(1)第1の実施形態
 図2は、この発明に係るマイクロポンプ装置 の一実施形態を示す図である。

 このマイクロポンプ装置は、液体の流路� ��あるマイクロ流路22と、光の照射を受けて� �スを発生して当該ガスをマイクロ流路22に供 給するガス発生材料34と、ガス発生材料34に� �44を照射する光源42とを有するマイクロポン� ��10を備えている。更に、マイクロポンプ10の 光源42に、当該光源42を2値状態で明滅(即ち点 灯および消灯)させる制御パルス信号CSを供給 する制御装置50を備えている。

 マイクロポンプ10は、ガス発生材料34から 発生したガスをマイクロ流路22に供給するこ� ��によって、供給したガスの体積分だけマイ� ��ロ流路22内の液体を搬送することができる� �即ちポンプの働きをする。

 マイクロポンプ10は、この実施形態では� �マイクロ流路22に連通しているガス発生室32� ��更に有しており、ガス発生材料34はこのガ� �発生室32内に配置されている。従ってガス発 生材料34は、光44の照射を受けて発生したガ� �をガス発生室32からマイクロ流路22に湧出さ� ��る。

 制御装置50から光源42に供給する制御パル ス信号CSの一例を図3に示す。制御パルス信号 CSは、図3(A)に示すように、各ビットが光源42� ��点灯させる実質的に一定の第1レベル(例え� �高レベル)Hと、光源42を消灯させる実質的に� ��定の第2レベル(例えば0レベルまたは低レベ� ��)Lの2状態を取ることができる一定数の複数� ��ット(図3の例は8ビット)から成るパルス列パ ターンPPを繰り返すことによって、図3(B)に示 すように、光源42を2値状態で明滅させるもの である。従って、制御パルス信号CSと、光源4 2の明滅パターンとは互いに同期していて、� �じパターンになる。なお、図3(B)中の1は点灯 状態を示し、0は消灯状態を示す(図6、図7に� �いても同様)。

 制御パルス信号CSの各パルス幅τは例えば 10ms(ミリ秒)であり、従って光源42は高速で明� ��を繰り返す。

 制御装置50の構成は後で説明することに� �て、まずマイクロポンプ10の構成について詳 細に説明する。

 図2に示すように、この実施形態では、マ イクロポンプ10を構成するマイクロ流路22は� �路基板20内に形成されており、ガス発生室32� ��ポンプ基板30内に形成されている。両基板20 、30は、例えば、熱融着や図示しない接着層� ��よって互いに接着されている。但し、マイ� ��ロ流路22とガス発生室32を同一の基板内に形 成しても良い。

 マイクロ流路22は、例えば、50μm~2mm程度� �幅を持つ微小な流路である。このマイクロ� �路22の構造、長さ等は任意である。例えば、 一つのマイクロ流路22が単独で存在していて� ��良いし、複数に分岐していても良いし、他� ��マイクロ流路22等と連通していても良い。

 マイクロ流路22内を図示しない液体が流� �る。液体は、例えば、水、油、生化学的緩� �液、血液、リンパ液、尿、土壌抽出水、水� �水等である。マイクロ流路22が上記のように 微小であるから、上記液体は例えば液滴であ る。

 マイクロ流路22は、ガス発生室32に連通す る連通部24を有している。この連通部24は、� �えば、幅が0.2μm~20μm程度の1本以上の微細流� ��、最大孔径が5μm程度の多孔質体、または幅 が50μm程度以下の撥水性の流路等である。

 ガス発生室32の大きさは、例えば、総体積� �1cm ³  程度以下である。このガス発生室32は、例え� ��、単一の円筒状空間や多面体状空間でも良� ��し、複数に分岐する短い流路の集合体等で� ��良い。ガス発生室32の内壁には、ピラー形� �や溝形状、格子形状等の凹凸が設けられて� �ても良い。

 ガス発生材料34は、例えば光照射でガス� �発生する化合物をバインダー樹脂に分散ま� �は相溶させた材料である。光照射でガスを� �生する化合物は、光照射によりガスを発生� �る役目を果たす。バインダー樹脂は、光照� �でガスを発生する化合物を固定したり、ガ� �発生材料に種々の機能を付加する役目を果� �す。

 光照射でガスを発生する化合物としては� ��光源42からの光44を受けてガスを発生させる ものであれば、種類は特に限定されない。

 上記光照射でガスを発生する化合物とし� ��は、光分解反応によりガスを発生する化合� ��(A)、光酸発生剤と酸刺激ガス発生剤の混合� ��(B)、光塩基発生剤と塩基増殖剤の混合物(C)� ��を挙げることができる。これらのより具体� ��は後で詳述する。

 ガス発生材料34をガス発生室32内に配置す る態様には様々なものが採り得る。例えば図 示例のように、ガス発生室32の蓋をする透光� ��板36を設けておいて、その内面にガス発生� �料34を取り付けても良い。

 透光性板36は、光44を透過させるものであ り、例えば、(メタ)アクリル樹脂、ポリエチ� ��ンテレフタレート(略称PET)、シクロオレフ� �ンポリマー(略称COP)、ガラス等から成る。ポ ンプ基板30を透光性基板として、ポンプ基板3 0と透光性板36とを一体で形成しても良い。

 あるいは、ガス発生材料34は、錠剤とし� �ガス発生室32内に置かれても良いし、ガス発 生室32の内壁に塗りつけられたり、貼りつけ� ��れたりしていても良い。不織布や織布その� ��の多孔質体に含浸させたガス発生材料34が� �ス発生室32に嵌め込まれていても良い。また 、ガス発生室32の壁面を構成する部材がガス� ��生材料34を兼ねていても良い。

 光源42としては様々なものが採り得る。� �御パルス信号CSによって光源42を直接制御し� ��も良いし、光源用制御回路(後述する光源用 制御回路45参照)等を介して制御しても良い。 いずれにするかは、光源42の特性等に応じて� ��めれば良い。

 光源42から発する光44の波長は、ガス発生 材料34の分解反応(即ちガス発生反応)を生じ� �せることができるものであれば良く、特定� �波長に限定されない。紫外光や近紫外光で� �良い。また、単一波長でも良いし、広い発� �バンド幅を有していても良い。もっとも、� �ス発生材料34の分解反応を生じさせるのに都 合が良い波長周辺の半値幅が10nm程度の発光� �ンド幅のものが好ましく、その方が効率が� �い。

 光源42は、この実施形態では発光ダイオ� �ド(略称LED)であり、光源基板40上に設けられ� ��いる。トランジスタ46、ダイオード48等を有 する光源用制御回路45も光源基板40上に設け� �れている。光源基板40はポンプ基板30に実質� ��に対向させて配置している。光源基板40と� �ンプ基板30との間には、レンズや光導波路等 の光学系が介在していても良い。

