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Patent Searching and Data


Title:
METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/104695
Kind Code:
A1
Abstract:
Disclosed is a method for producing a transparent conductive substrate, by which there can be easily produced a transparent conductive substrate having good conductivity and transparency and comprising a titanium oxide transparent conductive film which is patterned into a desired shape. In this method, a precursor liquid for forming a titanium oxide transparent conductive film is applied onto a transparent substrate and dried at a temperature not more than 350˚C, and the thus-obtained coating film is subjected to etching and then to annealing. The precursor liquid for forming a titanium oxide transparent conductive film preferably contains (A) a reaction product obtained by reacting a titanium compound with hydrogen peroxide and (B) a reaction product obtained by reacting a tantalum compound with hydrogen peroxide.

Inventors:
NAKATA, Kunihiko (LIMITED 6, Kitahara, Tsukuba-sh, Ibaraki 94, 30032, JP)
中田 邦彦 (〒94 茨城県つくば市北原6番 住友化学株式会社内 Ibaraki, 30032, JP)
Application Number:
JP2009/052927
Publication Date:
August 27, 2009
Filing Date:
February 19, 2009
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Assignee:
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED (27-1, Shinkawa 2-chome Chuo-k, Tokyo 60, 10482, JP)
住友化学株式会社 (〒60 東京都中央区新川二丁目27番1号 Tokyo, 10482, JP)
NAKATA, Kunihiko (LIMITED 6, Kitahara, Tsukuba-sh, Ibaraki 94, 30032, JP)
International Classes:
H01B13/00; B05D5/12
Attorney, Agent or Firm:
FUKAI, Toshikazu (OMM Bldg. 8th Floor, 7-31 Otemae 1-chome, Chuo-k, Osaka-shi Osaka 91, 54065, JP)
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Claims:
 透明基板上に酸化チタン系透明導電性膜形成用前駆体液を塗布し、350℃以下の温度で乾燥させ、得られた被膜にエッチング処理を施した後、アニール処理を施す、ことを含む透明導電性基板の製造方法。
 酸化チタン系透明導電性膜形成用前駆体液が、(A)チタン化合物を過酸化水素と反応させて得られる反応生成物と(B)ニオブ化合物またはタンタル化合物を過酸化水素と反応させて得られる反応生成物とを含む、請求項1に記載の方法。
 エッチング処理が、乾燥して得られた被膜の上に所定のパターンを有するレジスト膜を形成し、該レジスト膜に覆われていない部分をエッチング液を用いて除去することにより行われる、請求項1に記載の方法。
 エッチング処理が、液温10~150℃のエッチング液を用いて行われる、請求項1に記載の方法。
 得られる透明導電性基板が、
透明基板と、
該透明基板上に形成されニオブまたはタンタルがドープされた酸化チタンからなるパターン化された透明導電性膜とからなる、請求項2に記載の方法。
Description:
透明導電性基板の製造方法

 本発明は、所望の形状にパターニングさ た酸化チタン系の透明導電性膜を備えた透 導電性基板の製造方法に関する。

 従来から、太陽電池や液晶表示装置等に いられる透明導電性基板としては、透明基 上に酸化インジウム錫(ITO)等の金属酸化物 らなる透明導電性の薄膜を形成したものが 用されている。

 一般に、金属酸化物の薄膜を形成する方 には、大別して、スパッタ法やPLD(パルスレ ーザーデポジション)法のように真空条件下 成膜する方法(真空法)と、金属酸化物粒子ま たはその前駆体を含むスラリーあるいは溶液 を基材に塗布した後に加熱する方法(塗布法) があるが、これまで、透明導電性膜などの 途においては、通常、真空法が採用されて た。これは、真空法であれば、塗布法より 高い導電性を有する膜を形成することがで るからである。つまり、塗布法により形成 れた膜は、クラックが発生しやすく均一な を作製するのが困難であり、真空法で形成 れた膜に比べて、膜の緻密性に劣る傾向が り、結晶粒同士のネッキングが弱くなるた 、導電性が低下しやすいと考えられていた である。また、塗布法は、真空法に比べて 系外から不純物が混入する可能性が高く、 成された膜への不純物の混入も膜の緻密性 損なう原因として懸念されていた。

 ところで、これまで透明導電性膜の材料 あるITOの主成分としてIn(インジウム)が使わ れてきたが、資源枯渇や価格急騰といった問 題が深刻となっている。このため、他の金属 を用いた透明導電性膜が要望されており、代 替材料として酸化チタンを用いた透明導電性 基板の開発が進められている(特許文献1、2参 照)。

 しかしながら、酸化チタン系材料を用い 上述した真空法により膜形成を行った場合 成膜直後に酸化物(酸化チタン)膜となる。 化チタンは、結晶状態(アナターゼ型結晶相 ルチル型結晶相)は勿論のことアモルファス 相においても、酸やアルカリに不溶であるこ とが知られており、このため、前記酸化チタ ン膜にはウエットエッチング処理を施すこと ができない。したがって、これまで、酸化チ タン系の透明導電性膜では、所望のパターン が設けられず、その用途はいわゆるベタ膜と して使用できる範囲に限定されてしまう、と いう問題があった。

