Verfahren zum Herstellen eines passiven elektronischen

Bauelements, Verfahren zum Herstellen einer

optoelektronischen Baugruppe und passives elektronisches

Bauelement

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines passiven elektronischen Bauelements, ein Verfahren zum

Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und ein

passives elektronisches Bauelement.

In optoelektronischen Bauelementen wie organischen

Leuchtdioden dienen Isolatoren und/oder Dielektrika unter anderem dazu, zwei Elektrodenbereiche voneinander zu trennen und/oder gegeneinander elektrisch zu isolieren.

Geeignete Isolatoren bzw. Dielektrika wie beispielsweise lichtempfindliche Lacke sind meist sehr teuer und aufwendig, beispielsweise in einem photolithographischen Prozess , aufzubringen. Beispielsweise werden die Lacke ohne Struktur flächig auf nachfolgend zu ätzende Metallschichten

aufgebracht und mit Hilfe einer Maske belichtet . Abhängig von dem verwendeten Lack können dann die belichteten oder nicht belichteten Bereiche entfernt werden, wodurch die Lackschicht strukturiert wird. Bei dem nachfolgenden Ätzprozess schützen die verbliebenen Lackstrukturen die darunter liegende

MetallSchicht oder die darunter liegenden Metallschichten. In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein Verfahren zum Herstellen eines passiven elektronischen Bauelements und/oder ein Verfahren zum Herstellen einer

optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt , die einfach und/oder auf kostengünstige Weise und/oder ohne Verwendung eines photolithographischen Prozesses das Herstellen eines passiven elektronischen Bauelements und/oder einer

optoelektronischen Baugruppe ermöglichen . In. verschiedenen Aus führungsbeispielen wird ein passives elektronisches Bauelement bereitgestellt, das einfach

und/oder auf kostengünstige Weise und/oder ohne Verwendung eines photolithographischen Prozesses herstellbar is .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines passiven elektronischen Bauelements

bereitgestellt . Dabei wird eine erste elektrisch leitfähige Schicht auf einem Substrat ausgebildet . Eine zweite

elektrisch leitfähige Schicht wird auf der ersten elektrisch leitfähigen Schicht ausgebildet . In der ersten und zweiten elektrisch leitfähigen Schicht wird ein erster Graben so ausgebildet , dass das Substrat in dem ersten Graben frei gelegt ist . Der erste Graben trennt einen ersten

Kontaktbereich von einem zweiten Kontaktbereich ab. Ein

Dielektrikum wird derart strukturiert auf die zweite

elektrisch leitf hige Schicht in dem ersten Kontaktbereich und das Substrat in dem Graben aufgebracht , dass das

Dielektrikum den ersten Kontaktbereich gegenüber dem zweiten Kontaktbereich elektrisch isoliert . Eine elektrisch

leitfähige Elektrodenschicht wird strukturiert über dem ersten Kontaktbereich auf das Dielektrikum und auf den zweiten Kontaktbereich aufgebracht . Dass das Dielektrikum und/oder die Elektrodenschicht und/oder nachfolgend weitere Schichten oder Materialien „strukturiert aufgebracht" werden bedeutet in verschiedenen

Ausführungsformen , dass die gewünschte Struktur bereits beim Aufbringen der entsprechenden Schicht ausgebildet wird. Die zu beschichtende Fläche wird somit nur in Teilbereichen, die von der gewünschten Struktur abhängen, beschichtet . Dies steht im Gegensatz zu einem flächigen Aufbringen der

entsprechenden Schichten und einem nachfolgenden

Strukturieren der Schichten, wie es beispielsweise bei einem photolithographischen Verfahren der Fall ist . Das

strukturierte Aufbringen der Schichten ermöglicht , auf das zunächst flächige Aufbringen der entsprechenden Schichten und das nachfolgende aufwendige Strukturieren der Schichten, beispielsweise auf das photolithographische Verfahren, und/oder auf einen teuren Photolack für das

photolithographische Verfahren verzichten zu können . Dies trägt zu einem einfachen und/oder kostengünstigen Herstellen des passiven elektronischen Bauelements bei.

Die entsprechenden Materialen oder Schichten können

beispielweise mittels Druckens , beispielsweise Tintenstrahl - Druck (Inkj et-Printing) oder Siebdruck, mittels Rakelns und/oder durch Abscheidung unter Zuhilfenahme von SAMs (seif assembling monolayers) und dergleichen strukturiert auf das Substrat aufgebracht werden .

Ein passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein Kondensator und/oder ein Widerstand oder eine

Kombination, beispielsweise eine Reihenschaltung und/oder eine Serienschaltung von ein, zwei oder mehr Kondensatoren und/oder ein, zwei oder mehr Widerständen sein. Das Substrat kann beispielsweise eine SubstratSchicht

auf eisen oder sein. Das Substrat kann beispielsweise ein transparentes oder ein nicht transparentes Substrat sein. Beispielsweise kann das Substrat Glas _; Quarz , Saphir, eine oder mehrere Kunststofffolien, eine oder mehrere beschichtete Kunststof ffolien, Metall , eine oder mehrere Metallfolien, eine oder mehrere Folien, welche mit einer elektrisch

isolierenden Schicht beschichtet sind, ein Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial aufweisen. Als

Substrat kann beispielsweise die Schicht verstanden werden, auf die bei der Herstellung einer optoelektronischen

Baugruppe nachfolgend alle anderen Schichten aufgebracht werden. Solche nachfolgenden Schichten können beispielsweise für die Strahlungsemission erforderliche Schichten sein. Die erste elektrisch leitfähige Schicht weist ein erstes elektrisch leitfähiges Material auf und die zweite elektrisch leitf hige Schicht weist ein zweites elektrisch leitfähiges Material auf . Das erste und/oder das zweite elektrisch leitfähige Material sind Materialien oder Substanzen mit der Fähigkeit, elektrischen Strom zu leiten. Das erste elektrisch leitfähige Material kann beispielsweise von dem zweiten elektrisch leitfähigen Material verschieden sein.

Beispielsweise kann das erste elektrisch leitfähige Material für erste Elektroden, beispielsweise für die Anoden oder Kathoden, der optoelektronischen Bauelemente vorgesehen sein.

Die erste elektrisch leitf hige Schicht kann beispielsweise direkt auf der Subs ratSchicht abgeschieden werden. Die erste elektrisch leitfähige Schicht kann beispielsweise eine transparente leitfähige Schicht sein. Sie kann, ohne darauf beschränkt zu sein, aus einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO) , z . B. Indium- dotiertem Zinnoxid (ITO) oder ZnO,

In/ZnO, SnZnO, AI -ZnO und dergleichen gebildet sein. Die erste elektrisch leitfähige Schicht kann beispielsweise mittels Sputterns , beispielsweise DC-Sputterns ,

physikalischer GasphasenabScheidung (PVD) oder dergleichen auf die SubstratSchicht aufgebracht werden.

