Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen

Halbleiterbauelements

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines

optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102014112769.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Vorliegend soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem es möglich ist, eine Konversionsschicht auf vergleichsweise kleine Bereiche eines optoelektronischen

Halbleiterbauelements aufzubringen. Insbesondere soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem es möglich ist,

Konversionsschichten auf vergleichsweise kleine

Subpixelbereiche zur Erzeugung verschiedener Farben

aufzubringen.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausführungen des Verfahrens sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements wird ein Halbleiterkörper bereitgestellt. Eine

photoleitfähige Schicht wird auf eine

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Der Halbleiterkörper ist dazu ausgebildet, im Betriebszustand elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Dass eine Schicht oder ein Element „auf" oder „über" einer anderen Schicht oder einem anderen Element oder auch

„zwischen" zwei anderen Schichten oder Elementen angeordnet oder aufgebracht ist, kann hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar im direkten mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist.

Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist.

Dabei können dann weitere Schichten und/oder Elemente

zwischen der einen und der anderen Schicht oder dem einen und dem anderen Element angeordnet sein.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt ein

Belichten zumindest eines Teilbereichs der photoleitfähigen Schicht mit von dem Halbleiterkörper erzeugter

elektromagnetischer Strahlung.

Die photoleitfähige Schicht enthält ein photoleitfähiges Material. Unter einem photoleitfähigen Material wird hier und im Folgenden ein Material verstanden, welches bei Einwirkung von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere von Strahlung in einem sichtbaren Wellenlängenbereich, eine Erhöhung seiner elektrischen Leitfähigkeit erfährt, beispielsweise unter Wirkung des inneren photoelektrischen Effektes. Insbesondere können Bereiche der photoleitfähigen Schicht, welche mit elektromagnetischer Strahlung belichtet werden, lokal eine höhere elektrische Leitfähigkeit aufweisen als andere

Bereiche, auf welche keine elektromagnetische Strahlung trifft. Die Bandlücke der der photoleitfähigen Schicht ist bevorzugt im Bereich von 0.8 - 3.6 eV angeordnet, besonders bevorzugt im Bereich von 1 - 3 eV. Der Dunkelwiderstand der

photoleitfähigen Schicht beträgt bevorzugt mindestens 0.1 ΜΩ, besonders bevorzugt mindestens 1 ΜΩ, beispielsweise

mindestens 10 ΜΩ. Weiterhin beträgt er beispielsweise weniger als 100 ΜΩ. Bei einer Belichtungsstärke von z.B. 0.1 W/mm2 steigt die Leitfähigkeit bevorzugt um 0.001 - 14

Größenordnungen an, besonders bevorzugt um 0,01 - 5

Größenordnungen, beispielsweise um 0,1 - 1 Größenordnungen. Die Ladungsträgerdiffusion (besonders in einer lateralen Richtung) in der photoleitfähigen Schicht sollte klein sein, so dass bei benachbarten Pixeln oder Subpixeln durch

Diffusion keine oder wenig Ladungsträger zur Verfügung stehen.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt ein

Abscheiden einer Konversionsschicht auf dem (belichteten oder zumindest vorgehend belichteten) Teilbereich der

photoleitfähigen Schicht durch einen Elektrophoreseprozess. Die Konversionsschicht ist dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Mit anderen Worten ist die Konversionsschicht wellenlängenkonvertierend ausgebildet.

Mit dem Begriff „wellenlängenkonvertierend" ist vorliegend insbesondere gemeint, dass eingestrahlte elektromagnetische Strahlung eines bestimmten Wellenlängenbereichs in

elektromagnetische Strahlung eines anderen, bevorzugt

längerwelligen, Wellenlängenbereichs umgewandelt wird. In der Regel absorbiert ein wellenlängenkonvertierendes Element elektromagnetische Strahlung eines eingestrahlten Wellenlängenbereiches, wandelt diese durch elektronische Vorgänge auf atomarer und/oder molekularer Ebene in

elektromagnetische Strahlung eines anderen

Wellenlängenbereiches um und sendet die umgewandelte

elektromagnetische Strahlung wieder aus.

Bei dem Elektrophoreseprozess werden die aufzubringenden Leuchtstoffpartikel , beispielsweise des Leuchtstoffs, mittels eines elektrischen Feldes beschleunigt, sodass eine Schicht dieser Leuchtstoffpartikel auf einer bereitgestellten

Oberfläche abgeschieden wird. In der Regel wird die zu beschichtende Oberfläche in einem Elektrophoresebad

bereitgestellt, das die Leuchtstoffpartikel , die die

Konversionsschicht bilden sollen, in einer Suspension

enthält. Bei dem Elektrophoreseprozess werden die

Leuchtstoffpartikel lediglich auf den Teilen der Oberfläche abgeschieden, die elektrisch leitend ausgebildet ist.

