Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl

strahlungsemittierender Halbleiterchips

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl

strahlungsemittierender Halbleiterchips angegeben.

Ein strahlungsemittierender Halbleiterchip ist beispielsweise in der Druckschrift DE 10 2010 028 407 beschrieben.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender

Halbleiterchips bereitzustellen, bei dem insbesondere eine kostengünstige und effiziente Methode zur Aufbringung einer Konversionsschicht auf Waferlevel ermöglicht wird.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens sind in den abhängigen

Ansprüchen angegeben.

Bei dem Verfahren wird eine Vielzahl von Halbleiterkörpern bereitgestellt, die dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche auszusenden.

Die Halbleiterkörper werden gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens auf einen Träger aufgebracht. Bevorzugt werden die Halbleiterkörper voneinander beabstandet auf den Träger aufgebracht, so dass Bereiche des Trägers zwischen den

Halbleiterkörpern entstehen, die frei zugänglich sind. Auf die Bereiche des Trägers zwischen den Halbleiterkörpern, die frei zugänglich sind, wird eine erste Maskenschicht aufgebracht. Die erste Maskenschicht ist dazu vorgesehen, ein Abscheiden einer später aufgebrachten Konversionsschicht direkt auf die Bereiche des Trägers zwischen den

Halbleiterkörpern zu vermeiden.

Die erste Maskenschicht umfasst bevorzugt einzelne erste Maskenstrukturelemente, wobei jedes erste

Maskenstrukturelement einen Bereich des Trägers zwischen zwei direkt benachbarten Halbleiterkörpern besonders bevorzugt möglichst vollständig bedeckt. Besonders bevorzugt grenzt jedes erste Maskenstrukturelement jeweils an die

Seitenflächen der benachbarten Halbleiterkörper an.

Alternativ ist es auch möglich, dass die

Maskenstrukturelemente der ersten Maskenschicht beabstandet von den benachbarten Halbleiterkörpern angeordnet ist, beispielsweise, um einen Bonddraht, der den jeweiligen

Halbleiterkörper elektrisch kontaktiert, nicht zu

beschädigen. Weiterhin ist es auch möglich, mit Hilfe erster Maskenstrukturelemente, die in einem gewissen Abstand von den benachbarten Halbleiterkörpern angeordnet sind, eine

Beschichtung der Seitenflanken der Halbleiterkörper bei einem nachfolgenden Sprühbeschichtungsverfahren zu erzielen. Eine

Beschichtung der Seitenflanken der Halbleiterkörper, etwa mit einer Konversionsschicht, ist insbesondere wünschenswert, wenn der Halbleiterkörper über die Seitenflanken im Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert. Dies ist

beispielsweise bei einem Halbleiterkörper in Flip-Chip- Ausführung der Fall. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird, besonders bevorzugt vollflächig, eine Konversionsschicht mit einem Sprühbeschichtungsverfahren auf die Halbleiterkörper und die erste Maskenschicht aufgebracht. Die

Konversionsschicht bedeckt hierbei die Oberfläche, die durch die Halbleiterkörper und die ersten Maskenstrukturelemente ausgebildet ist, möglichst vollständig. Bevorzugt wird die Konversionsschicht hierbei in direktem Kontakt mit der

Oberfläche, die durch die Halbleiterkörper und die ersten Maskenstrukturelemente gebildet wird, aufgebracht.

Die Oberfläche, die durch die Halbleiterkörper und die ersten Maskenstrukturelemente gebildet wird, kann hierbei eine

Topographie aufweisen. Mit anderen Worten kann die

Oberfläche, die durch die Halbleiterkörper und die ersten Maskenstrukturelemente gebildet wird, Vorsprünge und

Vertiefungen aufweisen, die beispielsweise durch

unterschiedliche Dicken der Halbleiterkörper und der ersten Maskenstrukturelementen entstehen .