Die zweite elektrisch leitfähige Schicht kann beispielsweise auf der ersten elektrisch leitfähigen Schicht abgeschieden werden. Das zweite elektrisch leitfähige Material kann beispielsweise einschließen, ohne darauf beschränkt zu sein, ein oder mehrere Metalle, beispielsweise Aluminium, Barium, Indium, Kupfer, Silber, Gold, Magnesium, Calcium und Lithium und dergleichen sowie deren Mischungen oder Kombinationen , beispielsweise in Form von Legierungen untereinander oder mit anderen Metallen. Die zweite elektrisch leitfähige Schicht kann beispielsweise mittels Verdampfens, Sputterns ,

beispielsweise DC-Sputterns , physikalischer

Gasphasenabscheidung (PVD) oder dergleichen auf die erste elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht werden. Die elektrisch leitfähigen Schichten können jeweils

beispielsweise auch Teilschichten aufweisen, die alternativ oder zusätzlich zu den genannten Metallen beispielsweise auch Chrom und. Molybdän aufweisen können . Beispiele für mögliche Schichtenfolgen in einer oder mehrere Teilschichten

aufweisenden elektrisch leitfähigen Schicht sind Mo-AI-Mo, Cr-Al-Cr, Cr-Cu-Cr und Cr-Cu. Das Dielektrikum bezeichnet beispielsweise eine elektrisch isolierende Substanz, welche derart aufgebracht wird, dass sie einen Stromfluss zwischen zwei elektrisch leitfähigen Bereichen, beispielsweise zwischen der ersten elektrisch leitfähigen Schicht oder der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht in dem ersten Bauelementbereich und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht oder zweiten elektrisch leitfähigen Schicht in dem zweiten Bauelementbereich,

verhindert. Das Dielektrikum kann ein Überzug oder ein

Beschichtungsmittel, beispielsweise ein Polymer und/oder ein Lack sein. Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in pulverförmiger Form aufbringbaren BeschichtungsStoff aufweisen .

Die Elektrodenschicht kann beispielsweise aufweisen oder gebildet sein aus Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Calcium und/oder Lithium sowie Kombinationen derselben oder einer Ver indung derselben, insbesondere einer Legierung, und/oder transparenten leitfähigen Oxiden, wie beispielsweise Metalloxiden, wie Zinkoxid, Zinnoxid,

Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indium-dotiertes

Zinnoxid {ITO) , Aluminium-dotiertes Zinkoxid (AZO) , Zn ₂ Sn0 ₄ , CdSn03 , gln ₂ Ü ₄ , Galn03, Znp.I^Os oder I^S^O^ oder

Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide . Die Elektrodenschicht kann beispielsweise Kathoden oder

Anoden des passiven elektronischen Bauelements bilden .

Der Graben kann beispielsweise mittels Laserablation

ausgebildet werden. Ferner kann der Graben sich teilweise oder vollständig um den ersten Kontaktbereich und/oder den zweiten Kontaktbereich herum erstrecke . Ferner können noch weitere Gräben ausgebildet sein und/oder die Gräben können Teil einer sich zweidimensional in einer Ebene erstreckenden Grabenstruktur sein.

Bei verschiedenen Ausführungsformen ist von dem ersten

Kontaktbereich zwischen dem Dielektrikum und dem Substrat eine erste Elektrode eines Kondensators und von der

Elektrodenschicht auf einer von dem ersten Kontaktbereich abgewandten Seite des Dielektrikums eine zweite Elektrode des Kondensators gebildet. Beim Anlegen einer elektrischen

Spannung an den ersten und den zweiten Kontaktbereich lädt sich der Kondensator, insbesondere die Elektroden, auf und es bildet sich ein elektrisches Feld zwischen den Elektroden. In dem geladenen Kondensator ist die elektrische Energie in dem elektrischen Feld, das zwischen den geladenen Elektroden besteht, gespeichert.

Bei verschiedenen Ausführungsformen werden vor dem Aufbringen des Dielektrikums ein zweiter Graben und mindestens ein dritter Graben ausgebildet, die einen Widerstandsbereich begrenzen. Der Widerstandsbereich weist einen Teil der ersten und der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht auf. Der

Widerstandsbereich weist in Richtung parallel zu den

elektrisch leitfähigen Schichten eine Verjüngung auf und mündet auf einer ersten Seite der Verjüngung in den ersten Kontaktbereich. Der Widerstandsbereich kann beispielsweise dazu beitragen, einen elektrischen Widerstand zu bilden, der in der Schichtstruktur des passiven elektrischen Bauelements integriert ist und/oder der einen Teil desselben bildet. Der elektrische Widerstand kann beispielsweise in Reihe mit oder parallel zu dem Kondensator geschaltet werden.

Bei verschiedenen Ausführungsformen wird der

Widerstandsbereich so ausgebildet, dass er auf einer zweiten Seite der Verjüngung in den zweiten Kontaktbereich mündet und so einen Widerstand bildet, der elektrisch parallel zu dem Kondensator geschaltet ist. Bei verschiedenen Ausfuhrungsformen wird der

Widerstandsbereich so ausgebildet , dass er auf einer zweiten Seite der Verjüngung einen dritten Kontaktbereich bildet und so einen Widerstand bildet, der mit dem Kondensator

elektrisch in Reihe geschaltet ist.

Bei verschiedenen Ausführungsformen werden zwei, drei oder mehr Kondensatoren und/oder Widerstände gemäß den

vorstehenden Ansprüchen elektrisch parallel zueinander und/oder elektrisch in Reihe nacheinander ausgebildet.

Bei verschiedenen Ausführungsformen wird mindestens einer der Gräben mittels Laserabiation ausgebildet . Dies kann zu dem einfachen und kos engünstigen Herstellen des passiven

elektronischen Bauelements beitragen . Beispielsweise kann auf einen Ätzprozess zum Ätzen des Grabens verzichtet werden .

Bei verschiedenen Ausführungsformen wi d das Dielektrikum mittels eines Druckverfahrens aufgebracht . Dies kann einfach dazu beitragen, das Dielektrikum strukturiert auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht und das Substrat aufzubringen. Das Druckverfahren kann beispielsweise Tintenstrahl-Druck (Inkj et-Printing) oder Siebdruck, und/oder umfassen. Bei verschiedenen Ausführungsformen wird das Dielektrikum zunächst derart strukturiert auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht , dass das Dielektrikum an den ersten Graben grenzt , und dann derart erwärmt , dass es sich verformt und Kanten und/oder Seitenflächen der ersten und der zweiten elektrisch ieitfähigen Schicht in dem ersten Graben verkapselt . Das Dielektrikum, das an den Graben angrenzt, fließt aufgrund des Erwärmens über diese f ei liegenden

Kanten und/oder Seitenflächen der ersten und zweiten

elektrisch leitfähigen Schicht und verkapselt diese . Dass das Dielektrikum an den Graben angrenzt , kann beispielsweise bedeutet , dass das Dielektrikum derart nah, direkt an oder sogar teilweise über dem ersten Graben strukturiert

angeordnet ist , dass es beim Verflüssigen zumindest teilweise in den ersten Graben fließt. Alternativ dazu kann das

Dielektrikum derart strukturiert aufgebracht werden, dass es auch ohne das Erwärmen und/oder vor dem Erwärmen zumindest teilweise in dem ersten Graben angeordnet ist und/oder die Kanten bzw. Seitenflächen der elektrisch leitfähigen

Schichten verkapselt und/oder den ersten Kontaktbereich gegenüber dem zweiten Kontaktbereich elektrisch isoliert .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt , bei dem ein passives elektronisches Bauelement ausgebildet wird, beispielsweise gemäß dem im Vorhergehenden erläuterten Verfahren. Das Dielektrikum wird derart strukturiert auf die zweite Schicht aufgebracht, dass durch das Dielektrikum ein Bauelementbereich zum Ausbilden eines optoelektronischen

Bauelements gegenüber dem zweiten Kontaktbereich abgegrenzt ist . In dem Bauelementbereich wird eine optisch funktionelle Schicht ausgebildet . Die Elektrodenschicht wird derart strukturiert aufgebrach , dass ein Teil der Elektrodenschicht die optisch funktionelle Schicht bedeckt .

