Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Physik, der Werkstoffwissenschaften und der Mikro- und Nanoelektronik und betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines aufgerollten elektrischen oder elektronischen Bauelementes, wie es beispielsweise in elektrischen und elektronischen Bauelementen als Kondensator, oder in induktiven und/oder resistiven dreidimensionalen Elementen oder in Antennen eingesetzt werden kann.

Unsere elektronisch mobile Gesellschaft fordert immer neue Errungenschaften/Verbesserungen, um ultrakompakte integrative Bauelemente für die mobile Benutzung unterwegs komfortabel nutzen zu können. Kondensatoren sind in nahezu allen elektrischen und elektronischen Geräten zu finden.

Für die elektrische Kapazität eines Kondensators ist die Fläche der elektrisch leitenden Schicht von Bedeutung. Je größer diese Fläche ist, desto größer ist die elektrische Kapazität. Dabei ist jedoch zu beachten, dass Kondensatoren als elektrische Bauelemente in elektrischen oder elektronischen Geräten eingebaut werden. Die dafür benötigte Baufläche sollte daher so gering wie möglich sein. Je geringer diese Baufläche ist, desto kleiner kann das elektrische oder elektronische Gerät gebaut werden.

Dafür wurden die Entwicklungen in letzter Zeit auf die Miniaturisierung in der Mikroelektronik, besonders auf die Verkleinerung der Größe von Transistoren und von diskreten passiven Elementen, wie Induktoren oder Kondensatoren, konzentriert [R. Sharma et al., Adv. Energy Mater., 2014, 4, 1301631 ].

Bei der Roll-up-Technologie werden Schichten auf ein Substrat aufgebracht und diese nachfolgend aufgerollt. Der Mechanismus des Aufrollens wird durch Aufbringen der Schichten in einem Verspannungszustand und nachfolgendes Entspannen durch Ablösen der Schichten vom Substrat erlangt.

Bekannt ist gemäß WO 2010/129319 A2 das Plasma- oder nasschemische Ätzen eines Siliziumsubstrates, so dass die darauf abgeschiedene, verspannte zweidimensionale Struktur aufgerollt wird und zu einer dreidimensionalen Struktur geformt wird.

Gemäß Bufon sind Schichtaufbauten bekannt, die auf einer Opferschicht angeordnet sind und durch Entfernen der Opferschicht aufgerollt werden. Die Geschwindigkeit, mit der sich die Opferschicht unterätzen lässt und sich die verspannte Schicht vom Substrat trennt beträgt dabei maximal 100 μιτι/h [C.C.B. Bufon et al., Nano Letters, 2010, 10, 2506-2510].

Auch gemäß der EP 2 023 357 B1 ist ein Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren bekannt, bei dem ein Schichtaufbau durch Auflösung einer Opferschicht aufgerollt wird. Als unterer Teil des Schichtaufbaus kann auch ein Hydrogel verwendet werden, das in Kontakt mit Wasser gebracht wird, dabei das Wasser absorbiert, aufquillt und zum Aufrollen des Schichtstapels führt (V. Luchnikov et al., Advanced Materials 2005, 17, 1 177-1 182).

Gemäß der DE 101 59 415 B4 ist die Herstellung mikro- und nanoskopischer Spulen, Transformatoren und Kondensatoren durch Einrollen oder Umklappen von Leiterschichten beim Ablösen von Hilfsschichten von einem Substrat bekannt. Dazu wird eine zuvor zwischen einer Leiterbahn und einem Substrat aufgebrachte Hilfsschicht von dem Substrat abgelöst und die Leiterbahn in Folge dessen aufgerollt. Dabei wird als Hilfsschicht Germanium oder Aluminiumarsenid verwendet. Ebenso wird nach Sharma Ge/GeO _x als Opferschicht verwendet und diese mittels einer nassätzenden Lösung, 2 % H2O2, entfernt [R. Sharma et al., Adv. Energy Mater., 2014, 4, 1301631 ]. Weiterhin können fluidische Sensorelemente mit einer ähnlichen Ätztechnik hergestellt werden [C. S. Martinez-Cisneros et al., Nano Lett. 2014, 14, 2219]. Bekannt ist auch der Einsatz von H2O2 um verspannte Multilagen aus nahezu einkristallinen Si und Ge vom Substrat zu entfernen, um Mikrohelixstrukturen für elektromechanische Sensorik-Elemente herzustellen [DJ. Bell et al., Sensors & Actuators A 2006, 130, 54-61 ].

