RESEAU DE NANO-CAPACITES

La présente invention se rapporte au domaine de l'élaboration de nano-capacités.

La présente invention concerne plus précisément un procédé de réalisation d'un condensateur comprenant un réseau de nano-capacités.

Ce type de réseau peut notamment trouver application dans le domaine de l'électronique. Par exemple, l'application peut concerner des composants pour la radio-identification (plus connus sous l'acronyme RFID, provenant de l'anglais « Radio Frequency IDentification »). Pour ce type d'application, un réseau de nano-capacités peut en effet apporter l'énergie nécessaire au fonctionnement du dispositif lors d'un pic de consommation.

On a déjà proposé des procédés de fabrication d'un condensateur comprenant un réseau de nano-capacités.

On peut par exemple citer l'article « Nanotubular metal- insulator-metal capacitor arrays for energy storage », Parag Banerjee & al., Nature Nanotechnology, vol. 4, mai 2009 (ci-après nommé D1).

Le procédé présenté dans cet article utilise une membrane d'alumine comprenant de nombreux pores, organisés de manière régulière. Chaque pore est rempli par des couches concentriques successives de métal et d'isolant électrique jusqu'à remplissage complet du pore, par un procédé dit de dépôt de couche atomique (plus connu sous l'acronyme d'ALD pour « Atomic Layer Déposition » selon la terminologie anglo-saxonne).

On forme ainsi des nano-capacités cylindriques dans chaque pore.

Les nano-capacités ainsi formées, généralement associées au même contact électrique, permettent par exemple d'obtenir un condensateur en couche mince dont la capacité électrique est d'environ 10pF/cm ² pour une membrane d'alumine de 1 pm d'épaisseur.

Ce procédé présente cependant plusieurs limites.

En particulier, le procédé ALD ne permet pas d'obtenir un dépôt uniforme des couches successives de métal et d'isolant électrique en dessous d'une certaine valeur du rapport de forme du pore. Par rapport de forme, on entend le rapport d/P entre le diamètre d d'un pore et sa profondeur P.

En effet, un dépôt effectué dans un pore présentant un rapport de forme en dessous de 0,003 environ ne permet pas d'obtenir un dépôt uniforme. Or, si le dépôt n'est pas uniforme, les couches deviennent non conductrices, car elles forment un ensemble de grains disjoints entre lesquels le courant ne peut pas circuler. Il n'est alors pas possible d'obtenir une nano-capacité.

Pour un diamètre d donné des pores, la profondeur P de ceux-ci ne peut pas être supérieure à une valeur limite Pd.iim-

Dans ce cas, pour une densité donnée de pores par unité de surface de la membrane, il n'est pas possible d'augmenter la profondeur des pores et par suite, la hauteur des nano-capacités, si l'on souhaite augmenter la capacité électrique globale d'un condensateur ainsi formé.

De plus, pour une profondeur P donnée des pores, le diamètre d de ceux-ci ne peut pas être inférieur à une valeur limite dp,n _m .

Dans ce cas, pour des dimensions données d'une membrane (largeur, longueur, hauteur), il n'est pas possible d'augmenter la densité de pores par unité de surface de la membrane et par suite, d'augmenter la capacité électrique du condensateur ainsi formé.

Avec le procédé ALD employé dans Banerjee & al., il est donc nécessaire, une fois la limite du rapport de forme des pores de la membrane atteinte, soit de superposer plusieurs membranes (hauteur) soit d'augmenter les dimensions (largeur, longueur) de la membrane soit d'effectuer les deux si l'on souhaite augmenter la capacité électrique du condensateur.

Un objectif de l'invention est de pallier à cet inconvénient. Par ailleurs, les condensateurs obtenus par la technique ALD présentent une rigidité directement dépendante de celle du moule, qui est conservé pour soutenir mécaniquement les nano-capacités.

Un autre objectif de l'invention est donc de proposer un procédé de réalisation d'un condensateur comprenant un réseau de nano- capacités présentant à la fois une grande capacité tout en étant souple et résistant aux contraintes mécaniques, pour pouvoir être utilisé de manière polyvalente.