 光源42は、光源用制御回路45を介して、制 御パルス信号CSによって制御されて、2値状態 で、しかも高速で明滅を繰り返す。即ち、制 御パルス信号CSが第1レベルHのときにダイオ� �ド48に順電流が流れてダイオード48の両端に� ��質的に一定値の順電圧が発生し、この順電� ��によってトランジスタ46がオンし、それに� �って電源Vccから光源42に実質的に一定値の電 流が流れて光源42が実質的に一定の強度で発� ��する。制御パルス信号CSが第2レベルLのとき はトランジスタ46がオフし、光源42は消灯す� �。このような動作か繰り返される。これに� �って、前述したように、光源42は制御パルス 信号CSと同じパターンで明滅を繰り返す。

 光源用制御回路45は、上記のように光源42 の特性等に応じて、必要がある場合に設けら れるものであり、機能上は光源42の一部を構� ��している。

 電源Vccは定電流制御されている方が好ま� ��く、そのようにすれば、光源42の発光強度� �より一定に近付けることができる。トラン� �スタ46のベースに印加する電圧を高くするた めに、複数のダイオード48を互いに直列接続� ��ても良い。

 発光ダイオードは、応答速度が速い、高� ��率、低消費電力、発熱が少ない、小型で高� ��度実装が可能等の利点を有しており、光源4 2に好適である。

 より具体的には、光源42用の発光ダイオ� �ドとして、例えば、波長が330nm~410nm程度の紫 外光から紫の光44を発するもので、発光出力� ��10mW~400mW程度の紫外発光ダイオードを選んで も良い。このような特性の光44は、ガス発生� ��料34の温度を殆ど上昇させずに済む。

 光源42は、発光ダイオードに限られるも� �ではなく、前記明滅を繰り返すことができ� �ものであれば、その他の光源でも良い。例� �ば、エレクトロルミネッセンス素子(略称EL� �子)、プラズマ発光素子等でも良い。更に光� ��42には、(a)外部電極形蛍光ランプ(EEFL)、マ� �クロハロゲンランプ等の連続発光の光源と� �シャッターとの組み合わせによって、取り� �す光を明滅させることができる光源、(b)連� �発光の光源、光ファイバーおよび光セレク� �の組み合わせによって、取り出す光を明滅� �せることができる光源、等を用いることも� �きる。上記光シャッター、光セレクタを制� �パルス信号CSで制御すれば良い。

 次に、制御装置50について説明する。

 制御装置50は、図2に示す実施形態では、� ��イクロポンプ10の出力レベルを指令するポ� �プ出力指令値を記憶するポンプ出力指令値� �憶部52と、このポンプ出力指令値記憶部52内� ��ポンプ出力指令値を前記制御パルス信号CS� �前記パルス列パターンPPに対応するビットパ ターンに変換して出力するビットパターン変 換部54と、このビットパターン変換部54から� �ビットパターンに基づいて前記制御パルス� �号CSを生成する制御パルス信号生成部56とを� ��えている。制御パルス信号生成部56は、ビ� �トパターン変換部54から供給されたビットパ ターンを記憶しておく記憶手段(例えば、メ� �リ、レジスタ等)を有している。

 図4に、上記ポンプ出力指令値、ビットパ ターンおよび光44の照射エネルギーの対応関� ��の一例を示す。図3では、図示の簡略化のた めにパルス列パターンPPが8ビットの例を示し たが、この図4の例は、ビットパターンは20ビ ットであり、従ってそれに対応するパルス列 パターンPPも20ビットになる。即ち、このビ� �トパターン中の論理値1のビットがパルス列� ��ターンPP中の第1レベルHのビットに対応し、 論理値0のビットが第2レベルLのビットに対応 している。換言すれば、パルス列パターンPP� ��、このビットパターンの1をHに、0をLに読み 替えたような構造をしている。

 ポンプ出力指令値は、マイクロポンプ10� �出力レベルを0から最大までの複数レベル(段 階)に指令するものである。図4に示す例では� ��0~15までの16段階である。

 この各ポンプ出力指令値がビットパター� ��変換部54によって各ビットパターンに変換� �れ、各ビットパターンが制御パルス信号生� �部56によってパルス列パターンPPに変換され� ��かつ当該パルス列パターンPPを繰り返して� �力することによって制御パルス信号CSが生成 される。この制御パルス信号CSを光源42に供� �することによって、光源42を前述したように 明滅させて、ガス発生材料34に照射する光44� �各照射エネルギーを実現することができる� �

 より具体的には、各ビットパターンは、� ��ポンプ出力指令値にそれぞれ対応するもの� ��あり、ポンプ出力指令値が大きくなるほど� ��論理値1のビットの数が増えている。制御パ ルス信号生成部56は、このビットパターン中� ��1を所定のパルス幅τ(図3参照)で上記第1レベ ルHのパルスに変換し、0を所定のパルス幅τ� �上記第2レベルLのパルスに変換してパルス列 パターンPPを生成し、かつこのパルス列パタ� ��ンPPを繰り返して出力して、上記制御パル� �信号CSを生成して出力する。

 この実施形態では、制御パルス信号CSの� �ビットのパルス幅τは互いに等しくかつ一定 であり、パルス列パターンPPは一定周期で繰� ��返される。即ち、制御パルス信号CSは、固� �長のパルス列パターンPPを一定周期で繰り返 すものである。パルス幅τは例えば10ms(ミリ� �)であり、従って光源42は高速で明滅を繰り� �す。但し、パルス幅τは10msに限られるもの� �はなく、10ms以下でも良いし、10ms以上でも良 い。例えば100ms程度でも良い。

 上記照射エネルギーは、単位時間当たりの� ��射エネルギーのことであり、その単位の次� ��はW/m ²  、この実施形態ではmW/cm ²  である(図5も参照)。

 上記ポンプ出力指令値、照射エネルギー� ��よびマイクロポンプ10の出力(即ち流量また� ��送液量)の間には、それぞれ、図5に示す例� �ように、光源42およびガス発生材料34の特性� ��に応じて、実質的に一定の対応関係がある� ��この各対応関係は、必ずしもリニヤである� ��要はない。実質的に一定の関係があれば良� ��。この対応関係を利用することによって、� ��ンプ出力指令値によって、所望の流量を実� ��することができる。

 上記ビットパターンおよびパルス列パタ� ��ンPPのビット数は上記8ビットや20ビットに� �られるものではなく、一定数の複数ビット� �あれば上記例以外のビット数でも良い。例� �ば、4ビッド、16ビット、32ビット等でも良い 。ビット数が多い方が、ガス発生材料34から� ��ガス発生量ひいてはマイクロポンプ10の送� �量を、より多くの段階に制御することがで� �る。

 制御装置50の全部または一部を、例えば� �イクロコンピュータまたはパーソナルコン� �ュータによって実現しても良い。後述する� �の実施形態における制御装置50も同様である 。