Weitere aufgerollte Mikro-Bauteile nutzen andere anorganische Opferschichten. Aluminiumarsenid (AlAs) wird im Falle von aufgerollten Transistoren als Opferschicht eingesetzt [D. Grimm et al., Nano Lett. 2013, 13, 213]. Die AlAs Opferschicht wird durch eine Mischung aus nassätzendem HCl oder HF entfernt.

Gemäß [I. Mönch et al., Smart Mater. Struct. 201 1 , 20, 85016] können aufgerollte Widerstände hergestellt werden, indem ein 1 .5 μιτι dicker Photolack als Opferschicht eingesetzt wird. Dieser Photolack wird durch Lösungsmittel, üblicherweise Aceton, entfernt. Weitere Anwendungen, die mit ähnlicher Ätztechnik hergestellt werden, beinhalten mikrofluidische Sensorelemente [S. M. Harazim et al., Lab Chip 2012, 12, 2649] und Mikro-Batterien mit großer aktiver Oberfläche pro Volumen [C. Yan et al., Adv. Mater. 2013, 25, 539; J. Deng et al., Angew. Chem. 2013, 125, 2382].

Nachteilig an dem bekannten Stand der Technik ist, dass die Herstellung aufgerollter Bauteile wie etwa Kondensatoren, Antennen, Widerstände und Spulen vorteilhafterweise große aktive Bauteilflächen und daher lange Rolllängen mit einer vergleichsweise langen Dauer für den Aufroll prozess benötigen.

Im Falle des Einsatzes einer Opferschicht muss diese mittels selektivem Ätzens entfernt werden. Als Ätzmedium wird beispielsweise verdünntes Wasserstoffperoxid, Säure oder organische Lösungsmittel eingesetzt, die für die menschliche Haut schädlich sind. Auch der Einsatz von Wasser im Falle einer GeO _x -Opferschicht ist bekannt, wobei jedoch nur sehr geringe Aufrollgeschwindigkeiten erreicht werden können. Bei längerer Anwendung wirken insbesondere Wasserstoffperoxid, Säuren und DI Wasser korrodierend auf Metallschichten und sind daher ein großer Nachteil bei langen Rollzeiten. Der Einsatz von Photolack als Opferschicht für Bauteile mit langen Rolllängen ist nicht möglich, da die nötigen photolithographischen Prozessschritte den Einsatz von Lösungsmitteln verlangen, die wiederum die Photolack-Opferschicht angreifen.

Von Nachteil ist weiter, dass ein gerades Aufrollen der Schichtstapel über lange Distanzen nicht reproduzierbar gewährleistet werden kann und dadurch die nutzbare Aufrolllänge begrenzt ist.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines kostengünstigen, umweltfreundlichen und zeitsparenden Verfahrens zur Herstellung eines aufgerollten elektrischen oder elektronischen Bauelementes mit vielen Windungen.

Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines aufgerollten Bauelementes werden auf ein Substrat mit einer Opferschicht mindestens zwei abwechselnd ganz oder teilweise übereinander angeordnete Funktions- und Isolationsschichten aufgebracht, wobei mindestens die Funktions- oder Isolationsschicht, die direkt auf der Opferschicht angeordnet ist, mindestens an den beiden Seiten, die im Wesentlichen parallel zur Rollrichtung angeordnet sind, eine Perforierung aufweist.

Vorteilhafterweise besteht die Perforierung aus einer stegartigen Strukturierung und die Stege besitzen eine viereckige Grundform.

