Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers, einer elektronischen Anordnung und einer Strahlungsanordnung und Bauelementträger, elektronische Anordnung und

Strahlungsanordnung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für ein elektronisches Bauelement, bei dem ein Leiterrahmenabschnitt bereitgestellt wird. Der

Leiterrahmenabschnitt weist ein elektrisch leitfähiges

Material auf. Der Leiterrahmenabschnitt weist weiter einen ersten Kontaktabschnitt zum Ausbilden eines ersten

elektrischen Kontaktelements, einen zweiten Kontaktabschnitt zum Ausbilden eines zweiten elektrischen Kontaktelements und einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen

Bauelements auf. Zumindest der Aufnahmebereich und der zweite Kontaktabschnitt sind elektrisch leitend miteinander

verbunden. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung, die beispielsweise den Bauelementträger aufweist, und ein Verfahren zum

Herstellen einer Strahlungsanordnung, die beispielsweise die elektronische Anordnung aufweist. Ferner betrifft die

Erfindung den Bauelementträger und/oder die

Strahlungsanordnung, die beispielsweise den Bauelementträger aufweist, und/oder die elektronische Anordnung, die

beispielsweise den Bauelementträger aufweist.

Die deutsche Prioritätsanmeldung DE 10 2012 207 519.4, die ausdrücklich einen Teil der Offenbarung der vorliegenden

Anmeldung bildet, beschreibt ebenfalls bereits Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers, einer elektronischen Anordnung und einer Strahlungsanordnung, sowie einen

Bauelementträger, eine elektronische Anordnung und eine

Strahlungsanordnung.

An Bauelementträger, beispielsweise Gehäuse, für

elektronische Bauelemente, beispielsweise Strahlungsanordnungen, wie beispielsweise LED's, werden häufig Anforderungen gestellt, dass die LED's einfach zu kontaktieren sind, dass die in den LED's während des Betriebs entstehende Wärme schnell und effektiv abtransportiert werden kann und dass die gesamte Strahlungsanordnung aus LED und Bauelementträger einfach und kostengünstig herstellbar ist. Bei herkömmlichen Bauelementträgern sind neben anderen

Konzepten insbesondere zwei unterschiedliche Aufbaukonzepte für Bauelementträger bekannt.

Beispielsweise ist es bekannt, einen Trägerkörper aus Keramik auszubilden und diesen mit elektrischen Kontakten zu

versehen, die sich auf der Oberfläche des Trägerkörpers und teilweise durch den Trägerkörper hindurch erstrecken. Einer der elektrischen Kontakte kann eine so große Fläche

aufweisen, dass das elektronische Bauelement auf den

elektrischen Kontakt aufgesetzt werden kann. Eine LED, beispielsweise eine Dünnfilm-LED und/oder eine vertikale LED (Emissionsrichtung und/oder Stromleitung senkrecht zu

Schichtaufbau) , kann an dem elektrischen Kontakt so befestigt werden, dass sie an dem elektrischen Kontakt fixiert ist und gleichzeitig über den körperlichen Kontakt die elektrische Kontaktierung gegeben ist. Ein weiterer Kontakt der LED kann mit dem anderen elektrischen Kontakt des Bauelementträgers kontaktiert werden, beispielsweise mittels einer

Bondverbindung. Der Trägerkörper aus Keramik isoliert den elektrischen Kontakt, an dem das elektronische Bauelement befestigt ist, elektrisch und leitet die Wärme von dem elektronischen Bauelement ab. Zum weiteren Abführen der Wärme aus dem Bauelementträger kann auf einer dem elektronischen Bauelement gegenüberliegenden Seite des keramischen

Trägerkörpers eine Metallisierung auf dem Trägerkörper ausgebildet sein. Die Metallisierung kann beispielsweise auch zum Herstellen einer Lotverbindung dienen.

Der Bauelementträger mit dem keramischen Trägerkörper kann auf eine Leiterplatte, beispielsweise auf eine FR4- Leiterplatte, so aufgesetzt werden, dass sich der Trägerkörper zwischen dem elektronischen Bauelement und der Leiterplatte befindet. Die sich durch den keramischen

Trägerkörper hindurch erstreckenden elektrischen Kontakte werden mit Leiterbahnen der Leiterplatte verbunden. Außerdem wird die Metallisierung mit thermischen Leitungen verbunden, die sich durch die Leiterplatte hindurch erstrecken und die mit einer Wärmesenke verbunden werden können. Die

Leiterplatte trägt zu einer guten, einfachen und

kostengünstigen Kontaktierung und Kühlung des elektronischen Bauelements bei.

Alternativ dazu ist es bekannt, für den Bauelementträger einen elektrisch leitenden, beispielsweise Metall

aufweisenden, Leiterrahmenabschnitt zu verwenden. Dieser ist besonders einfach und kostengünstig herstellbar.

Beispielsweise kann der Leiterrahmenabschnitt Teil eines Leiterrahmens sein und der Bauelementträger kann in einem Bauelementträgerverbund hergestellt werden, indem alle

Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens im Verbund

bearbeitet werden. Verwendet man nun wie vorstehend

beschrieben als elektronisches Bauelement eine vertikale LED, so kontaktiert der Leiterrahmenabschnitt das elektronische Bauelement elektrisch und es entsteht eine elektrische

Verbindung zwischen dem elektronischen Bauelement und der Wärmesenke. Da das elektronische Bauelement und die

Wärmesenke in vielen Anwendungen nicht elektrisch miteinander gekoppelt sein sollen, wird zum Befestigen der

Bauelementträgers beispielsweise eine Metallkern-Leiterplatte verwendet, wobei der Metallkern der Leiterplatte von den elektrischen Kontakten der Leiterplatte mittels einer

dielektrischen Schicht isoliert ist. Der Metallkern der

Metallkern-Leiterplatte kann als Wärmesenke dienen und/oder es kann eine zusätzliche Wärmesenke vorgesehen werden, die mit dem Metallkern thermisch gekoppelt wird. Das Abführen der Wärme aus der Strahlungsanordnung mit dem Bauelementträger und der LED zu der Wärmesenke erfolgt über die dielektrische Schicht der Metallkern-Leiterplatte. Alternativ dazu kann ein elektronisches Bauelement verwendet werden, beispielsweise eine horizontale LED

(Emissionsrichtung und/oder Stromleitung parallel zu

Schichtauf au) , bei dem allein durch die Befestigung an dem Leiterrahmenabschnitt kein elektrischer Kontakt zwischen dem elektronischen Bauelement und dem Leiterrahmenabschnitt entsteht. Beide elektrischen Kontakte des elektronischen Bauelements können dann beispielsweise mittels

Bondverbindungen hergestellt werden. Ferner kann zum

Verbinden des Bauelementträgers mit der Wärmesenke eine FR4- Leiterplatte verwendet werden.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den Stand der Technik zu verbessern.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers, ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung und/oder ein

Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung

bereitgestellt, die auf einfache und kostengünstige Weise das Herstellen des Bauelementträgers, der elektronischen

Anordnung bzw. der Strahlungsanordnung ermöglichen und/oder die eine gute elektrische und thermische Kopplung eines elektronischen Bauelements mit einer Leiterplatte und/oder einer Wärmesenke ermöglichen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein

Bauelementträger, eine elektronische Anordnung und/oder eine Strahlungsanordnung bereitgestellt, die auf einfache und kostengünstige Weise herstellbar sind und/oder die auf einfache und kostengünstige Weise eine gute elektrische und thermische Kopplung eines elektronischen Bauelements mit einer Leiterplatte und/oder einer Wärmesenke ermöglichen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für ein elektronisches Bauelement bereitgestellt. Dabei wird ein

Leiterrahmenabschnitt bereitgestellt, der ein elektrisch leitfahiges Material aufweist. Der Leiterrahmenabschnitt weist weiter einen ersten Kontaktabschnitt zum Ausbilden eines ersten elektrischen Kontaktelements, einen zweiten Kontaktabschnitt zum Ausbilden eines zweiten elektrischen Kontaktelements und einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements auf. Zumindest der Aufnahmebereich und der zweite Kontaktabschnitt sind elektrisch leitend miteinander verbunden. Zumindest auf einer dem

Aufnahmebereich gegenüberliegenden Seite des

Leiterrahmenabschnitts wird ein thermisch leitendes und elektrisch isolierendes Zwischenelement zum Abführen von Wärme aus dem Aufnahmebereich und zum elektrischen Isolieren des Aufnahmebereichs ausgebildet. Zumindest auf einer dem Aufnahmebereich abgewandten Seite des Zwischenelements wird ein Thermokontakt zum thermischen Kontaktieren des

elektronischen Bauelements ausgebildet.