 この実施形態のマイクロポンプ装置にお� ��ては、制御装置50から光源42に供給する制御 パルス信号CSの第1レベルHのビット時に、光� �42が点灯してガス発生材料34の分解反応が始� ��り、ガスが発生する。制御パルス信号CSの� �2レベルLのビット時に、光源42が消灯してガ� ��発生材料34の分解反応が停止して、ガス発� �は停止する。即ち、制御パルス信号CSに含ま れる第1レベルHのビット数に応じて、ガス発� ��材料34の分解反応の持続時間が決まる。

 従って、制御パルス信号CSのパルス列パ� �ーンPPを構成する第1レベルHのビットと第2レ ベルLのビットとの組み合わせで、一定時間� �のガス発生材料34の分解量の総量、即ち前述 したガス発生材料みかけ分解速度を制御する ことができる。分解反応によって発生したガ スは、ガス発生材料34内で拡散して、前述し� ��ようにマイクロ流路22に湧出する。このマ� �クロ流路22に湧出するガスの体積分だけ、マ イクロ流路22内の液体が搬送される。

 上記のような作用によって、制御パルス� ��号CSのパルス列パターンPPを構成する第1レ� �ルHのビットと第2レベル間のビットとの組み 合わせで、ガス発生材料34からのガス発生量� ��いてはマイクロポンプ10の送液量を、中間� �階を含む複数段階に精度良く制御すること� �できる。

 しかも、上記制御パルス信号CSは光源42を 2値状態で明滅させるものであるので、前述� �た(図1参照)ガス発生材料34の照射光強度に対 する分解速度特性上の一定の動作点を利用す ることができる。例えば、図1中の線12との交 点における動作点を利用することができる。 従って、上記分解速度特性がリニヤでなくて も、上記ガス発生材料みかけ分解速度をほぼ リニヤに制御することができる。その結果、 ガス発生量の制御が容易になり、ガス発生量 の制御性が良くなる。

 なお、上記ビットパターンは、図4に示す 例のように、ポンプ出力指令値が0以外のと� �は、即ちマイクロポンプ10の出力を0にする� �き以外は、0のビットが4ビット以上連続しな いようにしても良い。パルス列パターンPPで� ��えば、マイクロポンプ10の出力を0にすると� ��以外は、第2レベルLのビットが4ビット以上� ��続しないようにしても良い。そのようにす� ��と、ガス発生材料34から発生するガスのリ� �プルを少なくすることができる。

 図5は、図4に示したビットパターンに基� �いて生成した制御パルス信号CSによってマイ クロポンプ10を(より具体的にはその光源42を) 制御したときの特性を測定した結果の一例を 示すものである。

 この測定に用いたマイクロポンプ10は、� �記光分解反応によりガスを発生する化合物(A )系の化合物を用いたガス発生材料34を、直径 8mm、深さ2mmのガス発生室32内に配置した構造� ��ものである。光源42には、ピーク波長365nm、 発光出力100mW、指向性100度の紫外発光ダイオ� ��ドを用いた。

 光源42から発する光44の照射エネルギーは 、ガス発生材料34に代えて、光パワーメータ� ��置いて測定した値である。流量は、深さ50μ m、幅200μmの矩形断面を持つ直線状のマイク� �流路22に水滴を導入してマイクロポンプ10で� ��液を行い、ビデオ画像の分析から求めた。

 この図5からも分かるように、ポンプ出力 指令値に従って、マイクロポンプ10の流量を� ��中間段階を含む多段階に精度良く制御する� ��とができた。

 なお、制御パルス信号CSは、前述したよ� �に固定長のパルス列パターンPPを一定周期で 繰り返すものが好ましく、それによって、長 さおよび周期が任意に変化するパルス列パタ ーンを繰り返す場合に比べて、制御パルス信 号CSの生成が遥かに容易になる。その結果、� ��御装置50の構成を簡素化することができる� �この効果は、マイクロポンプ10の数が多くな るほど顕著になる。

 例えば、マイクロポンプ10の数が多くな� �と、パルス列パターンPPの長さおよび周期を 任意に許した場合、各マイクロポンプ用の制 御パルス信号CSの生成が面倒になり、制御装� ��50が複雑になるけれども、上記のような制� �パルス信号CSを用いればそのような不都合を 防止することができる。従って、大規模に集 積されたマイクロポンプ装置を構成する場合 にも有利になる。

 また、ガス発生材料34は、光源42の点灯に よる光照射によって開始された当該ガス発生 材料34の分解反応が、光源42の消灯時から制� �パルス信号CSの各ビットのパルス幅τ以下の� ��間内に終結するものが好ましい。このよう� ��ガス発生材料34の例は後述する。このよう� �、いわゆる応答性の良いガス発生材料34を用 いると、光源42の消灯時に速やかにガス発生� ��料34の分解反応を停止させることができる� �で、分解反応の不所望な蓄積を抑えて、所� �のガス発生量を正確に実現することが容易� �なる。ひいては、マイクロポンプ10の所望の 送液量を正確に実現することが容易になる。

 光源42の消灯時に速やかに分解反応が停� �するガス発生材料34の応答性の一例を図6に� �し、それよりも応答性の悪い例を図7に示す� ��両図は概略図であり、かつ図示を簡略化す� ��ために、光源42の明滅パターンの1周期を3ビ ットにしている(図6(A)、図7(A)参照)。

 図6(B)に示すように、ガス発生材料34の分解� ��応が光源42の消灯時から上記パルス幅τ以下 の時間内に終結する場合は、光源42の明滅パ� ��ーンを繰り返しても、ガス発生材料34の分� �反応の不所望な蓄積を抑えることができる� �で、所望のガス発生量G ₁  を正確に実現することが容易になる(図6(C)参� ��)。

 一方、図7(B)に示すように、ガス発生材料34� ��分解反応が光源42の消灯時から上記パルス� �τ以下の時間内に終結しない場合は、光源42� ��明滅パターンを繰り返すと、ガス発生材料3 4の分解反応が徐々に蓄積され、それに伴っ� �ガス発生量が徐々に増えるので、所望のガ� �発生量G ₁  を正確に実現することが難しくなる(図7(C)参� ��)。

 制御装置50のポンプ出力指令値記憶部52は 、それに記憶している前記ポンプ出力指令値 を、マイクロポンプ10の動作中または動作前� ��書き替え可能なものであっても良い。この� ��き替えは、例えば、ディップスイッチのよ� ��な直接的な手段によって行うようにしても� ��いし、ソフトウエアによって行うようにし� ��も良い。

 ポンプ出力指令値記憶部52を上記のよう� �書き替え可能にものにすることによって、� �ンプ出力指令値の変更を速やかにマイクロ� �ンプ10の出力レベルに反映させて、マイクロ ポンプ10の出力を速やかに変更することがで� ��る。

 (2)ガス発生材料34の例
 前述したように、ガス発生材料34は、例え� �光照射でガスを発生する化合物をバインダ� �樹脂に分散または相溶させた材料である。� �照射でガスを発生する化合物は、光照射に� �りガスを発生する役目を果たす。バインダ� �樹脂は、光照射でガスを発生する化合物を� �定したり、ガス発生材料に種々の機能を付� �する役目を果たす。