Ebenfalls vorteilhafterweise ist bei der viereckigen Grundform der Stege eine der Seiten der Stege im Wesentlichen parallel zur Rollrichtung der Schichten angeordnet und Bestandteil des Randes der aufzurollenden Schicht und weist eine Seitenlänge (B) von 1 bis 1000 μιτι auf, und die andere Seite der Stege im Wesentlichen parallel zur Rollrichtung der Schichten ist in einem Abstand (H) von 5 bis 200 μιτι zum Rand der aufzurollenden Schicht angeordnet und weist einen Abstand zwischen den Stegen von 20 bis 4000 μιτι auf, und der Winkel (a) zwischen der Seite der Stege, die zuerst in Rollrichtung vorhanden ist, und dem Rand der aufzurollenden Schicht außerhalb des Steges beträgt zwischen 15 und 135 °, und der Winkel (ß) zwischen der Seite der Stege, die zuletzt in Rollrichtung vorhanden ist, und dem Rand der aufzurollenden Schicht außerhalb des Steges beträgt zwischen 45 bis 135 °, und nachfolgend wird die Opferschicht ganz oder teilweise entfernt und der Schichtstapel aufgerollt.

Weiterhin vorteilhafterweise wird als Substrat ein starres oder flexibles Material eingesetzt.

Und auch vorteilhafterweise wird ein Substrat aus Silizium, Siliziumoxid, Glas, Keramik oder eine Folie aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Polyetheretherketon (PEEK) und eine Opferschicht aus Polyvinylalkohol (PVA), Polyacrylsäure (PAA), Biopolysaccharide, Celluloseacetat, Polyallylamin (PAH), Methylcellulose oder Ethylcellulose eingesetzt.

Vorteilhaft ist es auch, wenn als Funktionsschichten Schichten aus einem elektrisch leitenden Material und als Isolationsschichten Schichten aus einem dielektrischen und/oder elektrisch isolierenden Material mittels Atomlagenabscheidung und/oder chemischer Gasphasenabscheidung aufgebracht werden.

Ebenfalls vorteilhaft ist es, wenn ein Schichtstapel auf die Opferschicht aufgebracht wird, der aus einer Schicht aus mindestens einem dielektrischen und/oder elektrisch isolierenden Material, einer Schicht aus mindestens einem ersten elektrisch leitenden Material, einer weitere Schicht aus mindestens einem dielektrischen und/oder elektrisch isolierenden Material und einer Schicht aus mindestens einem zweiten elektrisch leitenden Material besteht, und bei dem die Schichten aus dem dielektrischen und/oder elektrisch isolierenden Material die Schichten aus dem elektrisch leitenden Material im Wesentlich vollständig bedecken. Weiterhin vorteilhaft ist es, wenn als Material für elektrisch leitfähige Schichten Ti, Cr, AI, Au, Ni, Pd, Cu, W, Ta sowie deren Verbindungen, oder Indiumzinnoxid oder hochdotiertes Halbleitermaterial eingesetzt wird.

Und auch vorteilhaft ist es, wenn als Material für dielektrische und/oder isolierende Schichten AIO _x , vorteilhafterweise AI2O3, SiO _x , vorteilhafterweise S1O2, AITiO _x , SiTiOx, HfOx, TaOx, ZrO _x , HfSiO _x , ZrSiO _x , TiZrO _x , TiZrWO _x , TiO _x , SrTiO _x , PbTiO _x , SiAlOx, Metallnitride, Aluminiumnitride AIN _y , Siliziumnitride SiN _y , AIScN _y , Metalloxynitride, Aluminiumoxynitride AIO _x N _y , Siliziumoxynitride SiO _x N _y , HfSiO _x N _y und/oder SiC _z O _x N _y eingesetzt wird.

Von Vorteil ist es auch, wenn mindestens eine Schicht, die direkt auf die Opferschicht aufgebracht wird, eine Aufrolllänge von 1 mm bis 30 mm aufweist.

Und auch von Vorteil ist es, wenn Funktions- und Isolationsschichten übereinander auf der Opferschicht angeordnet werden, die an beiden Seiten parallel zur Rollrichtung hinsichtlich Anzahl und Geometrie der Stege die gleiche stegartige Strukturierung aufweisen.

Ebenfalls von Vorteil ist es, wenn Funktions- und Isolationsschichten aufgebracht werden, bei denen die Seite der Stege, die im Wesentlichen parallel zur Rollrichtung der Schichten angeordnet und Bestandteil des Randes der aufzurollenden Schicht sind, eine Seitenlänge (B) von 10 bis 200 μιτι aufweisen.