Wird eine Schicht mit einem Sprühbeschichtungsverfahren auf eine Oberfläche mit einer Topographie aufgebracht, so kann die Schicht die Topographie nachbilden. Weist somit die

Oberfläche, auf die die Konversionsschicht aufgebracht wird, eine Topographie auf, so kann die Konversionsschicht diese Topographie nachbilden.

Die Halbleiterkörper senden im Betrieb elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von ihrer

Strahlungsaustrittsfläche aus. Die Konversionsschicht ist dazu vorgesehen, die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs, in Strahlung eines zweiten

Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der von dem ersten Wellenlängenbereich verschieden ist. Mit anderen Worten ist die Konversionsschicht wellenlängenkonvertierend ausgebildet.

Mit dem Begriff „wellenlängenkonvertierend" ist vorliegend insbesondere gemeint, dass eingestrahlte elektromagnetische Strahlung eines bestimmten Wellenlängenbereichs in

elektromagnetische Strahlung eines anderen, bevorzugt

längerwelligen, Wellenlängenbereichs umgewandelt wird. In der Regel absorbiert ein wellenlängenkonvertierendes Element elektromagnetische Strahlung eines eingestrahlten

Wellenlängenbereiches, wandelt diese durch elektronische Vorgänge auf atomarer und/oder molekularer Ebene in

elektromagnetische Strahlung eines anderen

Wellenlängenbereiches um und sendet die umgewandelte

elektromagnetische Strahlung wieder aus.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird die erste Maskenschicht entfernt, sodass jeweils eine

Konversionsschicht zumindest auf der

Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterkörper entsteht. Die Bereiche des Trägers, die durch die Strukturelemente der ersten Maskenschicht abgedeckt waren, sind hierbei besonders bevorzugt frei von der Konversionsschicht. Das mit der ersten Maskenschicht entfernte Material der Konversionsschicht kann mit Vorteil gesammelt und wiederaufbereitet werden.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens überragt die erste Maskenschicht die Halbleiterkörper. Beispielsweise überragt die erste Maskenschicht die Halbleiterkörper um einen

Überstand, der eine Höhe zwischen einschließlich 30

Mikrometer und einschließlich 200 Mikrometer aufweist.

Beispielsweise hat der Überstand einen Wert von zirka 100 Mikrometer . Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens weist die Konversionsschicht ein organisches Vergussmaterial auf, in das Partikel eines anorganischen Leuchtstoffs eingebracht sind. Der Leuchtstoff verleiht der Konversionsschicht die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften.

Als anorganischer Leuchtstoff ist beispielsweise eines der folgenden Materialien geeignet: Mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte

Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte

Oxinitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Sialone.

Bei dem organischen Vergussmaterial kann es sich

beispielsweise um ein Epoxid oder ein Silikon, wie ein

Polysilazan, handeln.

Das Sprühbeschichtungsverfahren zum Aufbringen der

Konversionsschicht umfasst beispielsweise die folgenden

Schritte:

- Bereitstellen einer Suspension aus den

LeuchtstoffPartikeln, dem organischen Vergussmaterial und einem organischen Lösungsmittel, und

- Aufsprühen der Suspension auf die zu beschichtende

Oberfläche.

In der Regel erfolgt das Aufsprühen der Suspension auf die zu beschichtende Oberfläche vollflächig. Mit Hilfe des organischen Lösungsmittels ist es bei dieser Ausführungsform des Verfahrens möglich, die Viskosität der aufzusprühenden Suspension mit Vorteil zu verringern. Als organisches Lösungsmittel ist beispielsweise eines der folgenden Materialien geeignet: ein Alkan, Toluol, Xylol.

Das organische Lösungsmittel verdampft in der Regel nach Fertigstellung der Konversionsschicht. Das Verdampfen des organischen Lösungsmittels kann beispielsweise auch durch einen Trocknungsvorgang beschleunigt werden. Besonders bevorzugt ist die Konversionsschicht eines fertigen

Halbleiterchips mit Vorteil weitestgehend frei von dem organischen Lösungsmittel. Es ist jedoch durchaus denkbar, dass sehr geringe Reste des organischen Lösungsmittels in der Konversionsschicht verbleiben und eine komplett vollständige Entfernung des Lösungsmittels aus der Konversionsschicht aus technischen Gründen nicht möglich ist.