特開平10-226598号公報

特開2005-11737号公報

 本発明は、良好な導電性と透明性を有し 所望の形状にパターニングされた酸化チタ 系透明導電性膜を備えた透明導電性基板を 易に得ることができる透明導電性基板の製 方法を提供することを目的とする。

 本発明者は、前記課題を解決するべく鋭 検討を行った。その結果、成膜方法として 酸化チタン系透明導電性膜形成用前駆体液 基材に塗布した後に加熱する方法を採用す こととし、前記前駆体液が加熱されて完全 酸化物に変化するまでの中間状態で適当な ッチング液を用いてエッチング処理を施す とによりパターニングを行うことを着想し 。そして、塗布後の前駆体液からなる膜を 定温度以下で保持しつつ該膜を乾燥させて 中の溶媒等を除去した段階の膜状態であれ 、エッチング液による溶解、除去が可能で り、その後、アニール処理を施すことによ 、良好な導電性と透明性を備えた酸化チタ 系透明導電性基板を製造できることを見出 、本発明を完成した。

 すなわち、以下の記載に関係する。
 (1)透明基板上に酸化チタン系透明導電性膜 成用前駆体液を塗布し、350℃以下の温度で 燥させ、得られた被膜にエッチング処理を した後、アニール処理を施す、ことを含む 明導電性基板の製造方法。
 (2)酸化チタン系透明導電性膜形成用前駆体 が、(A)チタン化合物を過酸化水素と反応さ て得られる反応生成物と(B)ニオブ化合物ま はタンタル化合物を過酸化水素と反応させ 得られる反応生成物とを含む、(1)に記載の 法。
 (3)エッチング処理が、乾燥して得られた被 の上に所定のパターンを有するレジスト膜 形成し、該レジスト膜に覆われていない部 をエッチング液を用いて除去することによ 行われる、(1)または(2)に記載の方法。
 (4)エッチング処理が、液温10~150℃のエッチ グ液を用いて行われる、(1)から(3)のいずれ に記載の方法。
 (5)得られる透明導電性基板が、
透明基板と、
該透明基板上に形成されニオブまたはタンタ ルがドープされた酸化チタンからなるパター ン化された透明導電性膜とからなる、(2)から (4)のいずれかに記載の方法。

 本発明によれば、良好な導電性と透明性を し、所望の形状にパターニングされた酸化 タン系透明導電性膜を備えた透明導電性基 を容易に得ることができる、という効果が る。この透明導電性基板は、例えば液晶表 装置であれば、MIM、ダイオード、FET(バック トランジスタ)、バリスタなどを用いたアク ィブマトリックス型液晶表示装置のように 複雑にパターニングされた透明導電性膜を する用途においても広く利用することがで る。
 また、本発明は、従来の真空法のように、 備的なコストが嵩む大掛かりな真空装置を しないので、既存の設備を用いて簡便な操 で安価に実施することができ、工業的な大 生産に適している、という効果も得られる

 本発明の透明導電性基板の製造方法におい は、まず、透明基板上に酸化チタン系透明 電性膜形成用前駆体液を塗布する。
 本発明において用いられる酸化チタン系透 導電性膜形成用前駆体液(以下、単に「前駆 体液」と称することもある)は、加熱によっ 透明導電性を発現しうる酸化チタン系酸化 となりうる材料であれば、特に制限されな が、好ましくは、(A)チタン化合物を過酸化 素と反応させて得られる反応生成物と(B)ニ ブ化合物またはタンタル化合物(以下、「ニ ブ化合物またはタンタル化合物」を纏めて ドーパント化合物」と称し、「ニオブまた タンタル」を纏めて「ドーパント」と称す こともある)を過酸化水素と反応させて得ら れる反応生成物とを含んでなるものがよい。 この前駆体液は、(A)チタン化合物および(B)ニ オブ化合物またはタンタル化合物がペルオキ シ化されてなる錯体(ペルオキシ錯体)を含む のであり、該ペルオキシ錯体は、加熱によ ニオブまたはタンタルがドープされた酸化 タンとなる金属酸化物前駆体である。この うに、周期律表のVA族に属する5価のニオブ たはタンタルが酸化チタンにドープされた 属酸化物で形成された膜は、より良好な導 性を示す。

 前記前駆体液は、i)(A)チタン化合物を過 化水素と反応させることにより得られた反 生成物であるチタンのペルオキシ錯体と、(B )ドーパント化合物を過酸化水素と反応させ ことにより得られた反応生成物であるドー ントのペルオキシ錯体とを所望の割合で混 して得られたものであってもよいし、ii)(A) タン化合物と(B)ドーパント化合物とを予め 望の割合で混合した混合物を過酸化水素と 応させることにより得られたものであって よい。

 前記前駆体液を得るに際し、(A)チタン化 物もしくは該チタン化合物由来のペルオキ 錯体と、(B)ドーパント化合物もしくは該ド パント化合物由来のペルオキシ錯体との混 割合は、最終的に形成された酸化チタン膜 おけるドーパント(ニオブまたはタンタル) 含有比率が0.1~40モル%、好ましくは5~30モル% なるようにすればよい。前記(B)(ドーパント 合物もしくは該ドーパント化合物由来のペ オキシ錯体)が前記範囲よりも少ないと、ド ープ効果が不充分となり、導電性が低下する おそれがあり、一方、前記(B)が前記範囲より も多くても、導電性が低下したり、膜の透明 性が低下するおそれがある。

