Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs eines optoelektronischen Halbleiterchips

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. Die

Druckschrift WO 2010/012267 AI beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs eines optoelektronischen Halbleiterchips.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren

anzugeben, mit dem ein Anschlussbereich eines

optoelektronischen Halbleiterchips hergestellt werden kann, der sich durch eine besonders gute Korrosionsbeständigkeit aus zeichnet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Anschlussbereichs eines optoelektronischen Halbleiterchips wird zunächst ein optoelektronischer

Halbleiterchip bereitgestellt. Der optoelektronische

Halbleiterchip liegt dabei beispielsweise im Waferverbund vor. Das heißt, es kann eine Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips bereitgestellt werden, wobei mittels des Verfahrens für jeden Halbleiterchip des Waferverbunds jeweils zumindest ein Anschlussbereich hergestellt wird.

Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip. Der

optoelektronische Halbleiterchip kann dafür eingerichtet sein, im Betrieb elektromagnetische Strahlung aus dem

Spektralbereich von UV-Strahlung bis Infrarotstrahlung zu erzeugen. Der optoelektronische Halbleiterchip weist dafür einen Halbleiterkörper auf, der zum Beispiel auf einem III-V- Verbindungshalbleitermaterial basiert .

Ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial weist wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe, wie beispielsweise B, AI, Ga, In, und ein Element aus der fünften Hauptgruppe, wie beispielsweise N, P, As, auf. Insbesondere umfasst der

Begriff "III-V-Verbindungshalbleitermaterial" die Gruppe der binären, ternären oder quaternären Verbindungen, die

wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der fünften Hauptgruppe enthalten, beispielsweise Nitrid- und Phosphid-Verbindungshalbleiter . Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem zum Beispiel ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen.

Insbesondere kann der Halbleiterkörper auf einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial basierend sein. "Auf Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial basierend" bedeutet im

vorliegenden Zusammenhang, dass der Halbleiterkörper oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest eine aktive Zone und/oder ein Aufwachssubstratwafer, ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise Al _n Ga _m In _] __ _n _ _m N aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n+m < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (AI, Ga, In, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird an einer Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips eine Saatschicht ausgebildet oder freigelegt. Das heißt, in einem bestimmten, begrenzten Bereich der Außenfläche des

optoelektronischen Halbleiterchips erfolgt das Anbringen oder das Freilegen einer Saatschicht.

Wird die Saatschicht an der Außenfläche des

optoelektronischen Halbleiterchips ausgebildet, so wird beispielsweise Material, das die Saatschicht bildet, an der

Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips auf diesen aufgebracht .

Wird die Saatschicht an einer Außenfläche des

optoelektronischen Halbleiterchips freigelegt, so ist die Saatschicht bereits im optoelektronischen Halbleiterchip vorhanden und durch Entfernen von Material über der

Saatschicht wird die Saatschicht freigelegt, so dass sie an der Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips frei zugänglich ist.

In beiden Fällen, also beim Ausbilden und beim Freilegen der Saatschicht, ist die Saatschicht nach dem Ausbilden oder Freilegen an der Außenfläche des optoelektronischen

Halbleiterchips frei zugänglich. Die Saatschicht dient dann als Startschicht zum Ausbilden des Anschlussbereichs an der Saatschicht .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Anschlussbereichs eines optoelektronischen Halbleiterchips erfolgt nach dem Ausbilden oder Freilegen der Saatschicht ein stromloses Abscheiden einer

Kontaktschichtenfolge auf der Saatschicht. Die Kontaktschichtenfolge umfasst wenigstens zwei Schichten, die mit voneinander unterschiedlichen Materialien, insbesondere mit voneinander unterschiedlichen Metallen gebildet sind. Die Kontaktschichtenfolge wird zumindest zum Teil stromlos abgeschieden. Das heißt, zumindest eine Schicht der

Kontaktschichtenfolge, insbesondere alle Schichten der

Kontaktschichtenfolge, werden durch stromloses Abscheiden auf die Saatschicht aufgebracht. Das Abscheiden der

