常州天合光能有限公司 (中国江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号, Jiangsu 1, 213031, CN)
| 权 利 要 求 书 1、 一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺, 其特征在于: 其工艺步骤如 下: 首先在硅片表面形成掩膜, 然后利用激光在硅片表面均匀开孔, 孔间 隔 5〜10微米, 孔径 3〜5微米, 孔打好后硅片放置在 HF和 HN03的混合溶 液中进行刻蚀, 利用掩膜与酸反应的时间差在小孔处钻蚀, 硅片表面形成 均匀的绒面。 |
本发明涉及晶体硅太阳能电池生产工艺, 尤其是一种激光与酸刻蚀结合的 制绒工艺。 背景技术
现有晶体硅太阳能电池制绒工艺有单晶碱制绒 工艺、 单晶多晶酸制绒工艺、 光刻制绒工艺以及纯激光刻蚀制绒工艺。 单晶碱制绒工艺是指用碱液对单晶表 面进行选择性腐蚀, 制成表面金字塔减反结构。 单晶多晶的酸制绒工艺是指用 酸液对单晶多晶的表面按其切割缺陷进行各晶 向同性腐蚀。 光刻制绒工艺是指 用光刻胶加掩膜版对硅片表面进行选择性掩膜 , 然后用酸在去除掩膜区进行刻 蚀制绒。 纯激光刻蚀制绒工艺是直接用激光对硅片表面 进行刻蚀制绒。 其它还 有些如反应离子刻蚀等, 主要目的就是在硅片表面制造减反射结构。
但这些现有的工艺都存在一定的局限性, 如绒面效果较好的碱制绒工艺一 般只适合于单晶。 而多晶现阶段产业化工艺一般为酸制绒工艺, 其减反射的效 果比较差。 光刻制绒工艺的效果较好, 但其工艺复杂, 成本较高。 纯激光制绒 工艺其制绒后损伤层较为严重, 对电池性能影响较大。 发明内容
本发明要解决的技术问题是: 克服现有技术的不足, 提供一种激光与 酸刻蚀结合的制绒工艺, 适用于单晶或多晶的制绒, 制绒后的绒面均匀性 较好, 绒面反射率较低。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是: 一种激光与酸刻蚀结合 的制绒工艺, 其工艺步骤如下: 首先在硅片表面形成掩膜, 然后利用激光 在硅片表面均匀开孔, 孔间隔 5〜10微米, 孔径 3〜5微米, 孔打好后硅 片放置在 HF和 HN0 3 的混合溶液中进行刻蚀, 利用掩膜与酸反应的时间差 在小孔处钻蚀, 硅片表面形成均匀的绒面。
本发明的有益效果是: 本发明将激光与酸刻蚀结合, 利用掩膜与酸反 应的时间差, 在小孔处钻蚀, 硅片表面形成均匀的绒面。 本发明的制绒工 艺对单晶或多晶硅片都适合, 可以弥补多晶酸制绒反射率高的缺陷。 而且 利用本发明的工艺完成的绒面, 因为均匀性好, 故光吸收效果较传统工艺 有明显提升, 绒面反射率较低。 具体实施方式
一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺, 其工艺步骤如下: (1 )硅片表面 损伤层去除; (2 ) 表面掩膜制备: 在硅片表面形成掩膜; (3 ) 利用激光在 硅片表面均匀开孔, 孔间隔 5〜10微米, 孔径 3〜5微米; (4 ) 孔打好后 硅片放置在 HF和 HN0 3 的混合溶液中进行刻蚀,硅片表面形成均 匀的绒面; ( 5 ) 清洗。
本发明将激光与酸刻蚀结合, 利用掩膜与酸反应的时间差, 在小孔处 钻蚀, 硅片表面形成均匀的绒面。 本发明的制绒工艺对单晶或多晶硅片都 适合, 可以弥补多晶酸制绒反射率高的缺陷。 而且利用本发明的工艺完成 的绒面, 因为均匀性好, 故光吸收效果较传统工艺有明显提升, 绒面反射 率较低。
Next Patent: BACKLIGHT MODULE AND DISPLAY DEVICE