 前記前駆体液を得るに際し、過酸化水素に る反応(すなわち、ペルオキシ化反応)は、 えば、チタン化合物、ドーパント化合物ま はこれらの混合物を適当な溶媒により溶解 せ、必要に応じて攪拌しつつ、濃度1~60重量% 程度の過酸化水素水を添加することにより行 うことができる。チタン化合物またはドーパ ント化合物に反応させる過酸化水素の量は、 特に制限はないが、1モルのチタン化合物に き通常0.8~20モル、1モルのドーパント化合物 つき通常0.8~20モルである。ペルオキシ化反 の反応時間は、通常1秒~60分、好ましくは5 ~20分程度である。なお、過酸化水素による ルオキシ化反応は、通常、激しい発熱を伴 ので、反応は冷却しながら(具体的には、内 を-10℃以下に保つようにして)行うことが望 ましい。反応後、さらに、-10℃以下に冷却し つつ熟成保持してもよい。
 前記過酸化水素によるペルオキシ化反応に いることのできる溶媒としては、特に制限 なく、例えば、水、メタノール、エタノー 、プロパノール、ブタノール、ジアセトン ルコール、エチレングリコール等の、一般 な水系やアルコール系の水溶性溶剤等が用 られるが、前駆体液の保存安定性(ポットラ イフ)の観点からは、3-メトキシ-1-ブタノール 、3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール、ジアセ ンアルコール(別名;4-ヒドロキシ-4-メチルペ ンタン-2-オン)、γ-ブチロラクトン、4-ヒドロ キシ-2-ブタノン、5-ヒドロキシ-2-ペンタノン δ-バレロラクトン、ε-カプロラクトン、テ ラヒドロフラン-2-カルボン酸、2-メチル-1,3- プロパンジオール等が特に好ましい。

 前記(A)チタン化合物は、チタン源としてTi 子を含むものであれば特に制限はなく、例 ば、塩化チタン(二塩化チタン、三塩化チタ 、四塩化チタン等)、チタンアルコキシド( トキシド、エトキシド、イソプロポキシド )、硫酸チタニル、金属チタン、水酸化チタ (オルトチタン酸)、オキシ硫酸チタン等を いることができる。
 前記(B)ドーパント化合物のうちニオブ化合 は、ニオブ源としてNb原子を含むものであ ば特に制限はなく、例えば、塩化ニオブ、 オブアルコキシド(メトキシド、エトキシド )、金属ニオブ、水酸化ニオブ等を用いるこ とができる。また、前記(B)ドーパント化合物 のうちタンタル化合物は、タンタル源として Ta原子を含むものであれば特に制限はなく、 えば、塩化タンタル、タンタルアルコキシ (メトキシド、エトキシド等)、金属タンタ 、水酸化タンタル等を用いることができる
 なお、上記のうち、チタンアルコキシド、 オブアルコキシド、タンタルアルコキシド 、水分と接触すると直ちに反応する不安定 物質なので、乾燥(低湿度)雰囲気で扱うこ が好ましい。

 前記(A)チタン化合物および前記(B)ニオブ 合物またはタンタル化合物としては、水酸 物を用いることが好ましい。すなわち、前 (A)として水酸化チタンを用い、前記(B)とし 水酸化ニオブまたは水酸化タンタルを用い か、もしくは、これら水酸化物以外のチタ 化合物およびドーパント化合物を用い、過 化水素と反応させる前に予めアルカリある は水を加えるなどして水酸化し、生じた水 化物の沈殿を分取、洗浄すればよい。この うに、水酸化物を過酸化水素と反応させて られたペルオキシ錯体であれば、炭素原子 含む有機部位が全く存在しないことになり 高温に加熱して有機部位を分解・揮散させ 必要がないため、酸化物に変換する際のア ール処理時の加熱温度を比較的低温に設定 ることができるので好ましい。

 前記前駆体液の固形分濃度は、通常、10重 %以下とするのが好ましく、特に、前駆体液 保存安定性(ポットライフ)の観点からは、2 量%以下であるのがより好ましい。固形分濃 度が10重量%を超えると、前駆体液の保存安定 性が低下し、塗布時に粘度が上昇するので、 透明基板上に均一に塗布することが困難にな るおそれがある。
 なお、ここでいう固形分濃度は、前駆体液 得る際に用いたチタン化合物およびドーパ ト化合物の合計重量が、前駆体液の全重量 に占める割合(重量%)を意味するものである

 前記前駆体液を塗布する透明基板として 、熱が付加される各工程(例えば、後述する 焼成(プリベーク)やアニール処理など)におけ る加熱の際に形状及び透明性を維持しうるも のであれば、特に制限はない。例えば、各種 ガラス等の無機材料、熱可塑性樹脂や熱硬化 性樹脂(例えば、エポキシ樹脂、ポリメチル タクリレート、ポリカーボネート、ポリス レン、ポリエチレンサルファイド、ポリエ テルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチ ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレ ト、トリアセチルセルロース、ポリイミド どのプラスチック類)等の高分子材料などで 成された板状物、シート状物、フィルム状 等を用いることができる。透明基板の可視 透過率は、通常、90%以上、好ましくは95%以 である。

