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Title:
MICRO FLUID DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/113567
Kind Code:
A1
Abstract:
Disclosed is a micro fluid device with a micro-pump system, in which the fabrication process thereof is simplified and the device is further miniaturized. A micro fluid device (1) includes a gas generation portion (3). The gas generation portion (3) includes a substrate (10) and a gas generation layer (20). The substrate (10) has a first major surface (10a) and a second major surface (10b). A micro-channel (14) opening to at least the first major surface (10a) is formed in the substrate (10). The gas generation layer (20) is so located on the first major surface (10a) of the substrate (10) to cover an opening (14a). The gas generation layer (20) generates gas by receiving an external stimulus.

Inventors:
FUKUOKA, Masateru (2-1, Hyakuyama, Shimamoto-cho, Mishima-gu, Osaka 89, 61885, JP)
福岡 正輝 (〒89 大阪府三島郡島本町百山2-1 積水化学工業株式会社内 Osaka, 61885, JP)
YAMAMOTO, Kazuki (2-2 Kamitoba Kamichoshi-cho, Minami-ku, Kyoto-sh, Kyoto 05, 60181, JP)
山本 一喜 (〒05 京都府京都市南区上鳥羽上調子町2-2 株式会社積水インテグレーテッドリサーチ内 Kyoto, 60181, JP)
Application Number:
JP2009/054623
Publication Date:
September 17, 2009
Filing Date:
March 11, 2009
Export Citation:
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Assignee:
SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. (4-4 Nishitemma 2-chome, Kita-ku Osaka-sh, Osaka 65, 53085, JP)
積水化学工業株式会社 (〒65 大阪府大阪市北区西天満2丁目4番4号 Osaka, 53085, JP)
FUKUOKA, Masateru (2-1, Hyakuyama, Shimamoto-cho, Mishima-gu, Osaka 89, 61885, JP)
福岡 正輝 (〒89 大阪府三島郡島本町百山2-1 積水化学工業株式会社内 Osaka, 61885, JP)
YAMAMOTO, Kazuki (2-2 Kamitoba Kamichoshi-cho, Minami-ku, Kyoto-sh, Kyoto 05, 60181, JP)
International Classes:
F04F1/18; B01J7/00; B01J19/00; B81B1/00; F04B9/00; F04F1/06; G01N37/00
Attorney, Agent or Firm:
MIYAZAKI, Chikara et al. (6F Daido Seimei Bldg, 5-4 Tanimachi 1-chome,Chuo-ku, Osaka-sh, Osaka 12, 54000, JP)
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Claims:
 ガス発生部を有するマイクロ流体デバイスであって、
 前記ガス発生部は、
 第1の主面と第2の主面とを有し、前記第1の主面に開口するマイクロ流路が形成された基板と、
 前記基板の第1の主面に、前記開口を覆うように配置され、外部刺激を受けることによりガスを発生させるガス発生層と、
を有するマイクロ流体デバイス。
 前記ガス発生層は、前記第1の主面に貼付されているガス発生フィルムである、請求項1に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記ガス発生部は、前記ガス発生層の前記基板側とは反対側の表面に設けられたバリア層をさらに有する、請求項1又は2に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記バリア層は、ガス発生層を覆うように配置されており、前記ガス発生層の外周全体にわたって前記基板に接合されている、請求項3に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記ガス発生層には、一端が前記開口に接続され、他端が前記基板とは反対側の表面に接続された連通孔が形成されている、請求項3又は4に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記バリア層は、ガラス製又は樹脂製の膜又は基板である、請求項3~5のいずれか一項に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記基板には、前記マイクロ流路が複数設けられており、
 前記ガス発生層は、光が照射されることによりガスを発生させるガス発生剤を含み、
 平面視において、隣接する前記マイクロ流路の開口相互間に設けられ、前記ガス発生層を遮光する遮光層をさらに備える、請求項1~6のいずれか一項に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記ガス発生層は、前記基板に貼付されており、前記ガス発生層の前記基板側の表面及び前記基板の第1の主面のうちの少なくとも一方には、前記開口に接続された溝又は孔が形成されている、請求項1~7のいずれか一項に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記溝又は孔は、前記開口から前記基板の板面方向に延びている、請求項8に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記溝又は孔が複数形成されており、
 前記複数の溝又は孔は、前記基板の板面方向において、前記開口から放射状に延びている、請求項8又は9に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記ガス発生層の前記基板側の表面及び前記基板の第1の主面のうちの少なくとも一方は、粗面である、請求項1~10のいずれか一項に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記ガス発生層は、外部刺激を受けることによりガスを発生させるガス発生剤を含む、請求項1~6,8~11のいずれか一項に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記ガス発生剤は、アゾ化合物及びアジド化合物のうちの少なくとも一方を含む、請求項12に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記ガス発生層は、バインダー樹脂をさらに含む、請求項12または13に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記バインダー樹脂は、粘接着剤樹脂を含む、請求項14に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記マイクロ流路には、前記第1の主面に対する開口が複数形成されている、請求項1~15のいずれか一項に記載のマイクロ流体デバイス。
 前記基板には、前記マイクロ流路が複数形成されており、前記複数のマイクロ流路は、相互に接続されている、請求項1~16のいずれか一項に記載のマイクロ流体デバイス。
Description:
マイクロ流体デバイス

 本発明は、マイクロ流体デバイスに関し 詳細には、マイクロポンプシステムを有す マイクロ流体デバイスに関する。

 例えば、特許文献1には、マイクロ流体デバ イスの一例として、マイクロポンプシステム を有するマイクロ全分析システムが開示され ている。特許文献1のマイクロポンプシステ は、微細流路と、ガス発生材料が充填され マイクロポンプ室とが形成された基板によ 構成されている。特許文献1のマイクロポン システムでは、光線をマイクロポンプ室に 射したり、熱を付与したりすることでガス 生材料からガスが発生し、マイクロポンプ ステムが作動する。このため、特許文献1の マイクロポンプシステムは、複雑な機械的構 造を要さない。従って、特許文献1に開示さ た構造を採用することで、マイクロポンプ ステムの小型化及び製造容易化を図ること できる。

特開2005-297102号公報

 しかしながら、特許文献1に開示されたマ イクロポンプシステムでは、基板内にマイク ロポンプ室を形成する必要がある。このため 、マイクロポンプシステムの製造工程が煩雑 となる傾向にある。また、マイクロポンプシ ステムをさらに小型化したいという要望を十 分に満足させることは困難である。

 本発明は、かかる点に鑑みてなされたも であり、その目的は、マイクロポンプシス ムを有するマイクロ流体デバイスにおいて 製造工程の簡素化を図ると共に、さらなる 型化を図ることにある。

 本発明に係るマイクロ流体デバイスは、 ス発生部を有する。ガス発生部は、基板と ガス発生層とを有する。基板は、第1の主面 と第2の主面とを有する。基板には、第1の主 に開口するマイクロ流路が形成されている ガス発生層は、基板の第1の主面に、開口を 覆うように配置されている。ガス発生層は、 外部刺激を受けることによりガスを発生させ る。

 本発明のある特定の局面において、ガス 生層は、第1の主面に貼付されているガス発 生フィルムである。

 本発明の他の特定の局面において、ガス 生部は、ガス発生層の基板側とは反対側の 面に設けられたバリア層をさらに有する。

 本発明の別の特定の局面において、バリ 層は、ガス発生層を覆うように配置されて り、ガス発生層の外周全体にわたって基板 接合されている。

 本発明のさらに他の特定の局面において ガス発生層には、一端が開口に接続され、 端が基板とは反対側の表面に接続された連 孔が形成されている。

 本発明のさらに別の特定の局面において バリア層は、ガラス製又は樹脂製の膜又は 板である。

 本発明のまた他の特定の局面において、 板には、マイクロ流路が複数設けられてお 、ガス発生層は、光が照射されることによ ガスを発生させるガス発生剤を含み、マイ ロ流体デバイスは、平面視において、隣接 るマイクロ流路の開口相互間に設けられ、 ス発生層を遮光する遮光層をさらに備えて る。

 本発明のまた別の特定の局面において、 ス発生層は、基板に貼付されており、ガス 生層の基板側の表面及び基板の第1の主面の うちの少なくとも一方には、開口に接続され た溝又は孔が形成されている。

 溝又は孔は、開口から基板の板面方向に びていることが好ましい。

 溝又は孔が複数形成されており、複数の 又は孔は、基板の板面方向において、開口 ら放射状に延びていることが好ましい。

 本発明のまたさらに他の特定の局面にお て、ガス発生層の基板側の表面及び基板の 1の主面のうちの少なくとも一方は、粗面で ある。

 ガス発生層は、外部刺激を受けることに りガスを発生させるガス発生剤を含むこと 好ましい。外部刺激は、光であることが好 しい。

 ガス発生剤は、アゾ化合物及びアジド化 物のうちの少なくとも一方を含んでいても い。

 ガス発生層は、バインダー樹脂をさらに むことが好ましい。

 本発明のまたさらに別の特定の局面にお て、マイクロ流路には、第1の主面に対する 開口が複数形成されている。

 本発明のさらにまた他の特定の局面におい 、基板には、マイクロ流路が複数形成され おり、複数のマイクロ流路は、相互に接続 れている。
(発明の効果)

 本発明では、基板上に設けられたガス発 層からマイクロ流路にガスが供給されるた 、マイクロポンプシステムを有するマイク 流体デバイスにおいて、製造工程の簡素化 図ると共に、さらなる小型化を図ることが きる。

