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Title:
METHOD FOR PRODUCING VELVET BY COMBINING LASER AND ACID ETCHING
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2012/012979
Kind Code:
A1
Abstract:
A method for producing velvet by combining laser and acid etching is provided. The method includes the following steps: forming mask on the surface of a silicon slice; forming uniform holes on the silicon slice by laser, wherein the interval of holes is 5-10 microns, and the hole diameter is 3-5 microns; etching the silicon slice by means of the mixed solution of HF and HN03, to form homogeneous velvet surface on the silicon slice. The method can be adapted for single crystal or poly crystal silicon slice, and can cover the shortage of high reflectivity of velvet made from acid etching poly crystal. The velvet surface produced by using the method has the advantages of good uniformity, enhancing light absorption effect and low velvet surface reflectivity.

Inventors:
SHENG, Jian (No. 2 Trina Road, Trina PV park Xinbei Distric, Changzhou Jiangsu 1, 213031, CN)
Application Number:
CN2010/078389
Publication Date:
February 02, 2012
Filing Date:
November 03, 2010
Export Citation:
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Assignee:
CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY CO., LTD. (No. 2 Trina Road, Trina PV park Xinbei Distric, Changzhou Jiangsu 1, 213031, CN)
常州天合光能有限公司 (中国江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号, Jiangsu 1, 213031, CN)
International Classes:
H01L31/18
Attorney, Agent or Firm:
CHINA CHANGZHOU VEI PATENT OFFICE (6th Floor, Building CAdministration Center, Yanzheng Rd., Wujin Distric, Changzhou Jiangsu 9, 213159, CN)
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Claims:
权 利 要 求 书

1、 一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺, 其特征在于: 其工艺步骤如 下: 首先在硅片表面形成掩膜, 然后利用激光在硅片表面均匀开孔, 孔间 隔 5〜10微米, 孔径 3〜5微米, 孔打好后硅片放置在 HF和 HN03的混合溶 液中进行刻蚀, 利用掩膜与酸反应的时间差在小孔处钻蚀, 硅片表面形成 均匀的绒面。

Description:
说 明 书 一种激光与酸刻蚀结合的制绒方法 技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能电池生产工艺, 尤其是一种激光与酸刻蚀结合的 制绒工艺。 背景技术

现有晶体硅太阳能电池制绒工艺有单晶碱制绒 工艺、 单晶多晶酸制绒工艺、 光刻制绒工艺以及纯激光刻蚀制绒工艺。 单晶碱制绒工艺是指用碱液对单晶表 面进行选择性腐蚀, 制成表面金字塔减反结构。 单晶多晶的酸制绒工艺是指用 酸液对单晶多晶的表面按其切割缺陷进行各晶 向同性腐蚀。 光刻制绒工艺是指 用光刻胶加掩膜版对硅片表面进行选择性掩膜 , 然后用酸在去除掩膜区进行刻 蚀制绒。 纯激光刻蚀制绒工艺是直接用激光对硅片表面 进行刻蚀制绒。 其它还 有些如反应离子刻蚀等, 主要目的就是在硅片表面制造减反射结构。

但这些现有的工艺都存在一定的局限性, 如绒面效果较好的碱制绒工艺一 般只适合于单晶。 而多晶现阶段产业化工艺一般为酸制绒工艺, 其减反射的效 果比较差。 光刻制绒工艺的效果较好, 但其工艺复杂, 成本较高。 纯激光制绒 工艺其制绒后损伤层较为严重, 对电池性能影响较大。 发明内容

本发明要解决的技术问题是: 克服现有技术的不足, 提供一种激光与 酸刻蚀结合的制绒工艺, 适用于单晶或多晶的制绒, 制绒后的绒面均匀性 较好, 绒面反射率较低。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是: 一种激光与酸刻蚀结合 的制绒工艺, 其工艺步骤如下: 首先在硅片表面形成掩膜, 然后利用激光 在硅片表面均匀开孔, 孔间隔 5〜10微米, 孔径 3〜5微米, 孔打好后硅 片放置在 HF和 HN0 3 的混合溶液中进行刻蚀, 利用掩膜与酸反应的时间差 在小孔处钻蚀, 硅片表面形成均匀的绒面。

本发明的有益效果是: 本发明将激光与酸刻蚀结合, 利用掩膜与酸反 应的时间差, 在小孔处钻蚀, 硅片表面形成均匀的绒面。 本发明的制绒工 艺对单晶或多晶硅片都适合, 可以弥补多晶酸制绒反射率高的缺陷。 而且 利用本发明的工艺完成的绒面, 因为均匀性好, 故光吸收效果较传统工艺 有明显提升, 绒面反射率较低。 具体实施方式

一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺, 其工艺步骤如下: (1 )硅片表面 损伤层去除; (2 ) 表面掩膜制备: 在硅片表面形成掩膜; (3 ) 利用激光在 硅片表面均匀开孔, 孔间隔 5〜10微米, 孔径 3〜5微米; (4 ) 孔打好后 硅片放置在 HF和 HN0 3 的混合溶液中进行刻蚀,硅片表面形成均 匀的绒面; ( 5 ) 清洗。

本发明将激光与酸刻蚀结合, 利用掩膜与酸反应的时间差, 在小孔处 钻蚀, 硅片表面形成均匀的绒面。 本发明的制绒工艺对单晶或多晶硅片都 适合, 可以弥补多晶酸制绒反射率高的缺陷。 而且利用本发明的工艺完成 的绒面, 因为均匀性好, 故光吸收效果较传统工艺有明显提升, 绒面反射 率较低。