VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT

Es werden ein Verfahren zur Herstellung eines

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und ein

strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

Ein Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender

Halbleiterbauelemente und Strahlungsemittierende

Halbleiterbauelemente sind beispielsweise in der Druckschrift DE 102015114583 beschrieben.

Es soll ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit erhöhter Bruchstabilität angegeben werden. Weiterhin soll ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angegeben werden.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 1 und durch ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 14 gelöst.

Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des

Verfahrens und des Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauelements sind in den jeweils abhängigen

Ansprüchen angegeben.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements wird zumindest ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer ersten Hauptfläche bereitgestellt, die eine

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips umfasst. Der Halbleiterchip umfasst weiterhin eine epitaktische

Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Die in der aktiven Zone der epitaktischen

Halbleiterschichtenfolge erzeugte elektromagnetische

Strahlung wird im Betrieb des Halbleiterchips von dessen Strahlungsaustrittsfläche ausgesandt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird eine metallische Keimschicht auf eine zweite Hauptfläche des Halbleiterchips, die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt, aufgebracht. Die Keimschicht kann beispielsweise eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Au, Ti, Cu, AI, Ag, Sn, Rh, Pt .

Die Keimschicht kann mit einem der folgenden Verfahren abgeschieden werden: stromloses galvanisches Abscheiden,

Aufdampfen, PECVD (kurz für „Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition") , Sputtern.

Die Keimschicht weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 20 Nanometer und einschließlich 5 Mikrometer auf. Besonders bevorzugt weist die Dicke der Keimschicht einen Wert auf, der zwischen einschließlich 100 Nanometer und einschließlich 300 Nanometer liegt. Beispielsweise weist die Dicke der Keimschicht einen Wert von ungefähr 200 Nanometer auf.

Die Keimschicht kann weiterhin als eine Schichtenfolge aus Einzelschichten aufgebaut sein. Beispielsweise kann die Keimschicht aus einer Titanschicht und einer Goldschicht oder aus einer Titanschicht und einer Kupferschicht gebildet sein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden ein metallischer Volumenbereich einer ersten elektrischen Kontaktstelle und ein metallischer Volumenbereich einer zweiten elektrischen Kontaktstelle auf der Keimschicht galvanisch abgeschieden. Bevorzugt erfolgt das Abscheiden des ersten Volumenbereichs und des zweiten Volumenbereichs gleichzeitig. Hier und im Folgenden ist mit dem Begriff

„galvanisches Abscheiden" ein galvanisches Abscheiden unter Stromfluss gemeint, während mit dem Begriff „stromloses galvanisches Abscheiden" ein galvanisches Abscheiden ohne Stromfluss gemeint ist. Bei dem stromlosen galvanischen

Abscheiden handelt es sich in der Regel um eine

Fällungsreaktion von Metallionen aus Flüssigkeit auf eine zu beschichtende Oberfläche. Bei dem galvanischen Abscheiden handelt es sich um die Abscheidung von Metallionen auf einer zu beschichtenden Oberfläche aus einem flüssigen Elektrolyten unter Anlegen einer äußeren Spannung, wobei sich ein

elektrischer Strom in dem flüssigen Elektrolyten ausbildet.

Beispielsweise weist der metallische Volumenbereich der ersten elektrischen Kontaktstelle und der metallische

Volumenbereich der zweiten elektrischen Kontaktstelle eines der folgenden Materialien auf: Nickel, Kupfer, Zinn, Gold. Besonders bevorzugt weisen der metallische Volumenbereich der ersten elektrischen Kontaktstelle und der metallische

Volumenbereich der zweiten elektrischen Kontaktstelle das gleiche Material auf. Beispielsweise weisen die metallischen Volumenbereiche der ersten elektrischen Kontaktstelle und der zweiten elektrischen Kontaktstelle eine Dicke zwischen einschließlich 5 Mikrometer und einschließlich 300 Mikrometer auf. Bevorzugt weisen die metallischen Volumenbereiche der ersten elektrischen Kontaktstelle und der zweiten

elektrischen Kontaktstelle eine Dicke zwischen einschließlich 50 Mikrometer und einschließlich 200 Mikrometer auf. Eine typische Dicke der Volumenbereiche beträgt ungefähr 150

Mikrometer. Besonders bevorzugt weisen der Volumenbereich der ersten elektrischen Kontaktstelle und der Volumenbereich der zweiten elektrischen Kontaktstelle die gleiche Dicke auf. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird eine Haftvermittlungsschicht auf dem Volumenbereich der ersten elektrischen Kontaktstelle und dem Volumenbereich der zweiten elektrischen Kontaktstelle abgeschieden. Besonders bevorzugt bedeckt die Haftvermittlungsschicht die Volumenbereiche zunächst vollständig.

