期間には、� ��ラー面M1に照射されるレーザビームLB2の断� �形状は、再び円形断面の一部が欠けた断面� �状となり、断面積が次第に減少する。

 このような断面積の変化に対応して、ミ� ��ー面M1により基板G上に形成されるビームス� ��ットLS1のエネルギー分布が変化する。エネ� ��ギー分布を図7(b)に示す。ビームスポットLS1 のエネルギー分布は、中央部のエネルギーが 均一であり(トップハット型)、その両端がな� ��らかに変化するエネルギー分布となる。両� ��のなだらかな部分の幅は、レーザビームLB2� ��照射範囲をミラー面M1の始端または終端が� �過する期間に、ミラー面M1によって反射され たレーザビームが基板G上に照射された範囲� �相当する。したがって、レーザビームLB2の� �ーム径が大きくなるにつれてビームスポッ� �LS1の両端のエネルギー分布がなだらかに変� �する部分の幅が広くなる。そして回転する� �リゴンミラー33の各ミラー面によって、図7(b )のエネルギー分布を有する照射が繰り返さ� �る。

 次に、ミラー面に照射されるビーム径が小� ��い場合について説明する。図8~図10はミラー 面に照射されるレーザビームLB2のビーム径が 比較的小さい場合のポリゴンミラーの回転角 度とレーザビームの光路およびビームスポッ トとの関係を示す図である。
 この状態のビーム径は、メニスカスレンズ3 1の焦点がポリゴンミラー33のミラー面M1の近� ��にくるようにメニスカスレンズ31の位置を� �整したときに実現される。そしてこの状態� �ビーム径はレーザブレイク工程の際に用い� �れる。

 図8(a)において、図4(a)と同様に、時計方� �に回転中のポリゴンミラー33における2つの� �ラー面M0とM1に注目する。ミラー面M0は、直� �までレーザビームLB2が照射されていたミラ� �面である。回転が進み、レーザビームLB2の� �ラー面M0への照射がまもなく終了する時点に なると、ミラー面M0の終端と次のミラー面M1� �始端とにレーザビームLB2が分割されて同時� �照射されるようになる。図8(c)はミラー面M0� �照射されるレーザビームLB2の断面形状を示� �図である。また、図8(d)はミラー面M1に照射� �れるレーザビームLB2の断面形状である。ビ� �ム径が小さいために、2つのミラー面M0、M1が 同時に照射される範囲(始端、終端からビー� �径までの範囲)は、図4の場合に比べて狭くな る。

 ミラー面M0、M1に照射されるレーザビーム のエネルギーは、図4と同様に、分割された� �ームの面積比に応じて分配されるようにな� �。このときミラー面M0側で反射されたレーザ ビームLB3aはガラス基板GのビームスポットLS1� ��位置の左端部分を照射し、この部分にエネ� ��ギーを与える。一方、ミラー面M1側で反射� �れたレーザビームLB3bはビームスポットLS1の� ��置の右端部分を照射し、この部分にエネル� ��ーを与える。

 図8(b)は基板GのビームスポットLS1の位置� �照射されるエネルギー分布である。すなわ� �、レーザビームLB3a、LB3bに分割されて照射さ れるため、基板Gに照射されるエネルギーも2� ��に分配され、ビームスポットLS1の両端はそ� ��ぞれ分割比に対応したエネルギーで加熱さ� ��ることになる。

 図9(a)はさらに回転が進み、ミラー面M1の中� ��部分にレーザビームLB2が照射されるように� ��った状態である。
 この時点では、1つのミラー面M1だけに円形� ��面のレーザビームLB2が照射されるようにな� ��。図9(c)はミラー面M1に照射されるレーザビ� ��ムLB2の断面形状を示す図である。レーザビ� ��ムLB2が有する円形断面のビームがそのまま� ��射されている。このときミラー面M1で反射� �れたレーザビームLB3cはビームスポットLS1の� ��置の中央を照射し、この部分に全エネルギ� ��を与える。

 図9(b)は、このとき基板Gのビームスポッ� �LS1の位置に照射されるエネルギー分布であ� �。ビームスポットLS1の位置の中央部分にエ� �ルギーが与えられ、この部分が集中的に加� �される。

