MÜLLER, Philipp (Dr.-Nitzsche-Weg 25, Burghausen, 84489, DE)
ANGERMAIER, Klaus (St.-Augustinus-Str. 66a, München, 81825, DE)
MÜLLER, Philipp (Dr.-Nitzsche-Weg 25, Burghausen, 84489, DE)
| Patentansprüche : 1. Verfahren zur Herstellung von Siliconformkörpern, bei dem 1) eine durch Licht vernetzbare Siliconmischung geformt wird,. 2) danach die geformte Siliconmischung mit Licht von 200 bis 500 nm bestrahlt wird, um diese so vorzuvernetzten, dass diese ihre Form bei einer Temperatur T beibehält und 3) danach die geformte und bestrahlte Siliconmischung bei der Temperatur T thermisch zu Formkörpern ausgehärtet wird. 2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Formen bei 1O0C bis 350C stattfindet. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Temperatur T 1000C bis 18O0C beträgt. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, bei dem die Siliconmischung (A) mindestens zwei Alkenylgruppen pro Molekül enthaltendes Polyorganosiloxan mit einer Viskosität bei 25°C von 0,1 bis 500 000 Pa-s, (B) mindestens zwei SiH-Funktionen pro Molekül enthaltende Organosiliciumverbindung und (C) durch Licht von 200 bis 500 nm aktivierbaren Katalysator der Platingruppe enthält. 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, nämlich Glob-Top Anwendungen in der Elektronikindustrie und die Herstellung optischer Bauteile sowie geometrischer Formen. 6. Siliconformkörper, die erhältlich sind durch ein Verfahren, bei dem 1} eine durch Licht vernetzbare Siliconmischung geformt wird, 2} danach die geformte Siliconmischung mit Licht von 200 bis 500 nm bestrahlt wird, um diese so vorzuverπetzten, dass diese ihre Form bei einer Temperatur T beibehält und 3) danach die geformte und bestrahlte Siliconrrsischung bei der Temperatur T thermisch zu Formkörpern ausgehärtet wird. |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliconformλorpern aus durch Licht vernetzbaren Siliconmischungen durch Vorvernetzen der geformten Siliconmischungen mit Licht,
In Glob-Top Anwendungen werden einzelne Bauelemente in elektronischen Geraten durch Beschichten geschützt. Das Design bzw. die Anordnung der Baugruppen auf der Leiterplatte erlaubt es nicht, dass die vom Silicon nach dem Auftragen benetzte Flache im weiteren Verlauf der Verarbeitung durch Verlauf ausgedehnt wird. Die Funktionalitat der benachbarten Bauteile wurde durch diese Ausdehnung gestört werden.
In vielen Fallen werden Forrαkorper aus Silicon durch Spritzgussverfahren hergestellt. Dies wäre bei der Beschichtung von Leiterplatten nicht möglich, da ein Metallwerkzeug in welches eine Leiterplatte eingelegt werden konnte, nicht hergestellt werden kann.
WO 2006/010763 Al beschreibt die Verwendung von lichtaktivierbaren Siliconmischungen zur Verwendung in Spritzgussprozessen und für dickwandige Beschichtungen. Die lichtaktivierbare Siliconmischung wird bestrahlt, anschließend in einen Formgebungsprozess überfuhrt und dann ohne weitere Bestrahlung ausgehartet.
Feuchtigkeitsvernetzende Siliconmassen sind zwar standfest, jedoch kommen sie für viele elektronische Anwendungen nicht in Frage, da sie zur Vernetzung unerwünschte Luftfeuchtigkeit benotigen und fluchtige Verbindungen freisetzen, z.B. Alkohole, Essigsäure und Oxirne . Für Formteile ist der starke Schrumpf inakzeptabel .
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Siliconformkörpern, bei dem
1) eine durch Licht vernetzbare Siliconmischung geformt wird,
2) danach die geformte Siliconmischung mit Licht von 200 bis 500 nm bestrahlt wird, um diese so vorzuvernetzten, dass diese ihre Form bei einer Temperatur T beibehält und
3) danach die geformte und bestrahlte Siliconmischung bei der Temperatur T thermisch zu Formkörpern ausgehärtet wird.
