Die Erfindung betrifft einen mikromechanischen Druck- und Kraftsensor mit einer Membranplattenanordnung und einer Elektrodenanordnung, deren Kapazitätswerte durch auf die Membranplattenanordnung einwirkende Kräfte veränderbar sind.

Aus der EP 0 138 893 Bl ist ein Drucksensor bekannt, der eine untere Siliziumscheibe aufweist, die durch eine weitere obere Siliziumscheibe abgedeckt ist. In die obere Siliziumscheibe ist durch Siliziumätzen eine Membran erstellt worden. Auf der der unteren Silizium- scheibe zugewandten Innenseite der oberen Silizium¬ scheibe ist eine Meßelektrode ausgebildet, die einer auf der unteren Siliziumscheibe angeordneten Gegenelektrode gegenüberliegt. Wenn die Membran einem an der oberen Siliziumscheibe anliegenden äußeren Druck ausgesetzt ist, verringert sich der Abstand der Meßelektrode zur Gegenelektrode, und die Kapazität des von der Meßelek¬ trode und der Gegenelektrode gebildeten Kondensators nimmt zu. Durch Messung der Kapazität ist demnach der an der oberen Siliziumscheibe anliegende Druck bestimmbar.

Der bekannte Drucksensor eignet sich insbesondere für Absolutdruckmessungen. Relativdruckmessungen lassen sich nur nach Füllung der sich zwischen der unteren Silizium¬ scheibe und der oberen Siliziumscheibe befindenden Meßkammer mit einem Gas durchführen. In diesem Zustand ist mit dem bekannten Drucksensor der Druck des sich in der Meßkammer befindenden Gases im Verhältnis zum Außen¬ druck bestimmbar.

Die DE 41 11 118 AI zeigt einen Drucksensor, der zur Messung von Differenzdrücken zwei Druckkammern aufweist. Gegenüber einer auf einem starren Elektrodendeckel befindlichen Festelektrode ist eine auf einer elasti- sehen Membran aufgebrachte bewegliche Elektrode angeord¬ net. Auf der zur festen Elektrode zeigenden gegenüber¬ liegenden Seite der Membran befindet sich ein Anschlu߬ deckel. Zwischen dem Elektrodendeckel und der Membran einerseits und zwischen der Membran und dem Anschluß- deckel andererseits befinden sich zwei Druckkammern mit jeweils einer Durchgangsöffnung zur Zuführung von Drücken. Sind beide Druckkammern mit unterschiedlichen Drücken beaufschlagt, bestimmt die Druckdifferenz zwischen den beiden Kammern den Abstand der beweglichen Elektrode zur Festelektrode und damit die zur Druck¬ differenzmessung verwendete Kapazität des Kondensators, der aus den beiden Elektroden gebildet wird.

In der DE 44 36 299 Cl ist eine Drucksensor-Chipstruktur mit einer Klemmeinrichtung zur Messung von Differenz¬ drücken offenbart, wobei die Klemmeinrichtung sowohl zum Kontaktieren und Halten der Drucksensor-Chipstruktur dient als auch der Zuführung der zu untersuchenden Flüssigkeiten oder Gase. Die Chipstruktur ist mit der Klemmeinrichtung beispielsweise durch Kleben verbunden und gewährt so einem Gas oder einer Flüssigkeit über in der Chipstruktur befindliche Kanäle Zugang zu einer Meßkammer.

Da die oben beschriebenen Differenzdrucksenoren Flüs- sigkeits- oder Gaszuführungen aufweisen, sind derartige Vorrichtungen verhältnismäßig fehleranfällig und für die Herstellung in großen Serien ungeeignet.

Andererseits besteht aber auf den verschiedensten tech¬ nischen Gebieten, wie beispielsweise bei hydraulischen Anwendungen im Heizungsbau, in der Verkehrstechnik oder in der Verfahrenstechnik, ein großer Bedarf an kosten- günstigen Differenzdrucksensoren, mit denen Druck¬ differenzen auch bei hohen statischen Drücken mit hoher Genauigkeit meßbar sind.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfin- düng die Aufgabe zugrunde, einen mikromechanischen Druck- und Kraftsensor zu schaffen, der auf einfache Weise herstellbar ist und mit dem Druckdifferenzen mit hoher Genauigkeit meßbar sind.