 光照射でガスを発生する化合物としては� ��光分解反応によりガスを発生する化合物(A)� ��光酸発生剤と酸刺激ガス発生剤の混合物(B)� ��光塩基発生剤と塩基増殖剤の混合物(C)等を� ��げることができる。

 光分解反応によりガスを発生する化合物( A)の具体例としては、例えば、2,2’-アゾビス -(N-ブチル-2-メチルプロピオンアミド)などの� ��ゾ化合物や、3-アジドメチル-3-メチルオキ� �タンなどのアジド化合物、酸素原子含有量� �15~55重量%のポリオキシアルキレン樹脂など� �挙げられる。

 光酸発生剤と酸刺激ガス発生剤の混合物( B)の具体例としては、(a)光照射により効率的� ��分解し、強酸を発生させる従来公知の光酸� ��生剤、例えば、キノンジアジド化合物、オ� ��ウム塩、スルホン酸エステル類及び有機ハ� ��ゲン化合物からなる群から選ばれた少なく� ��も1種、より好ましくは、スルホン酸オニウ ム塩、ベンジルスルホン酸エステル、ハロゲ ン化イソシアヌレート及びビスアリールスル ホニルジアゾメタンからなる群から選ばれた 少なくとも1種と、(b)酸の刺激すなわち酸の� �用によりガスを発生する酸刺激ガス発生剤� �例えば、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリ� �ム、セスキ炭酸ナトリウム、炭酸マグネシ� �ム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭� �カルシウム、水素化ホウ素ナトリウム等と� �組み合わせが挙げられる。

 光塩基発生剤と塩基増殖剤の混合物(C)の� ��体例としては、(a)光照射により分解し、ガ� ��状の塩基を発生させる光塩基発生剤、例え� ��、コバルトアミン系錯体、カルバミン酸o-� �トロベンゼン、オキシウムエステル、カル� �モイルオキシイミノ基含有化合物と、(b)塩� �ガスと反応することによって、塩基ガスを� �生する塩基増殖剤、例えば、9-フルオレニル カルバメート誘導体との組み合わせが挙げら れる。

 バインダー樹脂は、光照射でガスを発生� ��る化合物を固定したり、ガス発生材料34に� �々の機能を付加するために添加されるもの� �ある。

 光照射でガスを発生させる化合物を固定� ��るバインダー樹脂としては、アクリル系、� ��ポキシ系の樹脂が好適に用いられる。しか� ��ながら、光照射でガスを発生する化合物を� ��散または相溶させるという目的に合致する� ��のであれば、これらに限定されるものでは� ��い。バインダー樹脂そのものが、光刺激に� ��るガス発生能を有していてもよい。例えば� ��酸素原子を15~55重量%含むポリオキシアルキ� ��ン樹脂は、光照射により自ら分解しつつガ� ��を発生する。

 ガス発生材料34は、支持部材に付着され� �いても良い。支持部材は、例えば不織布に� �り形成されている。不織布の表面に、上記� �ス発生材料を付着させて用いることにより� �ガス発生室32内にガス発生材料34のみを充填� ��せた場合に比べて、ガス発生材料の単位体� ��当りの表面積を増加させ、それによって、� ��スの発生効率を高めることができる。すな� ��ち、繊維状部材である不織布では、多数の� ��維が集合されて絡み合っており、繊維間の� ��間から発生したガスが速やかに外部に放出� ��れる。上記不織布の各繊維の表面に上記ガ� ��発生材料が付着されるように、ガス発生材� ��が不織布に含浸されて付着されている。こ� ��場合、支持部材を構成している不織布に、� ��ス発生材料が付着した段階においても、不� ��布の繊維間の隙間が残存する程度にガス発� ��材料が付着されている。そのため、光の照� ��によりガスが発生すると、ガスが上記隙間� ��ら速やかに外部に放出されることとなる。

 支持部材として、例えば不織布が用いら� ��ているが、不織布以外の、他の繊維状部材� ��用いてもよい。すなわち、綿、ガラス繊維� ��ポリエチレンテレフタレートやアクリルな� ��の合成繊維、パルプ繊維、金属繊維などが� ��合し、絡み合っている適宜の繊維状部材を� ��持部材として用いることができる。

 また、繊維状部材に限らず、発生したガ� ��が外部に速やかに放出され得る限り、繊維� ��部材だけでなく、繊維状部材を含む様々な� ��孔性部材を支持部材として用いることがで� ��る。ここで、多孔性部材とは、外表面に連� ��った多数の孔を有する部材を広く含むもの� ��し、上記不織布などのように、繊維間の隙� ��が外部に連なっている部材もまた多孔性部� ��に含めることとする。

 従って、上記繊維状部材以外に、内部か� ��外表面に連なる多数の孔が形成されている� ��例えば、スポンジ、破泡処理発泡体、多孔� ��ゲル、粒子融着体、ガス圧補助拡厚成形体� ��ハニカム構造体、筒状ビーズ、波折チップ� ��などの多孔性材料も上記支持部材を構成す� ��多孔性部材として好適に用いることができ� ��。また、ピラー等の表面積を大きくする工� ��も好ましく施される。

 また、上記支持部材の材質は、特に限定� ��れず、様々な無機材料または有機材料を用� ��ることができる。このような無機材料とし� ��は、ガラス、セラミック、金属、または金� ��酸化物、有機材料としては、ポリオレフィ� ��、ポリウレタン、ポリエステル、ナイロン� ��セルロース、アセタール樹脂、アクリル、� ��リエチレンテレフタレート、ポリアミド、� ��たはポリイミドなどを用いることができる� ��

 バインダー樹脂の含有により、ガス発生� ��料34を所望の形状に加工することが容易と� �る。例えば、フィルム状などの固形のガス� �生材料34を容易に得ることができる。従って 、図15を参照して後で説明するマイクロポン� ��10のように、フィルム状、テープ状のよう� �薄いガス発生材料34を用いる場合にも適して いる。

 バインダー樹脂は、粘着性を付与するた� ��に、例えば、粘接着剤樹脂を含むものであ� ��てもよい。ガス発生材料34にバインダーと� �て粘接着剤樹脂を含有させることにより、� �ス発生材料34と基板(例えば図15中の基板21。� ��下同様)との粘着性、接着性を高めることが できる。

 なお、上記粘接着剤樹脂は、光照射で粘� ��性が低下しないものが好ましい。これによ� ��て、ガス発生材料34に対する光照射が開始� �れた後もガス発生材料34と基板との高い粘接 着性を維持することができるからである。ま た上記粘接着剤樹脂は、例えば、光照射によ って架橋されないものであることが好ましい 。

