BESCHREIBUNG Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel ^¬ len eines optoelektronischen Bauelements gemäß dem unabhängigen Anspruch.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2017 117 441.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird.

Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente mit in ein Vergussmaterial eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips bekannt. Weiterhin sind aus dem Stand der Technik optoelektronische Bauelemente bekannt, deren Verguss ^¬ material eine aufgeraute Vergussoberfläche aufweist.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben .

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen des unabhän- gigen Anspruchs gelöst.

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halb ^¬ leiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Ver ^¬ gussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Das Vergussmate- rial wird an der Oberfläche umgeformt, wobei an der Verguss ^¬ oberfläche eine Topographie erzeugt wird. Die Topographie, die durch das Umformen des Vergussmaterials an der Verguss ^¬ oberfläche erzeugt wird, bietet den Vorteil, dass von außen einfallende elektromagnetische Strahlung diffus an der Ver ^¬ gussoberfläche gestreut werden kann. Dadurch kann eine speku ^¬ lare Reflexion der elektromagnetischen Strahlung an der Vergussoberfläche unterdrückt werden. Auf diese Weise kann es gelingen, einen Glanz der Vergussoberfläche zu reduzieren o- der zu eliminieren. Dies kann beispielsweise für Anzeigebild ^¬ schirme, die eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente aufweisen können und in einer hellen Umgebung aufgestellt sind, von Bedeutung sein. Beispielsweise ermöglicht eine un- terdrückte spekulare Reflexion an der Vergussoberfläche, dass insbesondere dunkel oder schwarz darzustellende Elemente ohne Glanzeffekte dargestellt werden können. Das Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements bietet den Vorteil, dass eine solche Topographie der Vergussoberfläche auf einfache Art und Weise, nämlich durch das Umformen des Ver ^¬ gussmaterials an der Vergussoberfläche, erzeugt werden kann.

Das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche erfolgt durch eine Härtung der Vergussoberfläche. Mit der Härtung der Vergussoberfläche geht eine Faltung der Verguss ^¬ oberfläche einher.

In einer Ausführungsform erfolgt die Härtung der Vergussoberfläche durch eine thermische Behandlung.

In einer Ausführungsform erfolgt das Härten der Vergussoberfläche durch eine UV-Bestrahlung. Vorteilhafterweise kann nur die Vergussoberfläche mit UV-Strahlung behandelt werden, wäh ^¬ rend das übrige Vergussmaterial nicht bestrahlt wird, sodass eine bevorzugte Härtung der Vergussoberfläche erfolgt.

In einer Ausführungsform wird das Vergussmaterial während der Härtung der Vergussoberfläche Vibrationen ausgesetzt. Vor ^¬ teilhafterweise unterstützen Vibrationen während der Härtung einer Vergussoberfläche eine Faltung der Vergussoberfläche.

In einer Ausführungsform erfolgt vor dem Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche ein teilweises Aushär- ten des Vergussmaterials. Vorteilhafterweise erlaubt ein zu ^¬ mindest teilweises Aushärten des Vergussmaterials, dass das Vergussmaterial an der Vergussoberfläche umgeformt werden kann .

In einer Ausführungsform erfolgt nach dem Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche ein Aushärten des Ver ^¬ gussmaterials. Vorteilhafterweise wird die durch das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche erzeugte Topo- graphie an der Vergussoberfläche durch das Aushärten des Ver ^¬ gussmaterials in einen stabilen Zustand überführt.