Das Bereitstellen des Leiterrahmenabschnitts mit dem

elektrisch leitfähigen Material, das Ausbilden des

Zwischenelements nahe dem oder anschließend an den

Aufnahmebereich und das Ausbilden des Thermokontakt s an dem Zwischenelement tragen dazu bei, den Bauelementträger einfach und kostengünstig herstellen zu können, im Betrieb des elektronischen Bauelements entstehende Wärme schnell und effektiv abführen zu können und den Bauelementträger auf einfache und kostengünstige Weise mit einer guten

elektrischen und thermischen Kopplung mit einer Leiterplatte und/oder einer Wärmesenke koppeln zu können. Ferner kann die elektronische Anordnung ein sehr gutes Verhalten bei

Temperaturwechselbelastung aufweisen, da das Material des Leiterplattenabschnitts besonders gut an die

Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leiterplatte und/oder der Wärmesenke angepasst werden kann. Dabei kann die Leiterplatte beispielsweise eine FR1-, FR2-, FR3- , FR4-, FR5-, CEM1-, CEM2-, CEM3-, CEM4- oder CEM5-Leiterplatte sein,

beispielsweise eine durchkontaktierte FR-4-Leiterplatte . Der Bauelementträger kann beispielsweise auch als Gehäuse, QFN- Gehäuse oder QFN-Träger bezeichnet werden. Der Leiterrahmenabschnitt kann beispielsweise auch als QFN- Leadframe bezeichnet werden. Der Bauelementträger mit dem elektronischen Bauelement kann auch als elektronisches

Bauteil oder elektronische Anordnung bezeichnet werden. Das elektronische Bauelement ist beispielsweise ein Halbleiter- Chip und/oder ein Licht emittierendes oder Licht

absorbierendes Bauelement.

Die Wärmesenke kann beispielsweise Aluminium aufweisen. Der Bauelementträger kann beispielsweise über die Leiterplatte oder direkt mit der Wärmesenke gekoppelt sein kann.

Der Bauelementträger kann beispielsweise zum Aufnehmen eines elektronischen Bauelements dienen. Der Bauelementträger mit dem elektronischen Bauelement kann als elektronische

Anordnung bezeichnet werden. Ferner kann der Bauelementträge mit dem elektronischen Bauelement als Strahlungsanordnung bezeichnet werden, falls das elektronische Bauelement eine Strahlungsquelle, beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement, aufweist.

Der Leiterrahmenabschnitt weist das elektrisch leitfähige Material auf und/oder kann aus dem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein. Das elektrisch leitfähige Material weist beispielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer, beispielsweise CuW oder CuMo, Kupferlegierungen, Messing, Nickel und/oder Eisen, beispielsweise FeNi, auf und/oder ist daraus gebildet. Der Leiterrahmenabschnitt ist Teil eines Leiterrahmens, der mehrere Leiterrahmenabschnitte aufweist, die miteinander verbunden sind, wobei jeder der

Leiterrahmenabschnitte beispielsweise zum Ausbilden eines de Bauelementträger ausgebildet sein kann. In anderen Worten kann sich der Leiterrahmen über mehrere Bauelementträger hinweg erstrecken, wobei die Mehrzahl der Bauelementträger gleichzeitig ausgebildet und/oder hergestellt werden können, wodurch ein Bauelementträgerverbund hergestellt wird. Der Leiterrahmen und/oder die Leiterrahmenabschnitte können beispielsweise flächig ausgebildet sein, was beispielsweise bedeutet, dass der Leiterrahmen bzw. jeder der

Leiterrahmenabschnitte verglichen mit seiner Länge und seiner Breite eine relativ geringe Dicke aufweist. Das Bearbeiten des Leiterrahmenabschnitts und damit das

Herstellen des Bauelementträgers können repräsentativ für das Bearbeiten des Leiterrahmens und damit repräsentativ für das Herstellen des Bauelementträgerverbunds sein. In anderen Worten können alle Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens gleichzeitig in denselben Arbeitsschritten bearbeitet werden, wie mit Bezug auf den einen Leiterrahmenabschnitt

beschrieben. Nach dem Herstellen des Bauelementträgerverbunds können dann die einzelnen Bauelementträger aus dem

Bauelementträgerverbund vereinzelt werden, indem unter anderem die Verbindungen der Leiterrahmenabschnitte

zueinander durchtrennt werden.

Das erste Kontaktelement dient zum Kontaktieren eines ersten Kontakts des elektronischen Bauelements. Das zweite

Kontaktelement dient zum Kontaktieren eines zweiten Kontakts des elektronischen Bauelements. Der erste und der zweite Kontaktabschnitt können beispielsweise nebeneinander

ausgebildet sein, wobei der Aufnahmebereich zwischen den beiden Kontaktabschnitten ausgebildet sein kann.

Beispielsweise kann der Aufnahmebereich in einem

Aufnahmeabschnitt angeordnet sein, der zwischen dem ersten und dem zweiten Kontaktabschnitt ausgebildet ist.

Das Zwischenelement weist beispielsweise eine Dicke zwischen 1 und 1000 pm, beispielsweise zwischen 10 und 200 pm, beispielsweise zwischen 20 und 80 pm auf. Das Zwischenelement weist beispielsweise eine thermische Leitfähigkeit zwischen 0,1 und 100 W/mK, beispielsweise zwischen 0,5 und 20 W/mK, beispielsweise zwischen 1 und 5 W/mK auf. Das Zwischenelement kann beispielsweise bereits strukturiert auf den

Leiterrahmenabschnitt aufgebracht werden. Beispielsweise kann das Material des Zwischenelements mittels Siebdruck,

Schablonendruck, Aufsprühen ( Jet-Printing) oder in einem Dispensverfahren aufgebracht oder flüssig in einen

formgebenden Zwischenbereich des Leiterrahmenabschnitts eingebracht werden. Alternativ dazu kann das Zwischenelement flächig auf den Leiterrahmenabschnitt aufgebracht werden und dann strukturiert werden. Beispielsweise kann das

Zwischenelement als Zwischenschicht aufgebracht werden, beispielsweise mittels Aufdrucken, Drucken, Gießen oder

Laminieren, und beispielsweise mittels Laserabiation oder Ätzen oder mechanisch, beispielsweise mittels Fräsen oder Kratzen, abgetragen und auf diese Weise strukturiert werden.

Der lötbare Thermokontakt weist beispielsweise eine Dicke zwischen 0,1 und 100 pm, beispielsweise zwischen 1 und 10 pm, beispielsweise etwa 5 pm auf. Der Thermokontakt weist

beispielsweise eine hohe thermische Leitfähigkeit auf, beispielsweise zwischen 100 und 1000 W/mK, beispielsweise zwischen 200 und 500 W/mK, beispielsweise zwischen 250 und 400 W/mK. Der Thermokontakt ist beispielsweise so

ausgebildet, dass er über eine Lotverbindung kontaktierbar ist. Der Thermokontakt weist beispielsweise Metall,

beispielsweise Kupfer, Titan, Gold, Silber, Nickel und/oder Palladium, beispielsweise NiPdAu, auf. Der Thermokontakt kann beispielsweise in einer KontaktSchicht flächig aufgebracht und dann strukturiert werden oder strukturiert aufgebracht werden. Der Thermokontakt kann beispielsweise mit Hilfe eines photolithographischen Prozesses und/oder eines Ätzprozesses ausgebildet und/oder strukturiert werden und/oder der

Thermokontakt kann in einem galvanischen Prozess aufgebracht werden .