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Membranplat¬ tenanordnung eine Vielzahl von auf beiden Seiten von wenigstens einer Grundplatte angeordneten Membranplatten umfaßt, die durch wenigstens ein im Bereich der Grund¬ platte ausgebildetes Koppelelement kraftmäßig verbunden sind, und daß der Abstand der Membranplatten zu der zwischen den Membranplatten angeordneten Grundplatte mit Hilfe der Elektrodenanordnung meßbar ist.

Dadurch, daß wenigstens zwei Membranplatten jeweils durch wenigstens ein Koppelelement kraftmäßig verbunden sind, führt eine Druckdifferenz zwischen den außenseitig an den Membranplatten anliegenden Drücken zu einer Bewegung der Membranplatten und damit zu einer Abstands¬ änderung der Membranplatten bezüglich der sich zwischen den Membranplatten befindenden Grundplatte. Diese Lage¬ änderung ist mit Hilfe der Elektrodenanordnung erfaßbar.

Da keine besonderen Leitungsanschlüsse für die zu ver¬ gleichenden Fluide an dem Drucksensor vorzusehen sind, lassen sich mit dem mikromechanischen Druck- und Kraft-

sensor Druckdifferenzen auf einfache Weise messen. Außerdem lassen sich die Bauteile des mikromechanischen Druck- und Kraftsensors auf einfache und bewährte Weise aus Siliziummaterial fertigen, so daß die Herstellung sehr kostengünstig ist.

Da sich Kapazitäten im allgemeinen mit hohen Genauig¬ keiten messen lassen, verfügt der mikromechanische Druck- und Kraftsensor auch über ein hohes Maß an Meßge- nauigkeit.

Nachfolgend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der

Erfindung anhand der Figuren näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines Ausführungsbei¬ spiels des mikromechanischen Druck- und Kraft¬ sensors,

Fig. 2 eine Draufsicht auf eine Grundplatte des Druck- und Kraftsensors aus Fig. 1,

Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Membranplatte des Druck- und Kraftsensors aus Fig. 1,

Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines weiteren Aus¬ führungsbeispiels der Erfindung,

Fig. 5 eine Draufsicht auf die Grundplatte des Aus- führungsbeispiels aus Fig. 4 und

Fig. 6 eine Draufsicht auf die Membranplatte des Aus¬ führungsbeispiels aus Fig. 4.

Fig. 1 zeigt ein erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines Kraft- und Drucksensors 1. Der Druck- und Kraft¬ sensor 1 weist eine Grundplatte 2 auf, auf deren Ober- und Unterseite jeweils eine Membranplatte 3 aufgebracht ist. Die Grundplatte 2 und die Membranplatten 3 weisen Dicken von 0,5 Millimeter und Längenabmessungen von 3 bis 6 Millimeter auf. In den Randbereichen der Membran¬ platten 3 sind umlaufende Biegenuten 4 eingebracht, durch die die Membranplatten 3 geschwächt sind. Dadurch sind die Membranplatten 3 an dieser Stelle verformbar. Durch die Biegenuten 4 sind am Rand der Membranplatten 3 Befestigungsstege 5 ausgebildet, an denen der Druck- und Kraftsensor 1 in eine in der Zeichnung nicht darge¬ stellte Haltevorrichtung einspannbar ist. Außerdem ist durch die Biegenuten 4 ein steifer Membrankörper 6 ausgebildet, an dem die zu messenden Außendrücke oder Kräfte angreifen.

In der Grundplatte 2 bilden zwei jeweils von der einen Seite in die Grundplatte 2 eingebrachte Gruben 7 ein von einer dünnen Haltemembran 8 gehaltenes Koppelelement 9 in der Grundplatte 2 aus. Das Koppelelement 9 ist an seinen beiden Enden über Koppelkontakte 10 an Koppeler¬ höhungen 11 an den Membrankörpern 6 befestigt. Die beiden Koppelkontakte 10 sind eutektische Verbindungen, die durch jeweils eine auf das Koppelelement 9 auf¬ gebrachte Koppelkontaktschicht 12 und eine weitere auf die Koppelerhöhung 11 aufgebrachte Koppelkontaktschicht 13 bewerkstelligt sind. Da die Koppelkontakte 10 feste eutektische Verbindungen bilden, sind mit dem in Fig. 1 dargestellten Druck- und Kraftsensor 1 nicht nur Außen¬ drücke, sondern auch auf die Membranplatten 3 ein¬ wirkende Zugkräfte meßbar.