Pour atteindre l'un au moins de ces objectifs, l'invention propose un procédé de réalisation d'un condensateur comprenant un réseau de nano-capacités dans lequel on réalise, à partir d'un moule présentant une face fermée, dite face inférieure, et une face supérieure par laquelle un réseau de pores débouche, les étapes suivantes:

(a) on remplit les pores du moule tout en recouvrant la face supérieure de ce moule, avec un matériau conducteur de l'électricité, afin de former une structure formée d'un réseau de nano-objets reliés par un même support ;

(b) on supprime le moule ;

(e on dépose, sur le contour de la structure obtenue à l'issue de l'étape (b), au moins une bicouche formée d'une première couche d'un matériau isolant électrique et d'une deuxième couche d'un matériau conducteur de l'électricité ; puis

(4) on supprime, localement sur le support, ladite au moins une bicouche déposée à l'étape (c), afin de former le contact électrique.

Avec ce procédé, la hauteur des nano-capacités n'est théoriquement plus limitée. Ceci permet d'augmenter, pour un diamètre donné des pores du moule c'est-à-dire pour une densité donnée de pores par unité de surface du moule, la capacité électrique du condensateur formé par le procédé.

Par ailleurs, avec ce procédé, le diamètre des nano-capacités n'est théoriquement plus limité. Ceci permet, pour une hauteur donnée des pores du moule, de diminuer le diamètre des pores c'est-à-dire d'augmenter la densité des pores par unité de surface du moule et par suite, la capacité électrique du condensateur formé par le procédé.

Le procédé pourra prévoir d'autres caractéristiques techniques, prises seules ou en combinaison : le procédé peut comprendre entre l'étape (b) et l'étape (c), une étape additionnelle au cours de laquelle on dépose une excroissance sur le support, cette excroissance étant destinée à servir de contact électrique ; le matériau déposé à l'étape (a) peut être un métal ou un polymère ; l'étape (a) peut comprendre les sous-étapes suivantes:

(a-ι) on dépose, par évaporation physique, une couche superficielle de matériau conducteur de l'électricité à la surface du moule pour assurer un contact électrique;

(82) on réalise un dépôt électrochimique de ce matériau sur la couche superficielle préalablement formée. le matériau destiné à être déposé à l'étape (a) étant un polymère, l'étape (a) peut comprendre les sous-étapes suivantes :

(a'-ι) on remplit les pores du moule avec un liquide comprenant au moins un monomère et/ou au moins un polymère ainsi qu'un produit réticulant ;

(a'2) on réalise une enduction centrifuge de la face supérieure du moule avec ce liquide ;

(a' ₃ ) on solidifie le liquide, par exemple en effectuant un recuit ou en exposant le liquide à une lumière ultraviolette ; les pores du moule peuvent présenter une géométrie et un positionnement respectif prédéterminés de façon à former un réseau organisé de pores. le pas séparant deux pores du réseau organisé peut être compris entre 10nm et 1 pm ; le moule peut être choisi parmi : une membrane d'alumine, du silicium poreux ou des nanotubes d'oxydes de métaux tels que des oxydes de titane, de tantale, de tungstène, d'hafnium ou de zirconium ; - l'étape (b) peut consister à dissoudre le moule par voie chimique ou électrochimique ;

- l'étape (c) peut être réalisée par dépôt en couche atomique ; - l'étape (c) peut comprendre une étape dans laquelle on dépose une couche épaisse de matériau isolant électrique sur la couche de matériau conducteur de l'électricité, afin d'enrober complètement la structure préalablement réalisée ; - le procédé peut comprendre entre l'étape (a) et l'étape (b), une étape intermédiaire (h) dans laquelle on ouvre la face inférieure du moule, afin que le réseau de nano-objets débouche également par cette face inférieure ; - le procédé peut comprendre à l'issue de l'étape (h) et avant l'étape (b), une autre étape intermédiaire (12) dans laquelle on dépose une couche de matériau conducteur de l'électricité sur la face inférieure du moule afin de recouvrir cette face inférieure ; - le matériau conducteur de l'électricité déposé à l'étape (12) étant un métal, le dépôt peut être réalisé par voie physique en phase vapeur, par voie chimique en phase vapeur ou par voie électrochimique ;

- le matériau conducteur de l'électricité déposé à l'étape (i ₂ ) étant un polymère, le dépôt peut être réalisé par voie électrochimique, par enduction centrifuge ou par polymérisation physique ; - le procédé peut comprendre au cours de l'étape (c), le dépôt de plusieurs bicouches chacune formée d'une première couche d'un matériau isolant électrique et d'une deuxième couche d'un matériau conducteur de l'électricité ; et/ou

- les pores du moule peuvent présenter un diamètre compris entre 5nm et 500nm.

