Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen

Halbleiterbauelements und optoelektronisches

Halbleiterbauelement

Die Druckschriften WO 2009/075753 A2 und WO 02/084749

beschreiben jeweils ein optoelektronisches Halbleiterbauteil. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein vereinfachtes

Herstellungsverfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das besonderes einfach hergestellt werden kann.

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Bei dem optoelektronischen

Halbleiterbauteil handelt es sich beispielsweise um eine

Leuchtdiode, die zur Emission von elektromagnetischer

Strahlung vorgesehen ist. Alternativ kann es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterbauteil auch um eine Fotodiode handeln, die zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein Träger bereitgestellt. Bei dem Träger handelt es sich um einen temporären Träger, der in einem abschließenden Verfahrensschritt wieder entfernt wird. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um eine Folie (englisch: Foil) eine

Leiterplatte oder allgemein um eine Platte handeln, die mit einem Kunststoffmaterial, einem Metall, einem keramischen Material oder einem Halbleitermaterial gebildet ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip an einer

Oberseite des Trägers auf dem Träger angeordnet. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich

beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip oder um einen

Fotodiodenchip. Ferner kann es sich um einen Laserdiodenchip handeln. Der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip wird auf dem Träger vorzugsweise derart befestigt, dass sich eine mechanische Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Träger ergibt, die später für den optoelektronischen Halbleiterchip zerstörungsfrei gelöst werden kann. Mit anderen Worten wird zwischen dem

Halbleiterchip und dem Träger eine Opferschicht angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise auf dem Träger mittels eines Klebstoffs befestigt werden.

Bevorzugt wird eine Vielzahl von optoelektronischen

Halbleiterchips auf dem Träger befestigt. Bei der Anordnung aus Träger und der Vielzahl von optoelektronischen

Halbleiterchips handelt es sich dann um einen so genannten

Kunstwafer, bei dem eine Vielzahl - vorzugsweise gleichartiger optoelektronischer Halbleiterchips - auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip - vorzugsweise die Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips - mit einem Formkörper umformt, wobei der Formkörper alle

Seitenflächen des zumindest einen optoelektronischen

Halbleiterchips bedeckt. Mit anderen Worten wird der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip vom Formkörper umhüllt. Das Umformen oder Umhüllen kann beispielsweise mittels

Spritzens, Gießens, Drückens, Auflaminieren einer Folie, oder dergleichen erfolgen. Der Formkörper ist aus einem mechanisch stabilisierenden Material gebildet, wie beispielsweise einem Kunststoff, einem niederschmelzenden Glas oder einer

niederschmelzenden Glaskeramik. Der Formkörper kann

beispielsweise Epoxidharz, Silikon, Epoxid-Silikonhybrid- Material, Glas oder Glaskeramik enthalten oder aus einem dieser Materialien bestehen.

Der Formkörper wird derart auf dem Träger aufgebracht, dass er die dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberfläche des Trägers bedeckt und mit dieser

Oberfläche in direktem Kontakt steht. Ferner steht der

Formkörper mit den Seitenflächen, die zum Beispiel quer oder senkrecht zur Oberfläche des Trägers verlaufen, zumindest stellenweise in direktem Kontakt. Dabei ist es möglich, dass alle Seitenflächen des zumindest einen Halbleiterchips vollständig vom Formkörper bedeckt sind. Es ist jedoch auch möglich, dass die Halbleiterchips nur bis zu einer bestimmten Höhe an ihren Seitenflächen vom Formkörper bedeckt sind und Teile des zumindest einen Halbleiterchips aus dem Formkörper herausragen, so dass die Seitenflächen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips stellenweise frei vom

Formkörper sind. Darüber hinaus ist es auch möglich, dass der Formkörper die Halbleiterchips an ihren freiliegenden Flächen vollständig bedeckt. Das heißt, auch eine dem Träger

abgewandte Oberfläche des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips kann vom Formkörper bedeckt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Träger entfernt. Das heißt, nach dem Umformen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips wird der Träger vom Verbund aus Formkörper und optoelektronischem Halbleiterchip entfernt. Das Entfernen kann beispielsweise durch Erwärmen - A - oder Dünnen des Trägers erfolgen. Das Erwärmen kann

beispielsweise mittels eines Laserstrahls erfolgen. Das Dünnen kann zum Beispiel durch Zurückschleifen des Trägers erfolgen. Ferner ist es möglich, dass das Entfernen durch chemisches Ab- bzw. Ablösen des Trägers bzw. der ggf. auf dem Träger

vorhanden Haftschicht erfolgt. Nach dem Entfernen des Trägers ist die ursprünglich dem Träger zugewandte Unterseite des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips frei zugänglich. Bei der Unterseite kann es sich auch um die