Weiterhin von Vorteil ist es, wenn Funktions- und Isolationsschichten aufgebracht werden, bei denen die Seite der Stege, die parallel zur Rollrichtung der Schichten angeordnet ist und nicht Bestandteil des Randes der aufzurollenden Schicht ist, oder eine Ecke der Stege in einem Abstand (H) zum Rand der aufzurollenden Schicht von 10 bis 50 μιτι angeordnet sind.

Vorteilhaft ist es auch, wenn Funktions- und Isolationsschichten aufgebracht werden, bei denen der Abstand (D) zwischen den Stegen in Rollrichtung 20 bis 500 μιτι beträgt. Und auch vorteilhaft ist es, wenn Funktions- und Isolationsschichten aufgebracht werden, bei denen der Winkel (a) zwischen der Seite des Vierecks der Stege, der zuerst in Rollrichtung vorhanden ist, und dem Rand der aufzurollenden Schicht außerhalb des Vierecks zwischen 30 bis 120 °, noch vorteilhaftweise 45 °, und der Winkel (ß) zwischen der Seite des Vierecks der Stege, der zuletzt in Rollrichtung vorhanden ist, und dem Rand der aufzurollenden Schicht außerhalb des Vierecks zwischen 80 bis 120 °, noch vorteilhafterweise 90 ° beträgt.

Weiterhin vorteilhaft ist es, wenn die Opferschicht mittels Ätzens oder mittels organischer Lösungsmittel und/oder Wasser und/oder Ethylendiamintetraessigsäure entfernt wird.

Mit der erfindungsgemäßen Lösung ist es erstmals möglich, ein kostengünstiges, umweltfreundliches und zeitsparendes Verfahren zur Herstellung eines aufgerollten elektrischen oder elektronischen Bauelementes mit vielen Windungen anzugeben.

Erreicht wird dies durch ein Verfahren, bei dem auf ein starres oder flexibles Substrat, beispielsweise aus Silizium, Siliziumoxid, Glas, Keramik oder eine Folie, beispielsweise aus Polyethylenterephthalat (PET) oder Polyetheretherketon (PEEK) eine Opferschicht aufgebracht wird.

Die Opferschicht kann beispielsweise aus wasserlöslichen Polymeren, wie Polyvinylalkohol (PVA), Polyacrylsäure (PAA), Biopolysaccharide, Celluloseacetat, Polyallylamin (PAH), Methylcellulose oder Ethylcellulose bestehen. Alternativ kann jedes Polymer, das stabil bei photolithographischen Prozessschritten und nass- oder trockenchemisch ätzbar ist, eingesetzt werden. Die Opferschicht hat dabei Dicken von 5 nm - 100 μιτι, vorteilhafterweise unter 500 nm.

Auf die Opferschicht wird dann entweder eine Funktionsschicht oder eine Isolationsschicht, beispielsweise mittels Atomlagenabscheidung und/oder chemischer Gasphasenabscheidung, aufgebracht. Das Material und die Abmessungen der Funktions- und Isolationsschichten richten sich nach dem herzustellenden aufgerollten elektrischen oder elektronischen Bauelement. Im Falle der Herstellung eines Kondensators wird beispielsweise ein Schichtstapel auf die Opferschicht aufgebracht, der aus einer Schicht aus mindestens einem dielektrischen und/oder elektrisch isolierenden Material, einer Schicht aus mindestens einem ersten elektrisch leitenden Material, einer weiteren Schicht aus mindestens einem dielektrischen und/oder elektrisch isolierenden Material und einer Schicht aus mindestens einem zweiten elektrisch leitenden Material besteht und bei dem die Schichten aus dem dielektrischen und/oder elektrisch isolierenden Material die Schichten aus dem elektrisch leitenden Material im Wesentlich vollständig bedecken.