図1は、第1の実施形態に係るマイクロ 体デバイスの断面図である。 図2は、第2の実施形態に係るマイクロ 体デバイスの断面図である。 図3は、第3の実施形態に係るマイクロ 体デバイスの断面図である。 図4は、第4の実施形態に係るマイクロ 体デバイスの断面図である。 図5は、第5の実施形態に係るマイクロ 体デバイスの断面図である。 図6は、第5の実施形態におけるガス発 層の平面図である。 図7は、変形例1におけるガス発生層の 面図である。 図8は、変形例2に係るマイクロ流体デ イスの断面図である。 図9は、変形例2における基板の平面図 ある。 図10は、変形例3に係るマイクロ流体デ バイスの概略断面図である。 図11は、変形例3におけるマイクロ流路 の構成を表わす概略平面図である。 図12は、変形例4におけるマイクロ流路 の構成を表わす概略平面図である。 図13は、変形例5におけるマイクロ流路 の構成を表わす概略平面図である。 図14は、変形例6におけるマイクロ流路 の構成を表わす概略平面図である。 図15は、変形例7におけるマイクロ流路 の構成を表わす概略平面図である。 図16は、変形例8におけるマイクロ流路 の構成を表わす概略平面図である。 図17は、変形例9におけるマイクロ流路 の構成を表わす概略平面図である。 図18は、変形例10におけるマイクロ流 の構成を表わす概略平面図である。 図19は、変形例11におけるマイクロ流 の構成を表わす概略平面図である。 図20は、変形例11におけるマイクロ流 デバイスの概略平面図である。 図21は、変形例12におけるマイクロ流 の構成を表わす概略平面図である。 図22は、変形例12に係るマイクロ流体 バイスの概略平面図である。 図23は、変形例13に係るマイクロ流体 バイスの断面図である。 図24は、変形例14に係るマイクロ流体 バイスの断面図である。

符号の説明

 1 …マイクロ流体デバイス
 2 …マイクロポンプシステム
 3 …ガス発生部
10 …基板
10a…第1の主面
10b…第2の主面
10c…溝
11 …第1の基板
12 …第2の基板
13 …第3の基板
14 …マイクロ流路
14a…開口
14b…主流路
14c…副流路
20 …ガス発生層
20a…連通孔
20b…溝
21 …バリア層
21a…外周部
22 …遮光層
23 …光
30 …ガス排出口
31 …マイクロ流路群
32 …マイクロ流路組
33,34…粘接着剤層
35…貫通孔

 (第1の実施形態)
 以下、本発明の好ましい形態の一例につい 、図1に示すマイクロ流体デバイス1を例に げて説明する。但し、マイクロ流体デバイ 1は、単なる例示であって、本発明は、マイ ロ流体デバイス1に限定されるものではない 。

 図1は、マイクロ流体デバイス1の断面図 ある。マイクロ流体デバイス1は、マイクロ 路を有するデバイスである限りにおいて特 限定されない。マイクロ流体デバイス1は、 例えば、重金属分析や生化学分析を行うため のマイクロ分析デバイスであってもよい。マ イクロ流体デバイス1がマイクロ分析デバイ である場合は、マイクロ流体デバイス1は、 イクロ流路14に連通して基板10に形成された 検出部や分析部をさらに有するものであって もよい。

 なお、本明細書において、「マイクロ流 」とは、マイクロ流路を流れる液体が、表 張力と毛細管現象との影響を強く受け、通 の寸法の流路を流れる液体とは異なる挙動 示す形状寸法に形成された流路をいう。す わち、「マイクロ流路」とは、マイクロ流 を流れる液体に所謂マイクロ効果が発現す 形状寸法に形成された流路をいう。

 但し、どのような形状寸法の流路におい マイクロ効果が発現するかは、流路に導入 れる液体の物性によって異なる。例えば、 イクロ流路が横断面矩形状である場合には 一般的には、マイクロ流路の横断面におけ 高さ及び幅のうちの小さい方が5mm以下、好 しくは500μm以下、さらに好ましくは200μm以 に設定される。マイクロ流路が横断面円形 である場合は、一般的には、マイクロ流路 直径は、5mm以下、好ましくは500μm以下、さ に好ましくは200μm以下に設定される。

 図1に示すように、マイクロ流体デバイス 1は、マイクロポンプシステム2を備えている マイクロポンプシステム2には、ガス発生部 3が形成されている。ガス発生部3は、基板10 、ガス発生層20と、バリア層21とを備えてい 。

 基板10は、第1の主面10aと第2の主面10bとを 備えている。なお、第1の主面10aには、開口14 aの内周面は含まれない。すなわち、主面に 、表面に凹部が形成されている場合におい 、凹部の表面は含まれない。

 基板10には、マイクロ流路14が形成されて いる。マイクロ流路14は、基板10の第1の主面1 0aに開口している。言い換えれば、マイクロ 路14には、第1の主面10aに開口する開口14aが 成されている。なお、本実施形態では、マ クロ流路14が第1の主面10aにのみ開口してい 例について説明する。但し、マイクロ流路1 4は、第1の主面10aと第2の主面10bとの両方に開 口していてもよい。

 基板10の材質は、特に限定されない。基 10は、例えばガラス製であってもよく、樹脂 製であってもよい。具体的には、基板10は、 えば、有機シロキサン化合物からなるもの あってもよい。有機シロキサン化合物の具 例としては、例えば、ポリジメチルシロキ ン(PDMS:poly(dimethylsiloxane))、ポリメチル水素 ロキサンなどが挙げられる。

 成形型に樹脂を流し込んだ後に硬化させ ことによって基板10を作製する場合は、基 10は、実質的にPDMSからなるものであること 特に好ましい。PDMSからなる部材は転写性が いため、PDMSを用いることによって高い形状 精度の基板10を作製することができる。また PDMSは光透過性が優れているため、光透過性 の高い基板10を得ることができる。

 本実施形態では、基板10は、第1の基板11 、第2の基板12と、第3の基板13とによって構 されている。但し、基板10は、一枚の基板に よって構成されていてもよく、2枚以上の基 により構成されていてもよい。

 基板10の第1の主面10aは、アンカー処理さ ていることが好ましい。基板10の第1の主面1 0aにアンカー処理を施しておくことによって 基板10とガス発生層20との間においてガスが 発生したり、発生したガスが基板10とガス発 層20との間に溜まったりすることを抑制す ことができる。

 上記アンカー処理としては、例えば、基 10の第1の主面10aにコロナ放電処理や表面処 剤を塗布する処理が挙げられる。ここで、 面処理剤としては、例えば、ウレタン樹脂 (メタ)アクリル酸エステル共重合体、1,3共 ジエンモノマーを含む重合ポリマー又は共 合ポリマー、1,3共役ジエンモノマーを含む 合オリゴマー又は共重合オリゴマー、1,3共 ジエンモノマー誘導体を含む重合ポリマー は共重合ポリマー、1,3共役ジエンモノマー 導体を含む重合オリゴマー又は共重合オリ マー、又はこれらの混合物などが挙げられ 。

 基板10の第1の主面10aの上には、ガス発生 20が配置されている。本実施形態では、ガ 発生層20は、基板10に対して貼付されている 開口14aは、このガス発生層20によって覆わ ている。

 ガス発生層20の厚みは、好ましくは1μm~200 μm、より好ましくは5μm~100μm、さらに好まし は10μm~50μmである。ガス発生層20の厚みが1μ m以下の場合には、外部刺激を受けて発生す ガスの量が少なかったり、バインダー樹脂 粘接着剤樹脂を含むような場合には、基板10 に対する接着性が不足したりする場合がある 。また、ガス発生層20の厚みが200μm以上であ 場合には、発生したガスが基板10に到達す までに要する時間が長くなる傾向にある。

 ガス発生層20は、外部刺激を受けること よってガスを発生させる層である。ガス発 層20は、外部刺激を受けることによってガス を発生させるガス発生剤を少なくとも含む。 本実施形態では、ガス発生層20は、ガス発生 と、バインダーとを含む。ガス発生層20は さらに種々の添加剤を含むものであっても い。

 なお、本発明において、外部刺激とは、 ス発生部にガス発生反応を起こさせるため 外部から供給される物理的または化学的な 激を意味する。すなわち、外部刺激とは、 ス発生部からガスが発生するようにガス発 部に作用するものである。外部刺激の具体 としては、光や熱等のエネルギー、酸や塩 等の物質が挙げられる。すなわち、「外部 激を受ける」には、光や熱等のエネルギー 照射されること、酸や塩基等の物質が供給 れることが含まれる。

 外部刺激は、ガス発生部にガス発生反応 起こさせるものである限りにおいて特に限 されないが、光であることが好ましい。光 照射のオン/オフや照射する光の強度調整は 容易に行えるため、外部刺激が光である場合 は、ガス発生の制御が容易であり、また、ガ ス発生の高い応答性が得やすい。さらに、外 部刺激が光である場合は、基板10に要求され 熱的耐久性が低くなるため、基板10の選択 由度が向上する。

 ガス発生剤は、外部刺激を受けることに りガスを発生させる材料のみにより構成さ ていてもよい。また、ガス発生剤は、外部 激を受けることにより、別の刺激を発生さ る刺激発生剤と、その刺激発生剤により発 した刺激を受けることによってガスを発生 せる刺激ガス発生剤とを含んでいてもよい

 ガス発生剤は、例えば、光又は熱を受け ことにより酸又はアルカリを発生させる材 と、その材料により発生した酸又はアルカ によりガスを発生させる材料とを含んでい もよい。より具体的には、ガス発生材料は 光が照射されることにより酸を発生させる 酸発生剤と、酸と接触することによりガス 発生させる酸刺激ガス発生剤とを含んでい もよい。またガス発生材料は、光が照射さ ることにより塩基を発生させる光塩基発生 と、塩基と接触することにより塩基ガスを 生させる塩基増殖剤を含んでもよい。