Beispielsweise weist die Haftvermittlungsschicht eines der folgenden Materialien auf oder besteht aus einem der

folgenden Materialien: SiN, SiO _x , Ti, Ti0 ₂ , Sn, fluorhaltige Verbindungen. Bevorzugt weist die Haftvermittlungsschicht Zinn auf oder besteht aus Zinn, falls der Volumenbereich Nickel aufweist oder aus Nickel besteht. Weiterhin ist eine Haftvermittlungsschicht, die SiN aufweist oder aus SiN besteht, besonders gut in Kombination mit einem

Volumenbereich verwendet, der Kupfer aufweist oder aus Kupfer besteht, da SiN gut auf Kupfer haftet.

Die Haftvermittlungsschicht kann beispielsweise mit einem der folgenden Verfahren aufgebracht werden: galvanisches

Verfahren, PVD (kurz für „Physical Vapor Deposition") , CVD

(kurz für „Chemical Vapor Deposition") , Sputtern, stromloses galvanisches Verfahren, Schleudern, Tauchen, Sprühen. Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens weist die

Haftvermittlungsschicht eine Dicke zwischen einschließlich 0,5 Nanometer und einschließlich 5 Mikrometer auf. Besonders bevorzugt weist die Haftvermittlungsschicht eine Dicke zwischen einschließlich 5 Nanometer und einschließlich 300 Nanometer auf.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird eine Vergussmasse zumindest zwischen die Kontaktstellen

aufgebracht. Das Aufbringen der Vergussmasse erfolgt

bevorzugt so, dass der Bereich zwischen den Kontaktstellen vollständig von der Vergussmasse gefüllt wird. Die

Vergussmasse umhüllt die Kontaktstellen zunächst bevorzugt vollständig und bildet eine geschlossene Schicht über den Kontaktstellen mit einer planen Oberfläche aus.

Beispielsweise weist die Vergussmasse eines der folgenden Materialien auf oder besteht aus einem dieser Materialien: Epoxide, Silikate, Silikone. Die Vergussmasse kann mit

Partikeln gefüllt sein. Insbesondere ein Epoxid kann mit Partikeln gefüllt sein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die Vergussmasse in einem nächsten Schritt wieder teilweise entfernt, sodass erste Hauptflächen der Kontaktstellen von außen frei zugänglich sind. Die ersten Hauptflächen der

Kontaktstellen sind hierbei von den Halbleiterchips

abgewandt. Das Entfernen der Vergussmasse erfolgt

beispielsweise mittels Schleifen. Die Kontaktstellen und die Vergussmasse schließen nach dem Entfernen der Vergussmasse bevorzugt bündig miteinander ab und bilden eine plane

Oberfläche aus. In der Regel wird die Haftvermittlungsschicht bei dem Entfernen der Vergussmasse zumindest teilweise von den ersten Hauptflächen der elektrischen Kontaktstellen entfernt, während Seitenflächen der elektrischen Kontaktstellen bevorzugt vollständig mit der

Haftvermittlungsschicht bedeckt bleiben. Die

Haftvermittlungsschicht kann bei dem Entfernen der

Vergussmasse auch vollständig von den ersten Hauptflächen der Kontaktstellen entfernt werden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird auf die ersten Hauptflächen der Kontaktstellen, die nach dem Entfernen der Vergussmasse frei zugänglich sind, eine

lötfähige Schicht aufgebracht. Insbesondere wenn der

Volumenbereich Nickel aufweist oder aus Nickel besteht, ist es vorteilhaft, die lötfähige Schicht auf die ersten

Hauptflächen der Kontaktstellen aufzubringen, um das fertige Halbleiterbauelement auf einen Anschlussträger mittels Löten befestigen zu können.

Beispielsweise kann die lötfähige Schicht eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden

Materialien bestehen: Gold, Kupfer, AuSn-Legierungen, NiSn- Legierungen .