Als Material für elektrisch leitfähige Schichten können beispielsweise Ti, Cr, AI, Au, Ni, Pd, Cu, W, Ta, sowie deren Verbindungen, oder Indiumzinnoxid oder hochdotiertes Halbleitermaterial eingesetzt wird, und als Material für dielektrische und/oder isolierende Schichten können beispielsweise AIO _x , vorteilhafterweise AI2O3, SiO _x , vorteilhafterweise SiO ₂ , AITiO _x , SiTiO _x , HfO _x , TaO _x , ZrO _x , HfSiO _x , ZrSiO _x , TiZrO _x , TiZrWOx, TiO _x , SrTiO _x , PbTiO _x , SiAIO _x , Metallnitride, Aluminiumnitride AIN _y , Siliziumnitride SiN _y , AIScN _y , Metaloxynitride, Aluminiumoxynitride AIO _x N _y , Siliziumoxynitride SiO _x N _y , HfSiO _x N _y und/oder SiC _z O _x N _y eingesetzt werden.

Erfindungswesentlich ist, dass mindestens die Funktions- oder Isolationsschicht, die direkt auf der Opferschicht angeordnet ist, mindestens an den beiden Seiten, die im Wesentlichen parallel zur Rollrichtung angeordnet sind, eine Perforierung aufweist.

Unter Perforation im Rahmen dieser Erfindung soll eine Art Zähnung der Seiten der Schichten, die im Wesentlichen parallel zur Rollrichtung angeordnet sind, in Form von Stegen verstanden werden, die vorteilhafterweise eine viereckige Grundform aufweisen.

Die erfindungsgemäße Perforierung besteht aus einer möglichst regelmäßigen Anordnung von einer Vielzahl von geometrisch gleichen oder unterschiedlichen Stegen, die gegenüber den Abmessungen der Schichten oder des Schichtstapels Abmessungen aufweisen, die um mindestens eine Größenordnung kleiner sind, und die vorteilhafterweise vollständig über den seitlichen Rand der aufzurollenden Schicht oder Schichten im Wesentlichen parallel zur Rollrichtung hinausragen und die nach dem Aufrollen der Schichten möglichst vollständig auf der Opferschicht verbleiben und nicht mehr Bestandteil des erfindungsgemäßen aufgerollten elektrischen oder elektronischen Bauelementes sind.

Sowohl die Form der Stege als auch ihre Anordnung im Verhältnis zu den aufzurollenden Schichten ist dabei von besonderer Bedeutung.

Diese Perforierung der mindestens untersten Schicht auf der Opferschicht wirkt als Sollbruchstelle beim Aufrollen des Schichtstapels.

Eine Sollbruchstelle ist ein durch konstruktive oder mechanische oder physikalische Maßnahmen oder Auslegungen vorgesehenes Konstruktionselement.

Erfindungsgemäß werden Stege eingesetzt, die eine viereckige Grundform aufweisen und mindestens Bestandteil der unmittelbar auf der Opferschicht angeordneten Schicht des aufzurollenden Schichtstapels auf dem Substrat sind und an deren Seitenrändern jeweils parallel zur Rollrichtung angeordnet sind.

Die Stege sind immer mit mindestens einer Seite ihrer viereckigen Grundform mit der Schicht stofflich verbunden. Diese Seite (B) hat Abmessungen von 1 bis 1000 μιτι, vorteilhafterweise von 10 bis 200 μιτι, und ist immer Teil des Randes der jeweiligen Schicht und entspricht der Sollbruchstelle, das heißt, an dieser Seite soll während des Aufrollens eine Trennung des Schichtmaterials vom Stegmaterial erfolgen.