 ガス発生層20に照射される光は、ガス発 剤または増感剤が吸収する波長帯の光であ ば、特に限定されないが、波長が10nm~400nmの 外線及び紫外線に近い400nm~420nmの青色光で ることが好ましく、300nm~400nmの近紫外線であ ることがより好ましい。

 ガス発生層20への光照射に用いられる光 は、特に限定されない。光源の具体例とし は、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高 水銀灯、超高圧水銀灯、発光ダイオード(LED) 、全固体レーザー、ケミカルランプ、ブラッ クライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀 灯、メタルハライドランプ、ナトリウムラン プ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、蛍光 灯などが挙げられる。なかでも、光源として は、発熱も少なく安価な発光ダイオード(LED) どの発光素子が好ましく用いられる。

 ガス発生剤の具体例としては、例えば、 ゾ化合物、アジド化合物等が挙げられる。 ゾ化合物は、アゾアミド化合物であっても い。

 アゾ化合物の具体例としては、例えば、2 ,2’-アゾビス(N-シクロヘキシル-2-メチルプロ ピオンアミド)、2,2’-アゾビス[N-(2-メチルプ ピル)-2-メチルプロピオンアミド]、2,2’-ア ビス(N-ブチル-2-メチルプロピオンアミド)、 2,2’-アゾビス[N-(2-メチルエチル)-2-メチルプ ピオンアミド]、2,2’-アゾビス(N-ヘキシル-2 -メチルプロピオンアミド)、2,2’-アゾビス(N- プロピル-2-メチルプロピオンアミド)、2,2’- ゾビス(N-エチル-2-メチルプロピオンアミド) 、2,2’-アゾビス{2-メチル-N-[1,1-ビス(ヒドロ シメチル)-2-ヒドロキシエチル]プロピオンア ミド}、2,2’-アゾビス{2-メチル-N-[2-(1-ヒドロ シブチル)]プロピオンアミド}、2,2’-アゾビ ス[2-メチル-N-(2-ヒドロキシエチル)プロピオ アミド]、2,2’-アゾビス[N-(2-プロペニル)-2- チルプロピオンアミド]、2,2’-アゾビス[2-(5- メチル-2-イミダゾイリン-2-イル)プロパン]ジ イドロクロライド、2,2’-アゾビス[2-(2-イミ ダゾイリン-2-イル)プロパン]ジハイドロクロ イド、2,2’-アゾビス[2-(2-イミダゾイリン-2- イル)プロパン]ジサルフェイトジハイドロレ ト、2,2’-アゾビス[2-(3,4,5,6-テトラハイドロ ピリミジン-2-イル)プロパン]ジハイドロクロ イド、2,2’-アゾビス{2-[1-(2-ヒドロキシエチ ル)-2-イミダゾイリン-2-イル]プロパン}ジハイ ドロクロライド、2,2’-アゾビス[2-(2-イミダ イリン-2-イル)プロパン]、2,2’-アゾビス(2- チルプロピオンアミダイン)ハイドロクロラ ド、2,2’-アゾビス(2-アミノプロパン)ジハ ドロクロライド、2,2’-アゾビス[N-(2-カルボ シアシル)-2-メチル-プロピオンアミダイン] 2,2’-アゾビス{2-[N-(2-カルボキシエチル)ア ダイン]プロパン}、2,2’-アゾビス(2-メチル ロピオンアミドオキシム)、ジメチル2,2’-ア ゾビス(2-メチルプロピオネート)、ジメチル2, 2’-アゾビスイソブチレート、4,4’-アゾビス (4-シアンカルボニックアシッド)、4,4’-アゾ ス(4-シアノペンタノイックアシッド)、2,2’ -アゾビス(2,4,4-トリメチルペンタン)等が挙げ られる。これらのアゾ化合物は、特定の波長 域の光、熱等による刺激を受けることにより 窒素ガスを発生させる。

 アジド化合物の具体例としては、例えば 3-アジドメチル-3-メチルオキセタン、テレ タルアジド、アジド基を有するポリマー等 挙げられる。アジド基を有するポリマーの 体例としては、グリシジルアジドポリマー が挙げられる。グリシジルアジドポリマー 、例えば、p-tert-ブチルベンズアジドと3-ア ドメチル-3-メチルオキセタンとを開環重合 ることにより得られる。これらのアジド化 物は、特定の波長域の光、熱、超音波及び 撃等による刺激を受けることにより分解し 、窒素ガスを発生させる。

 なお、アゾ化合物は、衝撃によっては気 を発生しないことから取り扱いが極めて容 である。また、アゾ化合物は、連鎖反応を こして爆発的に気体を発生させることもな 、光の照射を中断することで気体の発生を 断させることもできる。このため、アゾ化 物をガス発生剤として用いることによりガ 発生量の制御が容易となる。

 アゾ化合物等のガス発生剤は、高い耐熱 を有することが好ましい。具体的には、ガ 発生剤の10時間半減期温度が80℃以上である ことが好ましい。ガス発生剤を高耐熱性にす ることによって、マイクロ流体デバイス1を 温環境下においても好適に使用可能なもの することができる。また、マイクロ流体デ イス1の貯蔵時における劣化を抑制すること できる。

 10時間半減期温度が80℃以上であるアゾ化 合物としては、下記一般式(3)で表されるアゾ アミド化合物等が挙げられる。下記一般式(3) で表されるアゾアミド化合物は、耐熱性に優 れていることに加え、アクリル酸アルキルエ ステルポリマー等の粘着性を有するポリマー への溶解性にも優れている。このため、粘接 着剤樹脂中において、アゾアミド化合物が粒 子化することを抑制することができる。

 一般式(3)中、R 6 及びR 7 は、それぞれ独立して、低級アルキル基を表 し、R 8 は、炭素数2以上の飽和アルキル基を表す。 お、R 6 とR 7 は、同一であっても、異なっていてもよい。

 上記一般式(3)で表されるアゾアミド化合 の具体例としては、例えば、2,2’-アゾビス (N-シクロヘキシル-2-メチルプロピオンアミド )、2,2’-アゾビス[N-(2-メチルプロピル)-2-メチ ルプロピオンアミド]、2,2’-アゾビス(N-ブチ -2-メチルプロピオンアミド)、2,2’-アゾビ [N-(2-メチルエチル)-2-メチルプロピオンアミ ]、2,2’-アゾビス(N-ヘキシル-2-メチルプロ オンアミド)、2,2’-アゾビス(N-プロピル-2-メ チルプロピオンアミド)、2,2’-アゾビス(N-エ ル-2-メチルプロピオンアミド)、2,2’-アゾ ス{2-メチル-N-[1,1-ビス(ヒドロキシメチル)-2- ドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2’- ゾビス{2-メチル-N-[2-(1-ヒドロキシブチル)] ロピオンアミド}、2,2’-アゾビス[2-メチル-N- (2-ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、2,2 -アゾビス[N-(2-プロペニル)-2-メチルプロピ ンアミド]等が挙げられる。

 なかでも、2,2’-アゾビス(N-ブチル-2-メチ ルプロピオンアミド)及び2,2’-アゾビス[N-(2- ロペニル)-2-メチルプロピオンアミド]は、 剤への溶解性に特に優れていることから好 に用いられる。

 光酸発生剤は、特に限定されない。光酸 生剤としては、例えば、従来公知の光酸発 剤を用いることができる。

 光酸発生剤としては、キノンジアジド化 物、オニウム塩、スルホン酸エステル類及 有機ハロゲン化合物からなる群から選ばれ 少なくとも1種を用いることが好ましく、ス ルホン酸オニウム塩、ベンジルスルホン酸エ ステル、ハロゲン化イソシアヌレート及びビ スアリールスルホニルジアゾメタンからなる 群から選ばれた少なくとも1種を用いること より好ましい。これらの光酸発生剤は、光 射により効率的に分解し、スルホン酸等の 酸を発生させる。よって、これらの光酸発 剤を用いることによって、ガスの発生効率 より一層高めることができる。

 キノンジアジド化合物としては、例えば 1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸又 は1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-4-スルホン酸 、低分子芳香族ヒドロキノン化合物とのエ テルが挙げられる。低分子芳香族ヒドロキ ン化合物としては、例えば、1,3,5-トリヒド キシベンゼン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾ ェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフ ェノン、クレゾール等が挙げられる。これら の中でも、1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-ス ホン酸-p-クレゾールエステルが特に好まし 用いられる。

 オニウム塩としては、トリフェニルスル ニウムヘキサフルオロアンチモネート、ト フェニルスルホニウムヘキサフルオロホス ェート等が挙げられる。

 スルホン酸エステル類としては、ビスア ールスルホニルジアゾメタン、p-ニトロベ ジル9,10-ジメトキシアントラセン-2-スルホネ ート、m-ニトロベンジル9,10-ジメトキシアン ラセン-2-スルホネート、m、p-ジニトロベン ル9,10-ジメトキシアントラセン-2-スルホネー ト、p-シアノベンジル9,10-ジメトキシアント セン-2-スルホネート、クロロベンジル9,10-ジ メトキシアントラセン-2-スルホネート、ジメ チルアミノナフタレン-5-スルホネート、ジフ ェニルヨードニウム-9,10-ジメトキシアントラ セン-2-スルホネート、4-メトキシフェニル-フ ェニルヨードニウム-9,10-ジメトキシアントラ セン-2-スルホネート、ビス(4-メトキシフェニ ル)ヨードニウム-9,10-ジメトキシアントラセ -2-スルホネート、ビス(4-t-ブチルフェニル) ードニウム-9,10-ジメトキシアントラセン-2- ルホネート、ジフェニルヨードニウム-アン ラセン-2-スルホネート、ジフェニルヨード ウム-トルフルオロメタンスルホネート、(5- プロピルスルホニルオキシイミノ-5H-チオフ ン-2-イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニ リル等が挙げられる。これらの中でも、光 射された際の酸の発生効率が高いジフェニ ヨードニウム-9,10-ジメトキシアントラセン-2 -スルホネート、5-プロピルスルホニルオキシ イミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-2-メチルフ ニルアセトニトリルが特に好ましく用いら る。

