| JPS5836564 | ULTRASONIC INHALATOR |
| WO/1996/028205 | ULTRASONIC ATOMIZER DEVICE WITH REMOVABLE PRECISION DOSING UNIT |
| WO/1990/010469 | AN ATOMIZING NOZZLE DEVICE FOR ATOMIZING A FLUID AND AN INHALER |
| CN203899831U | 2014-10-29 | |||
| CN201659059U | 2010-12-01 | |||
| EP1236517A1 | 2002-09-04 | |||
| CN101850308A | 2010-10-06 | |||
| US6802460B2 | 2004-10-12 | |||
| US20100154790A1 | 2010-06-24 |
北京派特恩知识产权代理有限公司 (CN)
| 权利要求书 1、 一种微孔雾化片， 其中， 所述微孔雾化片设置有微孔区， 所述微孔 区内分布有多个微孔； 所述微孔雾化片的微孔孔道内壁及其表面包覆有薄 膜； 所述微孔的孔径为 0.05μπι-20μπι。 2、 根据权利要求 1所述的微孔雾化片， 其中， 所述微孔区中微孔的数 量为 100-1000000个。 3、 根据权利要求 1所述的微孔雾化片， 其中， 所述微孔雾化片的直径 为 l-50mm。 4、 根据权利要求 1 所述的微孔雾化片， 其中， 所述微孔区的外径为 l-50mm。 5、 根据权利要求 1所述的微孔雾化片， 其中， 所述微孔雾化片为金属 雾化片、 陶瓷雾化片及有机材质雾化片中的任意一种。 6、 根据权利要求 1所述的微孔雾化片， 其中， 所述微孔雾化片的微孔 孔道内壁及其表面的包覆材料为一层或多层厚度均勾的薄膜； 当所述包覆材料为一层时， 所述包覆材料为以下薄膜中的任意一种； 当所述包覆材料为多层时， 所述包覆材料为以下薄膜中的任意一种重 叠形成的多层薄膜， 或以下任意几种交替重叠形成的多层薄膜， 或以下一 种重叠形成的多层薄膜和以下任意几种交替重叠形成的多层薄膜的组合多 层薄膜； 所述薄膜包括： 氧化铝 A1203薄膜、二氧化硅 Si02薄膜、二氧化钛 Ti02 薄膜、 氧化锌 ZnO薄膜、 二氧化铪 Hf02薄膜、 氧化镁 MgO薄膜、 二氧化 锆 Zr02薄膜、 氧化镍 NiO薄膜、 氧化钴 CoO薄膜、 铁的氧化物形成的薄 膜 FeOx薄膜、 铜的氧化物形成的薄膜 CuOx薄膜、 氧化硼 B203薄膜、 氧化 铟 In203薄膜、 氧化锡 Sn02薄膜、 氧化镓 Ga203薄膜、 五氧化二铌 Nb205 薄膜、 三氧化二钆 Gd203薄膜、 五氧化二钽 Ta205薄膜、 氮化硼 BN薄膜、 氮化铝 A1N薄膜、 氮化钛 TiN薄膜、 碳化硅 SiC薄膜、 硫化锌 ZnS薄膜、 硫化锆 ZrS薄膜、 透明质酸 HA薄膜、 钨 W薄膜、 铂 Pt薄膜、 钌 Ru薄膜、 钯 Pd薄膜、 均苯四甲酸二酐-二氨基二苯醚 PMDA-DAH薄膜、 均苯四甲酸 二酐-己二胺 PMDA-ODA薄膜、 均苯四甲酸二酐-乙二胺 PMDA-EDA薄膜 及均苯四甲酸二酐-对苯二胺 PMDA-PDA薄膜。 7、 根据权利要求 1所述的微孔雾化片， 其中， 所述微孔雾化片中微孔 孔道的形状为： 圓形、 三角形、 椭圓形、 方形及喇 形中的任意一种。 8、 根据权利要求 1所述的微孔雾化片， 其中， 所述微孔雾化片中微孔 孔道的横截面的形状为： 抛物线形、 喇 形、 方形及梯形中的任意一种。 9、 一种微孔雾化装置， 其中， 所述微孔雾化装置包括： 雾化器箱体、 与所述雾化器箱体连接的气雾发生器、 以及与雾化器箱体连接的电子电路 控制器； 其中， 所述气雾发生器中包括微孔雾化片， 所述微孔雾化片为权 利要求 1至 8中任一项所述的微孔雾化片。 |
本实用新型涉及雾化技术， 尤其涉及一种微孔雾化片及微孔雾化装置。 背景技术
雾化片广泛地应用于空气加湿器、 熏香器、 美容机、 肺部给药装置、 消毒机、 浴缸造雾机等仪器设备上面。
目前主要的雾化片有金属雾化片、 陶瓷雾化片、 有机材质雾化片等种 类， 其中由于金属雾化片如不锈钢雾化片、 镀镍雾化片、 镀钛雾化片等， 具有一定的耐疲劳， 易清洗， 不易断裂等优势， 被广泛应用于不同用途的 气雾发生器中， 份额占据绝对的市场优势。 但是金属雾化片长期使用不可 避免地会导致有害金属离子析出， 从而影响液体成分， 如果应用于给药装 置气雾发生器， 甚至会对人体健康有害。 陶瓷雾化片或有机材质雾化片也 有一定的市场份额， 但是由于其材料本身的性质决定了雾化片易断 裂， 需 要非常小心清洗。 另一方面， 雾化所需的能量基本上作用于雾化片上， 随 着温度的升高大大减少有机材质雾化片的使用 寿命。 文献和专利报导的雾 化片微孔孔径最小的做到了 3微米， 1-5微米喷出气雾颗粒在 50%左右， 但 是雾化片极易堵塞。 雾化片微孔孔径越细小， 雾化片即越易堵塞。
另外， 市场上现有的气雾发生器， 雾化片开始工作时， 喷出的气溶胶 颗粒比表面积很大， 极易吸附在雾化区。 而聚集在雾化区的气溶胶颗粒就 阻碍了后续的气溶胶颗粒雾化喷出， 影响出雾量及雾化速率。 实用新型内容
为解决现有存在的技术问题， 本实用新型实施例提供一种微孔雾化片 及微孔雾化装置。
本实用新型的技术方案是这样实现的：
本实用新型实施例提供了一种微孔雾化片， 所述微孔雾化片设置有微 孔区， 所述微孔区内分布有多个微孔； 所述微孔雾化片的微孔孔道内壁及 其表面包覆有薄膜； 所述微孔的孔径为 0.05μπι-20μπι。
上述方案中， 所述微孔区中微孔的数量为 100-1000000个。
上述方案中， 所述微孔雾化片的直径为 l-50mm。
上述方案中， 所述微孔区的外径为 l-50mm。
上述方案中， 所述微孔雾化片为金属雾化片、 陶瓷雾化片及有机材质 雾化片中的任意一种。
上述方案中， 所述微孔雾化片的微孔孔道内壁及其表面的包 覆材料为 一层或多层厚度均匀的薄膜；