Abhängig von der elektrischen Leitfähigkeit dieser Bereiche findet in der Regel eine unterschiedliche Abscheidung der Leuchtstoffpartikel statt.

Dadurch, dass eine elektrophoretische Abscheidung im

Wesentlichen nur in dem Teilbereich der photoleitfähigen Schicht erfolgt, welcher belichtet wird oder zumindest vorgehend belichtetet wurde, ist es möglich, die laterale Position der Konversionsschicht besonders gut zu bestimmen. Insbesondere kann sie mit einer besonders hohen, bevorzugt pixelfeinen Auflösung aufgebracht werden. Des Weiteren ist es nicht notwendig, die Position der Konversionsschicht durch lithografische Prozesse (beispielsweise durch eine n-seitige Phototechnik) zu bestimmen, welche eine Auflösung aufweisen, die in vielen Fällen schlechter als die gewünschte Pixelgröße ist. Insgesamt wird die Anzahl der lithografischen Schritte bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements reduziert, wodurch Maskenvorhalte entfallen.

Außerdem ist es möglich, mehrere unterschiedliche

Konversionsschichten mit verschiedenen Konversionsmaterialen nebeneinander auf sehr kleinen Flächen aufzubringen. Es bestehen verschiedene Möglichkeiten, benachbarte Pixel verschiedener oder gleicher Farben zu definieren. Wie oben erläutert, wird bei dem Verfahren eine

Konversionsschicht elektrophoretisch auf einer

photoleitfähigen Schicht abgeschieden. Ein Verfahren zur Aufbringung einer Konversionsschicht auf eine photoleitfähige Schicht ist beispielsweise in der Druckschrift A. J. Pascall et al . , Adv. Mater. Volume 26, Issue 14, pages 2252 - 2256, beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens enthält die photoleitfähige Schicht T1O ₂ (beispielsweise n-dotiertes

T1O ₂ , z.B. Nb-dotiert) , ZnO (beispielsweise n-dotiertes ZnO, z.B. In-dotiert) , ZnS, ZnSe, CdS, SrTi0 ₃ , AgI, GaN, In _x Gai_ _x N, FeTi0 ₃ oder besteht aus einem dieser Materialien. Ebenso können organische Halbleitermaterialien und Photohalbleiter in der photoleitenden Schicht verwendet werden. Unter organischen Halbleitern versteht man Moleküle, Oligomere und Polymere, die auf organischen Molekülen basieren

(beispielsweise auch organische Metallkomplexe) . Die photoleitfähige Schicht kann beispielsweise durch ein Aufbringverfahren wie etwa ein Aufdampf- oder

Abscheideverfahren herstellbar sein. Ein solches

Aufbringverfahren kann ein Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung („chemical vapor deposition", CVD) oder ein Verfahren zur physikalischen Gasphasenabscheidung

(„physical vapor deposition", PVD) oder eine Kombination aus solchen Verfahren sein. Beispielhaft für solche

Aufbringverfahren seien Atomlagenabscheidung (ALD) ,

thermisches Verdampfen, Elektronenstrahlverdampfen,

Laserstrahlverdampfen (PLD) , Lichtbogenverdampfen,

Molekularstrahlepitaxie, Sputtern, Magnetronsputtern,

Laserablation und plasmaunterstützte chemische

Gasphasenabscheidung genannt. Alternativ kann die

photoleitfähige Schicht durch einen Elektrophoreseprozess oder nasschemisch auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht werden. Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt eine Dicke der photoleitfähigen Schicht zwischen 10 nm und 5 ym, insbesondere zwischen 100 nm und 500 nm.

Die Konversionsschicht umfasst in der Regel

Leuchtstoffpartikel eines Leuchtstoffs, die der

Konversionsschicht die wellenlängenkonvertierenden

Eigenschaften verleihen.