 有機ハロゲン化合物としては、例えば、 リブロモメチルフェニルスルホン、トリブ モメチルスルフォニルピリジンなどが挙げ れる。

 酸刺激ガス発生剤としては、酸の刺激す わち酸の作用によりガスを発生するもので れば特に限定されないが、炭酸塩及び重炭 塩のうちの少なくとも一方が好適に用いら る。

 酸刺激ガス発生剤の具体例としては、例 ば、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム セスキ炭酸ナトリウム、炭酸マグネシウム 炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カ シウム、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げ れる。これらの酸刺激ガス発生剤は単独で いられてもよく、2種以上が併用されてもよ い。好ましくは、炭酸水素ナトリウム、炭酸 ナトリウムであり、より好ましくは、炭酸ナ トリウムと炭酸水素ナトリウムとの混合物は 、安定性に優れ、かつガス発生量が多いため 、酸刺激ガス発生剤として好適に用いられる 。

 なお、酸刺激ガス発生剤の配合量は、光 発生剤から発生する酸と化学等量であるこ が望ましい。

 また、酸刺激ガス発生剤と光酸発生剤と それぞれは、液状であってもよいし、粒子 であってもよい。但し、取り扱い性及びガ の発生効率を高くする観点から、酸刺激ガ 発生剤と光酸発生剤とのうちの少なくとも 方が微粒子であることが好ましい。また、 刺激ガス発生剤と光酸発生剤とのうちの少 くとも一方を微粒子とすることによって、 粒子間に隙間が形成され、発生したガスの 過が容易となる。なお、本明細書において 微粒子とは、平均直径が50μm~2mm程度の粒子 いう。

 ガス発生剤は、光の照射により分解し、ガ 状の塩基を発生する光塩基発生剤(A)と、塩 増殖剤(B)とを含んでいてもよい。
 光塩基発生剤(A)は、例えば、コバルトアミ 系錯体、カルバミン酸o-ニトロベンジル、 キシムエステル、下記の式(4)で表わされる の照射によりアミンを発生させるカルバモ ルオキシイミノ基含有化合物、及び下記の (5)で表わされるカルボン酸(a1)と塩基性化合 (a2)との塩からなる群から選択された少なく とも1種であってもよい。

 式(4)において、R 1 は、n価の有機基であり、R 2 及びR 3 は各々、水素、芳香族もしくは脂肪族基であ り、nは1以上の整数である。

 上記式(4)で表わされるカルバモイルオキ イミノ基含有化合物としては、特に限定さ ないが、特開2002-138076号において、下記の うにして製造されることが示されている化 物などを例示することができる。

 ヘキサメチレンジイソシアネート0.05molに 、テトラヒドロフラン(THF)100mlに溶解したア トフェノンオキシム0.1molを添加し、乾燥、 素雰囲気下、50℃で4時間攪拌し反応させた 反応液からテトラヒドロフランを揮発させ と白色の固体が得られた。得られた白色の 体を80℃のメチルエチルケトンに溶解させ、 再結晶により精製し、光照射によりアミンを 発生する化合物を作製した。

 上記カルボン酸(a1)と、塩基性化合物(a2) の塩は、カルボン酸(a1)と、塩基性化合物(a2) とを溶液中で混合するだけで簡単に調製する ことができる。カルボン酸(a1)と、塩基性化 物(a2)とを容器中で混合すると、下記の反応 (S1)で表わされる酸塩基反応が進行し、塩A1 生じる。

 上記式(S1)中、Xは塩基性化合物(a2)であり (A1)は塩である。

 上記のようにして得られる塩は、カルボ 酸(a1)に由来する骨格を有するので、光の照 射により容易に脱炭酸を起こし、下記の反応 式(S2)で表わされる反応が進行する。従って 上記塩は、単独で優れた光分解性能を発現 る。すなわち、上記の塩の分解により、塩 ガスと二酸化炭素とが速やかに発生し、し も十分な量の塩基ガス及び二酸化炭素が発 することとなる。

 上記式(S2)中、Xは塩基性化合物(a2)を示す。

 上記塩基性化合物(a2)としては特に限定さ れず、例えば、一級アミン、二級アミン及び 三級アミン等のアミン、ピリジル基を含有す る化合物、ヒドラジン化合物、アミド化合物 、水酸化四級アンモニウム塩、メルカプト化 合物、スルフィド化合物及びホスフィン化合 物などを用いることができる。これらは、複 数用いられても構わない。

 上記塩基性化合物(a2)としては、下記の式 (6)~(9)で表わされる化合物からなる群から選 された少なくとも1種が好適に用いられる。 の場合には、上記塩が光の照射により、よ 一層速やかに分解し、より一層速やかに塩 ガス及び二酸化炭素が発生する。

 上記式(9)中、R 1 は炭素数1~10のアルキレン鎖を表す。塩基ガ も発生するので、好ましくはR 1 は、炭素数1~2のアルキレン鎖である。

 上記式(10)中、R 2 は炭素数1~10のアルキレン鎖を表す。塩基ガ も発生するので、好ましくは、R 2 は炭素数1~2のアルキレン鎖を表す。

 上述した式(9)において、R 1 が炭素数1または2のアルキレン鎖の場合、及 式(10)において、R 2 が炭素数1または2のアルキレン鎖の場合には 加えて、上記塩基ガスが、塩基増殖剤(B)と 応することにより、連鎖的に塩基ガスが発 する。塩基増殖剤(B)が反応して生じた塩基 スは、自己を触媒として、さらに塩基ガス 発生するので、幾何級数的に塩基ガスが発 することとなる。加えて、同時に二酸化炭 も発生する。従って、より一層速やかに大 のガスが発生する。

 他方、式(9)において、R 1 が炭素数3~10のアルキレン鎖の場合、及び式(1 0)において、R 2 が炭素数3~10のアルキレン鎖の場合には、分 量が大きいので、塩基増殖剤が塩基ガスを 生しない。しかしながら、これらの塩基増 剤は、側鎖にカルボキシル基を多く含んで るので、二酸化炭素ガスを速やかにかつ効 良く発生させる。

 塩基増殖剤としては、特に限定されない 、好ましくは、9-フルオレニルカルバメー 誘導体が用いられる。9-フルオレニルカルバ メート誘導体は、二官能型、球状多官能のオ リゴマー型、直鎖高分子型、またはシロキサ ン型のいずれであってもよい。

 上記塩基増殖剤(B)としては、下記式(12)で 表される塩基増殖性基を有する塩基増殖剤(B1 )が好ましい。

 上述した式(12)で表される塩基増殖性基を 有する塩基増殖剤(B1)は、塩基増殖反応によ て分解して、新たにアミンを発生する。さ に、発生したアミンが新たな触媒として機 し、増殖的に多数のアミンを生成する。上 式(12)で表される塩基増殖性基が分子内に多 存在するほど、分子内での塩基増殖反応が 率的に起こる。従って、より一層多くのア ノ基が生成する。

 上記式(12)で表される塩基増殖性基を有す る塩基増殖剤(B1)を用いた塩基増殖反応では 活性な水素原子が塩基によって引き抜かれ 、カルバニオンが形成される。次いで、カ バミン酸が脱離し、さらに分解が進行して ミノ基と二酸化炭素を生成する。このアミ 基が触媒となってこの反応を加速する。こ 反応を下記反応式(X1)に示す。

上記式(12)で表される塩基増殖性基として 、下記式(13)で表される塩基増殖性基が好ま い。

 上記式(13)中、Zは置換または無置換のア キレン鎖を示す。

 上記式(13)中、Zの具体例としては、メチ ン鎖、エチレン鎖、プロピレン鎖などが挙 られる。上記塩基増殖反応が効果的に起こ ため、Zは無置換のアルキレン鎖であること 好ましい。なかでも、Zにおける立体障害も 小さくなり、塩基増殖反応がより一層効果的 に起こり易いため、Zはメチレン鎖であるこ がより好ましい。

 上記式(13)で表される塩基増殖性基を有す る塩基増殖剤としては、下記式(14)で表され 塩基増殖剤が好ましい。

 上記式(14)中、Xは水素原子、置換されて るアルキル基、または無置換のアルキル基 示し、Zは置換または無置換のアルキレン鎖 示し、nは1~4の整数を示す。

 上記式(14)中、Xの具体例としては、メチ 基、エチル基、プロピル基などが挙げられ 。塩基増殖反応が効果的に起こるため、Xは 置換のアルキル基であることが好ましい。 かでも、Xにおける立体障害も小さくなり、 塩基増殖反応がより一層効果的に起こり易い ため、Xはエチル基であることがより好まし 。

 上記式(14)中、nは1~4の整数を示す。上記 (14)で表される塩基増殖剤が同一分子内に複 の9-フルオレニルカルバメート基を有する 合には、発生した塩基の触媒作用によって 基増殖反応がより一層効果的に起こり易い よって上記式(14)中、nは3又は4の整数である とが好ましい。

 上記式(14)で表される塩基増殖剤の具体例 としては、下記式(15)で表される塩基増殖剤(F lu3)、下記式(16)で表される塩基増殖剤(Flu4)が げられる。下記式(15)及び式(16)で表される 基増殖剤は、公知の方法によって得ること できる。

 上記式(15)及び式(16)で表される塩基増殖 は、同一分子内に複数の9-フルオレニルカル バメート基を有する。よって、発生した塩基 の触媒作用によって塩基増殖反応が進行し易 い。塩基の発生効率がより一層高められるの で、上記式(15)で表される塩基増殖剤がより ましく、上記式(16)で表される塩基増殖剤が らに好ましい。