当所述包覆材料为一层时， 所述包覆材料为以下薄膜中的任意一种； 当所述包覆材料为多层时， 所述包覆材料为以下薄膜中的任意一种重 叠形成的多层薄膜， 或以下任意几种交替重叠形成的多层薄膜， 或以下一 种重叠形成的多层薄膜和以下任意几种交替重 叠形成的多层薄膜的组合多 层薄膜；
所述薄膜包括： 氧化铝 （A1 2 0 3 ) 薄膜、 二氧化硅（Si0 2 )薄膜、 二氧 化钛（Ti0 2 )薄膜、 氧化锌（ZnO )薄膜、 二氧化铪（Hf0 2 )薄膜、 氧化镁 ( MgO )薄膜、二氧化锆 ( Zr0 2 )薄膜、氧化镍 ( NiO )薄膜、氧化钴 ( CoO ) 薄膜、铁的氧化物形成的薄膜 ( FeO x )薄膜、铜的氧化物形成的薄膜 ( CuO x ) 薄膜、 氧化硼（B 2 0 3 )薄膜、 氧化铟（In 2 0 3 )薄膜、 氧化锡（Sn0 2 )薄膜、 氧化镓（Ga 2 0 3 ) 薄膜、 五氧化二铌（Nb 2 0 5 )薄膜、 三氧化二钆（Gd 2 0 3 ) 薄膜、 五氧化二钽（Ta 2 0 5 )薄膜、 氮化硼 （BN )薄膜、 氮化铝 （A1N )薄 膜、 氮化钛（TiN )薄膜、 碳化硅（SiC )薄膜、 硫化锌（ZnS )薄膜、 硫化 锆（ZrS )薄膜、 透明质酸（HA )薄膜、 钨（W )薄膜、 铂（Pt )薄膜、 钌 ( u )薄膜、钯（ Pd )薄膜、 均苯四甲酸二酐-二氨基二苯醚（ PMDA-DAH ) 薄膜、 均苯四甲酸二酐-己二胺（PMDA-ODA ) 薄膜、 均苯四甲酸二酐-乙 二胺（ PMDA-EDA )薄膜及均苯四甲酸二酐-对苯二胺（ PMDA-PDA )薄膜。
上述方案中， 所述微孔雾化片中微孔孔道的形状为： 圓形、 三角形、 椭圓形、 方形及喇叭形中的任意一种。
上述方案中， 所述微孔雾化片中微孔孔道的横截面的形状为 ： 抛物线 形、 喇叭形、 方形及梯形中的任意一种。
本实用新型实施例又提供了一种微孔雾化装置 ， 所述微孔雾化装置包 括： 雾化器箱体、 与所述雾化器箱体连接的气雾发生器、 以及与雾化器箱 体连接的电子电路控制器； 其中， 所述气雾发生器中包括微孔雾化片， 所 述微孔雾化片为以上所述的任一微孔雾化片。
釆用本实用新型实施例制备出的微孔雾化片， 其微孔孔径尺寸能够在 几纳米到几十微米间精确可控， 即能精确控制微孔雾化片的微孔孔径的尺 寸， 因此， 能够实现超微细气雾颗粒； 另外， 由于本实用新型实施例选用 的雾化片为市场中常用的雾化片， 又由于所述雾化片能够通过本实用新型 实施例将其雾化区的孔径缩小， 因此， 本实用新型实施例能够为实现各领 域的气雾发生器中雾化片的通用奠定基础。 附图说明
图 1为本实用新型实施例微孔雾化片的制备方法 实现流程示意图一； 图 2为本实用新型实施例微孔雾化片的制备方法 实现流程示意图二； 图 3为本实用新型实施例微孔雾化片的结构示意 ；
图 4为本实用新型实施例微孔雾化片中微孔孔道 横截面图； 图 5为本实用新型实施例雾化器箱体的结构示意 ；
图 6为本实用新型实施例气雾发生器的结构示意 一； 图 7为本实用新型实施例气雾发生器的结构示意 二；
图 8为本实用新型实施例电子电路控制器的结构 意图。
附图标记说明
11、 上外壳， 12、 上盖板， 13、 液体槽， 14、 气雾发生器固定装置， 15、 线路出口， 21、 下外壳， 22、 弧形气溶胶排出通道， 23、 气溶胶排出 口， 31、 气雾附件， 40、 气雾发生器， 41、 微孔雾化片， 42、 环形压电陶 瓷片， 43、 密封件， 44、 电路引出线， 45、 环形垫片， 50、 电子电路控制 器， 51、 电路板， 52、 开关控制器， 53、 显示灯， 54、 外接电源输入口。 具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本实用新型的特点与 技术内容， 下面结合附 图对本实用新型的实现进行详细阐述， 所附附图仅供参考说明之用， 并非 用来限定本实用新型。
图 1为本实用新型实施例微孔雾化片的制备方法 实现流程示意图一， 将雾化片作为基底材料； 如图 1所示， 所述方法包括：
步骤 101 : 在所述基底材料的微孔孔道内壁及其表面沉积 薄膜； 其中， 所述雾化片为金属雾化片、 陶瓷雾化片及有机材质雾化片中的 任意一种。
具体地， 将所述基底材料放置于反应腔体内， 将各前驱体以脉冲气体 的方式交替通入所述反应腔体内， 在所述基底材料的微孔孔道内壁及其表 面沉积薄膜；
这里， 为使前后两种前驱体在反应腔体内不同时出现 ， 在通入一种前 驱体后、 与通入下一种前驱体前的间隙中， 使用清洗气体例如惰性气体等 吹扫所述反应腔体、 或对所述反应腔体进行抽真空处理， 以隔离前后两种 前驱体， 使前后两种前驱体不同时出现于所述反应腔体 内。
在一实施例中， 所述在所述基底材料的微孔孔道内壁及其表面 沉积薄 膜， 包括：
步骤一： 将所述基底材料放置于反应腔体内；
步骤二： 通入第一前驱体， 使所述第一前驱体与所述基底材料的微孔 孔道内壁及其表面的材料发生反应；
步骤三： 在反应完成后， 釆用清洗气体吹扫所述反应腔体、 或对所述 反应腔体进行抽真空将游离的所述第一前驱体 排出所述反应腔体后， 通入 第二前驱体；
步骤四： 循环执行所述步骤二和步骤三， 直至在所述基底材料的微孔 孔道内壁及其表面沉积预设厚度的薄膜为止。
在本实施例整个实验过程均是在抽真空下进行 的， 但是， 在第一次脉 冲前驱体前， 所述反应腔体的压强处于 l OPa至 l (T 2 Pa; 每次釆用脉冲气体 的方式向所述反应腔体内通入前驱体， 每次脉冲前驱体 0. 015S -50S , 脉冲 完一次前驱体后， 向所述反应腔体内通入流量为 0sccm-120sccm的氩气 Ar 或氮气 N 2 吹扫所述反应腔体 ls-120s， 随后脉冲另一前驱体； 这里， 各前驱 体可以通过载气进入所述反应腔体内， 所述载体可以为氮气 N 2 或氩气 Ar; 这里， 由于在脉冲两种前驱体的间隙中， 向所述反应腔体中通入氩气 Ar或 氮气 N 2 ， 因此， 能将所述反应腔体内多余的前驱体及反应副产 物排出。