D'autres caractéristiques, buts et avantages de l'invention seront énoncés dans la description détaillée ci-après faite en référence aux figures suivantes :

- la figure 1 , laquelle comprend les figures 1(a) à 1(f), représente les différentes structures obtenues en mettant en œuvre un premier mode de réalisation du procédé de réalisation d'un condensateur formé d'un réseau de nano-capacités selon l'invention ;

- la figure 2 représente une structure intermédiaire obtenue selon une variante au premier mode de réalisation du procédé conforme à l'invention ;

- la figure 3, laquelle comprend les figures 3(a) à 3(h), représente les différentes structures obtenues en mettant en œuvre un deuxième mode de réalisation du procédé de réalisation d'un condensateur formé d'un réseau de nano-capacités selon l'invention ;

- la figure 4 représente une structure intermédiaire obtenue selon une variante au deuxième mode de réalisation du procédé conforme à l'invention.

Une nano-capacité est une capacité présentant les dimensions d'un nano-objet. Par nano-objet, on comprend un objet dont la taille est nanométrique, à savoir un objet présentant au moins une dimension comprise entre quelques nanomètres et quelques centaines de nanomètres.

L'invention concerne un procédé de réalisation d'un condensateur comprenant un réseau de nano-capacités. A partir d'un moule 10 présentant une face fermée 11 , dite face inférieure, et une face supérieure 12 par laquelle un réseau de pores 101 débouche, ce procédé met en œuvre les étapes suivantes: (a) on remplit les pores 101 du moule 10 tout en recouvrant la face supérieure 12 de ce moule 10, avec un matériau 20 conducteur de l'électricité, afin de former une structure 200 formée d'un réseau de nano-objets 201 reliés par un même support 202; (b) on supprime le moule 10 ;

(c) on dépose, sur le contour de la structure obtenue à l'issue de l'étape (b), au moins une bicouche formée d'une première couche 205, 212 d'un matériau isolant électrique et d'une deuxième couche 207, 214, 207', 214' d'un matériau conducteur de l'électricité ; puis

(d) on supprime, sur le support 202, ladite au moins une bicouche déposée à l'étape (c), afin de former un contact électrique. Les structures obtenues à l'issue des différentes étapes d'un premier mode de réalisation de ce procédé sont représentées sur les figures 1(a) à 1(f).

Le moule 10 est représenté sur la figure 1(a), selon une vue de coupe.

Les pores 101 du moule 10 peuvent présenter une géométrie et un positionnement respectif prédéterminés de façon à former un réseau organisé de pores. C'est le cas sur la représentation effectuée sur la figure 1(a).

Pour cela, on peut avantageusement utiliser un moule 10 formé par une membrane d'alumine, du silicium poreux ou des nanotubes d'oxydes de métaux tels que des oxydes de titane, de tantale, de tungstène, d'hafnium ou de zirconium. Le pas P séparant deux pores 101 du réseau organisé peut être compris entre 10nm et 1 pm.

Les pores 101 peuvent présenter un diamètre compris entre 5nm et 500nm, qu'elles soient agencées en un réseau organisé ou non.

La profondeur des pores 101 n'est pas limitée, à partir du moment où les nano-objets 201 obtenus restent en forme, sans s'affaisser ni entrer en contact les uns avec les autres. Pour cela, le procédé peut être mis en œuvre de sorte que le support 202 soit disposé au-dessus des nano-objets 201 par rapport au sens de la gravité, les nano-objets 201 pendant ainsi sous le support 202.

La structure 200 obtenue à l'issue de l'étape (a) est représentée sur la figure 1(b). Elle comporte un réseau de nano-objets 201 formés dans les pores 101 du moule et un support 202 reliant ces nano-objets entre eux.