 上記式(12),(13)で表される塩基増殖性基を する塩基増殖剤、あるいは上記式(14)~(16)で される塩基増殖剤は、特に限定されないが 例えばフルオレニルメタノールとイソシア ート誘導体との付加反応や、フルオレニル ルバメート基を有するアクリレートモノマ とポリチオール誘導体との付加反応によっ 合成することができる。前者の付加反応に スズ触媒を適切に用い、後者の付加反応に 塩基触媒を適切に用いることにより、合成 簡便に行うことができる。

 上記式(12)で表される塩基増殖性基として は、下記式(17)で表される塩基増殖性基も好 しい。

 上記式(17)中、Rは水素原子またはメチル基 示す。

 上記式(12)で表される塩基増殖性基を有す る塩基増殖剤(B1)としては、上記式(17)で表さ る塩基増殖性基と、下記式(18)で表される不 飽和基とを有する塩基増殖剤もより好ましく 用いることができる。

 上記式(18)中、Rは水素原子またはメチル基 示す。

 上記式(17)で表される塩基増殖性基と上記 式(18)で表される不飽和基とを有する塩基増 剤もより好ましく用いることができる。

 上記式(17)で表される塩基増殖性基を有す る塩基増殖剤は、例えば、下記反応式(X2)に すように、上記式(18)で表される不飽和基を する化合物と、9-フルオレニルメチルN-(2-メ ルカプトエチル)カルバメートとの付加反応 より得ることができる。なお、この付加反 では、上記式(17)中のRは、上記式(18)で表さ る不飽和基のRに由来する。

 上記式(X2)中、Rは水素原子またはメチル基 示す。

 上記式(18)で表される不飽和基を有する化 合物は、アクリレート基あるいはメタクリレ ート基(以下(メタ)アクリレート基として両者 を合わせて表記する)を有する化合物である

 上記式(18)で表される不飽和基を有する化 合物としては、例えば、(メタ)アクリレート モノマーまたはオリゴマーなどを用いるこ ができる。塩基増殖剤が同一分子中にでき だけ多くの上記式(18)で表される塩基増殖性 基を含んでいると、塩基増殖反応が効率よく 起こるため、(メタ)アクリレート基を少なく も2つ有するモノマーあるいはオリゴマーが 好ましい。

 上記多官能性(メタ)アクリレートモノマ または(メタ)アクリレートオリゴマーとして は、具体的には、エチレンジ(メタ)アクリレ ト、トリエチレングリコールジ(メタ)アク レート、エポキシアクリレート、およびこ らの類似物が挙げられる。

 更には、例えば、ノボラック型の化合物 、公知のデンドリティックな多官能性(メタ )アクリレートも用いることができる。これ は単独で使用してもよいし、混合物として いてもよい。

 塩基増殖剤の同一分子中に、上記式(17)で 表される塩基増殖性基の数を増やすためには 、上記式(18)で表される不飽和基を少なくと 2つ有する化合物を用いればよい。

 上記式(18)で表される不飽和基を少なくと も2つ有する化合物は、例えば、上記式(18)で される不飽和基を有する化合物に、α-チオ リセリンをマイケル付加反応させて、下記 (19)で表されるジオール置換された基に変換 し、ついで、それぞれの水酸基をエステル化 あるいはウレタン化することによって得るこ とができる。この反応によって、例えば1つ 不飽和基を2つあるいは4つの不飽和基に変換 させることができる。

 上記式(19)中Rは、水素原子またはメチル基 示す。

 上記式(19)で表される基を有するポリオー ル化合物の水酸基に、不飽和基である(メタ) クリレート基を導入するためには、エステ 化法およびウレタン化法を用いることがで る。

 上記塩基増殖剤(B)の配合割合は、塩基性 合物(A)100重量部に対して、20~300重量部の範 が好ましい。塩基増殖剤(B)が20重量部未満 あると、塩基増殖剤反応を使った連鎖反応 効率的に起こらない場合がある。300重量部 超えると、塩基増殖剤が溶媒中に飽和し、 基増殖剤が析出することがある。また、反 系を連鎖反応が支配し、反応を止めたいと に止めることができず、反応の制御が困難 なることがある。

 アミノアルキル化合物(C)
 上記光塩基発生剤(A)100重量部に対し、20~100 量部の割合でアミノアルキル化合物(C)がさ に含有されていることが好ましい。20重量 未満では、アミノアルキル化合物(C)を添加 た効果が十分得られないことがあり、100重 部を越えると光塩基発生剤から生じるラジ ルは、光塩基発生剤と等量であり、過剰に えても未反応で反応が終了することがある

 アミノアルキル化合物(C)は、光塩基発生 (A)の分解により発生したアルキルラジカル 反応する。この反応によっても塩基ガスが 生する。そのため、ガスの発生効率がさら 高められる。そして、発生した塩基ガスが 塩基増殖剤(B)とさらに反応することにより 塩基ガスがより一層幾何級数的に発生する ととなる。さらに、塩基ガス発生時に、同 に二酸化炭素が発生する。よって、上記塩 増殖剤(B)に加えて、アミノアルキル化合物( C)をさらに用いることにより、ガス発生効率 より一層高めることができる。

 上記アミノアルキル化合物(C)としては、 に限定されないが、メチルアミン、エチル ミン、ブチルアミン、N-メチル-アミノエチ 、N,N-ジメチルアミノエチル、N,N-ジエチル チレンジアミン及びN-メチルアミノブチルか らなる群から選択された1種の化合物が好適 用いられ、その場合には、ガス発生効率を らに高めることができる。

 ガス発生剤が上記光塩基発生剤(A)を含む 合、光増感剤を含有していなくても、少量 光を短時間照射した場合でも、充分な量の 基ガスが発生し得る。

 ガス発生層20は、光増感剤をさらに含む とが好ましい。ガス発生層20に光増感剤を含 ませることにより、光が照射された際に、ガ スをより一層速やかに発生させることができ る。

 光増感剤は、光が照射されることにより スを発生させるガス発生剤にエネルギーを 動させてガス発生剤の分解を促進する化合 である限りにおいて特に限定されない。光 感剤としては、例えば、チオキサントン、 ンゾフェノン、アセトフェノン類、ミヒラ ケトン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾイ エーテル、ベンジルジメチルケタール、ベ ゾイルベンジエート、α-アシロキシムエス ル、テトラメチルチウラムモノサルファイ 、脂肪族アミン、芳香族基を含むアミン、 ペリジンのように窒素が環系の一部をなし いるもの、アリルチオ尿素、o-トリルチオ 素、ナトリウムジエチルジチオホスフェー 、芳香族スルフィン酸の可溶性塩、N,N-ジ置 -p-アミノベンゾニトリル系化合物、トリ-n- チルフォスフィン、N-ニトロソヒドロキシ アミン誘導体、オキサゾリジン化合物、テ ラヒドロ-1,3-オキサジン化合物、ホルムアル デヒドかアセトアルデヒドとジアミンの縮合 物、アントラセン及びその誘導体、キサンチ ン、N-フェニルグリシン、フタロシアニン、 フトシアニン、チオシアニン等のシアニン 素類ポルフィリン及びその誘導体等が挙げ れる。これらの光増感剤は、単独で用いら てもよく、2種以上が併用されてもよい。

 光増感剤の配合割合は、光増感作用が得 れる限りにおいて特に限定されず、例えば 光が照射されることによりガスを発生させ ガス発生剤100重量部に対して光増感剤を0.1~ 50重量部の範囲で含有させることが好ましく 1~10重量部の範囲で含有させることがより好 ましい。光増感剤が少なすぎると、十分な増 感作用が得難くなる傾向にあり、光増感剤が 多すぎると、ガス発生剤の光分解が抑制され たりすることがある。

 また、ガスの発生を補助させる目的で、 ス発生層20に光分解性のアゾ化合物や過酸 物などを添加してもよい。

 光分解性のアゾ化合物としては、例えば アゾアミド系化合物、アゾニトリル系化合 、アゾアミジン系化合物又はサイクリック ゾアミジン化合物等が挙げられる。これら アゾ化合物は、単独で用いられてもよく、2 種以上が併用されてもよい。

 光分解性の過酸化物としては、例えば、 酸化ベンゾイル、ジ-t-ブチルペルオキシド o-ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ア トラキノン類、トリアジン類、アゾビスイ ブチロニトリル、ベンゾイルパーオキサイ 、クメンパーオキシド等が挙げられる。ア トラキノン類としては、例えば、2-エチルア ントラキノン、オクタメチルアントラキノン 、1,2-ベンズアントラキノン、2,3-ジフェニル ントラキノン等が挙げられる。トリアジン としては、例えば、2,4-トリクロロメチル-(4 ’-メトキシフェニル)-6-トリアジン、2,4-トリ クロロメチル-(4’-メトキシナフチル)-6-トリ ジン、2,4-トリクロロメチル-(ピペロニル)-6- トリアジン、2,4-トリクロロメチル-(4’-メト シスチリル)-6-トリアジン等が挙げられる。

 ガス発生の連鎖を止める目的で、ガス発 層20にラジカルスカベンジャーなどを添加 てもよい。

 ラジカルスカベンジャーとしては、例え 、t-ブチルカテコール、ヒロドキノン、メ ルエーテル、カタラーゼ、グルタチオンペ オキシダーゼ、スーパーオキシドディスム ーゼ系酵素ビタミンC、ビタミンE、ポリフェ ノール類、リノレイン酸等が挙げられる。

 ガス発生剤は、ガス発生層20内において 溶化状態として存在することが好ましい。 い気体発生効率を得ることができ、かつガ 発生層20の表面の平滑性を高くすることがで きるからである。