Die lötfähige Schicht weist beispielsweise eine Dicke

zwischen einschließlich 20 Nanometer und einschließlich 20 Mikrometer auf. Bevorzugt weist die lötfähige Schicht eine Dicke zwischen einschließlich 100 Nanometer und

einschließlich 5 Mikrometer auf.

Zwischen der lötfähigen Schicht und dem Volumenbereich kann eine weitere Schicht angeordnet sein, die der Haftvermittlung zwischen dem Volumenbereich und der lötfähigen Schicht dient. Die weitere Schicht kann beispielsweise Nickel aufweisen oder aus Nickel bestehen. Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird also die Haftvermittlungsschicht zunächst so auf die Volumenbereiche aufgebracht, dass sie die Oberfläche der Volumenbereiche jeweils vollständig bedeckt. Dann wird die Vergussmasse so aufgebracht, dass die Vergussmasse die elektrischen

Kontaktstellen vollständig umhüllt und in einem nächsten Schritt werden die ersten Hauptflächen der elektrischen

Kontaktstellen durch Entfernen der Vergussmasse freigelegt, wobei die Haftvermittlungsschicht von den ersten Hauptflächen der elektrischen Kontaktstellen entfernt wird, beispielsweise vollständig .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem galvanischen Abscheiden der metallischen Volumenbereiche eine strukturierte dielektrische Schicht mit Öffnungen auf die Keimschicht aufgebracht. Dann wird das Material der metallischen Volumenbereiche durch die Öffnungen der

dielektrischen Schicht abgeschieden. Die dielektrische

Schicht bleibt hierbei bevorzugt frei von dem Material der metallischen Volumenbereiche. Die dielektrische Schicht weist beispielsweise eines der folgenden Materialien auf oder besteht aus einem der folgenden Materialien: SiN, Si0 ₂ , Ti0 ₂ , AI ₂ O ₃ . Weiterhin ist es auch möglich, dass die dielektrische Schicht aus einer Schichtenfolge mit unterschiedlichen

Einzelschichten gebildet ist, wobei die Einzelschichten eines der genannten Materialien aufweist oder aus einem der

Materialien gebildet ist.

Die dielektrische Schicht weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 20 Nanometer und einschließlich 10 Mikrometer auf. Bevorzugt weist die dielektrische Schicht eine Dicke zwischen einschließlich 100 Nanometer und

einschließlich 1 Mikrometer auf. Typischerweise weist die dielektrische Schicht eine Dicke von ungefähr 500 Nanometer auf .

Besonders bevorzugt wird die dielektrische Schicht bei dieser Ausführungsform des Verfahrens zunächst vollflächig auf die Keimschicht aufgebracht und die Öffnungen in der

dielektrischen Schicht danach mittels Ätzen erzeugt.

Bei dem Ätzen der Öffnungen kann die dielektrische Schicht an Begrenzungen zu den Öffnungen unterätzt werden.

Beispielsweise ist ein isotropes Ätzverfahren, wie ein nasschemisches Ätzverfahren, dazu geeignet, Unterätzungen zu erzeugen. Wird dann das metallische Material der

Volumenbereiche auf der in den Öffnungen freiliegenden

Keimschicht galvanisch abgeschieden, so werden die

Unterätzungen mit dem Material der Volumenbereiche gefüllt. Auf diese Art und Weise können elektrische Kontaktstellen erzeugt werden, deren zweite Hauptflächen gegenüber den ersten Hauptflächen vergrößert sind. Auf diese Art und Weise können verbreiterte Fußpunkte der Kontaktstellen zur besseren Verankerung der Kontaktstellen in der Vergussmasse erzeugt werden .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden Strukturelemente eines Fotolacks auf die vollflächig

ausgebildete dielektrische Schicht aufgebracht und die

Öffnungen in der dielektrischen Schicht mittels Ätzen der Bereiche erzeugt, die frei zugänglich sind. Hierbei ist es auch möglich, dass vor dem Aufbringen des Fotolacks eine Adhäsionsschicht auf die dielektrische Schicht aufgebracht wird, die die Haftung zu dem Fotolack verbessert. Die Adhäsionsschicht weist beispielsweise ein Metall auf oder ist aus einem Metall gebildet. Beispielsweise weist die

Adhäsionsschicht eines der folgenden Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Titan,

Zinkoxid, Gold. In der Regel wird die Adhäsionsschicht vor der Fertigstellung des Halbleiterbauelements wieder entfernt, beispielsweise nach dem Entfernen des Fotolacks, da die

Adhäsionsschicht die Ausbildung von Kurzschlüssen begünstigen kann. Bevorzugt ist die Adhäsionsschicht vergleichsweise dünn ausgebildet.