Besonders bevorzugt weisen die Leuchtstoffpartikel eine

Konzentration zwischen einschließlich 10 Gew.-% und

einschließlich 45 Gew.-% in der Suspension auf.

Beispielsweise setzt sich die Suspension jeweils aus einem Drittel an LeuchtstoffPartikeln, einem Drittel an organischem Lösungsmittel und einem Drittel an organischem

Vergussmaterial zusammen, wobei die Anteile auf das Gewicht bezogen sind.

Besonders bevorzugt weist der Durchmesser der

Leuchtstoffpartikel einen Median d5 _Q von höchstens 35

Mikrometer auf. Beispielsweise weisen die Leuchtstoffpartikel einen Median d5 _Q von ungefähr 16 Mikrometer auf. Der Median ist hierbei von einer Vielzahl an Werten die Zahl, welche an der mittleren Stelle steht, wenn man die Werte der Größe nach sortiert. Der Median teilt somit eine Anzahl von Werten oder eine Verteilung in zwei Hälften, sodass die Werte in der einen Hälfte kleiner als der Medianwert sind und in der anderen Hälfte größer.

Aus Gründen der Konversionseffizienz der Konversionsschicht ist insbesondere eine Schicht mit großen LeuchtstoffPartikeln gewünscht. Die Größe der Leuchtstoffpartikel ist jedoch durch das Sprühbeschichtungsverfahren begrenzt, da es in der Regel umso schwieriger ist, eine Suspension aufzusprühen je größer die Leuchtstoffpartikel sind.

Beispielsweise weist die Konversionsschicht eine Dicke zwischen einschließlich 5 Mikrometer und einschließlich 80 Mikrometer auf. Beispielsweise weist die Konversionsschicht eine Dicke von 35 Mikrometern auf.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das

Sprühbeschichtungsverfahren zur Aufbringung der

Konversionsschicht mehrere aufeinanderfolgende Sprühschritte, wobei in jedem Sprühschritt eine Einzelkonversionsschicht erzeugt wird. Besonders bevorzugt werden die

Einzelkonversionsschichten zwischen den einzelnen

Sprühschritten getrocknet, beispielsweise mit Hilfe eines Umluftofens.

Die Einzelkonversionsschicht ist in der Regel eine sehr dünne Schicht, deren Dicke durch die Korngröße der einzelnen

Leuchtstoffpartikel bestimmt wird. In der Regel wird hierbei bei jedem Sprühschritt eine Einzelkonversionsschicht

abgeschieden, die bevorzugt lediglich eine Monolage an

LeuchtstoffPartikeln aufweist. Bei den darauffolgenden

Sprühschritten zur Abscheidung weiterer Einzelkonversionsschichten ordnen sich die jeweils aufgesprühten Leuchtstoffpartikel besonders bevorzugt in den entstandenen Lücken der darunterliegenden

Einzelkonversionsschicht zwischen deren Leuchtstoffpartikel an. Auf diese Art und Weise wird eine Konversionsschicht mit einer besonders hohen Packungsdichte erzeugt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Entfernen der ersten Maskenschicht eine

Haftvermittlungsschicht vollflächig auf den Träger mit den Halbleiterkörpern aufgebracht. Besonders bevorzugt wird die Haftvermittlungsschicht ebenfalls mittels eines

Sprühbeschichtungsverfahrens abgeschieden. Auch die

Haftvermittlungsschicht kann, wie die Konversionsschicht, durch Aufsprühen mehrerer Einzelhaftvermittlungsschichten erzeugt werden. Auch die Einzelhaftvermittlungsschichten können zwischen den einzelnen Sprühschritten getrocknet werden . Die Haftvermittlungsschicht bedeckt besonders bevorzugt die freiliegenden Bereiche des Trägers zwischen den