 前記前駆体液を透明基板上に塗布する際 塗布方法は、均一に塗布できる方法であれ 特に制限はなく、従来公知の方法を採用す ことができる。例えば、キャピラリコート 、スピンコート法、スリットダイコート法 スプレーコート法、ディップコート法、ロ ルコート法、スクリーン印刷法、フレキソ 刷法、バーコーター法等のウェットコーテ ング法を採用することができる。

 前記前駆体液を塗布するに際し、塗布量 、例えば、最終的に形成される膜の厚み(ド ライ膜厚)が10nm~300nmとなるようにすればよい 最終的に形成されたドライ膜厚が前記範囲 りも小さいと、基材に凹凸が存在する場合 どに部分的に塗布されにくい箇所や実際に 布されていない箇所が生じるおそれがあり 一方、前記範囲よりも大きいと、透明性が 下するおそれがある。なお、このような厚 に前駆体液を塗布するためには、塗布を1回 で行ってもよいし、複数回に分けて行っても よい。

 このようにして透明基板上に塗布された 駆体液からなる膜は、350℃以下の温度、好 しくは300℃以下、より好ましくは200℃以下 温度で乾燥させる。つまり、塗布後の前駆 液からなる膜を乾燥させて膜中の溶媒等を 去するにあたり、350℃以下の温度に保つ(換 言すれば、350℃を超えないように維持する) とが、本発明においては重要となる。これ より、膜中の溶媒等を除去し、膜としての 状を保持させながら、前駆体液(ペルオキシ 体)が金属酸化物(NbまたはTaドープ酸化チタ )に変化する過程において結晶化の進行を抑 制し、膜の結晶状態を完全なアモルファス相 となる手前の状態に留めておくことができる 。このような膜はエッチング液により容易に 溶解、除去することができるので、後述する エッチング処理によるパターニングが可能に なるのである。

 前記乾燥は、前記温度範囲内で行うもの あれば、特に制限されるものではなく、例 ば、自然乾燥(風乾)、真空乾燥、減圧乾燥 を採用することができる。

 本発明の製造方法においては、前述のよ にして乾燥した被膜に、エッチング処理を す。前記エッチング処理は、例えば、乾燥 せた前記被膜の上に所定のパターンを有す レジスト膜を形成し、該レジスト膜に覆わ ていない部分、すなわち該レジスト膜から 出した部分をエッチング液を用いて除去す ことにより行うことができる。このように てパターニングした後、レジスト膜は、適 な溶剤(例えばメチルセロソルブアセテート 等)を用いて剥離、除去すればよい。レジス 膜の形成や除去、エッチング液による露出 の除去を行う際の具体的な手法や条件につ ては、特に制限はなく、例えば、ITO膜など 来の透明導電性膜に適用されるウエットエ チング処理における手法や条件に準じて適 行えばよい。

 前記エッチング液としては、特に制限はな 、例えば、ITO膜など従来の透明導電性膜に 用されるエッチング液を用いることができ 。具体的には、無機酸としては、例えば、 酸、硝酸、ヨウ化水素酸や臭化水素酸、塩 等のハロゲン化水素酸、これらの混合物(例 えば王水など)、これらと各種塩(例えば、硫 アンモニウム、塩化第二鉄など)との混合物 等の(水)溶液が挙げられ、有機酸としては、 えば、シュウ酸、酢酸、ギ酸等が挙げられ 。それらのそれぞれは単独で用いてもよい 、別の1種以上と組合せて用いてもよい。
 前記エッチング液の濃度は、特に制限され ものではなく、エッチング液の液温等に応 て適宜設定すればよい。例えば、透明導電 膜の硬化レベルに応じて、エッチングの速 を自由に制御するように、エッチング液の 度を調整することができる。

 前記エッチング処理は、液温が10~150℃の ッチング液を用いて行うことが好ましい。 り好ましくは、前記エッチング処理に供す エッチング液の液温は20~100℃とするのがよ 。エッチング液の液温が10℃未満であると エッチングできなくなるおそれがあり、一 、150℃を超えると、エッチング液の濃度管 が困難となる恐れがある。

 本発明の製造方法においては、前述のよう してエッチング処理を施した基板に、必要 応じて、焼成(プリベーク)を施すことがで る。これにより、前駆体液(ペルオキシ錯体) は金属酸化物(NbまたはTaドープ酸化チタン)に 変化していく。このときの結晶状態は、通常 、アモルファス相となっているのが好ましい 。
 焼成の際の加熱温度は、例えば、500℃以下 好ましくは50~400℃とするのがよい。焼成時 加熱温度が高すぎると、安定した結晶相が 出し、アニール処理による導電性向上効果 発現が見られなくなるおそれがある。また 焼成時間は、加熱温度等に応じて適宜設定 ればよいのであるが、通常、1分~1時間程度 好ましくは3分~30分間程度である。焼成は、 通常、大気中で行われる。