Kontaktschichtenfolge erfolgt stromlos, das heißt ohne

Anlegen eines Außenstroms. Reduktionsmittel und

Oxidationsmittel liegen dabei in einer Lösung vor, so dass das Abscheiden durch eine Redox-Reaktion unterschiedlich edler Metalle erfolgt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Saatschicht mit einem Metall gebildet, welches das stromlose Abscheiden von Nickel auf der Saatschicht ermöglicht. Das heißt, die Saatschicht ermöglicht insbesondere eine

autokatalytische Abscheidung von Nickel. Die Saatschicht bietet dabei gute Starteigenschaften für die autokatalytische NickelabScheidung .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Kontaktschichtenfolge als erste, der Saatschicht

zugewandte Schicht, eine Nickelschicht. Das heißt, die

Kontaktschichtenfolge umfasst wenigstens eine Nickelschicht, die Nickelschicht grenzt direkt an die Saatschicht und wird beispielsweise durch ein autokatalytisches Abscheideverfahren auf die Saatschicht aufgebracht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Kontaktschichtenfolge an ihrer der Saatschicht

abgewandten Seite eine Kontaktfläche auf, über die der optoelektronische Halbleiterchip elektrisch kontaktierbar ist. Das heißt, die Kontaktschichtenfolge wird an ihrer der Saatschicht abgewandten Seite von einer Kontaktfläche

abgeschlossen, an der ein elektrischer Kontakt zum

Halbleiterchip hergestellt werden kann. Über die

Kontaktfläche kann elektrischer Strom durch die

Kontaktschichtenfolge hindurch in den optoelektronischen Halbleiterchip eingeprägt werden und dort beispielsweise die Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung anregen.

Der Anschlussbereich des optoelektronischen Halbleiterchips ist durch die Saatschicht, die Kontaktschichtenfolge und die Kontaktschichtenfolge abschließende Kontaktfläche gebildet. Die Kontaktfläche ist dabei durch eine Außenfläche der äußersten Schicht der Kontaktschichtenfolge gebildet, die der Saatschicht abgewandt liegt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Anschlussbereichs eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst das Verfahren die folgenden Schritte:

Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips,

Ausbilden oder Freilegen einer Saatschicht an einer Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips, und

stromloses Abscheiden einer Kontaktschichtenfolge auf der Saatschicht, wobei

die Saatschicht mit einem Metall gebildet ist, welches das stromlose Abscheiden von Nickel auf der Saatschicht ermöglicht,

die Kontaktschichtenfolge als erste, der Saatschicht zugewandte Schicht eine Nickelschicht umfasst, und

die Kontaktschichtenfolge an ihrer der Saatschicht abgewandten Seite eine Kontaktfläche aufweist, über die der optoelektronische Halbleiterchip elektrisch kontaktierbar ist .

Dem hier beschriebenen Verfahren liegen dabei unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde: Für die elektrische

Kontaktierung von optoelektronischen Halbleiterchips erweist es sich als vorteilhaft, metallische Kontaktflächen zu verwenden. Beispielsweise auf einer Strahlungsemissionsseite des optoelektronischen Halbleiterchips werden dazu

Anschlussbereiche (englisch: Pads) ausgebildet, die lokal stark begrenzt sind, da die Emissionsfläche des

Halbleiterchips möglichst groß im Vergleich zur

Anschlussfläche sein soll, damit möglichst viel

elektromagnetische Strahlung den optoelektronischen

Halbleiterchip verlassen kann. An diese Anschlussbereiche werden hohe Ansprüche hinsichtlich ihrer Haftung an den optoelektronischen Halbleiterchip, ihrer Alterungsstabilität, ihrer Verbindbarkeit sowie ihres Übergangswiderstands

gestellt. Aufgrund der vorteilhaften hohen

Alterungsstabilität werden besonders bevorzugt Edelmetalle wie Gold oder Platin zur Bildung der Anschlussbereiche eingesetzt. Diese teuren Materialien können oft aber nur teilweise genutzt werden, da der Anschlussbereich zunächst großflächig ausgebildet wird, zum Beispiel durch Sputtern oder Dampfen, und anschließend durch einen

Strukturierungsschritt zumindest zum Teil wieder entfernt wird. Dadurch entstehen hohe Kosten.

Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist es möglich, den Anschlussbereich durch stromloses Abscheiden gezielt nur dort am optoelektronischen Halbleiterchip auszubilden, wo er im fertiggestellten optoelektronischen Halbleiterchip verbleibt. Dadurch ist es möglich, die Materialkosten zu senken. Bei dem hier beschriebenen Verfahren kommt zur Bildung des Anschlussbereichs ein stromloses Abscheideverfahren zur Verwendung. Ein Anschlussbereich, der mit diesem Verfahren hergestellt ist, zeichnet sich durch seine gute

Korrosionsbeständigkeit aus. Ferner zeichnet sich ein

Anschlussbereich, der durch das stromlose Abscheideverfahren hergestellt ist, durch eine hohe Schichtkonformität der Schichten der Kontaktschichtenfolge und eine hohe

Schichtqualität dieser Schichten aus. Beim stromlosen

Abscheideverfahren liegen die Reduktionsmittel und die

Oxidationsmittel im Beschichtungsbad in Lösung vor.

Beim hier beschriebenen Verfahren findet eine Saatschicht Verwendung, welche das stromlose Abscheiden von Nickel ermöglicht .

Mit dem hier beschriebenen Verfahren kann der

Anschlussbereich direkt auf den Halbleiterkörper aufgebracht werden. Darüber hinaus ist es möglich, dass der

Anschlussbereich lateral beabstandet zum Halbleiterkörper angeordnet wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Saatschicht mit einem der folgenden Metalle gebildet oder besteht aus einem der folgenden Metalle: Nickel, Rhodium, Palladium, Kobalt, Eisen, Gold. Insbesondere Nickel und

Palladium eignen sich dabei besonders gut, um das stromlose Abscheiden einer Nickelschicht auf der Saatschicht zu

ermöglichen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Kontaktschichtenfolge durch die folgende Abfolge von Metallen gebildet oder besteht aus der folgenden Abfolge von Metallen: Nickel, Palladium, Gold. Das heißt, die Kontaktschichtenfolge umfasst beispielsweise eine Nickelschicht, eine

Palladiumschicht und eine Goldschicht. Die Nickelschicht ist dabei diejenige Schicht, welche der Saatschicht direkt nachfolgt und welche direkt an die Saatschicht grenzt. Die Palladiumschicht kann unmittelbar auf die Nickelschicht aufgebracht sein und an der der Saatschicht abgewandten Seite der Nickelschicht direkt an die Nickelschicht grenzen. Die Goldschicht wiederum kann direkt auf die Palladiumschicht aufgebracht sein und an der der Nickelschicht abgewandten Seite der Palladiumschicht direkt an die Palladiumschicht grenzen. Die der Palladiumschicht abgewandte Außenfläche der Goldschicht bildet dann die Kontaktfläche des

Anschlussbereichs aus.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Kontaktfläche drahtkontaktierbar ausgebildet. Das heißt, die Kontaktfläche kann durch einen Drahtkontaktierungsprozess , also beispielsweise durch Wirebonding, kontaktiert werden. Der Draht kann dabei mit Gold oder Aluminium gebildet sein. Eine Kontaktfläche, die durch die Außenfläche einer

Goldschicht gebildet ist, eignet sich besonders gut zur

Drahtkontaktierung . Ferner ist es möglich, dass die

Kontaktfläche auch zur Kontaktierung durch Löten und Kleben geeignet ist. Auch hierfür eignet sich eine Kontaktfläche, die durch die Außenfläche einer Goldschicht gebildet ist, besonders gut. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Saatschicht durch eines der folgenden Materialien an der Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips auf den optoelektronischen Halbleiterchip aufgebracht: Dampfen, Sputtern, stromloses Abscheiden, elektrochemisches Abscheiden. Das heißt, für den Fall, dass die Saatschicht an der Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips ausgebildet wird, die Saatschicht also nicht freigelegt wird, findet zum Beispiel eine der genannten Herstellungsmethoden zur Bildung der Saatschicht Verwendung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Aufbringen der Saatschicht eine Passivierungsschicht an der Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips unter Verwendung einer Maskenschicht stellenweise entfernt und das Abscheiden der Saatschicht erfolgt unter Verwendung derselben Maskenschicht. Die Maskenschicht wird beispielsweise auf die Passivierungsschicht aufgebracht. Zum Beispiel mittels eines lithographischen Verfahrens kann in der Maskenschicht ein Fenster erzeugt werden, durch das hindurch die unter der Maskenschicht liegende Passivierungsschicht im Bereich des Fensters selektiv entfernt wird. Es liegt dann eine Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips frei, über die der optoelektronische Halbleiterchip elektrisch kontaktiert werden kann. An dieser freiliegenden Außenfläche des