Die Formkörper aus Silicon können ohne die Verwendung wesentlich teuerer Ξpritzgussverfahren hergestellt werden. Es fallen geringere Handlingskosten, geringere Anlagenkosten und keine Nachbearbeitung an. Das Verfahren ist sowohl bei kleinen Fertigungsserien als auch bei Großserien einsetzbar. Eine für Spritzgussverfahren typischerweise verwendete Metallform ist für die Herstellung von dicken Beschichtungen nicht notwendig.
Im Vergleich zu konventionellen, unter Verwendung von Dispenstechnologie verarbeitbaren RTV Siliconen erlaubt die lichtinduzierte Vorhärtung das Konservieren der äußeren
Geometrie des Siliconteils auch während des Aufwärmens. Die Herstellung von Formteilen ohne die Verwendung eines äußeren, die geometrische Form gebenden Werkzeugs ist möglich.
Durch die Verwendung einer unter Lichteinfluss aktivierbaren oder aushärtenden Siliconmischung wird die Form der Siliconmischung, die diese nach dem Formen, einschließlich Auftragen, wie Dispensen, Spritzen, Rakeln einnimmt, durch Belichtung konserviert. Durch das Bestrahlen wird die Siliconmischυng teilweise vernetzt und so ein hinreichend stabiles Netzwerk ausgebildet.
Die endgültige Aushärtung unter voller Entwicklung aller Materialeigenschaften, wie Harte, Festigkeit, Haftung, wird in einem anschließenden thermischen Hartungsschritt erreicht.
Ein Verzichten auf die thermische Nachhartung und alleinige Aushärtung durch den Einfluss von Licht wäre nicht möglich, da sich dann bestimmte Eigenschaften des Materialprofils wie z.B. Haftungseigenschaften nicht ausbilden wurden.
Mit konventionellen, nicht durch Licht aushärtenden additionsvernetzbaren Siliconmassen wurde die äußere Form des geformten Silicons mit steigender Temperatur durch die
Viskositatsanderung zerstört werden; erst die Verwendung von durch Licht vernetzbaren Siliconmischungen macht dieses Verfahren möglich, da die ursprüngliche äußere Geometrie durch die anfangliche, durch Licht initiierte Vorhartung auch wahrend der Erwärmung konserviert wird.
Das Formen findet bevorzugt bei mindestens O 0 C besonders bevorzugt mindestens 10 0 C, insbesondere mindestens 15°C und bevorzugt bei höchstens 50 0 C, besonders bevorzugt höchstens 35°C, insbesondere höchstens 25 0 C statt.
Die Bestrahlung der geformten Siliconmischung mit Licht dauert bevorzugt mindestens 1 Sekunde, besonders bevorzugt mindestens 5 Sekunden und bevorzugt höchstens 500 Sekunden, besonders bevorzugt höchstens 100 Sekunden.
Durch die einsetzende Hydrosil ylierungsreaktion beginnt die Vernetzung der Siliconmischung - sie geliert. Die geformte und bestrahlte Siliconmischung wird nach der Bestrahlung mit Licht vorzugsweise nach höchstens 1 Stunde, besonders bevorzugt nach höchstens 10 Minuten, insbesondere höchstens nach 1 Minute erwärmt, um sie zu Formkorpern auszuhärten.
Die Temperatur T betragt vorzugsweise mindestens 80°C besonders bevorzugt mindestens 100 0 C, insbesondere mindestens 120 0 C und bevorzugt bei höchstens 250 0 C, besonders bevorzugt höchstens 200 0 C, insbesondere höchstens 160 0 C.
Die Dauer der Aushärtung bei der Temperatur T betragt bevorzugt mindestens 30 Sekunden, besonders bevorzugt mindestens 1 Minute und bevorzugt höchstens 10 Minuten, besonders bevorzugt höchstens 60 Minuten.
Der Formkorper härtet dabei vollständig aus und bildet sein vollständiges Eigenschaftsprofil aus . Wahrend der gesamten Erwärmung ändert die geformte Siliconmischung ihre geometrische Form nicht.
Die Siliconmischung weist vorzugsweise eine Viskosität [D - 0,5 / 25°C] von mindestens 10000 mPas, insbesondere mindestens 20000 mPas, vorzugsweise höchstens 2000000 rαPas, insbesondere höchstens 100000 mPas auf.