 本発明の製造方法においては、前述した うなエッチング処理を施した後の基板に対 、アニール処理を施す。これにより、膜を 成する金属酸化物(NbまたはTaドープ酸化チ ン)はアモルファス相からアナターゼ相に結 転移するとともに、結晶相中に酸素欠損を じさせて導電性を向上させることができる しかも、通常、酸素欠損を導入すると抵抗 高いルチル結晶相に変化しやすい傾向とな が、上述したペルオキシ錯体を含む前駆体 を用いることにより、酸化チタンにドープ たニオブまたはタンタルが、酸素欠損を導 してもアナターゼ結晶相を安定化させる作 をなすため、得られる膜において高い導電 を発現しうる結晶状態が維持される。

 本発明においてアニール処理とは、エッ ング処理して得られる基板を、還元雰囲気 で、所定温度まで加熱後、所定時間その温 を維持させ、その後冷却する処理を意味す 。前記アニール処理の際の還元雰囲気とし は、例えば、窒素、一酸化炭素、アルゴン ラズマ、水素プラズマ、水素、真空、アン ニア、不活性ガス(アルゴン等)、あるいは れらの混合ガスの雰囲気など、一般的な還 雰囲気が挙げられる。強還元雰囲気である 素雰囲気(水素ガス100%雰囲気)を採用するの 好ましい。

 前記アニール処理における加熱温度は、 属酸化物(NbまたはTaドープ酸化チタン)の結 相が高い導電性を発現するアナターゼ型に 化しうる温度であればよく、ドーパントの 有比率などに応じて適宜設定すればよい。 ナターゼ結晶相に変化させるために必要な 度は、酸化チタンへのドープ量が多いほど くなるのであり、アニール処理の加熱温度 下限は、通常450℃以上、好ましくは500℃以 である。他方、加熱温度があまりに高いと アナターゼ結晶相が抵抗の高いルチル結晶 に変化し始めて導電性が低下するとともに 膜の透明性も低下する傾向があるので、ア ール処理の加熱温度の上限は、通常700℃以 、好ましくは600℃以下、より好ましくは550 以下の範囲で設定することが望ましい。た し、ルチル結晶相に変化し始めるときの温 は、ドーパントの含有比率によって異なる であり、ドーパントの含有比率が比較的高 場合には、アニール処理の際の加熱温度が る程度高くても、結晶相が変化して導電性 低下することはない。具体的には、上述し ようなペルオキシ錯体を含む前駆体液を用 る場合、ニオブまたはタンタルの含有比率 10モル%超である場合には、前記アニール処 の加熱温度が550℃超であっても、結晶相が チル型に変化することはなく、良好な導電 が得られる。また、アニール処理の加熱温 の設定には、上記に加えて、使用する透明 材の耐熱温度も考慮される。例えば、無ア カリガラスを透明基材として用いる場合に 、通常700℃以下、好ましくは600℃以下、よ 好ましくは550℃以下である。アニール処理 間(加熱時間)は、加熱温度等に応じて適宜 定すればよく、通常、1分~1時間程度、好ま くは3分~30分間程度である。

 以上のような本発明により得られる透明導 性基板の好ましい態様は、ニオブまたはタ タルがドープされた酸化チタンからなるパ ーン化された透明導電性膜が透明基板上に 成された透明導電性基板である。このよう 透明導電性膜は、アナターゼ型結晶相を有 、NbまたはTaドープ酸化チタンの多結晶体か らなる薄膜であり、良好な透明性を備えると 同時に、高い導電性を発現するものである。 具体的には、本発明により得られる好ましい 透明導電性基板の透過率は、可視光領域で、 通常70%以上、好ましくは75%以上、より好まし くは80%以上であり、赤外領域で、通常70%以上 、好ましくは75%以上、より好ましくは80%以上 である。また、本発明により得られる好まし い透明導電性基板の比抵抗は、通常9×10 -3 ω・cm以下、好ましくは8×10 -3 ω・cm以下である。なお、これらの透過率お び比抵抗は、例えば実施例で後述する方法 よって測定することができる。

 本発明の製造方法により得られた透明導 性基板は、例えば、タッチパネル、LED(発光 素子)、液晶表示装置、有機EL表示装置、フレ キシブル表示装置、プラズマ表示装置などの 表示装置やその他の情報処理機器の電極や配 線材料、太陽電池の電極、窓ガラスの熱線反 射膜、帯電防止膜等の用途に用いられる。特 に、本発明の製造方法により得られた透明導 電性基板は、用途に応じて所望のパターンが 形成された透明導電性膜を備えるので、例え ば液晶表示装置であれば、単純マトリックス 型液晶表示装置やTFTを用いたアクティブマト リックス型液晶表示装置のみでなく、MIM、ダ イオード、FET(バックトランジスタ)、バリス などを用いたアクティブマトリックス型液 表示装置のように、複雑にパターニングさ た透明導電性基板が要求される用途におい も広く利用することができる。さらに、本 明の製造方法により得られた透明導電性基 は、屈折率が高いという特長を活かして、 射防止機能を有した帯電防止板としても有 である。

 なお、上述した本発明の製造方法では、 駆体液は透明基板上に直接塗布しているが 例えば液晶表示装置のようなデバイス等の 明電極用途においては、透明基板の上に着 膜(カラーフィルター)等の中間膜を介在さ 、それらの上に直接前駆体液を塗布するよ にしてもよく、このように透明基板と透明 電性膜との間に中間膜を介在させた態様も 発明の範囲に包含される。