Abstrahlseite des Halbleiterchips handeln, durch die im

Betrieb des Halbleiterchips Strahlung aus diesem austritt. Mit anderen Worten wird der Halbleiterchip dann „face-down" auf den Träger aufgebracht. Alle Seitenflächen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips sind zumindest stellenweise vom Formkörper bedeckt. Das heißt, nach dem Entfernen des Trägers stellt der Formkörper einen mechanisch

stabilisierenden Körper dar, der den zumindest einen

optoelektronischen Halbleiterchip an seinen Seitenflächen umgibt und - falls vorhanden - eine Vielzahl von

optoelektronischen Halbleiterchips miteinander verbindet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur

Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das Verfahren die folgenden Schritte:

- Bereitstellen eines Trägers,

- Anordnen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips an einer Oberseite des Trägers,

- Umformen des zumindest einen optoelektronischen

Halbleiterchips mit einem Formkörper, wobei der Formkörper alle Seitenflächen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips bedeckt, und

- Entfernen des Trägers. Die beschriebenen Verfahrensschritte werden dabei vorzugsweise in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips an der

Oberseite des Trägers angeordnet, wobei jeder der

Halbleiterchips im Betrieb zur Erzeugung von

elektromagnetischer Strahlung eines Wellenlängenbereichs mit einer dem Halbleiterchip zugeordneten Peak-Wellenlänge

vorgesehen ist. Das heißt, jeder der Halbleiterchips ist zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet. Der Halbleiterchip erzeugt im Betrieb dabei elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten Wellenlängenbereich. Die

erzeugte elektromagnetische Strahlung weist im

Wellenlängenbereich bei einer bestimmten Wellenlänge - der

Peak-Wellenlänge - ein Maximum auf. Mit anderen Worten ist die Peak-Wellenlänge die dominante Wellenlänge der vom

Halbleiterchip im Betrieb erzeugten elektromagnetischen

Strahlung .

Die Peak-Wellenlänge eines jeden der Halbleiterchips weicht dabei von einem Mittelwert der Peak-Wellenlängen aller

optoelektronischen Halbleiterchip um höchstens +/- 2 % ab. Das heißt, bei den optoelektronischen Halbleiterchips handelt es sich um optoelektronische Halbleiterchips, die

elektromagnetische Strahlung bei gleichen oder ähnlichen

Wellenlängen emittieren. Vorzugsweise weicht die Peak- Wellenlänge eines jeden der Halbleiterchips von einem

Mittelwert der Peak-Wellenlängen aller optoelektronischen Halbleiterchips höchstens um +/- 1 %, besonders bevorzugt um höchstens +/- 0,5 % ab. Mit anderen Worten sind die auf dem Träger angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips hinsichtlich ihrer

Emissionswellenlänge vorsortiert. Es werden solche

optoelektronischen Halbleiterchips gemeinsam auf dem Träger angeordnet, die sich in ihrer Peak-Wellenlänge kaum oder gar nicht voneinander unterscheiden.

Beispielsweise werden die optoelektronischen Halbleiterchips nach ihrer Herstellung hinsichtlich ihrer Peak-Wellenlänge sortiert (so genanntes binning) . Diejenigen optoelektronischen Halbleiterchips, die bei dieser Sortierung in eine gemeinsame Gruppe eingeteilt werden, werden auf dem Träger angeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird den optoelektronischen Halbleiterchips vor oder nach dem Umformen eine gemeinsame LeuchtstoffSchicht an ihrer Oberseite oder ihrer Unterseite nachgeordnet. „Gemeinsame LeuchtstoffSchicht" heißt dabei, dass sämtlichen optoelektronischen

Halbleiterchips eine LeuchtstoffSchicht mit gleichen oder ähnlichen Eigenschaften nachgeordnet wird. Das heißt, die

