NEURONES RECURRENTS

Domaine technique L'invention se rapporte au domaine technique des calculateurs à réseaux de neurones récurrents. Les réseaux de neurones récurrents sont des réseaux de neurones artificiels où les connexions entre les unités forment au moins un cycle au sens de la théorie des graphes. Plus précisément, le domaine technique concerne les réseaux de neurones récurrents entraînés par le paradigme « Réservoir Computing ». Ce paradigme est un système dynamique hautement non- linéaire, comportant :

- une couche d'entrée ;

- une couche cachée, appelée réservoir, munie de connexions récurrentes fixées de manière aléatoire ;

- une couche de sortie (« readout» en langue anglaise).

Le principe de ce paradigme est de projeter la couche d'entrée vers le réservoir, puis de modifier les connexions allant du réservoir vers la couche de sortie par un apprentissage supervisé.

En d'autres termes, l'invention se rapporte à un calculateur qui est une implémentation physique ou matérielle (« hardware » en langue anglaise) du paradigme « Réservoir Computing ».

L'invention trouve notamment son application dans la classification de tâches, l'extraction de caractéristiques, la poursuite d'objets (« tracking » en langue anglaise), la prédiction de mouvements en robotique, la reconnaissance vocale et la reconnaissance sonore.

Etat de la technique antérieure Un procédé de fabrication d'un calculateur à réseaux de neurones récurrents, connu de l'état de la technique, notamment du document « Atomic switch netwo^ - nanoarchitectonic design of a complex system for natural Computing », E.C. Demis et al., Nanotechnology, 26, 204003, 2015, comporte une étape de croissance aléatoire de nanofils d'argent sur une électrode structurée de platine. Le caractère aléatoire est obtenu par une étape préalable de formation de microsphères de cuivre sur l'électrode structurée. Les microsphères de cuivre forment une couche germe pour les nanofils d'argent. Le procédé comporte une étape de sulfuration des nanofils d'argent de manière à obtenir des structures du type Ag/Ag2S/Ag. De telles structures forment des cellules de mémoire résistive de type interrupteur atomique. Un tel procédé de l'état de la technique permet la fabrication d'un calculateur qui est une implémentation physique du paradigme « Réservoir Computing ». Toutefois, un tel procédé de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où le choix des matériaux pour la mémoire résistive est restreint. En effet, il est nécessaire de choisir un couple de matériaux compatible, de type conducteur électrique/diélectrique, pour la formation des nanofils et des cellules de mémoire résistive, en l'espèce Ag/Ag2S.

Exposé de l'invention

L'invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un calculateur à réseaux de neurones récurrents, comportant les étapes successives :

a) prévoir un substrat comportant une première électrode ;

b) former une première couche de copolymères à blocs sur une partie de la première électrode de sorte que la première électrode présente des zones libres avec une distribution spatiale aléatoire ;

c) graver les zones libres de la première électrode de manière à structurer la première électrode ;

d) retirer la première couche de copolymères à blocs ;

e) former une couche mémoire, de type mémoire vive résistive, sur la première électrode structurée lors de l'étape c) ;

f) former une deuxième électrode sur la couche mémoire ;

g) former une deuxième couche de copolymère à blocs sur une partie de la deuxième électrode de sorte que la deuxième électrode présente des zones libres avec une distribution spatiale aléatoire ;

h) graver les zones libres de la deuxième électrode de manière à structurer la deuxième électrode ;

i) retirer la deuxième couche de copolymères à blocs.

Ainsi, un tel procédé selon l'invention permet l'implémentation physique d'un calculateur à réseaux de neurones récurrents pouvant être entraînés par le paradigme « Réservoir Computing ». En effet, les copolymères à bloc possèdent la propriété de s'auto-assembler en réseaux denses d'objets nanométriques avec la capacité de former un masque de lithographie.