 以下、実施例により本発明をより詳細に 明するが、本発明は、かかる実施例により 定されるものではなく、本発明の範囲内で 意の変形をなし得ることは勿論である。

 なお、透明導電性基板の物性は以下の方法 測定した。
 <比抵抗> 比抵抗は、抵抗率計(三菱化 (株)製「LORESTA-GP,MCP-T610」)を用いて、四端子 探針法により測定した。詳しくは、サンプ に4本の針状の電極を直線上に置き、外側の 二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針 間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じ る電位差を測定し、抵抗を求めた。
 <透過率> 透過率は、紫外可視近赤外分 光光度計(日本分光(株)製「V-670」)を用いて、 190nm~2700nmの範囲で測定した。
 <結晶性> X線回折装置(理学電機(株)製 RINT2000」)を用いて、薄膜測定用のアタッチ ントを使用して結晶性を評価した。
 <結晶構造> エネルギー分散型X線マイ ロアナライザー(TEM-EDX)を用いてチタンへの オブのドープ状態を調べるとともに、電界 射型電子顕微鏡(FE-SEM)を用いて結晶構造を調 べた。
 なお、以下の実施例および比較例において チタンペルオキシ錯体とニオブペルオキシ 体とを混合して前駆体液を得るに際しては 特に断りのない限り脱水エタノールを用い 、所望の固形分濃度となるように調整した

 (実施例1)
 〔前駆体液の調製〕
 まず、アルゴンガス雰囲気中でチタンテト イソプロポキシド4.0gを脱水エタノール28.5g に溶解させ、得られた溶液に濃度30重量%の 酸化水素水8.0gを攪拌下で徐々に添加し、添 加終了後、5分間攪拌して、ペルオキシ化反 させた。なお、反応は、溶液を入れたフラ コの周囲をドライアイスで冷却しながら行 、過酸化水素水の添加によって発熱した際 溶液の内温が-10℃を超えないように制御し 。このようにして得られた反応生成物をチ ンペルオキシ錯体(a1)とした。
 他方、アルゴンガス雰囲気中でニオブペン エトキシド1.5gを脱水エタノール19.2g中に溶 させ、得られた溶液に濃度30重量%の過酸化 素水1.6gを攪拌下で徐々に添加し、添加終了 後、5分間攪拌して、ペルオキシ化反応させ 。なお、反応は、上記と同様に、溶液を入 たフラスコの周囲をドライアイスで冷却し がら行い、過酸化水素水の添加によって発 した際に溶液の内温が-10℃を超えないよう 制御した。このようにして得られた反応生 物をニオブペルオキシ錯体(b1)とした。
 次に、上記チタンペルオキシ錯体(a1)と、上 記ニオブペルオキシ錯体(b1)とを、チタン:ニ ブ=93:7(モル比)となるような割合で混合し、 固形分濃度7重量%の前駆体液とした。

 〔膜形成およびエッチング処理〕
 得られた前駆体液を、透明基板(無アルカリ ガラス「コーニング社製1737」、厚さ0.7mm)上 、ドライ膜厚35.7nmとなるようにキャピラリ ーターで一回塗布した後、常温で放置する とにより風乾させて、前駆体液からなる被 を形成した。
 次に、この被膜上に、フォトリソグラフィ により所定のパターンを有するレジスト膜 形成した。具体的には、前記被膜上にポジ フォトレジスト(東京応化工業(株)製「OFPR-80 0」)を塗布した後80℃で5分間加熱して膜厚1.1 mのレジスト膜を形成し、次いで、紫外線露 機(キャノン社製「PLA-501F」)を用いてクロム 製のフォトマスクを介して紫外線(波長365nmに おいて強度50mJ/cm 2 )を照射して露光させた後、現像液(テトラメ ルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38重 量%水溶液)に浸漬してフォトレジストの現像 行うことで、レジストパターンを形成した そして、この所定パターンのレジスト膜を スクとして、ウエットエッチング法により ッチング処理を行った。具体的には、エッ ング液として硫酸と硫酸アンモニウムとの 合溶液(液温:50℃)を用い、この中に基材(前 被膜および所定パターンのレジスト膜を設 た基材)を浸漬することにより選択的にエッ チングした後、不要となったレジスト層をメ チルセロソルブアセテートを用いて剥離させ た。

 〔アニール処理〕
 このようにしてエッチング処理された前記 膜に対して、400℃で10分間焼成(プリベーク) を施した後、水素100%の還元雰囲気下にて500 で60分間アニール処理を施すことにより、所 定パターンの透明導電性膜を備えた基板(透 導電性基板)を得た。
 得られた透明導電性基板の比抵抗は5.2×10 -3 ω・cmであり、透過率は、可視領域で約80%、 外領域で約80%であった。この基板における 明導電性膜の結晶相をX線回折により調べた ころ、アナターゼ型であった。また、その 晶構造をTEM-EDXおよびFE-SEMにより観察したと ころ、Nbがドープされた酸化チタンの多結晶 であった。

