COMPRENANT UN VIA S'ETENDANT AU TRAVERS D'UN SUBSTRAT

DOMAINE DE L'INVENTION

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une interconnexion comprenant un via s'étendant au travers d'un substrat.

ARRIERE PLAN DE L'INVENTION

Pour la réalisation de circuits intégrés, il est connu de fabriquer, au sein d'un substrat, par exemple de silicium, destiné à être connecté électriquement par ses deux faces principales à des composants électroniques, des vias traversants (TSV, acronyme du terme anglo-saxon « Through Silicon Via »).

La fabrication d'une telle interconnexion comprend typiquement :

- la formation d'un trou (en général non débouchant) dans l'épaisseur du substrat,

- le dépôt d'une couche de nitrure de titane ou de tantale sur la surface principale du substrat et sur la surface intérieure du trou,

- le dépôt d'une couche de cuivre sur la couche de nitrure de titane de sorte à amorcer l'étape suivante,

- le remplissage en cuivre du trou,

- l'enlèvement d'une partie du substrat opposée à la face principale sur laquelle les couches de nitrure de titane ou de tantale et de cuivre ont été déposées, jusqu'à exposer l'intérieur du trou, rendant ainsi le via traversant.

La couche de nitrure de titane ou de tantale a une fonction de barrière destinée à éviter la diffusion du cuivre dans le substrat.

Pour permettre une bonne conduction électrique par le via, les couches déposées doivent être conformes et de bonne qualité. Par « couche conforme » on entend une couche dont l'épaisseur mesurée dans une direction perpendiculaire à une surface sur laquelle elle est déposée est constante. En d'autres termes, la surface de ladite couche est parallèle à la surface sur laquelle elle est déposée.

Une conformité parfaite peut être obtenue au moyen d'un dépôt successif de monocouches atomiques par la technique ALD (acronyme du terme anglo-saxon « Atomic Layer Déposition ») mais ce dépôt est relativement lent, de sorte que le dépôt d'une couche de 100 à 200 nm d'épaisseur nécessite plusieurs heures et est donc particulièrement onéreux.

Le dépôt physique en phase vapeur (« PVD », acronyme du terme anglo-saxon « Physical Vapor Déposition ») est plus rapide et donc moins onéreux, mais procure une moins bonne conformité. Or, dans le cas des trous présentant un fort facteur de forme (rapport profondeur / largeur), c'est-à-dire un facteur de forme supérieur ou égal à 5 : 1 , voire supérieur ou égal à 10 : 1 , une faible conformité du dépôt impose de déposer une forte épaisseur de matériau sur la surface principale du substrat pour parvenir à obtenir une épaisseur suffisante dans le fond du trou. Au moins une partie de cette surépaisseur de matériau doit ensuite être retirée de la surface par polissage mécano-chimique (CMP, acronyme du terme anglo-saxon « Chemical Mechanical Polishing »), ce qui augmente le coût et la durée de l'étape et pose des problèmes de contamination de la surface polie, nécessitant un nettoyage ultérieur.

Enfin, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD, acronyme du terme anglo-saxon

« Chemical Vapor Déposition ») procure une meilleure conformité que le procédé PVD mais il présente l'inconvénient d'introduire des contaminants (notamment du carbone) qui diminuent la qualité de la couche formée.

Or, la fabrication des vias nécessite le dépôt de couches de bonne qualité, c'est-à- dire notamment dépourvues d'impuretés, afin de minimiser l'apparition d'un phénomène d'électromigration du cuivre qui endommage le via au fil du temps.

BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION

Un but de l'invention est de concevoir un procédé de fabrication d'une interconnexion comprenant un via s'étendant au travers d'un substrat qui permette d'éviter les problèmes susmentionnés et qui permette en particulier d'améliorer la conformité des couches déposées et d'éviter le dépôt d'une surépaisseur de matériau à retirer ensuite de la surface principale du substrat. Un autre but de l'invention est également de procurer des interconnexions dont la fiabilité au cours du temps est accrue.

