Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
MICROSTRIP ANTENNA
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2018/084737
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to antenna technology, and more accurately, to microstrip antennas formed by an electrically conductive layer on a dielectric substrate, and can be used in various radio-engineering systems, for example in antenna arrays. The technical result of the invention consists in increasing the accuracy of setting desired values for the amplitude and the phase of antenna signals, improving the shape of a directional path perpendicular to the plane of a transceiver element, improving the efficiency factor and the gain factor of an antenna, while reducing the geometrical dimensions of a transceiver element of an antenna. A microstrip antenna comprises an upper and a lower dielectric substrate, between which a transceiver element in the form of a self-contained microstrip line is arranged, wherein two reflectors and a microstrip line are arranged on the upper surface of the upper dielectric substrate.

Inventors:
KROPOTOV VLADIMIR AVENIROVICH (RU)
Application Number:
PCT/RU2016/000892
Publication Date:
May 11, 2018
Filing Date:
December 16, 2016
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
OBSCHESTVO S OGRANICHENNOI OTVETSTVENNOSTYU RADIO VISION (RU)
International Classes:
H01Q9/28
Foreign References:
US4218682A1980-08-19
US7123195B22006-10-17
RU158717U12016-01-20
CN105161848A2015-12-16
Attorney, Agent or Firm:
KOTLOV, Dmitry Vladimirovich (RU)
Download PDF:
Claims:
ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Микрополосковая антенна, содержащая верхнюю и нижнюю диэлектрические подложки, между которыми расположен приемно-излучающий элемент, выполненный в виде замкнутой микрополосковой линии, при этом на верхней поверхности верхней диэлектрической подложки расположены два рефлектора и микрополосковая линия.

2. Антенна по п. 1, отличающаяся тем, что на нижней поверхности нижней диэлектрической подложки закреплена заземляющая металлическая пластина.

3. Антенна по любому из п.п. 1 или 2, отличающаяся тем, что в приемно- излучающем элементе, в верхней и нижней диэлектрических подложках и в заземляющей металлической пластине выполнено первое отверстие для размещения первого штыря.

4. Антенна по любому из п.п. 1 или 2, отличающаяся тем, что в области микрополосковой линии в верхней и нижней диэлектрических подложках и в заземляющей металлической пластине выполнено второе отверстие для размещения второго штыря.

5. Антенна по п. 1, отличающаяся тем, что рефлекторы выполнены в виде микрополосковых линий.

6. Антенна по п. 2, отличающаяся тем, что в заземляющей металлической пластине отверстия в области первого и второго штырей выполнены расширенными для изоляции штырей.

7. Антенна по п. 1, отличающаяся тем, что приемно-излучающий элемент выполнен в форме овала, прямоугольника, квадрата или окружности.

8. Антенна по п. 1, отличающаяся тем, что рефлекторы на верхней диэлектрической подложке расположены внутри или вне контура приемно-излучающего элемента.

9. Антенна по п. 1, отличающаяся тем, что микрополосковая линия на верхней диэлектрической подложке расположена вне контура приемно-излучающего элемента.

Description:
МИКРОПОЛОСКОВАЯ АНТЕННА

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

Изобретение относится к антенной технике, и более точно, к микрополосковым антеннам, образованным электропроводящим слоем на диэлектрической подложке, и может быть использовано в различных радиотехнических системах, например, в антенных решетках.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Известна микрополосковая антенна, раскрытая в US 6018319 А, опубл. 25.01.2000. Известная антенна содержит излучающий элемент в виде плоской накладки прямоугольной формы, плоский диэлектрический слой, на котором расположена эта накладка, плоский заземляющий слой с крестообразной апертурой, точка пересечения линейных отверстий которой соответствует центру указанной накладки, и второй диэлектрический слой с цепями питания сложной формы.

Недостатком известной антенны является сложность конструкции и высокие требования к точности расположения апертуры относительно излучающего элемента, а также не обеспечивается возможность контроля амплитуды и фазы антенных сигналов, т.е., излучаемых или принимаемых сигналов антенны.