Ein optoelektronisches Bauelement kann beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes oder

emittierendes Bauelement sein . Ein elektromagnetische

Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein elektromagnetische Strahlung

emittierendes Bauelement kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung

emittierender Transistor ausgebildet sein . Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot -Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das

elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement

beispielsweise als Licht emittierende Diode ( light emitting diode , LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender

Transistor oder als organischer Licht emittierender

Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende

Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine

Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen

Gehäuse .

Die optisch funktionellen Schichten können beispielsweise Strahlungsemittierende Schichten, wie fluoreszierende

und/oder phosphoreszierende Emitterschichten sein,

beispielsweise die von elektromagnetische Strahlung

emittierenden Bauelementen, beispielsweise LEDs oder OLEDs .

Bei verschiedenen Ausführungsbeispielen wird vor dem

Aufbringen der optisch funktionellen Schicht die zweite elektrisch leitfähige Schicht in dem Bauelementbereich entfernt. Die optisch funktionelle Schicht wird auf die erste elektrisch leitfähige Schicht in dem Bauelementbereich aufgebracht. Die zweite elektrisch leitfähige Schicht kann beispielsweise in einem Ätzverfahren entfernt werden. Das Ätzen des zweiten elektrisch leitfähigen Materials kann dabei beispielsweise in einem Ätzbad erfolgen. Das Ätzen kann beispielweise das Abtragen des zweiten elektrisch leitfähigen Materials auf der Oberfläche der ersten elektrisch

leitfähigen Schicht durch Anwendung geeigneter ätzender

Stoffe aufweisen. Die ätzenden Stoffe können beispielsweise chemische Stoffe sein, die das zu entfernende Material in einer chemischen Reaktion verändern (meistens oxidieren) können und/oder in Lösung bringen können. Ätzmittel sind beispielsweise Säuren oder starke Oxidantien. Zu nennen sind beispielsweise HNO3 , HCl, H3PO4, Essigsäure, H2SO ,

Cerammoniumnitrat ( GAN) und H2Q2- Das Ätzbad kann

beispielsweise so ausgewählt sein, dass die erste elektrisch leitfähige Schicht, beispielsweise eine ITO-Schicht, nicht durch die eingesetzten Ätzmittel angegriffen oder

beeinträchtigt wird.

Bei verschiedenen Ausführungsformen wird nach dem

strukturierten Aufbringen des Dielektrikums und vor dem

Entfernen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht in dem Bauelementbereich eine Schutzschicht derart strukturiert auf den ersten Kontaktbereich und den zweiten Kontaktbereich und gegebenenfalls auf den WiderStandsbereich aufgebracht , dass die Kontaktbereiche und gegebenenfalls der Widerstandsbereich mit dem Material der Schutzschicht bedeckt sind. Die

Schutzschicht schützt beim Entfernen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht die Kontaktbereiche und gegebenenfalls den Widerstandsbereich, so dass die zweite elektrisch

leitfähige Schicht in den Kontaktbereichen und gegebenenfalls dem Widerstandsbereich erhalten bleibt. Nach dem Entfernen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht in dem

Bauelementbereich wird die Schutzschicht entfernt. Die Schutzschicht kann beispielsweise ein Material oder eine

Substanz aufweisen, welche dazu dient, das zweite elektrisch leitfähige Material der zweiten elektrisch leitfähigen

Schicht in den Teilbereichen, auf welchen es auf der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht aufgebracht ist, im weiteren Ver ahrensablauf der Herstellung der optoelektronischen

Baugruppe , beispielsweise in einem oder mehreren weiteren Prozessschritten, zu schützen . Die Schutzschicht kann

beispielsweise einen Überzug, ein Lack oder dergleichen sein . Beispielsweise kann die Schutzschicht ein Ätzstopplack sein, beispielsweise ein Ätzstopplack wie er bei der Herstellung von Leiterplatten (PCBs) verwendet wird. Dieser Ätzstopplack kann thermisch oder mittels UV-Strahlung vernetzt bzw.

gehärtet werden. Die Schutzschicht kann beispielsweise in einem Lösungsmittel löslich sein, in welchem das Dielektrikum nicht löslich ist . Beispielsweise kann die Schutzschicht im alkalischen löslich oder Base- löslich sein. Beispielsweise kann die Schutzschicht in einer alkalischen Lösung,

beispielsweise einer schwach alkalischen wässrige Lösungen von Salzen (z. B. NaOH, KOH, NH ₄ 0H ₍ oder quartäre

Ammoniumsalze wie N(CH3) ₄ OH) löslich sein.

Das strukturierte Aufbringen der Schutzschicht kann sowohl nach dem Auf ringen der zweiten elektrisch leitfähigen

Schicht auf der ersten elektrisch leitfähigen Schicht und vor dem strukturierten Aufbringen des Dielektrikums auf der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht als auch nach dem strukturierten Aufbringen des Dielektrikums auf der zweiten elektrisch leitf higen Schicht und vor dem Aufbringen der optisch funktionellen Schicht auf der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht erfolgen . Das strukturierte Aufbringen der Schutzschicht kann dabei derart erfolgen, dass die zweite elektrisch leitfähige Schicht in den Kontaktbereichen mit dem Material der Schutzschicht bedeckt ist und in den

Bauelementbereichen nicht mit dem Material der Schutzschicht bedeckt ist . Das Schutzmaterial kann - zumindest

abschnittsweise - über oder auf dem Dielektrikum angeordnet werden .

Beispielsweise können sowohl das Dielektrikum als auch die Schutzschicht resistent gegenüber den zum Ätzen des zweiten elektrisch leitfähigen Materials verwendeten Chemikalien sein . Das Dielektrikum und die Schutzschicht können in den Bereichen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht , auf denen sie aufgebracht sind, als Ätzstopp für die zweite elektrisch leitfähige Schicht bzw. das zweite elektrisch leitfähige Material in den entsprechenden Bereichen dienen. Durch Ätzen des zweiten elektrisch leitfähigen Materials bleiben die Strukturen der zweiten elektrisch leitenden

Schicht, welche unter dem Dielektrikum und/oder unter der Schutzschicht liegen, und der ersten elektrisch leitfähigen Schicht erhalten. Der Ätzprozess zum Entfernen der zweiten elektrischen Schicht in dem Bauelementbereich kann

beispielsweise der einzige Ätzprozess sein, der zum

Herstellen der optoelektronischen Baugruppe durchgeführt wird . Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die optisch

funktionelle Schicht nach dem Erwärmen des Dielektrikums ausgebildet.