Das Zwischenelement weist beispielsweise ein Dielektrikum und/oder beispielsweise ein organisches und/oder ein

anorganisches Material auf. Beispielsweise weist das

Dielektrikum Keramikpartikel und/oder eine Keramikpartikel aufweisende Trägermasse auf. Beispielsweise sind keramische

Partikel in der Trägermasse eingebettet. Beispielsweise weist die Trägermasse Epoxidharz, Silikon und/oder Acrylharz auf. Beispielsweise weist die Keramik Aluminiumoxid, Quarz,

Aluminiumnitrid, Bornitrid und/oder Siliziumkarbid auf.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der

Thermokontakt ein Metall auf. Beispielsweise weist der

Thermokontakt Kupfer auf oder ist daraus gebildet.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen werden das erste Kontaktelement und das zweite Kontaktelement aus dem

Leiterrahmenabschnitt ausgebildet, wobei das erste

Kontaktelement körperlich von dem zweiten Kontaktelement getrennt wird. Das erste und das zweite Kontaktelement können vor oder nach dem Aufbringen des Zwischenelements ausgebildet und/oder voneinander getrennt werden. Der Aufnahmebereich ist beispielsweise auch nach dem Ausbilden bzw. der Trennung der beiden Kontaktelemente in körperlichem Kontakt mit dem zweiten Kontaktelement. Beispielsweise ist der

Aufnahmebereich an demselben Materialstück ausgebildet wie das zweite Kontaktelement. In anderen Worten können der

Aufnahmebereich und das zweite Kontaktelement einstückig ausgebildet sein.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird das erste Kontaktelement mit Hilfe eines Ätzprozesses körperlich von dem zweiten Kontaktelement getrennt. Dies kann zu einem einfachen Ausbilden der Kontaktelemente beitragen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird auf der dem Aufnahmebereich gegenüber liegenden Seite des

Leiterrahmenabschnitts ein Zwischenbereich zum Aufnehmen des Zwischenelements ausgebildet. Der Zwischenbereich wird optional und gegebenenfalls vor dem Aufbringen des

Zwischenelements ausgebildet und kann vor, während oder nach dem Ausbilden und/oder Trennen des ersten und zweiten

Kontaktelements ausgebildet werden. Der Zwischenbereich kann beispielsweise eine Ausnehmung in dem Leiterrahmenabschnitt aufweisen oder der Zwischenbereich kann eine Verjüngung aufweisen, an der der Leiterrahmenabschnitt eine geringere Dicke als an dem ersten und/oder zweiten Kontaktelement aufweist .

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der

Zwischenbereich in demselben Arbeitsschritt ausgebildet wie das erste und das zweite Kontaktelement. Beispielsweise kann der Zwischenbereich in demselben Ätzprozess ausgebildet werden, in dem das erste und das zweite Kontaktelement ausgebildet und/oder voneinander getrennt werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird das

Zwischenelement und/oder der Thermokontakt in demselben

Arbeitsschritt ausgebildet wie das erste und das zweite

Kontaktelement. Beispielsweise können zunächst eine

Zwischenschicht und/oder eine KontaktSchicht auf den

Leiterrahmenabschnitt aufgebracht werden und dann können in demselben Ätzprozess, in dem die beiden Kontaktelemente hergestellt werden, das Zwischenelement aus der

Zwischenschicht bzw. der Thermokontakt aus der KontaktSchicht ausgebildet werden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen werden das erste und das zweite Kontaktelement zumindest teilweise in einen Formwerkstoff eingebettet. Dass das erste und das zweite Kontaktelement in einen Formwerkstoff eingebettet werden, bedeutet in diesem Zusammenhang, dass das erste und das zweite Kontaktelement zumindest teilweise von dem

Formwerkstoff umgeben werden, dass jedoch auch Bereiche des ersten und zweiten Kontaktelements und/oder auch der

Aufnahmebereich und/oder der Zwischenbereich und/oder der Thermokontakt frei von Formwerkstoff bleiben können. Der Formwerkstoff kann beispielsweise eine Vergussmasse oder eine Spritzmasse sein. Der Formwerkstoff kann beispielsweise ein anorganisches Material, beispielswiese einen

Verbundwerkstoff, beispielsweise Epoxidharz, und/oder

Silikon, ein Silikon-Hybrid und/oder ein Silikon-Epoxid- Hybrid aufweisen. Das erste und das zweite Kontaktelement können beispielsweise vor oder nach dem Ausbilden des Zwischenbereichs in den Formwerkstoff eingebettet werden. Das erste und das zweite Kontaktelement können beispielsweise vor oder nach dem Ausbilden des Zwischenelements und/oder vor oder nach dem Ausbilden des Thermokontakts in den

Formwerkstoff eingebettet werden. Der Formwerkstoff kann beispielsweise dazu dienen, das erste und das zweite

elektrische Kontaktelement mechanisch zu verbinden und elektrisch voneinander zu isolieren. Ferner kann der

Formwerkstoff dazu dienen, die beiden elektrischen Kontakte zumindest teilweise nach außen hin zu isolieren.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der

Formwerkstoff als Zwischenelement verwendet. Beispielsweise können der Formwerkstoff und das Zwischenelement in einem Arbeitsschritt ausgebildet werden und/oder aus demselben

Material gebildet sein. Beispielsweise kann der Formwerkstoff das Zwischenelement bilden. Dies kann dazu beitragen, das Zwischenelement auf besonders einfache und kostengünstige Weise auszubilden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der

Formwerkstoff so geformt, dass er eine Aufnahmeausnehmung aufweist, in der zumindest teilweise das erste

Kontaktelement, das zweite Kontaktelement und/oder der

Aufnahmebereich freigelegt sind. Dies trägt dazu bei, das elektronische Bauelement auf einfache Weise auf dem

Bauelementträger befestigen und/oder kontaktieren zu können.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung bereitgestellt, bei dem ein Bauelementträger beispielsweise gemäß dem vorstehend erläuterten Verfahren hergestellt wird und bei dem das elektronische Bauelement auf den Aufnahmebereich des

Bauelementträgers aufgebracht wird. Ein erster elektrischer Kontakt des elektronischen Bauelements wird mit dem ersten Kontaktelement kontaktiert und ein zweiter elektrischer

Kontakt des elektronischen Bauelements wird mit dem zweiten Kontaktelement kontaktiert. Der erste und/oder der zweite elektrische Kontakt können beispielsweise mittels Bonden mit dem entsprechenden ersten bzw. zweiten Kontaktelement

kontaktiert werden. Das elektronische Bauelement ist

beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement,

beispielsweise eine LED oder OLED, oder ein Licht

absorbierendes Bauelement, beispielsweise eine Solarzelle.

Falls der zweite elektrische Kontakt an einer dem

Aufnahmebereich zugewandten Seite des elektronischen

Bauelements ausgebildet ist, beispielsweise falls das elektronische Bauelement eine vertikale LED ist, so kann die Kontaktierung des zweiten Kontakts mit dem zweiten

Kontaktelement durch Aufbringen des elektronischen

Bauelements auf den Aufnahmebereich und über die körperliche Verbindung des Aufnahmebereichs mit dem zweiten

Kontaktelement erfolgen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung bereitgestellt, bei dem eine elektronische Anordnung beispielsweise gemäß dem bzw. den vorstehend erläuterten Verfahren hergestellt wird, wobei als elektronisches Bauelement eine Strahlungsquelle verwendet wird. Die Strahlungsquelle ist beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement, beispielsweise eine OLED oder eine LED, beispielsweise eine Dünnfilm-LED und/oder beispielsweise eine horizontale oder vertikale LED.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein

Bauelementträger zum Aufnehmen und Kontaktieren eines elektronischen Bauelements bereitgestellt. Der

Bauelementträger weist einen Leiterrahmenabschnitt, ein

Zwischenelement und einen Thermokontakt auf. Der

Leiterrahmenabschnitt weist ein erstes Kontaktelement, ein zweites Kontaktelement und einen Aufnahmebereich auf. Das erste Kontaktelement dient zum Kontaktieren einer ersten

Elektrode des elektronischen Bauelements. Der Aufnahmebereich dient zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements. Das zweite Kontaktelement dient zum Kontaktieren einer zweiten Elektrode des elektronischen Bauelements. Der Aufnahmebereich und das zweite Kontaktelement sind elektrisch leitend

miteinander verbunden. Das Zwischenelement dient zum

elektrischen Isolieren des Aufnahmebereichs und zum Abführen von Wärme aus dem Aufnahmebereich und ist auf einer dem

Aufnahmebereich gegenüberliegenden Seite des

Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der Thermokontakt dient zum thermischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements beispielsweise über das Zwischenelement und den

Aufnahmebereich . Der Thermokontakt ist auf einer von dem Aufnahmebereich abgewandten Seite des Zwischenelements an dem Zwischenelement angeordnet. Der Bauelementträger ist

beispielsweise mit Hilfe eines der vorstehend erläuterten Verfahren ausgebildet. Der Bauelementträger wird

beispielsweise im Bauelementträgerverbund ausgebildet und dann vereinzelt.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine

elektronische Anordnung bereitgestellt, die den

Bauelementträger und das elektronische Bauelement aufweist. Der Bauelementträger und das elektronische Bauelement sind beispielsweise wie vorstehend erläutert aneinander befestigt und miteinander kontaktiert.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine

Strahlungsanordnung bereitgestellt, die den Bauelementträger und das elektronische Bauelement aufweist, wobei das

elektronische Bauelement eine Strahlungsquelle ist,

beispielsweise wie vorstehend beschrieben.

