Beschreibung

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen

Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines

optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil

angegeben .

In der Druckschrift DE 10 2009 036 621 AI ist ein

optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, aus dem effizient Wärme

abführbar ist.

Diese Aufgabe wird unter anderem gelöst durch ein Verfahren und durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche. Bevorzugte

Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen

Patentansprüche .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils umfasst dieses einen oder mehrere optoelektronische

Halbleiterchips. Bei den Halbleiterchips handelt es sich bevorzugt um Leuchtdioden, kurz LEDs. Die Halbleiterchips können dazu eingerichtet sein, im Betrieb eine ultraviolette, sichtbare und/oder nahinfrarote Strahlung zu emittieren.

Bevorzugt emittieren die Halbleiterchips farbiges Licht oder weißes Licht. Es können die Halbleiterchips ein Chipsubstrat und eine Halbleiterschichtenfolge aufweisen. Das Chipsubstrat stellt dann eine den Halbleiterchip tragende Komponente dar. Bei dem Chipsubstrat kann es sich um ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge handeln oder um ein hiervon verschiedenes Trägersubstrat. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III- V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m N oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m P oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie

Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m As, wobei jeweils 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n + m -S 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As,

Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können . Die Halbleiterschichtenfolge umfasst zumindest eine aktive Schicht, die zur Erzeugung einer elektromagnetischen

Strahlung eingerichtet ist. Die aktive Schicht beinhaltet insbesondere wenigstens einen pn-Übergang und/oder mindestens eine Quantentopfstruktur . Eine von der aktiven Schicht im Betrieb erzeugte Strahlung liegt insbesondere im

Spektralbereich zwischen einschließlich 400 nm und 800 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der

Halbleiterchip eine Strahlungsaustrittsseite auf. Bei der Strahlungsaustrittsseite handelt es sich bevorzugt um eine

Hauptseite des Halbleiterchips, die beispielsweise senkrecht zu einer Wachstumsrichtung der Halbleiterschichtenfolge orientiert ist. Insbesondere weist der Halbleiterchip genau eine Strahlungsaustrittsseite auf. An Seitenflächen des

Halbleiterchips wird bevorzugt keine oder nur wenig Strahlung emittiert . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils umfasst dieses einen Formkörper. Der Formkörper ist

beispielsweise mittels Pressen, Gießen oder Spritzen erzeugt. Es umgibt der Formkörper den mindestens einen Halbleiterchip, in Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsseite gesehen, ringsum. Bevorzugt bedeckt der Formkörper die Seitenflächen des Halbleiterchips teilweise oder vollständig. Bei den

Seitenflächen handelt es sich um solche Begrenzungsflächen des Halbleiterchips, die senkrecht zu der

Strahlungsaustrittsseite oder im Wesentlichen senkrecht hierzu orientiert sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Formkörper formschlüssig und unmittelbar an den Halbleiterchip

angeformt. Mit anderen Worten steht der Formkörper dann in direktem, physischem Kontakt mit den Seitenflächen des

Halbleiterchips, bevorzugt nur mit diesen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das

Halbleiterbauteil oberflächenmontierbar . Es handelt sich bei dem Halbleiterbauteil also um ein so genanntes SMT-Bauteil.

Elektrische Kontaktflächen des Halbleiterbauteils liegen dann in einer gemeinsamen Ebene.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils überlappen der Formkörper und der Halbleiterchip, in

Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsseite gesehen, nicht. Der Formkörper und der Halbleiterchip überdecken sich also, in Draufsicht gesehen, nicht gegenseitig. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils weichen thermische Ausdehnungskoeffizienten der

Halbleiterchips, insbesondere der Chipsubstrate, und des Formkörpers um höchstens einen Faktor 5 oder um höchstens einen Faktor 4 oder um höchstens einen Faktor 3 oder um höchstens einen Faktor 2 oder um höchstens einen Faktor 1,5 voneinander ab. Mit anderen Worten weisen die Halbleiterchips und der Formkörper zueinander ähnliche thermische

Ausdehnungskoeffizienten, englisch coefficient of thermal expansion oder kurz CTE, auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist der Formkörper durch einen Kunststoff gebildet. Zu einer Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten ist es möglich, dass der Kunststoff des Formkörpers als

Matrixmaterial dient und in das Matrixmaterial Partikel zur Einstellung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten und weiterer Eigenschaften eingebettet sind. Als Matrixmaterial für den Formkörper werden beispielsweise Thermoplaste,

Epoxide und/oder Silikone verwendet. Die Partikel können aus einem Siliziumoxid, einem Titanoxid und/oder einem

Aluminiumoxid gebildet sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

Halbleiterbauteil mindestens vier der Halbleiterchips oder mindestens acht oder mindestens 20 oder mindestens 50. Die Halbleiterchips sind bevorzugt linear oder matrixartig angeordnet .