In einer Ausführungsform weist das Vergussmaterial eingebet ^¬ tete Partikel auf. Vorteilhafterweise können die Partikel da- zu vorgesehen sein, einfallende elektromagnetische Strahlung im Vergussmaterial diffus zu streuen. Dies kann einen Glanz an anderen Komponenten des optoelektronischen Bauelements unterdrücken. Beispielsweise können die weiteren Partikel dazu vorgesehen sein, einen Glanz an einem Leiterrahmen zu verhin- dern, wobei der optoelektronische Halbleiterchip an dem Lei ^¬ terrahmen angeordnet sein kann. Weiterhin können die Partikel dazu vorgesehen sein, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Vergussmaterials anzupassen. Beispielsweise ist es möglich, dass der Träger und das Vergussmaterial derart verschiedene thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, dass eine thermische Belastung, beispielsweise während des Betriebs des optoelektronischen Bauelements, zu einer Beschä ^¬ digung des optoelektronischen Bauelements führen würde. Beispielsweise könnte eine thermische Belastung eine Delaminati- on des Vergussmaterials von dem Träger bewirken, wodurch beispielsweise Feuchtigkeit in das optoelektronische Bauelement eindringen könnte. Die Partikel können dazu ausgebildet sein, solche Effekte zu verhindern. In einer Ausführungsform weist das Vergussmaterial einen wel ^¬ lenlängenkonvertierenden Leuchtstoff auf. Vorteilhafterweise ist der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff dazu ausgebil ^¬ det, eine Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung, die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittiert werden kann, zu modifizieren, indem der wellenlängenkonvertierende Leucht ^¬ stoff die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung absorbiert und daraufhin elekt ^¬ romagnetische Strahlung mit einer anderen Wellenlänge emit ^¬ tiert. Beispielsweise ist es denkbar, dass der optoelektroni ^¬ sche Halbleiterchip dazu ausgebildet ist, blaues Licht zu emittieren, während der in das Vergussmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff dazu ausgebildet ist, das blaue Licht zu absorbieren und beispielsweise gelbes Licht zu emittieren. Das optoelektronische Bauelement könnte in diesem Fall in der Summe Licht mit einem weißen Farbeindruck abstrahlen.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, sind klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematischer Darstellung:

Fig. 1: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels eines

Stempels ;

Fig. 2: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels einer

Walze;

Fig. 3: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels einer

Folie;

Fig. 4: eine Härtung einer Vergussoberfläche mit einer einhergehenden Faltung der Vergussoberfläche; und

Fig. 5: eine Seitenansicht eines optoelektronischen Bauele ^¬ ments . Fig. 1 bis 4 zeigen jeweils in einer schematischen Seitenansicht Varianten eines Verfahrens zum Herstellen eines opto ^¬ elektronischen Bauelements 10. Ein Träger 20 mit einer Oberseite 21 wird bereitgestellt. Im in Fig. 1 gezeigten Beispiel ist der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet. Der als Gehäusekörper ausgebildete Träger 20 weist eine Kavität 23 auf, die von einer Wandung 24 late ^¬ ral umschlossen wird. Dies ist jedoch nicht zwingend erfor- derlich. Der Träger 20 kann auch ein flaches Substrat sein, sodass die Kavität 23 und die Wandung 24 entfallen können. In Fig. 1 bis Fig. 5 wird beispielhaft nur die Variante des Trä ^¬ gers 20 dargestellt, in der der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet ist.

Ist der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet, so kann er einen Kunststoff, beispielsweise ein Polyphthalamid (PPA) aufweisen. Der Träger 20 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) , beispielsweise ein Spritzgussver- fahren (engl.: injection molding) , hergestellt werden. Ist der Träger 20 ein flaches Substrat, so kann der Träger 20 beispielsweise ein Metallsubstrat, ein Halbleitersubstrat, ein Halbleiteroxidsubstrat, ein Keramiksubstrat, ein Glassub ^¬ strat oder eine gedruckte Leiterplatte (engl.: printed cir- cuit board, PCB) sein.

Über der Oberseite 21 des Trägers 20 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 30 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 30 weist eine Oberseite 31 und eine der Ober- seite 31 gegenüberliegende Unterseite 32 auf. Der optoelekt ^¬ ronische Halbleiterchip 30 ist mit seiner Unterseite 32 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet.

Der optoelektronische Halbleiterchip 30 kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, an seiner Oberseite 31 elektromagneti ^¬ sche Strahlung zu emittieren. Der optoelektronische Halb ^¬ leiterchip 30 kann allerdings auch dazu ausgebildet sein, auf die Oberseite 31 auftreffende elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Somit kann der optoelektronische Halbleiterchip 30 beispielsweise ein Leuchtdiodenchip oder ein Photodiodenchip sein. Zur Versorgung des optoelektronischen Halbleiterchips 30 mit elektrischer Energie für den Betrieb weist der Träger 20 seitlich herausragende elektrische Anschlüsse 22 auf. Die elektrischen Anschlüsse 22 können beispielsweise Teil eines metallischen Leiterrahmens sein, der in den Träger 20, der als Gehäusekörper ausgebildet ist, eingebettet sein kann. Ty ^¬ pischerweise weist ein Leiterahmen einen ersten und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt auf, wobei die Leiterrahmenab ^¬ schnitte an der Oberseite 21 des Trägers 20 freiliegen (in Fig. 1 nicht dargestellt). Der optoelektronische Halbleiter- chip 30 kann am ersten Abschnitt des Leiterrahmens angeordnet sein, wobei der optoelektronische Halbleiterchip 30 mittels eines Bonddrahts mit dem zweiten Abschnitt des Leiterrahmens verbunden sein kann. In diesem Fall weist der optoelektronische Halbleiterchip 30 eine Kontaktfläche an seiner Oberseite 31 und eine weitere Kontaktfläche an seiner Unterseite 32 auf .