Le matériau 20 constituant la structure 200 est un matériau conducteur de l'électricité. Il peut s'agir d'un métal ou d'un polymère conducteur de l'électricité. Les polymères susceptibles d'être employés peuvent être choisis parmi l'un au moins des polymères suivants: polypyrole, polyaniline, polyacétilène, poly(dioctyl-bithiophene).

L'étape (a) peut s'effectuer par voie électrochimique.

Plus précisément, l'étape (a) peut comprendre les sous- étapes suivantes :

(a-ι) on dépose, par évaporation physique, une couche superficielle de matériau 20 conducteur de l'électricité à la surface du moule 10 pour assurer un contact électrique;

(a2) on réalise un dépôt électrochimique de ce matériau 20 sur la couche superficielle préalablement formée.

L'évaporation physique effectuée lors de l'étape (a-ι) peut être une méthode d'évaporation physique quelconque connue de l'homme du métier. La surface du moule 10 comprend les parois des pores 101 de ce moule 10, ainsi que la face supérieure 12 du moule 10. Le dépôt électrochimique réalisé lors de l'étape (82), est une croissance par électrochimie qui s'effectue dans une solution électrolytique contenant le matériau conducteur électrique. Par exemple, il peut s'agir d'un métal sous forme ionique devant constituer les nanofils. Les cristallites de matériau conducteur électrique (métal par exemple) obtenues lors du dépôt par évaporation physique de l'étape (a-ι) servent de point de germination pour la croissance de la structure 200 qui est finalement formée.

Le dépôt par voie électrochimique peut notamment être employé lorsque le matériau 20 conducteur de l'électricité est un métal.

Dans le cas particulier où le matériau 20 destiné à être déposé lors de cette étape (a) est un polymère conducteur de l'électricité, celle-ci comprend les sous-étapes suivantes :

(a'1 ) on remplit les pores 101 du moule 10 avec un liquide comprenant au moins un monomère et/ou au moins un polymère ainsi qu'un produit réticulant ;

(a'2) on réalise une enduction centrifuge de la face supérieure 12 du moule 10 avec ce liquide ;

(a' ₃ ) on solidifie le liquide, par exemple en effectuant un recuit ou en exposant le liquide à une lumière ultraviolette.

L'enduction centrifuge effectuée lors de l'étape (a'2) est également connue sous le terme de « spin coating » selon la terminologie anglo-saxonne.

L'utilisation de la technique d'enduction centrifuge (« spin coating ») pour le dépôt d'un polymère est avantageuse car elle est plus facile à mettre en œuvre et plus économique que les techniques électrochimiques, généralement mises en œuvre avec les métaux.

La solidification du liquide effectuée à l'étape (a' ₃ ) est réalisée grâce au produit réticulant, qui agit sous l'effet d'un recuit ou d'une lumière ultraviolette. Dans le cas d'un recuit, la température de recuit est généralement comprise entre la température ambiante et quelques centaines de degrés Celsius. En variante, si le matériau 20 destiné à être déposé lors de cette étape (a) est un polymère, ce dernier peut être déposé par polymérisation physique. Il s'agit alors de réaliser un dépôt en phase vapeur du polymère. Cette technique pour le dépôt d'un polymère est avantageuse car elle est plus facile à mettre en œuvre et plus économique que les techniques électrochimiques, généralement mises en œuvre avec les métaux.

Les différentes voies employées pour remplir les pores 101 avec le matériau 20 ne présentent pas les limitations imposées par la technique de dépôt en couche atomique utilisée dans l'art antérieur. En effet, dans le cadre de l'invention, il ne s'agit plus de déposer des couches concentriques successives dans les pores de façon uniforme, mais de les remplir intégralement.

L'étape (b) peut consister à dissoudre le moule 10 par voie chimique ou électrochimique.

Lorsque la voie chimique est employée, tout acide peut permettre de dissoudre le moule 10. Dans le cas d'un moule en alumine, l'acide phosphorique peut par exemple être employé.