这里，当向所述反应腔体内通入的氩气 Ar或氮气 N 2 的流量为 Osccm时， 表示未向反应腔体中通入气体， 此时， 由于反应腔体中依然保持着抽真空 的状态， 因此， 通过抽真空的过程可以使上一次脉冲的前驱体 中游离的部 分或反应副产物排出。
这里， 第一次通入的前驱体可以和基底材料的微孔孔 道内壁及其表面 的材料发生化学吸附反应， 形成第一薄膜， 随后， 所述第一薄膜与第二次 通入的前驱体发生反应形成第二薄膜， 依此类推， 直至形成预设厚度的薄 膜为止； 其中， 各前驱体可以根据薄膜的化学组成任意选择。 在一实施例中， 所述薄膜为一层或多层厚度均勾的薄膜； 当所述薄膜为一层时， 所述薄膜为以下薄膜中的任意一种；
当所述薄膜为多层时， 所述薄膜为以下薄膜中的任意一种重叠形成的 多层薄膜， 或以下任意几种交替重叠形成的多层薄膜， 或以下一种重叠形 成的多层薄膜和以下任意几种交替重叠形成的 多层薄膜的组合多层薄膜； 所述薄膜包括： A1 2 0 3 薄膜、 Si0 2 薄膜、 Ti0 2 薄膜、 ZnO薄膜、 Hf0 2 薄膜、 MgO薄膜、 Zr0 2 薄膜、 NiO薄膜、 CoO薄膜、 FeO x 薄膜、 01(¾薄 膜、 B 2 0 3 薄膜、 In 2 0 3 薄膜、 Sn0 2 薄膜、 Ga 2 0 3 薄膜、 Nb 2 0 5 薄膜、 Gd 2 0 3 薄膜、 Ta 2 0 5 薄膜、 BN薄膜、 A1N薄膜、 TiN薄膜、 SiC薄膜、 ZnS薄膜、 ZrS薄膜、 HA薄膜、 W薄膜、 Pt薄膜、 Ru薄膜、 Pd薄膜、 PMDA-DAH 薄膜、 PMDA-ODA薄膜、 PMDA-EDA薄膜、 PMDA-PDA薄膜。
步骤 102: 将沉积有薄膜的所述基底材料固化。
具体地， 将沉积有薄膜的所述基底材料进行等离子体固 化；
这里， 釆用惰性气体的等离子对沉积于基底材料的薄 膜进行固化时， 由于惰性气体的等离子体到达基底材料表面能 量温和， 不与基底材料的微 孔孔道内壁的薄膜及其表面的薄膜发生化学反 应， 而且所述惰性气体的等 离子体能为基底材料的微孔孔道内壁的薄膜及 其表面的薄膜、 以及基底材 料提供能量， 因此， 与传统的退火固化相比， 釆用惰性气体的等离子体固 化， 一方面能避免由于基底材料的微孔孔道内壁的 薄膜及其表面的薄膜不 耐高温而导致对所述薄膜的材料造成损害的问 题， 另一方面在对基底材料 的微孔孔道内壁的薄膜、 与基底材料不进行刻蚀的条件下， 能提高基底材 料的微孔孔道内壁的薄膜、 与基底材料的结合性。
所述固化的步骤包括： 将沉积有薄膜的基底材料放入等离子体发生器 中， 固化 ls-200s; 其中， 所述等离子体发生器的功率为 50W-500W, 固化 气体为氦 He、 氖 Ne、 氩 Ar、 氪 Kr及氙 Xe等惰性气体中的一种或多种的 组合， 气体流量为 10sccm-200sccm;
具体地， 将惰性气体等以一定的气流通入离子发生器中 ， 通过离子发 生器将惰性气体转化为与惰性气体对应的等离 子体， 将沉积有薄膜的基底 材料在惰性气体的等离子体氛围下固化。
在一实施例中， 所述步骤 101之前， 所述方法还包括：
将所述基底材料进行清洗。
具体地， 将所述基底材料进行超声清洗。
在一实施例中， 所述步骤 101之前， 所述方法还包括：
将所述基底材料进行活化。
在一实施例中， 所述步骤 101之前， 所述方法还包括：
将所述基底材料进行清洗；
将清洗后的所述基底材料进行活化。
图 2为本实用新型实施例微孔雾化片的制备方法 实现流程示意图二， 如图 2所示， 所述方法包括：
步骤 201 : 将雾化片作为基底材料， 将所述基底材料进行清洗； 其中， 所述雾化片为金属雾化片、 陶瓷雾化片及有机材质雾化片中的 任——种。
步骤 202: 将清洗后的所述基底材料进行活化；
这里， 所述活化包括： 化学溶液浸渍活化和紫外活化；
其中， 所述化学溶液浸渍活化的步骤包括：
步骤 A: 将所述基底材料浸渍于酸性溶液中超声清洗 5-30min， 然后釆 用蒸馏水清洗所述基底材料， 清洗至附着于所述基底材料的表面液体的 pH 值为中性为止；
步骤 B: 将所述基底材料浸渍于碱性溶液中超声清洗 5-30min， 然后釆 用蒸馏水清洗所述基底材料， 清洗至附着于所述基底材料表面的液体的 pH 值为中性为止。
这里， 所述步骤 A和步骤 B的执行顺序可以调换。
其中， 所述酸性溶液为一种或几种酸经稀释后配置的 弱酸性溶液； 且 所述酸性溶液为以下溶液中的一种或任意几种 的混合； 所述溶液包括： 浓 度为 0.01-5g/L磷酸溶液， 浓度为 0.1-7g/L草酸溶液， 浓度为 l-10 g /L醋酸 溶液， 浓度为 0.01-lg/L 盐酸溶液， 浓度为 0.1-2g/L 氢氟酸溶液， 浓度为 5-20g/L氟化氢铵溶液；
在一实施例中， 所述酸性溶液为以下溶液中的一种或任意几种 的混合； 所述溶液包括： 浓度为 lg/L磷酸溶液， 浓度为 15g/L氟化氢氨溶液， 浓度 为 0.1g/L氢氟酸溶液。
在一实施例中， 所述酸性溶液为以下溶液中的一种或任意几种 的混合； 所述溶液包括： 浓度为 5g/L草酸溶液， 浓度为 10 g /L氟化氢氨溶液；
在一实施例中， 所述酸性溶液为以下溶液中的一种或任意几种 的混合； 所述溶液为包括； 浓度为 6.5g/L醋酸溶液， 浓度为 0.05g/L盐酸溶液， 浓度 为 10 g /L氟化氢氨溶液。
所述碱性溶液为质量百分数为 1-20%的氨水； 在一实施例中， 所述碱 性溶液为质量百分数为 5-15%的氨水。
所述紫外活化的步骤包括： 将所述基底材料在紫外线灯下或者在能产 生紫外气体的等离子体气氛中， 照射 ls-120s进行活化。
在具体实验过程中， 所述化学溶液浸渍活化和紫外活化的执行顺序 能 够任意调换。
步骤 203: 在活化后的所述基底材料的微孔孔道内壁及其 表面沉积薄 膜；