Conformément à l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'une interconnexion comprenant un via s'étendant au travers d'un substrat, comprenant successivement :

(a) le dépôt d'une couche de nitrure de titane ou de nitrure de tantale sur une surface principale du substrat et sur la surface intérieure d'au moins un trou s'étendant dans au moins une partie de l'épaisseur dudit substrat,

(b) le dépôt d'une couche cuivre sur ladite couche de nitrure de titane ou de nitrure de tantale,

(c) le remplissage du trou par du cuivre,

ledit procédé étant caractérisé en ce que pendant l'étape (a) le substrat est agencé dans une première chambre de dépôt et en ce que ladite étape (a) comprend l'injection d'un précurseur de titane ou de tantale en phase gazeuse dans la chambre de dépôt par une première voie d'injection selon une première séquence d'impulsions et l'injection d'un gaz réactif à base d'azote dans la chambre de dépôt par une seconde voie d'injection distincte de la première voie d'injection selon une seconde séquence d'impulsions, la première séquence d'impulsions et la seconde séquence d'impulsions étant déphasées.

De par sa mise en œuvre séquentielle et impulsionnelle, le dépôt de la couche de nitrure de titane ou de tantale permet une réaction chimique plus rapide mais aussi une meilleure conformité que le procédé CVD conventionnel. Par ailleurs, il favorise la réaction sur la surface du substrat et limite ainsi toute contamination de ladite surface due à des réactions parasites.

Par « largeur », on entend la plus petite dimension du trou dans le plan formé par la surface principale du substrat. Dans le présent texte, le terme « trou » désigne une ouverture de forme quelconque pratiquée dans une surface principale du substrat, et inclut par exemple une tranchée présentant une longueur supérieure à sa largeur, ou encore mais de manière non limitative un orifice circulaire (dans ce dernier cas, la largeur correspond au diamètre du trou).

Selon d'autres caractéristiques avantageuses dudit procédé, prises isolément ou en combinaison :

- l'étape (c) de remplissage du trou est mise en œuvre par électrodéposition de cuivre ;

- le remplissage du trou est réalisé en poursuivant le dépôt de cuivre réalisé à l'étape (b) ;

- l'épaisseur de la couche de nitrure de titane ou de nitrure de tantale déposée à l'étape (a) est inférieure ou égale à 100 nm ;

- l'épaisseur de la couche de cuivre déposée à l'étape (b) est comprise entre 50 et 300 nm ;

- le dépôt de la couche de cuivre à l'étape (b) est réalisé dans une seconde chambre de dépôt différente de la première chambre ;

- l'étape (b) est mise en œuvre par dépôt chimique en phase vapeur ;

- la première et la seconde chambre de dépôt sont connectées séparément de manière étanche à une chambre intermédiaire et entre les étapes (a) et (b), le substrat est transféré de la première chambre à la seconde chambre par la chambre intermédiaire sous vide d'air ;

- le via présente un facteur de forme supérieur ou égal à 5 : 1 ;

- le procédé comprend, après le remplissage du trou, l'enlèvement d'au moins une partie de l'épaisseur du substrat opposée à la surface principale sur laquelle la couche de nitrure de titane ou de nitrure de tantale et la couche de cuivre ont été déposées de sorte à exposer l'intérieur du via de sorte à rendre ledit via traversant ;

- après l'étape (a), le procédé comprend un nettoyage de la chambre dans laquelle la couche de nitrure de titane ou de nitrure de tantale a été déposée pour éliminer ledit nitrure de titane ou nitrure de tantale déposé sur une paroi intérieure de ladite chambre, ledit nettoyage étant effectué avec un gaz réactif composé de fluor et activé par une source plasma ;

- après l'étape (b), le procédé comprend un nettoyage de la chambre dans laquelle la couche de cuivre a été déposée pour éliminer ledit cuivre déposé sur une paroi intérieure de ladite chambre, ledit nettoyage comprenant les étapes suivantes :

(i) oxydation du cuivre ;

(ii) injection, selon une séquence d'impulsions, d'espèces chimiques adaptées pour volatiliser ledit cuivre oxydé, ladite étape (ii) débutant après le début de l'étape (i).

Un autre objet concerne un dispositif pour la mise en œuvre du procédé susmentionné. Ledit dispositif est caractérisé en ce qu'il comprend :

- une première chambre de dépôt étanche connectée à une source d'un précurseur de titane ou de tantale par une première voie d'injection et à une source d'un gaz réactif à base d'azote par une seconde voie d'injection distincte de la première voie,

- une seconde chambre de dépôt étanche connectée à une source de cuivre et

- une chambre intermédiaire à laquelle sont connectées séparément de manière étanche la première et la seconde chambre de dépôt.