 (実施例2)
 〔前駆体液の調製〕
 まず、アルゴンガス雰囲気中でチタンテト イソプロポキシド3.0gに蒸留水20.0gを加えて 拌し、生じた沈殿(水酸化チタン)を母液か 分取した。この沈殿1.2gをエタノール2.0g中に 溶解させ、得られた溶液に濃度30重量%の過酸 化水素水17gを攪拌下で徐々に添加し、添加終 了後、10分間攪拌して、ペルオキシ化反応さ た。なお、反応は、溶液を入れたフラスコ 周囲をドライアイスで冷却しながら行い、 酸化水素水の添加によって発熱した際に溶 の内温が-10℃を超えないように制御した。 のようにして得られた反応生成物をチタン ルオキシ錯体(a2)とした。
 他方、アルゴンガス雰囲気中でニオブペン エトキシド5.0gに蒸留水40.0gを加えて攪拌し 生じた沈殿(水酸化ニオブ)を母液から分取 た。この沈殿2.8gをエタノール2.0g中に溶解さ せ、得られた溶液に濃度30重量%の過酸化水素 水20gを攪拌下で徐々に添加し、添加終了後、 10分間攪拌して、ペルオキシ化反応させた。 お、反応は、上記と同様に、溶液を入れた ラスコの周囲をドライアイスで冷却しなが 行い、過酸化水素水の添加によって発熱し 際に溶液の内温が-10℃を超えないように制 した。このようにして得られた反応生成物 ニオブペルオキシ錯体(b2)とした。
 次に、上記チタンペルオキシ錯体(a2)と、上 記ニオブペルオキシ錯体(b2)とを、チタン:ニ ブ=94:6(モル比)となるような割合で混合し、 固形分濃度6.5重量%の前駆体液とした。

 〔膜形成およびエッチング処理〕
 得られた前駆体液を、実施例1と同じ透明基 板上に、ドライ膜厚26.0nmとなるようにスピン コーターで1回塗布した後、50℃で10分間乾燥 て、前駆体液からなる被膜を形成した。
 次に、この被膜上に、実施例1と同様にして 、所定のパターンを有するレジスト膜を形成 した。そして、エッチング液として塩酸と硝 酸との混合溶液(液温:100℃)を用いたこと以外 は、実施例1と同様にして、エッチング処理 行った。

 〔アニール処理〕
 このようにしてエッチング処理された前記 膜に対して、水素100%の還元雰囲気下にて500 ℃で60分間アニール処理を施すことにより、 定パターンの透明導電性膜を備えた基板(透 明導電性基板)を得た。
 得られた透明導電性基板の比抵抗は7.3×10 -3 ω・cmであり、透過率は、可視領域で約80%、 外領域で約80%であった。この基板における 明導電性膜の結晶相をX線回折により調べた ころ、アナターゼ型であった。また、その 晶構造をTEM-EDXおよびFE-SEMにより観察したと ころ、Nbがドープされた酸化チタンの多結晶 であった。

 (実施例3)
 〔前駆体液の調製〕
 実施例2で得られたチタンペルオキシ錯体(a2 )と、ニオブペルオキシ錯体(b2)とを、チタン: ニオブ=92:8(モル比)となるような割合で混合 、固形分濃度6.5重量%の前駆体液とした。

 〔膜形成およびエッチング処理〕
 得られた前駆体液を、実施例1と同じ透明基 板上に、ドライ膜厚55.0nmとなるようにスピン コーターで1回塗布した後、常温で放置する とにより風乾させて、前駆体液からなる被 を形成した。
 次に、この被膜上に、実施例1と同様にして 、所定のパターンを有するレジスト膜を形成 した。そして、エッチング液として硫酸(液 :50℃)を用いたこと以外は、実施例1と同様に して、エッチング処理を行った。

 〔アニール処理〕
 このようにしてエッチング処理された前記 膜に対して、80℃で10分間焼成(プリベーク) 施した後、水素100%の還元雰囲気下にて500℃ で60分間アニール処理を施すことにより、所 パターンの透明導電性膜を備えた基板(透明 導電性基板)を得た。
 得られた透明導電性基板の比抵抗は6.5×10 -3 ω・cmであり、透過率は、可視領域で約80%、 外領域で約80%であった。この基板における 明導電性膜の結晶相をX線回折により調べた ころ、アナターゼ型であった。また、その 晶構造をTEM-EDXおよびFE-SEMにより観察したと ころ、Nbがドープされた酸化チタンの多結晶 であった。

 (実施例4)
 〔前駆体液の調製〕
 実施例1で得られたチタンペルオキシ錯体(a1 )と、ニオブペルオキシ錯体(b1)とを、チタン: ニオブ=92:8(モル比)となるような割合で混合 、固形分濃度9.16重量%の前駆体液とした。

 〔膜形成およびエッチング処理〕
 得られた前駆体液を、実施例1と同じ透明基 板上に、ドライ膜厚71.0nmとなるようにスピン コーターで1回塗布した後、50℃で10分間乾燥 て、前駆体液からなる被膜を形成した。
 次に、この被膜上に、実施例1と同様にして 、所定のパターンを有するレジスト膜を形成 した。そして、実施例1と同様にして、エッ ング処理を行った。