Außerdem ist an der Grundplatte eine Randleiste 14 ausgebildet, die mit einer gegenüberliegenden Randleiste 15 der Membranplatten 3 über einen Randkontakt 16 ver¬ bunden ist. Der Randkontakt 16 ist eine eutektische Verbindung, die wie die Koppelkontakte 10 durch einen auf der Randleiste 14 aufgebrachten Randstreifen 17 und einen weiteren auf der Randleiste 15 aufgebrachten Randstreifen 18 gebildet ist. Durch den Randkontakt 16 und die Kuppelkontakte 10 sind die Membranplatten 3 mit der Grundplatte 2 elektrisch und mechanisch verbunden. Die Randleisten 14 und 15 begrenzen einen zwischen der jeweiligen Membranplatte 3 und der Grundplatte 2 ausge¬ bildeten Meßraum 19, dessen Volumen bei Einwirken einer äußeren Kraft auf den Membrankörper 6 durch die Ab- Standsänderung zwischen Membrankörper 6 und Grundplatte 2 vergrößert oder verkleinert wird.

Zur Messung der Abstandsänderung ist auf der Grundplatte 2 auf jeweils einer Isolierschicht 20 eine Meßelektrode 21 aufgebracht. Den Meßelektroden 21 gegenüberliegend, sind auf weiteren Isolierschichten 22, die auf den Mem¬ branplatten 3 aufgebracht sind, Gegenelektroden 23 ausgebildet. Die Gegenelektroden 23 sind mit Anschlu߬ leitungen 24 verbunden, die durch Öffnungen 25 in den Randleisten 14 und 15 zu Anschlußkontakten 26 geführt sind. An die Anschlußkontakte 26 sind in der Zeichnung nicht dargestellte Zuleitungen anschließbar. Die Öffnung 25 dient darüber hinaus dazu, den Meßraum 19 zu ent¬ lüften und einen Druckausgleich herbeizuführen.

In Fig. 1 wurde der Deutlichkeit halber der Abstand zwischen den Meßelektroden 21 und den Gegenelektroden 23 stark übertrieben gezeichnet. Üblicherweise beträgt der Abstand zwischen den Meßelektroden 21 und den Gegenelek- troden 23 in etwa 5 Mikrometer.

Der in Fig. 1 dargestellte Druck- und Kraftsensor 1 eignet sich insbesondere zur Messung von Druckdifferen¬ zen. Ist der an der einen Membranplatte 3 anliegende Außendruck größer als der an der anderen Membranplatte 3 anliegende Außendruck, so werden die Gegenelektroden 23 der einen Membranplatte 3 zu den Meßelektroden 21 der Grundplatte 2 hin bewegt und die Gegenelektroden 23 der anderen Membranplatte 3 von den gegenüberliegenden Meßelektroden 21 der Grundplatte 2 weg bewegt. Die dadurch eintretende Kapazitätsänderung der von den Meßelektroden 21 und den Gegenelektroden 23 gebildeten Kondensatoren ist beispielsweise durch eine Brücken¬ schaltung meßbar. Da bei dem Druck- und Kraftsensor 1 eine Zunahme der Kapazität bei dem einen Elektrodenpaar stets mit einer Abnahme der Kapazität des anderen Elek- trodenpaareε einhergeht, läßt sich mit dem Druck- und Kraftsensor 1 eine Meßvorrichtung bauen, die im Ver¬ gleich zu einer Meßvorrichtung, die einen herkömmlichen, einfachen, ein einzelnes Elektrodenpaar aufweisenden Drucksensor verwendet, eine doppelt so hohe Meßgenauig¬ keit aufweist.

Der dynamische Bereich der Druckmessung läßt sich auf einfache Weise durch die Tiefe der Biegenuten 4 fest- legen. Je tiefer die Biegenuten 4 sind, um so größer ist die Schwächung der Membranplatten 3 im Bereich der Biegenuten 4, um so empfindlicher ist der Druck- und Kraftsensor 1 auf Druckänderungen, und desto kleiner ist auch der dynamische Meßbereich des Druck- und Kraftsen- sors l.