LeuchtstoffSchicht aller optoelektronischen Halbleiterchips besteht beispielsweise aus dem gleichen Material und weist die gleiche Dicke auf. Die LeuchtstoffSchicht enthält oder besteht aus einem

Leuchtstoff, der zur Absorption der von den Halbleiterchips im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist und der elektromagnetische Strahlung in einem anderen

Wellenlängenbereich als die optoelektronischen Halbleiterchips re-emittiert . Beispielsweise erzeugen die optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb blaues Licht und vom Leuchtstoff der LeuchtstoffSchicht wird gelbes Licht re-emittiert, welches sich mit dem blauen Licht zu weißem Licht mischt. Die LeuchtstoffSchicht kann beispielsweise in Form von

Leuchtstoffpartikeln aufgebracht werden, die in einem

Matrixmaterial wie beispielsweise Silikon oder Keramik eingebracht sind. Ferner kann die LeuchtstoffSchicht als Keramikplättchen, das den Leuchtstoff enthält oder aus einem keramischen Leuchtstoff besteht, auf die dem Träger abgewandte Oberfläche der Halbleiterchips aufgebracht werden. Dabei ist es möglich, dass die LeuchtstoffSchicht direkt auf die dem Träger abgewandte Oberfläche der optoelektronischen

Halbleiterchips aufgebracht wird.

Besonders bevorzugt handelt es sich bei den optoelektronischen Halbleiterchips, wie soeben beschrieben, um ähnliche

optoelektronische Halbleiterchips, die sich hinsichtlich ihrer Peak-Wellenlänge kaum oder gar nicht voneinander

unterscheiden. Vorteilhaft kann diesen ähnlichen

optoelektronischen Halbleiterchips eine gemeinsame

LeuchtstoffSchicht nachgeordnet werden. Aufgrund der

Ähnlichkeit der optoelektronischen Halbleiterchips und der gemeinsamen LeuchtstoffSchicht emittieren die derart

hergestellten optoelektronischen Halbleiterchips im Betrieb Mischlicht mit ähnlichen oder gleichen Eigenschaften. Anders, als bei einer sonst üblichen Herstellung von

optoelektronischen Halbleiterbauteilen muss also nicht jedem optoelektronischen Halbleiterchip eine passende

LeuchtstoffSchicht nachgeordnet werden, so dass sich eine gewünschte Mischstrahlung aus der vom optoelektronischen

Halbleiterchip direkt emittierten elektromagnetischen

Strahlung und der von der LeuchtstoffSchicht re-emittierten elektromagnetischen Strahlung einstellt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die dem Träger abgewandte Oberseite des zumindest einen Halbleiterchips vom Formkörper freigelegt oder sie bleibt frei vom Formkörper. Das heißt, der Formkörper wird entweder so aufgebracht, dass die dem Träger abgewandte Oberfläche des zumindest einen Halbleiterchips nicht mit dem Material des Formkörpers bedeckt wird. Alternativ kann der Formkörper nach dem Aufbringen des Formkörpers von der Oberseite der

Halbleiterchips wieder entfernt werden. Auf die vom Formkörper freie Oberfläche kann dann beispielsweise die

Leuchtstoffschicht aufgebracht werden.

Es ist jedoch auch möglich, dass die Halbleiterchips mit ihrer Abstrahlseite auf den Träger befestigt werden. Bei Entfernen des Trägers wird die dem Träger zugewandte Oberfläche - also die Unterseite - freigelegt. Bei dieser Variante des

Verfahrens kann sich zumindest ein Anschlusskontakt auf der Abstrahlseite eines jeden der Halbleiterchips befinden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor oder nach dem Umformen für jeden Halbleiterchip zumindest eine Durchkontaktierung mit einem elektrisch leitenden Material erzeugt. Die Durchkontaktierung ist dabei lateral beabstandet zum zugeordneten Halbleiterchip angeordnet. Das heißt, in einer Richtung, die beispielsweise parallel zur Oberfläche des Trägers verläuft, die den Halbleiterchips zugeordnet ist, wird im Abstand zum Halbleiterchip eine Durchkontaktierung erzeugt. Die Durchkontaktierung durchdringt den Formkörper dabei vollständig und erstreckt sich von einer Oberseite des