Für die Leuchtstoffpartikel ist beispielsweise eines der folgenden Materialien geeignet: mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte

Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte

Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte SiAlONe. Insbesondere können Leuchtstoffe verwendet werden, die durch die allgemeinen Formeln (Y, Lu, Gd, Tb) ₃ (Ali- _x ,Gax)50i ₂ :Ce ³⁺ ; (Ca, Sr) AlSiN ₃ : Eu ²⁺ , Sr (Ca,

Sr) Si ₂ Al ₂ N ₆ :Eu ²⁺ , ( Sr, Ca) AlSiN ₃ * Si ₂ N ₂ 0 : Eu ²⁺ ,

(Ca,Ba, Sr) ₂ Si ₅ N ₈ :Eu ²⁺ ; (Ca, Sr) AI ₍₁ - ₄ χ/3) Si ₍ i _+x) N ₃ : Ce; (x = 0.2 - 0.5) ; (Ba, Sr,Ca) Si ₂ 0 ₂ N ₂ :Eu ²⁺ ,AE ₂ _ _x - _a RE _x Eu _a Sii- _y 0 ₄ -x- _2y N _x ) , (Ba, Sr, Ca) ₂ Si0 ₄ :Eu ²⁺ ; Ca ₈ Mg (Si0 ₄ ) ₄ C1 ₂ :Eu ²⁺ (AE = alkaline earth - Erdalkalimetalle, RE = rare earth - Seltenerd-Metalle) beschrieben werden.

Besonders bevorzugt werden vergleichsweise kleine

Leuchtstoffpartikel bei dem vorliegenden Verfahren verwendet, um beispielsweise vergleichsweise kleine Subpixelbereiche zu beschichten. Besonders bevorzugt übersteigt der Durchmesser der Leuchtstoffpartikel einen Wert von 5 Mikrometer nicht. Beispielsweise kann die mittlere Leuchtstoffpartikelgröße zwischen 20 Nanometer und 30 Mikrometer, besonders bevorzugt zwischen 500 Nanometer und 5 Mikrometer, beispielsweise nicht mehr als 1 Mikrometer betragen.

Als Leuchtstoffpartikel können jedoch auch Nanopartikel beispielsweise aus CdS, CdSe, ZnS, InP oder so genannte „core-shell" Nanopartikel verwendet werden. Bevorzugt

übersteigt die Halbwertsbreite der Emission der Nanopartikel einen Wert von 50 nm nicht. Bevorzugt weisen die Nanopartikel eine Größe zwischen einschließlich 2 nm und 100 nm auf.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird die

photoleitfähige Schicht direkt auf eine Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers oder auf eine Elektrodenfläche, welche mit der Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist, aufgebracht. Bei dieser Anordnung wird die photoleitfähige Schicht auf das Potential der Halbleiterschicht gesetzt. Somit ist es nicht erforderlich, eine Stromversorgung der photoleitfähigen Schicht bereitzustellen, welche unabhängig von der Stromversorgung des Halbleiterkörpers ist. Die

Spannung, welche an den Halbleiterkörper zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung gelegt wird, wird auch

gleichzeitig genutzt, um die elektrophoretische Abscheidung der Konversionsschicht zu ermöglichen.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die photoleitfähige Schicht auf eine Isolationsschicht

aufgebracht, welche eine Halbleiterschicht des

Halbleiterkörpers zumindest teilweise bedeckt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die photoleitfähige Schicht auf eine elektrisch leitende Schicht aufgebracht, welche von dem Halbleiterkörper durch eine

Isolationsschicht elektrisch isoliert ist. Bei dieser

Anordnung kann die photoleitfähige Schicht unabhängig vom Halbleiterkörper auf ein gewünschtes Potential gesetzt werden, welches die elektrophoretische Abscheidung der

Konversionsschicht ermöglicht. Beispielsweise kann die elektrische Schicht von der Seite des Halbleiterkörpers her kontaktiert werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die photoleitfähige Schicht auf einen Träger aufgebracht, welcher auf einer Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers angeordnet ist, mit dem Halbleiterkörper jedoch nicht

mechanisch verbunden ist und auch vom Halbleiterkörper beabstandet sein kann. Der Träger kann beispielsweise aus Glas, einer transparenten Keramik, Saphir oder Kunststoff bestehen. Nach Abscheidung der Konversionsschicht bzw. der Konversionsschichten wird der Träger in den Lichtweg des Halbleiterkörpers eingebracht.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens umfasst der Halbleiterkörper mindestens einen Pixelbereich. Der

Pixelbereich weist mindestens zwei verschiedene

Subpixelbereiche auf. Bevorzugt sind die Subpixelbereiche elektrisch isoliert voneinander ausgebildet. Jeder

Subpixelbereich weist bevorzugt eine aktive Schicht auf, die dazu geeignet ist, im Betrieb des Halbleiterkörpers

elektromagnetische Strahlung eines ersten

Wellenlängenbereichs auszusenden. Besonders bevorzugt weist der erste Wellenlängenbereich blaues Licht (mit einer Peak- Wellenlänge im Bereich von 370 - 500 nm) auf oder ist aus blauem Licht gebildet.

Die Subpixelbereiche weisen beispielsweise eine Seitenlänge von höchstens 150 Mikrometer auf. Die Subpixelbereiche können beispielsweise durch Gräben voneinander getrennt sein.

Beispielsweise sind die Subpixelbereiche voneinander in einem Abstand angeordnet. Beispielsweise weist der Abstand zwischen zwei direkt benachbarten Subpixelbereichen einen Wert auf, der nicht größer ist als 10 Mikrometer. Besonders bevorzugt ist eine Kantenlänge eines Subpixelbereichs kleiner oder gleich 5 Mikrometer und eine Ausdehnung eines Grabens kleiner oder gleich 2 Mikrometer.

Weiterhin wird die photoleitfähige Schicht auf die

Strahlungsaustrittsfläche zumindest eines der

Subpixelbereiche aufgebracht, insbesondere dadurch, dass lediglich der eine Subpixelbereich mit Strom beaufschlagt wird und somit nur die Strahlungsaustrittsfläche des

Subpixelbereichs belichtet wird, wodurch die elektrische Leitfähigkeit der photoleitfähigen Schicht im Subpixelbereich erhöht wird.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird bei der elektrophoretischen Abscheidung der Konversionsschicht der Subpixelbereich, auf den die Konversionsschicht aufgebracht wird, unabhängig von den anderen Subpixelbereichen bestromt. Auf diese Art und Weise kann die Konversionsschicht lokal nur auf dem gerade bestromten Subpixelbereich aufgebracht werden, während die übrigen nicht mit Strom beaufschlagten

Subpixelbereiche frei bleiben von der Konversionsschicht.

Sind die Subpixelbereiche zum Zeitpunkt des Abscheidens der Konversionsschicht einzeln bestrombar, so ist der

Halbleiterkörper besonders einfach mit einer

Konversionsschicht und insbesondere verschiedene

Subpixelbereiche besonders einfach mit verschiedenen

Konversionsschichten zu versehen. Dazu wird der

Halbleiterkörper nacheinander in verschiedene Suspensionen mit unterschiedlichen LeuchtstoffPartikeln gebracht.

Hierdurch können Subpixelbereiche mit unterschiedlichen

Farben oder Farborten bereitgestellt werden.

Bevorzugt weist jeder Pixelbereich genau drei

Subpixelbereiche auf. Beispielsweise ist einer der drei

Subpixelbereiche dazu vorgesehen, grünes Licht auszusenden, während ein weiterer Subpixelbereich dazu vorgesehen ist, rotes Licht zu erzeugen und der dritte Subpixelbereich blaues Licht abstrahlen soll. Weist beispielsweise der erste

Wellenlängenbereich blaues Licht auf, so ist ein

Subpixelbereich hierbei besonders bevorzugt frei von einer Konversionsschicht. Ein weiterer Subpixelbereich weist bevorzugt eine Konversionsschicht auf, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten blauen

Wellenlängenbereichs teilweise oder zu mehr als 95% ihrer Intensität in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, wobei der zweite

Wellenlängenbereich bevorzugt grünes Licht aufweist oder aus grünem Licht besteht. Der dritte Subpixelbereich weist bevorzugt eine weitere Konversionsschicht auf, die dazu geeignet ist, blaue Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs teilweise oder zu mehr als 95% ihrer Intensität in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der besonders bevorzugt rotes Licht aufweist oder aus rotem Licht besteht. Die Konversionsschichten sind besonders bevorzugt derart ausgebildet, dass sie Strahlung des ersten

Wellenlängenbereichs möglichst vollständig in Strahlung des zweiten beziehungsweise des dritten Wellenlängenbereichs umwandeln .

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens kommt der

Elektrophoreseprozess dadurch zustande, dass eine Spannung zwischen der photoleitfähigen Schicht und einer

Gegenelektrode angelegt wird. Die Gegenelektrode ist

bevorzugt auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite der photoleitfähigen Schicht angeordnet. Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens werden das

Belichten des Teilbereichs der photoleitfähigen Schicht und der Elektrophoreseprozess alternierend durchgeführt. Durch das Belichten der photoleitfähigen Schicht werden in dieser Ladungsträger getrennt, welche nachfolgend die

elektrophoretische Abscheidung der Leuchtstoffpartikel unterstützen. Beispielsweise kann das Belichten des

Teilbereichs der photoleitfähigen Schicht und der

Elektrophoreseprozess in einer schnellen zeitlichen Abfolge, beispielsweise bei einer Frequenz zwischen 1 MHz und 1 Hz erfolgen .