Durch dieses Merkmal eignet sich der Druck- und Kraft¬ sensor 1 insbesondere für ein modulares Herstellungsver¬ fahren. Bei der Herstellung des Druck- und Kraftsensors 1 werden zunächst die Grundplatten 2 in großen Serien

gefertigt. Die Membranplatten 3 werden jedoch nach den Spezifikationen des Kunden je nach gewünschtem Druck¬ bereich und erforderlicher Empfindlichkeit angefertigt.

Der Druck- und Kraftsensor 1 läßt sich nicht nur zu Relativdruckmessungen, sondern auch zu Absolutdruck¬ messungen verwenden. Dazu ist der Druck- und Kraftsensor 1 auf eine ebene Unterlage aufzubringen und der zu messende Druck an eine der Membranplatten 3 anzulegen.

Allgemein gilt, daß sich der Druck- und Kraftsensor 1 wegen der hohen Bruchfestigkeit des zur Herstellung der Membranplatten 3 und der Grundplatte 2 verwendeten Sili¬ ziummaterials auch für hohe statische Drücke eignet.

Ein Vorteil des Druck- und Kraftsensors 1 ist, daß er in der Herstellung verhältnismäßig kostengünstig ist. Als Basismaterial für die Grundplatte 2 und die Membran¬ platte 3 kommt Silizium in Frage, in das die Biegenuten 4, die Randleisten 14, die Koppelerhöhung 11, die Gruben 7 sowie die Randleisten 15 durch Siliziumätzen einätzbar sind. Die Isolierschichten 20 und 22 sind üblicherweise aus Si0 ₂ . Als Material für die Meßelektrode 21 und Gegenelektrode 23 eignet sich aufgrund seiner hohen Korrosionsbeständigkeit insbesondere Gold. Gold bildet auch das Material für die Koppelkontaktschichten 12 und 13 sowie für die Randstreifen 17 und 18. Die Isolier¬ schichten 20 und 22 sowie die Koppelkontaktschichten 12 und 13 und die Randstreifen 17 und 18 sind in der üb- liehen Lithographietechnik herstellbar. Da zum Ätzen und Beschichten der Grundplatte 2 und der Membranplatte 3 nur etwa zehn Masken notwendig sind, ist die Herstellung des Druck- und Kraftsensors 1 auch in dieser Hinsicht verhältnismäßig kostengünstig.

Um die Membranplatten 3 an der Grundplatte 2 zu be¬ festigen, werden die Membranplatten 3 auf die Grund¬ platte 2 aufgelegt und der Druck- und Kraftsensor 1 im Vakuum unter Ausübung von Druck erhitzt. Das die Koppel- kontaktschichten 12 und 13 sowie die Randstreifen 17 und 18 bildende Gold wird vom Silizium der Membranplatten 3 und der Grundplatte 2 absorbiert und es entsteht ein Eutektikum aus den Materialien Silizium und Gold, das nach dem Abkühlen die eutektische Verbindung zwischen den Membranplatten 3 und der Grundplatte 2 bildet. Dementsprechend dienen die Isolierschichten 20 und 22 nicht nur dazu, die Meßelektrode 21 und die Gegenelek¬ trode 23 von der Grundplatte 2 und den Membranplatten 3 zu isolieren, sondern auch dazu, die Absorption der Meßelektrode 21 und der Gegenelektrode 23 in das Sili¬ ziummaterial der Grundplatte 2 und der Membranplatten 3 zu verhindern.

Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf die Grundplatte 2 des Druck- und Kraftsensors 1 aus Fig. 1. Im Mittenbereich der Grundplatte 2 ist die Koppelkontaktschicht 12 er¬ kennbar, die auf dem Koppelelement 9 aufgebracht ist. Das Koppelelement 9 ragt aus der Grube 7 hervor, die von der auf der Isolierschicht 20 aufgebrachten Meßelektrode 21 umschlossen ist. Um die Fertigung zu erleichtern, ist die Grube 7 der Kristallstruktur der Grundplatte 2 folgend im Grundriß rechteckig ausgebildet. Die im Grundriß der Grube 7 folgende Meßelektrode 21 weist dementsprechend ebenfalls einen rechteckförmigen Grund- riß auf.