Formkörpers zu einer Unterseite des Formkörpers. Nach dem Abschluss des Verfahrens, das heißt nach Entfernen des

Trägers, ist die Durchkontaktierung zumindest an der

Unterseite des Formkörpers frei zugänglich. An der Oberseite des Formkörpers kann die Durchkontaktierung von der

Leuchtstoffschicht bedeckt sein. Vor dem Umformen des Formkörpers kann die Durchkontaktierung beispielsweise mittels Kontaktstifte erzeugt werden, die vor dem Umformen an der Oberseite des Trägers zwischen den

Halbleiterchips angeordnet werden. Die Kontaktstifte sind dabei aus einem elektrisch leitenden Material wie

beispielsweise Kupfer gebildet. Die Kontaktstifte können dabei auch einstückig mit dem Träger ausgebildet sein. Das heißt, als Träger wird ein Substrat mit vorhandenen

Durchkontaktierungen genutzt. Ferner kann es sich bei dem Träger um ein Stanzgitter handeln.

Alternativ ist es möglich, dass die Durchkontaktierungen durch das Erzeugen von Ausnehmungen im Formkörper nach dem Umformen des Halbleiterchips erzeugt werden. Beispielsweise können durch Laserbohren oder andere Arten des Materialabtrags Löcher im Formkörper erzeugt werden, die den Formkörper vollständig durchdringen und sich von seiner Oberseite zu seiner

Unterseite erstrecken. Diese Löcher werden dann mit einem leitfähigen Material gefüllt. Bei dem leitfähigen Material kann es sich beispielsweise um eine Galvanik handeln, ein Lotmaterial oder einen Leitkleber.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zwischen der Durchkontaktierung und dem zugeordneten

Halbleiterchip eine elektrisch leitende Verbindung erzeugt. Die elektrisch leitende Verbindung ist dabei elektrisch leitend mit der dem Träger abgewandten Oberfläche an der

Oberseite des Halbleiterchips verbunden und erstreckt sich entlang der Oberseite des Formkörpers. Die elektrisch leitende Verbindung steht beispielsweise mit einem Bondpad an der

Oberseite des zugeordneten Halbleiterchips in elektrisch leitendem Kontakt und erstreckt sich bis zur Durchkontaktierung. Die Verbindung erstreckt sich dabei an der Oberseite des Formkörpers entweder auf der Außenfläche des Formkörpers oder dicht unterhalb der Außenfläche des

Formkörpers. Die elektrisch leitende Verbindung kann mittels Sputtern, Fotolithographie, Galvanik und/oder Rückätzen erzeugt werden. Ferner ist es möglich, zur Erzeugung der elektrisch leitenden Verbindung Isolationsmaterial und Metall aufzudrucken, mittels eines Sinterverfahrens als Metallpaste aufzubringen (insbesondere, wenn der Formkörper aus einem keramischen Material gebildet ist) , als Leitkleber

aufzubringen oder dergleichen. So ist es beispielsweise auch möglich, dass die elektrisch leitenden Verbindungen mittels eines Spritzgussverfahrens aufgebracht werden. Das heißt, die elektrisch leitenden Verbindungen werden dann nach Art eines „Molded interconnected devices" (MID, deutsch: Spritzgegossene Schaltungsträger) aufgebracht.

Die Erzeugung von Durchkontaktierungen und zugeordneten elektrisch leitenden Verbindungen ist vorteilhaft, wenn die optoelektronischen Halbleiterchips an ihrer Oberseite und der Oberseite abgewandten Unterseite elektrisch leitende

Kontaktstellen aufweisen. Alternativ ist die Verwendung von Flip-Chip-Halbleiterchips möglich, die elektrische

Kontaktstellen nur an einer Seite, entweder der Unterseite oder der Oberseite, aufweisen. In diesem Fall kann die

Durchkontaktierung durch den Formkörper entfallen.