Наиболее близким аналогом заявленного изобретения является микрополосковая антенна, раскрытая в US 7123195 А, опубл. 25.01.2000. Микрополосковая антенна, раскрытая в наиболее близком аналоге, содержит плоский приемно-излучающий элемент, имеющий форму прямоугольника, плоскую диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен указанный приемно-излучающий элемент, и плоскую заземляющую металлическую пластину, расположенную с обратной стороны этой подложки параллельно ей.

Недостаток наиболее близкого аналога заключается в том, что в нем не обеспечивается возможность контроля амплитуды и фазы антенных сигналов. Кроме того, не обеспечиваются малые размеры приемно-излучающего элемента, необходимая форма диаграммы направленности, перпендикулярной плоскости приемно-излучающего элемента, высокие радиотехнические характеристики антенны, в частности, коэффициент полезного действия, коэффициент усиления.

РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Задачей заявленного изобретения является разработка микрополосковой антенны линейной поляризации с рефлекторами для различных применений и, в первую очередь, для использования в фазированных антенных решетках. Техническим результатом изобретения является увеличение точности установки требуемых значений амплитуды и фазы антенных сигналов, улучшение формы диаграммы направленности, перпендикулярной плоскости приемно-излучающего элемента, увеличение коэффициента полезного действия и коэффициента усиления антенны, при уменьшении геометрических размеров приемно-излучающего элемента антенны.

Указанный технический результат достигается за счет того, что микрополосковая антенна содержит верхнюю и нижнюю диэлектрические подложки, между которыми расположен приемно-излучающий элемент, выполненный в виде замкнутой микрополосковой линии, при этом на верхней поверхности верхней диэлектрической подложки расположены два рефлектора и микрополосковая линия.

На нижней поверхности нижней диэлектрической подложки закреплена заземляющая металлическая пластина.

В приемно-излучающем элементе, в верхней и нижней диэлектрических подложках и в заземляющей металлической пластине выполнено первое отверстие для размещения первого штыря.

В области микрополосковой линии в верхней и нижней диэлектрических подложках и в заземляющей металлической пластине выполнено второе отверстие для размещения второго штыря.

Рефлекторы выполнены в виде микрополосковых линий.

В заземляющей металлической пластине отверстия в области первого и второго штырей выполнены расширенными для изоляции штырей.

Приемно-излучающий элемент выполнен в форме овала, прямоугольника, квадрата или окружности.

Рефлекторы на верхней диэлектрической подложке расположены внутри или вне контура приемно-излучающего элемента.

Микрополосковая линия на верхней диэлектрической подложке расположена вне контура приемно-излучающего элемента.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Изобретение будет более понятным из описания, не имеющего ограничительного характера и приводимого со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых изображено:

Фиг. 1 - вид сверху микрополосковой антенны;

Фиг. 2 - поперечный разрез микрополосковой антенны по плоскости АА;

Фиг. 3 - поперечный разрез микрополосковой антенны по плоскости ВВ.

1 - приемно-излучающий элемент; 2 - верхняя диэлектрическая подложка; 3 - нижняя диэлектрическая подложка; 4 - заземляющая металлическая пластина; 5 микрополосковая линия; 6 - второй штырь; 7 - расширенное отверстие под второй штырь; 8 - первый штырь; 9 - расширенное отверстие под первый штырь; 10 -рефлектор.

ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

В соответствии с фиг. 1-3 микрополосковая антенна содержит верхнюю (2) и нижнюю (3) диэлектрические подложки, между которыми расположен приемно- излучающий элемент (1), выполненный в виде замкнутой микрополосковой линии, при этом на верхней поверхности верхней (2) диэлектрической подложки расположены два рефлектора (10) и микрополосковая линия (5).

На нижней поверхности нижней (3) диэлектрической подложки закреплена заземляющая металлическая пластина (4) на всей нижней поверхности нижней (3) диэлектрической подложки.