 上記粘接着剤樹脂の具体例としては、例� ��ば、ゴム系粘接着剤樹脂、(メタ)アクリル� �粘接着剤樹脂、シリコーン系粘接着剤樹脂� �ウレタン系粘接着剤樹脂、スチレン-イソプ� ��ン-スチレン共重合体系粘接着剤樹脂、スチ レン-ブタジエン-スチレン共重合体粘接着剤� ��脂、エポキシ系粘接着剤樹脂、イソシアネ� ��ト系粘接着剤樹脂等が挙げられる。

 ガス発生材料34には、光照射でガスを発� �する化合物とバインダー樹脂の他に、光増� �剤が添加されてもよい。光増感剤の具体例� �しては、例えばチオキサントン、ベンゾフ� �ノン、アセトフェノン類、ポルフィリンな� �既知の増感剤が挙げられる。

 ガス発生材料34は、光照射でガスを発生� �る化合物とバインダー樹脂の他に、必要に� �じて、従来知られている種々の添加剤を更� �含んでいてもよい。そのような添加剤とし� �は、例えば、カップリング剤、可塑剤、界� �活性剤、安定剤等を挙げることができる。� �た、多孔質体、フィラー、金属箔、マイク� �カプセルその他の粒子と複合化されていて� �よい。ガス発生材料34に分散された多孔質体 、フィラー、金属箔、マイクロカプセルその 他の粒子は、ガスの拡散を見かけ上早くする のに役立つ。

 上に挙げたガス発生材料34は、いずれも� �光源42の消灯と共に速やかにガス発生反応が 停止する。即ち、前述した応答性の良いガス 発生材料34として適している。

 上記ガス発生材料34には、必要に応じて� �更に連鎖反応抑制剤が配合されてもよい。

 連鎖反応抑制剤としては、t-ブチルカテ� �ール、ヒロドキノン、メチルエーテル、カ� �ラーゼ、グルタチオンペルオキシダーゼ、� �ーパーオキシドディスムターゼ系酵素ビタ� �ンC、ビタミンE、ポリフェノール類、リノレ イン酸等の既知のラジカルスカベンジャーが 挙げられるが、これに限られるわけではなく 、連鎖反応を抑制する効果があるものであれ ば、何でもよい。

 なお、連鎖反応抑制剤は、連鎖反応にお� ��る連鎖成長段階を部分的に抑制するもので� ��って、連鎖開始段階を抑制するものではな� ��。

 (3)マイクロポンプ装置の他の実施形態に共� ��の説明
 図8~図12に示す各実施形態の説明においては 、先に説明した実施形態(例えば図2に示す実� ��形態)と同一または相当する部分には同一符 号を付し、先に説明した実施形態との相違点 を主体に説明する。

 図8~図12に示す各マイクロポンプ装置は、 それぞれ、前述したようなマイクロポンプ10� ��複数備えている。但し、各マイクロポンプ1 0等の図示を簡略化している。各マイクロポ� �プ10等の詳細は、各図よりも前の実施形態の 説明、例えば図2に示す実施形態の説明を参� �するものとする。

 複数のマイクロポンプ10をそれぞれ構成� �る各マイクロ流路22は、一つの流路基板20に� ��けられていても良いし、別々の部材に設け� ��れていても良い。各ガス発生室32も、一つ� �ポンプ基板30に設けられていても良いし、別 々の部材に設けられていても良い。各光源42� ��、一つの光源基板40に設けられていても良� �し、別々に設けられていても良い。

 マイクロポンプ10の数は、図8~図12に示す� ��では、図示の簡略化のために比較的少ない� ��で図示しているが、これらの例のものに限� ��ない。複数のマイクロポンプ10の各マイク� �流路22(図2参照)は、互いに独立していても良 いし、一部または全部が互いに連通していて も良い。また、複数のマイクロポンプ10は、1 次元に配列されていても良いし、2次元に配� �されていても良い。

 図8~図12に示す各制御装置50は、それぞれ、� ��数のマイクロポンプ10の各光源42に、複数の 制御パルス信号CS ₁  ~CS ₄  (またはCS ₁  ~CS ₈  等)を別々に供給するものである。各制御パ� �ス信号CS ₁  ~CS ₄  (またはCS ₁  ~CS ₈  等)は、前記制御パルス信号CSと同様のもので ある。従って、一つの制御装置50で複数のマ� ��クロポンプ10を別々に制御することができ� �。その結果、マイクロポンプ数の多いマイ� �ロポンプ装置を構成することが容易になる� �

 (4)第2の実施形態
 図8に示す実施形態では、制御装置50は、各� ��イクロポンプ10の出力レベルをそれぞれ指� �する複数のポンプ出力指令値を記憶するポ� �プ出力指令値記憶部52aと、このポンプ出力� �令値記憶部52a内の各ポンプ出力指令値を各� �イクロポンプ10用の制御パルス信号CS ₁  ~CS ₄  の前記パルス列パターンPPにそれぞれ対応す� ��複数のビットパターンにそれぞれ変換して� ��力するビットパターン変換部54aと、このビ� ��トパターン変換部54aからの各ビットパター� ��に基づいて各マイクロポンプ10用の制御パ� �ス信号CS ₁  ~CS ₄  をそれぞれ生成して、当該制御パルス信号CS ₁  ~CS ₄  をパラレルに出力する制御パルス信号生成部 56aとを備えている。この各制御パルス信号CS ₁  ~CS ₄  が、各光源42にそれぞれ供給される。

 制御パルス信号生成部56aは、ビットパタ� ��ン変換部54aから供給された複数のビットパ� ��ーンを記憶しておく記憶手段(例えば、メモ リ、レジスタ等)を有している。

 所望のマイクロポンプ10を停止させるに� �、当該マイクロポンプ10用のポンプ出力指令 値を0にすれば良い。後述する他の実施形態� �おいても同様である。

 ポンプ出力指令値記憶部52aは、それに記� ��している複数のポンプ出力指令値を、マイ� ��ロポンプ10の動作中または動作前に書き替� �可能なものであっても良い。ポンプ出力指� �値記憶部52aを上記のように書き替え可能に� �のにすることによって、ポンプ出力指令値� �変更を速やかに、対応するマイクロポンプ10 の出力レベルに反映させて、対応するマイク ロポンプ10の出力を速やかに変更することが� ��きる。以上のことは、図9~図12に示すポンプ 出力指令値記憶部52aについても言える。

 (5)第3の実施形態
 図9に示す実施形態では、制御装置50は、図8 で説明したようなポンプ出力指令値記憶部52a およびビットパターン変換部54aと、当該ビッ トパターン変換部54aからの各マイクロポンプ 10用の各ビットパターンを構成するビット情� ��をシリアルに出力するシリアルデータ生成� ��58と、このシリアルデータ生成部58からの前 記ビット情報に基づいて各マイクロポンプ10� ��の制御パルス信号CS ₁  ~CS ₄  ・・・をパラレルに生成して、当該制御パル ス信号CS ₁  ~CS ₄  ・・・をパラレルに出力する制御パルス信号 生成部56bとを備えている。この各制御パルス 信号CS ₁  ~CS ₄  ・・・が、各光源42にそれぞれ供給される。

