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Title:
METHOD FOR STRUCTURING A MULTI-LAYER FILM
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2010/112504
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a method for structuring a film (12) which is present on a substrate (11). The top layer (13) consists of a noble metal such as Au and is structured in the first process step by means of a laser beam (17), thereby producing an opening (18) so that the top layer (13) can be used as an etching mask. In a further step, the other layers (14, 15, 16) can be structured by etching. The top layer (13) remains on top of the lower layers (14, 15, 16) of the finished component and has a special function (e.g. as a bonding surface). The method according to the invention is advantageous in that it eliminates the need for the separate production of an etching mask, which mask would have to be removed once the component is finished.

Inventors:
GERHARD DETLEF (DE)
Application Number:
PCT/EP2010/054195
Publication Date:
October 07, 2010
Filing Date:
March 30, 2010
Export Citation:
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Assignee:
SIEMENS AG (DE)
GERHARD DETLEF (DE)
International Classes:
H05K3/06
Foreign References:
DE2518279A11976-11-04
GB2207395A1989-02-01
US4543153A1985-09-24
EP0645953A11995-03-29
JP2006100810A2006-04-13
Attorney, Agent or Firm:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Verfahren zur Strukturierung einer auf einem Substrat (11) befindlichen Schicht mit mehreren Lagen, • bei dem die oberste Lage (13) unter Anwendung eines Laserstrahls (17) derart prozessiert wird, dass eine Ätzmaske für die darunterliegende Lage (14) entsteht und • bei dem mindestens die darunterliegende Lage (14) unter

Anwendung eines Ätzmediums strukturiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass als oberste Lage (13) ein Edelmetall oder eine Edelmetalllegierung verwendet wird und für die untere Lage (14) oder die unteren Lagen (14, 15, 16) kein Edelmetall und keine Edelmetalllegierung verwendet wird, wobei die oberste Lage (13) an den Bereichen der zu erzeugenden Ätzöffnungen (18) der Ätzmaske durch den Laserstrahl entfernt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als oberste Lage (13) Au oder eine Au-Legierung verwendet wird.

3. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat (11) ein Keramikbauteil insbesondere aus AlN zum Einsatz kommt.

4. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine der unteren Lagen (14, 15, 16) aus Cu oder einer Cu-Legierung besteht.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die an die oberste Lage (13) angrenzende untere Lage (14) und/oder die an das Substrat angrenzende untere Lage (16) aus Ni oder einer Ni-Legierung besteht.

6. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die oberste Lage (13) über Kanten (27) des Substrates (11) hinweg prozessiert wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite des Substrates (11) in mehreren Stufen (21) ausgeführt ist.

8. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest die oberste (13) Lage auf die gesamte Oberfläche des das Substrat (11) bildenden Bauteiles aufgebracht wird.

9. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der obersten Schicht (13) Felder (22) ausgebildet werden, auf denen mindestens ein elektrisches Bauelement (23) und/oder mindestens ein Bonddraht (26) gebondet wird.

Description:
Verfahren zur Strukturierung einer auf einem Substrat befindlichen Schicht mit mehreren Lagen

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung einer auf einem Substrat befindlichen Schicht mit mehreren Lagen. Hierbei wird zunächst die oberste Lage unter Anwendung eines Laserstrahls derart prozessiert, dass eine Ätzmaske für die darunter liegende Lage entsteht. In einem nächsten Schritt wird mindestens eine darunter liegende Lage unter Anwendung eines Ätzmediums strukturiert.

Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist beispielsweise in dem Abstract zur japanischen Patentanmeldung 2006-100810 Al bekannt. Danach wird dieses Verfahren zur Strukturierung eines Halbleiterbauteils verwendet. Unter Umgehung der üblichen fotolithographischen Prozesse, mit deren Hilfe Ätzmasken aus Fotolack auf der Oberfläche des zu strukturierenden Bau- teils aufgebracht werden, wird gemäß dem genannten Abstract die oberste Lage des beschichteten, zu strukturierenden Bauteils unter Anwendung des Laser in ein Metalloxid verwandelt, welches einem nachfolgend angewendeten Ätzmedium einen größeren Widerstand entgegensetzt, als die nicht oxidierten Schichtanteile. Durch Anwendung eines Ätzmediums wird daher die nicht oxidierte oberste Lage sowie die darunter befindliche Lage abgetragen, wodurch das Bauteil strukturiert wird. Dabei bilden die oxidierten Anteile der obersten Lage im fertig gestellten Bauteil die Oberfläche in den nicht abgetrage- nen Bereichen des Bauteils.

Die Aufgabe der Erfindung liegt darin, ein Verfahren der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, dass das er- zeugte Bauteil vergleichsweise gut für einen nachfolgenden Montageprozess vorbereitet ist.

Diese Aufgabe wird mit dem eingangs genannten Verfahren er- findungsgemäß dadurch gelöst, dass als oberste Lage ein Edelmetall oder eine Edelmetalllegierung verwendet wird und für die untere Lage oder die unteren Lagen kein Edelmetall und keine Edelmetalllegierung verwendet wird, wobei die oberste Lage an den Bereichen der zu erzeugenden Ätzöffnungen der Ätzmaske durch den Laserstrahl entfernt wird. Erfindungsgemäß wird daher das Laserlicht nicht verwendet, um die oberste Lage in ein beständiges Material zu verwandeln, sondern die Laserbehandlung erfolgt mit dem Ziel eines Materialabtrags der obersten Lage unter Ausbildung der gewünschten Ätzöffnun- gen. Hierbei muss der Energiegehalt des Lasers ausreichend für diese Aufgabe sein. Die nach dem Stand der Technik zum Einsatz kommenden Laser zur Überführung des Materials der obersten Lage in ein beständiges Material (Oxidieren der Schicht bzw. Entwickeln einer fotolithographischen Lage) sind daher für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht genügend leistungsfähig.

Für die Anwendbarkeit des Verfahrens ist es weiterhin von vorrangiger Bedeutung, dass die oberste Lage so edel ist, dass ein Abtrag des Materials, welches die Ätzmaske bildet, durch das Ätzmedium nicht oder nur sehr langsam abgetragen wird. Die zu strukturierenden Lagen unterhalb der obersten Lage müssen jedoch im Vergleich hierzu so viel unedler sein, dass diese durch das Ätzmedium in vertretbarer Zeit entfernt werden können.

Das erfindungsgemäße Ätzverfahren kann besonders vorteilhaft bei beschichteten Bauteilen angewendet werden, die zumindest an Teilen ihrer Oberfläche eine Decklage aus einem Edelmetall benötigen. Bei diesen Bauteilen kann vorteilhaft die Prozessierung einer eigenen Ätzmaske entfallen, weil die oberste Lage aus dem Edelmetall neben der für das Bauteil vorgesehenen Funktion auch die Funktion einer Ätzmaske während des Ätzprozesses übernehmen kann. Dadurch kann auch die Nachbehandlung vorteilhaft entfallen, die notwendig ist, wenn eine Ätzmaske aufgetragen wird, die anschließend wieder entfernt werden muss .