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird die

photoleitfähige Schicht nach der elektrophoretischen

Abscheidung der Konversionsschicht entfernt, beispielsweise durch ein nasschemisches Verfahren.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.

Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 1 bis 5 wird ein Verfahren gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel erläutert.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. In dem in Figur 1 gezeigten Verfahrensschritt wird ein

Halbleiterkörper 10 bereitgestellt, auf dessen

Strahlungsaustrittsfläche eine photoleitfähige Schicht 34 aufgebracht ist. Der Halbleiterkörper 10 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 weist einen Pixelbereich 12 mit drei

Subpixelbereichen 14 auf. Jeder Subpixelbereich 14 weist eine Halbleiterschichtenfolge 16 mit einer ersten Halbleiterschicht 18 eines ersten Leitfähigkeitstyps

(vorliegend eine Schicht aus p-GaN) , einer zweiten

Halbleiterschicht 20 eines zweiten Leitfähigkeitstyps

(vorliegend eine Schicht aus n-GaN) und einer dazwischen ausgebildeten aktiven Schicht 22 auf, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten

Wellenlängenbereichs zu erzeugen. Vorliegend ist die aktive Schicht 22 dazu geeignet, sichtbares blaues Licht zu

erzeugen .

Vorliegend gehen die Subpixelbereiche 14 ineinander über, d.h. die Halbleiterschichtenfolgen 16 benachbarter

Subpixelbereiche sind nicht isoliert voneinander. In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel sind dagegen zwei direkt benachbarte Subpixelbereiche durch jeweils einen

Graben voneinander getrennt. Der Graben durchtrennt hierbei die aktive Schicht jeweils vollständig. Weiterhin durchtrennt der Graben auch die Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise .

Der in Figur 1 gezeigte Halbleiterkörper 10 umfasst weiterhin ein Trägerelement 24, auf dem der Pixelbereich 12 angeordnet ist. Zwischen dem Trägerelement 24 und der

Halbleiterschichtenfolge 16 ist eine Vielzahl von Kontakten 26 angeordnet, welche mit der ersten Halbleiterschicht 18 elektrisch leitend verbunden und durch Lotschichten 28 auf dem Trägerelement 24 befestigt sind. Bei dem Trägerelement 24 kann es sich beispielsweise um ein Aktivmatrixelement eines Displays handeln.

Auf der Halbleiterschichtenfolge 16 ist eine transparente Elektrode 29 angeordnet, über die die Subpixelbereiche 14 vorderseitig elektrisch kontaktiert sind. Die transparente Elektrode 29 ist hierbei vollflächig über eine Vorderseite des Pixelbereichs 12 aufgebracht und bildet

Strahlungsaustrittsflächen 31 der Subpixelbereiche 14 aus. Die transparente Elektrode 29 ist besonders bevorzugt durch ein TCO-Material („TCO" für transparentes leitendes Oxid) gebildet oder weist ein TCO-Material auf. Transparente leitende Oxide sind in der Regel Metalloxide, wie

beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO).

Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass in den

Figuren zwar beispielhaft jeweils nur ein Pixelbereich 12 mit drei Subpixelbereichen 14 dargestellt ist, der

Halbleiterkörper 1 jedoch in der Regel eine Vielzahl

derartiger Pixelbereiche 12 aufweist. Die Pixelbereiche 12 sind hierbei besonders bevorzugt alle gleichartig

ausgebildet . In dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist eine photoleitfähige Schicht 34 auf eine elektrisch leitende

Schicht 32 aufgebracht, welche von der transparenten

Elektrode 29 durch eine Isolationsschicht 30 elektrisch isoliert ist. Die elektrisch leitende Schicht 32 ist ähnlich wie die Elektrode 29 transparent ausgebildet und enthält bevorzugt ein TCO-Material. Sowohl die Elektrode 29, als auch die elektrisch leitende Schicht 32 kann von einer Seite des Halbleiterkörpers her kontaktiert werden (nicht dargestellt) . Bei der in Figur 1 gezeigten Anordnung kann die elektrisch leitende Schicht 32 und somit auch die mit ihr elektrisch verbundene photoleitfähige Schicht 34 unabhängig vom

Halbleiterkörper (insbesondere unabhängig vom Potential der transparenten Elektrode 29) auf ein gewünschtes Potential gesetzt werden, welches die elektrophoretische Abscheidung der Konversionsschicht ermöglicht.