optoelektronischen Halbleiterchips kann dann unter der

Verwendung der gleichen Maske, mit der die

Passivierungsschicht erzeugt wurde, ein Abscheiden der

Saatschicht zum Beispiel im Fenster der Maskenschicht

erfolgen. Dieses Abscheiden kann dann durch Dampfen,

Sputtern, stromloses Abscheiden oder elektrochemisches

Abscheiden erfolgen. Zusätzlich ist es möglich, dass auch die nachfolgenden

Schichten der Kontaktschichtenfolge, die durch stromloses Abscheiden aufgebracht werden können, unter Verwendung der bereits vorhandenen Maskenschicht aufgebracht werden. Die Maskenschicht kann schließlich entfernt werden oder als zusätzliches Passivierungsmaterial im optoelektronischen Halbleiterchip verbleiben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Saatschicht im optoelektronischen Halbleiterchip vorhanden und die Saatschicht wird durch stellenweises Entfernen von über der Saatschicht angeordnetem Material freigelegt.

Beispielsweise ist über der Saatschicht eine elektrisch isolierende Passivierungsschicht an der Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips vorhanden. Wiederum mit Hilfe einer Maskentechnik, bei der die Maskenschicht

beispielsweise lithographisch strukturiert wird, erfolgt ein selektives Entfernen der Passivierungsschicht, so dass die Saatschicht für das stromlose Abscheiden der

Kontaktierungsschichtenfolge freigelegt wird. Das Freilegen der Saatschicht kann jedoch auch durch alternative Verfahren, wie beispielsweise durch Laserablation ohne Verwendung einer Maskenschicht erfolgen.

Bei einer Saatschicht, die bereits im optoelektronischen Halbleiterchip vorhanden ist, ist es möglich, dass sich die Saatschicht unterhalb eines Halbleiterkörpers des

optoelektronischen Halbleiterchips erstreckt, wobei der

Halbleiterkörper einen aktiven Bereich umfasst. Im aktiven

Bereich wird beispielsweise im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips elektromagnetische Strahlung erzeugt. Die Saatschicht ist in den Schichtenstapel des optoelektronischen Halbleiterchips integriert und kann sich unterhalb des

Halbleiterkörpers, beispielsweise an einer dem

Halbleiterkörper abgewandten Unterseite einer Spiegelschicht, erstrecken. Eine Saatschicht, die auf diese Weise in den optoelektronischen Halbleiterchip integriert ist, kann dort neben ihrer Funktion als Saatschicht zur Ausbildung der

Kontaktschichtenfolge weitere Funktionen wie beispielsweise die Funktion einer haftvermittelnden Schicht, einer

Diffusionsbarriere oder einer stromleitenden Schicht

wahrnehmen. Auf diese Weise kann die Saatschicht für

zumindest zwei Funktionen im optoelektronischen

Halbleiterchip genutzt werden.

Insbesondere ist es möglich, dass es sich bei der Saatschicht um eine elektrisch leitende Schicht handelt, die Teil einer Stromaufweitungsschicht des optoelektronischen

Halbleiterchips sein kann. Bevorzugt ist die Saatschicht gegenüber Verfahren, mit denen der Halbleiterkörper des optoelektronischen Halbleiterchips strukturiert wird,

beständig. Beispielsweise erfolgt zur Strukturierung des

Halbleiterkörpers des optoelektronischen Halbleiterchips ein Mesa-Ätzen mit heißer Säure, die eine Temperatur von größer 100 °C aufweist. Insbesondere kann Phosphorsäure, die eine Temperatur von größer 160 °C, beispielsweise 170 °C aufweist, zum Einsatz kommen. Die Saatschicht ist dabei gegenüber diesem Strukturierungsverfahren beständig. Insbesondere eine Saatschicht, die mit Palladium gebildet ist, weist diese Ätz- Beständigkeit auf. Mit einer solchen Saatschicht ist es möglich, den Halbleiterkörper vollständig nasschemisch zu strukturieren.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der optoelektronische Halbleiterchip eine