BREVE DESCRIPTION DES DESSINS

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels :

les figures 1A à 1 E illustrent différentes étapes du procédé selon un mode de réalisation de l'invention,

la figure 2 est un schéma de principe d'un dispositif pour la mise en œuvre du procédé.

Pour des raisons de lisibilité des figures, celles-ci ne sont pas nécessairement réalisées à l'échelle.

DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION

Les figures 1A à 1 E illustrent des étapes successives de la formation d'une interconnexion.

En référence à la figure 1A, on fournit un substrat 1 dans lequel au moins un trou 10 a été formé à partir d'une surface principale 1A du substrat. Le substrat peut être tout substrat adapté pour la réalisation de circuits électroniques. Le substrat peut être massif (c'est-à-dire constitué d'un unique matériau) ou composite (c'est-à-dire constitué d'un empilement de différents matériaux). Par exemple mais de manière non limitative, le substrat peut être un substrat de silicium. Généralement, le trou n'est pas traversant, c'est-à-dire que sa profondeur est inférieure à l'épaisseur du substrat.

De manière avantageuse, le trou présente un facteur de forme supérieur à 5 : 1 , de préférence supérieur à 10 : 1. Toutefois, l'invention peut être mise en œuvre quel que soit le facteur de forme du trou.

On dépose tout d'abord une couche conforme 1 1 de nitrure de titane (TiN) ou de nitrure de tantale (TaN) sur la surface principale 1A du substrat, sur la paroi latérale 10A du trou et sur le fond 10B du trou.

Ledit dépôt est réalisé par dépôt chimique en phase vapeur mis en œuvre de manière puisée.

Plus précisément, on introduit le substrat dans une première chambre de dépôt (repère 100 sur la figure 2) comprenant deux voies d'injection distinctes : une première voie permet de connecter la chambre à une source d'un précurseur de titane ou de tantale et seconde voie permet de connecter la chambre à une source d'un gaz réactif à base d'azote. Par « à base d'azote » on entend que ledit gaz réactif contient majoritairement de l'azote mais qu'il peut éventuellement contenir d'autres espèces, telles que de l'hydrogène.

Selon un mode de réalisation avantageux, la première voie d'injection comprend une première pluralité de canaux par lesquels le précurseur de titane ou de tantale est injecté dans la chambre de dépôt et la seconde voie d'injection comprend une seconde pluralité de canaux par lesquels le gaz réactif à base d'azote est injecté dans la chambre de dépôt, l'ensemble desdits canaux débouchant dans la chambre de dépôt en regard de la surface du substrat.

De manière connue en elle-même, le substrat est mis en place dans la chambre de dépôt sur un porte substrat comprenant éventuellement un système de chauffage du substrat à une température avantageuse pour le dépôt.

Le dépôt comprend l'injection dudit précurseur de titane ou de tantale en phase gazeuse dans la chambre de dépôt par la première voie d'injection selon une première séquence d'impulsions et l'injection du gaz réactif à base d'azote dans la chambre de dépôt par la seconde voie d'injection distincte de la première voie d'injection selon une seconde séquence d'impulsions, la première séquence d'impulsions et la seconde séquence d'impulsions étant déphasées.

Par « séquence d'impulsions », on entend au minimum une impulsion par séquence. Ce procédé est appelé CVD puisé. Un tel procédé a été décrit, pour des applications et des matériaux différents de ceux visés dans la présente invention, dans le document WO 2015/140261.

Suivant des modes de mise en œuvre, tel que décrit dans WO 2015/140261 : - La durée d'une impulsion de la première séquence d'impulsions est comprise entre 0,02 s et 5 s ;

- Le délai entre deux impulsions de la première séquence d'impulsions est compris entre 0,5 s et 10 s ;

- La durée d'une impulsion de la seconde séquence d'impulsions est comprise entre

0,02 s et 5 s ;

- Le délai entre deux impulsions de la seconde séquence d'impulsions est compris entre 0,5 s et 10 s.

Suivant d'autres modes de mise en œuvre :

- La durée d'une impulsion de la première séquence d'impulsions, respectivement de la seconde séquence d'impulsions, est comprise entre 0,02 s et 5 s ;

- Le délai entre deux impulsions de la première séquence d'impulsions, respectivement de la seconde séquence d'impulsions, est compris entre 0,02 s et 10 s.