Bei der durch Licht von 200 bis 500 nrπ vernetzbaren Siliconmischung kann es sich um eine aus 2 Komponenten oder aus nur 1 Komponente aufgebaute Mischung handeln. Vorzugsweise enthalt die Siliconmischung: (A) mindestens zwei Alkenylgruppen pro Molekül enthaltendes Polyorganosiloxan mit einer Viskosität bei 25°C von 0,1 bis
500 000 Pa-s,
(B) mindestens zwei SiH-Funktionen pro Molekül enthaltende Organosiliciumverbindung und
(C) durch Licht von 200 bis 500 nm aktivierbaren Katalysator der Platingruppe.
Die Zusammensetzung des Alkenylgruppen enthaltenden Polyorganosiloxans (A) entspricht vorzugsweise der durchschnittlichen allgemeinen Formel (1)
Rl χ R 2 y Si0 (4 _ x _ y) /2 (1),
in der
R-*- einen einwertigen, gegebenenfalls halogen- oder cyanosubstituierten, gegebenenfalls über eine organische zweiwertige Gruppe an Silicium gebundenen C^-C^Q-
Kohlenwasserstoffrest , der aliphatische Kohlenstoff~ Kohlenstoff Mehrfachbindungen enthält,
R^ einen einwertigen, gegebenenfalls halogen- oder cyanosubstituierten,. über SiC-gebundenen CI-CIQ-
Kohlenwasserstoffrest, der frei ist von aliphatischen Kohlenstoff-Kohlenstoff Mehrfachbindungen x eine solche nichtnegative Zahl, dass mindestens zwei Reste
R 1 in jedem Molekül vorhanden sind, und y eine nicht negative Zahl, so daß (x+y) im Bereich von 1,8 bis 2,5 liegt, bedeuten.
Die Alkenylgruppen R^- sind einer Anlagerungsreaktion mit einem SiH-funktionellen Vernetzungsmittel zugänglich. Üblicherweise werden Alkenylgruppen mit 2 bis 6 Kohlenstoffatomen, wie Vinyl, Allyl, Methallyl, 1-Propenyl, 5-Hexenyl, Ethinyl, Butadienyl, Hexadienyl, Cyclopentenyl, Cyclopentadienyl, Cyclohexenyl, vorzugsweise Vinyl und Allyl, verwendet.
Organische zweiwertige Gruppen, über die die Alkenylgruppen R^ an Silicium der Polymerkette gebunden sein können, bestehen beispielsweise aus Oxyalkyleneinheiten, wie solche der allgemeinen Formel (2)
- (O) ra t (CH 2 ) n O] o - (2),
in der m die Werte 0 oder 1, insbesondere 0, n Werte von 1 bis A, insbesondere 1 oder 2 und o Werte von 1 bis 20, insbesondere von 1 bis 5 bedeuten.
Die Oxyalkyleneinheiten der allgemeinen Formel (10) sind links an ein Siliciumatom gebunden.
Die Reste R^ können in jeder Position der Polymerkette, insbesondere an den endständigen Siliciumatomen, gebunden sein.
Beispiele für unsubstituierte Reste R 2 sind Alkylreste, wie der Methyl-, Ethyl-, n-Propyl-, iso-Propyl-, n-Butyl-, iso-Butyl-, tert .-Butyl-, n-Pentyl-, iso-Pentyl-, neo-Pentyl-, tert.- Pentylrest, Hexylreste, wie der n-Hexylrest, Heptylreste, wie der n-Heptylrest , Octylreste, wie der n-Octylrest und iso~ Octylreste, wie der 2, 2, 4-Trimethylpentylrest, Nonylreste, wie der n-Nonylrest, Decylreste, wie der n-Decylrest; Alkenylreste, wie der Vinyl-, Allyl-, n-5-Hexenyl-, 4-Vinylcyclohexyl- und der 3-Norbornenylrest ; Cycloalkylreste, wie Cyclopentyl-, Cyclohexyl-, 4-Ethylcyclohexyl-, Cycloheptylreste, Norbornylreste und Methylcyclohexylreste; Arylreste, wie der Phenyl-, Biphenylyl-, Naphthylrest; Alkarylreste, wie o-, m~, p-Tolylreste und Ethylphenylreste; Äralkylreste, wie der Benzylrest, der alpha- und der ß-Phenylethylrest .