Es wird ferner ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauteil ist

vorzugsweise mittels einem der hier beschriebenen Verfahren herstellbar. Das heißt, sämtliche für das Verfahren offenbarte Merkmale sind auch für das optoelektronische Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das optoelektronische

Halbleiterbauteil einen optoelektronischen Halbleiterchip, dessen Seitenflächen von einem Formkörper bedeckt sind. Die Seitenflächen sind dabei jene Flächen, die quer zu der

Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips an seiner Oberseite und seiner Unterseite verlaufen und diese

Außenflächen miteinander verbinden. Die Seitenflächen können dabei vollständig vom Formkörper bedeckt sein. Darüber hinaus ist es auch möglich, dass die Seitenflächen nur bis zu einer bestimmten Höhe vom Formkörper bedeckt sind. Beispielsweise kann es sich beim optoelektronischen Halbleiterchip um einen Halbleiterchip handeln, bei dem Halbleiterschichten

epitaktisch auf ein Substrat abgeschieden sind. Es ist dann möglich, dass die Seitenflächen des Halbleiterchips derart bedeckt sind, dass die epitaktisch hergestellten Schichten frei vom Formkörper sind. Die epitaktisch hergestellten

Schichten können dann mittels eines weiteren Materials, zum Beispiel über einen Druckprozess, bedeckt werden oder bleiben frei .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das optoelektronische

Halbleiterbauteil zumindest eine Durchkontaktierung, die ein elektrisch leitendes Material umfasst. Bei dem elektrisch leitenden Material handelt es sich beispielsweise um ein Metall oder einen elektrisch leitfähigen Kleber. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Bauteil eine elektrisch leitende Verbindung, die elektrisch leitend mit dem

Halbleiterchip und der Durchkontaktierung verbunden ist. Die elektrisch leitende Verbindung ist beispielsweise mit einem Metall oder einem elektrisch leitfähigen Klebstoff gebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die Durchkontaktierung lateral

beabstandet zum Halbleiterchip angeordnet. Die laterale

Richtung ist dabei diejenige Richtung, die quer oder senkrecht zu den Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips verläuft. Das heißt, die Durchkontaktierung ist seitlich vom Halbleiterchip angeordnet und verläuft beispielsweise parallel oder im Wesentlichen parallel zu einer Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips. Die Durchkontaktierung durchdringt den Formkörper dabei vorzugsweise vollständig und erstreckt sich von einer Oberseite des Formkörpers zu einer Unterseite des Formkörpers. Dabei ist es möglich, dass die Durchkontaktierung an der Oberseite und der Unterseite des Formkörpers frei zugänglich ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils erstreckt sich die elektrisch leitende

Verbindung an der Oberseite des Formkörpers. Das heißt, die elektrisch leitende Verbindung verbindet den Halbleiterchip mit der Durchkontaktierung und verläuft dabei zwischen

Halbleiterkörper und Durchkontaktierung an der Oberseite des Formkörpers. Die elektrisch leitende Verbindung kann dabei auf einer Außenfläche des Formkörpers angeordnet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das optoelektronische

Halbleiterbauteil einen optoelektronischen Halbleiterchip, dessen Seitenflächen von einem Formkörper bedeckt sind. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest eine Durchkontaktierung, die ein elektrisch leitendes Material umfasst und eine elektrisch leitende Verbindung, die elektrisch leitend mit dem Halbleiterchip und der

Durchkontaktierung verbunden ist. Die Durchkontaktierung ist dabei lateral beabstandet zum Halbleiterchip angeordnet und durchdringt den Formkörper vollständig. Die Durchkontaktierung erstreckt sich von einer Oberseite des Formkörpers zu einer Unterseite des Formkörpers und die elektrisch leitende

Verbindung erstreckt sich an der Oberseite des Formkörpers vom Halbleiterchip zur Durchkontaktierung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Formkörper optisch reflektierend ausgebildet. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht sein, dass elektromagnetische Strahlung, insbesondere Licht

reflektierende Partikel in ein Matrixmaterial des Formkörpers eingebracht sind. Elektromagnetische Strahlung, die an den Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips austritt, kann dann vom Formkörper reflektiert werden. Der Formkörper bedeckt in diesem Fall den optoelektronischen Halbleiterchip an dessen Oberseite zumindest stellenweise nicht. Die Partikel sind zum Beispiel mit zumindest einem der folgenden

Materialien gebildet oder enthalten zumindest eines der folgenden Materialien: Tiθ2, BaSOzi, ^Zn O/ ^A lχ0y- Als besonders vorteilhaft erweist es sich, wenn der Formkörper Silikon enthält oder aus Silikon besteht und die Partikel aus

Titanoxid bestehen.