Die Isolierschicht 20 ist von der Randleiste 14 umgeben, auf die der Randstreifen 17 aufgebracht ist. Durch die

Öffnung 25 in der Randleiste 14 ist eine Anschlußleitung 27 von der Meßelektrode 21 zu einem Anschlußkontakt 28

geführt. Außerdem befindet sich in der Öffnung 25 ein Anschlußpreßkontakt 29, der die Verbindung zu der Gegen¬ elektrode 23 der Membranplatte 3 herstellt. Die An¬ schlußleitung 24 verbindet den Anschlußpreßkontakt 29 mit dem Anschlußkontakt 26 für die Gegenelektrode 23. Außerdem sind auf der Grundplatte 2 Massenkontakte 30 angeordnet, die über Massestreifen 31 eine Massever¬ bindung mit dem Material der Grundplatte 2 und dem Material der mit der Grundplatte 2 verbundenen Membran- platten 3 herstellen. Auf diese Weise ist der von der Meßelektrode 21 und der Gegenelektrode 23 gebildete Kondensator gegen Störfelder abgeschirmt.

Die Verbindung des Anschlußpreßkontaktes 29 mit dem Anschlußpreßkontakt 32 wird bei dem Zusammenfügen der Grundplatte 2 mit den Membranplatten 3 durch den dabei ausgeübten Anpreßdruck bewerkstelligt. Durch diesen Anpreßdruck verschmilzt der Anschlußpreßkontakt 29 mit dem Anschlußpreßkontakt 32.

Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf die Membranplatte 3 des Druck- und Kraftsensors 1 aus Fig. 1. Man erkennt die Koppelerhöhung 11, auf die die Koppelkontaktschicht 13 aufgebracht ist. Ferner ist die der Meßelektrode 21 gegenüberliegende Gegenelektrode 23 erkennbar, die über die Anschlußleitung 24 mit einem dem Anschlußpreßkontakt 29 gegenüberliegenden Anschlußpreßkontakt 32 verbunden ist. Die Gegenelektrode 23 befindet sich auf einer Isolierschicht 22, die von der Randleiste 15 umgeben ist, auf der sich der Randstreifen 18 zur Herstellung einer eutektischen Verbindung der Membranplatte 3 mit der Grundplatte 2 befindet.

Fig. 4 zeigt ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbei- spiel des Druck- und Kraftsensors 1, bei dem die Kapazi-

tat der Meßelektrode 21 gegen Masse gemessen wird. Dieses Ausfuhrungsbeispiel zeichnet sich durch seinen besonders einfachen Aufbau aus.

Wie in Fig. 5 und 6 erkennbar ist, entfällt bei diesem Ausführungsbeispiel auf der Grundplatte 2 der Anschlu߬ kontakt 26, die Anschlußleitung 24 sowie der Anschlu߬ preßkontakt 29, wodurch die Führung der Anschlußleitung 27 durch die Öffnung 25 hindurch vereinfacht ist.

Auf der Membranplatte entfallen neben dem Anschlußpre߬ kontakt 32 und der Anschlußleitung 24 auch die Gegen¬ elektrode 23, wodurch die Herstellung der Membranplatten 3 und der Grundplatte 2 wesentlich erleichtert ist.

Bei einem abgewandelten Ausführungsbeispiel ist eine Vielzahl der wie in Fig. 1 bis 6 dargestellten Druck- und Kraftsensoren aufeinander gestapelt und die Meßelek¬ troden und Gegenelektroden elektrisch parallel ge- schaltet. Dadurch läßt sich der dynamische Meßbereich des Druck- und Kraftsensors wesentlich erhöhen.

Abschließend sei angemerkt, daß bei einem weiteren abgewandelten Ausführungsbeispiel lediglich Gegenelek- troden auf den Membranplatten vorhanden sind, deren Kapazität gegen Masse zur Bestimmung des Abstandes der Membranplatten zur Grundplatte verwendet wird.

Bei einem weiteren abgewandelten Ausführungsbeispiel ist schließlich anstatt zwei Meß- und Gegenelektrodenpaaren nur ein einzelnes Meß- und Gegenelektrodenpaar oder lediglich ein einzelnes Meß- oder Gegenelektrodenpaar vorhanden.