Zu unterschiedlichen Ausführungsformen des Bauelementträgers, der elektronischen Anordnung und/oder der Strahlungsanordnung führende Verfahren und/oder Verfahrensschritte können ohne Weiteres auf unterschiedlichen Ausführungsformen des

Bauelementträgers, der elektronischen Anordnung und/oder der Strahlungsanordnung übertragen werden. In anderen Worten können die durch die unterschiedlichen Verfahren und/oder Verfahrensschritte erzielten unterschiedlichen Ausführungsformen des Bauelementträgers, der elektronischen Anordnung und/oder der Strahlungsanordnung eigene Aspekte der Erfindung darstellen. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen: Figur 1 ein Ausführungsbeispiel elektronischer Anordnungen auf einer Leiterplatte und eine Wärmesenke;

Figur 2 ein weiteres Ausführungsbeispiel elektronischer

Anordnungen auf einer Leiterplatte und/oder Wärmesenke;

Figur 3 ein Rohling eines Ausführungsbeispiels eines

Leiterrahmenabschnitts ; Figur 4 den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines ersten Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 5 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 6 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 7 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 8 den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines zweiten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 9 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des zweiten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 10 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des zweiten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 11 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des zweiten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 12 den Leiterrahmenabschnitt in einem fünften Zustand während des zweiten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 13 den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 14 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 15 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 16 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 17 den Leiterrahmenabschnitt in einem fünften Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 18 den Leiterrahmenabschnitt in einem sechsten Zustand während des dritten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers

Figur 20 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 21 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 22 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 23 den Leiterrahmenabschnitt in einem fünften Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 24 den Leiterrahmenabschnitt in einem sechsten Zustand während des vierten Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 25 den Leiterrahmenabschnitt in einem ersten Zustand während eines fünften Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 26 den Leiterrahmenabschnitt in einem zweiten Zustand während des fünften Ausführungsbeispiels des

Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 27 den Leiterrahmenabschnitt in einem dritten Zustand während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers; Figur 28 den Leiterrahmenabschnitt in einem vierten Zustand während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers;

Figur 29 den Leiterrahmenabschnitt in einem fünften Zustand während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser

Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da

Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

Ein Licht emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine Licht emittierende Diode

(light emitting diode, LED) oder eine organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein organischer Licht emittierender Transistor

ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.

Figur 1 zeigt zwei elektronische Anordnungen 10, die auf einer Leiterplatte 14 angeordnet sind. Alternativ können auch mehr oder weniger elektronische Anordnungen 10 angeordnet sein. Ein Gehäuse der elektronischen Anordnungen 10 kann auch als QFN-Gehäuse bezeichnet werden. Die elektronischen

Anordnungen 10 und/oder das Gehäuse der elektronischen

Anordnungen 10 können je einen Bauelementträger aufweisen und/oder der Bauelementträger kann das Gehäuse der

elektronischen Anordnungen 10 bilden. Die elektronische

Anordnung 10 kann beispielsweise ein Halbleiter-Chip und/oder beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement oder ein Licht absorbierendes Bauelement, beispielsweise eine

Solarzelle, sein. Die Leiterplatte 14 ist beispielsweise eine FR4-Leiterplatte oder eine FR5-Leiterpleite . Alternativ dazu kann die Leiterplatte 14 eine Metallkern-Leiterplatte sein. Die Leiterplatte 14 weist beispielsweise Glasfasermatten auf, die in ein Harz, beispielsweise Epoxidharz eingebettet sind. Beispielsweise weist die Leiterplatte 14 Aluminium, Kupfer, Al-SiC und/oder AISi auf. Die Leiterplatte 14 weist an ihrer den elektronischen Anordnungen 10 zugewandten Seite

elektrisch leitende erste Leiterbahnen 12 auf. Die ersten Leiterbahnen 12 weisen beispielsweise Kupfer auf oder sind daraus gebildet. Die elektronischen Anordnungen 10 sind elektrisch mit den ersten Leiterbahnen 12 der Leiterplatte 14 verbunden. Beispielsweise sind die elektronischen Anordnungen 10 mit den ersten Leiterbahnen 12 über Lotverbindungen verbunden. Die ersten Leiterbahnen 12 dienen teilweise zum elektrischen Kontaktieren und teilweise zum thermischen

Kontaktieren der elektronischen Anordnungen 10.

Durch die Leiterplatte 14 hindurch erstrecken sich thermische Leitungen 16. Die thermischen Leitungen 16 sind über einige der ersten Leiterbahnen 12 mit den elektrischen Anordnungen 10 verbunden zum Abführen von Wärme aus den elektronischen Anordnungen 10. Die thermischen Leitungen 16 weisen

beispielsweise Kupfer auf oder sind daraus gebildet. Die thermischen Leitungen 16 dienen dazu, Wärme aus den

elektronischen Anordnungen 10 schnell und effektiv

abzuführen. An ihrer von den elektronischen Anordnungen 10 abgewandten Seite weist die Leiterplatte 14 elektrisch leitende zweite Leiterbahnen 20 auf. Die zweiten Leiterbahnen 20 weisen Kupfer auf oder sind daraus gebildet. Die

Leiterbahnen 12, 20 weisen beispielsweise Aluminium, Kupfer, Nickel, Platin, Gold, Silber und/oder TiW auf.

Die Leiterplatte 14 ist thermisch und mechanisch mit einer Wärmesenke 18 gekoppelt, beispielsweise über die zweiten

Leiterbahnen 20. Beispielsweise kann die Leiterplatte 14 über einen thermisch und/oder elektrisch leitenden Klebstoff 22 an den zweiten Leiterbahnen 20 an der Wärmesenke 18 festgelegt sein. Die Wärmesenke 18 weist beispielsweise Aluminium, Nickel, Eisen oder Kupfer und/oder beispielsweise Legierungen auf Kupfer-, Nickel-, Eisen- und/oder Aluminium-Basis auf.

Figur 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem die elektrischen Anordnungen 10 mit der Leiterplatte 14 und/oder der Wärmesenke 18 gekoppelt sind. Beispielsweise können die Leiterplatte 14 bzw. die Wärmesenke 18 dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechend ausgebildet sein. Alternativ dazu kann bei dem in Figur 2 gezeigten Ausführungsbeispiel beispielsweise auf die Leiterplatte 14 verzichtet werden und die elektronischen Anordnungen 10 können direkt an der Wärmesenke 18 angebunden sein oder es kann auf die Wärmesenke 18 verzichtet werden, so dass die Leiterplatte 14 zusätzlich die Funktion einer Wärmesenke übernimmt. Die elektronischen Anordnungen 10 sind bei diesem Ausführungsbeispiel Strahlungsanordnungen, die Licht

emittierende Bauelemente, die elektromagnetische Strahlung 24 emittieren, aufweisen. Beispielsweise emittieren die

Strahlungsanordnungen die elektromagnetische Strahlung 24 in Richtung weg von der Leiterplatte 14 und der Wärmesenke 18, beispielsweise parallel zu einer Flächennormalen, die auf der Leiterplatte 14 senkrecht steht. Die elektromagnetische

Strahlung 24 ist beispielsweise Licht, beispielsweise UV- Licht, Infrarot-Licht und/oder Licht im sichtbaren Bereich.

Nachfolgend werden mehrere Ausführungsbeispiele von Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für die elektronischen Anordnungen 10 und/oder für die Strahlungsanordnungen

beschrieben.