Cet auto-assemblage introduit le caractère aléatoire nécessaire dans le paradigme « Réservoir Computing », c'est-à-dire par exemple : - des connexions récurrentes fixées de manière aléatoire dans le réservoir ;

-un nombre stochastique d'unités (une unité correspondant à une cellule de mémoire vive résistive, située à une intersection entre les première et deuxième électrodes) ;

- un temps de latence aléatoire entre les unités (e.g. une distance aléatoire entre les unités) ;

- un poids aléatoire des unités par une conductance aléatoire des cellules de la mémoire résistive (les cellules de la mémoire résistive étant formées par les zones d'intersection entre la couche mémoire et les première et deuxième électrodes).

En outre, le masque de lithographie ainsi formé par les première et deuxième couches de copolymères à blocs permet de structurer les première et deuxième électrodes lors des étapes c) et h).

Enfin, un tel procédé selon l'invention autorise une liberté sur le choix du matériau de la couche mémoire dans la mesure où la couche mémoire est formée indépendamment des première et deuxième couches de copolymères à blocs. Définitions

- Par « électrode structurée », on entend une électrode présentant une surface discontinue délimitant un ensemble de motifs.

- Par « zones libres » on entend des zones de l'électrode qui ne sont pas recouvertes par la couche de copolymère à blocs.

- Par « couche mémoire », on entend une couche ou une pluralité de sous-couches (par exemple réalisée(s) dans un matériau de type oxyde ou de type chalcogénure) formant, avec les première et deuxième électrodes, une mémoire vive résistive (ReRam « Résistive random- access memory » en langue anglaise). Plus précisément, les cellules de la mémoire vive résistive sont situées aux intersections entre les première et deuxième électrodes.

Le procédé selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes.

Selon une caractéristique de l'invention, l'étape b) comporte les étapes successives :

bi) former une couche d'un polymère aléatoire sur la première électrode ;

2) greffer la couche du polymère aléatoire sur une partie de la première électrode ;

ba) former la première couche de copolymères à blocs sur la couche du polymère aléatoire greffée lors de l'étape i) ;

b4) retirer la couche du polymère aléatoire greffée. Par « polymère aléatoire », on entend un polymère possédant une pelote aléatoire.

Ainsi, la couche du polymère aléatoire est une couche de fonctionnalisation permettant de contrôler les énergies de surface de la première électrode. Un avantage procuré est d'accentuer le caractère aléatoire et d'améliorer la qualité de la formation de la première couche de copolymères à blocs.

Selon une caractéristique de l'invention, l'étape g) comporte les étapes successives :

gi) former une couche d'un polymère aléatoire sur la deuxième électrode ;

g ₂ ) greffer la couche du polymère aléatoire sur une partie de la deuxième électrode ;

g3) former la deuxième couche de copolymères à blocs sur la couche du polymère aléatoire greffée lors de l'étape g ₂ ) ;

g4) retirer la couche du polymère aléatoire greffée.

Ainsi, la couche du polymère aléatoire est une couche de fonctionnalisation permettant de contrôler les énergies de surface de la deuxième électrode. Un avantage procuré est d'accentuer le caractère aléatoire et d'améliorer la qualité de la formation de la deuxième couche de copolymères à blocs.

Selon une caractéristique de l'invention, le polymère aléatoire est sélectionné dans le groupe comportant un copolymère statistique, un homopolymère, une monocouche autoassemblée.

Selon une caractéristique de l'invention, les copolymères à blocs de la première couche et de la deuxième couche sont sélectionnés dans le groupe comportant :

- le polystyrène et le polyméthacrylate de méthyle, noté PS-PMMA ;

- le polystyrène et l'acide polylactique, noté PS-PLA ;

- le polystyrène et le poly(oxyde d'éthylène), noté PS-PEO ;

- le polystyrène et le polydiméthylsiloxane, noté PS-PDMS ;

- le polystyrène, le polyméthacrylate de méthyle, et le poly(oxyde d'éthylène), noté PS- PMMA-PEO,

- le polystyrène et le poly(2-vinyl pyridine), noté PS-P2VP.

Selon une caractéristique de l'invention, la couche mémoire est réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant Hf0 ₂ , A1 ₂ 0 ₃ , Si0 ₂ , ZrO, un oxyde de titane, un chalcogénure, Ta ₂ Os. Selon une caractéristique de l'invention, les première et deuxième électrodes sont réalisées dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant Ti, TiN, Pt, Zr, Al, Hf, Ta, TaN, C, Cu, Ag.