具体地， 将活化后的所述基底材料放置于反应腔体内， 将各前驱体以 脉冲气体的方式交替通入所述反应腔体内， 在所述基底材料的微孔孔道内 壁及其表面沉积薄膜；
这里， 为使前后两种前驱体在反应腔体内不同时出现 ， 在通入一种前 驱体后、 与通入下一种前驱体前的间隙中， 使用清洗气体例如惰性气体等 吹扫所述反应腔体、 或对所述反应腔体进行抽真空处理， 以隔离前后两种 前驱体， 使前后两种前驱体不同时出现于所述反应腔体 内。
在一实施例中， 所述在所述基底材料的微孔孔道内壁及其表面 沉积薄 膜， 包括：
步骤一： 将所述基底材料放置于反应腔体内；
步骤二： 通入第一前驱体， 使所述第一前驱体与所述基底材料的微孔 孔道内壁及其表面的材料发生反应；
步骤三： 在反应完成后， 釆用清洗气体吹扫所述反应腔体、 或对所述 反应腔体进行抽真空将游离的所述第一前驱体 排出所述反应腔体后， 通入 第二前驱体；
步骤四： 循环执行所述步骤二和步骤三， 直至在所述基底材料的微孔 孔道内壁及其表面沉积预设厚度的薄膜为止。
在本实施例整个实验过程均是在抽真空下进行 的， 但是， 在第一次脉 冲前驱体前， 所述反应腔体的压强处于 l OPa至 l (T 2 Pa; 每次釆用脉冲气体 的方式向所述反应腔体内通入前驱体， 每次脉冲前驱体 0. 015S -50S , 脉冲 完一次前驱体后， 向所述反应腔体内通入流量为 0sccm-120sccm的氩气 Ar 或氮气 N 2 吹扫所述反应腔体 ls-120s， 随后脉冲另一前驱体； 这里， 各前驱 体可以通过载气进入所述反应腔体内， 所述载体可以为氮气 N 2 或氩气 Ar; 这里， 由于在脉冲两种前驱体的间隙中， 向所述反应腔体中通入氩气 Ar或 氮气 N 2 ， 因此， 能将所述反应腔体内多余的前驱体及反应副产 物排出。
这里，当向所述反应腔体内通入的氩气 Ar或氮气 N 2 的流量为 Osccm时， 表示未向反应腔体中通入气体， 此时， 由于反应腔体中依然保持着抽真空 的状态， 因此， 通过抽真空的过程可以使上一次脉冲的前驱体 中游离的部 分或反应副产物排出。
这里， 第一次通入的前驱体可以与基底材料的微孔孔 道内壁及其表面 的材料发生化学吸附反应， 形成第一薄膜， 随后， 所述第一薄膜与第二次 通入的前驱体发生反应形成第二薄膜， 依此类推， 直至形成预设厚度的薄 膜为止； 其中， 各前驱体可以根据薄膜的化学组成任意选择。
较佳地， 所述薄膜为一层或多层厚度均勾的薄膜；
当所述薄膜为一层时， 所述薄膜为以下薄膜中的任意一种；
当所述薄膜为多层时， 所述薄膜为以下薄膜中的任意一种重叠形成的 多层薄膜， 或以下任意几种交替重叠形成的多层薄膜， 或以下一种重叠形 成的多层薄膜和以下任意几种交替重叠形成的 多层薄膜的组合多层薄膜； 所述薄膜包括： A1 2 0 3 薄膜、 Si0 2 薄膜、 Ti0 2 薄膜、 ZnO薄膜、 Hf0 2 薄膜、 MgO薄膜、 Zr0 2 薄膜、 NiO薄膜、 CoO薄膜、 FeO x 薄膜、 01(¾薄 膜、 B 2 0 3 薄膜、 In 2 0 3 薄膜、 Sn0 2 薄膜、 Ga 2 0 3 薄膜、 Nb 2 0 5 薄膜、 Gd 2 0 3 薄膜、 Ta 2 0 5 薄膜、 BN薄膜、 A1N薄膜、 TiN薄膜、 SiC薄膜、 ZnS薄膜、 ZrS薄膜、 HA薄膜、 W薄膜、 Pt薄膜、 Ru薄膜、 Pd薄膜、 PMDA-DAH 薄膜、 PMDA-ODA薄膜、 PMDA-EDA薄膜及 PMDA-PDA薄膜。
步骤 204: 将沉积有薄膜的所述基底材料固化。
具体地， 将沉积有薄膜的所述基底材料进行等离子体固 化， 所述等离 子固化的步骤包括： 将沉积有薄膜的基底材料放入等离子体发生器 中， 固 化 ls-200s; 其中， 所述等离子体发生器的功率为 50W-500W, 固化气体为 He、 Ne、 Ar、 Kr、 Xe中的一种或多种的组合， 气体流量为 10sccm-200sccm。
釆用本实用新型实施例制备出的微孔雾化片的 孔径尺寸能够在几纳米 到几十微米间精确可控， 即能精确控制微孔雾化片的微孔孔径的尺寸， 因 此， 能够实现超微细气雾颗粒； 而且， 由于所述微孔雾化片的微孔孔道内 壁及其表面沉积薄膜， 且所述薄膜能够选用的材料多种多样， 又由于不同 材料的薄膜的化学性能不同， 因此， 通过单一材料形成的薄膜、 或多种材 料交替重叠形成厚度均勾的组合薄膜， 能够实现所述微孔雾化片的不同化 学性能， 扩充了被雾化液体的种类； 如通过薄膜的化学形成使所述微孔雾 化片具有生物相容性、 阻隔有害离子析出、 自清洁、 耐酸 /耐碱腐蚀、 超微 细雾化效果好、 防气溶胶凝聚疏水、 易于清洗等性能； 而且， 在微孔雾化 片的微孔孔道内壁沉积一定厚度的薄膜， 能够使所述微孔雾化片的雾化区 形成疏水层， 因此， 能够避免气溶胶聚集在所述雾化区而导致的降 低雾化 效率的问题。
另外， 由于本实用新型实施例制备的微孔雾化片的微 孔孔道内壁的薄 膜及其表面的薄膜为逐层沉积的， 而且所述薄膜对所述微孔雾化片的微孔 孔道内壁其表面进行了全包覆， 例如， 本实用新型实施例能够将常用雾化 片中肉眼难以观测出的裂痕或断裂通过逐层包 覆的方式， 修复所述雾化片， 如此， 能够提高本实用新型实施例制备出的微孔雾化 片的断裂强度； 而且， 所述薄膜与基底材料结合牢固紧密， 不会因为震动而导致薄膜玻璃剥离或 脱落。
由于本实用新型实施例选用的雾化片为市场中 常用的雾化片， 又由于 所述雾化片能够通过本实用新型实施例将其雾 化区的孔径缩小， 因此， 本 实用新型实施例能够为实现各领域的气雾发生 器中雾化片的通用奠定基 础。
图 3 为本实用新型实施例微孔雾化片的结构示意图 ； 釆用上述微孔雾 化片的制备方法制备出如图 3所示的微孔雾化片， 如图 3所示， 所述微孔 雾化片设置有微孔区 301， 所述微孔区内 301分布有多个微孔 302 ; 所述微 孔雾化片的微孔孔道内壁及其表面包覆有薄膜 ； 所述微孔的孔径为 0.05μπι-20μπΐ ο 上述方案中， 所述微孔区 301中微孔 302的数量为 100-1000000个。 上述方案中， 如图 3所示， 所述 孔雾化片的直径 为 l-50mm。 上述方案中， 如图 3所示， 所述微孔区的外径 R 2 为 l-50mm。