Suivant d'autres modes de mise en œuvre :

- La durée d'une impulsion de la première séquence d'impulsions, respectivement de la seconde séquence d'impulsions, est comprise entre 0,02 s et 1 s ;

- Le délai entre deux impulsions de la première séquence d'impulsions, respectivement de la seconde séquence d'impulsions, est compris entre 0,02 s et 1 s.

Suivant d'autres modes de mise en œuvre :

- La durée d'une impulsion de la première séquence d'impulsions, respectivement de la seconde séquence d'impulsions, est comprise entre 1 s et 5 s ;

- Le délai entre deux impulsions de la première séquence d'impulsions, respectivement de la seconde séquence d'impulsions, est compris entre 1 s et 10 s.

Le temps de parcours des espèces injectées dans la chambre est défini par le temps nécessaire auxdites espèces pour parcourir la distance comprise entre la sortie de la voie d'injection respective et la surface libre du substrat. L'injection des différentes espèces est réalisée selon une séquence adaptée pour que la réaction entre lesdites espèces se déroule essentiellement sur la surface libre du substrat.

De manière avantageuse le système de chauffage du porte substrat chauffe le substrat à une température supérieure à la température à laquelle les espèces sont injectées dans la chambre. La vitesse de réaction entre les espèces étant croissante avec la température, ladite vitesse de réaction est ainsi supérieure sur la surface libre du substrat.

La première séquence d'impulsions et la seconde séquence d'impulsions sont déphasées, c'est-à-dire qu'il existe au cours du procédé de dépôt successivement des instants pendant lesquels seul le précurseur de titane ou de tantale est injecté dans la chambre de dépôt et des instants pendant lesquels seul le gaz réactif à base d'azote est injecté dans la chambre de réaction. Eventuellement, il peut également exister des instants pendant lesquels une injection simultanée est mise en œuvre et/ou des instants pendant lesquels aucune injection n'a lieu.

Par ailleurs, la pression dans la chambre de dépôt est supérieure à une valeur prédéterminée pendant toute la durée du procédé contrairement aux techniques de dépôt par couche atomique (ALD). En effet, le dépôt par ALD comprend l'injection d'un seul type d'espèce à la fois, et nécessite une purge complète de la chambre avant que l'autre type d'espèce ne soit injecté. Dans le cas de la présente invention, il est possible de s'affranchir de systèmes de pompages complexes et des étapes de purges ralentissant les vitesses de dépôt de couches sur les substrats. Par exemple, la pression dans la chambre de dépôt est supérieure à 500 mTorr, de préférence supérieure à 1 Torr.

Grâce à ce procédé, il est possible de conserver l'avantage d'une vitesse de dépôt d'une couche sur la surface d'un substrat comparable à la technique de dépôt en phase vapeur (CVD). Par ailleurs, la conformité du dépôt de la couche est grandement améliorée par rapport à la technique de dépôt en phase vapeur conventionnelle. En outre, ce procédé favorise une réaction entre le précurseur de tantale ou de titane et le gaz réactif à base d'azote sur la surface du substrat, limitant ainsi les réactions parasites et une contamination susceptible de dégrader les propriétés de la couche formée sur la surface du substrat.

On dépose ainsi une couche conforme 1 1 de nitrure de titane ou de nitrure de tantale, ladite couche présentant avantageusement une épaisseur inférieure ou égale à

100 nm. Ladite couche remplit une fonction de barrière à la diffusion du cuivre utilisé pour remplir le trou vers le substrat.

En référence à la figure 1 B, on forme ensuite, sur la couche 1 1 , une couche conforme 12 de cuivre, sur une épaisseur généralement comprise entre 50 et 300 nm.

A cet effet, le substrat 1 recouvert de la couche 1 1 est avantageusement déplacé vers une seconde chambre de dépôt (repère 200 sur la figure 2) distincte de la première chambre et isolée vis-à-vis de celle-ci. De manière préférée, ledit déplacement est effectué sans mise à l'atmosphère du substrat, ce qui évite toute contamination ou oxydation. En effet, une contamination ou une oxydation des couches déposées est susceptible de diminuer l'adhésion desdites couches et de favoriser une électromigration du cuivre lors du fonctionnement d'un dispositif comprenant le via.

Le dépôt de la couche 12 peut être mis en œuvre par toute technique appropriée.

De manière avantageuse, ledit dépôt est réalisé par dépôt chimique en phase vapeur, puisé ou non.

En référence à la figure 1 C, on remplit le trou 10 de cuivre. Dans le cas où le trou présente une largeur inférieure à 1 μηη, ledit remplissage peut être effectué en poursuivant le dépôt de cuivre effectué à l'étape précédente. De manière alternative, et notamment dans le cas où le trou présente une largeur supérieure à 1 μηη, le remplissage du trou peut être réalisé par électrodéposition, cette technique étant plus rapide et moins onéreuse que le dépôt chimique en phase vapeur.

En référence à la figure 1 D, on rend traversant le via V ainsi formé en retirant au moins une partie 1 B de l'épaisseur du substrat opposée à la surface principale 1A. Ce retrait peut être réalisé par exemple par polissage, notamment par polissage mécano- chimique (CMP).

En référence à la figure 1 E, on retire au moins une partie des couches de nitrure de tantale ou de titane et de cuivre de la surface principale 1A du substrat par polissage mécano-chimique.

Les étapes illustrées sur les figures 1 D et 1 E peuvent éventuellement être interverties.

Selon une forme d'exécution de l'invention, la chambre 100 et/ou la chambre 200 peut être nettoyée après l'étape de dépôt, une fois que le substrat a été retiré de la chambre.

En ce qui concerne la première chambre de dépôt 100, ledit nettoyage est effectué avantageusement en injectant dans la chambre un gaz réactif composé de fluor et en activant ledit gaz par une source plasma située in-situ ou à distance de la chambre.

En ce qui concerne la seconde chambre de dépôt 200, ledit nettoyage comprend les étapes suivantes :

(i) oxydation du cuivre ;

(ii) injection, selon une séquence d'impulsions, d'espèces chimiques adaptées pour volatiliser ledit cuivre oxydé, ladite étape (ii) débutant après le début de l'étape (i) et se déroulant soit après la fin de l'étape (i) soit pendant une partie de l'étape (i). En d'autres termes, la première impulsion de l'étape (ii) est mise en œuvre après le début de l'étape (i), que ladite étape soit terminée ou non.

L'étape (i) peut être exécutée par injection d'espèces oxydantes comprenant au moins une des espèces suivantes : oxygène, ozone, protoxyde d'azote. Lesdites espèces oxydantes peuvent être injectées en continu durant toute la durée du procédé de nettoyage.

Dans le cas du cuivre, les espèces chimiques utilisées pour volatiliser le cuivre oxydé comprennent du hfacH (hexafluoroacetylacetone). Cependant, lesdites espèces chimiques adaptées pour volatiliser le dépôt métallique oxydé pourraient également réagir avec le dépôt de cuivre, et ainsi passiver la surface exposée dudit dépôt. Cette réaction de passivation du dépôt métallique 2 est une réaction parasite qui limite ou bloque toute réaction d'oxydation dudit dépôt par les espèces oxydantes. Afin d'éviter cette réaction parasite, les espèces chimiques adaptées pour volatiliser le dépôt de cuivre oxydé sont injectées, à l'étape (ii), selon une séquence d'impulsions. La chambre 200 peut être maintenue à une température comprise entre 20 et 250°C de manière à maintenir sous forme gazeuse les espèces chimiques adaptées pour volatiliser le dépôt de cuivre. De préférence, la température de la chambre 200 est maintenue à une température comprise entre 20 et 150°C, de préférence encore entre 20 et 100°C. La pression dans la chambre 200 est maintenue entre 0,1 et 10 Torr, ou, de manière préférentielle, entre 1 et 5 Torr.

Suivant des modes de mise en œuvre :

- la durée de la ou des impulsions d'injection des espèces chimiques adaptées pour volatiliser le dépôt métallique oxydé est comprise entre 0,02 s et 5 s, et le délai entre deux impulsions consécutives (le cas échéant) est compris entre 0,02 s et 10 s ;

- la durée de la ou des impulsions d'injection des espèces chimiques adaptées pour volatiliser le dépôt métallique oxydé est comprise entre 0,02 s et 1 s, et le délai entre deux impulsions consécutives (le cas échéant) est compris entre 0,02 s et 1 s ;

- la durée de la ou des impulsions d'injection des espèces chimiques adaptées pour volatiliser le dépôt métallique oxydé est comprise entre 1 s et 5 s, et le délai entre deux impulsions consécutives (le cas échéant) est compris entre 1 s et 10 s.