Beispiele für substituierte Kohlenwasserstoffreste als Reste R^ sind halogenierte Kohlenwasserstoffe, wie der Chlormethyl™, 3- Chlorpropyl-, 3-Brompropyl, 3, 3, 3-Trifluorpropyl und S, 5, 5, 4, 4, 3, 3-Hexafluorpentylrest sowie der Chlorphenyl-, Dichlorphenyl- und Trifluortolylrest .
R.2 weist vorzugsweise 1 bis 6 Kohlenstoffatome auf. Insbesondere bevorzugt sind Methyl und Phenyl .
Bestandteil (A) kann auch eine Mischung verschiedener Älkenylgruppen enthaltender Polyorganosiloxane sein, die sich beispielsweise im Alkenylgruppengehalt, der Art der Alkenylgruppe oder strukturell unterscheiden.
Die Struktur der Älkenylgruppen enthaltenden Polyorganosiloxane (A) kann linear, cyclisch oder auch verzweigt sein. Der Gehalt an zu verzweigten Polyorganosiloxanen führenden tri- und/oder tetrafunktionellen Einheiten, ist typischerweise sehr gering, vorzugsweise höchstens 20 Mol-%, insbesondere höchstens 0,1 Mol-%.
Besonders bevorzugt ist die Verwendung Vinylgruppen enthaltender Polydimethylsiloxane, deren Moleküle der allgemeinen Formel (3)
(ViMe2SiOχ/2) 2 (ViMeSiO) p (Me2SiO) q (3) ,
entsprechen, wobei die nichtnegativen ganzen Zahlen p und q folgende Relationen erfüllen: p>0, 50< (p+q) <20000, vorzugsweise 200<(p+q)<1000, und 0< (p+1) / (p+q) <0.2. 9 064079
Die Viskosität des Polyorganosiloxans (A) beträgt bei 25°C vorzugsweise 0,5 bis 100000 Pa-s, insbesondere 1 bis 2000 Pa-s.
Die mindestens zwei SiH-Funktionen pro Molekül enthaltende Organosiliciumverbindung (B) , besitzt vorzugsweise eine Zusammensetzung der durchschnittlichen allgemeinen Formel (4)
H a R 3 b Si0 (4 „ a _ b) /2 (4),
in der
R 3 einen einwertigen, gegebenenfalls halogen- oder cyanαsubstituierten, über SiC-gebundenen Cχ~C ] _g- Kohlenwasserstoffrest, der frei ist von aliphatischen Kohlenstoff-Kohlenstoff Mehrfachbindungen und a und b nichtnegative ganze Zahlen sind, mit der Maßgabe, dass 0.5< (a+b) <3, 0 und 0<a<2, und dass mindestens zwei siliciumgebundene Wasserstoffatome pro Molekül vorhanden sind.
Beispiele für R 3 sind die für R 2 angegebenen Reste. R 3 weist vorzugsweise 1 bis 6 Kohlenstoffatome auf. Insbesondere bevorzugt sind Methyl und Phenyl.
Bevorzugt ist die Verwendung einer drei oder mehr SiH-Bindungen pro Molekül enthaltenden Organosiliciumverbindung (B) . Bei Verwendung einer nur zwei SiH-Bindungen pro Molekül aufweisenden Organosiliciumverbindung (B) empfiehlt sich die Verwendung eines Polyorganosiloxans (A) , das über mindestens drei Alkenylgruppen pro Molekül verfügt.
Der Wasserstoffgehalt der Organosiliciumverbindung (B) , welcher sich ausschließlich auf die direkt an Siliciumatome gebundenen Wasserstoffatome bezieht, liegt vorzugsweise im Bereich von 0,002 bis 1,7 Gew.-% Wasserstoff, vorzugsweise von 0,1 bis 1,7 Gew.-% Wasserstoff.
Die Organosiliciumverbindung (B) enthält vorzugsweise mindestens drei und höchstens 600 Siliciumatome pro Molekül. Bevorzugt ist die Verwendung von Organosiliciumverbindung (B) , die 4 bis 200 Siliciumatome pro Molekül enthält.