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das

Halbleiterbauteil einen oder, bevorzugt, mehrere

optoelektronische Halbleiterchips, die eine Strahlungsaustrittsseite aufweisen. Das

oberflächenmontierbare Halbleiterbauteil beinhaltet einen Formkörper, der Seitenflächen des Halbleiterchips

formschlüssig und unmittelbar bedeckt. In Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsseite gesehen überlappen der Formkörper und der Halbleiterchip nicht. Bevorzugt weichen thermische Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips und des

Formkörpers höchstens um einen Faktor 4 voneinander ab.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

Halbleiterbauteil mindestens einen Wärmespreizer. Der

Wärmespreizer ist bevorzugt an einer Montageseite des

Halbleiterbauteils angebracht, die der

Strahlungsaustrittsseite gegenüber liegen kann. Über die Montageseite wird das Halbleiterbauteil an einem externen Träger befestigt. Der Wärmespreizer ist elektrisch leitfähig und beispielsweise aus einem Metall oder aus einer

Metalllegierung geformt. Ebenso kann der Wärmespreizer aus einem thermisch leitfähigen und elektrisch isolierenden

Material geformt sein. Es ist möglich, dass der Wärmespreizer elektrisch von der Halbleiterschichtenfolge des mindestens einen Halbleiterchips isoliert ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist der Wärmespreizer zu zwei oder zu mehr als zwei

elektrischen Kontaktstellen strukturiert. Die Kontaktstellen sind zu einer externen elektrischen Kontaktierung des

Halbleiterbauteils eingerichtet. Zum Beispiel sind die

Kontaktstellen und der Wärmespreizer dazu vorgesehen, an einen externen Träger mittels Löten oder Kleben angebracht zu werden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Wärmespreizer eine Dicke von mindestens 10 μιη oder von mindestens 20 μιη oder von mindestens 50 μιη auf. Alternativ oder zusätzlich beträgt die Dicke höchstens 500 μιη oder höchstens 250 μιη oder höchstens 150 μιη.

Durch einen Formkörper, der in direktem Kontakt mit den

Halbleiterchips steht und der eine hohe thermische

Leitfähigkeit aufweisen kann, sowie durch den Wärmespreizer, ist eine effiziente Wärmeabfuhr aus dem Halbleiterbauteil erzielbar. Hierdurch ist eine hohe Packungsdichte der

Halbleiterchips erzielbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist der Wärmespreizer unmittelbar an dem Formkörper und an den Halbleiterchips angebracht. Mit anderen Worten berührt dann der Wärmespreizer die Halbleiterchips oder mindestens einen Teil der Halbleiterchips und den Formkörper. Alternativ ist es möglich, dass sich zwischen dem Wärmespreizer und den Halbleiterchips und/oder dem Formkörper eine Haftschicht, etwa in Form einer oder mehrerer Metallschichten, befindet, über die eine verbesserte mechanische Verbindung des

Wärmespreizers zu den Halbleiterchips und zu dem Formkörper realisierbar ist. Bevorzugt befinden sich, außer der

Kontaktmetallisierung, keine weiteren Komponenten zwischen dem Wärmespreizer und den Halbleiterchips sowie dem

Formkörper .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils umfasst dieses eine oder mehrere elektrische Durchführungen. Die elektrischen Durchführungen durchlaufen den Formkörper bevorzugt vollständig. Es können die elektrischen

Durchführungen von der Montageseite zu einer dieser gegenüberliegenden Körperoberseite des Formkörpers reichen. Durch die elektrischen Durchführungen ist eine elektrische Verbindung von der Körperoberseite zu dem Wärmespreizer möglich. Zum Beispiel sind die elektrischen Durchführungen durch ein Halbleitermaterial oder ein Metall gebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils umfasst dieses ein oder mehrere elektrische

Verbindungsmittel. Die elektrischen Verbindungsmittel sind zum Beispiel durch Bonddrähte oder durch flache Leiterbahnen, die an der Körperoberseite verlaufen und parallel zu dieser ausgerichtet sein können, gebildet. Die elektrischen

Verbindungsmittel oder mindestens ein Teil dieser sind mit elektrischen Kontaktstellen der Halbleiterchips und mit den elektrischen Durchführungen verbunden. Die Kontaktstellen befinden sich bevorzugt an der Strahlungsaustrittsseite.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens ein Teil der Halbleiterchips oder sind alle Halbleiterchips durch die elektrischen Verbindungsmittel elektrisch in Serie

geschaltet. Es können mehrere Gruppen von in Serie

geschalteten Halbleiterchips vorhanden sein. Die einzelnen Gruppen der in Serie geschalteten Halbleiterchips sind beispielsweise elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbar.

Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Mit dem Verfahren wird insbesondere ein optoelektronisches

Halbleiterbauteil hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für das

Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das

Verfahren den Schritt des Bereitstellens eines

Zwischenträgers mit einer Trägeroberseite. Bei dem

Zwischenträger kann es sich um ein hartes, planares Substrat handeln, das mit einer Folie bespannt ist. Bei der Folie kann es sich um eine so genannte Thermal-Release-Folie handeln.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips auf der Trägeroberseite angebracht. Insbesondere werden die

Halbleiterchips unmittelbar auf dem Zwischenträger, bevorzugt auf der Thermal-Release-Folie, angebracht. Mehrzahl kann bedeuten, dass mindestens tausend oder mindestens fünftausend oder mindestens zehntausend der Halbleiterchips auf dem

Träger angebracht werden.

In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils eingerichtet und umfasst mindestens oder nur die folgenden Schritte:

- Bereitstellen eines Zwischenträgers mit einer

Trägeroberseite,

- Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen

Halbleiterchips auf der Trägeroberseite, wobei

Strahlungsaustrittsseiten der Halbleiterchips der

Trägeroberseite zugewandt sind und die Halbleiterchips voneinander beabstandet sind,

- Erstellen eines Formkörpers, der die Halbleiterchips in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, und

- Entfernen des Zwischenträgers, wobei thermische Ausdehnungskoeffizienten der Halbleiterchips und des Formkörpers beispielsweise um höchstens einen Faktor 4 voneinander abweichen. Bevorzugt werden die einzelnen Verfahrensschritte in der oben angegebenen Reihenfolge durchgeführt. Soweit technisch möglich, kann auch eine hiervon abweichende Reihenfolge realisiert sein. Beim Herstellen von LED-Arrays durch Löten der Chips kann, insbesondere bei einer Verflüssigung des Lotes, eine kleine laterale Verschiebung oder Verdrehung der zu verlötenden Halbleiterchips erfolgen. Zur Vermeidung von Kurzschlüssen ist daher ein Mindestabstand im Bereich > 100 ym zwischen den Halbleiterchips erforderlich. Wird alternativ zum Löten ein Kleben zum Anbringen der Halbleiterchips eingesetzt, so ist der thermische Widerstand durch den Kleber im Vergleich zu einem metallischen Lot im Regelfall erhöht. Hierdurch ist die Packungsdichte des Arrays limitiert.

Durch die beschriebene Prozess-Abfolge sind die

Halbleiterchips besonders dicht packbar, da die

Halbleiterchips nicht gelötet, sondern lediglich temporär auf dem Zwischenträger fixiert werden müssen. Dies kann mit heute verfügbaren Platzierungsautomaten mit einer Ablagegenauigkeit im lOym-Bereich bewerkstelligt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den zusätzlichen Schritt des Anbringens und/oder Erzeugens des Wärmespreizers an Unterseiten des Formkörpers und der

Halbleiterchips, wobei diese Unterseiten dem Zwischenträger abgewandt sind. Das Aufbringen des Wärmespreizers erfolgt bevorzugt nach dem Entfernen des Zwischenträgers, kann aber auch zuvor erfolgen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Aufbringen des Wärmespreizers strukturiert. Insbesondere wird der Wärmespreizer zu genau zwei oder mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen des Halbleiterbauteils

strukturiert aufgebracht oder erzeugt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt nach dem Aufbringen und/oder Erstellen des Wärmespreizers keine nachträgliche Strukturierung. Mit anderen Worten wird der Wärmespreizer dann beispielsweise nicht nachträglich geätzt oder mechanisch bereichsweise wieder entfernt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Wärmespreizer über mindestens drei der Halbleiterchips hinweg durchgehend aufgebracht. Der Wärmespreizer erstreckt sich dann zusammenhängend und bevorzugt lückenlos und ohne

Einschnürungen über die Halbleiterchips hinweg. Es kann der Wärmespreizer also stellenweise plattenförmig ausgebildet sein. Auch ist es möglich, dass sich der Wärmespreizer zusammenhängend und durchgehend über alle Halbleiterchips erstreckt, mindestens über Gruppen von Halbleiterchips, die für eines der fertig hergestellten Halbleiterbauteile

vorgesehen sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Wärmespreizer galvanisch auf den Formkörper und auf die Halbleiterchips aufgebracht. Hierdurch sind vergleichsweise große Dicken des Wärmespreizers kosteneffizient realisierbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Aufbringen des Wärmespreizers in Form einer vorstrukturierten Folie. Bei der Folie kann es sich um eine Metallfolie handeln, zum

