本发明的实施例涉及一种母板取向膜的制作方 法及转印版、 取向液。 背景技术

目前， 薄膜晶体管液晶显示器 （TFT-LCD ) 已成为主流的显示产品； TFT-LCD主要包括彼此对置的彩膜基板和阵列基� �，彩膜基板和阵列基板之 间填充有液晶。 为了使液晶分子能够正确地被取向， 在阵列基板和彩膜基板 的表面各涂上一层取向液。取向液在阵列基板 和彩膜基板上形成一层取向膜。 然后， 用摩擦布摩擦阵列基板和彩膜基板上的取向膜 ， 通过该摩擦， 在取向 膜表面形成微小的沟槽， 使得液晶分子初始沿沟槽方向有规律排列。

一般的阵列基板和彩膜基板加工过程通常都是 对一块母板上的两块以 上基板（阵列基板或彩膜基板） 同时涂覆取向液， 最后再将分割母板得到单 个的阵列基板或彩膜基板。

涂布取向液的装置例如如图 1 所示。 首先， 将取向液 101 通过喷嘴 ( Dispenser ) 102滴加到匀胶辊（ Anilox Roll ) 103与刮刀 （ Blade Roll ) 104 的接触位置； 刮刀 104把旋转的匀胶辊 103上的取向液 101涂布均匀； 匀胶 辊 103与带有预先形成图形的转印版 105接触， 将取向液 101转印到转印版 105上； 最后，旋转的转印版 105把取向液 101印刷到基台 106上的母板 107 表面上， 形成取向膜 108。 现有的转印版的侧面展开示意图如图 2所示， 平 面示意图如图 3所示。 转印版 105包括基膜 109和转印层 110, 转印层 110 上有两个以上分别与母板上的基板分别对应的 凸起状的转印区 111和位于转 印区 111之间的非转印区 112。

上述涂布取向液的装置， 由于各转印区 111分别与母板 107上的一个基 板对应， 而且由于在各转印区 111的边缘取向液 101容易积聚， 这些边缘积 聚的取向液 101进一步会被转印到基板的显示区域， 从而导致基板上取向膜 108的膜质不均匀， 产生取向膜 108不均匀或取向膜 108过厚的边缘（Haro ) 区。 这使得在最后所制备的产品的边缘区的液晶分 子不能正常取向， 进而会 导致基板能够正常工作的显示区域的面积缩小 。 另一方面， 上述转印版 105 还容易出现取向膜 108印偏的问题， 从而进一步导致基板能够正常工作的显 示区 i或的面积、缩小。 发明内容

本发明的实施例提供了一种母板取向膜的制作 方法及转印版、 取向液， 可以解决目前存在取向膜过厚的边缘区， 以及取向膜过厚的边缘区与封框胶 区域重叠引起的显示不良问题。

本发明的一个方面提供一种母板取向膜的制作 方法， 包括： 利用转印版 在具有两个以上基板的母板上涂布取向液， 使取向液在母板上形成取向膜， 所述转印版具有同时覆盖两个以上基板的转印 区； 将所述母板上位于基板的 显示区域以外且不需保留取向膜的区域的取向 膜去除。

上述方法中， 例如， 所述取向膜由光加工材料组成； 去除所述取向膜时， 先利用掩膜版进行曝光工序， 再进行显影工序。

上述方法中， 例如， 所述取向液包括液晶分子取向材料、 感光材料、 光 敏剂和溶剂， 又例如， 由液晶分子取向材料、 感光材料、 光敏剂和溶剂组成。

上述方法中，例如，所述液晶分子取向材料占 取向液的重量比为 25-35%, 所述感光材料占取向液的重量比为 3.5-6%, 所述光敏剂占取向液的重量比为 0.8-2.5%。