Figur 3 zeigt einen Rohling für einen Leiterrahmenabschnitt 30. Der Leiterrahmenabschnitt 30 ist ein Teil eines nicht vollständig dargestellten Leiterrahmens, der eine Mehrzahl von entsprechenden Leiterrahmenabschnitten 30 aufweist. Die nachfolgend erläuterten Herstellungsverfahren sind

ausschließliche anhand des einen Leiterrahmenabschnitts 30 erläutert. Die dargestellten Zustände des

Leiterrahmenabschnitts 30 sind repräsentativ für

entsprechende Zustände der anderen nicht dargestellten

Leiterrahmenabschnitte 30 des Leiterrahmens. Die

Leiterrahmenabschnitte 30 können somit im Leiterrahmen im Verbund bearbeitet werden. Der Leiterrahmen und insbesondere der Leiterrahmenabschnitt 30 dienen bei allen nachfolgend erläuterten Herstellungsverfahren als Basis- und/oder

Ausgangselement, das allen Herstellungsverfahren zu Grunde liegt. Der Leiterrahmen kann auch als QFN-Leadframe

bezeichnet werden. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist beispielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer, auf und/oder ist daraus gebildet. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist eine hohe elektrische

Leitfähigkeit auf. Ferner weist der Leiterrahmenabschnitt 30 eine hohe thermische Leitfähigkeit auf. Ferner kann der

Leiterrahmenabschnitt 30 optional beschichtet sein. Der

Leiterrahmenabschnitt 30 weist beispielsweise eine Dicke von 10 bis 1000 pm, beispielsweise von 100 bis 500 pm,

beispielsweise von 150 bis 300 pm auf. Der

Leiterrahmenabschnitt 30 dient als Trägerkörper für einen der Bauelementträger. Der Leiterrahmen weist somit Trägerkörper für mehrere Bauelementträger auf. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist einen ersten

Kontaktabschnitt 32 und einen zweiten Kontaktabschnitt 34 auf. Zwischen den beiden Kontaktabschnitten 32, 34 ist ein Aufnahmeabschnitt 36 angeordnet, der einen Aufnahmebereich 38 aufweist. Die Abschnitte 32, 34, 26 und der Aufnahmebereich 38 stellen zunächst unbearbeitete Abschnitte bzw. Bereiche des Leiterplattenabschnitts 30 dar und dienen zum

Veranschaulichen der beschriebenen Verfahren.

In Figuren 4 bis 7 sind unterschiedliche aufeinander folgende Zustände des Leiterrahmenabschnitts 30 und/oder des

entsprechenden Bauelementträgers während eines ersten

Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen des Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers gezeigt. Figur 4 zeigt einen ersten Zustand des Leiterrahmenabschnitts 30 während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers. Ausgehend von dem in Figur 3 gezeigten Rohling des Leiterrahmenabschnitts 30 wird zum Erreichen des in Figur 4 gezeigten Zustands des

Leiterrahmenabschnitts 30 mindestens ein Ätzprozess

durchgeführt. Beispielsweise wird ein beidseitiger Ätzprozess durchgeführt, bei dem der Rohling des Leiterrahmenabschnitts 30 von beiden Seiten her geätzt wird. Beispielsweise wird in einem photolithographischen Verfahren ein Ätzstoppmaterial auf beide Seiten des Leiterrahmenabschnitts 30 aufgebracht und nachfolgend wird der Leiterrahmenabschnitt 30 von beiden Seiten her geätzt, beispielsweise in einem Arbeitsschritt.

Bei dem Atzprozess werden der erste und der zweite

Kontaktabschnitt 32, 34 voneinander getrennt, so dass in dem ersten Kontaktbereich 32 ein erstes Kontaktelement 42

gebildet ist und in dem zweiten Kontaktabschnitt 34 ein zweites Kontaktelement 44 gebildet ist. Die beiden

Kontaktelemente 42, 44 sind innerhalb des dargestellten

Leiterrahmenabschnitts 30 körperlich voneinander getrennt, können jedoch im Verbund des Leiterrahmens über benachbarte nicht dargestellte Leiterrahmenabschnitte 30 miteinander verbunden sein. Das zweite Kontaktelement 44 ist körperlich mit dem Aufnahmebereich 38 gekoppelt und ist beispielsweise einstückig mit dem Aufnahmebereich 38 ausgebildet.

Außerdem wird bei dem Atzprozess auf einer dem

Aufnahmebereich 38 gegenüberliegenden Seite des

Leiterrahmenabschnitts 30 ein Zwischenbereich 48 ausgebildet, der eine Ausnehmung in dem Leiterrahmenabschnitt 30 aufweist. Ferner kann optional an einem Übergang von dem zweiten

Kontaktbereich 34 zu dem Aufnahmebereich 36, also zwischen dem zweiten Kontaktelement 44 und dem Zwischenbereich 48 eine weitere Ausnehmung ausgebildet werden. Der Zwischenbereich 48 und/oder die weitere Ausnehmung weisen eine Tiefe auf, die beispielsweise der halben Dicke des Leiterrahmenabschnitts 30 entspricht, wobei die Tiefe beispielsweise bis zu 100 pm, beispielsweise bis zu 50 pm, beispielsweise bis zu 30 pm von der halben Dicke des Leiterrahmenabschnitts 30 abweichen kann. Alternativ zu dem Ausbilden des Zwischenbereichs 48 in dem Atzprozess kann der Zwischenbereich 48 beispielsweise durch Bohren, Schleifen und/oder Prägen in dem

Leiterrahmenabschnitt 30 ausgebildet werden.

Figur 5 zeigt einen zweiten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers, bei dem ein Zwischenelement 50 in den Zwischenbereich 48 eingebracht ist. Das Zwischenelement 50 ist beispielsweise ein Dielektrikum und/oder weist

beispielsweise ein anorganisches Material auf. Beispielsweise weist das Zwischenelement 50 eine Trägermasse auf, in die Partikel eingebettet sind. Das Trägermaterial weist

beispielsweise ein Polymer, beispielsweise Epoxidharz,

Silikon und/oder Acrylat auf. Die Partikel weisen

beispielsweise Aluminiumoxid, Quarz, Aluminiumnitrid,

Bornitrid und/oder Siliciumcarbid auf. Das Zwischenelement 50 dient dazu, den Aufnahmebereich 38 elektrisch zu isolieren und/oder Wärme von dem Aufnahmebereich 38 abzuführen. Das Zwischenelement 50 kann beispielsweise mittels Dispensen oder Rakeln in den Zwischenbereich 48 eingebracht werden. Falls nötig kann das Zwischenelement 50 nach dem Einbringen in den Zwischenbereich 48 getrocknet und/oder gehärtet werden.

Beispielsweise kann das Zwischenelement 50 in flüssigem

Zustand in den Zwischenbereich 48 eingebracht werden und in dem Zwischenbereich optisch und/oder thermisch gehärtet werden. Das Zwischenelement 50 kann beispielsweise eine Dicke haben, die einer Tiefe des Zwischenbereichs 48 entspricht und/oder eine Dicke haben, die der halben Dicke des

Leiterrahmenabschnitts 30 entspricht.

Figur 6 zeigt einen dritten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers, bei dem der Leiterrahmenabschnitt 30 in einen Formwerkstoff eingebettet ist. Der in den

Formwerkstoff 54 eingebettete Leiterrahmenabschnitt 30 kann als Bauelementträger bezeichnet werden. Der in den

Formwerkstoff 54 eingebettete Leiterrahmen kann als

Bauelementträgerverbund bezeichnet werden.

Der Formwerkstoff 54 wird beispielsweise durch Molden, beispielsweise Transfermolden, oder durch Umspritzen des Leiterrahmenabschnitts mit dem Formwerkstoff 54 ausgebildet. Beispielsweise kann der Leiterrahmen umfassend alle

Leiterrahmenabschnitte 30 mit jeweils beiden Kontaktelementen 44, 42 in einen Guss- oder Formkörper eingelegt werden und dann mit dem flüssigen Formwerkstoff 54 umgössen oder

umspritzt werden, wobei nachfolgend der Formwerkstoff 54 getrocknet bzw. gehärtet werden kann. Der Guss- bzw.

Formkörper ist so ausgebildet, dass in dem Formwerkstoff 54 eine Aufnahmeausnehmung 56 gebildet ist. In der

Aufnahmeausnehmung 56 ist zumindest der Aufnahmebereich 38 freigelegt. Ferner können in der Aufnahmeausnehmung 56 das erste und zweite Kontaktelement 42, 44 zumindest teilweise freigelegt sein. Außerdem sind die beiden Kontaktelemente 42, 44 auf ihren von der Aufnahmeausnehmung 56 abgewandten Seiten zumindest teilweise frei von Formwerkstoff 54.