De manière avantageuse, la durée des impulsions de la séquence d'impulsions est ajustée de sorte que la couche de cuivre oxydé ne soit pas intégralement volatilisée. Ainsi, la portion de couche de cuivre oxydé restante forme une barrière à la passivation du dépôt métallique par les espèces chimiques injectées à l'étape (ii). La réaction de passivation se trouve alors bloquée. Dit autrement, au cours de l'injection des espèces chimiques pour volatiliser le dépôt métallique oxydé, lors de l'impulsion la plus tardive de deux impulsions successives, les espèces chimiques sont injectées en quantité sous- stœchiométrique par rapport à la quantité du dépôt métallique oxydé entre lesdites deux impulsions successives. La quantité sous-stœchiométrique susmentionnée est déterminable par la connaissance à la fois de la quantité du dépôt de cuivre oxydé à l'étape (i) entre deux impulsions de la séquence d'impulsions de l'étape (ii), et du mécanisme de réaction de volatilisation dudit dépôt de cuivre oxydé avec les espèces chimiques.

Le mode d'injection des espèces chimiques adaptées pour volatiliser le dépôt de cuivre oxydé présente ainsi de nombreux avantages. Le premier avantage est de procurer un procédé de nettoyage efficace. En effet, la réaction parasite comprenant la passivation du dépôt de cuivre par les espèces chimiques injectées est ainsi neutralisée. La neutralisation de ladite réaction parasite évite d'avoir à ouvrir la chambre 200, et d'avoir recours à un processus de décontamination de cette dernière. Le second avantage est de pouvoir contrôler la quantité d'espèces chimiques injectées à l'étape (ii), et permet ainsi de réduire le coût du procédé de nettoyage.

Ce nettoyage permet de minimiser le risque de dépôt de particules sur la surface du substrat 1 et ainsi d'améliorer la qualité des couches déposées. Cela permet aussi d'augmenter le nombre de plaques qui peuvent être déposées avant un nettoyage par bain chimique de la chambre.

Il résulte des différentes mesures décrites plus haut que les couches de nitrure de titane ou de tantale et de cuivre sont non seulement formées avec une bonne conformité dans un temps réduit (typiquement, de l'ordre de 2 minutes pour une couche de 40 nm), mais aussi qu'elles présentent une meilleure qualité qui minimise le risque d'électromigration ultérieure du cuivre. Ainsi, l'interconnexion est plus fiable et ce, dans une plus longue durée, que les interconnexions existantes.

On va maintenant décrire un exemple d'un dispositif permettant la formation du via selon le procédé décrit ci-dessus.

En référence à la figure 2, ledit dispositif comprend une première chambre de dépôt 100 étanche et apte à être mise sous vide, connectée par une première voie d'injection à une source d'un précurseur de titane ou de tantale (non représentée) et par une seconde voie d'injection à une source d'un gaz réactif à base d'azote (non représentée), ainsi qu'une seconde chambre de dépôt 200 étanche connectée à une source de cuivre (non représentée).

Le dispositif comprend en outre un sas d'entrée/sortie 400 par lequel on introduit les substrats sur lesquels on doit former les couches de nitrure de tantale ou de titane et de cuivre et on retire les substrats sur lesquels lesdites couches ont été formées.

Ledit sas d'entrée/sortie 400 débouche dans une chambre intermédiaire 300 étanche, laquelle est apte à communiquer séparément avec la première chambre de dépôt 100 et avec seconde chambre de dépôt 200. Un système de manipulation et de transport du substrat (non représenté) est agencé à l'intérieur du dispositif pour permettre le déplacement du substrat d'une chambre à une autre.

L'atmosphère dans la chambre 300 est contrôlée, de sorte à éviter toute contamination d'un substrat circulant entre les différentes chambres.

Ainsi, au cours de la formation de la couche de nitrure de tantale ou de titane, le substrat se déplace entre la chambre intermédiaire 300, la chambre de dépôt 100 et la chambre de dépôt 200, lesdites chambres étant fluidiquement isolées les unes des autres pendant la mise en œuvre des étapes du procédé. Ainsi, on évite toute contamination mutuelle des chambres susceptible de générer des dépôts difficiles à nettoyer sur les parois internes des chambres.