Beispiel mit einer Dicke von > 100 ym oder > 200 ym.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die

Halbleiterchips derart auf den Zwischenträger aufgebracht, dass alle elektrischen Kontaktstellen der Halbleiterchips sich an einer dem Zwischenträger zugewandten Seite befinden. Mit anderen Worten können alle Kontaktstellen der

Halbleiterchips sich an der Strahlungsaustrittsseite befinden und die Kontaktstellen können die Trägeroberseite berühren.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein mittlerer Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips mindestens

10 μιη oder mindestens 20 μιη oder mindestens 30 μιη. Alternativ oder zusätzlich beträgt der mittlere Abstand zwischen den benachbarten Halbleiterchips höchstens 250 μιη oder höchstens 150 μιη oder höchstens 100 μιη oder höchstens 70 μιη.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Halbleiterbauteile durch ein Vereinzeln des Formkörpers gebildet. Es wird also beim Erzeugen des Zwischenträgers ein Kunstwafer gebildet. Dieser künstliche Wafer, der die

Halbleiterchips bevorzugt alle mechanisch miteinander fest verbindet, wird dann etwa durch ein Sägen oder durch ein Schneiden unterteilt und die einzelnen, unterteilten

Abschnitte mit den zugehörigen Halbleiterchips sind dann die fertigen Halbleiterbauteile.

Die auf dem Zwischenträger temporär fixierten Halbleiterchips werden also zum Beispiel durch einen Einbettungsprozess alle mechanisch miteinander verbunden, sodass der durch den Formkörper gebildete Kunstwafer entsteht. Durch ein Aufteilen des Kunstwafers, zum Beispiel mittels Sägen oder

Lasertrennen, entstehen die fertigen Halbleiterbauelemente in Form einzelner, unterteilter Abschnitte mit den zugehörigen Halbleiterchips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden vor dem Erstellen des Formkörpers eine oder mehrere

elektrische Durchführungen auf der Trägeroberseite platziert. Bevorzugt berühren die elektrischen Durchführungen die

Trägeroberseite. Es ist möglich, dass die Durchführungen bei der Bestimmung des mittleren Abstands zwischen benachbarten Halbleiterchips als Halbleiterchip mit einbezogen werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfassen die vereinzelten, fertig hergestellten Halbleiterbauteile jeweils eine oder zwei oder mehr als zwei der Durchführungen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der erstellte Formkörper und somit der Kunstwafer einen mittleren Durchmesser von mindestens 100 mm oder von

mindestens 150 mm oder von mindestens 200 mm auf. Der

Formkörper kann hierbei eine runde äußere Form aufweisen oder auch rechteckig geformt sein. Es ist möglich, dass der

Formkörper dann eine mittlere Kantenlänge von mindestens 250 mm oder von mindestens 350 mm aufweist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein mittleres Rastermaß der Anordnung der Halbleiterchips sowie der

elektrischen Durchführungen höchstens 3 mm oder höchstens 2 mm oder höchstens 1,5 mm. Mittleres Rastermaß bedeutet, dass ein Mittelwert eines Rastermaßes entlang zweier

orthogonaler Raumrichtungen gebildet wird, sofern das Rastermaß entlang dieser Raumrichtungen voneinander

verschieden ist. Rastermaß bezeichnet insbesondere einen Abstand von Mittelpunkten der Halbleiterchips und/oder der Durchführungen zueinander. Es ist möglich, dass bei der

Bestimmung des Rastermaßes nur die Halbleiterchips

herangezogen werden oder dass bei der Bestimmung des

Rastermaßes die Durchführungen als Halbleiterchips zählen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt eine Verschaltung der Halbleiterchips, insbesondere mit Hilfe der elektrischen Verbindungsmittel, nachdem der

Zwischenträger entfernt ist. Hierdurch sind beide Hauptseiten der Halbleiterchips frei zugänglich und eine elektrische Verschaltung ist einfacher erzielbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist eine Dicke der Durchführungen, senkrecht zur Trägeroberseite und/oder senkrecht zu den Strahlungsaustrittsseiten, größer oder gleich einer Dicke der Halbleiterchips. Bevorzugt weisen die Halbleiterchips und die Durchführungen die gleiche Dicke auf, im Rahmen der Herstellungstoleranzen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Formkörper mit einer Dicke erstellt, die größer ist als eine Dicke der Halbleiterchips. Mit anderen Worten überragt dann der Formkörper die Halbleiterchips, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite. Eine dem Zwischenträger abgewandte