上述方案中， 所述微孔雾化片： 为金属雾化片、 陶瓷雾化片及有机材 质雾化片中的任意一种。
上述方案中， 所述微孔雾化片的微孔孔道内壁及其表面的包 覆材料为 一层或多层厚度均匀的薄膜；
当所述包覆材料为一层时， 所述包覆材料为以下薄膜中的任意一种； 当所述包覆材料为多层时， 所述包覆材料为以下薄膜中的任意一种重 叠形成的多层薄膜， 或以下任意几种交替重叠形成的多层薄膜， 或以下一 种重叠形成的多层薄膜和以下任意几种交替重 叠形成的多层薄膜的组合多 层薄膜；
所述薄膜包括： A1 2 0 3 薄膜、 Si0 2 薄膜、 Ti0 2 薄膜、 ZnO薄膜、 Hf0 2 薄膜、 MgO薄膜、 Zr0 2 薄膜、 NiO薄膜、 CoO薄膜、 FeO x 薄膜、 01(¾薄 膜、 B 2 0 3 薄膜、 In 2 0 3 薄膜、 Sn0 2 薄膜、 Ga 2 0 3 薄膜、 Nb 2 0 5 薄膜、 Gd 2 0 3 薄膜、 Ta 2 0 5 薄膜、 BN薄膜、 A1N薄膜、 TiN薄膜、 SiC薄膜、 ZnS薄膜、 ZrS薄膜、 HA薄膜、 W薄膜、 Pt薄膜、 Ru薄膜、 Pd薄膜、 PMDA-DAH 薄膜、 PMDA-ODA薄膜、 PMDA-EDA薄膜、 PMDA-PDA薄膜。
上述方案中， 所述微孔雾化片中微孔孔道的形状为： 圓形、 三角形、 椭圓形及方形中的任意一种。
上述方案中， 所述微孔雾化片中微孔孔道的横截面的形状为 ： 抛物线 形、 喇 形、 方形及梯形中的任意一种； 这里， 所述微孔孔道的横截面的 形状还可以为任意对称型图形。
这里， 本实用新型实施例给出的微孔雾化片中微孔孔 道的形状仅用于 进一步详细说明微孔雾化片结构， 并未用于限制本实用新型， 在实际应用 过程中， 所述微孔雾化片中微孔孔道的形状还可以为其 他任意形状， 此处 不再赘述。
图 4 为本实用新型实施例微孔雾化片中微孔孔道的 横截面图， 如图 4 所示， 所述微孔孔道形状为抛物线形。
本实用新型实施例还提供了一种微孔雾化装置 ， 包括： 雾化器箱体、 与所述雾化器箱体连接的气雾发生器、 以及与雾化器箱体连接的电子电路 控制器； 其中， 所述气雾发生器中包括微孔雾化片， 所述微孔雾化片为以 上所述的任意一种微孔雾化片。
图 5为本实用新型实施例雾化器箱体的结构示意 ； 图 5 (a) 为本实 用新型实施例雾化器箱体的主视图； 图 5 (b) 为本实用新型实施例雾化器 箱体的侧视图； 图 5 (c)为本实用新型实施例沿图 5 (b) 中 A-A线的剖视 图； 如图 5所示， 所述雾化器箱体 10包括： 上外壳 11、 下外壳 21及气雾 附件 31; 其中， 所述上外壳 11通过气雾附件 31与下外壳 21连接；
图 6为本实用新型实施例气雾发生器的结构示意 一； 图 6 (a) 为本 实用新型实施例气雾发生器的侧视图； 图 6 (b) 为本实用新型实施例气雾 发生器的具体结构示意图； 图 6 (c) 为本实用新型实施例沿图 6 (a) 中的 B-B线的剖视图； 如图 6所示， 所述气雾发生器 40包括： 微孔雾化片 41、 环形压电陶瓷片 42、 密封件 43及电路引出线 44;
图 7为本实用新型实施例气雾发生器的结构示意 二； 图 7 (a) 为本 实用新型实施例气雾发生器的侧视图； 图 7 (b) 为本实用新型实施例气雾 发生器的具体结构示意图； 图 7 (c) 为本实用新型实施例沿图 7 (a) 中的 C-C线的剖视图； 如图 7所示， 所述气雾发生器 40包括： 微孔雾化片 41、 环形压电陶瓷片 42、 密封件 43、 电路引出线 44及环形垫片 45;
图 8为本实用新型实施例电子电路控制器的结构 意图； 图 8 (a) 为 本实用新型实施例电子电路控制器的主视图； 图 8 (b) 为本实用新型实施 例电子电路控制器的侧视图； 图 8 ( c ) 为本实用新型实施例沿图 8 ( b ) 中 的 D-D线的剖视图； 如图 8所示， 所述电子电路控制器 50包括： 电路板 51、 及固定于所述电路板 51上的开关控制器 52、 显示灯 53和外接电源输 入口 54; 其中， 所述电子电路控制器 50可以由内部电池供电， 也可以通过 外接电源输入口 54与外接电源连接进行供电。
具体地， 如图 5所示， 所述上外壳 11 包括： 上盖板 12、 液体槽 13、 气雾发生器固定装置 14及线路出口 15; 其中， 所述上盖板 12内部设有卡 槽结构， 所述液体槽 13上部外表面设有螺紋卡槽结构， 且上盖板 12可以 通过自身内部的卡槽结构、 及液体槽 13上部外表面的螺紋卡槽结构旋转固 定于所述液体槽 13的上部， 如此， 能防止雾化箱体翻倒导致液体流出； 所 述气雾发生器固定装置 14将图 6或图 7所示的气雾发生器 40固定于所述 液体槽 13的下部， 且所述液体槽 13底部是通孔或者栅板结构， 如此， 能 使被雾化的液体与气雾发生器 40充分接触； 所述下外壳 21 包括： 弧形气 溶胶排出通道 22、 气溶胶排出口 23; 其中， 所述下外壳 21上部外表面设 有凹槽结构， 所述上外壳 11下部内表面设有凸槽结构， 如此， 所述下外壳 21与上外壳 11通过咬合相互连接； 所述气雾发生器 40与图 8所示的电子 电路控制器 50通过所述线路接口 15连接。
这里， 所述气雾附件 31能够适用于不同装置中； 例如本实用新型实施 例所述的气雾附件 31能够在口吸入罩、 鼻吸入罩、 面罩及扩散罩等中任意 一个装置中充当气雾附件。 待气雾附件 31开启后， 气雾发生器 40产生的 气溶胶通过弧形气溶胶排出通道 22及气溶胶排出口 23与大气相通。