 図10はさらに回転が進み、ミラー面M1の終端 と次のミラー面M2の始端とにレーザビームLB2� ��分割されて同時に照射された状態である。� ��10(c)はミラー面M1に照射されるレーザビーム LB2の断面形状を示す図である。また、図10(d)� ��ミラー面M2に照射されるレーザビームLB2の� �面形状を示す図である。
 図6と同様に、分割されたレーザビームの断 面の面積比に応じて、ミラー面M1、M2に照射� �れるレーザビームのエネルギーが分配され� �ようになる。このときミラー面M1側で反射さ れたレーザビームLB3dはガラス基板Gのビーム� ��ポットLS1の位置の左端部分を照射し、この� ��分にエネルギーを与える。ミラー面M2側で� �射されたレーザビームLB3eはビームスポットL S1の位置の右端部分を照射するようになり、� ��の部分にエネルギーを与える。

 図10(b)はこのとき基板GのビームスポットL S1の位置に照射されるエネルギー分布である� ��基板Gに照射されるエネルギーは2つに分配� �れ、ビームスポットLS1の両端はそれぞれ分� �比に対応したエネルギーで加熱されること� �なる。

 そして、高速回転するポリゴンミラー33� �よって図8から図10までのレーザ照射が繰り� �されることにより、図8(b)、図9(b)、図10(b)で� ��したエネルギー分布が足し合わされたエネ� ��ギー分布を有するビームスポットLS1が形成� ��れるようになる。

 図11は高速回転するミラー面M1に照射され るレーザビームLB2の断面形状の経時変化とミ ラー面M1によってガラス基板Gに照射されるビ ームスポットLS1のエネルギー分布との関係を 示す図である。

 ミラー面M1に照射されるレーザビームLB2� �ビーム径が小さいため、図11(a)に示すように 、図7(a)で示したビーム径が大きい場合に比� �て照射される断面積が全体的に小さくなる� �、エネルギー密度は高くなっている。さら� �、図11(a)に示すように、ミラー面M1に照射さ� ��るレーザビームLB2の断面は回転が進むにつ� ��て変化する。すなわち、図7(a)と同様に、ミ ラー面M1の始端(ミラー面M0との境界)がレーザ ビームLB2の照射範囲を通過する期間、および 、ミラー面M1の終端(ミラー面M2との境界)がレ ーザビームLB2の照射範囲を通過する期間につ いては、ミラー面M1に照射されるレーザビー� ��LB2の断面は、円形断面の一部が欠けた断面� ��状になり、この範囲内で断面積が増大また� ��減少する。その間の、レーザビームLB2の照� ��範囲全体がミラー面M1に照射される期間に� �いては、ミラー面M1に照射されるレーザビー ムLB2の断面は、円形断面となる。

 レーザビームLB2のビーム径が小さいため、� ��ラー面M1の始端近傍および終端近傍でミラ� �面M1に照射されるレーザビームLB2の断面積が 変化する範囲の幅は、図7(a)に比べると狭く� �り、断面積が急激に増減する。この断面積� �変化に対応して、ミラー面M1により基板G上� �形成されるビームスポットLS1のエネルギー� �布が変化する。このときのビームスポットLS 1のエネルギー分布を図11(b)に示す。なお、比 較のため、ビーム径が小さい場合のエネルギ ー分布を実線で示すとともに、ビーム径が大 きい場合のエネルギー分布(図7(b)のエネルギ� ��分布)を一点鎖線で示しておく。
 照射されるレーザビームLB2のビーム径が小� ��くなるほど、ビームスポットLS1のエネルギ� ��分布は、エネルギーが変化する両端の領域� ��短くなり、ビームスポットLS1全体の長さが� ��くなるとともに、エネルギーが均一な中央� ��の領域が長いトップハット型のエネルギー� ��布になる。

 そして回転するポリゴンミラー33の各ミ� �ー面によって、ミラー面M1と同様のエネルギ ー分布を有するビームスポットLS1で照射が繰 り返される。

 このようにして、メニスカスレンズ31の� �さ調整だけでビームスポットのエネルギー� �布の調整を行うことができる。

 なお、メニスカスレンズ31の高さを変える� �とにより、基板Gに照射されるビームスポッ� ��のエネルギー分布を調整することができる� ��、その際に、ビームスポット全体の長さも� ��化することになる。
 そのため、工程ごとでビームスポットの長� ��長さを変化させたくない場合や、逆に、レ� ��ザブレイク工程において長軸の長さをさら� ��短く調整したい場合には、メニスカスレン� ��31とポリゴンミラー33との距離を調整すると 同時に、ポリゴンミラー33、反射ミラー32と� �一体で移動し、基板Gとの距離を調整するよ� ��にして、長軸長さも調整するようにする。
 これにより、所望のビームスポット形状で� ��かつ、所望のエネルギー分布でもって加熱� ��行うようにする。