Unter Edelmetallen sollen im Zusammenhang mit dieser Erfindung Au, Ag und die Platinoiden (Ru, Rh, Pd, Os, Ir und Pt) verstanden werden. Besonders vorteilhaft ist es jedoch, wenn für die oberste Lage Au oder eine Au-Legierung verwendet wird. Au eignet sich insbesondere als Substrat, wenn in wei- teren Verfahrensschritten der Herstellung des Bauteils elektrische Bauelemente oder Bonddrähte gebondet werden sollen. Durch die Strukturierung des Bauteils ist es möglich, dass die oberste Schicht in Form von Feldern ausgebildet wird, auf denen diese elektrischen Bauteile und auch die Bonddrähte gebondet werden können. Für den Fall, dass eine elektrische Isolation notwendig ist, und das Substrat aus einem elektrischen Isolator besteht, können die Gräben, die in die Lagen der Schicht geätzt werden, bis auf das Substrat herabreichen. Vorteilhaft ist es, wenn als Substrat ein Kera- mikbauteil, insbesondere aus AlN, Verwendung findet. Dieses weist elektrisch isolierende Eigenschaften auf, so dass eine elektrische Isolation zwischen benachbarten Schichtbereichen ermöglicht wird. Außerdem können vorteilhaft auf das Substrat auch elektrische Bauelemente montiert werden, deren Betrieb eine große Wärmeentwicklung mit sich bringt, da die Wärme durch AlN gut abgeleitet werden kann.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass eine der unteren Lagen aus Cu oder einer Cu-Legierung besteht. Die Wahl dieses Metalls ist besonders vorteilhaft, wenn aus der Schicht einzelne elektrische Leiter prozessiert werden sollen. Einerseits lässt sich Cu vergleichsweise gut mittels einer Ätzbehandlung struktu- rieren. Zum anderen ist Cu ein guter elektrischer Leiter, so dass die erforderlichen Querschnitte der erzeugten Leiterbahnen vergleichsweise gering ausfallen können. Natürlich können auch andere elektrisch gut leitfähige Metalle wie Al verwendet werden.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die an die oberste Lage angrenzende untere Lage aus Ni oder einer Ni-Legierung besteht. Diese Lage verhindert vorteilhaft ein Ablegieren der obersten Lage aus Edelmetall. Insbesondere wenn Au als oberste Lage und Cu als eine der unteren Lagen verwendet wird, kann Ni als Diffusions-Sperrschicht für Au und Cu dienen, da ansonsten an einer direkten Grenzfläche zwischen Au und Cu aufgrund von Diffusionsprozessen eine schnelle Legierung erfolgen würde. Dies würde jedoch die Eigenschaften der obersten Lage hinsichtlich ihrer Korrosionsbeständigkeit gegenüber dem Ätzmittel negativ beeinflussen, weswegen dies verhindert werden muss.

Es ist auch vorteilhaft, wenn die an das Substrat angrenzende untere Lage aus Ni oder einer Ni-Legierung besteht. Hier übernimmt diese Lage die Funktion einer Haftvermittlerlage, weil diese auf insbesondere keramischen Bauteilen eine gute Haftung erzeugt und für andere Metalle einen geeigneten Untergrund bildet.

Vorteilhaft ist es auch möglich, dass die oberste Lage über Kanten des Substrates hinwegprozessiert wird. Hierin ist ein großer Vorteil der Prozessierung der obersten Lage mittels des Lasers zu sehen. Vor der Prozessierung mit dem Laser kann das Substrat beispielsweise galvanisch zuverlässig über Kanten hinweg mit einer Schicht aus mehreren Lagen versehen werden. Mittels des Lasers können Öffnungen in der obersten Lage, die als Ätzöffnungen dienen sollen, auch über die Kan- ten hinweg ausgebildet werden. Hierbei ist der Laser in geeigneter Weise zu führen, wobei die zulässigen Auftreffwinkel des Laserstrahls auf die oberste Lage berücksichtigt werden müssen .

Insbesondere kann die Oberseite des Substrates in mehreren Stufen ausgeführt sein. Das Substrat stellt dann, wenn es beispielsweise als Schaltungsträger verwendet werden soll, mehrere Ebenen für die Montage von elektrischen Bautelementen zur Verfügung.

Außerdem ist es vorteilhaft, wenn zumindest die oberste Lage bevorzugt auch alle Lagen der Schicht auf die gesamte Oberfläche des das Substrat bildenden Bauteils aufgebracht werden. Dies hat mehrere Vorteile. Grundsätzlich ist damit eine Strukturierung des Substrates an allen Seiten, also der gesamten Oberfläche möglich und nicht nur auf seiner Vorderseite. Außerdem hat eine Beschichtung der gesamten Oberfläche auch prozesstechnische Vorteile, wenn die Schicht beispielsweise galvanisch erzeugt wird. Zuletzt bildet die oberste Lage aus Edelmetall aufgrund seiner innerten Eigenschaften auch einen guten Schutz für das Substrat.

Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend anhand schematischer Ausführungsbeispiele beschrieben. Gleiche oder sich entsprechende Zeichnungselemente sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nur insoweit mehrfach erläutert, wie sich Unterschiede zwischen den einzelnen Figuren ergeben. Es zeigen Figur 1 und 2 verschiedene Verfahrensschritte eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens, wobei das zu strukturierende Bauteil als Ausschnitt geschnitten dargestellt ist und

Figur 3 ein Bauteil im Schnitt, welches nach einem

Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellt wurde.

In Figur 1 ist ein Substrat 11 mit einer Schicht 12 dargestellt, welche mehrere Lagen aufweist. Die oberste Lage 13 besteht aus Au. Dieser obersten Lage 13 folgen mehrere untere Lagen 14, 15, 16. Die Lagen 14 und 16 bestehen aus Ni und die Lage 15 aus Cu. In Figur 1 ist ein Verfahrensabschnitt darge- stellt, bei dem mittels eines Laserstrahls 17 die oberste Lage 13 abgetragen wird. Auf diese Weise entstehen in der obersten Lage 13 Ätzöffnungen 18, in denen das Material der obersten Lage 13 durch den Laserstrahl 17 verdampft wurde. Insofern kann die oberste Lage für einen nachfolgenden Ätz- schritt als Maske dienen.

Die Ätzbehandlung erfolgt beispielsweise mittels der Ätzmedien

• Ammoniumoxydisulfat oder Eisen-III-Chlorid (die typischer- weise für Cu verwendet werden) und

• konzentrierte Säuren wie HF, HNO3 oder HPO3 (als Ätzmittel für Ni bekannt sind) .

Zu erkennen ist in Figur 2 eine Ätzgrube 19 unterhalb der Ätzöffnung 18 in der obersten Lage, wobei die Ätzgrube 19 einen Nutgrund 20 aufweist, welcher durch das Substrat 11 gebildet wird. Das Substrat gemäß Figur 3 bildet einen Schaltungsträger aus Keramik (AlN) , welcher im Schnitt dargestellt ist und von allen Seiten mit der Beschichtung 12 versehen ist. Die Be- schichtung 12 ist entsprechend Figur 1 aufgebaut, wobei die einzelnen Lagen nicht explizit dargestellt sind. In dem Substrat ist eine Stufe 21 vorgesehen, wobei hierdurch eine Art Podest entsteht, auf dem die Beschichtung ein Feld 22 für ein elektrisches Bauelement 23 bildet. Das Feld ist durch eine Leiterbahn 24 elektrisch kontaktiert. Diese ist lediglich exemplarisch dargestellt. Das Feld 23 kann durch mehrere gleichartige Leiterbahnen verbunden sein, wobei dann in nicht dargestellter Weise Ätzgruben ausgeführt sein müssen, die eine elektrische Isolierung der benachbarten Leiterbahnen und Kontaktflächen gewährleistet. Derartige Ätzgruben 19 sind exemplarisch bei der Leiterbahn 24 dargestellt. Mit derartigen Ätzgruben 19 kann auch eine Kontaktfläche 25 für einen Bonddraht 26 von der restlichen Schicht 12 abgeteilt werden.

Um das Feld 22 von der restlichen Schicht 12 freizustellen, wurde die Schicht 12 auch im Bereich der Stufe 21 an den Seitenflächen weggeätzt. Zu diesem Zweck musste die dort angebrachte oberste Lage 13 (dargestellt in Figur 1) oberhalb der durch die Stufe gebildeten Kante 27 entfernt werden. Eine nachfolgende Ätzung hat die Stufe mitsamt der Kante dann bis auf das Substrat freigelegt, wodurch die Fläche 22 gebildet wurde .