 なお、本明細書において「相溶化状態」 は、電子顕微鏡によりガス発生層20を観察 たときにガス発生剤を確認することができ い程度に微分散又は相溶している状態をい 。

 ガス発生剤が相溶化状態で存在するよう するために、ガス発生層20中に溶解するガ 発生剤を選択することが好ましい。但し、 ス発生剤は、ガス発生層20中に溶解しにくい ものであってもよい。その場合は、例えば、 分散機を用いたり、分散剤を併用したりする ことによりガス発生剤を分散させることが好 ましい。

 また、バインター樹脂としては、例えば ポリ(メタ)アクリレート、ポリエステル、 リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレ 、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリカー ネート、ポリアミド、ポリイミドなどの高 子材料を用いることができる。また、これ の共重合体を用いてもよく、これらを併用 てもよい。なかでも、ガスの発生効率がよ 一層高められるので、ポリ(メタ)アクリレー トが好ましい。バインダー樹脂の紫外光吸収 帯は、上記光酸発生剤や光増感剤、光塩基発 生剤の紫外光吸収帯よりも短波長であること が望ましい。

 バインダー樹脂は、ガス発生層20に種々 機能を持たせるために添加されるものであ 。バインダー樹脂は、例えば粘接着剤樹脂 含むことが好ましい。ガス発生層20にバイン ダー樹脂として粘接着剤樹脂を含有させるこ とにより、ガス発生層20と基板10との粘着性 接着性を高めることができる。

 なお、本実施形態において、粘接着剤樹 は、ガス発生層20に付与される外部刺激に って硬化しないものであることが好ましい 粘接着剤樹脂を外部刺激によって硬化しな ものとすることで、ガス発生層20に対する外 部刺激の付与が開始された後もガス発生層20 基板10との高い粘接着性を維持することが きるからである。粘接着剤樹脂は、例えば 外部刺激によって架橋されないものである とが好ましい。

 粘接着剤樹脂の具体例としては、例えば ゴム系粘接着剤樹脂、アクリル系粘接着剤 脂、シリコーン系粘接着剤樹脂、ウレタン 粘接着剤樹脂、スチレン-イソプレン-スチ ン共重合体系粘接着剤樹脂、スチレン-ブタ エン-スチレン共重合体粘接着剤樹脂、エポ キシ系粘接着剤樹脂、イソシアネート系粘接 着剤樹脂等が挙げられる。好ましくは、アク リル系粘接着剤樹脂が用いられる。

 もっとも、バインダー樹脂は、粘接着剤 脂を含んでいなくてもよい。バインダー樹 が、粘接着剤樹脂粘接着剤樹脂を含まない 合には、図23に示すように、基板10とガス発 生層20との間、及びガス発生層20とバリア層21 との間のそれぞれに粘接着剤層33,34を配置す ことにより基板10とガス発生層20とを貼付し てもよい。

 また、本発明において、ガス発生層の形 は、ガス発生フィルムに限定されない。ガ 発生層は、例えば、ガス発生剤が付着また 含浸された板状またはフィルム状の多孔質 であってもよい。この場合は、ガス発生層 おいて発生したガスが多孔質体に形成され いる多数の孔を通じて速やかにマイクロ流 に導かれる。従って、マイクロ流体システ の送液効率をより高めることができる。な 、この場合は、ガス発生層20からのガスが イクロ流路14に好適に導かれるために、バリ ア層21を設けておくことが特に好ましい。

 多孔質体は、特に限定されないが、具体 としては、例えば、複数の繊維の集合体で る不織布や織布、発泡体などが挙げられ得 。

 また、ガス発生層は、ガス発生層におい 発生したガスが速やかにマイクロ流路に供 されるように、ガスがマイクロ流路に供給 れやすい形状に加工されていることが好ま い。例えば、図24に示すように、ガス発生 20には、ガス発生層20の厚さ方向にガス発生 20を貫通する複数の貫通孔35がマトリクス状 に形成されていてもよい。この場合、貫通孔 35の径は、マイクロ流路14の径よりも小さい とが好ましい。なお、この場合においても ガス発生層20からのガスがマイクロ流路14に 適に導かれるために、バリア層21を設けて くことが特に好ましい。

 バインダー樹脂を含む場合には、アゾ化 物またはアジド化合物は、バインダー樹脂1 00重量部に対して、5重量部~100重量部の割合 含有されていることが好ましく、より好ま くは10重量部~50重量部である。アゾ化合物ま たはアジド化合物の割合が少なすぎると、外 部刺激によるガス発生量が少なくなりすぎる 場合があり、アゾ化合物またはアジド化合物 の割合が多すぎると、アゾ化合物またはアジ ド化合物がバインダー樹脂中に溶解できなく なってしまう場合がある。

 また、上述の光酸発生剤は、バインダー 脂100重量部に対して、2~150重量部の割合で 有されていることが好ましく、より好まし は10~100重量部である。また、酸刺激ガス発 剤は、バインダー樹脂100重量部に対して、2~ 150重量部の割合で含有さていることがより好 ましく、さらに好ましくは10~100重量部である 。光酸発生剤並びに酸刺激ガス発生剤の割合 が少なすぎると、光照射によるガス発生が充 分ではなくなる場合があり、光酸発生剤並び に酸刺激ガス発生剤の割合が多すぎると、光 酸発生剤並びに酸刺激ガス発生剤がバインダ ー樹脂中に溶解できなくなってしまう場合が ある。

 光塩基発生剤は、バインダー樹脂100重量 に対して、100重量部に対し、20~500重量部の 合で含有されていることが好ましい。光塩 発生剤の割合が少なすぎると、光照射によ ガス発生が充分ではなくなる場合があり、 塩基発生剤の割合が多すぎると、光塩基発 剤がバインダー樹脂中に溶解できなくなっ しまう場合がある。

 塩基増殖剤の配合割合は、光塩基発生剤1 00重量部に対して、20~300重量部の範囲が好ま い。塩基増殖剤が20重量部未満であると、 基増殖剤反応を使った連鎖反応が効率的に こらない場合がある。300重量部を超えると 塩基増殖剤が溶媒中に飽和し、塩基増殖剤 析出することがある。また、反応系を連鎖 応が支配し、反応を止めたいときに止める とができず、反応の制御が困難になること ある。

 アミノアルキル化合物の配合割合は、光 基発生剤100重量部に対し、20~100重量部の範 が好ましい。アミノアルキル化合物の配合 合が20重量部未満では、アミノアルキル化 物を添加した効果が十分得られないことが り、アミノアルキル化合物の配合割合が100 量部を越えると光塩基発生剤から生じるラ カルは、光塩基発生剤と等量であり、過剰 加えても未反応で反応が終了することがあ 。

 アクリル系粘接着剤樹脂は、常温で粘着 を有するポリマーである。アクリル系粘接 剤樹脂は、一般の(メタ)アクリル系ポリマ の場合と同様に、例えば、主モノマーとし のアルキル基の炭素数が通常2~18の範囲にあ アクリル酸アルキルエステル及びメタクリ 酸アルキルエステルのうちの少なくとも一 と、官能基含有モノマーと、更に必要に応 て共重合可能な他の改質用モノマーとを常 により共重合させることにより得られる。 能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量 均分子量は通常20万~200万程度である。

 基板10が実質的に有機シロキサン化合物か なる場合のように、基板10の極性が低い場合 は、極性が低い粘接着剤樹脂を用いることが 好ましい。
極性が低い粘接着剤樹脂を用いることにより 、基板10の極性が低い場合においても、基板1 0とガス発生層20との密着強度を高めることが できる。

 極性が低い粘接着剤樹脂としては、アル ルペンダント系化合物やフッ素置換アルキ ペンダント系化合物などの極性が低い側鎖 有する粘接着樹脂、シリコーン系粘接着剤 脂などが挙げられる。

 アルキルペンダント系化合物としては、 えば、長鎖アルキルアクリレート重合物や 鎖アルキル変性高分子などが挙げられる。 鎖アルキルアクリレート重合物の具体例と ては、例えば、炭素数12以上の長鎖アルキ アクリレート、例えばステアリルアクリレ トと、皮膜形成成分としてのブチルアクリ ートやアクリロニトリルと、テープ支持体 の密着性を付与する官能基成分としてのア リル酸や無水マレイン酸とを共重合したも などが挙げられる。長鎖アルキル変性高分 の具体例としては、例えば、ポリビニルア コールなどの重合度の高いポリマーに対し 塩化アルキロイルやアルキルイソシアネー などの長鎖アルキル成分をペンダント化し ものなどが挙げられる。

 フッ素置換アルキルペンダント系化合物と ては、例えば、CF 3 基やCH 3 基を含む(メタ)アルキルアクリレートなどが げられる。また、フッ素置換アルキルペン ント系化合物は、例えば2,2,2-トリフルオロ チル(メタ)アクリレートや2,2,3,3―テトラフ オロペンチルアクリレートと、皮膜形成成 としてのブチルアクリレートやアクリロニ リルと、テープ支持体への密着性を付与す 官能基成分としてのアクリル酸や無水マレ ン酸とを共重合したものであってもよい。

 シリコーン系粘接着剤樹脂の具体例とし は、例えば、シリコーンゴムとシリコーン ジンとを含む混合物が挙げられる。シリコ ンゴムの具体例としては、下記式(1)で表さ る直鎖状のオルガノポリシロキサンが挙げ れる。シリコーンレジンの具体例としては 下記式(2)で表されるシリコーンレジンが挙 られる。

 (上記式(1)中、R 1 及びR 2 のそれぞれは、メチル基又はフェニル基であ り、nは5,000~20,000である。)

 (上記式(2)中、R 3 、R 4 及びR 5 のそれぞれは、メチル基又はフェニル基であ り、xは2,000~7,500であり、yは、2,300~13,500であ 。)