Lorsque la voie électrochimique est employée, le champ électrique peut être appliqué dans une solution acide, par exemple comprenant de l'acide phosphorique, dans lequel le moule 10, par exemple en alumine, est plongé. Appliquer un champ électrique dans cette solution permet de guider la dissolution chimique selon la direction du champ électrique.

Une fois le moule supprimé, on dispose d'une structure sur laquelle il devient possible de déposer des couches successives d'isolant électrique et de matériau conducteur de l'électricité afin de former le réseau de nano-capacités.

Une excroissance 203, destinée à former le contact électrique du condensateur, peut ensuite être déposé sur le support 202, afin d'obtenir la structure 204 représentée, en vue de coupe, sur la figure 1(c). On note que dans le mode de réalisation illustré, cette structure 204 a été inversée pour pouvoir reposer sur son support 202, cf. figure 1c.

Cela n'empêche pas pour autant le dépôt ultérieur de la couche 205 sur la face d'appui de la structure 204, car les vibrations mécaniques des appareils utilisés pour la mise en œuvre du procédé suffisent à exposer au dépôt la face a priori non exposée de la structure 204.

Avantageusement, on peut prévoir tout moyen de vibration permettant d'exposer cette face a priori non exposée. Alternativement, le dépôt peut être réalisé en deux étapes pour obtenir un dépôt sur la ou les face(s) exposées de la structure 204, suivi d'un dépôt sur la ou les face(s) non exposées à l'étape précédente.

L'excroissance 203 peut être réalisée par dépôt d'un nanofil sur l'extrémité du support 202, soit manuellement soit de manière automatisée, et fixé par les techniques standards de la microélectronique tels que la micro-soudure ou par ultrasons. A cet effet, on pourra utiliser un matériau identique au matériau 20 avec lequel la structure 200 a été formée, mais tout autre matériau conducteur de l'électricité susceptible d'être déposé sur le support 202 peut être utilisé. Finalement, l'excroissance 203 s'intègre au support 202 pour former une excroissance du support 202.

En variante, un moule additionnel (non représenté) présentant une forme adaptée pour que cette excroissance soit formée lors de l'étape (a) pourrait être associé au moule 10.

La structure 208 obtenue à l'issue de l'étape (c) est représentée sur la figure 1(e). Elle comporte, par rapport à la structure 204 représentée sur la figure 1(c) une bicouche formée d'une première couche 205 d'un matériau isolant électrique et d'une deuxième couche 207 d'un matériau conducteur de l'électricité.

Plus précisément, on dépose tout d'abord la première couche 205 faite d'un matériau isolant électrique sur la structure 204 afin d'obtenir une nouvelle structure, référencée 206 et représentée sur la figure 1(d). Cette couche diélectrique 205 enveloppe totalement la structure 204. Puis, on dépose la deuxième couche 207 en matériau conducteur de l'électricité sur la structure 206, afin d'obtenir la structure 208 représentée, toujours en vue de coupe, sur la figure 1(e). Cette couche 207 conductrice de l'électricité enveloppe totalement la couche diélectrique 205 préalablement déposée.

L'étape (c) peut consister à déposer chacune des deux couches 205, 207 de la bicouche par dépôt en couche atomique. L'épaisseur de chacune de ces couches peut aller de l'épaisseur d'une couche atomique à plusieurs centaines de nm. Théoriquement, l'épaisseur susceptible d'être obtenue avec cette technique n'est pas limitée, mais le temps de dépôt est le facteur limitant. En outre, l'épaisseur des couches déposées est choisie en fonction des caractéristiques souhaitées des nano-capacités.

Plusieurs bicouches chacune formée d'une première couche d'un matériau isolant électrique et d'une deuxième couche d'un matériau conducteur de l'électricité peuvent être déposées successivement lors de l'étape (c).

Ceci permet à chaque dépôt de bicouches de doubler approximativement la capacité électrique potentielle du condensateur.

Enfin, l'étape (d) consiste à former le contact électrique. Pour cela, on supprime localement les couches successivement déposées sur le l'excroissance du support 202.