Halbleiterkörpern, die Seitenflächen der Halbleiterkörper und der Konversionsschicht auf den Halbleiterkörpern sowie eine Hauptfläche der Konversionsschicht, die von der

Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterkörper abgewandt ist. Beispielsweise ist die Haftvermittlungsschicht in direktem Kontakt mit den freiliegenden Bereichen des Trägers zwischen den Halbleiterkörpern, den Seitenflächen der Halbleiterkörper und der Konversionsschicht sowie einer Hauptfläche der

Konversionsschicht angeordnet, die von der

Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterkörper abgewandt ist. Die Haftvermittlungsschicht ist insbesondere dazu vorgesehen, die Haftung zu einer nachfolgend aufgebrachten

Reflexionsschicht zu verbessern. Die Dicke der

Haftvermittlungsschicht liegt besonders bevorzugt zwischen einschließlich 1 Mikrometer und einschließlich 5 Mikrometer.

Beispielsweise kann eines der folgenden Materialien als

Haftvermittler in der Haftvermittlungsschicht enthalten sein: Silan, Siloxan.

Die Haftvermittlungsschicht kann auch aus einem dieser

Materialien bestehen.

Besonders bevorzugt umfasst das Sprühbeschichtungsverfahren zum Aufbringen der Haftvermittlungsschicht die folgenden Schritte :

- Bereitstellen einer Mischung des Haftvermittlers und einem organischen Lösungsmittel, und

- Aufsprühen der Mischung auf die zu beschichtende

Oberfläche.

Als organisches Lösungsmittel sind wiederum die bereits oben aufgeführten Materialien geeignet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird eine Reflexionsschicht vollflächig über den Halbleiterkörpern aufgebracht, in der Regel auf die Konversionsschicht oder auf die Haftvermittlungsschicht. Bei den späteren Halbleiterchips ist hierbei jeweils eine Reflexionsschicht im Strahlengang der Halbleiterkörper angeordnet. Das Aufbringen der

Reflexionsschicht erfolgt bevorzugt ebenfalls mit einem

Sprühbeschichtungsverfahren . Die Reflexionsschicht im

Strahlengang der Halbleiterkörper kann die Helligkeit der späteren Halbleiterchips positiv beeinflussen. Bei dieser Ausführungsform übersteigt die Dicke der Reflexionsschicht zumindest über den Halbleiterkörpern besonders bevorzugt einen Wert von 25 Mikrometer nicht.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird auf die Konversionsschichten auf den Strahlungsaustrittsflächen der Halbleiterkörper eine zweite Maskenschicht aufgebracht. Die zweite Maskenschicht weist hierbei zweite

Maskenstrukturelemente auf. Bevorzugt bedeckt jedes zweite Maskenstrukturelement eine Konversionsschicht eines

Halbleiterkörpers vollständig, während die Bereiche zwischen den Halbleiterkörpern frei sind von der Maskenschicht. In einem nächsten Schritt wird eine Reflexionsschicht

vollflächig auf die zweite Maskenschicht und auf die Bereiche zwischen den Halbleiterkörpern aufgebracht. Besonders

bevorzugt erfolgt das Aufbringen der Reflexionsschicht ebenfalls mit einem Sprühbeschichtungsverfahren . Schließlich wird die zweite Maskenschicht entfernt, so dass die Bereiche des Trägers zwischen den Halbleiterkörpern mit einer Reflexionsschicht bedeckt sind. Die

Konversionsschichten sind bei dieser Ausführungsform

besonders bevorzugt frei von der Reflexionsschicht.