Stromaufweitungsschicht auf, die sich unterhalb des

Halbleiterkörpers erstreckt. Beispielsweise verläuft die Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden mit einem p- leitenden Halbleiterbereich unterhalb des p-leitenden

Halbleiterbereichs des Halbleiterkörpers. Die Stromaufweitungsschicht ist dabei vorzugsweise mit der Saatschicht und damit mit dem durch das hier beschriebene Verfahren hergestellten Anschlussbereich elektrisch leitend verbunden, so dass durch eine Kontaktierung des

optoelektronischen Halbleiterchips am Anschlussbereich über die Stromaufweitungsschicht eine Kontaktierung des

optoelektronischen Halbleiterchips erfolgen kann. Dabei ist es insbesondere möglich, dass die Saatschicht Teil eines Schichtenstapels der Stromaufweitungsschicht ist. Die Stromaufweitungsschicht ist dann in diesem Fall aus zumindest zwei Schichten gebildet, von denen die Saatschicht an der dem Halbleiterkörper zugewandten Seite der

Stromaufweitungsschicht ausgebildet ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Saatschicht an ihrer dem Halbleiterkörper zugewandten Seite von einer Barriereschicht bedeckt. In diesem Fall ist die Saatschicht nicht an einer Außenfläche der

Stromaufweitungsschicht ausgebildet, sondern sie bildet eine der inneren Schichten der Stromaufweitungsschicht aus. Die Barriereschicht kann dabei unerwünschte Diffusionsvorgänge zwischen der Spiegelschicht und der Stromaufweitungsschicht verhindern. Das heißt, die Barriereschicht übernimmt die

Funktion einer Diffusionsbarriere zwischen der Spiegelschicht und zumindest Teilen der Stromaufweitungsschicht . Die

Spiegelschicht kann dann beispielsweise mit einem zur

Migration neigenden Material wie Silber ausgebildet werden. Das heißt, die Schichtabfolge unter dem Halbleiterkörper des optoelektronischen Halbleiterchips kann dann vom

Halbleiterkörper aus gesehen wie folgt sein: Halbleiterkörper, Spiegelschicht, Barriereschicht, Saatschicht, weitere Schichten der Stromaufweitungsschicht .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Stromaufweitungsschicht an der Außenfläche des

optoelektronischen Halbleiterchips freigelegt und die

Saatschicht wird auf den freigelegten Bereich der

Stromaufweitungsschicht aufgebracht. Beispielsweise kann der freigelegte Bereich der Stromaufweitungsschicht dann durch die Barriereschicht gebildet sein. In diesem Fall verläuft die Saatschicht nicht unterhalb des Halbleiterkörpers, sondern wird lediglich selektiv von außen erzeugt. Die

Saatschicht kann dabei beispielsweise auf die

Barriereschicht, die zwischen Spiegelschicht und den

verbleibenden Schichten der Stromaufweitungsschicht

angeordnet ist, aufgebracht werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine Durchkontaktierung, die sich durch den aktiven Bereich des Halbleiterkörpers erstreckt, und ein Verbindungsmittel mit einem

Halbleiterbereich des Halbleiterkörpers elektrisch leitend verbunden ist. Die Durchkontaktierung erstreckt sich dann durch die

Stromaufweitungsschicht , die Spiegelschicht, den p-leitenden Bereich und den aktiven Bereich des Halbleiterkörpers in den n-leitenden Bereich des Halbleiterkörpers hinein. Das

Verbindungsmittel, das zum Beispiel mit einem Lotmaterial gebildet ist, ist über die Durchkontaktierung mit dem n- leitenden Halbleiterbereich elektrisch leitend verbunden und dient zur Bestromung des Halbleiterkörpers von seiner n- leitenden Seite her. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Saatschicht Teil des Schichtenstapels der

Stromaufweitungsschicht des optoelektronischen

Halbleiterchips. Die Stromaufweitungsschicht und damit auch die Saatschicht erstrecken sich unterhalb des