Bei der viereckigen Grundform der Stege sind zwei Seiten des Vierecks im Wesentlichen parallel, und möglichst vollständig parallel zur Rollrichtung und zwei Seiten nichtparallel zur Rollrichtung ausgeführt. Die eine Seite parallel zur Rollrichtung ist Bestandteil des Randes der aufzurollenden Schicht und die andere Seite parallel zur Rollrichtung befindet sich in einem Abstand (H) zum Rand der aufzurollenden Schicht, wobei der Abstand 5 bis 200 μιτι, vorteilhafterweise 10 bis 50 μιτι beträgt. Die beiden nichtparallelen Seiten des Viereckes der Stege sind in einem Winkel zur Rollrichtung angeordnet. Dabei beträgt der Winkel (a) zwischen der Seite des Vierecks der Stege, die zuerst in Rollrichtung vorhanden ist, und dem Rand der aufzurollenden Schicht außerhalb des Vierecks zwischen 15 und 135 °, vorteilhafterweise 30 bis 120 °, noch vorteilhaftweise 45 °, und der Winkel (ß) zwischen der Seite des Vierecks der Stege, die zuletzt in Rollrichtung vorhanden ist, und dem Rand der aufzurollenden Schicht außerhalb des Vierecks zwischen 45 bis 135 °, vorteilhafterweise 80 bis 120 °, noch vorteilhafterweise 90 °.

Der Abstand (D) zwischen den Stegen in Rollrichtung beträgt 20 bis 4000 μιτι, vorteilhafterweise 20 bis 500 μιτι. Dies betrifft im Wesentlichen den Abstand zwischen den Stegen am Rand der aufzurollenden Schicht. Es ist auch möglich, dass eine Ecke eines Steges eine Ecke des benachbarten Steges berührt und/oder mit ihr stoffschlüssig verbunden ist. Das dadurch gebildete Loch zwischen den Stegen kann dann dreieckig ausgebildet sein.

Vorteilhafterweise weisen alle Funktions- und Isolationsschichten, die übereinander auf der Opferschicht angeordnet werden, an beiden Seiten im Wesentlichen parallel zur Rollrichtung die gleiche Perforation auf.

Es ist auch möglich, auf den beiden Seiten der Schicht oder Schichten hinsichtlich Form und Größe und Abstand zueinander unterschiedliche Perforationen herzustellen. Dadurch kann eine gezielte Beeinflussung der Rollrichtung realisiert und beispielsweise Spulen hergestellt werden.

Bei dem erfindungsgemäß hergestellten Schichtstapel, von dem mindestens die unterste Schicht auf der Opferschicht eine Perforation mit den erfindungsgemäß angegebenen Formen und Abmessungen der Stege aufweist, und der eine Aufrolllänge von 1000 μιτι bis 30 mm aufweisen kann, wird nachfolgend ganz oder teilweise die Opferschicht entfernt. Dies erfolgt beispielsweise durch Ätzen oder durch Anwendung eines organischen Lösungsmittels oder von Wasser.

Während des mindestens teilweisen Entfernens der Opferschicht wird der Schichtstapel aufgerollt. Der Durchmesser des aufgerollten Schichtstapels kann zwischen 10 und 100 μιτι betragen.

Mit der erfindungsgemäßen Lösung wird es erstmals möglich, Schichtstapel für aufgerollte elektrische oder elektronische Bauelemente mit großen Aufrolllängen zur Erlangung vieler Windungen sicher und gerade aufzurollen. Dies trifft insbesondere für Aufrolllängen von 1 mm bis 30 mm zu. Bei den Lösungen des Standes der Technik bereiten insbesondere der Anfang des Aufrollens und vor allem die Ecken eines Schichtstapels bei der Entfernung der Opferschicht Probleme, da in den Ecken die Opferschicht zuerst und schneller entfernt wird. Nach dem Aufrollen von üblicherweise 0.5 - 1 mm Länge des Schichtstapels rollen die Ecken auch auf, so dass oft keine gleichmäßige Aufrollfront realisiert werden kann und der Aufrollvorgang gestoppt wird.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren werden nun diese unterschiedlichen Aufrollgeschwindigkeiten zeitlich und örtlich dahingehend ausgeglichen, dass die Kraft für das Aufrollen insbesondere an den Ecken und Seiten des aufzurollenden Schichtstapels in Rollrichtung mindestens teilweise für das Ablösen und/oder Abreißen der Stege vom Rand des jeweiligen Schichtmaterials während des Aufrollvorganges aufgewandt werden muss.