Die Struktur der Organosiliciumverbindung (B) kann linear, verzweigt, cyclisch oder netzwerkartig sein.
Besonders bevorzugte Organosiliciumverbindungen (B) sind lineare Polyorganosiloxane der allgemeinen Formel (5)
(HR^ 2 SiO 172 ) c ( R 4 3 si0 l/2)d^R 4 SiO 2 /2)e( R4 2Siθ2/2)f ( 5 ) ,
wobei
R^ die Bedeutungen von R^ hat und die nichtnegativen ganzen Zahlen c, d, e und f folgende
Relationen erfüllen: (c+d}=2, (c+e)>2, 5<(e+f)<200 und Ke/ (e +f)<0,l.
Die SiH-funktionelle Organosiliciumverbindung (B) ist vorzugsweise in einer solchen Menge in der vernetzbaren
Siliconmasse enthalten, dass das Molverhältnis von SiH-Gruppen zu Alkenylgruppen bei 0,5 bis 5, insbesondere bei 1,0 bis 3,0 liegt.
Als Katalysator (C) können alle bekannten Katalysatoren der Platingruppe eingesetzt werden, welche die bei der Vernetzung von additionsvemetzenden Siliconmassen ablaufenden Hydro- silylierungsreaktionen katalysieren und durch Licht von 200 bis 500 nm aktivierbar sind.
Der Katalysator (C) enthält ein mindestens ein Metall oder eine Verbindung von Platin, Rhodium, Palladium, Ruthenium und Iridium, vorzugsweise Platin.
Besonders geeignete Katalysatoren (C) sind Cyclopentadienyl- Komplexe des Platin, vorzugsweise der allgemeinen Formel (6)
wobei g = 1 bis 8, h = 0 bis 2, i = 1 bis 3, κ7 unabhängig voneinander, gleich oder verschieden einen monovalenten, unsubstituierten oder substituierten, linearen, cyclischen oder verzweigten, aliphatisch gesattigte oder ungesättigte oder aromatisch ungesättigte Reste enthaltenden Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 30 Kohlenstoffatomen, in dem einzelne Kohlenstoffatome durch 0-, N-, S- oder P~-Λtome ersetzt sein können, R^ unabhängig voneinander, gleiche oder verschiedene hydrolysierbare funktionelle Gruppen, ausgewählt aus der Gruppe enthaltend
Carboxy » O-C{O)R 10 ,
Oxim -O-ΪSNCR 10 2, Alkoxy -OR 10 , Alkenyloxy -0-R 1 ^ Amid -NR 1 O-C(O)R 11 , Amin -NR 10 Rl 1 ,
Aminoxy -0-NR 10 R 11 , mit
RIO unabhängig voneinander, gleich oder verschieden
H, Alkyl, Aryl, Arylalkyl, Alkylaryl, R-^ unabhängig voneinander, gleich oder verschieden
Alkyl, Aryl, Arylalkyl, Alkylaryl,
R^ 2 einen linearen oder verzweigten, aliphatisch ungesättigten organischen Rest,
R^ a unabhängig voneinander, gleich oder verschieden Alkyl, Aryl, Arylalkyl, Alkylaryl mit 1 bis 30 Kohlenstoffatorαen, wobei die Wasserstoffe durch -HaI oder -SiR3^ substituiert sein können, mit
R^ unabhängig voneinander, gleich oder verschieden einen monovalenten, unsubstituierten oder substituierten, linearen, cyclischen oder verzweigten
Kohlenwasserstoffrest ,
R^b unabhängig voneinander, gleich oder verschieden Wasserstoff oder einen monovalenten, unsubstituierten oder substituierten, linearen oder verzweigten, aliphatisch gesättigte oder ungesättigte oder aromatisch ungesättigte Reste enthaltenden Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 30 Kohlenstoffatomen, in dem einzelne Kohlenstoffatorαe durch 0-, N-, S- oder P-Atome ersetzt sein können und die mit dem Cyclopentadienylrest annelierte Ringe bilden können, bedeuten.
Bevorzugte Reste R^ sind lineare gesättigte
Kohlenwasserstoffreste mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen. Weiterhin bevorzugt ist der Phenylrest.