In den Darstellungen der Fig. 1 bis 5 ist jeweils ein optoelektronischer Halbleiterchip 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet. Es kann aber auch eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet sein. Beispielsweise können drei optoelektronische Halbleiterchips 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet sein. Die drei optoelektronischen Halbleiterchips 30 können beispielsweise dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung verschiedener Wellenlängen zu emittieren. Beispielsweise können die drei optoelektronischen Halbleiterchips 30 ein RGB-Pixel bilden. In diesem Fall emittieren die optoelektronischen Halbleiterchips 30 rotes, grünes und blaues Licht.

Über der Oberseite 21 des Trägers 20 ist ein Vergussmaterial 40 angeordnet. Im dargestellten Beispiel der Fig. 1 ist das Vergussmaterial 40 in der Kavität 23 angeordnet. Da der Trä ^¬ ger 20 nicht notwendigerweise als Gehäusekörper ausgebildet sein muss, muss auch das Vergussmaterial 40 nicht notwendi ^¬ gerweise in einer Kavität 23 angeordnet werden. Ist der Trä- ger 20 beispielsweise als flaches Substrat ausgebildet, so kann das Vergussmaterial 40 über der Oberseite 21 des Trägers 20 derart angeordnet werden, dass das Vergussmaterial 40 bei ^¬ spielsweise eine Linse bildet. In beiden Fällen bildet das Vergussmaterial 40 eine Vergussoberfläche 41.

Das Vergussmaterial 40 kann einen Kunststoff, beispielsweise ein Epoxid oder ein Silikon, aufweisen. Das Vergussmaterial 40 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet werden.

In den Darstellungen der Fig. 1 bis 5 ist das Vergussmaterial 40 jeweils bis zu einer Oberkante 25 der Wandung 24 in der Kavität 23 angeordnet worden. Dies ist ebenfalls nicht zwin ^¬ gend erforderlich. Für den Fall, dass der Träger 20 als Ge- häusekörper ausgebildet ist, kann auch eine Mehrzahl von Vergussmaterialien 40 in der Kavität 23 schichtweise angeordnet werden. Dies ist beispielhaft in Fig. 1 gezeigt, wo ein wei ^¬ teres Material 42 über dem Vergussmaterial 40 angeordnet ist. Auch das weitere Material 42 weist einen Kunststoff, bei- spielsweise ein Epoxid oder ein Silikon, auf. Das weitere Ma ^¬ terial 42 kann ebenfalls mittels eines Dosierverfahrens über der Vergussoberfläche 41 angeordnet worden sein. Das weitere Material 42 kann aber auch entfallen. Dass das weitere Mate ^¬ rial 42 über der Vergussoberfläche 41 angeordnet sein kann, wurde anhand der Fig. 1 beispielhaft erläutert. Der Einfach ^¬ heit halber wird in der nachfolgenden Beschreibung das weitere Material 42 nicht weiter berücksichtigt.

In das Vergussmaterial 40 sind Partikel 80 eingebettet. Die Partikel 80 können beispielsweise Siliziumdioxid oder Titan ^¬ dioxid aufweisen. Die Partikel 80 können eine der Darstellung der Fig. 1 entsprechende sphärische Form aufweisen. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Die Partikel 80 können auch eine andere Form, beispielsweise eine flockenartige Form, aufweisen. Ein durchschnittlicher Durchmesser der Partikel 80 kann beispielsweise zwischen lym und 30ym betragen. Abweichungen von dem angegebenen durchschnittlichen Durchmes- ser sind möglich.

Die Partikel 80 können beispielsweise dazu vorgesehen sein, einfallende elektromagnetische Strahlung innerhalb des Ver ^¬ gussmaterials 40 diffus zu streuen. Auf diese Weise kann es beispielsweise gelingen, dass ein Glanz an einem Leiterrahmen verhindert wird. Weiterhin können die Partikel 80 auch eine Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Vergussmaterials 40 bewirken. Die Partikel 80 können aber auch entfallen .