 シリコーンゴムは、架橋部を有するもの あってもよい。シリコーンゴムの架橋方法 特に限定されないが、例えば、過酸化ベン イルなどの過酸化物を用いる方法や、ヒド シリル化反応を用いる方法などが挙げられ 。

 シリコーン系粘接着剤樹脂の溶解度パラ ータ(SP値)は、特に限定されないが、例えば 6.0~11.0であることが好ましい。これによれば 極性が低い基板10とガス発生層20との密着強 度をより高くすることができる。ここで、溶 解度パラメータ(SP値)とは、物質の凝集エネ ギーの平方根であり、樹脂の溶剤への溶解 や樹脂同士の相溶性あるいは密着性の指針 なる。

 また、基板10の極性が低い場合には、粘 着剤樹脂にシランカップリング剤を含有さ てもよい。粘接着剤樹脂にシランカップリ グ剤を含有させた場合においても同様に、 性が低い基板10とガス発生層20との密着強度 高めることができる。シランカップリング の具体例としては、例えば、ビニルトリメ キシシラン、ビニルトリエトシキシラン等 ビニルシラン化合物、2-(3,4-エポキシシクロ ヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-グリ シドキシプロピルトリメトキシシラン等のエ ポキシシラン化合物、3-メタクリロキシプロ ル」メチルジメトキシシラン、3-メタクリ キシプロピルトリメトキシシラン等のメタ リロシラン化合物、N-2-(アミノエチル)-3-ア ノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-(ア ミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシ ラン等のアミノシラン化合物などが挙げら る。

 また、基板10の極性が低い場合は、基板10 とガス発生層20との間に密着層を設けてもよ 。これにより、基板10とガス発生層20との密 着強度を高めることができる。具体的には、 例えば、実質的に有機シロキサン化合物から なる基板10と、アクリル系粘接着剤を含むガ 発生層20とを用いる場合は、基板10とガス発 生層20との間に、実質的にポリエチレンテレ タレート(PET)樹脂からなる密着層を設ける とが好ましい。

 なお、粘着剤としての凝集力の調節を図 目的で、バインダー樹脂に、所望によりイ シアネート化合物、メラミン化合物、エポ シ化合物等の一般の粘着剤に配合される各 の架橋剤を適宜配合してもよい。また、バ ンダー樹脂に、可塑剤、樹脂、界面活性剤 ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤 加えてもよい。

 なお、ガス発生層20は、例えば、1又は複 のフィルムにより構成されていてもよい。 なわち、基板10上に成膜されることでガス 生層20が形成されていてもよく、また基板10 フィルム状のガス発生層20が貼付されてい もよい。

 バリア層21は、ガス発生層20の基板10側と 反対側の表面に設けられている。バリア層2 1は、ガス発生層20において発生したガスがバ リア層21側に流出することを抑制するための のである。このため、バリア層21は、ガス 生層20において発生するガスを透過させにく いものであることが好ましく、ガス発生層20 おいて発生するガスを実質的に透過させな ものであることが好ましい。

 また、バリア層21は、ガス発生層20が光照 射によってガスを発生させるものである場合 は、光を透過させるものであることが好まし い。

 バリア層21は、例えば樹脂製の膜、フィ ム又は基板、もしくはガラス製の膜、フィ ム又は基板であってもよい。バリア層21の材 質としては、例えば、ポリアクリル、ポリオ レフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル樹 脂、ABS樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PE T)樹脂、ナイロン樹脂、ウレタン樹脂、ポリ ミド樹脂及びガラスなどが挙げられる。

 なお、バリア層21は、ガス発生層20の上に 成膜することで形成されてもよい。また、ガ ス発生層20の上に、フィルム状のバリア層21 貼付されていてもよい。若しくは、バリア 21上に予めガス発生層20を成膜しておき、そ 後、ガス発生層20のバリア層21とは反対側の 表面を基板10に貼付してもよい。この場合に ガス発生層20の成膜方法は特に限定されな 。例えば、塗工や押し出し成形によりガス 生層20を成膜してもよい。

 また、バリア層21のガス発生層20側の表面 は、アンカー処理されていることが好ましい 。バリア層21のガス発生層20側の表面にアン ー処理を施しておくことによって、バリア 21とガス発生層20との間でガスが発生したり 発生したガスがバリア層21とガス発生層20と の間の隙間に溜まったりすることを抑制する ことができる。従って、バリア層21とガス発 層20とが剥離することを抑制することがで る。アンカー処理の方法は、上述した方法 同じ方法を用いることができる。

 なお、バリア層21の層厚は、特に限定さ ないが、10μm~100μmであることが好ましく、25 μm~75μmであることがさらに好ましい。

 以上説明したように、本実施形態では、 イクロ流路14の開口14aを覆うようにガス発 層20が設けられている。このため、ガス発生 層20に外部刺激が付与されることによりガス 生層20において発生したガスがマイクロ流 14に供給される。このため、例えば、特許文 献1に記載のマイクロポンプシステムのよう 、マイクロポンプ室を設ける必要がない。 って、本実施形態によれば、マイクロポン システム2、ひいてはマイクロ流体デバイス1 をより小型化することが可能となる。

 また、マイクロ流体デバイス1では、マイ クロポンプ室を基板内に形成する必要がなく 、単にガス発生層20を形成すればよいため、 許文献1に記載されたマイクロ流体デバイス よりもさらに容易に作製することができる。 特に、ガス発生層20としてガス発生フィルム 使用する場合は、さらに作製が容易となる

 さらに、本実施形態では、開口14aの開口 積を調節することによっても、マイクロ流 14に供給されるガスの量を調節することも 能である。

 本実施形態では、ガス発生層20の基板10と は反対側の表面にバリア層21が設けられてい 。このため、ガス発生層20において発生し ガスが効率的にマイクロ流路14に供給される 。従って、マイクロ流路14において、高いガ 圧を容易に得ることができる。

 また、本実施形態では、ガス発生層20に インダーが含有されている。このため、ガ 発生層20に種々の機能を付与することができ る。例えば、バインダーとして粘接着剤樹脂 を含有させることによって、ガス発生層20と 板10との粘接着性を高めることができる。 のため、例えば、ガスが発生したときにお るガス発生層20の基板10からの剥離を抑制す ことができる。従って、マイクロ流路14に けるガス圧をより高くすることができる。

 特に、バインダーとして外部刺激によっ 硬化しない粘接着剤樹脂を含有させること よって、ガス発生層20に対して外部刺激の 与が開始された後においても、ガス発生層20 の基板10に対する高い粘接着性を維持するこ ができる。従って、マイクロ流路14におけ ガス圧をさらに高くすることができる。

 以下、本発明を実施した好ましい形態の らなる例について説明する。以下の説明に いて、第1の実施形態と実質的に共通の機能 を有する部材を共通の符号で参照し、説明を 省略する。

 (第2の実施形態)
 上記第1の実施形態では、マイクロ流体デバ イス1にひとつのガス発生部3のみが形成され いる例について説明した。但し、本発明に いて、図2に示すように、ガス発生部3は複 形成されていてもよい。言い換えれば、マ クロ流路14は複数設けられていてもよい。こ の場合において、ガス発生層20は、複数のガ 発生部3に共通してひとつのみ設けてもよい 。

 本実施形態のように、複数のガス発生部3 がマトリクス状に形成されている場合におい て、ガス発生層20が光照射によりガスを発生 せるものである場合は、平面視において、 接する開口14a相互間に、ガス発生層20に照 される光23を遮光する1又は複数の遮光層22を 設けてもよい。

 この遮光層22を設けることによって、ガ 発生層20の各開口14aに対応する部分への光照 射の制御が容易となる。具体的には、例えば 、遮光層22が設けられていない場合は、ガス 生層20の隣接する複数の開口14aに対応する 分の全体に光が照射されてしまう虞がある よって、ガス発生層20のうち、ひとつの開口 14aに対応する部分にのみ光照射することが困 難である。それに対して、本実施形態では、 ガス発生層20の隣接する開口14aに対応する部 相互間が遮光層22により区画されている。 のため、ガス発生層20のある特定の開口14aに 対応する部分に対して照射しようとした光が 、ガス発生層20の上記特定の開口14aに隣接す 開口14aに対応する部分に対して照射される とが抑制される。このため、各ガス発生部3 を独立して制御することが容易となる。

 遮光層22は、各開口14aに対応する部分に 口又は光透過部が形成されたものであるこ が好ましい。換言すれば、平面視において ガス発生層20の各開口14aに対応する部分が遮 光層22において相互に隔離されていることが ましい。ガス発生層20のある特定の開口14a 対応する部分に対して照射しようとした光 、ガス発生層20の上記特定の開口14aに隣接す る開口14aに対応する部分に対して照射される ことをより効果的に抑制することができるか らである。

 本実施形態は、隣接する開口14a相互間の 離が短いときに特に有効である。言い換え ば、本実施形態によれば、多数のガス発生 3を密集して配置することも可能となる。

 (第3の実施形態)
 上記第2の実施形態では、ガス発生層20は、 数のガス発生部3に共通してひとつのみ設け られている例について説明した。但し、図3 示すように、ガス発生層20を複数のガス発生 部3のそれぞれに対して別個に設けてもよい この場合、ガス発生層20と基板10とが必ずし 貼付されている必要はない。例えば、隣接 るガス発生層20の間においてバリア層21と基 板10とを接着させ、バリア層21を基板10に対し て固定すると共に、バリア層21と基板10との にガス発生層20を配置してもよい。

 (第4の実施形態)
 図4は、第4の実施形態に係るマイクロ流体 バイスの断面図である。図4に示すように、 実施形態では、バリア層21は、ガス発生層20 の外周に位置する外周部21aにおいて、全周に わたって基板10に接合されている。これによ 、基板10とバリア層21との間に実質的に気密 された空間が形成されている。そして、その 気密空間内にガス発生層20が配置されている