In dem in Figur 2 gezeigten Verfahrensschritt wird die in Figur 1 gezeigte Anordnung mit Halbleiterkörper 10 und der darauf aufgebrachten photoleitfähigen Schicht 34 in einem Elektrophoresebad 38 bereitgestellt, das die

Leuchtstoffpartikel 40, die die Konversionsschicht bilden sollen, in einer Suspension enthält. Der später ausgeführte Elektrophoreseprozess kommt dadurch zustande, dass eine

Spannung zwischen der elektrisch leitenden Schicht 32 und der photoleitfähigen Schicht 34 einerseits und einer

Gegenelektrode 36 andererseits angelegt wird. Die

Gegenelektrode 36 ist auf der vom Halbleiterkörper 10 abgewandten Seite der photoleitfähigen Schicht 29 und von dieser beabstandet angeordnet, so dass der Raum zwischen der Gegenelektrode 36 und der photoleitfähigen Schicht 34 durch die Suspension mit den darin enthaltenen LeuchtstoffPartikeln 40 gefüllt ist.

In dem in Figur 3 gezeigten Verfahrensschritt wird ein

Teilbereich 34' der photoleitfähigen Schicht, der in Figur 3 schraffiert dargestellt ist, mit von dem Halbleiterkörper 10 erzeugter elektromagnetischer Strahlung belichtet. Hierbei wird ein Subpixelbereich 14', auf den die Konversionsschicht aufgebracht werden soll, unabhängig von den anderen

Subpixelbereichen bestromt, d.h. lediglich in dem

Subpixelbereich 14' wird elektromagnetische Strahlung

erzeugt. Die photoleitfähige Schicht 34 weist infolgedessen in dem belichteten Teilbereich 34' lokal eine höhere

Leitfähigkeit auf als in den übrigen Bereichen, auf welche keine elektromagnetische Strahlung trifft. Wird nun eine geeignete Spannung zwischen der Gegenelektrode 36 und der elektrisch leitenden Schicht 32 angelegt, stellt sich ein elektrisches Feld 42 ein, dessen Feldliniendichte in dem Raum zwischen der Gegenelektrode 36 und dem Teilbereich 34 ' aufgrund der in diesem erhöhten elektrischen

Leitfähigkeit vergrößert wird. Es kommt infolgedessen zu einem Stromfluss entlang der Feldlinien 42 und zu einer elektrophoretischen Abscheidung von LeuchtstoffPartikeln . Wie in Figur 4 dargestellt, wird eine Konversionsschicht 44 lokal ausschließlich oder zumindest überwiegend auf dem gerade bestromten Subpixelbereich 14' aufgebracht, während die übrigen nicht mit Strom beaufschlagten Subpixelbereiche frei bleiben von der Konversionsschicht oder nur geringfügig von dieser bedeckt werden.

Die Konversionsschicht 44 ist dazu geeignet,

elektromagnetische Strahlung des ersten (blauen)

Wellenlängenbereiches in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches umzuwandeln. Der zweite

Wellenlängenbereich ist hierbei aus grünem Licht gebildet.

In einem nachfolgenden, in Figur 5 angedeuteten

Verfahrensschritt wird der in den Figuren 1-4 gezeigte

Vorgang in einem Elektrophoresebad 39 wiederholt, das

Leuchtstoffpartikel , die die zweite Konversionsschicht 45 bilden sollen, in einer Suspension enthält. Bei der

elektrophoretischen Abscheidung der zweiten

Konversionsschicht 45 wird hierbei lediglich der

Subpixelbereich 14'', auf den die Konversionsschicht 45 aufgebracht werden soll, mit Strom beaufschlagt. Dadurch lagern sich lediglich auf diesem Subpixelbereich 14''

Leuchtstoffpartikel bei dem Elektrophoreseprozess an. Die zweite Konversionsschicht 45 ist dazu geeignet,

elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines dritten

Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der von dem ersten und dem zweiten Wellenlängenbereich verschieden ist. Besonders bevorzugt ist die zweite Konversionsschicht 45 dazu geeignet, blaues Licht, das in der aktiven Schicht erzeugt wird, möglichst vollständig in rotes Licht umzuwandeln.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.