Alternativ dazu, das Zwischenelement 50 vor dem Ausbilden des Formwerkstoffs 54 in den Zwischenbereich 48 einzubringen, kann beim Ausbilden des Formwerkstoffs 54 der Zwischenbereich 48 frei von Formwerkstoff 54 gehalten werden und das

Zwischenelement 50 kann erst nach dem Bilden des

Formwerkstoffs 54 in den Zwischenbereich 48 eingebracht werden .

Vor oder nach dem Ausbilden des Formwerkstoffs 54 wird auf einer von dem Aufnahmebereich 38 abgewandten Seite des

Zwischenelements 50 ein Thermokontakt 52 ausgebildet. Der Thermokontakt 52 kann beispielsweise, wie beispielsweise nachfolgend mit Bezug zu den Figuren 12 und/oder 17 näher erläutert, flächig auf das Zwischenelement 50 und/oder den Bauelementträger aufgebracht werden und nachfolgend

strukturiert werden. Alternativ dazu kann der bereits

strukturierte Thermokontakt 52 auf das Zwischenelement 50 aufgebracht werden. Der Thermokontakt 52 ist beispielsweise dazu geeignet, eine Lotverbindung einzugehen und kann

beispielsweise mit Lot benetzt werden. Der Thermokontakt 52 weist beispielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer,

Silber, Nickel, Gold oder Palladium auf. Der Thermokontakt 52 dient dazu, dass Zwischenelement 50 thermisch zu kontaktieren. Außerdem dient der Thermokontakt 52 dazu, Wärme aus dem Zwischenelement 50 abzuführen. Der Thermokontakt 52 stellt eine Metallisierung des Zwischenelements 50,

insbesondere einer Oberfläche des Zwischenelements 50 dar. Beispielsweise ist die Metallisierung derart, dass sie lötbar ist, d.h. dass über sie eine Lötverbindung herstellbar ist. Der Thermokontakt 52 kann somit auch zu Herstellen einer Lötverbindung genutzt werden. Figur 7 zeigt einen vierten Zustand des Bauelementträgers während des ersten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers, bei dem ein elektronisches Bauelement 60 auf den Aufnahmebereich 38 aufgebracht ist. Der Bauelementträger mit dem elektronischen Bauelement 60 kann auch als elektronische Anordnung 10 oder als elektronisches Bauteil bezeichnet werden. Der Bauelementträger kann als Gehäuse für das elektronische Bauelement dienen. Das

elektronische Bauelement 60 ist beispielsweise ein

Halbleiter-Chip und/oder ein Licht emittierendes Bauelement oder ein Licht absorbierendes Bauelement. Das Licht

emittierende Bauelement ist beispielsweise eine OLED oder eine LED, beispielsweise eine vertikal emittierende OLED oder LED, bei der eine Vorzugsrichtung der emittierten

elektromagnetischen Strahlung senkrecht auf Schichten der Schichtstruktur der LED steht.

Das elektronische Bauelement 60 weist beispielsweise an seiner von dem Leiterrahmenabschnitt 30 abgewandten Seite einen ersten elektrischen Kontakt 62 und auf einer dem

Leiterrahmenabschnitt 30 zugewandten Seite einen zweiten elektrischen Kontakt 66 auf. Zwischen dem ersten elektrischen Kontakt 62 und dem zweiten elektrischen Kontakt 66 ist mindestens eine, beispielsweise mehrere optische Schichten ausgebildet. Beispielsweise sind optisch funktionelle

Schichten ausgebildet, die beispielsweise Licht emittieren, wenn zwischen dem ersten und dem zweiten elektrischen Kontakt 62, 66 eine elektrische Spannung angelegt wird. Ferner können als optisch funktionelle Schichten diverse Streu- und/oder Konversionsschichten vorgesehen sein zum Streuen bzw.

Konvertieren der in dem Licht emittierenden Bauelement erzeugten elektromagnetischen Strahlung. Der erste elektrische Kontakt 62 des elektronischen

Bauelements 60 ist über einen ersten Bondkontakt 70, eine elektrische Leitung 72 und einen zweiten Bondkontakt 74 mit dem ersten elektrischen Kontaktelement 42 des

Bauelementträgers elektrisch verbunden. Der zweite

elektrische Kontakt 66 ist in körperlichen Kontakt mit dem Aufnahmebereich 38 des Leiterrahmenabschnitts 30. Der

Aufnahmebereich 38 und damit der zweite elektrische Kontakt 66 des elektronischen Bauelements 60 sind elektrisch mit dem zweiten Kontaktelement 44 gekoppelt. Somit dient der

Aufnahmebereich 38 des Leiterrahmenabschnitts 30 sowohl zur mechanischen als auch zur elektrischen Ankopplung des elektronischen Bauelements 60 an den Leiterplattenabschnitt 30. Beim Betrieb des elektronischen Bauelements 60 kann Wärme entstehen, die von dem Leiterrahmenabschnitt 30 in dem

Aufnahmebereich 38 aufgenommen wird. Die Wärme kann über das Zwischenelement 50 zu dem Thermokontakt 52 abgeführt werden. Gleichzeitig bildet das Zwischenelement 50 eine elektrische Isolierung des Aufnahmebereichs 38 von dem Thermokontakt 52 und damit eine elektrische Isolierung des Thermokontakts 52 von dem elektronischen Bauelement 60.

Das elektronische Bauelement 60 ist in der Aufnahmeausnehmung 56 des Formwerkstoffs 54 angeordnet. Die Aufnahmeausnehmung 56 kann ansonsten beispielsweise mit einem Füllmaterial, beispielsweise mit einem lichtstreuenden Material gefüllt sein. In anderen Worten kann das elektronische Bauelement 60 in der Aufnahmeausnehmung 56 in einem Füllmaterial

eingebettet sein.

Abschließend können die Leiterrahmenabschnitte 30 aus dem Leiterrahmen bzw. die Bauelementträger aus dem Bauelementträgerverbund vereinzelt werden, beispielsweise mittels Schneiden oder Sägen.

Die Figuren 8 bis 12 zeigen unterschiedliche Zustände des Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während eines zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers.

Figur 8 zeigt einen ersten Zustand des Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des zweiten

Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des

Bauelementträgers, bei dem ausgehend von dem

Leiterrahmenabschnitt 30 gemäß Figur 3 zunächst nur der

Zwischenbereich 48 in dem Aufnahmeabschnitt 36 auf einer von dem Aufnahmebereich 38 gegenüberliegenden Seite des

Leiterrahmenabschnitts 30 ausgebildet wird. Beispielweise kann der Zwischenbereich 48 mit Hilfe eines Ätzprozesses, beispielsweise einer flachen Ätzung, in dem

Leiterrahmenabschnitt 30 ausgebildet werden. Alternativ dazu kann der Zwischenbereich 48 beispielsweise mittels Fräsen,

Bohren, Schleifen oder Prägen ausgebildet werden. Eine Tiefe des Zwischenbereichs 48 kann beispielsweise zwischen 10 und 100 pm, beispielsweise zwischen 20 und 60 pm, beispielsweise zwischen 30 und 50 pm, beispielsweise ungefähr 40 pm

betragen.

Figur 9 zeigt einen zweiten Zustand des Bauelementträgers während des zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers, bei dem der

Leiterrahmenabschnitt 30 von beiden Seiten einem Ätzprozess unterzogen wurde, beispielsweise gemäß dem mit Bezug zu Figur 4 erläuterten beidseitigen Ätzprozesses zum Herstellen der Kontaktelemente 42, 44. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist nach dem beidseitigen Ätzprozess aufgrund des mit Bezug zu Figur 8 erläuterten Ätzprozesses an dem Aufnahmebereich 38 und an dem Zwischenbereich 48 eine geringere Dicke auf als im Bereich des ersten und zweiten Kontaktelements 42, 44. Figur 10 zeigt einen dritten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem der

Leiterrahmenabschnitt 30 in den Formwerkstoff 54 eingebettet ist, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 6 näher erläutert.