Selon une caractéristique de l'invention, la première couche de copolymères à blocs et la deuxième couche de copolymères à blocs formées respectivement lors des étapes b) et g) présentent une épaisseur comprise entre 30 nm et 50 nm.

Ainsi, un avantage procuré est d'obtenir un masque de lithographie de bonne qualité pour structurer les première et deuxième électrodes.

Selon une caractéristique de l'invention, le procédé comporte une étape j) consistant à former une couche d'encapsulation sur la deuxième électrode structurée lors de l'étape h), l'étape j) étant exécutée après l'étape i).

Ainsi, un avantage procuré est de protéger le calculateur de l'air et de l'humidité.

Selon une caractéristique de l'invention, la première électrode structurée lors de l'étape c) présente un pas, noté p, et l'étape e) est exécutée de sorte que la couche mémoire présente une épaisseur, notée E, vérifiant :

p/2 < E≤ p.

Ainsi, une telle épaisseur E de la couche mémoire permet d'obtenir une topologie de surface quasi-plane de manière à faciliter la formation de la deuxième électrode lors de l'étape f), tout en s 'affranchissant d'une étape de polissage mécano-chimique. L'invention a également pour objet un calculateur à réseaux de neurones récurrents obtenu par un procédé conforme à l'invention.

Brève description des dessins

D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l'exposé détaillé de différents modes de réalisation de l'invention, l'exposé étant assorti d'exemples et de référence aux dessins joints.

Figures la à lh sont des vues schématiques en coupe illustrant différentes étapes d'un procédé selon l'invention, la coupe étant effectuée suivant la normale à la surface du substrat. Figure 2 est une vue schématique de dessus d'un calculateur obtenu par un procédé selon l'invention.

Figures 3a à 3g sont des vues schématiques en coupe illustrant différentes étapes d'un procédé selon l'invention, la coupe étant effectuée suivant la normale à la surface du substrat.

II est à noter que les dessins décrits ci-avant sont schématiques et ne sont pas à l'échelle pas souci de lisibilité.

Exposé détaillé des modes de réalisation

Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification.

Un objet de l'invention est un procédé de fabrication d'un calculateur 1 à réseaux de neurones récurrents, comportant les étapes successives :

a) prévoir un substrat 2 comportant une première électrode 20 (illustré à la figure la) ; b) former une première couche 3 de copolymères à blocs sur une partie de la première électrode 20 de sorte que la première électrode 20 présente des zones libres ZL avec une distribution spatiale aléatoire (illustré à la figure lb) ;

c) graver les zones libres ZL de la première électrode 20 de manière à structurer la première électrode 20 ;

d) retirer la première couche 3 de copolymères à blocs (la situation à l'issue de l'étape d) est illustrée à la figure le) ;

e) former une couche mémoire 4, de type mémoire vive résistive, sur la première électrode structurée 200 lors de l'étape c) ;

f) former une deuxième électrode 21 sur la couche mémoire 4 ;

g) former une deuxième couche 5 de copolymère à blocs sur une partie de la deuxième électrode 21 de sorte que la deuxième électrode 21 présente des zones libres ZL avec une distribution spatiale aléatoire (la situation à l'issue de l'étape g) est illustrée à la figure lf) ; h) graver les zones libres ZL de la deuxième électrode 21 de manière à structurer la deuxième électrode 21 ;

i) retirer la deuxième couche 5 de copolymères à blocs (la situation à l'issue de l'étape i) est illustrée à la figure lg).

Substrat

La première électrode 20 est avantageusement réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant Ti, TiN, Pt, Zr, Al, Hf, Ta, TaN, C, Cu, Ag. La première électrode 20 peut être réalisée dans un alliage de ces matériaux. La première électrode 20 présente préférentieUement une épaisseur comprise entre 3 nm et 100 nm. A titre d'exemples non limitatifs, la première électrode 20 peut être formée sur le substrat 2 par un dépôt physique en phase vapeur (PVD), un dépôt chimique en phase vapeur (CVD), ou encore par ALD (« Atomic l ijer Déposition » en langue anglaise).