Die besondere geometrische Form der Stege sichert dabei ein sicheres Ablösen des Materials der Stege oder das Abreißen dieses Materials der Stege vom aufzurollenden Schichtstapel während des Aufrollens. Im Bereich der Löcher der Perforation wird die Entfernung der Opferschicht über den Abstand zwischen den Stegen in Rollrichtung ohne das Schichtmaterial durchgeführt, so dass während dieser Zeit wenig Spannungen auf den aufzurollenden Schichtstapel einwirken und damit der Aufrollvorgang über die gesamte Aufrollfront einfach, leicht und ausschließlich in Rollrichtung realisiert wird.

Nachfolgend wird die Erfindung an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Dabei zeigen

Fig. 1 a eine aufzurollende Schicht nach dem Stand der Technik

Fig. 1 b eine aufzurollende Schicht mit einer Perforation

Fig. 2a ein Ablaufschema des Rollprozesses einer Schicht nach dem Stand der

Technik

Fig. 2b ein Ablaufschema des Rollprozesses einer Schicht mit einer Perforation Beispiel 1 : Kondensatoren

Zur Herstellung eines ultrakompakten Mikrokondensators mit vielen Windungen wird auf ein Silizium-Substrat mit einer Länge von 20 mm und einer Breite von 5 mm mit einer 1 μηη-dicken thermisch aufgebrachten Siliziumdioxidschicht vollständig bedeckend eine Schicht Methylcellulose in einer Zentrifuge mit einer Umdrehungsgeschwindigkeit von 4500 rpm (Umdrehungen pro Minute) aufgeschleudert und anschließend auf einer Heizplatte bei 120 °C 5 Minuten ausgeheizt und getrocknet. Diese Schicht aus Methylcellulose, die dünner als 5nm ist, ist die Opferschicht.

Nachfolgend wird mittels des Verfahrens der Atomlagendeposition eine 1 1 nm dicke AI ₂ O3-Schicht vollständig die Opferschicht bedeckend bei 150 °C abgeschieden. Diese dielektrisch wirkende AI ₂ O3-Schicht dient auch als Isolationsschicht zwischen den beiden metallischen Elektroden nach dem Aufrollen und zum Schutz der Opferschicht vor den folgenden Prozessschritten und der Luftfeuchtigkeit.

Mit Hilfe der optischen Photolithographie wird die erste Elektrode des Kondensators mit einer Länge von 10 mm in Rollrichtung und einer Breite von 0.6 mm strukturiert. Mittels Elektronenstrahlverdampfung wird eine verspannte elektrisch leitende Schicht bestehend aus 15 nm Ti und nachfolgend 20 nm Cr mit einer Rate von jeweils 0.1 nm/s abgeschieden und anschließend geliftet. Die Schicht weist eine Perforation mit Stegen mit einer viereckigen Grundform an beiden Seiten der Schicht parallel zur Rollrichtung auf und ist durch eine Maske während der Abscheidung der Schicht realisiert worden. Die Perforation besteht an beiden Seiten aus geometrisch gleichen und gleichgroßen Stegen, ist angepasst auf den zu erwartenden Roll-Durchmesser von 50 μιτι und weist folgende Abmessungen auf

Höhe der Stege: H = 9 μιτι,

Breite der Stege am Rand der Schicht: B = 25 μιτι,

Abstand der Stege am Rand der Schicht: D = 25 μιτι,

erster Winkel in Rollrichtung: α = 21 °,

zweiter Winkel in Rollrichtung: ß = 78°.

Danach wird eine zweite 1 1 nm dicke AI ₂ O3-Schicht wieder mittels Atomlagendeposition vollständig die erste elektrisch leitende Schicht bedeckend jedoch ohne Perforation an den Seiten bei 150 °C abgeschieden. Nach der optischen Lithographie für die zweite Elektrode folgt die Abscheidung der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht ebenfalls wieder ohne stegartige Strukturierung an den Seiten von 10 nm Cr mit einer Rate von 0.1 nm/s und anschließendem Liftoff. Abschließend wird die überstehende Opferschicht mittels Wasser entfernt und der verspannte Schichtstapel mit einer Geschwindigkeit von 2 mm/min aufgerollt.

Durch Einsatz der erfindungsgemäßen Perforation konnte der Aufrollvorgang über die gesamte Aufrolllänge über die gesamte Aufrollfront immer in Rollrichtung und mit einer hohen Aufrollgeschwindigkeit realisiert werden.