上述方法中， 例如， 所述液晶分子取向材料为主链型聚酰亚胺和支 链型 聚酰亚胺中的一种或两种。

上述方法中， 例如， 所述感光材料为 2,3,4,4'-四羟基二苯曱酮 1,2-二叠氮 基萘醌 _5-横酸酯。

上述方法中， 例如， 所述光敏剂为重氮萘醌横酰氯。

上述方法中， 例如， 所述利用曝光和显影方法去除所述取向膜时， 曝光 设备发出的紫外光的波长为 340nm~460nm, 曝光时长为 60s~100s。

本发明的另一个方面还提供一种转印版， 所述转印板具有同时覆盖两个 以上基板的转印区。

本发明的再一个方面还提供一种取向液， 所述取向液包括液晶分子取向 材料、 感光材料、 光敏剂和溶剂。 例如， 该取向液由液晶分子取向材料、 感 光材料、 光敏剂和溶剂组成。

上述取向液中， 例如， 所述液晶分子取向材料占取向液的重量比为

25-35%, 所述感光材料占取向液的重量比为 3.5-6%, 所述光敏剂占取向液的 重量比为 0.8-2.5%。

上述取向液中， 例如， 所述液晶分子取向材料为主链型聚酰亚胺和支 链 型聚酰亚胺中的一种或两种。

上述取向液中， 例如， 所述感光材料为 2,3 ,4,4'-四羟基二苯曱酮 1,2-二叠 氮基萘醌 -5- 酸酯。

上述取向液中， 例如， 所述光敏剂为重氮萘醌横酰氯。

本发明实施例提供的母板取向膜的制作方法及 转印版、 取向液， 利用转 印版在具有两个以上基板的母板上涂布取向液 ， 使取向液在母板上形成取向 膜； 所述转印版具有同时覆盖两个以上基板的转印 区； 将所述母板上位于基 板的显示区域以外且不需保留取向膜的区域的 取向膜去除， 因此能够解决目 前存在取向膜过厚的边缘区， 以及取向膜过厚的边缘区与封框胶区域重叠弓 I 起的显示不良问题。 附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图 仅仅涉及本发明的一些实施例， 而非对本发明的限制。

图 1是现有技术中涂布取向剂的装置示意图；

图 2是现有技术中转印版的侧面展开示意图；

图 3是现有技术中转印版的平面示意图；

图 4是本发明中转印版的侧面示意图；

图 5是本发明中转印版的平面示意图

图 6是本发明实现母板取向膜的制作方法的流程� �意图；

图 7是本发明中涂布取向液后的得到的母板的平� �示意图；

图 8是本发明掩膜曝光后母板的平面示意图。

附图标记说明：

101 : 取向液 102: 喷嘴 103： 匀胶辊 104： 刮刀

105 ： 转印版 106 • • 丞 it 口

107 ： 母板 108 ： 取向膜

109 ： 基膜 110 转印层

111 转印区 112: 非转印区

113 显示区域^ 114 非显示区域

115 封框胶区域 116 其他区域 具体实施方式

为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案 进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提 下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。

本发明的实施例提供一种转印版。 图 4和图 5分别是本实施例中的转印 版的侧面示意图和平面示意图。如图 4和图 5所示，转印版 105包括基膜 109 和转印层 110, 所述转印层 110上具有一个能够同时覆盖被涂覆的母板的两 个以上基板的转印区 111。

利用上述转印版， 本发明的实施例还提供一种母板取向膜的制作 方法。 图 6是本实施例实现母板取向膜的制作方法的流� �示意图。 如图 6所示， 该 方法包括以下步骤：

步骤 602, 利用转印版在具有两个以上基板的母板上涂布 取向液， 使取 向液在母板上形成取向膜，所述转印版具有同 时覆盖两个以上基板的转印区。

例如， 利用本发明图 4和图 5所示的转印版， 在清洗后的母板 107上涂 布加取向液 101 ,使取向液 101在母板 107铺展开上形成取向膜 108; 所述转 印版具有同时覆盖两个以上基板的转印区。

例如， 所述取向膜由光加工材料组成， 该光加工材料可利用能够使用曝 光和显影工艺去除不需要的部分材料。 在去除该取向膜时， 可以先利用掩膜 版进行曝光工序， 再进行显影工序。