Das optoelektronische Bauelement 10 kann darüber hinaus einen in das Vergussmaterial 40 eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff 100 aufweisen. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 ist dazu ausgebildet, eine Wellen- länge vom optoelektronischen Halbleiterchip 30 emittierter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 kann beispielsweise in Form von Partikeln vorliegen. In Frage kommen Partikel, die infolge einer Absorption elektromagnetischer Strahlung aus einem ersten Spektralbereich, elektromagnetische Strahlung aus einem anderen Spektralbereich emittieren. Beispielsweise kann der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 einen mit sel ^¬ tenen Erden dotierten Granatleuchtstoff, beispielsweise mit Cer-Ionen dotiertes Yttrium-Aluminium-Granat (Ce:YAG), auf- weisen, der typischerweise dazu ausgebildet ist, eine größere Wellenlänge durch Fluoreszenz zu erzeugen. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 kann aber auch entfallen.

Nach dem Anordnen des Vergussmaterial 40 über der Oberseite 21 des Trägers 20 wird das Vergussmaterial 40 an der Verguss ^¬ oberfläche 41 umgeformt. Dabei wird an der Vergussoberfläche 41 eine Topographie erzeugt. Die durch das Umformen der Ver ^¬ gussoberfläche 41 erzeugte Topographie an der Vergussoberflä- che 41 ist dazu ausgebildet, einfallende elektromagnetische Strahlung diffus zu streuen, sodass eine spekulare Reflexion einfallender elektromagnetischer Strahlung unterdrückt wird. Eine Möglichkeit, das Vergussmaterial 40 an der Vergussober ^¬ fläche 41 umzuformen, besteht darin, die Vergussoberfläche 41 zu prägen. Eine Prägung der Vergussoberfläche 41 kann auf verschiedene Art und Weisen erfolgen. Dies ist in den Figuren 1 bis 3 schematisch dargestellt. Fig. 1 zeigt das Prägen der Vergussoberfläche 41 mittels eines Stempels 50. Der Stempel 50 weist Strukturen 54 auf, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden sollen. Dazu wird der Stempel 50 an der Vergussoberfläche 41 angeordnet und in die Vergussoberfläche 41 hineingedrückt.

Fig. 2 zeigt eine Variante des Prägens, wobei statt eines Stempels 50 eine Walze 51 verwendet wird. Auch die Walze 51 weist Strukturen 54 auf, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden sollen. Dazu wird die Walze 51 über die Vergussoberfläche 41 gerollt.

Eine weitere Methode zum Prägen der Vergussoberfläche 41 ist in Fig. 3 dargestellt. In diesem Fall wird eine Folie 52, die ebenfalls Strukturen 54 aufweist, die auf die Vergussoberflä- che 41 übertragen werden sollen, an der Vergussoberfläche 41 angeordnet. Damit die Strukturen 54 der Folie 52 auf die Ver ^¬ gussoberfläche 41 übertragen werden können, ist der Träger 20 in einer Druckkammer 53 angeordnet. Wird der Druck in der Druckkammer 53 erhöht, so kann sich die Folie 52 an die Ver- gussoberfläche 41 schmiegen. Auf diese Weise werden die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen.

Bei allen Varianten, die in den Figuren 1 bis 3 dargestellt sind, ist es zweckmäßig, das Vergussmaterial 40 nach dem Prä- gen auszuhärten. Auf diese Weise bleiben die Strukturen 54, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen wurden, an der Vergussoberfläche 41 erhalten. Damit die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden können, kann das Vergussmaterial 40 zuvor teilweise ausgehärtet worden sein. Alternativ kann das Vergussmaterial 40 zuvor auch vollständig ausgehärtet worden sein. In diesem Fall ist es zweckmäßig, dass vor oder während des Prägens der Vergussoberfläche 41 das Vergussmaterial 40 geheizt wird. So geht das Vergussmate ^¬ rial 40 in einem weichen Zustand über, wodurch die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden können. Wird das Vergussmaterial 40 vor dem Prägen geheizt, so sollte das Prägen im Anschluss an das Heizen erfolgen, so lange das Vergussmaterial 40 noch in einem weichen Zustand ist.

Der Stempel 50, die Walze 51 und die Folie 52, die zum Prägen verwendet werden können beispielsweise ein Elastomer aufwei ^¬ sen, beispielsweise gehärtetes Polydimethylsiloxan (PDMS) . In diesem Fall sind die Werkzeuge, die zum Prägen der Verguss ^¬ oberfläche 41 verwendet werden, weich ausgebildet. Dies kann von Vorteil sein, wenn beispielsweise eine Kavität 23 nicht vollständig bis zur Oberkante 25 der Wandung 24 mit dem Ver ^¬ gussmaterial 40 befüllt worden ist. Dann können ein Stempel 50, eine Walze 51 oder eine Folie 52 aufgrund ihrer Weichheit partiell in die Kavität 23 hineingedrückt werden, sodass Un ^¬ ebenheiten 90 auch auf eine Vergussoberfläche 41 übertragen werden können, die unterhalb der Oberkante 25 der Wandung 24 ausgebildet ist.