Bei verschiedenen Ausführungsformen ist von der ersten elektrisch leitfähigen Schicht zwischen der optisch

funktionellen Schicht und dem Substrat eine erste Elektrode eines optoelektronischen Bauelements gebildet und von der Elektrodenschicht auf einer von der ersten Elektrode

abgewandten Seite der optisch funktionelle Schicht ist eine zweite Elektrode des optoelektronischen Bauelements gebildet . Das optoelektronische Bauelement weist die organisch

funktionelle Schicht zwischen der ersten und der zweiten Elektrode des ersten optoelektronischen Bauelements auf .

Beispielsweise bildet die erste Elektrode eine Anode des optoelektronischen Bauelements und die zweite Elektrode eine Kathode des optoelektronischen Bauelements . Alternativ dazu kann die erste Elektrode eine Kathode des optoelektronischen Bauelements und die zweite Elektrode eine Anode des

optoelektronischen Bauelements bilden.

Bei verschiedenen Ausführungsformen sind das passive

elektronische Bauelement und das optoelektronische Bauelement über den zweiten Kontaktbereich in Reihe geschaltet .

Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die Schutzschicht mittels eines Druckverfahrens aufgebrach . Dies kann dazu beitragen, die Schutzschicht strukturiert auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht und das Substrat aufzubringen. Das Druckverfahren kann beispielsweise Tintenstrahl -Druck { Ink et-Printing) oder Siebdruck, und/oder Rakeln umfassen. Das Dielektrikum kann beispielsweise säurelöslich oder Baselöslich sein. Dies kann dazu beitragen, das Dielektrikum einfach mit einer Säure bzw. einer Base zu entfernen .

Beispielsweise sind das Material der Schutzschicht Base- löslich und das Dielektrikum säurelöslich. Alternativ dazu sind das Material der Schutzschicht säurelöslich und das

Dielektrikum Base-löslich. Dies bewirkt, dass beim Entfernen der Schutzschicht das Dielektrikum unversehrt bleibt.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein passives

elektronisches Bauelement bereitgestellt . Das passive

elektronische Bauelement weist beispielsweise eine erste elektrisch leitf hige Schicht auf einem Substrat und eine zweite elektrisch leitfähige Schicht auf der ersten

elektrisch leitfähigen Schicht auf . Ein erster Graben ist in der ersten und zweiten elektrisch leitfähigen Schicht ausgebildet . Der erste Graben trennt einen ersten

Kontaktbereich von einem zweiten Kontaktbereich ab. Ein

Dielektrikum ist derart strukturiert auf der zweiten

elektrisch leitfähigen Schicht in dem ersten Kontaktbereich und zumindest teilweise auf dem Substrat in dem ersten Graben aufgebracht , dass es den ersten Kontaktbereich gegenüber dem zweiten Kontaktbereich elektrisch isoliert . Eine elektrisch leitf hige Elektrodenschicht ist über dem ersten

Kontaktbereich auf dem Dielektrikum und auf dem zweiten Kontaktbereich strukturiert aufgebracht . Beispielsweise kann das Dielektrikum derart strukturiert auf der zweiten

elektrisch leitfähigen Schicht in dem ersten Kontaktbereich und zumindest teilweise in dem ersten Graben aufgebracht sein, dass es Kanten und/oder Seitenflächen der ersten und der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht in dem ersten Graben verkapselt. Ausführungsbeispiele der E findung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .

Es zeigen Figur 1 einen ersten Zustand eines Ausf hrungsbeispiels eines passiven elektronischen Bauelements während eines Herstellungsverfahrens zum Herstellen des passiven elektronischen Bauelements ; Figur 2 einen zweiten Zustand des passiven elektronischen Bauelements während des Herstellungsverf hrens zum Herstellen des passiven elektronischen Bauelements ;

Figur 3 einen dritten Zustand des passiven elektronischen

Bauelements während des Herstellungsverfahrens zum Herstellen des passiven elektronischen Bauelements ; Figur 4 einen vierten Zustand des passiven elektronischen

Bauelements während des Herstellungsverfahrens zum Herstellen des passiven elektronischen Bauelements

Figur 5 einen fünften Zustand des passiven elektronischen

Bauelements während des Herstellungsverfahrens zum

Herstellen des passiven elektronischen Bauelements ;

Figur 6 einen sechsten Zustand des passiven elektronischen

Bauelements während des Herstellungsverfahrens zum Herstellen des passiven elektronischen Bauelements ;

Figur 7 ein Ausführungsbeispiel des passiven elektronischen

Bauelements ; Figur 8 eine Draufsicht auf das passive elektronische

Bauelement gemäß Figur 7 ;

Figur 9 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines passiven elektronischen Bauelements ;

Figur 10 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines passiven elektronischen Bauelements ;

Figur 11 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines passiven elektronischen Bauelements ,-

Figur 12 einen ersten Zustand eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe während eines Herstellungsverfahrens zum Herstellen der

optoelektronischen Baugruppe ;

Figur 13 einen zweiten Zustand der optoelektronischen

Baugruppe gemäß Figur 12 während des

Herstel lungsverfahrens zum Herstellen der - optoelektronischen Baugruppe ;

Figur 14 einen dritten Zustand der optoelektronischen

Baugruppe gemäß Figur 13 während des

Herstellungsverfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe ;

Figur 15 einen vierten Zustand der optoelektronischen

Baugruppe gemäß Figur 14 während des

Herstellungsverfahrens zum. Herstellen der optoelektronischen Baugruppe ;

Figur 16 einen fünften Zustand der optoelektronischen

Baugruppe gemäß Figur 15 während des

Herstellungsverfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe ;

Figur 17 ein Ausführungsbeispiel einer Schichtstruktur eines optoelektronischen Bauelements .

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser

Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne", „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur {en) verwende . Da

Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl

verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausf hrliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden" , " angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist . Ein passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen, zwei oder mehr Kondensatoren und/oder einen, zwei oder mehr elektrische Widerstände aufweisen. Beispielsweise kann das passive elektronische Bauelement eine Kombination eines , zweier oder mehrerer Kondensatoren mit einem, zweien oder mehreren elektrischen Widerständen sein . Beispielsweise können ein, zwei oder mehr Kondensatoren in Reihe mit oder parallel zu einem, zwei oder mehr elektrischen Widerständen geschaltet sein. Eine optoelektronische Baugruppe kann beispielsweise ein passives elektronisches Bauelement und ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen . Ein

optoelektronisches Bauelement kann beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes und/oder ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement aufweisen. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische

Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die elektromagnetische Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot -Licht sein . In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode , LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht

emittierende Bauelement kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden

Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse .

Anhand von Figuren 1 bis 7 wird ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen eines passiven elektronischen

Bauelements erläutert . Dabei sind in den Figuren 1 bis 7 Ausführungsbeispiele von Komponenten des passiven

elektronischen Bauelements in unterschiedlichen Zuständen des passiven elektronischen Bauelements während des

Herstellungsverfahrens zum Herstellen des passiven

elektronischen Bauelements dargestellt .

Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Substrats 10 des passiven elektronischen Bauelements . Das Substrat 10 kann beispielsweise Glas , beispielsweise Fensterglas , Quarz , ein Kalbleitermaterial und/oder ein anderes geeignetes Material , beispielsweise Bor-Silikat, Aluminium- Silikat und/oder ein Standard-Material aus der Display- Industrie , aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann das Substrat 10 eine

Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder

Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,

Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/ode Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Substrat 10 kann ein Metall oder eine

Metallverbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches . Das Metall oder eine Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Das Substrat 10 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen.