Halbleiterkörpers des optoelektronischen Halbleiterchips und können beispielsweise seitlich des Halbleiterkörpers

freigelegt werden. Beispielsweise erstreckt sich die

Stromaufweitungsschicht über zumindest 90% der

Querschnittsfläche oder über die gesamte Querschnittsfläche des Halbleiterchips. Die Stromaufweitungsschicht kann dabei eine dem Halbleiterkörper zugewandte Barriereschicht, die Saatschicht, eine stromtragende Schicht und eine

Haftvermittlungsschicht umfassen. Die Haftvermittlungsschicht ist dem Halbleiterkörper des Halbleiterchips dann

stellenweise abgewandt. Die Barriereschicht, die auf die Saatschicht aufgebracht ist, zeichnet sich durch eine gute Haftung zu dielektrischen Schichten aus und kann

beispielsweise zum Metall, mit dem die Saatschicht gebildet ist, selektiv nasschemisch geätzt werden.

Vor der Herstellung des Anschlussbereichs wird die

Saatschicht freigelegt, wobei die Barriereschicht entfernt werden kann. Ist die Barriereschicht mit einem beispielsweise zur Oxidation neigenden Metall gebildet, so wird die

Barriereschicht vorzugsweise zeitnah vor dem Abscheiden der Kontaktschichtenfolge geöffnet. Auf diese Weise kann die Barriereschicht die Verwendung billigerer, zur Oxidation neigender Metalle für die Saatschicht ermöglichen.

Beispielsweise kann für die Saatschicht dann Nickel anstelle des teuren Palladiums Verwendung finden. Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert . Die Figuren 1, 2 und 3 zeigen mittels eines hier

beschriebenen Verfahrens hergestellte optoelektronische

Halbleiterchips in schematischen Schnittdarstellungen.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren

dargestellten Elemente untereinander sind nicht als

maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere

Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.

Die Figur 1 zeigt einen optoelektronischen Halbleiterchip 100, an dessen Außenfläche 100a sich ein Anschlussbereich 70 befindet, der mit einem hier beschriebenen Verfahren

hergestellt ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 ist beispielsweise ein Leuchtdiodenchip. Der Halbleiterchip 100 umfasst einen Halbleiterkörper 1. Der Halbleiterkörper 1 basiert beispielsweise auf einem Nitrid-basierten

Verbindungshalbleitermaterial .

Der Halbleiterkörper 1 umfasst einen n-leitenden

Halbleiterbereich 11, einen aktiven Bereich 12 und einen p- leitenden Halbleiterbereich 13. Im aktiven Bereich 12 wird im Betrieb des Halbleiterchips 100 elektromagnetische Strahlung beispielsweise aus dem Spektralbereich von sichtbarem Licht erzeugt . Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst ferner eine Spiegelschicht 2. Die Spiegelschicht 2 ist mit einem gut leitenden und reflektierenden Metall wie beispielsweise

Silber gebildet. Die Spiegelschicht 2 steht in elektrisch leitendem Kontakt zum p-leitenden Halbleiterbereich 13.

Der Halbleiterchip 100 umfasst weiter eine

Stromaufweitungsschicht 3. Die StromaufWeitungsschicht 3 ist an der dem Halbleiterkörper 1 abgewandten Unterseite der Spiegelschicht 2 angeordnet und erstreckt sich in lateraler Richtung in einem Bereich, in dem der Halbleiterkörper 1 beispielsweise durch eine Mesa-Ätzung entfernt ist. Die laterale Richtung ist dabei eine Richtung, die zur

Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers senkrecht verläuft.

Der Halbleiterchip 100 umfasst weiter eine

Passivierungsschicht 4, welche die Stromaufweitungsschicht 3 von einem Verbindungsmittel 8, bei dem es sich beispielsweise um ein Lotmaterial handeln kann, elektrisch isoliert. Das Verbindungsmittel 8 ist über eine Durchkontaktierung 5, die mit dem gleichen Material wie das Verbindungsmittel 8 gebildet sein kann, elektrisch leitend mit dem n-leitenden Halbleiterbereich 11 verbunden. Die Durchkontaktierung 5 ist dabei seitlich durch die Passivierungsschicht 4 von der Stromaufweitungsschicht 3, der Spiegelschicht 2, dem p- leitenden Halbleiterbereich 13 und dem aktiven Bereich 12 elektrisch isoliert. Die Durchkontaktierung 5 erstreckt sich durch den aktiven Bereich 12 hindurch bis zum n-leitenden Halbleiterbereich .