 ガス発生層20は、基板10に粘着又は接着さ れていてもよく、基板10に粘着及び接着され いなくてもよい。ガス発生層20には、連通 20aが形成されている。連通孔20aは、開口14a 連通している。

 例えば、連通孔20aが形成されていない場 は、ガス発生層20の基板10とは反対側の表面 において発生したガスは、ガス発生層20の内 を経由してマイクロ流路14に供給される。 のため、マイクロ流路14に対するガスの供給 効率が低くなる傾向にある。それに対して、 本実施形態では、連通孔20aが形成されている ため、ガス発生層20の基板10とは反対側の表 において発生したガスも連通孔20aを介して イクロ流路14に供給される。このため、マイ クロ流路14に効率的にガスを供給することが きる。従って、例えば、ガス発生層20を小 くすることも可能となる。

 (第5の実施形態)
 図5は、第5の実施形態に係るマイクロ流体 バイスの断面図である。図5に示すように、 ス発生層20には、開口14aに接続された1又は 数の溝20bが形成されていてもよい。これに れば、ガス発生層20の開口14aから離れた部 において発生したガスも効率的にマイクロ 路14に供給することが可能となる。

 例えば、図6に示すように、開口14aに対応 する部分から放射状に延びるように複数の溝 20bを形成することが好ましい。これによれば 、ガス発生層20のより広域な部分からマイク 流路14に対してガスを供給することが可能 なるからである。

 また、図7に示すように、放射状に形成さ れた複数の溝20bを連通させる輪帯状又は馬蹄 状の溝をさらに形成してもよい。なお、本発 明において、溝20bの形成する本数、形状は何 ら限定されない。

 なお、溝20bの替わりに、ガス発生層20を さ方向に貫通する開孔を形成してもよい。

 また、溝20bや開孔を形成する替わりに、 ス発生層20の基板10側の表面を粗面としても よい。その場合であっても、ガス発生層20の 口14aから離れた部分において発生したガス 効率的にマイクロ流路14に供給することが 能となる。

 また、上記第5の実施形態のように、ガス 発生層20に溝20bを形成する替わりに、図8及び 図9に示すように、基板10の表面10aに溝10cを形 成してもよい。さらに、ガス発生層20に溝20b 形成すると共に、基板10の表面10aに溝10cを 成してもよい。

 (実験例1)
 2-エチルへキシルアクリレート96.5重量部、 クリル酸3重量部、2-ヒドロキシエチルアク レート0.5重量部のアクリル系共重合体(重量 平均分子量70万)を用意した。

 前記アクリル系共重合体100重量部と、溶 としての酢酸エチル200重量部と、架橋剤と てのイソシアネート系化合物(日本ポリウレ タン社製、商品名コロネートL45)5重量部とを 合し、粘接着剤樹脂バインダー溶液を調製 た。

 前記粘接着剤樹脂バインダー溶液に、光 発生剤としての2,3,4,4’-テトラヒドロキシ ンゾフェノンと、酸刺激ガス発生剤として 炭酸水素ナトリウムとを配合し、光応答性 ス発生材料とした。なお、2,3,4,4’-テトラヒ ドロキシべンゾフェノンと、炭酸水素ナトリ ウムとのそれぞれの配合量は、アクリル系共 重合体100重量部に対して35重量部、75重量部 した。

 前記光応答性ガス発生材料を、アンカー 理が施された厚さ50μmのPETフィルム上にキ ストにより塗布した後、乾燥させることに り光応答性ガス発生フィルムを作製した。 燥後の光応答性ガス発生フィルムの厚みは 30μmであった。

 (実験例2)
 実験例1の粘接着剤樹脂バインダー溶液に、 上記光酸発生剤及び酸刺激ガス発生剤に替え て、光ガス発生剤として2,2’-アゾビス-(N-ブ ル-2-メチルプロピオンアミド)をアクリル系 共重合体100重量部に対して20重量部配合した 外は、実験例1と同様にして、光応答性ガス 発生フィルムを作製した。

 (実験例3)
 光ガス発生剤として3-アジドメチル-3-メチ オキセタンを用いたこと以外は実験例2と同 にして、光応答性ガス発生フィルムを作製 た。

 (評価)
 大きさ50mm×50mm、厚さ5mmで中心に直径1mmの貫 通孔が形成されたポリメチルメタクリレート (PMMA)製板を用意した。実験例1~3で得られた各 光応答性ガス発生フィルムを、ハンドローラ ーを用いて、PMMA製板に貼付した。

 ガスが通過するチューブと、そのチュー の一端に取り付けられたガス量測定用のメ ピペットとを備えるガス発生定量測定装置 用意した。そのガス発生定量測定装置のチ ーブの他端をPMMA製板に形成された貫通孔の 光応答性ガス発生フィルムとは反対側の開口 に接続した。なお、ガス発生定量測定装置は 、チューブの一方から水を流し込み、メスピ ペットの基準線まで水を満たした状態を初期 状態として、この初期状態からのフォルムか ら発生したガスによる水位変化を計測するも のである。

 次に、光応答性ガス発生フィルムに、高圧 銀灯を用いて波長365nmの紫外線を光照射強 24mW/cm 2 (365nm)で照射したときのガス発生量を測定し 。また、紫外線を照射してから200秒経過後 、光酸発生剤と酸刺激ガス発生剤との合計 、及び光ガス発生剤1gあたりのガス発生量を 測定し、下記の評価基準で評価した。

 〔ガス発生量の評価基準〕
◎:光ガス発生剤1gあたりのガスの発生量が1.5 mL以上
○:光ガス発生剤1gあたりのガスの発生量が1.0 mL以上、1.5mL未満
△:光ガス発生剤1gあたりのガスの発生量が0.5 以上、1.0mL未満
×:光ガス発生剤1gあたりのガスの発生量が0.5m L未満
 結果を以下に示す。

 〔ガス発生量評価結果〕
 実験例1:○
 実験例2:◎
 実験例3:◎

 (変形例3~12)
 上記実施形態では、1つのマイクロ流路14に して開口14aが1つだけ形成されている例につ いて説明した。ただし、本発明はこの構成に 限定されない。例えば、1つのマイクロ流路14 に対して複数の開口14aが形成されていてもよ い。また、基板10には、相互に接続された複 のマイクロ流路14が形成されていてもよい 図10~図22に、マイクロ流路14の形成例を示す

 図10及び図11に示す例では、1つのマイク 流路14に対して、2つの開口14aが形成されて る。そして、マイクロ流路14からのガスを排 出するためのガス排出口30がマイクロ流路14 端部に形成されている。

 図12に示す例では、1つのマイクロ流路14 対して、4つの開口14aが直列に形成されてい 。ガス排出口30は、マイクロ流路14の隣接す る開口14a相互間の部分に形成されている。

 図13に示す例では、1つのガス排出口30に して、複数のマイクロ流路14が並列に接続さ れている。具体的には、1つのガス排出口30に 対して、3つのマイクロ流路14が並列に接続さ れている。各マイクロ流路14には、それぞれ 数の開口14aが形成されている。

 図14に示す例では、1つのガス排出口30に して、4つのマイクロ流路14が接続されてい 。複数のマイクロ流路14の内の少なくともひ とつは、枝分かれ状に形成されている。

 図15に示す例では、複数の開口14aが、マ クロ流路14によって網目状に接続されている 。

 図16に示す例では、網目状に形成された イクロ流路14の中央部にガス排出口30が形成 れている。

 図17及び図18に示す例では、1つのガス排 口30に対して、ガス排出口30から放射状に延 る複数のマイクロ流路14が接続されている 図17に示す例では、各マイクロ流路に1つの 口14aが形成されている。そして、各マイク 流路が相互に接続されている。図18に示す例 では、各マイクロ流路14に、複数の開口14aが 等間隔に、直列に形成されている。

 図19及び図20に示す例においても、1つの ス排出口30に対して、ガス排出口30から放射 に延びる複数のマイクロ流路14が接続され いる。図19では、各マイクロ流路14は、ガス 出口30に接続された主流路14bと、副流路14c を備えている。副流路14cは、主流路14bに並 に接続されている。複数の副流路14cのそれ れにも、開口14aが形成されている。図20に示 すように、1つのガス排出口30に接続された複 数のマイクロ流路14からなるマイクロ流路群3 1が、基板10に複数形成されている。

 図21及び図22に示す例では、相互に接続さ れた複数のマイクロ流路14を含むマイクロ流 組32が1つのガス排出口30に対して複数接続 れている。そして複数のマイクロ流路組32か らなるマイクロ流路群31が、基板10に複数形 されている。

 以上のように、1つのマイクロ流路14に対 て複数の開口14aを形成したり、1つのガス排 出口30に対して複数のマイクロ流路14を接続 たりすることにより、1つのガス排出口30か 排出されるガスの量を多くすることができ 排出ガス圧力を高くすることができる。ま 、1つのガス排出口30から、長期間にわたっ ガスを排出させることも可能となる。

 特に、例えば、図19に示す例のように、 口14aを密集して配置することにより、小型 ありつつ、高い出力及び長期間にわたるガ 排出が可能なマイクロ流体デバイスを実現 ることが可能となる。

 なお、図19に示す例のように、開口14aが 集して配置されている場合は、複数のLEDが 則的に配列されたLEDアレイを光源として用 ることが好ましい。

 また、ひとつのガス排出口30に接続され 1または複数のマイクロ流路14に形成された 数の開口14aに対して光を照射するタイミン は、相互に等しくてもよいし、異なってい もよい。複数の開口14aに対して光を照射す タイミングを相互に異ならせることにより ス排出が可能な期間をより長くすることが きる。