Bevorzugt werden die metallischen Volumenbereiche zwischen die Strukturelemente des Fotolacks abgeschieden. Die

Strukturelemente grenzen hierbei bevorzugt an die

metallischen Volumenbereiche direkt an. Auf diese Art und Weise können gerade Seitenflächen der metallischen

Volumenbereiche ausgebildet werden.

Besonders bevorzugt handelt es sich bei dem Verfahren um ein Verfahren, das im Waferverbund durchgeführt wird. Hierbei werden mit Vorteil mehrere Halbleiterchips gleichzeitig bereitgestellt, die von einem gemeinsamen Wafer umfasst sind. Diese Halbleiterchips werden dann gleichzeitig gemäß den beschriebenen Verfahrensschritten prozessiert. So werden mit Vorteil mehrere Strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente parallel erzeugt.

Das hier beschriebene Verfahren ist insbesondere dazu

geeignet, ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement zu erzeugen. Alle Merkmale, die vorliegend in Verbindung mit dem Verfahren beschrieben sind, können daher auch bei dem

strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement ausgebildet sein und umgekehrt. Ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement weist gemäß einer Ausführungsform einen Strahlungsemittierenden

Halbleiterchip auf, der eine erste Hauptfläche umfasst, die eine Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips umfasst.

Weiterhin umfasst der Halbleiterchip eine erste elektrische Kontaktstelle und eine zweite elektrische Kontaktstelle, die an einer zweiten Hauptfläche des Halbleiterchips angeordnet sind, die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt.

Jede Kontaktstelle weist bevorzugt einen metallischen

Volumenbereich und eine Haftvermittlungsschicht auf, wobei die Haftvermittlungsschicht zumindest teilweise eine

Außenfläche der Kontaktstelle ausbildet und eine

Haftvermittlung zu einer Vergussmasse bewirkt, die die

Kontaktstellen lateral umhüllt. Die Vergussmasse ist dazu vorgesehen, das Halbleiterbauelement mechanisch zu

stabilisieren. Bevorzugt stabilisiert die Vergussmasse das Halbleiterbauelement derart, dass kein vorgefertigtes Gehäuse mehr zur Stabilisierung notwendig ist. Bevorzugt ist das Halbleiterbauelement frei von einem vorgefertigten Gehäuse.

Gemäß einer Ausführungsform des Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauelements bedeckt die Haftvermittlungsschicht Seitenflächen der Volumenbereiche der Kontaktstellen

vollständig, während eine Hauptfläche der Volumenbereiche jeweils frei von der Haftvermittlungsschicht ist. Bevorzugt ist auf die Hauptfläche der Volumenbereiche eine lötfähige Schicht aufgebracht, die eine Montage des

Halbleiterbauelements auf einen Anschlussträger ermöglicht. Bevorzugt bildet die lötfähige Schicht hierbei eine

Montagefläche der Kontaktstellen aus. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des

Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weist eine zweite Hauptfläche jeder Kontaktstelle, die zu dem

Halbleiterchip weist, eine größere Fläche auf, als eine erste Hauptfläche jeder Kontaktstelle, die der zweiten Hauptfläche gegenüberliegt. Mit anderen Worten weisen die Kontaktstellen verbreiterte Fußpunkte auf, die zu einer verbesserten

Verankerung der Kontaktstellen führen können.