Le substrat 2 comporte préférentieUement une couche de métallisation 22 (pour la reprise de contact) et une couche d'un oxyde 23 tel que S1O2 ou SiN. A titre d'exemple non limitatif, la couche de métallisation 22 peut être une structure du type Ti (10 nm)/AlCu (440 nm) / Ti (10 nm) / TiN (100 nm). Formation de la première couche de copolymères à blocs

L'étape b) comporte avantageusement les étapes successives :

bi) former une couche d'un polymère aléatoire sur la première électrode ;

i) greffer la couche du polymère aléatoire sur une partie de la première électrode ;

ba) former la première couche 3 de copolymères à blocs sur la couche du polymère aléatoire greffée lors de l'étape i) ;

b4) retirer la couche du polymère aléatoire greffée.

Le polymère aléatoire de la couche formée lors de l'étape bi) est avantageusement sélectionné dans le groupe comportant un copolymère statistique, un homopolymère, une monocouche auto-assemblée. Le polymère aléatoire est avantageusement choisi lors de l'étape bi) de sorte que la force d'attraction entre chacun des blocs de monomères du copolymère à blocs et la couche de polymère aléatoire (i.e. la couche de fonctionnalisation) sont équivalentes.

L'étape i) peut être exécutée à l'aide d'un traitement thermique, tel qu'un recuit thermique, ou par photoréticulation. La couche du polymère aléatoire qui n'a pas été greffée lors de l'étape i) est préférentieUement retirée à l'aide d'un traitement humide.

La première couche 3 de copolymères à blocs formée lors de l'étape b3) est préférentieUement structurée à l'aide d'un recuit thermique.

A titre d'exemple, l'étape b4) peut être un retrait sélectif lorsque le polymère aléatoire et les copolymères à blocs de la première couche 3 possèdent deux phases. L'étape b4) peut être exécutée à l'aide d'un traitement UV suivi d'un développement par voie humide. L'étape b4) peut également être exécutée par une gravure plasma.

Les copolymères à blocs de la première couche 3 sont avantageusement sélectionnés dans le groupe comportant :

- le polystyrène et le polyméthacrylate de méthyle, noté PS-PMMA ; - le polystyrène et l'acide polylactique, noté PS-PLA ;

- le polystyrène et le poly(oxyde d'éthylène), noté PS-PEO ;

- le polystyrène et le polydiméthylsiloxane, noté PS-PDMS ;

- le polystyrène, le polyméthacrylate de méthyle, et le poly(oxyde d'éthylène), noté PS- PMMA-PEO,

- le polystyrène et le poly(2-vinyl pyridine), noté PS-P2VP.

A titre d'exemple, lorsque les copolymères à blocs de la première couche 3 sont du polystyrène-b-poly(méthacrylate de méthyle), noté PS-b-PMMA, de forme lamellaire, le polymère aléatoire de la couche de fonctionnalisation est avantageusement du polystyrène-r- poly(méthacrylate de méthyle), noté PS-r-PMMA, comportant préférentiellement 50% en masse de PS et 50% en masse de PMMA. L'étape bi) est préférentiellement exécutée par un dépôt à la tournette (« spin-coating » en langue anglaise). Le dépôt à la tournette peut être exécuté en diluant le polymère aléatoire dans un solvant organique. Lorsque le polymère aléatoire est le PS-r-PMMA, le solvant organique peut être de l'acétate de l'éther monométhylique du propylène glycol, noté PGMEA. La solution du polymère aléatoire dilué dans le solvant organique peut présenter une concentration massique de l'ordre de 1,5%. L'étape ï-) peut être exécutée par un recuit thermique à une température de l'ordre de 250°C pendant une durée de l'ordre de 10 minutes. Le recuit thermique peut être exécuté sur une table chauffante ou dans un four. Lorsque le polymère aléatoire peut être réticulé, un tel recuit thermique permet la réticulation du polymère aléatoire. L'étape i) peut comporter une étape de rinçage au cours de laquelle le surplus de polymère aléatoire est enlevé à l'aide d'un solvant. Lorsque le polymère aléatoire est du PS-r-PMMA, le solvant est préférentiellement le PGMEA. L'étape b3) est préférentiellement exécutée par un dépôt à la tournette. Le dépôt à la tournette peut être exécuté en diluant le copolymère à blocs dans un solvant organique. Lorsque le copolymère à blocs est le PS-b-PMMA, le solvant organique peut être du PGMEA. La solution du copolymère à blocs dilué dans le solvant organique peut présenter une concentration massique de l'ordre de 1,5%. L'étape b3) est avantageusement suivie d'un recuit thermique permettant l'auto-assemblage du copolymère à blocs PS-b-PMMA et le retrait sélectif du PS-r-PMMA. Le recuit thermique est préférentiellement exécuté à une température de l'ordre de 250°C pendant une durée de l'ordre de 10 minutes.