Bevorzugte Reste R^ sind Methoxy-, Ethoxy-, Acetoxy- und 2- Methoxyethoxy-Gruppen. Bevorzugte Reste R^ a sind lineare und verzweigte, gegebenenfalls substituierte Alkylreste wie Methyl-, Ethyl-, Propyl- oder Butylreste.
Bevorzugte Reste R^& sind lineare und verzweigte, gegebenenfalls substituierte lineare Alkylreste wie Methyl-, Ethyl-, Propyl- oder Butylreste. Weiterhin bevorzugt sind gegebenenfalls weiter substituierte annelierte Ringe wie zum Beispiel der Indenyl- oder der Fluorenylrest .
Besonders bevorzugt als Katalysator (C) ist MeCp(PtMe3) .
Katalysator (C) kann in jeder beliebigen Form eingesetzt werden, beispielsweise auch in Form von Hydrosilylierungskatalysator enthaltenden Mikrokapseln, oder Organopolysiloxanpartikeln, wie beschrieben in EP-A-1006147.
Der Gehalt an Hydrosilylierungskatalysatoren (C) wird vorzugsweise so gewählt, dass die Siliconmischung einen Gehalt an Metall der Platingruppe von 0,1-200 ppm, bevorzugt von 0,5™ 40 ppm besitzt.
Die Siliconmischung ist bevorzugt transparent und frei von Licht absorbierenden Füllstoffen.
Die Siliconmischung kann jedoch auch Füllstoff (D) enthalten. Beispiele für sind nicht verstärkende Füllstoffe (D) sind Füllstoffe mit einer BET-Oberfläche von bis zu 50 rn^/g, wie Quarz, Diatomeenerde, Calciumsilikat , Zirkoniumsilikat, Zeolithe, Metalloxidpulver, wie Aluminium-, Titan-, Eisen-, oder Zinkoxide bzw. deren Mischoxide, Bariumsulfat, Calciumcarbonat, Gips, Siliciumnitrid, Siliciumcarbid, Bornitrid, Glas- und Kunststoffpulver. Verstärkende Füllstoffe, also Füllstoffe mit einer BET-Oberflache von mindestens 50 m^/g, sind beispielsweise pyrogen hergestellte Kieselsäure, gefällte Kieselsaure, Ruß, wie Furnace- und Acetylenruß und Silicium-Aluminium-Mischoxide großer BET-Oberflache . Faserfόrrnige Füllstoffe sind beispielsweise Asbest sowie
Kunststoffasern. Die genannten Füllstoffe können hydrophobiert sein, beispielsweise durch die Behandlung mit Organosi] anen bzw. -siloxanen oder durch Veratherung von Hydroxylgruppen zu Alkoxygruppen. Es kann eine Art von Füllstoff, es kann auch ein Gemisch von mindestens zwei Füllstoffen eingesetzt werden.
Wenn die Siliconmischungen Füllstoff (D) enthalten, beträgt dessen Anteil vorzugsweise 2 bis 60 Gew.~%, insbesondere 5 bis 50 Gew.-%.
Die Ξiliconmischungen können als Bestandteil (E) weitere Zusätze zu einem Anteil von bis zu 70 Gew,-%, vorzugsweise 0,0001 bis 40 Gew.-%, enthalten. Diese Zusätze können z.B. harzartige Polyorganosiloxane, die von den Diorganopolysiloxanen (A) und (B) verschieden sind,
Dispergierhilfsmittel, Lösungsmittel , Haftvermittler, Pigmente, Farbstoffe, Weichmacher, organische Polymere, Hitzestabilisatoren usw. sein. Hierzu zählen Zusätze, wie Farbstoffe, Pigmente usw. Des Weiteren können als Bestandteil (E) thixotropierende Bestandteile, wie hochdisperse Kieselsaure oder andere handelsübliche Thixotropieadditive enthalten sein. Zusatzlich können auch als Kettenverlängerer Siloxane der Formel HSi (CH3) 3- [O-Si (CH3) 2 ] w~ H vorhanden sein, wobei w Werte von 1 bis 1000 bedeutet. Enthalten sein können des Weiteren Zusätze (E) , die der gezielten Einstellung der Verarbeitungszeit, Anspringtemperatur und Vernetzungsgeschwindigkeit der Siliconmischung dienen. Diese Inhibitoren und Stabilisatoren sind auf dem Gebiet der vernetzenden Massen sehr gut bekannt.