Neben einem Prägen des Vergussmaterials 40 an der Verguss ^¬ oberfläche 41, kann das Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41 auch anders erfolgen. Fig. 4 zeigt eine weitere Variante zum Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41, wobei eine Härtung der Vergussober ^¬ fläche 41 erfolgt. Mit der Härtung der Vergussoberfläche 41 geht eine Faltung der Vergussoberfläche 41 einher. Das Härten der Vergussoberfläche 41 kann beispielsweise thermisch oder durch UV-Bestrahlung erfolgen. Um eine Faltung der Verguss- Oberfläche 41 zu unterstützen, kann das Vergussmaterial 40 Vibrationen 61 ausgesetzt werden. Die Vibrationen 61 können beispielsweise durch ein Ultraschallbad oder durch Vibratio ^¬ nen 61 eines Piezoelements erzeugt werden. Nach dem Umformen des Vergussmaterial 40 an der Vergussoberfläche 41 wird das Vergussmaterial 40 ausgehärtet, damit die Faltung der Vergus ^¬ soberfläche 41 erhalten bleiben kann. Fig. 5 zeigt das optoelektronische Bauelement 10 in einer schematischen Seitenansicht. Die Vergussoberfläche 41 weist Unebenheiten 90 auf, die durch eine der in Fig. 1 bis 4 gezeigten Methoden hergestellt worden sind. Die Unebenheiten 90 der Vergussoberfläche 41 sind dazu ausgebildet, einfallende elektromagnetische Strahlung an der Vergussoberfläche 41 dif ^¬ fus zu streuen, wodurch eine spekulare Reflexion einfallender elektromagnetischer Strahlung an der Vergussoberfläche 41 unterdrückt wird.

Abgesehen davon, dass das Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41 eine Topographie an der Vergussober ^¬ fläche 41 erzeugt, die dazu ausgebildet ist, von außen ein ^¬ fallende elektromagnetische Strahlung diffus zu streuen, kann die an der Vergussoberfläche 41 erzeugte Topographie auch da ^¬ zu dienen, eine Extraktionseffizienz des optoelektronischen Bauelements 10 zu erhöhen. Die auf der Vergussoberfläche 41 erzeugten Unebenheiten 90 können nämlich eine Totalreflexion der vom optoelektronischen Halbleiterchip 30 emittierten elektromagnetischen Strahlung an einer Innenseite der Vergussoberfläche 41 unterdrücken. Dadurch kann ein größerer Anteil der vom optoelektronischen Halbleiterchip 30 emittierten elektromagnetischen Strahlung an der Vergussoberfläche 41 aus dem optoelektronischen Bauelement 10 heraustreten. Das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 10 ist nicht auf individuelle optoelektronische Bauele ^¬ mente 10 beschränkt. Beispielsweise kann auch ein zweidimen ^¬ sionaler Verbund aus einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente 10, beispielsweise ein LED-Array, mit Unebenheiten 90, die simultan auf einer Mehrzahl von Vergussoberflächen 41 erzeugt wurden, bereitgestellt werden. Individuelle opto ^¬ elektronische Bauelemente 10 können auch durch eine Vereinze ^¬ lung des Verbunds hergestellt werden. Dadurch müssten die Un- ebenheiten 90 nicht auf jedem einzelnen optoelektronischen Bauelement 10 erzeugt werden.

Die vorliegende Erfindung wurde anhand der bevorzugten Aus ^¬ führungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele be ^¬ schränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.

BEZUGSZEICHENLISTE

10 optoelektronisches Bauelement 20 Träger

21 Oberseite des Trägers

22 elektrische Anschlüsse für einen optoelektronischen Halbleiterchip

23 Kavität

24 Wandung

25 Oberkante der Wandung

30 optoelektronischer Halbleiterchip

31 Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 32 Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips

40 Vergussmaterial

41 Vergussoberfläche

42 weiteres Material

50 Stempel

51 Walze

52 Folie

53 Druckkammer

54 Strukturen

60 UV-Strahlen

61 Vibrationen 80 Partikel

90 Unebenheiten

100 wellenlängenkonvertierender Leuchtstoff