Vorzugsweise sind die Partikel in einer solchen Konzentration in den Formkörper eingebracht, dass dieser weiß erscheint.

Ferner ist es möglich, dass der Formkörper

strahlungsdurchlässig ausgebildet ist. Dies ist besonders vorteilhaft für optoelektronische Halbleiterchips, die einen großen Anteil ihrer elektromagnetischen Strahlung durch die Seitenflächen emittieren.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Halbleiterbauteil eine Vielzahl von Halbleiterchips, die mittels elektrisch leitender

Verbindungen, die sich an einer Oberseite des Formkörpers erstrecken, elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Beispielsweise können die Halbleiterchips über die elektrisch leitenden Verbindungen in Reihe oder parallel geschaltet sein. Die Halbleiterchips sind jeweils an ihren Seitenflächen vom Formkörper bedeckt. Der Formkörper stellt das

Verbindungsmaterial dar, mit dem die elektrisch leitenden Halbleiterchips zum optoelektronischen Halbleiterbauteil verbunden sind.

Im Folgenden werden das hier beschriebene Verfahren sowie das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.

Die Figuren 1 bis 3 zeigen Ausführungsbeispiele des hier

beschriebenen Verfahrens anhand schematischer

Schnittdarstellungen .

Die Figuren 4 und 5 zeigen schematische Darstellungen von

Ausführungsbeispielen hier beschriebener

optoelektronischer Halbleiterbauteile . Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Anhand der schematischen Schnittdarstellung der Figur IA ist ein erster Verfahrensschritt eines hier beschriebenen

Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen

Halbleiterbauteils näher erläutert. Bei dem Verfahren wird zunächst ein Träger 1 bereitgestellt. Bei dem Träger 1 handelt es sich beispielsweise um einen Träger, der mit einem Metall wie Kupfer oder Aluminium, mit einer Keramik, mit einem

Halbleitermaterial oder einem Kunststoff gebildet ist. An der Oberseite Ia des Trägers 1 ist eine Vielzahl von

optoelektronischen Halbleiterchips 2 angeordnet, bei denen es sich vorliegend um Leuchtdiodenchips handelt. Die

Halbleiterchips 2 sind mittels eines Verbindungsmittels 5 am Träger 1 befestigt. Bei dem Verbindungsmittel 5 handelt es sich beispielsweise um einen Klebstoff. Die Unterseite 2b der Halbleiterchips 2 ist dabei der Oberseite Ia des Trägers 1 zugewandt. An der Unterseite 2b der Halbleiterchips 2 befindet sich eine Kontaktstelle 4a, die zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips 2 vorgesehen ist. Beispielsweise handelt es sich bei der Kontaktstelle 4a um eine Metallisierung an der Unterseite 2b des Halbleiterchips 2. Eine

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips 2 kann die

Seitenflächen 2c und die Außenfläche an der Oberseite 2a umfassen .

Es ist dabei möglich, dass sich eine Kontaktstelle 4a an der Oberseite 2a und eine Kontaktstelle 4b an der Unterseite 2b befindet. Ferner können sich beide Kontaktstellen 4a, 4b an der selben Seite befinden. Ferner ist es möglich, dass es sich bei der Unterseite 2b oder der Oberseite 2a um die Abstrahlseite des Halbleiterchips 2 handelt. Das heißt, die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips 2 kann die

Seitenflächen 2c und die Außenfläche an der Oberseite 2a und / oder der Unterseite 2b umfassen.

In Verbindung mit der Figur IB ist ein weiterer

Verfahrensschritt erläutert. In diesem Verfahrensschritt wird ein Formkörper 3 beispielsweise durch Aufspritzen einer

Formmasse derart aufgebracht, dass die Seitenflächen 2c der Halbleiterchips 2 vom Formkörper bedeckt sind und der

Formkörper die Halbleiterchips 2 miteinander verbindet. Die Unterseite 3b des Formkörpers steht dabei in direktem Kontakt mit dem Träger 1 oder dem Verbindungsmittel 5 an der Oberseite Ia des Trägers 1. Der Formkörper 3 kann an seiner Oberseite 3a bündig mit der Oberfläche an der Oberseite 2a des

Halbleiterchips 2 abschließen. Darüber hinaus ist es möglich, dass der Formkörper 3 - anders als in der Figur IB dargestellt - die Seitenflächen 2c der Halbleiterchips 2 nur bis zu einer bestimmten Höhe bedeckt und die Halbleiterchips 2 den

Formkörper 3 an dessen Oberseite 3a überragen.