Der Halbleiterchip 100 umfasst weiter einen Träger 9, der über das Verbindungsmittel 8 mit den übrigen Komponenten des Halbleiterchips verbunden ist. Eine Kontaktierung des Halbleiterchips 100 kann n-seitig beispielsweise über den Träger 9 erfolgen, der in diesem Fall elektrisch leitend ausgebildet ist. Eine elektrisch isolierende Passivierungsschicht 4 erstreckt sich auch entlang der Flanken und der dem Träger 9

abgewandten Oberseite des Halbleiterkörpers 1, die vorliegend eine Aufrauung aufweist. In einem Randbereich des Halbleiterchips lateral beabstandet zum Halbleiterkörper 100 ist die Passivierungsschicht 4 stellenweise entfernt. Beispielsweise kann die

Passivierungsschicht 4, die mit einem dielektrischen Material wie beispielsweise SiN oder S1O2 gebildet ist, mittels einer nicht dargestellten Maskenschicht geöffnet werden. In der Öffnung ist an der Außenfläche 100a die

Stromaufweitungsschicht 3 freigelegt. Auf die

Stromaufweitungsschicht 3 wird eine Saatschicht 6

beispielsweise durch Sputtern abgeschieden. Die Saatschicht 6 ist beispielsweise mit Palladium gebildet und weist eine

Dicke von wenigstens 20 nm und höchstens 100 nm auf. Auf die Saatschicht 6 wird durch stromloses Abscheiden die

Kontaktschichtenfolge 7 aufgebracht, die vorliegend eine Nitridschicht 71, eine Palladiumschicht 72 und eine

Goldschicht 73 umfasst. An der der Saatschicht 6 abgewandten Seite der Kontaktschichtenfolge 7 weist die

Kontaktschichtenfolge 7 die Kontaktfläche 7a auf, die durch eine Außenfläche der Goldschicht 73 gebildet ist. Die

Kontaktfläche 7a ist zur Drahtkontaktierung des

optoelektronischen Halbleiterchips geeignet. Die Saatschicht 6 und die Kontaktschichtenfolge 7 mit der Kontaktfläche 7a bilden den Anschlussbereich 70 aus, der mittels eines hier beschriebenen Verfahrens hergestellt ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 ist mittels zwei separater lithographischer Masken zur Strukturierung der Spiegelschicht 2 und der Stromaufweitungsschicht 3 gefertigt. Die Saatschicht 6 wird nach dem Öffnen der dielektrischen Passivierungsschicht 4 deponiert und besteht vorliegend aus einer dünnen Palladiumschicht.

Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 1 zeigt die Figur 2 einen optoelektronischen Halbleiterchip 100, bei dem der Anschlussbereich 70 mittels eines hier beschriebenen Verfahrens hergestellt ist, wobei sich die Saatschicht 6 bereits im Halbleiterchip 100 befindet und vor dem Aufbringen der Kontaktschichtenfolge 7 freigelegt wird. Auch der

optoelektronische Halbleiterchip 100 der Figur 2 ist mit zwei separaten lithographischen Masken zur Strukturierung der Spiegelschicht 2 und der Stromaufweitungsschicht 3 gefertigt. Die Saatschicht 6 ist Teil der Stromaufweitungsschicht .

Beispielsweise umfasst die Stromaufweitungsschicht eine

Haftvermittlungsschicht 31, die an die Passivierungsschicht 4 grenzt und eine Haftung zur Passivierungsschicht 4

vermittelt. Die Haftvermittlungsschicht 31 kann

beispielsweise mit einem der folgenden Materialien gebildet sein: Titan, Chrom, Aluminium, ZnO, ITO oder anderen TCO (Transparent Conductive Oxide) Materialien. Die Stromaufweitungsschicht 3 umfasst weiter die

stromtragende Schicht 32, über die die eigentliche

Stromleitung in der Stromaufweitungsschicht 3 erfolgt. Die stromtragende Schicht 32 kann beispielsweise mit einem der folgenden Materialien gebildet sein: Gold, Aluminium, Kupfer.