Das Substrat 10 kann transluzent oder sogar transparent ausgebildet sein . Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, beispielsweise für die von einem

elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelement emittierte Strahlung, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche , beispielsweise für Licht in einem

Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Bei pielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine

Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte

Strahlungsmenge auch aus der Struktur (beispielsweise

Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann.

Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist

(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des

Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte

elektromagnetische Strahlung im Wesentlichen ohne Streuung oder Wellenlängenkonversion auch aus der Struktur

(beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Somit ist

„transparent" in verschiedenen Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen. Für den Fall , dass beispielsweise ein monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes optoelektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll , kann es ausreichen, dass die optisch

transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs der gewünschten monochromen

elektromagnetischen Strahlung oder für das begrenzte

Emissionsspektrum transluzent ist .

Fig . 2 zeigt das Substrat 10 gemäß Figur 1 und ein

Ausführungsbeispiel einer ersten elektrisch leitfähigen

Schicht 12 , die auf dem Substrat 12 ausgebildet ist . Zwischen dem Substrat 10 und der ersten elektrisch leitf higen Schicht 12 kann beispielsweise eine in Figur 2 nicht gezeigte und im Folgenden mit Bezug zu Figur 20 erläuterte Barrierenschicht ausgebildet sein .

Die erste elektrisch leitf hige Schicht 12 kann aus einem ersten elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder eine

leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide , TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide können beispielsweise transparente , leitfähige Stoffe, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) , beispielsweise ZnO, IN/ZnO, SnZnO oder AI- ZnO, sein . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn0 ₂ , oder 111203 können auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AIZnO,

Zn2Sn0 ₄ , CdSn0 ₃ , ZnSn03 , gln ₂ 04 , Galn03 , Zn ₂ In ₂ 05 oder

Ι 43η3θχ2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs gehören und können in verschiedenen Aus führungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer

stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 ein Metall au weisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sra oder Li , sowie Verbindunge , Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe . In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die erste elektrisch leitfähige gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium- Zinn-Oxid- Schicht ( ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten . Das erste elektrisch leitfähige Material der ersten elektrisch leitfähigen Schicht 12 kann beispielsweise so gewählt werden, dass es einem im Folgenden erläuterten Ätzprozess zum Entfernen eines im

Folgenden erläuterten zweiten elektrisch leitfähigen

Materials widerstehen kann.

In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann die erste

elektrisch leitfähige Schicht 12 eines oder mehrere der folgenden Stoffe alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen

Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff -Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitfähigen Nanodrähten . Ferner kann die erste elektrisch leitfähige Schicht elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leit hige transparente Oxide aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 und/oder das Substrat 10 transluzent oder transparent ausgebildet sein . In dem Fall, dass die erste elektrisch leitfähige Schicht ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist , kann die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm,

beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die elektrisch leitfähige Schicht 12 beispielsweise Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 eine Schichtdicke au weisen in einem

Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.

Weiterhin kann für den Fall , dass die erste elektrisch leitf hige Schicht 12 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr

500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.

Ferner kann für den Fall , dass die erste elektrisch

leitfähige Schicht 12 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und

Kompositen gebildet werden, die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungef hr 500 nm,

beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von

ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.

Die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 kann zum Ausbilden von Anoden, also Löcher injizierenden Elektroden, ausgebildet sein oder von Kathoden, also Elektronen injizierende

Elektroden. Die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 kann beispielsweise mittels Sputtern, beispielsweise DC-Sputtern, physikalischer Gasphasenabscheidung ( PVD) oder dergleichen auf das Substrat 10 aufgebracht werden. Die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 kann beispielsweise flächig, also ohne Struktur auf das Substrat 10 aufgebracht werden .

Fig. 3 zeigt das Substrat 10 , die erste elektrisch leitf hige Schicht 12 und ein Ausführungsbeispiel einer zweiten

elektrisch leitfähigen Schicht 14 , die auf der ersten

elektrisch leitfähigen Schicht 12 ausgebildet ist . Die zweite elektrisch leitfähige Schicht 14 kann beispielsweise Chrom, Aluminium, Molybdän, Kupfer oder Silber aufweisen,

Beispielsweise kann die zweite elektrisch leitfähige Schicht 14 Teilschichten aufweisen, die alternierend unterschiedliche Metalle aufweisen. Beispielsweise kann die zweite elektrisch leitfähige Schicht 12 gebildet sein aus einem Stapel Cr-Al- C , Mo-Al-Mo, Cr-Cu-Cr . Beispielsweise kann die zweite elektrisch leitfähige Schicht 14 eine Schichtdicke

beispielsweise zwischen 600 und 900 nm, beispielsweise zwischen 700 und 800 nm aufweisen . Die Teilschichten können gegebenenfalls Dicken beispielsweise zwischen 50 und 500 nm, beispielsweise zwischen 100 und 400 nm aufweisen. Die zweite elektrisch leitfähige Schicht 14 kann beispielsweise mittels Sputtern, beispielsweise DC-Sputtern, physikalischer

Gasphasenabscheidung (PVD) oder dergleichen auf die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 aufgebracht werden. Die zweite elektrisch leitfähige Schicht 14 kann beispielsweise flächig, also ohne Struktur auf die erste elektrisch

leitfähige Schicht 12 aufgebracht werden.

Fig. 4 zeigt das Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch leitfähige Schicht 12, 14, wobei in den beiden elektrisch leitfähigen Schichten 12, 14 ein

Ausführungsbeispiel eines ersten Grabens 24 ausgebildet ist. Der erste Graben 24 kann beispielsweise mittels Laserablation ausgebildet werden. In dem ersten Graben 24 ist das Material des Substrats 10 frei gelegt . In anderen Worten entspricht eine Tiefe des ersten Grabens 24 einer gemeinsamen Dicke der beiden elektrisch leitfähigen Schichten 12 , 14. Für die

Laserablation kann beispielsweise ein kontinuierlich oder gepulst betriebener Laser verwendet werden, beispielsweise ein Femto- , Nano- oder Pico-Laser . Der Laser kann

beispielsweise elektromagnetische Strahlung im IR-Bereich oder im UV-Bereich, beispielsweise bei 200 bis 300 nm, und/oder mit einer Leistung von 0,5 W bis 1 W emittieren. Der erste Graben 24 trennt einen ersten Kontaktbereich 16 von einem zweiten Kontaktbereich 18 ab. Der erste Graben 24 kann Teil einer Grabenstruktur sein, die beispielsweise den ersten und/oder zweiten Kontaktbereich 16, 18 in den Ebenen der beiden elektrisch leitfähigen Schichten 12 , 14 teilweise oder vollständig begrenzen . Der erste Kontaktbereich 16 kann beispielsweise zum elektrischen Kontaktieren des passiven elektronischen Bauelements dienen .