Zusatzlich können auch Additive hinzugefugt werden,, die den Druckverformungsrest verbessern. Zusätzlich können auch Hohlkörper hinzugefugt werden. Zusatzlich können auch
Treibmittel zur Erzeugung von Schäumen hinzugefugt werden. Zusätzlich können auch nicht vinylfunktionalisierte Polydiorganosiloxane hinzugefugt werden.
Die Compoundierung der Siliconmischung erfolgt durch Mischen der oben aufgeführten Komponenten in beliebiger Reihenfolge.
Bevorzugte Ausfuhrungsformeπ des Verfahrens sind Glob-Top Anwendungen in der Elektronikindustrie, die Herstellung optischer Bauteile, z.B. Linsen für LEDs, geometrische Formen, die zum Abdichten, als Abstandhalter oder Dämpfungselement dienen, wie O-Ringe.
Gegenstand der Erfindung sind auch Siliconformkorper, die erhaltlich sind durch ein Verfahren, bei dem
1} eine durch Licht vernetzbare Siliconmischung geformt wird, 2) danach die geformte Siliconmischung mit Licht von 200 bis 500 nm bestrahlt wird, um diese so vorzuvernetzten, dass diese ihre Form bei einer Temperatur T beibehalt und 3} danach die geformte und bestrahlte Siliconmischung bei der Temperatur T thermisch zu Formkorpern ausgehartet wird.
Alle vorstehenden Symbole der vorstehenden Formeln weisen ihre Bedeutungen jeweils unabhängig voneinander auf. In allen Formeln ist das Siliciumatom vierwertig.
In den nachfolgenden Beispielen sind, falls jeweils nicht anders angegeben, alle Mengen- und Prozentangaben auf das Gewicht bezogen, alle Drucke 0,10 MPa (abs.) und alle Temperaturen 2O 0 C.
Beispiele
Siliconrru schung A
Dabei gilt:
- für Vinylpolymer 1000: ViMe2SiO- (Me2SiO) s ~SiMe2Vi mit s = 200
- für Glymo: Gaxnma-Glycidoxypropyltπmethoxysilan
- für B-Siloxan: Mθ3SiO- (MeHSiO) t - (Me2SiO) u -SiMβ3 mit t+u = 50
- für HDK: pyrogene Kieselsaure mit einer Oberflache nach BET von 150 m 2 /g ()
- für Platinkatalysator: MeCp{PtMe3)
Materialeigenschaften
Wert [mPas]
Viskosität [D = 0, 5 / 25° C] 50 000
Viskosität [D = o, 5 / 100 0 C] 22 000
Em elektronisches Bauteil der Große 10 x 10 mm wird mit der oben genannten Siliconmischung A vollständig bedeckt. Das Silicon bedeckt nach dem Ausbringen eine Flache von 3,5 cm^ .
Anschließend wird die Mischung für 1 Sekunde mit einer Leistung von 200 mW/cm^ mit einer UV-Lampe belichtet. Nach weiteren 30 Sekunden wird das Bauteil mit dem aktivierten Silicon für 5 min bei 14O 0 C ausgehärtet. Unter diesen Bedingungen bildet das Silicon Haftung zur Leiterplatte aus. Während des Erwärmens verändert das Silicon seine Form nicht, die benetzte Fläche vergrößert sich nicht weiter.
Bei einer vergleichbar formulierten Siliconmischung, jedoch nicht durch Licht und nur durch Temperatur aktivierbar, wird zwar nach dem Auftragen ebenfalls eine Fläche von 3,5 crrv^ bedeckt, durch das Erwärmen auf Zieltemperatur sinkt die
Viskosität jedoch ab, so dass die vom Silicon bedeckte Fläche nach dem Aushärten deutlich größer als 3,5 cm^ wird.
Next Patent: COSMETIC AND DERMATOLOGICAL COMPOSITIONS FOR THE THREE-DIMENSIONAL REDUCTION OF WRINKLES