所述取向液的一个示例包括液晶分子取向材料 、 感光材料、 光敏剂和溶 剂， 例如， 主要由液晶分子取向材料、 感光材料、 光敏剂和溶剂组成， 该取 向液固化后可形成上述光加工材料。

上述液晶分子取向材料占取向液的重量比可为 25-35%,所述感光材料占 取向液的重量比可为 3.5-6%, 所述光敏剂占取向液的重量比可为 0.8-2.5%。

上述液晶分子取向材料的示例为主链型聚酰亚 胺和支链型聚酰亚胺中的 一种或两种。

所述感光材料的示例为 2,3,4,4'-四羟基二苯曱酮 1,2-二叠氮基萘醌 -5-横 酸酯。

所述光敏剂的示例可以是重氮萘醌磺酰氯。

主链型聚酰亚胺由 PMDA和 MDA聚合而成 ,支链型聚酰亚胺由 PMDA、

MDA和 TBCA聚合而成； PMDA为均苯四酸二酐， MDA为 4,4'-二胺基二 苯曱烷， TBCA为 4-(4- (三氟曱氧基)苯曱酞基)环己基 -3,5-二胺基苯曱酸酯。

图 7是本发明中涂布取向液后的得到的母板的平� �示意图。如图 7所示， 利用本实施例的如图 4和图 5所示的转印版 105 , 该转印版 105具有同时覆 盖两个以上基板的转印区 111。 因此， 该转印版 105在母板 107的两个以上 基板上转印取向膜 108时， 在母板 107上每个基板的显示区域 113、 非显示 区域 114、 封框胶区域 115及母板 107上的其他区域 116, 都形成有取向膜 108; 非显示区域 114包含封框胶区域 115 , 围绕在显示区域 113四周。

步骤 603 , 将所述母板上位于基板的显示区域以外且不需 保留取向膜的 区域的取向膜去除。

例如， 在步骤 602形成的母板 107上， 由于利用图 4和图 5所示的转印 版 105在母板 107上形成取向膜 108,母板 107的非显示区域 114、封框胶区 域 115及母板 107上的其他区域 116也被取向膜 108覆盖， 将影响上下基板 的导电， 因此本步骤中， 利用掩膜板将母板 107上显示区域 114或需要保留 取向膜的区域遮挡， 曝光设备发出紫外光， 紫外光经过掩膜板后照射到母板 107上加有光敏材料的取向膜 108上， 即利用曝光和显影方法去除母板 107 上位于基板的显示区域 113以外且不需保留取向膜的区域的取向膜 108。 这 里， 也可以利用光刻法等方式将母板 107上位于每个基板的显示区域 113以 外且不需保留取向膜的区域的取向膜 108去除， 得到图 8所示的母板 107。

例如， 曝光设备发出的紫外光的波长可以为 340nm~460nm, 曝光时长为 60s~100s。

该母板 107例如用于制备阵列基板或彩膜基板。 在形成了取向膜之后， 对于取向膜进行摩擦工艺，在取向膜之中形成 沿一定方向排列的微小的沟槽。 对于阵列基板和彩膜基板， 摩擦方向可以相同或不同。 然后， 对母板进行切 割， 得到单个的阵列基板或彩膜基板。

本发明实施例提供的母板取向膜的制作方法及 转印版中， 通过对现有转 印版的改进和处理， 在将取向膜转印到母板上的基板上时， 与现有的具有活 性区和非活性区的转印版相比，涂布取向液时 取向液在基板上的均一性更好， 更容易形成厚度一致的取向膜。 这时， 即使显示区域外边缘存在较多的取向 液， 或即使存在取向膜印偏现象， 也可以利用曝光和显影法或光刻法将多余 的取向膜去除， 从而解决目前存在取向膜过厚的边缘区， 以及取向膜过厚的 边缘区与封框胶区域重叠引起的显示不良问题 。 此外， 可以不用每个型号都 制作相应的转印版， 只要母板 107上的基板的尺寸相同就可以用同一个转印 版。

以上所述， 仅为本发明的较佳实施例而已， 并非用于限定本发明的保护 范围， 凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改 、 等同替换和改进等， 均应包含在本发明的保护范围之内。