Fig. 5 zeigt das Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch leitfähige Schicht 12 , 14 , wobei ein

Ausführungsbeispiel eines Dielektrikums 28 auf die zweite elektrisch leitf hige Schicht 14 angrenzend an den Graben 24 strukturiert aufgebracht ist . Das Dielektrikum 28 kann beispielsweise eine elektrisch isolierende Substanz sein, welche nachfolgend einen direkten Stromfluss zwischen der ersten oder zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 12 , 14 in dem ersten Kontaktbereich 16 und der ersten oder zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 12 , 14 in dem zweiten Kontaktbereich 18, verhindern kann. Das Dielektrikum 28 kann beispielsweise einen Überzug oder ein Beschichtungsmittel , beispielsweise ein Polymer und/oder einen Lack aufweisen oder daraus gebildet sein . Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in pulverförmiger Form aufbringbaren

Beschichtungsstoff aufweisen. Dass das Dielektrikum 28 strukturiert aufgebracht ist, bedeutet, dass die gewünschte Struktur bereits beim Aufbringen des Dielektrikums

ausgebildet wird. Die zu beschichtende Fläche wird somit nur in Teilbereichen, die von der gewünschten Struktur abhängen, beschichtet . Das Dielektrikum 28 kann beispielsweise mittels eines Druckverfahrens , wie beispielsweise mittels Siebdrucks , Tintenstrahldrucks oder Flexodruckens , oder Rakelns

strukturiert aufgebracht werden.

Das Dielektrikum 28 kann beispielsweise so gewählt werden, dass es durch eine nachträgliche Behandlung erweichbar ist und/oder in einen fließfähigen Zustand gebracht werden kann. Zusätzlich zu der elektrischen Isolierung kann das

Dielektrikum 28 in einem im Folgenden näher erläuterten

Ätzprozess zum Entfernen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 14 aus Teilbereichen als Ätzstopp dienen. Das

Dielektrikum 28 kann beispielsweise säurelöslich und nicht Base- löslich sein . Beispielsweise kann das Dielektrikum 28 in Chloroform und/oder einer Chlororganischen Verbindung oder einer Benzinartigen Verbindung, beispielsweise in Hexin oder Heptan, lösbar sein. Alternativ dazu kann das Dielektrikum 28 Base-löslich und nicht säurelöslich sein. Fig. 6 zeigt das Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch leitfähige Schicht 12 , 14 mit dem Dielektrikum 28 , wobei die Struktur des Dielektrikums verrundet ist , so dass das Dielektrikum 28 die freien Seitenflächen und/oder Kanten der ersten und der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 12 , 14 bedeckt und so verkapselt . Die Struktur des Dielektrikums kann beispielsweise verrundet werden, indem das Dielektrikum 28 so stark erwärmt wird, bis es flüssig oder zumindest zähflüssig ist und über die frei gelegten Seitenflächen bzw. Kanten der ersten und zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 12, 14 fließt. Das Dielektrikum 28 kann beispielsweise erhitzt werden, indem die gesamte Anordnung mit dem

Dielektrikum 28 auf den elektrisch leitfähigen Schichten 12 , 14 und dem Substrat 10 erhitzt wird, beispielsweise in einem Ofen, beispielsweise einem Reflow-Ofen .

Fig . 7 zeigt das Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch leitf hige Schicht 12 , 14 mit dem Dielektrikum 28 , wobei auf dem Dielektrikum 28 und einem Teil des zweiten Kontaktbereichs 18 eine Elektrodenschicht 38 strukturiert aufgebracht ist . Der erste Kontaktbereich 16 zwischen dem Substrat 10 und der Eiektrodenschicht 38 dient als erste Elektrode , beispielsweise als Anode , des passiven

elektronischen Bauelements . Die Elektrodenschicht 38 auf einer von dem Substrat 10 abgewandten Seite des Dielektrikums 28 dient als zweite Elektrode, beispielsweise als Kathode , des passiven elektronischen Bauelements. Das passive

elektronische Bauelement kann einerseits über den ersten Kontaktbereich 18 elektrisch kontaktiert werden und kann andererseits über den zweiten Kontaktbereich 18 elektrisch kontaktiert werden. Das passive elektronische Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator bilden. In Figur 7 symbolisiert das Kondensatorsymbol auf dem

Substrat 10 die Funktion des passiven elektronischen

Bauelements als Kondensator .

Fig . 8 zeigt eine Drau sicht auf das passive elektronische Bauelement gemäß Figur 7. Aus Figur 8 geht hervor, dass der erste und der zweite Kontaktbereich 16, 18 , das Dielektrikum 28 und/oder die Elektrodenschicht 38 beispielsweise

rechteckförmig ausgebildet sind. Alternativ dazu können der erste und der zweite Kontaktbereich 16 , 18 und/oder die

Elektrodenschicht 38 beispielsweise quadratisch oder

kreisförmig ausgebildet sein. Die in Figur 8 nicht dargestellte Grabenstruktur , die auch den Graben 24 aufweist , kann entsprechend ausgebildet sein.

Fig . 9 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines passiven elektronischen Bauelements , das beispielsweise den im Vorhergehenden erläuterten Kondensator aufweist . Das passive elektronische Bauelement weist beispielsweise einen zweiten Graben 40 und einen dritten Graben 42 auf, in denen das Substrat 10 frei gelegt ist . Der zweite und der dritte Graben 40 , 42 können beispielsweise einen Widerstandsbereich 44 abgrenzen, der eine Verjüngung aufweist . Der

WiderStandsbereich 44 kann einerseits beispielsweise in den ersten Kontaktbereich 16 und andererseits in einen dritten Kontaktbereich 46 münden . Der Widerstandsbereich 44 bildet einen elektrischen Widerstand, der mit dem Kondensator in Reihe geschaltet ist . Der Widerstand ist in die

Schichtstruktur des passiven elektronischen Bauelements integriert und/oder bildet einen Teil des passiven

elektronischen Bauelements .

Fig . 10 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines passiven elektronischen Bauelements , das beispielsweise den im Vorhergehenden erläuterten Kondensator aufweist . Das passive elektronische Bauelement weist beispielsweise den zweiten Graben 40 und den dritten Graben 42 auf , in denen das Substrat 10 frei gelegt ist . Der zweite und der dritte Graben 40 , 42 können beispielsweise den WiderStandsbereich 44 abgrenzen, der die Ver üngung aufweist . Der

Widerstandsbereich 44 kann einerseits beispielsweise in den ersten Kontaktbereich 16 und andererseits in den zweiten

Kontaktbereich 18 münden . Der Widerstandsbereich 44 bildet einen elektrischen Widerstand, der parallel zu dem

Kondensator geschaltet ist . Der Widerstand ist in die

Schichtstruktur des passiven elektronischen Bauelements integriert und/oder bildet einen Teil des passiven

elektronischen Bauelements . Fig. 11 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines passiven elektronischen Bauelements , das beispielsweise zwei der im Vorhergehenden erläuterten Kondensatoren und zwei der im Vorhergehenden erläuterten Widerstände aufweist . Das passive elektronische Bauelement weist beispielsweise zwei der zweiten Gräben 40 und der dritten Gräben 42 auf , in denen das Substrat 10 frei gelegt ist . Die zweiten und die dritten Gräben 40 , 42 können beispielsweise paarweise einen der