具体地， 如图 6所示， 所述微孔雾化片 41中心区域具有均勾分布的微 孔， 所述均勾分布的微孔所处的区域称为微孔区， 环形压电陶瓷片 42内径 与所述微孔雾化片 41中所述微孔区相对且包围所述微孔区， 并通过焊接或 者胶粘技术将所述环形压电陶瓷片 42 固定于所述微孔雾化片 41上， 所述 微孔雾化片 41的中心与所述环形压电陶瓷片 42的中心重合； 这里， 所述 环形压电陶瓷片 42可以固定于所述微孔雾化片 41上表面， 也可以固定于 所述微孔雾化片 41 的下表面； 所述密封件 43将固定于一起的所述微孔雾 化片 41和所述环形压电陶瓷片 42紧紧包裹， 仅剩下所述微孔雾化片 41中 的所述微孔区， 这里， 所述微孔区又称为雾化区， 如此， 能够将除雾化区 以外的部分与被雾化液体隔离， 进而能防止所述微孔雾化片 41和环形压电 陶瓷片 42由于长时间接触被雾化液体而被腐蚀； 所述电路引出线 44与所 述环形压电陶瓷片 42的上下表面的任意两点连接； 其中， 所述电路引出线 44与所述环形压电陶瓷片 42连接的部分由密封件 43均勾包裹密封； 所述 电路引出线 44穿过图 5所示的所述上外壳 11及线路出口 15与图 8所示的 所述电子电路控制器 50相连接。
或者，如图 7所示，所述微孔雾化片 41中心区域具有分布均勾的微孔， 所述均勾分布的微孔所处的区域称为微孔区， 且所述微孔雾化片 41除所述 微孔区以外的边缘区域通过焊接或者胶粘技术 固定于所述环形垫片 45上， 同时， 所述环形垫片 45的内径包围所述微孔区， 但不堵塞所述微孔区中的 微孔； 所述微孔雾化片 41 的中心与所述环形垫片 45的中心重合； 所述环 形压电陶瓷片 42通过焊接或者胶粘技术固定于所述环形垫片 45上， 且所 述环形压电陶瓷片 42的中心与所述环形垫片 45的中心重合， 即所述环形 压电陶瓷片 42的内径与所述微孔雾化片 41 中的所述微孔区相对； 这里， 所述环形压电陶瓷片 42可以固定于所述环形垫片 45的上表面， 也可以固 定于所述环形垫片 45的下表面； 所述密封件 43将固定于一起的微孔雾化 片 41、 环形压电陶瓷片 42及环形垫片 45紧紧包围， 仅剩下所述微孔雾化 片 41中的所述微孔区， 这里， 所述微孔区又称为雾化区， 如此， 能够将除 雾化区以外的部分与被雾化液体隔离， 进而能防止所述微孔雾化片 41、 环 形压电陶瓷片 42和环形垫片 45由于长时间接触被雾化液体而被腐蚀； 所 述环形压电陶瓷片 42与所述环形垫片 45相连通， 所述环形压电陶瓷片 42 与所述环形垫片 45的未连通的棵露的上下表面两点与电路引出 44相连 接； 其中， 所述电路引出线 44与所述环形压电陶瓷片 42连接的部分由密 封件 43均匀包裹密封； 所述电路引出线 44穿过图 5所示的所述上外壳 11 及线路出口 15与图 8所示的所述电子电路控制器 50相连接。
实施例一
一种微孔雾化片的制备方法， 具体步骤包括：
步骤一： 将金属雾化片作为基底材料， 将所述基底材料进行超声清洗； 其中， 所述金属雾化片的微孔孔径为 21μπι;
步骤二： 将所述基底材料放置于反应腔体内， 抽真空以使所述反应腔 体内的压强降至 10Pa; 随后， 首先脉冲三甲基铝 （TMA ) 50s后， 通入流 量为 lOOsccm的 N 2 气吹扫所述反应腔体 120s; 其次， 脉冲水蒸气 H 2 0 30s 后， 通入流量为 120 sccm的 N 2 气吹扫所述反应腔体 120s， 如此交替脉冲 TMA和 ¾0， 直至在所述基底材料的微孔孔道内壁及其表面 沉积 4200层 A1 2 0 3 薄膜为止； 其中， 所述 A1 2 0 3 薄膜厚度约为 500nm;
步骤三： 将沉积有薄膜的所述基底材料放入等离子体发 生器中， 固化 200s; 其中， 所述等离子体发生器的功率为 50W， 固化气体为 He的等离子 体， 气体气流为 200sccm。
这里，所述 A1 2 0 3 薄膜紧紧包覆于所述金属雾化片的微孔孔 道内壁及其 表面，如此，将所述金属雾化片中微孔的孔径 缩小至 20μπι得到微孔雾化片； 由于所述微孔雾化片的微孔孔道内壁及表面紧 紧包覆有 Α1 2 0 3 薄膜， 因此， 能够避免因震荡而导致薄膜脱落的问题； 又由于所述微孔雾化片中 Α1 2 0 3 薄膜的疏水性， 使得所述微孔雾化片具有良好的疏水性， 因此， 能够避免 气溶胶聚集在所述微孔雾化片的雾化区 （微孔区） 而导致降低雾化效率的 问题； 还由于所述 Α1 2 0 3 薄膜的耐腐蚀性， 因此， 使得本实施例所述微孔雾 化片具有良好的耐腐蚀性， 能够有效阻隔有害离子析出。
本实施例中， 所述微孔雾化片的直径为 1mm; 所述微孔雾化片的微孔 区的外径为 1mm; 且所述微孔区中的微孔共 100; 所述微孔雾化片中微孔 孔道的形状为圓形； 所述微孔雾化片的微孔孔道的横截面的形状为 喇 形。
实施例二
一种微孔雾化片的制备方法， 具体步骤包括：
步骤一： 将陶瓷雾化片作为基底材料， 将所述基底材料进行超声清洗； 其中， 所述陶瓷雾化片的微孔孔径为 ΙΟμπι;
步骤二： 将所述基底材料放置于反应腔体内， 抽真空以使所述反应腔 体内的压强降至 lO^Pa; 随后， 先脉冲三甲基铝（TMA ) 10s后， 通入流量 为 50sccm的 Ar气吹扫所述反应腔体 80s; 再脉冲水蒸气 ¾0 5s后， 通入 流量为 50sccm的 Ar气吹扫所述反应腔体 100s，如此交替脉冲 TMA和 ¾0， 直至在所述基底材料的微孔孔道内壁及其表面 沉积 1000层 A1 2 0 3 薄膜， 其 中，所述 A1 2 0 3 薄膜的厚度约为 120nm;最后，脉冲四二甲氨基钛（ TDMAT ) Is后，通入流量为 30sccm的 Ar气吹扫所述反应腔体 80s，脉冲臭氧 0 3 0.02s 后， 通入流量为 30 sccm 的 Ar 气吹扫所述反应腔体 Is, 如此交替月永冲 TDMAT和 0 3 ， 在所述 A1 2 0 3 薄膜表面沉积 500层 Ti0 2 薄膜， 所述 Ti0 2 薄 膜厚度约为 30nm;