Unterseite der Halbleiterchips ist beispielsweise teilweise oder vollständig von einem Material des Formkörpers bedeckt. Die Dicke des Formkörpers übersteigt die Dicke der

Halbleiterchips beispielsweise um mindestens 5 μιη oder um mindestens 10 μιη und alternativ oder zusätzlich um höchstens 250 μιη oder um höchstens 100 μιη. Alternativ ist es möglich, dass der Formkörper deutlich dicker als die Halbleiterchips erzeugt wird. Eine Dicke des Formkörpers liegt dann zum

Beispiel zwischen einschließlich 0,75 mm und 1,5 mm oder zwischen einschließlich 0,5 mm und 2,5 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Formkörper nach dessen Erstellung und bevorzugt vor dem

Aufbringen der elektrischen Verbindungsmittel und/oder vor dem Erzeugen des Wärmespreizers bearbeitet. Durch die

Bearbeitung des Formkörpers, das beispielsweise ein Schleifen oder ein Ätzen ist, wird die Dicke des Formkörpers auf die Dicke der Halbleiterchips reduziert. Es ist möglich, dass nur ein Material des Formkörpers entfernt wird. Alternativ kann in geringem Maß auch ein Material der Halbleiterchips, insbesondere der Chipsubstrate, entfernt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Halbleiterchips dicht gepackt, in Draufsicht gesehen. In einem Anordnungsbereich machen die Halbleiterchips dann einen großen Flächenanteil aus, beispielsweise mindestens 60 %. Der Anordnungsbereich ist ein solcher Bereich des

Halbleiterbauteils, in dem die Halbleiterchips von einer engsten Umrisslinie umfasst sind. Insbesondere lateral neben den Halbleiterchips befindliche Bereiche zu einer Montage sind dann bevorzugt nicht von dem Anordnungsbereich erfasst.

Dicht gepackt kann also bedeuten, dass die Halbleiterchips in dem Anordnungsbereich und/oder bezogen auf das gesamte

Halbleiterbauteil einen Flächenanteil von mindestens 20 % oder von mindestens 30 % oder von mindestens 45 % oder von mindestens 60 % oder von mindestens 80 % ausmachen, in

Draufsicht gesehen. Derartige optoelektronische Halbleiterbauteile können zu Beleuchtungszwecken, beispielsweise in der

Allgemeinbeleuchtung oder als Scheinwerfer, englisch

Spotlights oder Headlamps, eingesetzt werden. Es sind mit derartigen optoelektronischen Halbleiterbauteilen hohe

Leuchtdichten erzielbar.

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil sowie ein hier beschriebenes Verfahren unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von

Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1A bis 1H eine schematische Darstellung eines

Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zur

Herstellung von hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterbauteilen, und

Figuren 2 bis 5 schematische Darstellungen von

Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen.

In Figur 1 ist in schematischen Schnittdarstellungen ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 angegeben. Im

Verfahrensschritt gemäß Figur 1A ist ein temporärer

Zwischenträger 2 mit einer Trägeroberseite 20 bereitgestellt. Unmittelbar auf der Trägeroberseite 20 sind mehrere

optoelektronische Halbleiterchips 3 angebracht.

Die Halbleiterchips 3 weisen beispielsweise jeweils ein Chipsubstrat 31 und eine Halbleiterschichtenfolge 32 auf.

Beispielsweise sind die Halbleiterchips 3 ausgeformt, wie in Verbindung mit der Druckschrift US 2010/0171135 AI

beschrieben, deren Offenbarungsgehalt durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Halbleiterschichtenfolge 32 befindet sich näher an dem Zwischenträger 2 als das Chipsubstrat 31. In Figur 1A sind das Chipsubstrat 31 und die Halbleiterschichtenfolge 32 durch eine Strich-Linie voneinander symbolisch separiert. Eine Strahlungsaustrittsseite 30 der Halbleiterchips 3 ist durch die dem Zwischenträger 2 zugewandte Grenzfläche der

Halbleiterschichtenfolge 32 gebildet. An der

Strahlungsaustrittsseite 30 befinden sich bevorzugt jeweils zwei elektrische Kontaktstellen 36 des Halbleiterchips 3.