Aufgrund der geringeren Dicke des Leiterrahmenabschnitts 30 an dem Aufnahmebereich 38 und dem Zwischenbereich 48 ist der Formwerkstoff 54 auch an den Zwischenbereich 48 angrenzend ausgebildet, so dass der Zwischenbereich 48 mit Formwerkstoff 54 bedeckt bzw. gefüllt ist. Der Formwerkstoff 54 bildet dadurch das Zwischenelement 50. In anderen Worten ist bei diesem Ausführungsbeispiel das Zwischenelement 50 durch den Formwerkstoff 54 gebildet. Eine Dicke des Zwischenelements 50 entspricht beispielsweise ungefähr einer Tiefe des in Figur 8 gezeigten Zwischenbereichs 48.

Figur 11 zeigt einen vierten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des zweiten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem auf den

Bauelementträger an einer dem Aufnahmebereich 38 abgewandten Seite des Leiterrahmenabschnitts 30 eine Zusatzschicht 80 aufgebracht ist, und zwar so, dass die beiden Kontaktelemente 42, 44 und das Zwischenelement 50 frei von der Zusatzschicht 80 bleiben. Die Zusatzschicht 80 kann auch als Lotmaske bezeichnet werden und/oder für ein Lift-Off-Verfahren o.ä. genutzt werden.

Figur 12 zeigt einen fünften Zustand des Leiterrahmens 30 bzw. des Bauelementträgers während des zweiten

Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des

Bauelementträgers, bei dem auf einer von dem Aufnahmebereich 38 abgewandten Seite des Leiterrahmenabschnitts 30 an dem ersten Kontaktelement 42 ein erster Schichtkontakt 82

ausgebildet ist, an dem zweiten Kontaktelement 44 ein zweiter Schichtkontakt 84 ausgebildet ist und an dem Zwischenelement 50 der Thermokontakt 52 ausgebildet ist. Der erste

Schichtkontakt 82, der zweite Schichtkontakt 84 und/oder der Thermokontakt 52 werden beispielsweise flächig mittels eines galvanischen Prozesses auf die Zusatzschicht 80 und den

Formkörper 54 aufgebracht, wobei nachfolgend die

Zusatzschicht 80 mit den darauf befindlichen Schichtelementen der galvanischen Schicht entfernt wird, so dass der erste Schichtkontakt 82, der zweite Schichtkontakt 84 und/oder der Thermokontakt 52 entstehen. Die Schichtkontakte 82, 84 und/oder der Thermokontakt 52 können alternativ auch mit

Hilfe eines Lift-Off-Verfahrens , durch ein Aufdampfverfahren und/oder ein Sputterverfahren aufgebracht sein.

Das elektronische Bauelement 60 ist auf den

Leiterrahmenabschnitt 30 aufgebracht und an dem

Leiterrahmenabschnitt 30 kontaktiert, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 7 näher erläutert.

Abschließend können die Leiterrahmenabschnitte 30 aus dem Leiterrahmen bzw. die Bauelementträger aus dem

Bauelementträgerverbund vereinzelt werden, beispielsweise mittels Schneiden oder Sägen.

Bei dem zweiten Herstellungsverfahren kann auf ein Ausbilden eines separierten Zwischenelements 50 verzichtet werden, da dies durch den Formwerkstoff 54 gebildet ist. Der

Formwerkstoff 54 weist bei diesem Ausführungsbeispiel des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen eines Bauelementträgers beispielsweise eine besonders hohe

Wärmeleitfähigkeit auf.

In Figuren 13 bis 18 sind unterschiedliche Zustände des Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während eines dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen eines Bauelementträgers gezeigt und/oder während eines dritten Verfahrens zum Herstellen des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers. Figur 13 zeigt einen ersten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, wobei zunächst ausgehend von dem in Figur 3 gezeigten Zustand der

Leiterrahmenabschnitt 30 einem beidseitigen Atzprozess unterzogen wird, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 4 näher erläutert. Im Gegensatz zu dem in Figur 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist jedoch kein Zwischenbereich 48 auf der dem Aufnahmebereich 38 gegenüberliegenden Seite des

Leiterrahmenabschnitts 30 ausgebildet.

Figur 14 zeigt einen zweiten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen eines Bauelementträgers, bei dem der Leiterrahmen, insbesondere der Leiterrahmenabschnitt 30 bereits von dem Formwerkstoff 54 umgeben und/oder in diesen eingebettet ist. Das Ausbilden des Formwerkstoffs 54 erfolgt beispielsweise entsprechend dem Ausbilden des Formwerkstoffs 54 wie mit Bezug zu Figur 6 näher erläutert.

Figur 15 zeigt einen dritten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen eines Bauelementträgers, bei dem auf der von der Aufnahmeausnehmung 56 abgewandten Seite des Bauelementträgers eine Zwischenschicht 86 aufgebracht ist. Die Zwischenschicht 86 kann beispielsweise flächig auf den Bauelementträger aufgebracht werden, beispielsweise mittels Aufschleudern, Drucken, Aufdrucken, Gießen oder Rakeln und/oder durch

Sputtern, thermische Abscheidung und/oder Auflaminieren, wobei nachfolgend die Zwischenschicht 86 falls nötig

getrocknet oder gehärtet werden kann, beispielsweise optisch und/oder thermisch. Die Zwischenschicht 86 weist das Material des Zwischenelements 50 auf. Die Zwischenschicht 86 kann beispielsweise möglichst dünn ausgebildet werden und/oder beispielsweise eine Dicke von 1 bis 50 pm, beispielsweise von 20 bis 40 pm, beispielsweise ungefähr 38 pm aufweisen.

Figur 16 zeigt einen vierten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem die Zwischenschicht 86 derart strukturiert ist, dass das erste Kontaktelement 42 und das zweite Kontaktelement 44 zumindest teilweise von der Zwischenschicht 86 befreit sind. In anderen Worten ist die

Zwischenschicht 86 strukturiert. Die Zwischenschicht 86 kann beispielsweise mittels Laserabiation, Ätzen und/oder

mechanisch, beispielsweise mittels Fräsen und/oder Kratzen, strukturiert werden.

Alternativ zum flächigen Aufbringen der Zwischenschicht 86, wie mit Bezug zu Figur 15 erläutert, und dem nachfolgenden Strukturieren der Zwischenschicht 86, wie mit Bezug zu Figur 16 erläutert, kann die Zwischenschicht 86 auch strukturiert auf den Bauelementträger aufgebracht werden, beispielsweise mittels Siebdruck oder Schablonendruck oder in einem

Strahldruckverfahren ( Jetting) , beispielsweise einem

Tintenstrahldruckverfahren entsprechend . Figur 17 zeigt einen fünften Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem eine KontaktSchicht 88 auf einer von dem Aufnahmebereich 38 abgewandten Seite des Bauelementträgers ausgebildet ist. Die KontaktSchicht 88 erstreckt sich flächig über die Zwischenschicht 86, das

Zwischenelement 50 und die freigelegten Bereiche des ersten und zweiten Kontaktelements 42, 44. Die KontaktSchicht 88 kann beispielsweise ein Metall, beispielsweise Kupfer

aufweisen. Die KontaktSchicht 88 kann beispielsweise eine

Dicke zwischen 1 und 50 pm, beispielsweise zwischen 3 und 10 pm, beispielsweise ungefähr 5 pm aufweisen. Figur 18 zeigt einen sechsten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem die KontaktSchicht 88 derart strukturiert ist, dass durch sie der erste

Schichtkontakt 82, der zweite Schichtkontakt 84 und der

Thermokontakt 52 gebildet sind. Die KontaktSchicht 88 kann beispielsweise mit Hilfe eines photolithographischen

Prozesses und eines Ätzprozesses ausgebildet und/oder

strukturiert werden. Beispielsweise kann die Struktur der KontaktSchicht 88 mit Hilfe einer Photomaske auf der

KontaktSchicht 88 aufgebracht werden.

In Figuren 19 bis 24 sind unterschiedliche Zustände es

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während eines vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers gezeigt.

Figur 19 zeigt einen ersten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem ausgehend von dem Leiterrahmenabschnitt 30 gemäß Figur 3 der Zwischenbereich 48 auf der dem Aufnahmebereich 38 gegenüberliegenden Seite des Leiterrahmenabschnitts in dem Leiterrahmenabschnitt 30 ausgebildet ist. Der Zwischenbereich 48 wird beispielsweise mittels Ätzen ausgebildet. Ferner kann der Zwischenbereich 48 beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 8 näher erläutert ausgebildet werden. Der Zwischenbereich 48 kann mit einer geringen Tiefe von beispielsweise zwischen 10 und 100 pm, beispielsweise zwischen 20 und 50 pm, beispielsweise von ungefähr 40 pm ausgebildet werden.