La première couche 3 de copolymères à blocs formée lors de l'étape b) présente avantageusement une épaisseur comprise entre 30 nm et 50 nm. Structuration de la première électrode

L'étape c) est préférentieUement exécutée par une gravure plasma. A titre d'exemples non limitatifs, il est possible d'utiliser comme gaz O2, Ar, COH2, N2H2. L'étape c) peut être également exécutée à l'aide d'un traitement UV suivi d'un développement humide (e.g. acide acétique).

Retrait de la première couche de copolymères à blocs

L'étape d) est préférentieUement exécutée à l'aide d'un traitement UV suivi d'un développement par voie humide. L'étape d) peut également être exécutée par une gravure plasma. Formation de la couche mémoire

La couche mémoire 4 est avantageusement réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant HfC>2, AI2O3, S1O2, ZrO, un oxyde de titane, un chalcogénure, a ₂ C>5. La couche mémoire 4 peut être formée d'une pluralité de sous-couches réalisées dans ces matériaux. A titre d'exemples non limitatifs, le chalcogénure peut être GeSe ou GeSbTe.

La couche mémoire 4 présente avantageusement une épaisseur inférieure ou égale à 10 nm.

Formation de la deuxième électrode

La deuxième électrode 21 est avantageusement réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant Ti, TiN, Pt, Zr, Al, Hf, Ta, TaN, C, Cu, Ag. La deuxième électrode 21 peut être réalisée dans un alliage de ces matériaux. La deuxième électrode 21 présente préférentieUement une épaisseur comprise entre 3 nm et 100 nm. A titre d'exemples non Umitatifs, la deuxième électrode 21 peut être formée sur la couche mémoire 4 par un dépôt physique en phase vapeur (PVD), un dépôt chimique en phase vapeur (CVD), ou encore par ALD {<,< AtomicL ^~ ayerOeposition » en langue anglaise). Formation de la deuxième couche de copolymères à blocs

L'étape g) comporte avantageusement les étapes successives :

gi) former une couche d'un polymère aléatoire sur la deuxième électrode ;

g2) greffer la couche du polymère aléatoire sur une partie de la deuxième électrode ;

g3) former la deuxième couche 5 de copolymères à blocs sur la couche du polymère aléatoire greffée lors de l'étape g2) ;

g4) retirer la couche du polymère aléatoire greffée.

Le polymère aléatoire de la couche formée lors de l'étape gi) est avantageusement sélectionné dans le groupe comportant un copolymère statistique, un homopolymère, une monocouche auto-assemblée. Le polymère aléatoire est avantageusement choisi lors de l'étape gi) de sorte que la force d'attraction entre chacun des blocs de monomères du copolymère à blocs et la couche de polymère aléatoire (i.e. la couche de fonctionnalisation) sont équivalentes.

L'étape g ₂ ) peut être exécutée à l'aide d'un traitement thermique, tel qu'un recuit thermique, ou par photoréticulation. La couche du polymère aléatoire qui n'a pas été greffée lors de l'étape gz) est préférentiellement retirée à l'aide d'un traitement humide.