WiderStandsbereiche 44 abgrenzen, die die Verjüngung

aufweisen . Einer der WiderStandsbereiche 44 kann einerseits beispielsweise in den ersten Kontaktbereich 16 und

andererseits in den dritten Kontaktbereich 46 münden und in Reihe mit dem entsprechenden Kondensator geschaltet sein. Der andere der WiderStandsbereiche 44 kann einerseits

beispielsweise in den ersten Kontaktbereich 16 und

andererseits in den zweiten Kontaktbereich 18 münden und parallel zu dem entsprechenden WiderStandsbereich 44

geschaltet sein. Die Paare von Kondensatoren und Widerständen sind zu einander parallel geschaltet . Alternativ dazu können Paare von Kondensatoren und Widerständen nacheinander in Reihe geschaltet sein. Ferner können weitere Paare oder andere Kombinationen von Widerständen und Kondensatoren angeordnet sein . Anhand von Figuren 12 bis 19 wird ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe erläuter . Dabei sind in den Figuren 12 bis 19 Ausführungsbeispiele von Komponenten der optoelektronischen Baugruppe in unterschiedlichen Zuständen der

optoelektronischen Baugruppe während des

Herstellungsverfahrens zum Herstellen der optoelektronischen Baugruppe dargestellt . Die Verfahrensschritte können

beispielsweise grundsätzlich die gleichen wie bei dem im Vorhergehenden erläuterten Verfahren sein . Daher wird im Folgenden ausschließlich auf das Ausbilden der im Vergleich mit dem im Vorhergehenden erläuterten Verfahren neuen

Komponenten der optoelektronischen Baugruppe eingegangen. Fig. 12 zeigt das Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch leitfähige Schicht 12 , 14 mit dem Dielektrikum 28 , wobei das Dielektrikum 28 derart strukturiert auf die zweite elektrisch leitfähige Schicht 14 aufgebracht ist , dass es einen Bauelementbereich 50 von dem zweiten Kontaktbereich 28 abtrennt und zumindest teilweise um den Bauelementbereich 50 herum verläuft .

Fig. 13 zeigt das Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch leitfähige Schicht 12 , 14 mit dem Dielektrikum 28, wobei auf den ersten und den zweiten Kontaktbereich 16, 18 ein Ausführungsbeispiel einer Schutzschicht 52 strukturiert aufgebracht ist . Angrenzend an den ersten und den zweiten Kontaktbereich 16, 18 überlappt die Schutzschicht 52 das Dielektrikum 28 teilweise . Die Schutzschicht 52 dient als Ätzstopp zum Schützen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht in den Kontak bereichen 16, 18 bei einem

nachfolgenden Ätzprozess zum Entfernen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 14 in dem Bauelementbereich 50.

Dass die Schutzschicht 52 strukturiert aufgebracht ist , bedeutet , dass die gewünschte Struktur bereits beim

Aufbringen der Schutzschicht 52 ausgebildet wird . Die zu beschichtende Fläche wird somit nur in Teilbereichen, die von der gewünschten Struktur abhängen, beschichtet . Die

Schutzschicht 52 kann beispielsweise mittels eines

Druckverfahrens , wie beispielsweise mittels Siebdruck,

Tintens rahldruck oder Flexodruck, oder Rakeln strukturiert aufgebracht werden. Das Material der Schutzschicht 52 kann beispielsweise Base-löslich und nicht säurelöslich sein, beispielsweise wenn das Dielektrikum 28 säurelöslich ist . Beispielsweise kann das Material der Schutzschicht 52 in Natriumhydroxid, Kalziumhydroxid oder

Tetramethylammoniumhydroxid lösbar sein . Alternativ dazu kann das Material der Schutzschicht 52 säurelöslich und/ nicht Base-löslich sein, beispielsweise wenn das Dielektrikum 28 Base- löslich ist . Das Material der Schutzschicht 52 kann beispielsweise einen Lack auf eisen oder daraus gebildet sein.

Fig. 14 zeigt das Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch leitfähige Schicht 12, 14 mit dem Dielektrikum 28 und der Schutzschicht 52 , wobei die zweite elektrisch

leitfähige Schicht 14 in dem Bauelementbereich 50 entfernt ist. Die zweite elektrisch leitfähige Schicht 14 kann

beispielsweise mittels eines Ätzprozesses entfernt werden. Für das Ätzen der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht 14 kann beispielsweise ein Ätzbad, wie beispielsweise eine 3%- ige Trichloressigsäure in Wasser verwendet werde .

Fig. 15 zeigt das Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch leitf hige Schicht 12 , 14 mit dem Dielektrikum 28 , wobei die Schutzschicht 52 entfernt ist . Die Schutzschicht 52 kann beispielsweise mittels einer geeigneten Base und/oder einem basischen Lösungsmittel entfernt werden . Durch das Entfernen der Schutzschicht 52 werden die Kontaktbereiche 16, 18 frei gelegt .

Fig. 16 zeigt die optoelektronische Baugruppe , die das

Substrat 10 und die erste und die zweite elektrisch

leitfähige Schicht 12 , 14 mit dem Dielektrikum 28 aufweist, wobei in dem Bauelementbereich 50 eine organisch funktionelle Schicht 54 ausgebildet ist . Auf der organisch funktionellen Schicht 54 kann beispielsweise ein Teil der Elektrodenschicht 38 strukturiert aufgebracht sein . Die Elektrodenschicht 38 wird beispielsweise derart strukturiert aufgebracht, dass die organisch funktionelle Schicht 52 mit einem Teil der

Elektrodenschicht 38 bedeckt ist . Die erste elektrisch leitfähige Schicht 12 zwischen dem Substrat 10 und der organisch funktionellen Schicht 54 kann beispielsweise als erste Elektrode, beispielsweise als Anode , des

optoelektronischen Bauelements dienen . Die Elektrodenschicht 38 auf der organisch funktionellen Schicht 54 kann

beispielsweis als zweite Elektrode , beispielsweise als

Kathode , des optoelektronischen Bauelements dienen. Die zweite Elektrode des Kondensators und die erste Elektrode des optoelektronischen Bauelements können beispielsweise direkt körperlich miteinander kontaktiert sein. Die

optoelektronische Baugruppe kann beispielsweise einerseits über die zweite Elektrode des optoelektronischen Bauelements und andererseits über die erste Elektrode des Kondensators elektrisch kontaktiert werden, wobei dann der Kondensator und das optoelektronische Bauelement in Reihe geschaltet sind. In Figur 17 symbolisieren das Kondensatorsymbol und das

Diodensymbol auf dem Substrat 10 die Reihenschaltung des passiven elektronischen Bauelements und des

optoelektronischen Bauelements . Die organisch funktionelle Schicht 54 kann beispielsweise den optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements , beispielsweise einer LED oder OLED, darstellen. Die organisch funktionelle Schicht 54 kann beispielsweise in einem, zwei oder mehreren Prozessschritten ausgebildet werden.

Beispielsweise kann die organisch funktionelle Schicht 54 im Vakuum aufgedampft werde . Im Falle einer OLED als

optoelektronisches Bauelement kann die organisch funktionelle Schicht 54 beispielsweise eine, zwei oder mehrere

halbleitende, lichtemittierende organische Schichten

aufweisen. Ein Ausführungsbeispiel einer OLED und die

detaillierte Ausgestaltung der Schichtenstruktur der OLED sind im Folgenden mit Bezug zu Figur 17 näher erläutert .