 シリアルデータ生成部58から制御パルス� �号生成部56bへの信号は、伝送路64を用いて伝 送される。伝送路64は、例えば有線、無線、� ��外線等のいずれでも良いし、インターネッ� ��を経由しても良い。

 制御パルス信号生成部56bは、この実施形態� ��は、光源基板40に搭載している。制御パル� �信号CS ₁  ~CS ₄  ・・・の信号線をできるだけ短くするためで ある。この制御パルス信号生成部56bは、配置 上はシリアルデータ生成部58等と離れている� ��れども、機能上は制御装置50の一部を構成� �ている。図10に示す制御パルス信号生成部56c も同様である。

 シリアルデータ生成部58は、例えば、ビ� �トパターン変換部54aから供給される複数の� �ットパターンを記憶するビットパターン記� �部(例えばメモリ、レジスタ等)と、このビッ トパターン記憶部からパラレルに取り出した ビット情報を1ビットずつシリアルに出力す� �並直列データ変換器とを有している。この� �直列データ変換器は、例えばシフトレジス� �である。

 制御パルス信号生成部56bは、シリアルデ� ��タ生成部58からシリアルに送られて来るビ� �ト情報を、各マイクロポンプ10用のビットパ ターンに並び替えてパラレルに出力する直並 列データ変換器を有している。この直並列デ ータ変換器は、例えばシフトレジスタである 。

 後の説明を簡略化するために、上記ビッ� ��パターン変換部54aおよびシリアルデータ生� ��部58を含む回路を、変換回路60と呼ぶことに する。

 この実施形態では、シリアルデータ生成� ��58から制御パルス信号生成部56bへ、複数の� �イクロポンプ10用の各ビットパターンを構成 するビット情報をシリアルに伝送することが できるので、伝送路64の数を少なくすること� ��できる。しかもマイクロポンプ10の数がい� �ら増えても、必要な伝送路64の数は変らない 。

 例えば、ビット情報を伝送する伝送路64� �1本で済む。これに加えて補助信号(例えば図 10に示すクロック信号CLKおよびラッチ信号LCH� ��相当するもの)を伝送するとしても、伝送路 64の数は3本程度で済む。しかもマイクロポン プ10の数をいくら増やしても、伝送路64の数� �上記本数で変らない。

 その結果、制御パルス信号生成部56bを複� ��のマイクロポンプ10の光源42に近付けて配置 し、それらと分離して、制御装置50の残りの� ��成要素(即ちポンプ出力指令値記憶部52aおよ び変換回路60)を配置することが容易になるの で、配線処理が簡単になると共に、装置構成 の自由度が大幅に増大する。以上の効果は、 マイクロポンプの数が多くなるほど顕著にな る。

 例えばこの実施形態のように、制御パル� ��信号生成部56bは光源42と同じ光源基板40に搭 載し、制御装置50の残りの構成要素は光源基� ��40と離して任意の位置に配置することがで� �る。

 しかも、マイクロポンプ数の増大にも容易� ��対応することができる。例えば、マイクロ� ��ンプ10の数が40~200程度、あるいはそれ以上� �増えると、図8に示した実施形態では、制御� ��置50と光源基板40との間の制御パルス信号CS ₁  ・・・の信号線の数もマイクロポンプ10と同� ��になり、従ってその配線処理が面倒になる� ��これに対して、この実施形態では、制御パ� ��ス信号生成部56bを各光源42に近付けて配置� �ることができるので、例えば制御パルス信� �生成部56bを光源42と同じ光源基板40に搭載す� ��ことができるので、制御パルス信号CS ₁  ・・・の信号線の配線は非常に短くて済み、 従ってその配線処理が容易になる。マイクロ ポンプ10の数がいくら増えても、伝送路60の� �は上述したように変らない。従ってマイク� �ポンプ数の増大にも容易に対応することが� �きるので、大規模に集積されたマイクロポ� �プ装置を構成することが容易になる。

 (6)第4の実施形態
 図10に示す実施形態では、制御装置50は、各 マイクロポンプ10の出力レベルをそれぞれ指� ��する複数のポンプ出力指令値を記憶するポ� ��プ出力指令値記憶部52aと、シリアルのビッ� ��情報の伝送を同期させるクロック信号CLKを� ��成するクロック信号生成部76と、当該クロ� �ク信号CLKをマイクロポンプ10の数だけカウン トしてラッチ信号LCHを生成するラッチ信号生 成部78とを備えている。

 ポンプ出力指令値記憶部52aは、例えば、� ��8、図9に示したポンプ出力指令値記憶部52a� �同様のものである。但しこの実施形態では� �このポンプ出力指令値記憶部52aからは、次� �述べるビットパターン変換部54bによって、� �ンプ出力指令値は一つずつ取り出される。

 クロック信号生成部76は、所定の周期で� �例えば0.25ms周期で、クロック信号CLKを出力� �る。

 ラッチ信号生成部78は、クロック信号CLK� �マイクロポンプ10の数だけカウントする度に 1パルスを出力する。これがラッチ信号LCHで� �る。例えば、クロック信号CLKの周期が0.25ms� �マイクロポンプ10の数が40の場合、0.25×40=10ms ごとに1パルスが出力される。即ち、ラッチ� �号LCHの周期はこの例では10msである。

 制御装置50は、更に、ポンプ出力指令値� �憶部52a内の各ポンプ出力指令値を、一つの� �ンプ出力指令値ずつクロック信号CLKのタイ� �ングで順次取り出して、マイクロポンプ10用 の前記制御パルス信号CSの前記パルス列パタ� ��ンPPに対応するビットパターンに変換して� �力するビットパターン変換部54bと、このビ� �トパターン変換部54bから出力される一つの� �ンプ出力指令値のビットパターンを記憶す� �ビットパターンレジスタ72と、このビットパ ターンレジスタ72内のビットパターンからク� ��ック信号CLKのタイミングごとに1ビットのビ ット情報を取り出し、かつ当該ビット情報を 取り出す位置をラッチ信号LCHに従って一つず つシフトすることによって、複数のマイクロ ポンプ10用の複数のビットパターンの同一桁� ��ビット情報をシリアルビットパターンSBと� �て出力するビットセレクタ74とを備えている 。

 ビットパターン変換部54bは、この実施形� ��では、ポンプ出力指令値記憶部52a内の各ポ� ��プ出力指令値を、一つのポンプ出力指令値� ��つクロック信号CLKのタイミングで巡回しな� ��ら順次取り出して出力する巡回セレクタ70� �、この巡回セレクタ70から一つのポンプ出力 指令値が出力される度にそれをビットパター ンに変換して出力する変換部71とを備えてい� ��。この変換部71は、例えば、図2に示したビ� ��トパターン変換部54と実質的に同じ機能を� �している。