Der Formkörper 3 kann strahlungsdurchlässig, zum Beispiel transparent, strahlungsabsorbierend oder reflektierend

ausgebildet sein.

Im in Verbindung mit der Figur IC erläuterten

Verfahrensschritt wird der Träger 1 samt der optional

vorhandenen Verbindungsmittelschicht 5 vom Formkörper und den Halbleiterchips 2 gelöst. Es verbleibt ein Verbund aus

Halbleiterchips 2, die mittels des Formkörpers 3 miteinander verbunden sind. An der Unterseite 2b der Halbleiterchips 2 ist die Kontaktstelle 4a und - im falle einer ,,face-down" - Anordnung auch die Strahlungsdurchtrittsflache - freigelegt. In einem weiteren Verfahrensschritt, schematisch dargestellt in der Figur ID, kann der Verbund der Halbleiterchips 2 zu einzelnen optoelektronischen Halbleiterbauteilen vereinzelt werden, die einen oder mehrere Halbleiterchips 2 umfassen. Durch das Vereinzeln werden Seitenflächen 3c des Formkörpers erzeugt, welche Spuren eines Materialabtrages aufweisen.

Beispielsweise können die Seitenflächen 3c Sägerillen oder Schleifspuren aufweisen, die vom Vereinzeln des Formkörpers 3 herrühren. Jeder der Halbleiterchips 2 ist an seinen

Seitenflächen 2c vom Formkörper 3 zumindest stellenweise bedeckt .

Anhand der schematischen Schnittdarstellung der Figur 2 ist ein weiterer Verfahrensschritt erläutert, der vor oder nach dem Umformen der Halbleiterchips 2 mit der Formmasse und vor oder nach dem Entfernen des Trägers erfolgen kann. In diesem Verfahrensschritt werden Durchkontaktierungen 6 aus einem elektrisch leitenden Material erzeugt, die den Formkörper 3 von dessen Oberseite 3a zu dessen Unterseite 3b durchdringen. Die Durchkontaktierungen 6 sind lateral beabstandet zu den Halbleiterkörpern 2 angeordnet. Jedem Halbleiterkörper 2 ist vorzugsweise eine Durchkontaktierung zugeordnet. Dabei kann die Zuordnung auch eindeutig sein. Ferner ist es möglich, dass eine Durchkontaktierung 6 für mehrere Halbleiterchips 2 vorhanden ist. Nach dem Erzeugen der Durchkontaktierung 6 wird eine elektrisch leitende Verbindung 7 an der Oberseite 3a vorliegend auf der Oberfläche des Formkörpers 3 ausgebildet, die eine Kontaktstelle 4c des Halbleiterchips 2 elektrisch leitend mit der Durchkontaktierung 6 verbindet. An der

Unterseite des Formkörpers 3b sind die Durchkontaktierungen 6 frei zugänglich und bilden dort eine Kontaktstelle 4b für das Halbleiterbauteil . Anhand der Figur 3 ist in einer schematischen

Schnittdarstellung ein weiterer Verfahrensschritt erläutert, der nach dem Aufbringen des Formkörpers erfolgen kann. In diesem Verfahrensschritt wird eine LeuchtstoffSchicht 8 an der Oberseite des Formkörpers 3 auf die Halbleiterchips 2 an ihrer Oberseite 2a aufgebracht. Die LeuchtstoffSchicht 8 kann dabei über sämtliche Halbleiterchips 2 durchgehend ausgebildet sein, wie dies in der Figur 3 dargestellt ist. Ferner ist es

möglich, dass auf jedem Halbleiterchip 2 eine eigene

LeuchtstoffSchicht aufgebracht sein kann. Dies kann dann auch vor dem Aufbringen der Formmasse erfolgen. Bei den

optoelektronischen Halbleiterchips handelt es sich im

Ausführungsbeispiel der Figur 3 vorzugsweise um

Leuchtdiodenchips mit ähnlicher oder gleicher

Abstrahlcharakteristik, das heißt, mit ähnlicher oder gleicher Peak-Wellenlänge wie weiter oben beschrieben. Auf die

Halbleiterchips 2 ist eine einheitliche LeuchtstoffSchicht 8 aufgebracht. Es resultieren optoelektronische

Halbleiterbauteile mit ähnlichen oder gleichen

Abstrahlcharakteristiken. Beispielsweise erzeugen die

Halbleiterbauteile im Betrieb weißes Licht mit ähnlichem oder gleichem Farbort und/oder mit ähnlicher oder gleicher

Farbtemperatur .