Bevorzugt reicht die Reflexionsschicht hierbei zwischen den Halbleiterkörpern bis an die Hauptfläche der

Konversionsschicht, die von der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers abgewandt ist. Besonders bevorzugt schließt die Reflexionsschicht zwischen den Halbleiterkörpern mit der Hauptfläche der Konversionsschicht, die von der

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers abgewandt ist, bündig ab. Besonders bevorzugt wird die Reflexionsschicht in Verbindung mit einer Haftvermittlungsschicht eingesetzt, wobei die

Haftvermittlungsschicht dazu vorgesehen ist, die Haftung zu der Reflexionsschicht innerhalb des späteren Halbleiterchips zu verbessern. Besonders bevorzugt wird die Reflexionsschicht daher in direktem Kontakt mit der Haftvermittlungsschicht angeordnet .

Beispielsweise wird die Reflexionsschicht daher in direktem Kontakt mit der Haftvermittlungsschicht auf den Bereichen des Trägers zwischen den Halbleiterkörpern, mit den Seitenflächen der Halbleiterkörper und mit den Seitenflächen der

Konversionsschicht angeordnet. In der Regel steht die

Reflexionsschicht auch in direktem Kontakt mit den

Strukturelementen der zweiten Maskenschicht.

Bevorzugt weist die Reflexionsschicht reflektierende Partikel auf, die in ein organisches Vergussmaterial eingebracht sind. Die reflektierenden Partikel verleihen der Reflexionsschicht die reflektierenden Eigenschaften. Als organisches

Vergussmaterial kann beispielsweise eines der oben bereits genannten Vergussmaterialien verwendet werden. Die

reflektierenden Partikel weisen beispielsweise eines der folgenden Materialien auf oder bestehen aus einem der

folgenden Materialien: Titanoxid, Aluminiumoxid,

Siliziumoxid.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das

Sprühbeschichtungsverfahren zum Aufbringen der

Reflexionsschicht die folgenden Schritte:

- Bereitstellen einer Suspension aus reflektierenden

Partikeln, einem organischen Vergussmaterial und einem organischen Lösungsmittel, und - Aufsprühen der Suspension auf die zu beschichtende

Oberfläche .

Auch hierbei ist das organische Lösungsmittel dazu

vorgesehen, die Viskosität der aufzusprühenden Suspension einzustellen .

Auch die Reflexionsschicht kann, wie die Konversionsschicht, in mehreren aufeinanderfolgenden Sprühschritten, bei denen jeweils eine Einzelreflexionsschicht erzeugt wird,

abgeschieden werden. Umfasst die Reflexionsschicht

reflektierende Partikel in einem Vergussmaterial, kann die die Abscheidung der Einzelreflexionsschichten analog zu der Abscheidung der Einzelkonversionsschichten mit

LeuchtstoffPartikeln erfolgen.

Bevorzugt weist die Reflexionsschicht eine Dicke zwischen einschließlich 5 Mikrometer und einschließlich 30 Mikrometer auf .

Als erste Maskenschicht und/oder zweite Maskenschicht kann beispielsweise eine der folgenden Vorrichtungen verwendet werden: Eine strukturierte Fotolackschicht, eine Schablone, eine vorstrukturierte Folie. Bei der Schablone kann es sich um eine Metallschablone oder eine KunststoffSchablone

handeln .

Das vorliegende Verfahren macht sich die Idee zunutze, bestimmte von einem Strahlungsemittierenden Halbleiterchip umfasste Schichten, wie die Konversionsschicht, die

Haftvermittlungs- oder die Reflexionsschichten, mittels eines Sprühbeschichtungsverfahrens aufzubringen. Die Verwendung eines Sprühbeschichtungsverfahrens ermöglicht insbesondere eine besonders einfache und kostengünstige Herstellung.

Ein Sprühbeschichtungsverfahren alleine ist insbesondere dazu geeignet, makroskopische Flächen, beispielsweise in der Größe eine Wafers, vollflächig mit einer Schicht zu versehen.

Vorliegend ist es aber beispielsweise gewünscht, lediglich die Strahlungsaustrittsflächen der Halbleiterkörper mit einer Konversionsschicht zu versehen, so dass eine strukturierte Aufbringung, etwa der Konversionsschicht, notwendig ist.