Der stromtragenden Schicht 32 folgt die Saatschicht 6 nach, die beispielsweise mit Palladium, Nickel, Eisen, Rhodium, Kobalt oder Gold gebildet sein kann.

Auf die Saatschicht 6 ist die Barriereschicht 33 aufgebracht, die beispielsweise mit TiWN gebildet ist. Eine solche

Barriereschicht 33 weist eine gute Haftung zu dielektrischen Schichten auf und kann beispielsweise zu Palladium selektiv nasschemisch geätzt werden. Zudem ist eine Barriereschicht mit TiWN gegen heiße Phosphorsäure beständig, so dass sie bei einer Mesa-Ätzung zur Strukturierung des Halbleiterkörpers 1 nicht angegriffen wird. Die Barriereschicht 33 bildet eine Diffusionsbarriere zwischen der Spiegelschicht 2 und den verbleibenden Schichten der StromaufWeitungsschicht 3 aus.

Kommt anstelle von Palladium Nickel zur Ausbildung der

Saatschicht 6 zum Einsatz, so kann die Ausbildung einer

Nickeloxidschicht, die einen autokatalytischen

Nickelabscheideprozess verhindern würde, durch zeitnahes Öffnen der Barriereschicht 33 über der Saatschicht und dem Starten des stromlosen Abscheideprozesses ausreichend

unterdrückt werden. Dies ermöglicht, für die Saatschicht 6 anstelle des relativ teuren Palladiums das billigere Nickel zu verwenden.

Eine beispielhafte Schichtenfolge für die

Stromaufweitungsschicht 3 ist TiWN als Barriereschicht 33,

Palladium oder Nickel als Saatschicht 6, Gold zur Bildung der stromtragenden Schicht 32 und Titan zur Bildung der

Haftvermittlungsschicht 31. Der Schichtenstapel zur Bildung der StromaufWeitungsschicht 3, wie er in Verbindung mit der Figur 2 beschrieben ist, kann auch beim Ausführungsbeispiel der Figur 1 Verwendung finden, wobei die Saatschicht 6 dann nicht im Schichtenstapel der Stromaufweitungsschicht 3 angeordnet ist und der

stromtragenden Schicht 32 an ihrer der

Haftvermittlungsschicht 31 abgewandten Seite die

Barriereschicht 33 direkt nachfolgt. Die Barriereschicht kann in diesem Fall durch einen geeigneten chemischen Prozess Palladium-aktiviert werden.

In Verbindung mit der Figur 3 ist ein weiteres

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterchips näher erläutert. Im

Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 2 sind die Spiegelschicht 2 und die Stromaufweitungsschicht 3 bei diesem Ausführungsbeispiel über eine einzige lithographische Maske gemeinsam strukturiert. Die Spiegelschicht 2, die

beispielsweise mit korrosionsanfälligem Silber gebildet ist, wird erst nachträglich zum Beispiel durch einen

nasschemischen Ätzschritt hinter die Mesakante, also die seitliche Begrenzungsfläche des Halbleiterkörpers 1 gezogen. Die seitliche Kapselung des Silberspiegels erfolgt mit der Passivierungsschicht 4 von dem n-leitenden Halbleiterbereich 11 des Halbleiterchips 100 her. Die Stromaufweitungsschicht 3 mit der Saatschicht 6 kann wie in Verbindung mit der Figur 2 beschrieben ausgebildet sein. Zur Ausbildung des Anschlussbereichs 70 werden die

Passivierungsschicht 4 sowie die Barriereschicht 33 über der Saatschicht 6 entfernt. Dabei erweist sich eine

Barriereschicht 33, die mit TiWN gebildet ist, als besonders vorteilhaft, da sie selektiv zu einer Saatschicht 6, die beispielsweise mit Palladium gebildet ist, nasschemisch geätzt werden kann. Ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs 70, wie es hier beschrieben ist, kann natürlich auch für andere optoelektronische Halbleiterchips Verwendung finden, bei denen der Anschlussbereich 70 beispielsweise direkt auf dem Halbleiterkörper 1 aufgebracht wird.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102012111245.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der

Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.