Un agrandissement sur le pourtour de l'excroissance 203 obtenue à l'issue de l'étape (d) est représenté, en vue de coupe, sur la figure 1(f). Pour faire apparaître le contact électrique 203, on réalise une attaque par voie chimique (ou plasma) du conducteur électrique 207, laquelle est inerte par rapport au diélectrique 205. Puis, sur une distance plus courte, on réalise une attaque par voie chimique (ou plasma) du diélectrique 205, laquelle est inerte par rapport au conducteur électrique 207 et au contact électrique 203. Les attaques chimiques peuvent être réalisés par un acide ou un mélange d'acides.

La figure 2 représente, selon une vue de coupe, une structure 208' obtenue selon une variante du procédé décrit ci-dessus. Selon cette variante, l'étape (c) comprend une étape dans laquelle on dépose une couche épaisse 207' de matériau conducteur de l'électricité sur la couche 205 de matériau isolant électrique, l'épaisseur de cette couche étant suffisante pour enrober complètement la structure 206. Cette couche épaisse 207' apporte une meilleure protection mécanique des nano-capacités, ainsi qu'une meilleure protection de celles-ci par rapport à l'environnement (poussières, oxydation de certaines couches de la structure, ... ).

Les structures obtenues à l'issue des différentes étapes d'un deuxième mode de réalisation du procédé conforme à l'invention sont représentées sur les figures 3(a) à (h).

Dans cette variante, les nano-objets 201 et leur support 202 commun sont formés de la même façon que dans le premier mode de réalisation du procédé conforme à l'invention.

Ainsi, à partir d'un moule 10 présentant une face fermée 1 1 , dite face inférieure, et une face supérieure 12 par laquelle un réseau de pores 101 débouche, ce procédé met en œuvre l'étape (a). Le moule 10 utilisé est représenté sur la figure 3(a) et est conforme au moule représenté sur la figure 1 (a). Par ailleurs, la structure obtenue à l'issue de l'étape (a) est représentée sur la figure 3(b) et est conforme à la structure représentée sur la figure 1 (b).

Avant d'effectuer l'étape (b) mentionnée ci-dessus, cette variante de réalisation prévoit cependant deux étapes intermédiaires successives.

Lors d'une première étape intermédiaire (H), on ouvre la face inférieure 1 1 du moule 10, afin que le réseau de nano-objets 201 débouche également par cette face inférieure 1 1 .

La structure ainsi obtenue est représentée sur la figure 3(c). Comme on peut le constater sur cette figure 3(c), les nano-objets dépassent alors tous de la face inférieure 1 1 du moule 10.

Pour ce faire, l'étape (h ) est réalisée par voie chimique ou électrochimique, de façon similaire à la suppression complète du moule effectuée à l'étape (b), mais de manière partielle. En effet, cette suppression est effectuée sur une épaisseur inférieure à l'épaisseur totale du moule 10.

Puis, lors d'une deuxième étape intermédiaire (i ₂ ), on dépose une couche 209 de matériau conducteur de l'électricité sur la face inférieure 11 du moule afin de recouvrir cette face inférieure 11.

La structure ainsi obtenue est représentée sur la figure 3(d).

La couche 209 est généralement réalisée avec le même matériau 20 que les nano-objets 201 et le support 202. Cependant, on pourrait envisager un autre type de matériau conducteur de l'électricité pour cette couche 209, pouvant être déposée sur les nano-objets 201.

Si le matériau conducteur de l'électricité déposé à l'étape (i ₂ ) est un métal, le dépôt peut être réalisé par voie physique en phase vapeur, par voie chimique en phase vapeur ou par voie électrochimique.

Si le matériau conducteur de l'électricité déposé à l'étape (i ₂ ) est un polymère, le dépôt peut être réalisé par voie électrochimique, par enduction centrifuge ou par polymérisation physique.

A partir de la structure obtenue à l'issue de la deuxième étape intermédiaire (i ₂ ), on effectue l'étape (b) dans laquelle on supprime complètement le reste du moule 10.

Cette étape (b) est conforme à celle réalisée pour la première variante du procédé.

Puis, on peut déposer une excroissance 203 sur le support 202, cette excroissance étant destinée à servir de contact électrique. En variante, cette excroissance peut être déposée lors de l'étape (a), avec un moule 10 présentant une forme adaptée afin que le support 202 présente une telle excroissance.