Auf diese Art und Weise konnte mit einem kostengünstigen, umweltfreundlichen und zeitsparenden Verfahren ein aufgerollter Kondensator hergestellt werden.

Beispiel 2: Antenne

Zur Herstellung einer dreidimensionalen Antenne wird auf ein Glassubstrat von 22x22 mm ² und einer Dicke von 200 μιτι vollständig bedeckend eine Schicht aus einer 4% (w/v) verdünnten Polyacrylsäure (PAA) bei 3000 rpm aufgeschleudert. Die finale Schichtdicke dieser Opferschicht beträgt 500 nm. Diese Schicht wird für 2 Minuten bei 35 °C getrocknet und anschließend in einer 1 molaren Lösung aus CaC in deionisiertes (DI) Wasser eingetaucht. Anschließend wird das beschichtete Substrat in DI Wasser gewaschen und getrocknet. Mittels Standard- Photolithographie wird die Grundfläche der Antenne mittels Photolack AR-P3510 strukturiert. Die PAA-Opferschicht wird an den unbeschichteten Stellen mit unverdünntem Entwickler AR300-35 entfernt und in DI Wasser gewaschen. Der Photolack wird in Aceton entfernt und das beschichtete Substrat in Isopropanol gewaschen und getrocknet. Auf diese Opferschicht wird ein verspannter Schichtstapel aus organischen Materialien aufgebracht. Die erste Schicht besteht aus PAA (M _w =150000) und PVA im Verhältnis 1 :1 , 4% (w/v) verdünnt in Wasser. Die zweite Schicht besteht aus Polyimid (M _w =100000), 2% (w/v) verdünnt in N-Methyl-2- Pyrolidon. Die erste Polymer-Schicht wird bei 8000 rpm ganzflächig auf die Opferschicht mit einer resultierenden Schichtdicke von 500 nm aufgebracht. Diese Schicht wird mittels Standard Photolithographie und unverdünntem Entwickler strukturiert, wobei die Schicht an beiden Seiten der Schicht parallel zur Rollrichtung die Perforation mit Stegen mit einer viereckigen Grundform und den folgenden

Abmessungen aufweist:

Höhe der Stege: H = 200 μητι,

Breite der Stege am Rand der Schicht: B = 100 μιτι,

Abstand der Stege am Rand der Schicht: D = 300 μιτι,

erster Winkel in Rollrichtung: α = 45°,

zweiter Winkel in Rollrichtung: ß = 90°.

Die Perforation besteht an beiden Seiten aus geometrisch gleichen und gleichgroßen Stegen,

Auf die verspannte Schicht folgt die Abscheidung der Metallschicht ohne Perforation. Hierzu wird mittels Standard Photolithographie der Photolack strukturiert und Ta(10 nm)/Cu(100 nm)/Ta(10 nm) mittels Magnetron-Sputtern abgeschieden. Hierbei wird Ar bei einem Partialdruck von 0,1 Pa als Sputter-Gas eingesetzt. Der Liftoff erfolgt durch Aceton und abschließendem Spülen in Isopropanol.

Die so hergestellten planaren zweidimensionalen Strukturen mit einer Grundfläche von 5.5x17 mm ² werden durch Ablösen vom Substrat zu dreidimensionalen spiralförmigen Antennen aufgerollt. Das Ablösen wird mittels selektiven Ätzens der Opferschicht in einer 0.5 molaren Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA)-Lösung erreicht. Nach dem Rollprozess werden die Antennen in DI Wasser gewaschen und an Luft getrocknet. Der Durchmesser der aufgerollten Antenne beträgt 300 μιτι und die Länge nach dem Rollen beträgt 5.5 mm.

Durch Einsatz der erfindungsgemäßen Perforation konnte der Aufrollvorgang über die gesamte Aufrolllänge über die gesamte Aufrollfront immer in Rollrichtung und mit einer hohen Aufrollgeschwindigkeit realisiert werden.

Auf diese Art und Weise konnte mit einem kostengünstigen, umweltfreundlichen und zeitsparenden Verfahren eine aufgerollte Antenne hergestellt werden.