В приемно-излучающем элементе (1), в верхней (2) и нижней (3) диэлектрических подложках и в заземляющей металлической пластине (4) выполнено первое отверстие для размещения первого штыря (8). Первый штырь (8) необходим для подключения приемно- излучающего элемента (1) к приемно-передающему устройству (на фиг. не показано).

В области микрополосковой линии (5) в верхней (2) и нижней (3) диэлектрических подложках и в заземляющей металлической пластине (4) выполнено второе отверстие для размещения второго штыря (6). Второй штырь (6) необходим для подключения микрополосковой линии (5) к устройству контроля амплитуды и фазы антенных сигналов (на фиг. не показано).

Рефлекторы (10) выполнены в виде микрополосковых линий.

В заземляющей металлической пластине (4) отверстия (7, 9) в области первого (8) и второго (6) штырей выполнены расширенными для изоляции штырей (6, 8).

Приемно-излучающий элемент (1) выполнен в форме овала, прямоугольника, квадрата или окружности.

Рефлекторы (10) на верхней (2) диэлектрической подложке расположены внутри или вне контура приемно-излучающего элемента (1). При расположении рефлекторов (10) вне контура приемно-излучающего элемента (1), между рефлекторами (10) расположен приемно-излучающий элемент (1), при этом один из рефлекторов (10) расположен между приемно-излучающим элементом (1) и микрополосковой линией (5).

Микрополосковая линия (5) на верхней (2) диэлектрической подложке расположена вне контура приемно-излучающего элемента (1).

Микрополосковая антенна работает следующим образом. При приеме радиосигналов рефлекторы (10) и приемно-излучающий элемент (1) выделяют полезный сигнал, который через первый штырь (8) поступает в приемно-передающее устройство, с последующей обработкой сигнала.

При подаче на первый штырь (8) сигнала от приемно-передающего устройства, приемно-излучающий элемент (1) и рефлекторы (10) излучают передаваемый сигнал.

В микрополосковой линии (5) наводятся сигналы от приемно-излучающего элемента (1) и рефлекторов (10), которые через второй штырь (6) поступают в устройство контроля амплитуды и фазы антенных сигналов.

Наличие в микрополосковой антенне приемно-излучающего элемента (1), рефлекторов (10) и микрополосковой линии (5), позволяет обеспечить возможность различного и удобного размещения указанных элементов антенны для обеспечения концентрации всех сигналов, в том числе полученных рефлекторами, в приемно- излучающем элементе, тем самым позволяет улучшить формы диаграммы направленности, перпендикулярной плоскости приемно-излучающего элемента, увеличить коэффициент полезного действия (на 10 %) и коэффициент усиления антенны (на 20 %), при уменьшении геометрических размеров приемно-излучающего элемента антенны. Выполнение приемно-излучающего элемента в виде замкнутой линии позволяет уменьшить его размеры (примерно на 20 %), при обеспечении высокого качества антенных сигналов. Микрополосковая линия (5) обеспечивает контроль амплитуды и фазы антенных сигналов, а именно излучаемый сигнал, а не сигнал, подводимый к передающей антенне, даже не подключая устройство контроля к приемному тракту и тем самым, исключая воздействие устройства контроля на этот тракт.

Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет увеличить точность установки требуемых значений амплитуды и фазы антенных сигналов, улучшить формы диаграммы направленности, перпендикулярной плоскости приемно-излучающего элемента, увеличить коэффициент полезного действия и коэффициент усиления антенны, при уменьшении геометрических размеров приемно-излучающего элемента антенны.

Изобретение было раскрыто выше со ссылкой на конкретный вариант его осуществления. Для специалистов могут быть очевидны и иные варианты осуществления изобретения, не меняющие его сущности, как она раскрыта в настоящем описании. Соответственно, изобретение следует считать ограниченным по объему только нижеследующей формулой изобретения.