A l'issue de cette étape de dépôt de l'excroissance 203, on aboutit à la structure 211 , représentée sur la figure 3(e).

L'intérêt de mettre en oeuvre les étapes intermédiaires (h) et (i ₂ ) entre les étapes (a) et (b) du procédé réside principalement dans le fait que la structure 211 représentée sur la figure 3(e), en forme d'échelle, est plus rigide que la structure représentée sur la figure 1(c), en forme de peigne. Ainsi, cette structure 211 permet de mettre en œuvre des nano-objets 201 avec un rapport de forme élevé et/ou réalisés dans un matériau 20 relativement souple, notamment en polymère, sans risque de cassure.

On met ensuite en œuvre les étapes (c) et (d) comme décrites précédemment.

Ainsi, la première couche de la bicouche déposée lors de l'étape (c) est une couche 212 de matériau isolant électrique, recouvrant complètement la structure 211 , comme représenté sur la figure 3(f). On forme alors la structure 213.

Et la deuxième couche 214 de cette bicouche est une couche de matériau conducteur de l'électricité, dont le dépôt permet de former la structure 215 représentée sur la figure 3(g).

On comprend que les techniques de dépôt susceptibles d'être employées sont les mêmes que pour la première variante du procédé.

Puis, on fait apparaître le contact électrique 203 avec le même procédé que pour la première variante.

Là encore, une pluralité de bicouches peut être déposée au cours de l'étape (c).

Enfin, la figure 4 représente, selon une vue de coupe, une structure 212' obtenue selon une variante du procédé décrit ci-dessus à l'appui des figures 3(a) à 3(h).

Selon cette variante, l'étape (c) comprend une étape dans laquelle on dépose une couche épaisse 214' de matériau conducteur de l'électricité sur la couche 212 de matériau isolant électrique, afin d'enrober complètement la structure 215.

Quel que soit le mode de réalisation envisagé, l'invention permet de fabriquer un condensateur comprenant un réseau de nano- capacités, ce réseau étant organisé ou non, pour lequel la hauteur des nano- capacités n'est pas théoriquement pas limitée, les limites pratiques provenant d'éventuels problèmes de tenue mécanique. On peut ainsi augmenter, pour un nombre donné de nano- capacités par unité de surface du moule, la capacité électrique du condensateur.

Par ailleurs, quel que soit le mode de réalisation envisagé, le diamètre des nano-capacités n'est théoriquement plus limité, les limites pratiques provenant d'éventuels problèmes de tenue mécanique.

Ceci permet, pour une hauteur donnée des pores du moule, de diminuer le diamètre des pores c'est-à-dire d'augmenter la densité des pores par unité de surface du moule et par suite, la capacité électrique du condensateur formé par le procédé.

En outre, le dépôt du contact électrique est une opération aisée, peu coûteuse en temps.

Il faut également noter que la faible épaisseur du condensateur finalement obtenu, en fait une structure relativement souple, aisée à manipuler sans la briser, que le matériau conducteur électrique soit en métal ou en polymère.

En particulier, un condensateur obtenu avec le procédé selon l'invention sera bien plus souple qu'un condensateur de même capacité obtenu par un procédé dit de dépôt de couche atomique (ALD), tel qu'il est utilisé dans le document D1.

En effet, avec la technique ALD, le moule en alumine dans lequel les nano-capacités sont formées n'est pas supprimé, car il est essentiel pour supporter mécaniquement les couches déposées. Le condensateur finalement obtenu est très rigide car le module d'Young de l'alumine est de 3,9.10 ^s MPa.

Pour améliorer la souplesse d'un condensateur obtenu avec la technique ALD, il est alors nécessaire de diminuer l'épaisseur du moule, ce qui diminue la capacité du condensateur obtenu.

Le procédé selon l'invention permet de s'affranchir du moule, de sorte que la souplesse du condensateur obtenu ne dépend pas du module d'Young de ce moule. La souplesse du condensateur obtenu avec le procédé selon l'invention est encore augmentée lorsque le matériau conducteur de l'électricité utilisé est un polymère, car les polymères présentent des modules d'Young au minimum 20 fois inférieurs à ceux des métaux.