Weiterhin ist der Halbleiterchip 3 bevorzugt kein so

genannter Volumen-Emitter. Es gelangt dann keine oder im Wesentlichen keine in der Halbleiterschichtenfolge 32 erzeugte Strahlung in das Chipsubstrat 31. Zum Beispiel befindet sich zwischen dem Chipsubstrat 31 und der

Halbleiterschichtenfolge 32 dann eine reflektierende Schicht wie ein Metallspiegel. Alternativ ist es auch möglich, dass die Halbleiterchips 3 Volumen-Emitter sind und dann eine Reflexionsschicht an den Seitenflächen 34 und/oder an der Unterseite 35 aufgebracht ist und/oder dass der Formkörper 4 diffus oder spekular reflektierend oder auch

strahlungsdurchlässig, also klarsichtig oder trüb, gestaltet ist . Das Chipsubstrat 31 kann durch eine Keramik wie

Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumoxid gebildet sein. Ebenso ist es möglich, dass das Chipsubstrat 31 aus einem Halbleitermaterial wie Germanium gefertigt ist. Ist das Chipsubstrat 31 aus einem elektrisch leitenden Material geformt, so kann die Unterseite 35 mit einer elektrisch isolierenden Schicht versehen sein, in den Figuren nicht gezeichnet .

Die Halbleiterchips 3 sind an der Trägeroberseite 20 in

Gruppen für einzelne Halbleiterbauteile 1 dicht gepackt angeordnet. Zwischen benachbarten Gruppen können die

Halbleiterchips 3 weiter voneinander beabstandet sein. Dicht gepackt kann bedeuten, dass die Halbleiterchips 3, bezogen auf eine Grundfläche des später fertig hergestellten

Halbleiterbauteils 1 und in Draufsicht gesehen, einen

Flächenanteil von mindestens 20 % oder von mindestens 30 % oder von mindestens 45 % oder von mindestens 60 % ausmachen, wie dies auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich ist .

Die einzelnen Halbleiterchips 3 weisen beispielsweise

Kantenlängen im Bereich von 0,3 mm bis 3 mm, insbesondere im Bereich von 0,5 mm bis 2 mm, auf. Ein Abstand L zwischen benachbarten Halbleiterchips liegt in der Größenordnung von 100 μιη. Eine dem Zwischenträger 2 abgewandte Unterseite 35 des Halbleiterchips 3 ist durch das Chipsubstrat 31 gebildet. Im Verfahrensschritt gemäß Figur 1B wird ein Formkörper 4 erzeugt, beispielsweise durch Pressen, Spritzen oder Gießen, etwa in einer zweiteiligen Form. Der Zwischenträger 2 bildet dabei bevorzugt den Teil einer Gussform oder einer Pressform. Gemäß Figur 1B wird der Formkörper derart erzeugt, dass dieser eine größere Dicke D' aufweist als eine Dicke d der Halbleiterchips 3. Ein Unterschied in den Dicken D' , d liegt beispielsweise bei ungefähr 10 ym. Die Unterseiten 35 der Halbleiterchips 3 sind von dem Formkörper 4 vollständig bedeckt. Der Formkörper wird ringsum und unmittelbar an

Seitenflächen 34 der Halbleiterchips 3 angeformt.

Der Formkörper 4 und die Halbleiterchips 3, insbesondere die Chipsubstrate 31, weisen möglichst ähnliche thermische

Ausdehnungskoeffizienten auf. Hierdurch sind großflächige Formkörper 4 erzielbar, ohne dass ein signifikantes Verbiegen der Formkörper 4 erfolgt, etwa durch ein Erhitzen im Betrieb der optoelektronischen Halbleiterchips 3. Die Formkörper 4 bilden einen Kunstwafer, in dem alle Halbleiterchips 3 mechanisch fest integriert sind.

Der Formkörper 4 kann ein Matrixmaterial aus einem Kunststoff aufweisen, in das Partikel zur Anpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten und/oder zur Verbesserung einer thermischen Leitfähigkeit und/oder zur Einstellung optischer Eigenschaften dienen. So können dem Füllkörper 4 Partikel aus Titandioxid beigegeben sein, sodass der Formkörper 4 einem Betrachter zum Beispiel weiß erscheint und eine hohe

Reflektivität aufweist.

In Figur IC ist gezeigt, dass das Material des Formkörpers 4 und optional auch ein Material der Halbleiterchips 3

teilweise entfernt ist. Hierdurch werden die Unterseiten 35 der Halbleiterchips 3 freigelegt. Der Formkörper 4 und die Halbleiterchips 3 weisen dann die gleichen Dicken D, d auf. Die Unterseite 35 der Halbleiterchips 3 sowie die Unterseite 45 des Formkörpers 4 schließen bündig miteinander ab und liegen in einer gemeinsamen Ebene.