步骤三： 将沉积有薄膜的所述基底材料放入等离子体发 生器中， 固化 90s; 其中， 所述等离子体发生器的功率 100W， 固化气体为 He和 Ne混合 的等离子体， 气体 He的气流为 100sccm， 气体 Ne的气体气流为 40sccm。
这里， 所述 A1 2 0 3 薄膜和 Ti0 2 薄膜紧紧包覆于所述陶瓷雾化片的微孔 孔道内壁及其表面， 如此， 将所述陶瓷雾化片中微孔的孔径缩小至 9.7μπι 得到微孔雾化片； 由于所述微孔雾化片的微孔孔道内壁及表面紧 紧包覆有 Α1 2 0 3 薄膜和 Ti0 2 薄膜， 因此， 能够避免因震荡而导致薄膜脱落的问题； 又 由于所述微孔雾化片中 A1 2 0 3 薄膜和 Ti0 2 薄膜的性能， 使得本实用新型实 施例得到的所述微孔雾化片具有生物相容性、 及自清洁性。
本实施例中， 所述微孔雾化片的直径为 30mm， 所述微孔雾化片的微孔 区的外径为 25mm; 且所述微孔区中的微孔共 5000个； 所述微孔雾化片中 微孔孔道的形状为椭圓形； 所述微孔孔道的横截面的形状为抛物线形。
实施例三
一种微孔雾化片的制备方法， 具体步骤包括：
步骤一： 将有机材质雾化片作为基底材料， 将所述基底材料进行超声 清洗；
其中， 所述有机材质雾化片的微孔孔径为 5μπι;
步骤二： 将所述基底材料放置于反应腔体内， 抽真空以使所述反应腔 体内的压强降至 l(T 2 Pa; 随后， 先脉冲二乙基锌（DEZ ) 0.015s后， 抽真空 吹扫所述反应腔体 50s; 再脉冲氧等离子体 0.5s后，抽真空吹扫所述反应腔 体 30s， 如此交替脉冲 DEZ和氧等离子体， 直至在所述基底材料的微孔孔 道内壁及其表面沉积 5000层 ZnO薄膜， 其中， 所述 ZnO薄膜的厚度约为 lOOOnm; 然后， 脉冲均苯四甲酸二酐（ PMDA ) 8s后， 通入流量为 30sccm 的 N 2 气吹扫所述反应腔体 20s， 脉冲己二胺（ODA ) 3s后， 通入流量为 30sccm的 N 2 气吹扫所述反应腔 15s, 如此交替脉冲 PMDA和 ODA， 在所 述 ZnO薄膜表面沉积 1250层 PMDA-ODA薄膜， 所述 PMDA-ODA薄膜厚 度约为 1075nm; 最后， 脉冲四二甲氨基铪（ TDMAHf ) 0.1s后， 通入流量 为 20sccm的 Ar气吹扫所述反应腔体 5s, 脉冲水蒸气 H 2 0 0.015s后， 通入 流量为 20sccm的 Ar气吹扫所述反应腔 3s，如此交替脉冲 TDMAHf和 ¾0， 在所述 PMDA-ODA薄膜表面沉积 3334层 Hf0 2 薄膜， 所述 Hf0 2 薄膜厚度 约为 400nm;
步骤三： 将沉积有薄膜的所述基底材料放入等离子体发 生器中， 固化 Is; 其中， 所述等离子体发生器的功率 500W， 固化气体为 Ar和 Xe混合的 等离子体， 气体 Ar的气流为 10sccm， 气体 Xe的气体气流为 50sccm。
这里， 所述 ZnO薄膜、 PMDA-ODA薄膜和 Hf0 2 薄膜紧紧包覆于所述 有机材质雾化片的微孔孔道内壁及其表面， 如此， 将所述有机材质雾化片 中微孔的孔径缩小至 0.05μπι得到微孔雾化片； 由于所述微孔雾化片的微孔 孔道内壁及表面紧紧包覆有 ZnO薄膜、 PMDA-ODA薄膜和 Hf02薄膜， 因 此，能够避免因震荡而导致薄膜脱落的问题； 又由于所述微孔雾化片中 ZnO 薄膜、 PMDA-ODA薄膜和 Hf0 2 薄膜的化学及物理性能， 使得本实用新型 实施例得到的所述微孔雾化片具有耐磨性、 耐酸碱腐蚀及有效阻隔有害离 子析出。
本实施例中， 所述微孔雾化片的直径为 50mm， 所述微孔雾化片的微孔 区的外径为 50mm; 且所述微孔区中的微孔共 1000000个； 所述微孔雾化片 中微孔孔道的形状为三角形； 所述微孔孔道的横截面的形状为梯形。
实施例四
一种微孔雾化片的制备方法， 具体步骤包括：
步骤一： 将金属雾化片作为基底材料， 将所述基底材料进行清洗； 其中， 所述金属雾化片的微孔孔径为 5μπι;
步骤二： 将清洗后的所述基底材料进行活化；
具体地， 所述活化的步骤包括：
首先， 将所述基底材料浸渍于浓度为 lg/L 的磷酸溶液中超声清洗 5 min, 然后釆用蒸馏水清洗所述基底材料， 清洗至附着于所述基底材料的表 面液体的 pH值为中性为止；
再次， 将所述基底材料浸渍于质量百分数为 15%的氨水中超声清洗 15 min, 然后釆用蒸馏水清洗所述基底材料， 清洗至附着于所述基底材料表面 的液体的 pH值为中性为止； 最后， 将所述基底材料在紫外线灯下照射 Is进行活化。
步骤三： 将活化后的所述基底材料放置于反应腔体内， 抽真空以使所 述反应腔体内的压强降至 l(T 2 Pa; 随后， 先脉冲 3-氨基丙基三乙氧基硅烷 ( AMEO ) 30s后， 通入流量为 20sccm的 N 2 气吹扫所述反应腔体 50s， 再 脉冲水蒸气 H 2 0 0.015s后，抽真空所述反应腔体 ls，最后，脉冲臭氧 O 3 20s 后，通入流量为 5sccm的 N 2 气吹扫所述反应腔体 10s,如此交替脉冲 AMEO、 H 2 0和 0 3 ， 在所述基底材料的微孔孔道内壁及其表面沉积 一层 Si0 2 薄膜， 其中， 所述 Si0 2 薄膜的厚度约为 0.1nm。
步骤四： 将沉积有薄膜的所述基底材料放入等离子体发 生器中， 固化 Is; 其中， 所述等离子体发生器的功率为 500W， 固化气体为 He和 Kr混合 的等离子体， 气体 He的气流为 10sccm， 气体 Kr的气体气流为 30sccm。
这里， 所述 Si0 2 薄膜紧紧包覆于所述金属雾化片的微孔孔 道内壁及其 表面， 如此， 得到金属雾化片的微孔孔道内壁及其表面包覆 有一层 Si0 2 薄 膜的微孔雾化片， 虽然所述微孔雾化片中微孔的孔径几乎没有变 化， 但是 由于所述微孔雾化片的微孔孔道内壁及其表面 包覆有一层 Si0 2 薄膜， 增强 了雾化片的断裂强度， 且所述 Si0 2 薄膜具有耐酸 /碱腐蚀性， 因此， 使得所 述微孔雾化片具有良好的耐^/碱腐蚀性， 能有效阻隔有害离子析出。