 レーザブレイク工程の際には、エネルギー� ��均一な中央部の領域が長いトップハット型� ��エネルギー分布を有するビームスポットを� ��射することにより短時間でより大きい入熱� ��を与えるようにする。
 図12は、本発明の加工方法によってレーザ� �レイク工程の際に形成しようとする応力勾� �を模式的に示した断面図である。ビームス� �ットをトップハット型のエネルギー分布に� �て基板表層から短時間に集中して加熱し、� �熱領域Hを形成する。すると、基板表層に大� ��な圧縮応力HRが形成され、その影響を受け� �基板内部には、反対に引張応力CRが発生する 。基板内部に直前のレーザスクライブ工程に より生じたクラックCrが存在すると、引張応� ��はクラックCrの先端に集中するようになり� �その結果、クラックCrは、さらに深く浸透す るようになる。また、クラックCrが裏面まで� ��することにより完全分断されるようになる� ��

(加工手順)
 次に、加工装置LC1を用いて基板Gを分断する 際の加工手順について説明する。図13は加工� ��順のフローチャートである。
 まず、基板Gを回転テーブル12の上に載置し� ��吸引チャックによって固定する。回転テー� ��ル12をカメラ20、21の下に移動し、カメラ20� �21によってガラス基板Aに刻印されてあるア� �イメントマーク(不図示)が検出する。その検 出結果に基づいて、スクライブ予定ラインと 、回転テーブル12、スライドテーブル2、台座 7との位置の関係付けを記憶する。そして回� �テーブル12およびスライドテーブル2を作動� �、カッターホイール18の刃先方向がスクライ ブ予定ラインの方向に並ぶようにするととも に、初期亀裂を形成する位置の近傍に刃先が くるようにする(S101)。このときの位置を加工 開始位置として記憶する。

 続いて、昇降機構17を作動してカッターホ� �ール18を下降する。
 回転テーブル12(台座7)を移動して基板端カ� �ターホイール18を圧接する。これにより初期 亀裂TRを形成する。初期亀裂TRが形成される� �、昇降機構17を作動してカッターホイール18� ��上昇する(S102)。

 続いて、基板Gを加工開始位置に戻し、レ ーザ装置13を作動して第一回目のレーザビー� ��を照射する。このときメニスカスレンズ31� �位置を調整し、ポリゴンミラー31のミラー面 に比較的大きなビーム径(図4~図7参照)で入射� ��る。これにより、基板Gに形成されるビーム スポットのエネルギー分布がなだらかに立ち 上がる状態のエネルギー分布にする。また、 冷却ノズル16から冷媒を噴射する。この状態� ��、回転テーブル12(台座7)を移動して、スク� �イブ予定ラインに沿ってビームスポットお� �び冷却スポットを走査することにより、ス� �ライブラインを形成する(S103)。

 続いて、基板Gを加工開始位置に戻し、第二 回目のレーザビームを照射する。このときメ ニスカスレンズ31の位置を、第一回目の照射� ��よりも反射ミラー32から遠ざけ、ポリゴン� �ラー33のミラー面に入射するビーム径を小さ く絞る(図8~図11参照)。これにより、基板Gに� �成されるビームスポットのエネルギー分布� �急峻に立ち上がり、第一回目よりトップハ� �ト型のエネルギー分布にする。冷却ノズル16 は噴射を続けてもよいが、必ず必要というこ とではないので、ここでは停止する。この状 態で、回転テーブル12(台座7)を移動して、前� ��の走査で形成したスクライブラインに沿っ� ��、トップハット型のエネルギー分布を有す� ��ビームスポットを走査する。これにより、� ��クライブラインを形成しているクラックが� ��く浸透し、基板裏面に達すると完全分断さ� ��る(S104)。
 このようにして形成されたスクライブライ� ��は、非常に優れた加工断面であり、端面強� ��も強くなる。