 ビットパターンレジスタ72は、変換部71か ら一つのビットパターンが出力される度に、 最新の一つのビットパターンを記憶する。

 ビットセレクタ74の動作を、図14を参照し ながら説明する。この図14は、理解を容易に� ��るために、便宜的に、複数のビットパター� ��を桁を揃えて並べたものであり、複数のビ� ��トパターンが実際に図14に示すようにマト� �クス状に配列されているわけではない。ま� �、この図14では、説明を簡略化するために、 ポンプが四つ、各ビットパターンが8ビット� �場合を例示しているが、これに限られるも� �ではない。

 ビットパターンレジスタ72には、クロッ� �信号CLKのタイミング(例えば0.25ms)ごとに、例 えば、初めはポンプ番号1のビットパターン� �次はポンプ番号2のビットパターン、・・・� ��いうように、一つのビットパターンが順次� ��書きされて行く。ビットパターンレジスタ7 2に記憶されるのは、あくまでも一つのビッ� �パターンである。

 ビットセレクタ74は、ビットパターンレ� �スタ72内のビットパターンからクロック信号 CLKのタイミングごとに1ビットのビット情報� �取り出す。ところが、上記のようにビット� �ターンレジスタ72内のビットパターンはクロ ック信号CLKのタイミングごとに上書きされて 行くので、結局、ビットセレクタ74は、図14� �示す例えば第1桁のビット情報を、クロック� ��号CLKのタイミングごとに1ビットずつ順次取 り出して出力することになる。これが、上述 した、複数のビットパターンの同一桁のビッ ト情報をシリアルビットパターンSBとして出� ��することである。そして、ビットセレクタ7 4は、ラッチ信号LCHの変化のタイミング(例え� ��立下り。以下同様)ごとに、ビット情報を取 り出す桁を一つずつシフトする。例えば第2� �、第3桁、・・・とシフトする。

 以上のような動作によって、ビットセレ� ��タ74からは、例えば、ポンプ番号1~4の第1桁� ��各1ビットがシリアルになった(換言すれば� �系列になった)シリアルビットパターンSBが� �力され、次いでポンプ番号1~4の第2桁のシリ� ��ルビットパターンSBが出力され、以下同様� �してポンプ番号1~4の第8桁のシリアルビット� ��ターンSBが出力され、以降は上記と同様の� �作が繰り返される。

 制御装置50は、更に、ビットセレクタ74から の前記シリアルビットパターンSB、クロック� ��号生成部76からのクロック信号CLKおよびラ� �チ信号生成部78からのラッチ信号LCHをそれぞ れ伝送する3本の伝送路65~67と、この伝送路65~ 67からのシリアルビットパターンSB、クロッ� �信号CLKおよびラッチ信号LCHを取り込むシフ� �レジスタ57を有していて、シリアルビットパ ターンSBに基づいて、各マイクロポンプ10用� �前記制御パルス信号CS ₁  ~CS ₈  をパラレルに生成して、当該制御パルス信号 CS ₁  ~CS ₈  をパラレルに出力する制御パルス信号生成部 56cとを備えている。この各制御パルス信号CS ₁  ~CS ₈  が、各光源42にそれぞれ供給される。

 伝送路65~67は、例えば、有線、無線、赤� �線等のいずれでも良いし、インターネット� �経由しても良い。

 制御パルス信号生成部56cは、図10に示す� �では、互いに直列接続された二つのシフト� �ジスタ57を有しているが、これに限られるも のではなく、シフトレジスタ57の数は、その� ��ット数(出力端子数)とマイクロポンプ10の数 との関係で決めれば良い。即ち、マイクロポ ンプ10の数に一つのシフトレジスタ57のビッ� �数が不足していれば、不足を解消すること� �できる数のシフトレジスタ57を互いに直列接 続すれば良い。図10中の符号SBIはシリアルビ� ��トパターンSBの入力端子、符号SBOは溢れた� �リアルビットパターンSBの出力端子である。

 各シフトレジスタ57は、公知のシフトレジ� �タであり、上記ビットセレクタ74における動 作とほぼ反対の動作によって、取り込んだシ リアルビットパターンSBのビット情報を、ク� ��ック信号CLKのタイミングごとに各マイクロ� ��ンプ10用に振り分け、ラッチ信号LCHのタイ� �ングごとにパラレルに出力する。ラッチ信� �LCHのタイミング間(例えば上記10ms)は、直前� �状態を保持している。このような動作によ� �て、二つのシフトレジスタ57から、即ち制御 パルス信号生成部56cから、上記制御パルス信 号CS ₁  ~CS ₈  をパラレルに出力することができる。

 後の説明を簡略化するために、上記ビッ� ��パターン変換部54b、ビットパターンレジス� ��72、ビットセレクタ74、クロック信号生成部 76およびラッチ信号生成部78を含む回路を、� �換回路60aと呼ぶことにする。

 この実施形態では、ビットパターンレジ� ��タ72は一つのポンプ出力指令値のビットパ� �ーンを記憶することができるものであれば� �いので、マイクロポンプ10の数が増大しても 、ビットパターンレジスタ72の容量を増大さ� ��る必要がない。つまり、制御装置50に必要� �する記憶部の容量を小さく抑えることがで� �る。従って、制御装置50の小型化かつ低コス ト化を図ることができると共に、マイクロポ ンプ数の多い大規模なマイクロポンプ装置を 構成することがより容易になる。

 それに加えて、各マイクロポンプ10用の� �ットパターンを構成するビット情報をシリ� �ルに伝送する方式であるので、図9に示した� ��施形態の効果と同様の効果を奏することが� ��きる。

 即ち、マイクロポンプ10の数に依らずに� �伝送路65~67の数を3本にすることができる。� �た、制御パルス信号生成部56cを複数のマイ� �ロポンプ10の光源42に近付けて配置し、例え� ��光源基板40に搭載し、それと分離して、制� �装置50の残りの構成要素を配置することが容 易になるので、配線処理が簡単になると共に 、装置構成の自由度が増大する。従ってマイ クロポンプ数の増大にも容易に対応すること ができるので、大規模に集積されたマイクロ ポンプ装置を構成することが容易になる。

 (7)第5の実施形態
 図11に示す実施形態では、制御装置50は、図 10に示したポンプ出力指令値記憶部52aおよび� ��換回路60aに加えて、外部から与えられるコ� ��ンド列COMを解釈して、ポンプ出力指令値記� ��部52a内の複数のポンプ出力指令値を、マイ� ��ロポンプ10の動作中または動作前に書き替� �るコマンドインタープリタ86を備えている。 このコマンドインタープリタ86は、図12に示� �コマンドインタープリタ86aと違って、ポン� �出力指令値記憶部52a内のポンプ出力指令値� �書き替える動作を、コマンド列COMに応答し� �すぐに実行する。