 〔アニール処理〕
 このようにしてエッチング処理された前記 膜に対して、水素100%の還元雰囲気下にて500 ℃で60分間アニール処理を施すことにより、 定パターンの透明導電性膜を備えた基板(透 明導電性基板)を得た。
 得られた透明導電性基板の比抵抗は5.6×10 -3 ω・cmであり、透過率は、可視領域で約80%、 外領域で約80%であった。この基板における 明導電性膜の結晶相をX線回折により調べた ころ、アナターゼ型であった。また、その 晶構造をTEM-EDXおよびFE-SEMにより観察したと ころ、Nbがドープされた酸化チタンの多結晶 であった。

 (実施例5)
 〔前駆体液の調製〕
 実施例1で得られたチタンペルオキシ錯体(a1 )と、ニオブペルオキシ錯体(b1)とを、チタン: ニオブ=93:7(モル比)となるような割合で混合 、固形分濃度7重量%の前駆体液とした。

 〔膜形成およびエッチング処理〕
 得られた前駆体液を、実施例1と同じ透明基 板上に、ドライ膜厚35.7nmとなるようにキャピ ラリコーターで1回塗布した後、300℃で10分間 乾燥して、前駆体液からなる被膜を形成した 。
 次に、この被膜上に、実施例1と同様にして 、所定のパターンを有するレジスト膜を形成 した。そして、エッチング液として硫酸と硫 酸アンモニウムとの混合溶液(液温:150℃)を用 いたこと以外は、実施例1と同様にして、エ チング処理を行った。

 〔アニール処理〕
 このようにしてエッチング処理された前記 膜に対して、水素100%の還元雰囲気下にて500 ℃で60分間アニール処理を施すことにより、 定パターンの透明導電性膜を備えた基板(透 明導電性基板)を得た。
 得られた透明導電性基板の比抵抗は8.3×10 -3 ω・cmであり、透過率は、可視領域で約80%、 外領域で約80%であった。この基板における 明導電性膜の結晶相をX線回折により調べた ころ、アナターゼ型であった。また、その 晶構造をTEM-EDXおよびFE-SEMにより観察したと ころ、Nbがドープされた酸化チタンの多結晶 であった。

 (比較例1)
 実施例1においてエッチング処理をアニール 処理の後に行うよう変更したこと以外、実施 例1と同様の操作を行なった。
 具体的には、実施例1と同様にして調製した 前駆体液を、実施例1と同様にして透明基板 に塗布した後、実施例1と同様の条件(焼成温 度は400℃)で焼成(プリベーク)およびアニール 処理を施すことにより、全面に透明導電性膜 を備えた基板(透明導電性基板)を得た。この 明導電性基板の比抵抗、透過率および結晶 は、実施例1と同じであった。
 次に、得られたアニール処理後の透明導電 膜に所定のパターンを形成するべく、この の上に、実施例1と同様にして所定パターン のレジスト膜を形成した。そして、エッチン グ液の液温を50℃から150℃に上げたこと以外 、実施例1と同様にして、エッチング処理を 行った。しかし、エッチング液の液温が実施 例1よりも高いにも関わらず、当該エッチン 液ではアニール処理後の膜を溶解させるこ ができず、この膜にパターンを形成するこ はできなかった。

 (比較例2)
 比較例1においてアニール処理を行なわなか った(すなわち、塗布後、焼成(プリベーク)の みを施した)こと以外、比較例1と同様の操作 行なった。
 具体的には、実施例1と同様にして調製した 前駆体液を、実施例1と同様にして透明基板 に塗布した後、実施例1と同様の条件(焼成温 度は400℃)で焼成(プリベーク)のみを施すこと により、全面に透明導電性膜を備えた基板( 明導電性基板)を得た。
 次に、得られた透明導電性膜に所定のパタ ンを形成するべく、この膜の上に、実施例1 と同様にして所定パターンのレジスト膜を形 成した。そして、比較例1と同様にして、エ チング処理を行った。しかし、この場合、 ッチング処理の前にアニール処理は施され いないものの、400℃で焼成されているので やはり、形成された膜を溶解させることが きず、パターンを形成することはできなか た。

 (比較例3)
 実施例3においてエッチング処理をアニール 処理の後に行うよう変更したこと以外、実施 例3と同様の操作を行なった。
 具体的には、実施例3と同様にして調製した 前駆体液を、実施例3と同様にして透明基板 に塗布した後、実施例3と同様の条件で焼成( プリベーク)およびアニール処理を施すこと より、全面に透明導電性膜を備えた基板(透 導電性基板)を得た。この透明導電性基板の 比抵抗、透過率および結晶相は、実施例3と じであった。
 次に、得られたアニール処理後の透明導電 膜に所定のパターンを形成するべく、この の上に、実施例3と同様にして所定パターン のレジスト膜を形成した。そして、用いるエ ッチング液を硫酸(液温:50℃)から硫酸と硫酸 ンモニウムとの混合溶液(液温:100℃)に変更 たこと以外は、実施例3と同様にして、エッ チング処理を行った。しかし、エッチング液 の液温が実施例3よりも高いにも関わらず、 該エッチング液ではアニール処理後の膜を 解させることができず、この膜にパターン 形成することはできなかった。

 以上、本発明にかかる透明導電性基板の 造方法について詳しく説明したが、本発明 範囲はこれらの説明に拘束されることはな 、本発明の趣旨を損なわない範囲で適宜変 または改善しうるものである。




 
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