Das Verfahren und das Halbleiterbauelement beruhen auf der Idee, eine Haftvermittlungsschicht als äußerste Schicht der Kontaktstellen des Strahlungsemittierenden

Halbleiterbauelements auszubilden, wobei die

Haftvermittlungsschicht die Haftung zu einer direkt

angrenzenden Vergussmasse verbessert. Insbesondere bei vergleichsweise dick ausgebildeten Kontaktstellen führt die Verbesserung der Haftung zwischen den Kontaktstellen und der Vergussmasse zu einem Halbleiterbauelement mit erhöhter mechanischer Bruchstabilität. Weiterhin weisen Materialien, wie Kupfer, Nickel, Zinn oder Gold, die aufgrund ihrer elektrischen Eigenschaften besonders gut als Material für die Volumenbereiche geeignet sind, häufig eine schlechte Haftung zu typischen Vergussmassen auf. Indem eine (dünne)

Haftvermittlungsschicht auf die Volumenbereiche aufgebracht wird, werden die elektrischen Eigenschaften der

Kontaktstellen mit Vorteil überwiegend durch das Material der Volumenbereiche bestimmt, während die Haftung zu der die Kontaktstellen umhüllende Vergussmasse durch das Material der Haftvermittlungsschicht bestimmt wird.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens und des Halbleiterbauelements ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen .

Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 1 bis 6 wird ein Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel näher beschrieben.

Figur 7 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1 bis 6 wird zunächst ein Halbleiterchip 1 bereitgestellt, der eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge 2 mit einer

Strahlungserzeugenden aktiven Zone 3 aufweist. Die aktive Strahlungserzeugende Zone 3 ist zwischen einem n-leitenden Bereich der Halbleiterschichtenfolge 2 und einem p-leitenden Bereich der Halbleiterschichtenfolge 2 angeordnet. Auf der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 2 ist eine

Halbleiterstruktur 4 mit elektrischen Kontakten zu dem n- leitenden Bereich und dem p-leitenden Bereich aufgebracht.

Auf den Halbleiterchip 1 wird eine Keimschicht 5 aufgebracht, beispielsweise mittels einem der bereits genannten Verfahren. Die Keimschicht 5 bedeckt die Oberfläche des Halbleiterchips 1 vorliegend vollständig. Auf die Keimschicht 5 wird

vollflächig eine dielektrische Schicht 6 aufgebracht, ebenfalls mit einem der bereits genannten Verfahren. Die so entstandene Anordnung ist schematisch in Figur 1 gezeigt. Auf die dielektrische Schicht 6 kann weiterhin eine

Adhäsionsschicht (nicht dargestellt) für einen nachfolgend aufgebrachten Fotolack angeordnet werden.

Wie schematisch in Figur 2 dargestellt, werden auf die dielektrische Schicht 6 Strukturelemente 7 eines Fotolacks aufgebracht, wobei Bereiche der dielektrischen Schicht 6 frei zugänglich bleiben.

In einem nächsten Schritt wird die dielektrische Schicht 6 in den Bereichen, die frei zugänglich sind, durch Ätzen entfernt (Figur 3) . Auf diese Art und Weise entstehen Öffnungen 8 in der dielektrischen Schicht 6 in den Bereichen, die nicht von den Strukturelementen 7 des Fotolacks bedeckt sind. Hierbei wird die dielektrische Schicht 6 ausgehend von Begrenzungen der Öffnungen 8 bevorzugt unterätzt, so dass Unterätzungen 9 entstehen .

In einem nächsten Schritt, der schematisch in Figur 4

dargestellt ist, werden ein metallischer Volumenbereich 10 einer ersten elektrischen Kontaktstelle und ein metallischer Volumenbereich 10 einer zweiten elektrischen Kontaktstelle in den Öffnungen 8 der dielektrischen Schicht 6 zwischen die Strukturelemente 7 des Fotolacks galvanisch abgeschieden. Hierbei dienen die Strukturelemente 7 des Fotolackes dazu, dass sich gerade Seitenflächen der Volumenbereiche 10 ausbilden. Die Volumenbereiche 10 können beispielsweise

Nickel, Kupfer, Zinn oder Gold aufweisen oder aus einem dieser Materialien bestehen. Bei dem galvanischen Abscheiden der metallischen Volumenbereiche 10 werden auch die

Unterätzungen 9 in der dielektrischen Schicht 6 mit dem metallischen Material der Volumenbereiche 10 gefüllt, sodass jeweils ein verbreiterter Fußpunkt 11 der späteren

Kontaktstellen entsteht. Danach werden die Strukturelemente 7 des Fotolacks wieder entfernt.