Anders als in den Figuren 1B und IC illustriert ist es auch möglich, dass der Formkörper 4 mit derselben Dicke D erstellt wird wie die Dicken d der Halbleiterchips 3. Das Material des Formkörpers 4 bedeckt dann keine der Hauptseiten des

Halbleiterchips 3, sondern nur dessen Seitenflächen 34. Der Schritt des teilweisen Entfernens des Materials des

Formkörpers 4, wie in Verbindung mit Figur IC gezeigt, kann dann entfallen.

In Figur 1D ist der optionale Verfahrensschritt dargestellt, wonach auf eine dem Zwischenträger 2 abgewandte Unterseite 45 des Formkörpers 4 sowie auf die Unterseiten 35 der

Halbleiterchips 3 ein Wärmespreizer 6 aufgebracht wird. Der Wärmespreizer 6 ist bevorzugt durch ein Metall oder eine Metalllegierung gebildet und kann unmittelbar auf den

Formkörper 4 sowie die Halbleiterchips 3 aufgebracht sein. Anders als in Figur 1D dargestellt ist es möglich, dass der Wärmespreizer 6 über der gesamten Unterseite 45 des

Formkörpers 4 aufgebracht wird.

Optional ist es möglich, dass sich zwischen dem Formkörper 4 und den Halbleiterchips 3 einerseits und dem Wärmespreizer 6 andererseits Metallisierungsschichten befinden. Solche

Metallisierungsschichten können, in eine Richtung weg von dem Zwischenträger 2, durch eine Titanschicht, eine Platinschicht und eine Goldschicht gebildet sein, wobei diese Schichten jeweils Dicken im Bereich einiger hundert Nanometer

aufweisen. Solche Schichten sind insbesondere dann vorhanden, falls kein Wärmespreizer 6 an den Unterseiten 45, 35 der Halbleiterchips 3 und/oder des Formkörpers 4 erstellt wird. Ferner kann auf solche Metallisierungsschichten und/oder auf den Wärmespreizer 6 eine Lotschicht, etwa AuSn, aufgebracht sein . Beim Verfahrensschritt gemäß Figur IE wird der Zwischenträger 2 entfernt, beispielsweise durch ein Erhitzen des Trägers 2. Abweichend von der Darstellung gemäß der Figuren 1D und IE ist es alternativ auch möglich, dass zuerst der

Zwischenträger 2 entfernt wird und dass erst anschließend der Wärmespreizer 6 erstellt wird.

Gemäß Figur 1F werden die elektrischen Kontaktstellen 36 der Halbleiterchips 3 mindestens teilweise über ein elektrisches Verbindungsmittel 7 miteinander verbunden. Bei Figur 1F handelt es sich bei dem Verbindungsmittel 7 um einen

Bonddraht. Alternativ hierzu ist es möglich, siehe Figur IG, dass das Verbindungsmittel 7 durch Leiterbahnen gebildet ist, die parallel zur Strahlungsaustrittsseite 30 und zur

Körperoberseite 40 verlaufen und in unmittelbarem Kontakt zu diesen stehen. Die Strahlungsaustrittsseite 30 und die

Körperoberseite 40 können in einer gemeinsamen Ebene liegen, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen. Eine

derartige Kontaktierung ist auch in der Druckschrift US

2009/0127573 AI angegeben, deren Offenbarungsgehalt durch Rückbezug aufgenommen wird. Optional kann auf die

Leiterbahnen 7 eine elektrische Isolierschicht aufgebracht sein, die in Figur IG nicht gezeigt ist.

Wie in allen anderen Ausführungsbeispielen auch ist es möglich, dass auf die Strahlungsaustrittsseiten 30 eine optische Komponente wie eine Linse oder ein Konversionsmittel zu einer Wellenlängenkonversion von in den Halbleiterchips 3 erzeugter Strahlung aufgebracht wird. Derartige optische Elemente sind zur Vereinfachung der Darstellung in den

Figuren jeweils nicht gezeichnet. Ebenso können

verschiedenfarbig emittierende Halbleiterchips 3 miteinander kombiniert werden.

Gemäß Figur 1H wird der Formkörper 4 zu einzelnen

Halbleiterbauteilen 1 vereinzelt. Dies kann durch ein Sägen in Vereinzelungsbereichen 8, symbolisiert durch Strich-Punkt- Linien, geschehen.