La deuxième couche 5 de copolymères à blocs formée lors de l'étape g3) est préférentiellement structurée à l'aide d'un recuit thermique.

A titre d'exemple, l'étape g4) peut être un retrait sélectif lorsque le polymère aléatoire et les copolymères à blocs de la deuxième couche 5 possèdent deux phases. L'étape g4) peut être exécutée à l'aide d'un traitement UV suivi d'un développement par voie humide. L'étape g4) peut également être exécutée par une gravure plasma.

Les copolymères à blocs de la deuxième couche 5 sont avantageusement sélectionnés dans le groupe comportant :

- le polystyrène et le polyméthacrylate de méthyle, noté PS-PMMA ;

- le polystyrène et l'acide polylactique, noté PS-PLA ;

- le polystyrène et le poly(oxyde d'éthylène), noté PS-PEO ;

- le polystyrène et le polydiméthylsiloxane, noté PS-PDMS ;

- le polystyrène, le polyméthacrylate de méthyle, et le poly(oxyde d'éthylène), noté PS-

PMMA-PEO,

- le polystyrène et le poly(2-vinyl pyridine), noté PS-P2VP.

A titre d'exemple, lorsque les copolymères à blocs de la deuxième couche 5 sont du polystyrène-b-poly(méthacrylate de méthyle), noté PS-b-PMMA, de forme lamellaire, le polymère aléatoire de la couche de fonctionnalisation est avantageusement du polystyrène-r- poly(méthacrylate de méthyle), noté PS-r-PMMA, comportant préférentiellement 50% en masse de PS et 50% en masse de PMMA. L'étape gi) est préférentiellement exécutée par un dépôt à la tournette (« spin-coating » en langue anglaise). Le dépôt à la tournette peut être exécuté en diluant le polymère aléatoire dans un solvant organique. Lorsque le polymère aléatoire est le PS-r-PMMA, le solvant organique peut être de l'acétate de l'éther monométhylique du propylène glycol, noté PGMEA. La solution du polymère aléatoire dilué dans le solvant organique peut présenter une concentration massique de l'ordre de 1,5%. L'étape gi) peut être exécutée par un recuit thermique à une température de l'ordre de 250°C pendant une durée de l'ordre de 10 minutes. Le recuit thermique peut être exécuté sur une table chauffante ou dans un four. Lorsque le polymère aléatoire peut être réticulé, un tel recuit thermique permet la réticulation du polymère aléatoire. L'étape gz) peut comporter une étape de rinçage au cours de laquelle le surplus de polymère aléatoire est enlevé à l'aide d'un solvant. Lorsque le polymère aléatoire est du PS-r-PMMA, le solvant est préférentiellement le PGMEA. L'étape g3) est préférentiellement exécutée par un dépôt à la tournette. Le dépôt à la tournette peut être exécuté en diluant le copolymère à blocs dans un solvant organique. Lorsque le copolymère à blocs est le PS-b-PMMA, le solvant organique peut être du PGMEA. La solution du copolymère à blocs dilué dans le solvant organique peut présenter une concentration massique de l'ordre de 1,5%. L'étape g3) est avantageusement suivie d'un recuit thermique permettant l'auto-assemblage du copolymère à blocs PS-b-PMMA et le retrait sélectif du PS-r-PMMA. Le recuit thermique est préférentiellement exécuté à une température de l'ordre de 250°C pendant une durée de l'ordre de 10 minutes.

La deuxième couche 5 de copolymères à blocs formée respectivement lors de l'étape g) présente avantageusement une épaisseur comprise entre 30 nm et 50 nm.

Structuration de la deuxième électrode

L'étape h) est préférentiellement exécutée par une gravure plasma. A titre d'exemples non limitatifs, il est possible d'utiliser comme gaz O2, Ar, COH2, N2H2. L'étape h) peut être également exécutée à l'aide d'un traitement UV suivi d'un développement humide (e.g. acide acétique).

Retrait de la deuxième couche de copolymères à blocs

L'étape i) est préférentiellement exécutée à l'aide d'un traitement UV suivi d'un développement par voie humide. L'étape i) peut également être exécutée par une gravure plasma.