Hierzu wird vorliegend die Verwendung von Masken vorschlagen. Mit einer strukturierten Aufbringung einer Konversionsschicht kann weiterhin die Abstrahlcharakteristik der späteren

Halbleiterchips auf gewünschte Art und Weise beeinflusst werden. Durch Kombination eines Sprühbeschichtungsverfahrens mit einer Maskentechnologie kann mit Vorteil eine besonders effiziente und kostengünstige Herstellung

strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit einer

Konversionsschicht erzielt werden.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen. Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 1 bis 4 wird ein Verfahren gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben.

Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 5 bis 8 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel des

Verfahrens beschrieben. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1 bis 4 wird in einem ersten Schritt eine Vielzahl an

Halbleiterkörpern 1 auf einen Träger 2 aufgebracht (Figur 1) . Die Halbleiterkörper 1 sind dazu geeignet, von ihrer

Strahlungsaustrittsfläche 3 elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs auszusenden. Die

Halbleiterkörper 1 werden vorliegend beabstandet voneinander auf dem Träger 2 angeordnet, sodass freiliegende Bereiche des Trägers 2 zwischen den Halbleiterkörpern 1 entstehen.

Wie schematisch in Figur 2 dargestellt, werden zwischen die Halbleiterkörper 1 erste Maskenstrukturelemente 41 einer ersten Maskenschicht 4 aufgebracht. Die

Maskenstrukturelemente 41 füllen die zuvor freiliegenden Bereiche des Trägers 2 zwischen den Halbleiterkörpern 1 vollständig aus. Weiterhin überragt die erste Maskenschicht 4 die Halbleiterkörper 1 um einen Überstand.

In einem nächsten Schritt wird auf die Halbleiterkörper 1 und die erste Maskenschicht 4 vollflächig eine Konversionsschicht 5 mittels eines Sprühbeschichtungsverfahrens aufgebracht. Die Konversionsschicht 5 bedeckt hierbei die Halbleiterkörper 1 und die Strukturelemente 41 der ersten Maskenschicht 4 vollständig, sodass eine geschlossene Oberfläche der

Konversionsschicht 5 entsteht (Figur 3) . Bei dem Aufbringen der Konversionsschicht 5 mit einem

Sprühbeschichtungsverfahren ist es möglich, dass

Einzelschichten der Konversionsschicht 5 in separaten

Sprühschritten aufgebracht und zwischendurch getrocknet werden (nicht dargestellt) .

In einem nächsten Schritt, der schematisch in Figur 4

dargestellt ist, wird die erste Maskenschicht 4 entfernt. Auf diese Art und Weise entstehen Halbleiterkörper 1, die

beabstandet voneinander auf dem Träger 2 angeordnet sind und jeweils auf ihrer Strahlungsaustrittsfläche 3 eine

Konversionsschicht 5 aufweisen. Die Konversionsschicht 5 weist hierbei die Abmessungen der Strahlungsaustrittsfläche 3 der Halbleiterkörper 1 auf, während die Bereiche des Trägers 2 zwischen den Halbleiterkörpern 1 frei sind von der

Konversionsschicht 5.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 5 bis 8 werden zunächst die Schritte durchgeführt, wie anhand der Figuren 1 bis 4 bereits beschrieben.

Dann wird, ebenfalls durch ein Sprühbeschichtungsverfahren, eine Haftvermittlungsschicht 6 vollflächig auf die

Halbleiterkörper 1 mit der Konversionsschicht 5 auf dem

Träger 2 aufgebracht. Hierbei werden die freiliegenden

Bereiche des Trägers 2 zwischen den Halbleiterkörpern 1 vollständig mit der Haftvermittlungsschicht 6 bedeckt, ebenso die Seitenflanken der Halbleiterkörper 1 und der

Konversionsschichten 5 sowie die Hauptfläche der

Konversionsschichten 5, die jeweils von der

Strahlungsaustrittsfläche 3 des Halbleiterkörpers 1 abgewandt ist. Hierbei wird die Topografie der unterliegenden

Oberfläche, die durch die Halbleiterkörper 1 mit der Konversionsschicht 5 ausgebildet ist, in der

Haftvermittlungsschicht 6 nachgebildet.