Fig. 17 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Schichtenstruktur eines Ausführungsbeispiels eines

optoelektronischen Bauelementes , gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen . Das im Vorhergehenden erläuterte optoelektronische Bauelement der optoelektronischen Baugruppe kann beispielsweise gemäß der im Folgenden erläuterten

Schichtenstruktur ausgebildet sein . Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement, beispielsweise ein lichtemittierendes Bauelement 100 ,

beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode, sein. Das optoelektronische Bauelement kann einen Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise einen

Teilabschnitt des Substrats 10 repräsentieren und kann als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente , dienen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode (oder das elektromagnetische Strahlung

emittierende Bauelement 100 gemäß den im Vorhergehenden oder im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement , beispielsweise eine transparente organische

Leuchtdiode , bezeichnet werden . Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barrierenschicht 104 kann beispielsweise auch als Teilschicht des Trägers 102 angesehen werden . Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen : Aluminiumoxid,

Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Haf iumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,

Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium- dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen

derselben . Ferner kann die Barriereschicht 104 in

verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke

aufweisen in einem Bereich von ungef hr 0,1 nm (eine

Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke in ei em Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm.

Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110 des optoelektronischen Bauelements, eine zweite Elektrode 114 des optoelektronischen Bauelements und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 des optoelektronischen Bauelements aufweisen, wie sie im

Folgenden noch näher erläutert werden.

So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 102) die erste Elektrode 110 des optoelektronischen Bauelements aufgebracht sein.

Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des

lichtemittierenden Bauelements 100 eine organische

funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 des optoelektronischen

Bauelements aufgebracht ist oder ausgebildet wird.

Beispielsweise kann die organisch funktionelle

Schichtenstruktur 112 des optoelektronischen Bauelements die organisch funktionelle Schicht 54 repräsentieren.

Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als LochtransportSchicht (en) 120). In

verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Elektronentransportschiebt (en) 116) vorgesehen sein.

Beispiele für Emittermaterialien, die in dem

lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118

eingesetzt werden können, schließen organische oder

organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2 - oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis {3 , 5 -difluoro- 2 - { 2 -pyridyl ) phenyl - (2- carboxypyridyl) -iridium III), grün phosphoreszierendes

Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot

phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [ 4 , 4 ' -di-tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA

{9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot

fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können

Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.

Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete

Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.

Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 des

lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien

aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau

phosphoreszierenden Emitterschicht 118 , einer grün

phosphoreszierenden Emitte Schicht 118 und einer rot

phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die PrimärStrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert , so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten

Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere , organische Monomere , organische kleine , nicht- polyrr.ere Moleküle („small molecules ^' ") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen . Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere

elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als

Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive

Löcherinj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.

Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organisch funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als

Elektronentransportschicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive

Elektroneninj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht 120 können

beispielsweise tertiäre Amine , Carbazoderivate , leitfähiges Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden . In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als

elektrolumines zierende Schicht ausgeführt sein. In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann die

Lochtransportschicht 120 auf oder über der ersten Elektrode 110 des optoelektronischen Bauelements aufgebrach ,

beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der Lochtransportschicht 120 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die Elektronentransportschicht 116 auf oder über der Emitterschicht 118 aufgebracht ,

beispielsweise abgeschieden, sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 120 und

Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en) 116) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 μτα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 1 , 2 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μχη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ma imal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 300 nm.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen

Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten

organischen Leuchtdioden (OLEDs ) aufweisen, wobei j ede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1, 5 μτη , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1, 2 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112

beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 μτα ,

Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funkt ionsschichten, beispielsweise

angeordnet auf oder über der einen oder mehreren

Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den

Elektronentransportschicht (en) 116 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des

Iichtemi tierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern . Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf ode über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen

Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 114 des optoelektronischen Bauelements aufgebracht sein . In

verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode 114 des optoelektronischen Bauelements die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110 , wobei in verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind . In verschiedenen

Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 des optoelektronischen Bauelements und/oder die zweite Elektrode 114 des optoelektronischen Bauelements transluzent oder transparent ausgebildet . Somit kann das in Fig .1 dargestellte lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und/oder Bottom- Emitter {anders ausgedrückt als transparentes

lichtemittierendes Bauelement 100) ausgebildet sein . Die zweite Elektrode 114 des optoelektronischen Bauelements kann als Anode , also als Löcher inj izierende Elektrode ,

ausgebildet sein oder als Kathode , also als eine Elektronen inj izierende Elektrode .

Auf oder über der zweiten Elektrode 114 des

optoelektronischen Bauelements und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine

Verkapselung 108, beispielsweise in Form einer

Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein. Unter einer „Barrierendünnschicht ^" " 108 bzw. einem „Isolatorbereich- Dürrnfi Im" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine

Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist , eine Isolatorbereich gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff , zu bilden . Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet , dass sie von OLED- schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.

Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt , als

Einzelschicht) ausgebildet sein . Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen . Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die

Barrierendünnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)

ausgebildet sein . Die Barrierendünnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines

Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens ( Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen

AtomlageabscheideVerfahrens (Plasma- less Atomic Layer

Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen

Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition

(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines

plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition ( PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverf hren.

Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 108 , die mehrere Teilschichten aufv/eist , alle Teilschichten mittels eines

Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine

Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten auf eist , kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 108 , die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere

Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 mittels eines anderen Abscheide erfahrens als einem

Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,

beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die Barrierendünnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungef hr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer

Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .

Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 108 mehrere Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen

Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der

Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweise . Mit anderen Worten kann mindestens eine der

Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten . Die

Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff {oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen.

Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der

Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein : Aluminiumoxid , Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid

Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,

Siliziumoxinitrid, Indiumz innoxid , Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen

derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines

Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen

Brechungsinde , beispielsweise mit einem Brechungs index von mindestens 2.

In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 126 , beispielsweise aus Glas , beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen

Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der Barrieredünnschicht 108 aufgebracht werden. Die Abdeckung 126 kann sich beispielsweise über alle

optoelektronischen Bauelemente der optoelektronischen

Baugruppe erstrecken.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ein Klebstoff und/oder ein

Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126) auf der Barrierendünnschicht 108 befestigt , beispielsweise aufgeklebt ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 μτ

aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μτα. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Lamina ions - Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein .

In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als

Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch Iichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der

Auskoppeleffizienz führen können . In verschiedenen

Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S.i.02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20a)

Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungs index haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 des optoelektronischen Bauelements und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt)

aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN,

beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μχ , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem. Bereich von ungefähr 500 nm bis

ungefähr 1 μπι, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein

Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden . Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann,

beispielsweise in Ausgestaltungen, in. denen die Abdeckung 126 , beispielsweise aus Glas , mittels beispielsweise

Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 108 aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kan die Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen

Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1 , 55 aufweisen.

Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen

zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten

(beispielsweise kombiniert mit der Verkapseiung 108 ,

beispielsweise der Barrierendünnschicht 108 ) in dem

lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen

Ausführungsbeispiele beschränkt . Beispielsweise können mehr als ein, beispielsweise zwei , drei oder mehr passive

elektronische Bauelemente und/oder optoelektronische

Bauelemente, beispielsweise in Reihe oder parallel

geschaltet , hergestellt werden, insbesondere ohne einen photolithographischen Prozess durchzuführen und/oder mit lediglich einem Ätzprozess . Ferner können ein, zwei oder mehr passive elektronische Bauelemente mit dem bzw. den

optoelektronischen Bauelementen kombiniert werden,

beispielswiese elektrisch in Reihe nach einander und/oder parallel zu einander .