本实施例中， 所述微孔雾化片的直径为 50mm， 所述微孔雾化片的微孔 区的外径为 50mm; 且所述微孔区中的微孔共 1000000个； 所述微孔雾化片 中微孔孔道的形状为方形； 所述微孔孔道的横截面的形状为方形。
实施例五
一种微孔雾化片的制备方法， 具体步骤包括：
步骤一： 将有机材质雾化片作为基底材料， 将所述基底材料进行清洗； 其中， 所述有机材质雾化片的微孔孔径为 21μπι;
步骤二： 将清洗后的所述基底材料进行活化； 具体地， 所述活化的步骤包括：
首先， 将所述基底材料浸渍于浓度为 0.05g/L盐酸与浓度为 10 g /L氟化 氢氨溶液的混合溶液中超声清洗 30 min, 然后釆用蒸馏水清洗所述基底材 料， 清洗至附着于所述基底材料的表面液体的 pH值为中性为止；
再次， 将所述基底材料浸渍于质量百分数为 1%的氨水中超声清洗 5 min, 然后釆用蒸馏水清洗所述基底材料， 清洗至附着于所述基底材料表面 的液体的 pH值为中性为止；
最后， 将所述基底材料在可产生紫外气体的等离子体 气氛中照射 120s 进行活化。
步骤三： 将活化后的所述基底材料放置于反应腔体内， 抽真空以使所 述反应腔体内的压强降至 10 Pa; 随后， 先脉冲四二甲氨基锆（TDMAZ ) 0.1s后， 通入流量为 30sccm的 Ar气吹扫所述反应腔体 5s; 再脉冲氧等离 子体 0.8s后，通入流量为 50 sccm的 Ar气吹扫所述反应腔体 100s,如此交 替脉冲 TDMAZ和氧等离子体， 直至在所述基底材料的微孔孔道内壁及其 表面沉积 10000层 Zr0 2 薄膜， 其中， 所述 Zr0 2 薄膜的厚度约为 lOOOnm; 其次， 中三溴化硼（ BBr 3 ) 5s后， 通入流量为 120sccm的 Ar气吹扫所述 反应腔体 120s， 脉冲 NH 3 0.02s后， 通入流量为 8sccm的 Ar气吹扫所述反 应腔体 10s， 如此交替脉冲 BBr 3 和 NH 3 ， 在所述 Zr0 2 薄膜表面沉积 45000 层 BN薄膜， 所述 BN薄膜厚度约为 3600nm; 最后， 脉冲苯四甲酸二酐 ( PMDA ) 50s后， 通入流量为 120sccm的 Ar气吹扫所述反应腔体 120s, 脉冲二氨基二苯醚（DAH ) 8s后， 通入流量为 8sccm的 Ar气吹扫所述反 应腔体 50s， 如此交替脉冲 PMDA和 DAH， 在所述 BN薄膜表面沉积 300 层 PMDA-DAH薄膜， 其中， 所述 PMDA-DAH薄膜厚度约为 399.95nm。
步骤四： 将沉积有薄膜的所述基底材料放入等离子体发 生器中， 固化 200s; 其中， 所述等离子体发生器的功率为 50W， 固化气体为 Ne的等离子 体， 气体 Ne的气流为 200sccm。
这里， 所述 Zr0 2 薄膜、 BN薄膜及 PMDA-DAH薄膜紧紧包覆于所述 有机材质雾化片的微孔孔道内壁及其表面， 如此， 将所述有机材质雾化片 中微孔的孔径缩小至 0.05μπι; 由于微孔孔道内壁及表面紧紧粘附有 Zr0 2 薄膜、 BN薄膜及 PMDA-DAH薄膜， 因此， 本实施例所述陶瓷雾化片具有 良好的阻隔性。
本实施例中， 所述有机材质雾化片直径为 45mm; 所述有机材质雾化片 的微孔区的外径为 40mm; 且所述微孔区中的微孔共 5000; 所述微孔雾化 片中微孔孔道的形状为圓形； 所述微孔孔道的横截面的形状为抛物线形。
实施例六
一种微孔雾化片的制备方法， 具体步骤包括：
步骤一： 将陶瓷雾化片作为基底材料， 将所述基底材料进行清洗； 其中， 所述陶瓷雾化片的微孔孔径为 21μπι;
步骤二： 将清洗后的所述基底材料进行活化；
具体地， 所述活化的步骤包括：
首先， 将所述基底材料浸渍于浓度为 6.5g/L醋酸溶液， 浓度为 0.05g/L 盐酸溶液， 浓度为 10g/L氟化氢氨溶液的混合溶液中超声清洗 15 min, 然 后釆用蒸馏水清洗所述基底材料， 清洗至附着于所述基底材料的表面液体 的 pH值为中性为止；
再次， 将所述基底材料浸渍于质量百分数为 20%的氨水中超声清洗 30 min, 然后釆用蒸馏水清洗所述基底材料， 清洗至附着于所述基底材料表面 的液体的 pH值为中性为止；
最后， 将所述基底材料在可产生紫外气体的等离子体 气氛中照射 90s 进行活化。
步骤三： 将活化后的所述基底材料放置于反应腔体内， 抽真空以使所 述反应腔体内的压强降至 1 OPa; 随后， 先脉冲苯四甲酸二酐（ PMDA ) 5s 后，通入流量为 20sccm的 N 2 气吹扫所述反应腔体 15s，脉冲对苯二胺（ PDA ) Is后， 通入流量为 20sccm的 N 2 气吹扫所述反应腔体 20s， 如此交替脉冲 PMDA和 PDA,在所述基底材料表面沉积 1250层 PMDA-PDA薄膜，其中， 所述 PMDA-PDA薄膜厚度约为 1000nm。
步骤四： 将沉积有薄膜的所述基底材料放入等离子体发 生器中， 固化 90s; 其中， 所述等离子体发生器的功率为 250W， 固化气体为 Ar和 Xe的 混合等离子体， 气体 Ar的气流为 160sccm， 气体 Xe的气流为 40sccm。
这里，所述 PMDA-PDA薄膜紧紧包覆于所述陶瓷雾化片的微孔 道内 壁及其表面， 如此， 将所述陶瓷雾化片中微孔的孔径缩小至 20μπι; 由于微 孔孔道内壁及表面紧紧粘附有 PMDA-PDA薄膜， 因此， 本实施例所述陶瓷 雾化片具有极强的断裂强度和良好的阻隔性。
本实施例中， 所述陶瓷雾化片直径为 1mm; 所述有机材质雾化片的微 孔区的外径为 1mm; 且所述微孔区中的微孔共 100; 所述微孔雾化片中微 孔孔道的形状为方形； 所述微孔孔道的横截面的形状为方形。
值得注意的是， 实施例中在脉冲前驱体前对反应腔体进行抽真 空处理， 且整个反应过程均是在抽真空状态下进行的。
以上所述， 仅为本实用新型的较佳实施例而已， 并非用于限定本实用 新型的保护范围。