In einem weiteren Schritt, der schematisch in Figur 6 dargestellt ist, wird eine zweite Maskenschicht 7 auf die Halbleiterkörper aufgebracht. Hierbei bedecken zweite

Strukturelemente 71 der zweiten Maskenschicht 7 die

Konversionsschicht 5 vollständig, während die Bereiche zwischen den Halbleiterkörpern 1 mit der Konversionsschicht 5 frei sind von den zweiten Strukturelementen 71 der zweiten Maskenschicht 7.

Nun wird eine Reflexionsschicht 8 aufgebracht, ebenfalls durch ein Sprühbeschichtungsverfahren . Das Material der

Reflexionsschicht 8 füllt hierbei die Bereiche zwischen den Halbleiterkörpern 1 jeweils vollständig aus. Die

Reflexionsschicht 8 schließt jeweils mit der Hauptfläche der Konversionsschicht 5, die von der Strahlungsaustrittsfläche 3 des Halbleiterkörpers 1 abgewandt ist, bündig ab. Die

Seitenflächen der zweiten Strukturelemente 71 der zweiten Maskenschicht 7 sowie die Hauptfläche der zweiten

Maskenstrukturelemente 71, die von dem Träger 2 abgewandt sind, sind ebenfalls vollständig mit der Reflexionsschicht 8 bedeckt (Figur 7) .

In einem nächsten Schritt wird die zweite Maskenschicht 7 entfernt. Es entsteht eine Vielzahl an Halbleiterkörpern 1, die auf einem Träger 2 aufgebracht sind und auf deren

Strahlungsaustrittsfläche 3 in direktem Kontakt jeweils eine Konversionsschicht 5 angeordnet ist. Die Konversionsschicht 5 schließt hierbei in vertikaler Richtung seitlich vollständig mit dem Halbleiterkörper 1 ab. Auf die von der

Strahlungsaustrittsfläche 3 des Halbleiterkörpers 1 abgewandte Fläche der Konversionsschicht 5, die Seitenflanken der Konversionsschicht 5 und der Halbleiterkörper 1 sowie auf den Bereichen des Trägers 2, die zwischen den

Halbleiterkörpern 1 angeordnet sind, ist vollflächig und durchgängig eine Haftvermittlungsschicht 6 aufgebracht. Die Haftvermittlungsschicht 6 ist dazu vorgesehen, die Haftung zu der Reflexionsschicht 8 zu verbessern. Die Bereiche zwischen den Halbleiterkörpern 1 sind schließlich vollständig bis zu der Hauptfläche der Konversionsschicht 5, die von der

Strahlungsaustrittfläche 3 des Halbleiterkörpers 1 abgewandt ist, mit der Reflexionsschicht 8 gefüllt. Die im Waferverbund vorliegenden Halbleiterchips können nun entlang von

Trennlinien 9 vereinzelt werden (Figur 8) . Weiterhin ist es bei dem Verfahren gemäß dem

Ausführungsbeispiel der Figuren 5 bis 8 auch möglich, dass auf die zweite Maskenschicht 7 verzichtet wird und die

Reflexionsschicht 8 vollflächig auf die

Haftvermittlungsschicht 6 aufgebracht wird. Hierbei wird die Reflexionsschicht 8 insbesondere jeweils über den

Strahlungsaustrittsflächen 3 der Halbleiterkörper 1

positioniert, so dass sich im Strahlengang der

Halbleiterkörper 1 jeweils eine Reflexionsschicht 8 befindet (nicht dargestellt) .

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102013103983.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.