In einem nächsten Schritt, der schematisch in Figur 5

dargestellt ist, wird eine Haftvermittlungsschicht 12 auf den Oberflächen der Volumenbereiche 10 zunächst vollflächig aufgebracht, wobei keine Abscheidung auf dem Material der dielektrischen Schicht 6 stattfindet. Die Volumenbereiche 10 mit den Haftvermittlungsschicht 12 bilden elektrische

Kontaktstellen 14 des späteren Halbleiterbauelements aus.

In einem nächsten Schritt wird eine Vergussmasse 13 auf den Halbleiterchip 1 aufgebracht, die die Zwischenräume zwischen den Kontaktstellen 14 vollständig ausfüllt und zunächst auch die Kontaktstellen 14 vollständig umhüllt, so dass die

Vergussmasse 13 eine Schicht über den Kontaktstellen 14 mit einer planen Oberfläche ausbildet (Figur 6) .

In einem nächsten Schritt wird die Vergussmasse 13 teilweise wieder entfernt, beispielsweise mittels Schleifen, sodass erste Hauptflächen der elektrischen Kontaktstellen 14

freigelegt werden. Hierbei wird die Haftvermittlungsschicht 12 von ersten Hauptflächen der Kontaktstellen 14 wieder entfernt, sodass das Material der metallischen

Volumenbereiche 10 zunächst frei zugänglich ist. Dann wird auf die ersten freigelegten Hauptflächen der metallischen Volumenbereiche 10 eine lötfähige Schicht 15 aufgebracht. Ein Halbleiterbauelement, wie es mit dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1 bis 6 hergestellt werden kann, ist schematisch in Figur 7 gezeigt. Das Halbleiterbauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 7 weist eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge 2 mit einer aktiven Zone 3 auf, die dazu geeignet ist,

elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Die aktive

Strahlungserzeugende Zone 3 ist zwischen einem n-leitenden Bereich der Halbleiterschichtenfolge 2 und einem p-leitenden Bereich der Halbleiterschichtenfolge 2 angeordnet. Die in der aktiven Zone erzeugte elektromagnetische Strahlung wird von einer Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips 1 ausgesandt, die eine erste Hauptfläche des Halbleiterchips umfasst. Der ersten Hauptfläche des Halbleiterchips liegt eine zweite Hauptfläche gegenüber. Auf der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 2 ist eine Halbleiterstruktur 4 mit elektrischen Kontakten zu dem n-leitenden Bereich und dem p- leitenden Bereich aufgebracht. Auf der Halbleiterstruktur 4 ist vollflächig eine Keimschicht 5 angeordnet.

Weiterhin umfasst das Halbleiterbauelement gemäß dem

Ausführungsbeispiel der Figur 7 zwei elektrische

Kontaktstellen 14, von denen jede einen metallischen

Volumenbereich 10 aufweist, dessen Seitenflächen mit einer Haftvermittlungsschicht 5 vollständig bedeckt sind. Die

Haftvermittlungsschicht 5 grenzt hierbei direkt an eine

Vergussmasse 13 an, die Bereiche zwischen den elektrischen Kontaktstellen 14 vollständig ausfüllen und die elektrischen Kontaktstellen 14 seitlich vollständig umhüllt, während erste Hauptflächen der elektrischen Kontaktstellen 14 frei von der Haftvermittlungsschicht 12 sind. Auf der Keimschicht 5 ist zwischen den elektrischen Kontaktstellen 14 eine dielektrische Schicht 6 angeordnet, die direkt an die

Vergussmasse 13 angrenzt. Auf den metallischen

Volumenbereichen ist eine lötfähige Schicht 15 ausgebildet, die die ersten Hauptflächen der elektrischen Kontaktstellen 14 ausbildet.

Die vorliegende Anmeldung nimmt die Priorität der deutschen Anmeldung DE 102017110073.3 in Anspruch, deren

Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugs zeichenliste

1 Halbleiterchip

2 epitaktische Halbleiterschichtenfolge

3 Strahlungserzeugende aktive Zone

4 Halbleiterstruktur

5 Keimschicht

6 dielektrische Schicht

7 Strukturelement eines Fotolacks

8 Öffnungen

9 Unteratzungen

10 metallischer Volumenbereich

11 Fußpunkt

12 HaftvermittlungsSchicht

13 Vergussmasse

14 elektrische Kontaktstelle

15 lötfähige Schicht