Figur 20 zeigt einen zweiten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, wobei in den

Zwischenbereich 48 das Zwischenelement 50 eingebracht ist. Das Zwischenelement 50 wird beispielsweise mittels Rakeln oder Dispensen in den Zwischenbereich 48 eingebracht. Das Zwischenelement 50 wird beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 5 näher erläutert in den Zwischenbereich 48 eingebracht. Das Zwischenelement 50 kann beispielsweise Materialen aufweisen, wie sie im Zusammenhang mit dem in Figur 5 gezeigten

Zwischenelement 50 aufgeführt sind. Das Material des

Zwischenelements 50 kann beispielsweise flüssig in den

Zwischenbereich 48 eingebracht werden und/oder dort thermisch oder optisch gehärtet werden.

Figur 21 zeigt einen dritten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen eines Bauelementträgers, bei dem auf das

Zwischenelement 50 und auf den Leiterrahmenabschnitt 30 in dem ersten und zweiten Kontaktabschnitt 32, 34 die

KontaktSchicht 88 flächig aufgebracht ist. Die KontaktSchicht 88 kann beispielsweise gemäß der in Figur 17 gezeigten

Kontaktschicht 88 ausgebildet sein und/oder ausgebildet werden. Die Kontaktschicht 88 kann beispielsweise eine Dicke von 1 bis 10, beispielsweise von 5 Mikrometern aufweisen.

Figur 22 zeigt einen vierten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, dem vorausgehend der

Leiterrahmenabschnitt 30 mit dem Zwischenelement 50 und der Kontaktschicht 88 dem beidseitigen Ätzprozess unterzogen wird, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 4 näher

erläutert. Durch den beidseitigen Ätzprozess werden das erste Kontaktelement 42 mit dem ersten Schichtkontakt 82, das zweite Kontaktelement 44 mit dem zweiten Schichtkontakt 84 und das Zwischenelement 50 mit dem Thermokontakt 52

ausgebildet. Alternativ können das erste Kontaktelement 42 mit dem ersten Schichtkontakt 82, das zweite Kontaktelement 44 mit dem zweiten Schichtkontakt 84 und das Zwischenelement 50 mit dem Thermokontakt 52 auch durch eine ein- oder zweiseitige mechanische Bearbeitung ausgebildet werden, beispielsweise falls das Durchführen des Ätzprozesses

ungünstig ist. Figur 23 zeigt einen fünften Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem der

Leiterrahmenabschnitt 30 mit dem Formwerkstoff 54 umgössen bzw. umspritzt ist. Das Ausbilden des Formwerkstoffs 54 erfolgt beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 6 näher

erläutert. Der Formwerkstoff 54 wird derart ausgebildet, dass der erste Schichtkontakt 82, der zweite Schichtkontakt 84 und der Thermokontakt 52 frei von Formwerkstoff bleiben.

Figur 24 zeigt einen sechsten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem das elektronische Bauelement 60 auf den Aufnahmebereich 38 aufgebracht ist und das elektronische Bauelement 60 bereits mit dem

Leiterrahmenabschnitt 30 kontaktiert ist, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 7 näher erläutert. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann das Zwischenelement 50 besonders dünn ausgebildet werden, was zu einem besonders guten Abführen der Wärme über das Zwischenelement 50

beitragen kann. Ferner ist der Bauelementträger,

beispielsweise das Gehäuse, beispielsweise das QFN-Gehäuse, an seiner von dem elektronischen Bauelement 60 abgewandten Seite flach ausgebildet, was zu einem einfach Anordnen des Bauelementträgers beispielsweise an der Leiterplatte 14 beitragen kann. Die Figuren 25 bis 29 zeigen unterschiedliche Zustände des

Bauelementträgers während eines fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers. Figur 25 zeigt einen ersten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem auf den

Leiterrahmenabschnitt 30 gemäß Figur 3 das Zwischenelement 50 auf der dem Aufnahmebereich 30 abgewandten Seite des

Leiterrahmenabschnitts 30 ausgebildet ist. Das

Zwischenelement 50 wird beispielsweise bereits strukturiert, beispielsweise mittels Schablonendruck, Siebdruck oder mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens (Jetting) auf den Leiterrahmenabschnitt 30 aufgebracht. Alternativ dazu kann das Zwischenelement 50, wie mit Bezug zu Figur 15 erläutert, als Zwischenschicht 86 aufgebracht werden und dann, wie mit Bezug Figur 16 näher erläutert, strukturiert werden, so dass nachfolgend das Zwischenelement 50 ausgebildet ist.

Figur 26 zeigt einen zweiten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem auf den

Leiterrahmenabschnitt 30 und das Zwischenelement 50 flächig die Kontaktschicht 88 aufgebracht ist, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 17 näher erläutert. Figur 27 zeigt einen dritten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, dem vorausgehend der

Leiterrahmenabschnitt 30 mit der Kontaktschicht 88 und dem Zwischenelement 50 dem beidseitigen Atzprozess unterzogen wird, beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 4 näher

erläutert. Bei dem beidseitigen Atzprozess werden das erste Kontaktelement 42 mit dem ersten Schichtkontakt 82, das zweite Kontaktelement 44 mit dem zweiten Schichtkontakt 84, das Zwischenelement 50 und der Thermokontakt 52 ausgebildet. Alternativ dazu können das erste Kontaktelement 42 mit dem ersten Schichtkontakt 82, das zweite Kontaktelement 44 mit dem zweiten Schichtkontakt 84 und das Zwischenelement 50 mit dem Thermokontakt 52 auch durch eine ein- oder zweiseitige mechanische Bearbeitung ausgebildet werden, beispielsweise falls das Durchführen des Ätzprozesses ungünstig ist. Der Leiterrahmenabschnitt 30 weist im Bereich des Thermokontakts 52, des Zwischenelements 50 und des Aufnahmebereichs 38 eine größere Dicke auf als im Bereich des ersten und/oder zweiten Kontaktelements 42, 44.

Figur 28 zeigt einen vierten Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen eines Bauelementträgers, bei dem der

Leiterrahmenabschnitt 30 in den Formwerkstoff 54 eingebettet ist. Der Formwerkstoff 54 wird beispielsweise wie mit Bezug zu Figur 6 näher erläutert ausgebildet. Der Formwerkstoff 54 weist die Aufnahmeausnehmung 56 auf. Außerdem ist der

Formwerkstoff 54 derart ausgebildet, dass der erste und der zweite Schichtkontakt 82, 84 und der Thermokontakt 52 frei von Formwerkstoff 54 sind. Der Bauelementträger weist auf seiner von dem Aufnahmebereich 38 angewandten Seite eine abgestufte Struktur auf. Insbesondere weist der

Bauelementträger in dem Zwischenabschnitt 36 eine größere Dicke auf als in dem ersten und zweiten Kontaktabschnitt 32, 34. Die Abstufung ist in Figur 28 zur besseren Darstellung übertrieben groß dargestellt. Die Abstufung kann relativ zu den Ausmaßen des Bauelementträgers auch deutlich kleiner ausgestaltet sein. Dies kann beispielsweise erreicht werden, indem die Zwischenschicht 50 möglichst dünn ausgebildet wird. Figur 29 zeigt einen fünften Zustand des

Leiterrahmenabschnitts 30 bzw. des Bauelementträgers während des fünften Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum

Herstellen des Bauelementträgers, bei dem das elektronische Bauelement 60 auf dem Bauelementträger angeordnet und mit dessen Leiterrahmenabschnitt 30 kontaktiert ist. Das fünfte Ausführungsbeispiel des Verfahrens zum Herstellen des Bauelementträgers kann beispielsweise mit nur einem einzigen Ätzprozess durchgeführt werden. Die Erfindung ist nicht auf die angegeben

Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann der Formwerkstoff 54 bei allen Ausführungsbeispielen mittels Transfer-Compression- oder In ection-Molding ausgebildet werden. Grundsätzlich gilt für alle Ausführungsbeispiele, dass eine geringe Dicke des Zwischenelements 50 zu einer guten Wärmelableitung beiträgt. Die geringe Dicke des

Zwischenelements 50 kann beispielsweise durch eine geringe Tiefe der Ausnehmung des Zwischenbereichs 48 oder durch eine geringe Dicke der Zwischenschicht 86 erzielt werden.