Die Figuren 4A und 4B zeigen Ansichten eines hier

beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils in einer schematischen Perspektivdarstellung. Die Figur 4A zeigt das Halbleiterbauteil von der Oberseite 2a des Halbleiterchips 2 her. Das Halbleiterbauteil umfasst genau einen Halbleiterchip 2, der an seinen Seitenflächen 2c vollständig von der

Formmasse 3 umgeben ist. Durch die Formmasse 3 sind

Durchkontaktierungen 6 hin durchgeführt, die mittels elektrisch leitenden Verbindungen 7 mit Kontaktstellen 4c an der Oberseite 2a des Halbleiterchips 2 verbunden sind. An der Unterseite des Halbleiterbauteils, siehe die Figur 4B, ist eine Kontaktstelle 4a ausgebildet, mittels der der

Halbleiterchip 2 beispielsweise p-seitig kontaktiert wird. Die n-seitige Kontaktierung erfolgt dann mittels der

Kontaktstellen 4b, die durch die Durchkontaktierungen 6 gebildet sind. Zwischen den Durchkontaktierungen 6 und dem Halbleiterchip 2 ist ebenfalls der Formkörper 3 angeordnet, der die Durchkontaktierungen 6 vom Halbleiterchip 2 elektrisch isoliert .

Alternativ zum gezeigten Ausführungsbeispiel kann es sich beim Halbleiterchip 2 auch um einen Halbleiterchip handeln, bei dem beispielsweise n- und p-seitige Kontakte gemeinsam an der

Unterseite 2b des Halbleiterchips angeordnet sind. In diesem Fall kann auf die Durchkontaktierungen 6 verzichtet werden.

Die Figur 5 zeigt anhand einer schematischen Draufsicht ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

Halbleiterbauteils. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst das Halbleiterbauteil vier Halbleiterchips 2, die mittels des Formkörpers 3 miteinander verbunden sind. Die Halbleiterchips 2 sind mittels elektrisch leitender Verbindungen 7, die an der Oberseite 3a des Formkörpers 3 angeordnet sind und

beispielsweise auf der Außenfläche des Formkörpers verlaufen, elektrisch leitend miteinander verbunden. Vorliegend sind die Halbleiterchips über die elektrisch leitenden Verbindungen 7 in Reihe geschaltet und werden über Kontaktstellen 4b, die durch die Durchkontaktierungen 6 gebildet sind, sowie

Kontaktstellen 4a elektrisch kontaktiert. Das hier beschriebene Verfahren und die hier beschriebenen Halbleiterbauteile zeichnen sich unter anderem durch folgende Vorteile aus: Eine Entwärmung der Halbleiterbauteile kann ganzflächig über die gesamte Unterseite 2b der Halbleiterchips 2 erfolgen.

Über die Durchkontaktierungen 6 ist eine Flip-Chip- Kontaktierung des Halbleiterbauteils möglich. Das heißt, ein Bonddraht, der mechanisch anfällig ist, kann entfallen.

Aufgrund der Tatsache, dass eine Vielzahl von Halbleiterchips 2 gleichzeitig mit dem Formkörper 3 umgeben werden können, handelt es sich um ein besonders Kosten sparendes Verfahren.

Das Vorsortieren der optoelektronischen Halbleiterchips beispielsweise hinsichtlich ihrer Peak-Wellenlänge, ermöglicht das gleichzeitige Aufbringen einer gemeinsamen

Leuchtstoffschicht 8 auf alle Halbleiterchips, die sich dann durch ähnliche oder gleiche Abstrahlcharakteristiken

auszeichnen .

Ferner kann mittels des Verfahrens flexibel ein

Halbleiterbauteil mit einer fast beliebigen Anzahl von

Halbleiterchips 2 erzeugt werden. Die Flächennutzung des

Halbleiterbauteils ist optimal.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 036 621.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der

Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.