Encapsulation

Comme illustré à la figure lh, le procédé comporte avantageusement une étape j) consistant à former une couche d'encapsulation 6 sur la deuxième électrode structurée 210 lors de l'étape h), l'étape j) étant exécutée après l'étape i). La couche d'encapsulation 6 est préférentiellement une couche d'un oxyde tel que S1O2 ou SiN.

Par ailleurs, comme illustré à la figure ld, le procédé comporte avantageusement une étape di) consistant à former une couche d'encapsulation 7 sur la première électrode structurée 200. L'étape di) est exécutée après l'étape d) et avant l'étape e). La couche d'encapsulation 7 est préférentiellement une couche d'un oxyde tel que SiO _x ou SiN. L'étape di) est avantageusement suivie d'une étape d2) d'aplanissement de la couche d'encapsulation 7 pouvant être exécutée par polissage mécano-chimique (CMP pour «Chemkal-Mechankal Polishing » en langue anglaise). En l'absence des étapes di) et άί-), la couche mémoire 4 formée lors de l'étape e) suit la topologie de la première électrode structurée 200.

Plus précisément, comme illustré aux figures 3a à 3g, en l'absence des étapes di) et άί-), la couche mémoire 4 est formée lors de l'étape e), directement sur le substrat 2 et directement sur la première électrode structurée 200, en suivant la topologie de la première électrode structurée 200 (cf. figure 3d). Ce mode de réalisation est particulièrement avantageux car il permet de s'affranchir notamment de l'étape d2) de polissage mécano-chimique qui peut s'avérer délicate à effectuer en raison de la géométrie de la première électrode structurée 200 (le ratio entre son épaisseur et son pas étant faible).

En l'absence des étapes di) et άι), la couche mémoire 4 formée lors de l'étape e) présente avantageusement une épaisseur, notée E, vérifiant :

p/2 < E≤p

où p est le pas de la première électrode structurée 200 formant une structure périodique. Une telle épaisseur E de la couche mémoire 4 permet d'obtenir une topologie de surface quasi-plane de manière à faciliter la formation de la deuxième électrode 21 lors de l'étape f) (illustrée à la figure 3e).

Le pas p de la première électrode structurée 200 correspond au pas de la première couche 3 de copolymères à blocs formée lors de l'étape b). A titre d'exemple non limitatif, lorsque la première couche 3 de copolymères à blocs formée lors de l'étape b) est réalisée en PS-PMMA, le pas de ladite première couche 3 est défini par la masse molaire des copolymères à blocs, comme évoqué dans le document Kim et al, « Directed assembl of high mokcular weight block pojl mers : highjl ordered line patterns of perpendicularjl oriented lamellae th large periods », ACS Nano, 7(3), pp. 1952-60, 2013. On pourra donc choisir la masse molaire de la première couche 3 de copolymères à blocs formée lors de l'étape b) de manière à contrôler le pas p de la première électrode structurée 200. A titre d'exemple non limitatif, le pas p de la première électrode structurée 200 peut être de l'ordre de 20 nm.

En l'absence des étapes di) et d2), la couche mémoire 4 est avantageusement réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant :

- HfO _x , x<2 ;

- Al ₂ O _x , x<3 ;

- SiO _x , x<2 ;

- ZrO _x , x<3 ;

- TiO _x , x<2 ;

- a20 _x , x<5. De tels matériaux sont des oxydes sous-stœchiométriques permettant de créer un filament électriquement conducteur lorsqu'ils sont soumis à une différence de potentiels élevée. De tels matériaux peuvent ainsi former, avec les première et deuxième électrodes structurées 200, 210, une mémoire vive résistive. Contacts électriques

Comme illustré à la figure lh, le procédé comporte préférentiellement une étape k) consistant à former un plot 8 de contact électrique, en contact avec la couche de métallisation 22. L'étape k) est exécutée après l'étape j). L'étape k) comporte une étape de gravure de la couche d'encapsulation 6 formée sur la deuxième électrode structurée 210.

L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L'homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents.