UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT

BESCHREIBUNG

Die vorliegende Erfindung betri f ft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements sowie ein optoelektronisches Bauelement .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2022 112 355 . 3 , deren Of fenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird .

Es ist bekannt , optoelektronische Bauelemente mit wellenlängenkonvertierenden Elementen aus zustatten . Ein bekanntes Herstellungsverfahren besteht im Aufsprühen eines wellenlängenkonvertierenden Materials auf die Oberseite eines optoelektronischen Halbleiterchips .

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben . Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen . Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst . In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben .

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer an einer Oberseite angeordneten elektrischen Kontaktf läche , zum Ausbilden eines Abdeckkörpers auf der elektrischen Kontaktf läche , wobei der Abdeckkörper auf die elektrische Kontakt fläche begrenzt ist und keine anderen Abschnitte der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips bedeckt , und zum Ausbilden eines wellenlängenkonvertierenden Elements an der Oberseite des optoelektro- nischen Halbleiterchips . Dabei wird der Abdeckkörper zumindest teilweise durch das wellenlängenkonvertierende Element bedeckt .

Ein Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, dass der auf der elektrischen Kontakt fläche ausgebildete Abdeckkörper die elektrische Kontakt fläche während des Ausbildens des wellenlängenkonvertierenden Elements vor einer Beschädigung schützen kann . Wenn der Abdeckkörper auf die elektrische Kontaktfläche begrenzt ist , behindert er vorteilhafterweise eine Wärmeleitung von dem wellenlängenkonvertierenden Element zu dem optoelektronischen Halbleiterchip nicht oder nur in geringer Weise .

In einer Aus führungs form des Verfahrens wird vor dem Ausbilden des Abdeckkörpers ein weiterer Schritt durchgeführt zum Verbinden eines Bonddrahts mit der elektrischen Kontaktfläche . Dabei wird der Bonddraht abschnittsweise in den Abdeckkörper eingebettet . Dadurch, dass der Bonddraht vor dem Ausbilden des Abdeckkörpers mit der elektrischen Kontakt fläche verbunden wird, stört der Abdeckkörper vorteilhafterweise nicht bei der Herstellung der Verbindung zwischen Bonddraht und elektrischer Kontakt fläche .

In einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Abdeckkörper durch ein Dosierverfahren ausgebildet , insbesondere durch Nadeldosieren oder durch berührungsloses Nadeldosieren . Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine Ausbildung des Abdeckkörpers mit gut kontrollierbarer Position und Größe . Außerdem ermöglicht dieses Verfahren vorteilhafterweise eine Herstellung des Abdeckkörpers , ohne dabei einen mit der elektrischen Kontakt fläche verbundenen Bonddraht zu beschädigen .

In einer Aus führungs form des Verfahrens benetzt das Material des Abdeckkörpers die elektrische Kontakt fläche vollständig . Dies kann beispielsweise durch eine gezielte Vorbehandlung der Oberfläche der elektrischen Kontakt fläche erreicht werden . Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine besonders genaue Beherrschung der Form und Größe des auf der elektrischen Kontakt fläche ausgebildeten Abdeckkörpers .

In einer Aus führungs form des Verfahrens erfolgt das Ausbilden des wellenlängenkonvertierenden Elements durch ein Sprühverfahren . Vorteilhafterweise kann der zuvor auf der elektrischen Kontakt fläche ausgebildete Abdeckkörper eine Gefahr reduzieren, dass die elektrische Kontakt fläche während des Sprühverfahrens durch in Richtung zu der elektrischen Kontaktfläche beschleunigte Partikel beschädigt wird .

In einer Aus führungs form des Verfahrens wird vor dem Ausbilden des Abdeckkörpers ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips an einer Oberseite eines Trägers . Dabei wird der optoelektronische Halbleiterchip derart angeordnet , dass die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips von der Oberseite des Trägers abgewandt ist . Das Verfahren umfasst dabei zusätzlich einen Schritt zum Ausbilden eines Einbettungskörpers an der Oberseite des Trägers . Dabei werden Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips zumindest teilweise durch den Einbettungskörper bedeckt . Vorteilhafterweise kann der bei diesem Verfahren ausgebildete Einbettungskörper einen Teil eines Gehäuses des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements bilden .

In einer Aus führungs form des Verfahrens werden der Abdeckkörper und der Einbettungskörper in einem gemeinsamen Arbeitsgang ausgebildet . In diesem Fall können der Abdeckkörper und der Einbettungskörper beispielsweise aus demselben Material ausgebildet werden . Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine besonders einfache , schnelle und kostengünstige Durchführung des Verfahrens .

In einer Aus führungs form des Verfahrens weist dieses einen zusätzlichen Schritt auf zum Ausbilden einer optischen Linse über dem wellenlängenkonvertierenden Element . Die optische Linse kann zur Strahl formung des durch das optoelektronische Bauelement abgestrahlten Lichts dienen .

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer an einer Oberseite angeordneten elektrischen Kontakt fläche . Auf der elektrischen Kontaktfläche ist ein Abdeckkörper angeordnet , wobei der Abdeckkörper auf die elektrische Kontakt fläche begrenzt ist und keine anderen Abschnitte der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips bedeckt . An der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ist ein wellenlängenkonvertierendes Element angeordnet . Der Abdeckkörper ist zumindest teilweise durch das wellenlängenkonvertierende Element bedeckt .

Vorteilhafterweise kann der auf der elektrischen Kontaktfläche angeordnete Abdeckkörper einem Schutz der elektrischen Kontakt fläche während der Herstellung des wellenlängenkonvertierenden Elements gedient haben . Dadurch besteht bei diesem optoelektronischen Bauelement vorteilhafterweise nur eine geringe Gefahr einer Beschädigung der elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips . Wenn der Abdeckkörper auf die elektrische Kontakt fläche begrenzt ist , schränkt er vorteilhafterweise eine Wärmeleitung von dem wellenlängenkonvertierenden Element zu dem optoelektronischen Halbleiterchip nicht oder nur in geringer Weise ein .

In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist die elektrische Kontakt fläche vollständig durch den Abdeckkörper bedeckt . Vorteilhafterweise ermöglicht der Abdeckkörper dadurch einen besonders umfassenden Schutz der elektrischen Kontakt fläche des optoelektronischen Halbleiterchips .

In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist ein Bonddraht mit der elektrischen Kontakt fläche verbunden . Dabei ist der Bonddraht abschnittsweise in den Abdeckkörper eingebettet . Vorteilhafterweise beeinträchtigt der Ab- deckkörper dabei nicht die Verbindung zwischen dem Bonddraht und der elektrischen Kontakt fläche .

In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements weist der Abdeckkörper ein Silikon auf . Vorteilhafterweise kann ein derartiger Abdeckkörper einen wirkungsvollen Schutz der elektrischen Kontakt fläche gewährleisten .

In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements weist der Abdeckkörper eingebettete Partikel auf , insbesondere Partikel , die TiCf oder ZrCt aufweisen . Vorteilhafterweise weist der Abdeckkörper in diesem Fall eine hohe Reflek- tivität auf , wodurch die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements eine höhere Ref lektivität aufweist , als dies ohne Vorhandensein des Abdeckkörpers der Fall wäre .

In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements sind die Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips zumindest teilweise durch einen Einbettungskörper bedeckt . Der Einbettungskörper kann beispielsweise einen Teil eines Gehäuses des optoelektronischen Bauelements oder das sogar vollständige Gehäuse des optoelektronischen Bauelements bilden .

In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist über dem wellenlängenkonvertierenden Element eine optische Linse angeordnet . Die optische Linse kann einer Strahlformung von durch das optoelektronische Bauelement abgestrahltem Licht dienen .

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise , wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Aus führungsbeispiele , die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden . Dabei zeigen in j eweils schematisierter Darstellung Fig . 1 eine geschnittene Seitenansicht eines auf einem Träger angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips mit einer elektrischen Kontakt fläche ;

Fig . 2 den optoelektronischen Halbleiterchip nach dem Verbinden mit einem Bonddraht ;

Fig . 3 den optoelektronischen Halbleiterchip und den Träger nach dem Ausbilden eines Einbettungskörpers ;

Fig . 4 den optoelektronischen Halbleiterchip nach dem Ausbilden eines Abdeckkörpers auf der elektrischen Kontakt fläche ;

Fig . 5 eine Aufsicht auf die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ;

Fig . 6 den optoelektronischen Halbleiterchip nach dem Ausbilden eines wellenlängenkonvertierenden Elements ; und

Fig . 7 eine geschnittene Seitenansicht eines aus der Anordnung gebildeten optoelektronischen Bauelements nach dem Ausbilden einer optischen Linse .

Fig . 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines optoelektronischen Halbleiterchips 200 . Der optoelektronische Halbleiterchip 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf . Seitenflächen 203 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 sind im Wesentlichen senkrecht zu der Oberseite 201 und der Unterseite 202 orientiert .

Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist dazu ausgebildet , elektromagnetische Strahlung ( Licht ) zu emittieren . Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, Licht mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich zu emittieren .

Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann beispielsweise als Leuchtdiodenchip ( LED-Chip ) ausgebildet sein . Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann beispielsweise als oberflächenemittierender Leuchtdiodenchip ausgebildet sein . In diesem Fall wird Licht hauptsächlich an der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 emittiert .

Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann aber auch als volumenemittierender Leuchtdiodenchip ausgebildet sein . In diesem Fall wird elektromagnetische Strahlung sowohl an der Oberseite 201 als auch an den Seitenflächen 203 und in einigen Varianten auch an der Unterseite 202 emittiert .

Im in Fig . 1 gezeigten Beispiel ist der optoelektronische Halbleiterchip 200 an einer Oberseite 101 eines Trägers 100 angeordnet . Der Träger 100 kann auch als Substrat bezeichnet werden . Der Träger 100 kann ein temporärer Träger sein, der in einem späteren Bearbeitungsschritt wieder von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 abgelöst wird . Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann aber auch dauerhaft an dem Träger 100 verbleiben . In diesem Fall kann der Träger 100 beispielsweise als Leiterplatte , als Leiterrahmen, als Kunststof fträger, als metallstrukturiertes Keramiksubstrat oder als Träger aus einem Halbleitermaterial ausgebildet sein . Im in Fig . 1 gezeigten Beispiel weist der Träger 100 eine der Oberseite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf .

Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist derart an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet , dass die Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 von der Oberseite 101 des Trägers 100 abgewandt ist . Die Unterseite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ist der Oberseite 101 des Trägers 100 zugewandt . Der optoelektronische Halbleiterchip 200 weist an seiner Oberseite 201 eine elektrische Kontakt fläche 210 auf . Die elektrische Kontakt fläche 210 kann auch als Bondpad bezeichnet werden . Über die elektrische Kontakt fläche 210 kann der optoelektronische Halbleiterchip 200 mit elektrischer Spannung und elektrischem Strom beaufschlagt werden, damit der optoelektronische Halbleiterchip 200 elektromagnetische Strahlung emittiert .

Eine weitere elektrische Kontakt fläche des optoelektronischen Halbleiterchips 200 kann der Unterseite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ausgebildet sein . Falls der optoelektronische Halbleiterchip 200 dauerhaft an dem Träger 100 verbleibt , kann die elektrische Kontakt fläche 210 an der Unterseite 202 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 elektrisch leitend mit einer Gegenkontakt fläche an der Oberseite 101 des Trägers 100 verbunden sein, beispielsweise mittels einer Lotverbindung oder einer elektrisch leitenden Klebeverbindung .

Fig . 2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 und des optoelektronischen Halbleiterchips 200 in einem der Darstellung der Fig . 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .

Ein Bonddraht 230 ist mit der elektrischen Kontakt fläche 210 an der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 verbunden worden . Der Bonddraht 230 stellt eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktfläche 210 und einer in Fig . 2 nicht gezeigten Gegenkontaktfläche her . Die Gegenkontakt fläche kann beispielsweise an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet sein .

Fig . 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und des Trägers 100 in einem der Darstellung der Fig . 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . An der Oberseite 101 des Trägers 100 ist ein Einbettungskörper 300 ausgebildet worden . Hierzu ist das den Einbettungskörper 300 bildende Material an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet worden, beispielsweise mittels eines Dosierverfahrens , beispielsweise durch Nadeldosieren ( Dispensing) oder durch berührungsloses Nadeldosieren ( Jetting) . Der so gebildete Einbettungskörper 300 bedeckt die Seitenflächen 203 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 zumindest teilweise .

Das Material des Einbettungskörpers 300 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen . Zusätzlich kann das Material des Einbettungskörpers 300 reflektierende Partikel aufweisen, beispielsweise Partikel , die TiO2 oder ZrO2 aufweisen .

Es ist möglich, auf das Ausbilden des Einbettungskörpers 300 zu verzichten .

Fig . 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 , des optoelektronischen Halbleiterchips 200 , des Bonddrahts 230 und des Einbettungskörpers 300 in einem der Darstellung der Fig . 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .

Auf der elektrischen Kontakt fläche 210 an der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ist ein Abdeckkörper 400 ausgebildet worden . Hierzu ist das Material des Abdeckkörpers 400 auf der elektrischen Kontakt fläche 210 angeordnet worden, beispielsweise mittels eines Dosierverfahrens , beispielsweise durch Nadeldosieren ( Dispensing) oder durch berührungsloses Nadeldosieren ( Jetting) .

Das Material des Abdeckkörpers 400 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen . Das Material des Abdeckkörpers 400 kann auch eingebettete Partikel aufweisen, insbesondere Partikel , die TiCh aufweisen . Das Ausbilden des Abdeckkörpers 400 kann in einem gemeinsamen Arbeitsgang mit dem Ausbilden des Einbettungskörpers 300 erfolgt sein . In diesem Fall können der Einbettungskörper 300 und der Abdeckkörper 400 aus demselben Material ausgebildet worden sein . Es ist aber auch möglich, den Einbettungskörper 300 und den Abdeckkörper 400 in separaten Arbeitsgängen auszubilden .

Während des Ausbildens des Abdeckkörpers 400 auf der elektrischen Kontakt fläche 210 ist der mit der elektrischen Kontaktfläche 210 verbundene Bonddraht 230 abschnittsweise in den Abdeckkörper 400 eingebettet worden .

Fig . 5 zeigt eine Aufsicht auf die Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 im in Fig . 4 gezeigten Bearbeitungsstand .

Im dargestellten Beispiel weist die elektrische Kontakt fläche 210 an der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einen metallisierten Bereich 220 und einen den metallisierten Bereich 220 umgrenzenden Passivierungsbereich 225 auf . Der Bonddraht 230 ist mit dem metallisierten Bereich 220 verbunden . Der mit dem metallisierten Bereich 220 verbundene Abschnitt des Bonddrahts 230 ist in den Abdeckkörper 400 eingebettet .

Es ist zweckmäßig, wenn der auf der elektrischen Kontaktfläche 210 angeordnete Abdeckkörper 400 die elektrische Kontaktfläche 210 vollständig bedeckt . In diesem Fall bedeckt der Abdeckkörper 400 sowohl den metallisierten Bereich 220 als auch den Passivierungsbereich 225 . Es ist aber auch möglich, dass der Abdeckkörper 400 die elektrische Kontakt fläche 210 nicht vollständig bedeckt . Der Abdeckkörper 400 ist auf die elektrische Kontakt fläche 210 begrenzt und bedeckt keine anderen Abschnitte der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 . Eine im Wesentlichen vollständige Bedeckung der elektrischen Kontakt fläche 210 durch den Abdeckkörper 400 sowie eine Begrenzung des Abdeckkörpers 400 auf die elektrische Kontaktfläche 210 kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass die Benetzungseigenschaften der elektrischen Kontakt fläche 210 , der übrigen Abschnitte der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und des Materials des Abdeckkörpers 400 j eweils so gewählt werden, dass das Material des Abdeckkörpers 400 die elektrische Kontakt fläche 210 vollständig benetzt , die übrigen Abschnitte der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 j edoch nicht benetzt . In diesem Fall kann das Material des Abdeckkörpers 400 während des Ausbildens des Abdeckkörpers 400 beispielsweise mittels eines Dosierverfahrens vom Randbereich der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 oder von der Oberseite des an die Seitenflächen 203 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 angrenzenden Einbettungskörpers 300 her aufdosiert werden und dann die elektrische Kontakt fläche 210 in der gewünschten Weise benetzen .

Es ist auch möglich, den Abdeckkörper 400 so aus zubilden, dass er lediglich den metallisierten Bereich 220 der elektrischen Kontakt fläche 210 bedeckt , nicht j edoch den Passivierungsbereich 225 . Es ist auch möglich, dass die elektrische Kontakt fläche 210 nicht in einen metallisierten Bereich 220 und einen umgrenzenden Passivierungsbereich 225 unterteilt ist .

Fig . 6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der auch in Fig . 4 gezeigten Komponenten in einem der Darstellung der Fig . 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .

Ausgehend von dem in Figuren 4 und 5 dargestellten Bearbeitungsstand ist ein wellenlängenkonvertierendes Element 500 an der Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ausgebildet worden . Dabei ist der Abdeckkörper 400 zumindest teilweise durch das wellenlängenkonvertierende Element 500 bedeckt worden . Im in Fig . 6 gezeigten Beispiel wurde der Ab- deckkörper 400 vollständig durch das wellenlängenkonvertierende Element 500 bedeckt . Ein Abschnitt des Bonddrahts 230 ist in das wellenlängenkonvertierende Element 500 eingebettet .

Das wellenlängenkonvertierende Element 500 weist ein Matrix- material und in das Matrixmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel auf . Das Matrixmaterial kann beispielsweise ein Silikon aufweisen .

Das wellenlängenkonvertierende Element 500 ist dazu vorgesehen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 abgestrahltes Licht zumindest teilweise in Licht einer anderen Wellenlänge zu konvertieren . Beispielsweise kann das wellenlängenkonvertierende Element 500 dazu ausgebildet sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittiertes Licht mit blauer oder ultravioletter Lichtfarbe in weißes Licht zu konvertieren .

Das Ausbilden des wellenlängenkonvertierenden Elements 500 kann beispielsweise durch ein Sprühverfahren erfolgt sein . In diesem Fall wurde das Material des wellenlängenkonvertierenden Elements 500 auf die Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 aufgesprüht . Dabei können die in dem Material des wellenlängenkonvertierenden Elements 500 enthaltenen wellenlängenkonvertierenden Partikel mit hoher Geschwindigkeit auf die Oberseite 201 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und auf den Abdeckkörper 400 getrof fen sein . Der Abdeckkörper 400 hat dabei eine Beschädigung der elektrischen Kontakt fläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 durch die auf tref f enden Partikel verhindert .

Fig . 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils eines optoelektronischen Bauelements 10 , das durch weitere Bearbeitung der in Fig . 6 gezeigten Komponenten gebildet worden ist . Ausgehend von dem in Fig . 6 gezeigten Bearbeitungsstand ist eine optische Linse 600 über dem wellenlängenkonvertierenden Element 500 ausgebildet worden . Das Ausbilden der optischen Linse 600 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) erfolgt sein, beispielsweise durch Formpressen ( Compression Molding) . Die optische Linse 600 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen .

Die optische Linse 600 ist dazu vorgesehen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittiertes und von dem wellenlängenkonvertierenden Element 500 konvertiertes Licht zu formen, beispielsweise zu sammeln oder zu zerstreuen . Im dargestellten Beispiel ist die optische Linse 600 als Sammellinse ausgebildet .

In einer alternativen Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann die optische Linse 600 entfallen .

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Aus führungsbeispiele näher illustriert und beschrieben . Dennoch ist die Erfindung nicht auf die of fenbarten Beispiele eingeschränkt . Andere Variationen können von einem Fachmann abgeleitet werden .

BEZUGSZEICHENLISTE optoelektronisches Bauelement Träger Oberseite Unterseite optoelektronischer Halbleiterchip Oberseite Unterseite Seitenf läche elektrische Kontakt fläche metallisierter Bereich Passivierungsbereich Bonddraht Einbettungskörper Abdeckkörper wellenlängenkonvertierendes Element optische Linse