 光源基板40の構成は図10に示す実施形態と 同様のものであるので、ここでは図示を簡略 化している。図12に示す実施形態においても� ��様である。

 コマンド列COMは、例えば、複数のマイク� ��ポンプ10のポンプ番号、ポンプ出力指令値� �ポンプの起動、ポンプの停止等を指令する� �マンドを含んでいる。

 コマンド列COMは、例えば、ASCII(アスキー。A merican Standard
Code for Information Interchangeの略称)文字による 対話的なコマンド列である。

 コマンドインタープリタ86へは、例えば� �外部装置80から、通信部82、84を介して、上� �コマンド列COMが与えられる。外部装置80は、 例えば、パーソナルコンピュータである。コ マンド列COMを伝送する手段としては、有線方 式、無線方式、赤外線方式、インターネット 経由等の公知の手段が採り得る。

 この実施形態では、制御装置50が上記の� �うなコマンドインタープリタ86を備えている ので、外部から与えられるコマンド列COMによ って、個々のマイクロポンプ10の動作および� ��力を、任意のタイミングで動的に制御する� ��とができる。従って、各マイクロポンプ10� �制御がより柔軟かつ容易になる。

 (8)第6の実施形態
 図12に示す実施形態では、制御装置50は、図 11に示したコマンドインタープリタ86の代わ� �に、コマンドインタープリタ86a、イベント� �報記憶部88、タイマー90、プリフェッチ部92� �よびイベントマネジメント部94を有している 。

 コマンドインタープリタ86aは、外部から� ��えられるコマンド列COMを解釈して、ポンプ� ��号、ポンプ出力指令値および実行予約時刻� ��組とするイベント情報(これはイベントクロ ージャーとも呼ばれる)を複数生成する。

 一つのイベント情報の構成の一例を図13(A )に示す。実行予約時刻、ポンプ番号および� �ンプ出力指令値が組になっている。このよ� �な複数のイベント情報から成るイベント情� �列の一例を図13(B)に示す。この例では、実行 予約時刻、ポンプ番号およびポンプ出力指令 値は、いずれも、整数で表現されている。但 しこれに限られるものではない。

 コマンドインタープリタ86aに与えられる� ��記コマンド列COMには、この実施形態では、� ��記実行予約時刻を指令するコマンドも含ま� ��ている。

 イベント情報記憶部88は、コマンドイン� �ープリタ86aからの複数の上記イベント情報� �記憶する。具体的には、図13(B)に例示したよ うなイベント情報列を記憶する。

 タイマー90は、基準となる時刻を刻むも� �である。

 プリフェッチ部92は、イベント情報記憶� �88から複数のイベント情報をそれらの実行よ り先に取り出すものである。より具体的には 、上記イベント情報列から実行予約時刻順に イベント情報を取り出す。

 イベントマネジメント部94は、プリフェ� �チ部92内に取り出されたイベント情報内の実 行予約時刻とタイマー90の時刻とを比較して� ��時刻が実行予約時刻に達しているイベント� ��報があれば、当該イベント情報内のポンプ� ��号のポンプ出力指令値をポンプ出力指令値� ��憶部52aに与えて、対応するポンプ番号のポ� ��プ出力指令値を書き替える。これによって� ��対応するマイクロポンプ10の出力が変更さ� �る。

 この実施形態では、制御装置50が上記の� �うなコマンドインタープリタ86a、イベント� �報記憶部88、イベントマネジメント部94等を� ��えているので、外部から与えられるコマン� ��列COMに基づくイベント情報を記憶しておい� ��、個々のマイクロポンプ10をそれらの実行� �約時刻にそれぞれ制御することができる。� �ち、個々のマイクロポンプ10を、外部装置80� ��制御下から離れて、言わば自律的に制御す� ��ことができる。しかも、制御装置50は外部� �ら与えられるコマンド列COMに基づくイベン� �情報を記憶しておくので、制御装置50にコマ ンド列を常時与える必要はなく、従ってコマ ンド列COMの通信速度上の制約がなくなる。そ の結果、より大規模に集積されたマイクロポ ンプ装置にも対応することができる。

 イベント情報記憶部88を不揮発性の記憶� �段を用いて構成しても良く、そのようにす� �ば、外部装置80からコマンド列COMを与えた後 に制御装置50の電源を切断し更に再起動して� ��、自律的に個々のマイクロポンプ10の出力� �制御することができる。

 なお、図11に示すコマンドインタープリ� �86等を用いる技術思想や、図12に示すコマン� ��インタープリタ86a、イベントマネジメント� ��94等を用いる技術思想を、図1、図8、図9に� �す制御装置50に適用しても良い。

 (9)マイクロポンプ10の他の例
 マイクロポンプ10は、前記ガス発生室32を有 していなくても良い。要は、光源42からの光4 4の照射を受けてガス発生材料34から発生した ガスをマイクロ流路22に供給すれば良く、そ� ��によって前述したポンプの働きをするから� ��ある。即ち、ガス発生材料34から発生した� �スをマイクロ流路22に供給することによって 、供給したガスの体積分だけマイクロ流路22� ��の液体を搬送することができ、ポンプとし� ��働く。

 ガス発生室32を有していないマイクロポ� �プ10の一例を図15に示す。

 このマイクロポンプ10は、基板21内に形成 されておりかつ当該基板21の主面に開いた開� ��25を有しているマイクロ流路22と、基板21の� ��記主面にマイクロ流路22の開口25を覆って配 置されているガス発生材料34と、このガス発� ��材料34の、前記マイクロ流路22の開口25を覆� ��領域に光44を照射する光源42とを有している 。

 基板21とガス発生材料34とは、例えば、図 示しない接着層によって接着されている。

 上記光源42に、例えば図1に示す制御装置50� �ら前記制御パルス信号CSが供給される。マイ クロポンプ装置は、上記マイクロポンプ10を� ��数有していても良く、その場合は、各マイ� ��ロポンプ10の各光源42に、例えば図8~図12に� �す制御装置50から複数の前記制御パルス信号 CS ₁  、CS ₂  、・・・が別々に供給される。

 マイクロ流路22、ガス発生材料34、光源42� ��制御装置50等の説明は、これ以前の実施形� �の説明を参照するものとし、ここでは重複� �明を省略する。

 ガス発生材料34の表面に、ガスを阻止す� �ものであって透光性のガスバリア層37を配置 しておいても良い。そのようにすれば、ガス 発生材料34で発生したガスをより効率良くマ� ��クロ流路22に供給することができるので、� �イクロ流路22において高いガス圧を得ること が容易になる。

 基板21、ガス発生材料34およびガスバリア 層37は、例えば、フィルム状、テープ状等の� ��状をしていても良い。

 上記のようなマイクロポンプ10によれば� �マイクロポンプ10のより小型化、薄型化が可 能になる。その結果、例えば、多数のマイク ロポンプ10が大規模に集積されたマイクロポ� ��プアレイを構成することも容易になる。