In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des

optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 in einer

schematischen Schnittdarstellung gezeigt. In den Formkörper 4 sind zwei elektrische Durchführungen 5a, 5b eingearbeitet. Bei den elektrischen Durchführungen 5 kann es sich um so genannte Quasi-Chips handeln. Über die Durchführungen 5a, 5b ist eine elektrische Verbindung von der Körperoberseite 40 zu der Unterseite 45 des Formkörpers 4 hergestellt. Weiterhin ist durch die Durchführungen 5a, 5b und die Verbindungsmittel 7 eine elektrische Verbindung zwischen den Kontaktstellen 36 der Halbleiterchips 3 und dem Wärmespreizer 6 hergestellt.

Der Wärmespreizer 6 ist zu elektrischen Kontaktstellen 65a, 65b zu einer externen elektrischen Kontaktierung des

oberflächenmontierbaren Halbleiterbauteils 1 strukturiert. Insbesondere über die Kontaktstelle 65a, die sich über alle Halbleiterchips 3 zusammenhängend erstreckt, ist eine

effiziente Wärmeabfuhr aus dem Halbleiterbauteil 1 heraus möglich .

In einer schematischen Draufsicht ist in Figur 3 ein weiteres Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils 1 gezeigt. Die zum Beispiel vier Halbleiterchips 3 sind matrixartig angeordnet und durch die Verbindungsmittel 7a, 7b, bei denen es sich um Bonddrähte oder Leiterbahnen handeln, elektrisch in Serie geschaltet. Über die Durchführung 5a sind die Halbleiterchips 3 mit der sich unter den Halbleiterchips 3 befindlichen

Kontaktstelle 65a des Wärmespreizers 6 verbunden. Über das Verbindungsmittel 7b ist eine Verbindung zu der Durchführung 5b hergestellt. Die Durchführung 5b befindet sich, in

Draufsicht gesehen, über der Kontaktstelle 65b. Die

Kontaktstelle 65b ist lateral neben den Halbleiterchips 3 angeordnet. In Figur 3 sind die Kontaktstellen 65a, 65b und somit der Wärmespreizer 6 durch Strich-Linien symbolisiert.

Die Halbleiterchips 3 sind dicht gepackt. Insbesondere in einem Anordnungsbereich 38 der Halbleiterchips 4 nehmen die Halbleiterchips 3 einen Flächenanteil, in Draufsicht gesehen, von mindestens 60 % ein. Der Anordnungsbereich 38 ist hierbei ein Bereich, der von einer engsten Umrisslinie um die

Halbleiterchips 3 des Halbleiterbauteils 1 herum eingefasst ist. Die Umrisslinie, die den Anordnungsbereich 38 einfasst, ist in Figur 3 als Strich-Punkt-Linie gezeichnet.

Anders als dargestellt können mehrere Gruppen von

Halbleiterchips 3 vorhanden sein, die bevorzugt einzeln ansteuerbar sind. Das Halbleiterbauteil 1 weist dann

bevorzugt mehr als zwei Durchführungen 5a, 5b auf.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 4, siehe die Draufsicht in Figur 4A und die Schnittdarstellung in Figur 4B, weist das Halbleiterbauteil 1 nur einen einzigen Halbleiterchip 3 auf. Eine elektrische Kontaktierung erfolgt einerseits unmittelbar über die Unterseite 35 des Halbleiterchips 3 und den

Wärmespreizer 6 und die dazugehörige Kontaktstelle 65a.

Ferner ist eine elektrische Verbindung zu einer Montageseite des Halbleiterbauteils 1 über die Kontaktstelle 36 an der Strahlungsaustrittsseite 30, das Verbindungsmittel 7 und die Durchführung 5 hin zu der Kontaktstelle 65b gebildet. Die Kontaktstellen 65a, 65b sowie der Wärmespreizer 6 sind in Figur 4A nicht eingezeichnet.

Gemäß Figur 5 ist der Wärmespreizer 6 nicht zu einer

elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils 1

eingerichtet, wie dies auch in allen anderen

Ausführungsbeispielen möglich ist. Der Wärmespreizer 6 ist dann bevorzugt von den Halbleiterchips 3 elektrisch isoliert, zum Beispiel mittels einer nicht gezeichneten

Zwischenschicht, oder der Wärmespreizer 6 ist aus einem elektrisch nicht leitfähigen Material geformt oder mit einem solchen Material beschichtet.

Ebenso ist es möglich, dass die Halbleiterchips 3

Chipsubstrate aufweisen, die elektrisch isolierend sind, sodass keine elektrisch leitende Verbindung zwischen

Halbleiterschichtenfolgen der Halbleiterchips 3 und dem

Wärmespreizer 6 vorliegt. In diesem Fall kann der

Wärmespreizer 6 elektrisch leitend oder elektrisch isolierend sein . Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die

Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.

Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2012 002 605.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.